JP2022051394A - 製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】補正情報の学習および書き込みの効率を向上させること。【解決手段】製造方法は、リードヘッドが磁気ディスクの半径方向に設定された複数の学習位置のうちの第１の学習位置上に位置するように磁気ヘッドを移動させることと、第１の学習位置にかかるＲＲＯ補正情報をリードヘッドを用いて学習することと、を含む。さらに、製造方法は、リードヘッドが複数の学習位置のうちの第２の学習位置上に位置するように磁気ヘッドを移動させることと、リードヘッドが第２の学習位置上に位置するとき第２の学習位置にかかるＲＲＯ補正情報をリードヘッドを用いて学習しながら並行して第１の学習位置にかかるＲＲＯ補正情報の書き込みをライトヘッドを用いて実行することと、を含む。【選択図】図１０

Description

本実施形態は、製造方法に関する。

従来、磁気ディスク装置における磁気ヘッドの位置決め誤差の一つの成分として、ＲＲＯ（Repeatable RunOut）が知られている。ＲＲＯとは、バーストパターンによって定義されるトラックの軌道と実際のトラックの軌道との位置ずれである。ＲＲＯは、磁気ディスク（およびスピンドルモータ）の回転に同期して変動する。

磁気ディスク装置の製造工程では、ＲＲＯによる位置ずれを補正するための補正情報（換言するとＲＲＯ補正情報）が学習され、得られた補正情報が磁気ディスクに書き込まれる。磁気ディスク装置が使用される際には、補正情報を用いて磁気ヘッドの位置の補正が行われる。

米国特許第９５０２０６２号明細書 米国特許第７５８３４７０号明細書 米国特許第６７２８０６１号明細書

一つの実施形態は、補正情報の学習および書き込みの効率を向上させることを目的とする。

一つの実施形態によれば、磁気ディスクおよび磁気ヘッドを備えた磁気ディスク装置の製造方法は、前記磁気ディスクの半径方向に複数の学習位置を設定することと、前記磁気ヘッドが有するリードヘッドが前記複数の学習位置のうちの第１の学習位置上に位置するように前記磁気ヘッドを移動させることと、前記リードヘッドが前記第１の学習位置上に位置するとき前記第１の学習位置にかかるＲＲＯ（Repeatable RunOut）補正情報を前記リードヘッドを用いて学習することと、を含む。さらに、製造方法は、前記リードヘッドが前記複数の学習位置のうちの第２の学習位置上に位置するように前記磁気ヘッドを移動させることと、前記リードヘッドが前記第２の学習位置上に位置するとき前記第２の学習位置にかかるＲＲＯ補正情報を前記リードヘッドを用いて学習しながら並行して前記第１の学習位置にかかる前記ＲＲＯ補正情報の第１の範囲への書き込みを前記ライトヘッドを用いて実行することと、を含む。なお、前記リードヘッドが前記第２の学習位置上に位置するとき前記磁気ヘッドが有するライトヘッドは前記第１の学習位置を含む前記第１の範囲の一部を通過する位置に位置する。

図１は、実施形態の磁気ディスク装置の構成の一例を示す模式的な図である。 図２は、実施形態の磁気ディスクの構成の一例を示す模式的な図である。 図３は、実施形態のリードヘッドおよびライトヘッドの間の位置関係の一例を説明するための図である。 図４は、実施形態のヘッド位置間距離が磁気ヘッドの位置に応じて異なることを説明するための図である。 図５は、実施形態の種々の動作における磁気ヘッドの位置の例を説明するための模式的な図である。 図６は、実施形態の補正情報の配置方法の一例の詳細を示す模式的な図である。 図７は、実施形態の補正情報の配置方法の別の一例の詳細を示す模式的な図である。 図８は、実施形態にかかる補正情報の書き込み範囲を説明するための図である。 図９は、実施形態にかかる並行処理を説明するための図である。 図１０は、実施形態にかかるＬの設定方法を説明するための図である。 図１１－１は、実施形態の式（８）に基づいて算出されたＬの値とＹの値との関係を示すグラフである。 図１１－２は、図１１－１に示されたグラフのうちのＹの値が大きい領域１０４を拡大したグラフである。 図１２－１は、補正情報の学習および書き込みの実施形態にかかる動作の一例を示すフローチャートである。 図１２－２は、補正情報の学習および書き込みの実施形態にかかる動作の一例を示すフローチャートである。

以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる製造方法を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。

（実施形態）
図１は、実施形態の磁気ディスク装置１の構成の一例を示す模式的な図である。

磁気ディスク装置１は、ホスト２に接続される。磁気ディスク装置１は、ホスト２から、ライトコマンドやリードコマンドなどの、アクセスコマンドを受信することができる。

磁気ディスク装置１は、表面に磁性層が形成された磁気ディスク１１を備える。磁気ディスク装置１は、アクセスコマンドに応じて磁気ディスク１１にデータを書き込んだり磁気ディスク１１からデータを読み出したりする。

データの書き込みおよび読み出しは、磁気ヘッド２２を介して行われる。具体的には、磁気ディスク装置１は、磁気ディスク１１のほかに、スピンドルモータ１２、ランプ１３、アクチュエータアーム１５、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１６、モータドライバＩＣ（Integrated Circuit）２１、磁気ヘッド２２、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）２３、ヘッドＩＣ２４、リードライトチャネル（ＲＷＣ）２５、プロセッサ２６、ＲＡＭ２７、ＦＲＯＭ（Flash Read Only Memory）２８、およびバッファメモリ２９を備える。

磁気ディスク１１は、同軸に取り付けられたスピンドルモータ１２により、所定の回転速度で回転される。スピンドルモータ１２は、モータドライバＩＣ２１により駆動される。

プロセッサ２６はモータドライバＩＣ２１を介して、スピンドルモータ１２の回転およびＶＣＭ１６の回転を制御する。

磁気ヘッド２２は、それに備わるライトヘッド２２ｗおよびリードヘッド２２ｒにより、磁気ディスク１１に対して情報のライトやリードを行う。また、磁気ヘッド２２は、アクチュエータアーム１５の先端に取り付けられている。磁気ヘッド２２は、モータドライバＩＣ２１によって駆動されるＶＣＭ１６により、磁気ディスク１１の半径方向に移動される。

磁気ディスク１１の回転が停止しているときなどは、磁気ヘッド２２は、ランプ１３上に移動される。ランプ１３は、磁気ヘッド２２を、磁気ディスク１１から離間した位置で保持するように構成されている。

ヘッドＩＣ２４は、読み出し時に、磁気ヘッド２２が磁気ディスク１１から読み出した信号を増幅して出力し、ＲＷＣ２５に供給する。また、ヘッドＩＣ２４は、書き込み時に、ＲＷＣ２５から供給された書き込み対象のデータに対応した信号を増幅して、磁気ヘッド２２に供給する。

ＨＤＣ２３は、Ｉ／Ｆ バスを介してホスト２との間で行われるデータの送受信の制御、バッファメモリ２９の制御、および読み出されたデータの誤り訂正処理などを行う。

バッファメモリ２９は、ホスト２との間で送受信されるデータのバッファとして用いられる。例えば、バッファメモリ２９は、磁気ディスク１１に書き込まれるデータ、または磁気ディスク１１から読み出されたデータ、を一時記憶するために用いられる。

バッファメモリ２９は、例えば、高速な動作が可能な揮発性メモリによって構成される。バッファメモリ２９を構成するメモリの種類は、特定の種類に限定されない。バッファメモリ２９は、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、またはこれらの組み合わせによって構成され得る。

ＲＷＣ２５は、ＨＤＣ２３から供給される書き込み対象のデータを変調してヘッドＩＣ２４に供給する。また、ＲＷＣ２５は、磁気ディスク１１から読み出されヘッドＩＣ２４から供給された信号を復調してデジタルデータとしてＨＤＣ２３へ出力する。

プロセッサ２６は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）である。プロセッサ２６には、ＲＡＭ２７、ＦＲＯＭ（Flash Read Only Memory）２８およびバッファメモリ２９が接続されている。

ＦＲＯＭ２８は、不揮発性メモリである。ＦＲＯＭ２８には、ファームウェア（プログラムデータ）および各種の動作パラメータなどが格納される。なお、ファームウェアは、磁気ディスク１１に格納されてもよい。

ＲＡＭ２７は、例えばＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、またはこれらの組み合わせによって構成される。ＲＡＭ２７は、プロセッサ２６によって動作用のメモリとして使用される。ＲＡＭ２７は、ファームウェアがロードされる領域や、各種の管理データが保持される領域として使用される。

プロセッサ２６は、ＦＲＯＭ２８または磁気ディスク１１に格納されているファームウェアに従って、この磁気ディスク装置１の全体的な制御を行う。例えば、プロセッサ２６は、ファームウェアをＦＲＯＭ２８または磁気ディスク１１からＲＡＭ２７にロードし、ロードされたファームウェアに従って、モータドライバＩＣ２１、ヘッドＩＣ２４、ＲＷＣ２５、ＨＤＣ２３などの制御を実行する。

なお、ＲＷＣ２５、プロセッサ２６およびＨＤＣ２３を含む構成は、コントローラ３０と見なすこともできる。コントローラ３０は、これらのほかに、他の要素（例えばＲＡＭ２７、ＦＲＯＭ２８、バッファメモリ２９、またはＲＷＣ２５など）を含んでいてもよい。

また、ファームウェアプログラムは磁気ディスク１１に格納されていてもよい。また、プロセッサ３０の機能の一部または全部は、ＦＰＧＡ（Field-Programmable Gate Array）またはＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）などのハードウェア回路によって実現されてもよい。

図２は、実施形態の磁気ディスク１１の構成の一例を示す模式的な図である。なお、磁気ディスク１１において、半径方向に関し、磁気ディスク１１の外周側から内周側に向かう方向を、内方向と表記する。磁気ディスク１１の内周側から外周側に向かう方向を、外方向と表記する。また、図２には、磁気ディスク１１の回転方向の一例が示されている。

磁気ディスク１１には、製造工程において、例えばサーボライタによって、またはセルフサーボライト（ＳＳＷ）によって、サーボ情報が書き込まれる。図２によれば、サーボ情報が書き込まれたサーボ領域の配置の一例として放射状に配置されたサーボ領域４２が示されている。

サーボ情報は、セクタ／シリンダ情報、バーストパターン、およびポストコードなどを含む。セクタ／シリンダ情報は、磁気ディスク１１の円周方向のサーボ番地（サーボセクタ番地）および半径方向に設定されたトラックの位置（トラック番号）を与えることができる。セクタ／シリンダ情報から得られるトラック番号は、整数値であり、バーストパターンは、トラック番号を基準とした小数点以下のオフセット量を表す。

バーストパターン（より正確にはセクタ／シリンダ情報とバーストパターンとの組み合わせ）に基づいて設定されるトラックの半径方向の位置（半径位置）は、バーストパターンの書き込み誤差などによって、理想的なトラックの半径位置からずれている場合がある。この位置ずれは、磁気ディスク（およびスピンドルモータ）の１回転を周期として繰り返し同じように発生するため、ＲＲＯと呼ばれている。製造工程においては、複数の半径位置においてＲＲＯによる位置ずれを補正するための補正情報が学習され、補正情報がポストコードとして磁気ディスク１１に書き込まれる。そして、磁気ディスク装置１の使用時においては、磁気ヘッド２２を目標のトラックに位置決めする際には、ＲＲＯによる位置ずれを補正情報に基づいてキャンセルする制御が実行される。

なお、図２に示される例では、サーボ領域４２の間には、データがライトされ得るデータ領域４３が設けられている。１つのサーボ領域４２と、当該サーボ領域４２に後続する１つのデータ領域４３は、サーボセクタ４４を構成する。そして、磁気ディスク１１の半径方向には、同心円の複数のトラック４１が設定されている。データ領域４３には、各トラック４１に沿って複数のデータセクタが連続的に形成されている。各データセクタに対し、磁気ヘッド２２によって、データのライトおよびリードが実行される。

リードヘッド２２ｒとライトヘッド２２ｗとは、互いに離間して磁気ヘッド２２に設けられている。よって、磁気ディスク１１に磁気ヘッド２２が位置決めされた状態において、リードヘッド２２ｒとライトヘッド２２ｗとが同一の半径位置に位置するとは限らない。

図３は、実施形態のリードヘッド２２ｒおよびライトヘッド２２ｗの間の位置関係の一例を説明するための図である。本図に示される例によれば、リードヘッド２２ｒおよびライトヘッド２２ｗは、アクチュエータアーム１５が延びる方向に配列されている。そして、リードヘッド２２ｒは、ライトヘッド２２ｗよりもアクチュエータアーム１５の回転軸に近い側に配置されている。

図３に示される例では、リードヘッド２２ｒが或るトラックに位置決めされている場合において、リードヘッド２２ｒおよびライトヘッド２２ｗの配列方向と、位置決め対象のトラックの接線方向と、が成す角度θが非ゼロとなっている。これにより、リードヘッド２２ｒの半径位置とライトヘッド２２ｗの半径位置とが異なっている。磁気ディスク１１の回転中心Ｃからリードヘッド２２ｒの半径位置までの距離をｒ_ｒと表記し、磁気ディスク１１の回転中心Ｃからライトヘッド２２ｗの半径位置までの距離をｒ_ｗと表記することとすると、リードヘッド２２ｒの半径位置とライトヘッド２２ｗの半径位置とは、磁気ディスク１１の半径方向において、Ｙ（＝｜ｒ_ｒ－ｒ_ｗ｜）だけ離間する。以降、Ｙを、ヘッド位置間距離（distance between head positions）と表記する。

ヘッド位置間距離は、磁気ヘッド２２の位置に応じて異なり得る。
図４は、実施形態のヘッド位置間距離が磁気ヘッド２２の位置に応じて異なることを説明するための図である。

例えば位置Ｐ_ａ１では、ライトヘッド２２ｗとリードヘッド２２ｒとが配置された方向が半径方向と直交する。そのような場合、リードヘッド２２ｒの半径位置とライトヘッド２２ｗの半径位置とが等しくなるため、ヘッド位置間距離Ｙはゼロとなる。

磁気ヘッド２２が位置Ｐ_ａ１よりも内周側の領域（内方向領域Ａ_{ｉｎｎｅｒ}と表記する）に位置する場合、例えば磁気ヘッド２２が位置Ｐ_ａ２に位置する場合、図３に示された例と同様、ライトヘッド２２ｗがリードヘッド２２ｒよりも内周側に位置する。つまり、Ｙが非ゼロとなる。そして、Ｙの値は、磁気ヘッド２２の位置が位置Ｐ_ａ１から内周側に遠ざかるに従って大きくなる。

磁気ヘッド２２が位置Ｐ_ａ１よりも外周側の領域（外方向領域Ａ_{ｏｕｔｅｒ}と表記する）に位置する場合、例えば磁気ヘッド２２が位置Ｐ_ａ３に位置する場合、ライトヘッド２２ｗがリードヘッド２２ｒよりも磁気ディスク１１における外周側に位置する。つまり、Ｙが非ゼロとなる。そして、Ｙの値は、磁気ヘッド２２の位置が位置Ｐ_ａ１から外周側に遠ざかるに従って大きくなる。

なお、図３および図４に示された例はあくまでも一例である。例えば、ライトヘッド２２ｗおよびリードヘッド２２ｒの配置の方向はアクチュエータアーム１５が延びる方向と一致していなくてもよい。

前述されたように、製造工程においてはＲＲＯによる位置ずれを補正するための補正情報が学習され、学習によって得られた補正情報がポストコードとして磁気ディスク１１に書き込まれる。そして、磁気ディスク装置１の使用時には、ＲＲＯによる位置ずれが、磁気ディスク１１に書き込まれた補正情報に基づいてキャンセルされる。なお、補正情報を学習するとは、セクタ／シリンダ情報とバーストパターンとによって示される位置と理想的な位置との差分を測定し、測定によって得られた差分を補正情報として取得することである。即ち、学習は、測定、演算、または取得と言い換えることができる。

図５は、実施形態の種々の動作における磁気ヘッド２２の位置の例を説明するための模式的な図である。本図では、ヘッド位置間距離Ｙが非ゼロである場合について説明する。また、本図には、半径方向に配列された１３個のトラック、即ちトラックＮ－６～トラックＮ＋６、と、種々の動作の際の磁気ヘッド２２の位置Ｐ_ｂ１～Ｐ_ｂ３と、が図示されている。

例えば、トラックＮに対するデータのライトの際には、ライトヘッド２２ｗがトラックＮ上に位置するように、磁気ヘッド２２が位置Ｐ_ｂ１に位置決めされる。

また、トラックＮに対するデータのリードの際には、リードヘッド２２ｒがトラックＮ上に位置するように、磁気ヘッド２２が位置Ｐ_ｂ２に位置決めされる。

トラックＮの辺りの半径位置の補正情報は、トラックＮに対するデータのライトの際の位置決め精度を改善するために、位置Ｐ_ｂ１においてリードヘッド２２ｒを用いて学習される。これによって得られた補正情報は、トラックＮ辺りにライトヘッド２２ｗが位置するときにリードヘッド２２ｒによって取得できるように、位置Ｐ_ｂ３に磁気ヘッド２２が位置決めされた状態でライトヘッド２２ｗを用いて磁気ディスク１１に書き込まれる。

なお、補正情報が学習される位置（後述される学習位置）は、トラックの間隔とは関係ない粒度で半径方向に設定される。２つの学習位置の間の半径位置では、磁気ディスク装置１は、例えば当該２つの学習位置のそれぞれでの補正結果を補間することによって、位置決め制御を行うことができる。

図６は、実施形態の補正情報の配置方法の一例の詳細を示す模式的な図である。

補正情報の学習は、複数の半径位置において実行される。補正情報の学習が行われる半径位置を、学習位置と表記する。磁気ディスク１１の半径方向に複数の学習位置が設定され、各学習位置にリードヘッド２２ｒが位置決めされた状態で補正情報の学習が実行される。

図６では、半径方向に設定された複数の学習位置のうちの８つの学習位置Ｐ_ｎ～Ｐ_ｎ＋７が例示されている。また、サーボセクタＮのサーボ領域４２と、サーボセクタＮに隣接するサーボセクタ_Ｎ＋１のサーボ領域４２と、が図示されている。

各サーボ領域４２は、バーストパターン領域５１と、ポストコード領域５２と、を備えている。各バーストパターン領域５１には、自身が属するサーボセクタ４４での位置決め制御において使用されるバーストパターンが書き込まれる。なお、ここではセクタ／シリンダ情報については説明を省略する。各ポストコード領域５２には、自身が属するサーボセクタ４４の次に磁気ヘッド２２が通過するサーボセクタ４４での位置決め制御において使用される補正情報が、各学習位置について書き込まれる。これによって、磁気ディスク装置１は、各サーボセクタ４４において、１つ前に通過したサーボセクタ４４から読み出した補正情報を位置決め制御に使用することが可能となっている。

また、複数の学習位置は、連続する６個の学習位置毎にグループ化されており、１つのグループに属する６個の学習位置（例えばサーボセクタＮの学習位置Ｐ_ｎ～Ｐ_ｎ＋５）に対応する６個の補正情報が、ポストコード領域５２内に円周方向に並ぶように書き込まれる。さらに、当該６個の補正情報のそれぞれは、対応する学習位置を中心として半径方向に延びた長方形形状の領域に書き込まれている。その結果、当該６個の補正情報が書き込まれる位置は、半径方向に少しずつずれている。

６個の学習位置のグループを、学習位置セットと表記する。また、学習位置セットを構成する６個の学習位置に対応する６個の補正情報を、補正情報セットと表記する。なお、学習位置セットを構成する学習位置の数は６個に限定されない。同様に、補正情報セットを構成する補正情報の数は６個に限定されない。

また、複数の補正情報セットが、半径方向に並ぶように書き込まれている。より具体的には、各補正情報セットが６個のポストコードによって構成される場合、半径方向において、学習位置Ｐ_ｘに対応する補正情報の隣（next to）に学習位置Ｐ_ｘ＋５に対応する補正情報が配置される。ただし、ｘは任意の整数である。

上記された配置方法によって、各補正情報は、半径方向において、学習位置の間隔よりも広い範囲に書き込まれ得る。よって、目標の学習位置に対応する補正情報をリードする際に、リードヘッド２２ｒの位置が当該目標の学習位置から半径方向に多少ずれたとしても、当該目標の学習位置に対応する補正情報をリードすることが可能である。

以降、磁気ディスク１１に書き込まれた１つの補正情報の位置および形状を、ライトパターンと表記することがある。また、ライトパターンの半径方向の幅をライトパターン幅、と表記することがある。

なお、補正情報の配置方法は、図６に示された例に限定されない。
図７は、実施形態の補正情報の配置方法の別の一例の詳細を示す模式的な図である。

図７に示される例では、１つの補正情報セットが２つのサーボセクタ４４に分けて書き込まれている。具体的には、１つの補正情報セットを構成する６つの補正情報のうち、学習位置Ｐ_ｎ、Ｐ_ｎ＋２、Ｐ_ｎ＋４にかかる補正情報は、サーボセクタＮのポストコード領域５２に書き込まれており、学習位置Ｐ_ｎ＋１、Ｐ_ｎ＋３、Ｐ_ｎ＋５にかかる補正情報は、サーボセクタ_Ｎ＋１のポストコード領域５２に書き込まれている。そして、サーボセクタＮのポストコード領域５２に書き込まれている全ての補正情報は、サーボセクタ_Ｎ＋１およびサーボセクタ_Ｎ＋２における位置決め制御において使用される。サーボセクタ_Ｎ＋１のポストコード領域５２に書き込まれている全ての補正情報は、サーボセクタ_Ｎ＋２およびサーボセクタ_Ｎ＋３における位置決め制御において使用される。

このように、１つの補正情報セットを構成する複数の補正情報は、複数のサーボセクタ４４に分散されてもよい。

図８は、実施形態にかかる補正情報の書き込み範囲を説明するための図である。ここでは一例として、学習位置Ｐ_ｎにかかる補正情報の書き込み範囲を説明する。なお、学習位置の間隔をＬと表記し、リードヘッド２２ｒの半径方向の幅をＲと表記する。

学習位置Ｐ_ｎを中心として半径方向にＬだけずれた位置上をリードヘッド２２ｒが通過したとしても学習位置Ｐ_ｎにかかる補正情報をリードできることが要望される。この要望を満たすためには、学習位置Ｐ_ｎを中心とした２＊Ｌ＋Ｒの幅を有する範囲（図８における範囲１０１）を含むように学習位置Ｐ_ｎにかかる補正情報が書き込まれる必要がある。

実際には、補正情報がライトされる際には磁気ヘッド２２は径方向にわずかに揺らぎ得る。よって、範囲１０１の両端にマージンＭを追加して得られる領域、即ち学習位置Ｐ_ｎを中心とした２＊Ｌ＋Ｒ＋２Ｍの幅を有する範囲が、学習位置Ｐ_ｎにかかる補正情報の目標書き込み範囲ＲＡ＿Ｐ_ｎとして設定される。他の学習位置にかかる補正情報の目標書き込み範囲ＲＡも、上記と同様の方法で設定される。

なお、例えば図６に示された補正情報の配置方法が採用される場合、設定例１０２に示されるように、学習位置Ｐ_ｎにかかる補正情報の目標書き込み範囲ＲＡ＿Ｐ_ｎ、学習位置Ｐ_ｎ＋１にかかる補正情報の目標書き込み範囲ＲＡ＿Ｐ_ｎ＋１、学習位置Ｐ_ｎ＋２にかかる補正情報の目標書き込み範囲ＲＡ＿Ｐ_ｎ＋２、学習位置Ｐ_ｎ＋３にかかる補正情報の目標書き込み範囲ＲＡ＿Ｐ_ｎ＋３、学習位置Ｐ_ｎ＋４にかかる補正情報の目標書き込み範囲ＲＡ＿Ｐ_ｎ＋４、および学習位置Ｐ_ｎ＋５にかかる補正情報の目標書き込み範囲ＲＡ＿Ｐ_ｎ＋５は、半径方向にＬずつずらして設定される。そして、学習位置Ｐ_ｎ＋６にかかる補正情報の目標書き込み範囲ＲＡ＿Ｐ_ｎ＋６は、学習位置Ｐ_ｎにかかる補正情報の目標書き込み範囲ＲＡ＿Ｐ_ｎの半径方向における隣に間隔をあけて設定される。

ここで、実施形態と比較される技術について説明する。この技術を、比較例と表記する。比較例によれば、磁気ディスク装置は、ある半径位置に磁気ヘッドを移動させて補正情報の学習を実行する。その後、磁気ディスク装置は、補正情報の学習が実行されたときのリードヘッドの位置にライトヘッドが位置するように磁気ヘッドを移動させて、補正情報の書き込みを実行する。その後、磁気ディスク装置は、次の半径位置での補正情報の学習を開始する。磁気ディスク装置は、補正情報の学習と、補正情報の書き込みと、からなる対を、複数の学習位置に対してシリアルに実行する。

このように、比較例によれば、補正情報の学習の実行期間には補正情報の書き込みが実行されず、補正情報の書き込みの実行期間には補正情報の学習が実行されない。補正情報の学習と、補正情報の書き込みと、がそれぞれ異なる期間に実行されるため、比較例によれば、補正情報の学習および書き込みに多くの時間を要する。

実施形態によれば、磁気ディスク装置１は、補正情報の学習と、補正情報の書き込みと、を同じ期間に実行することができるように構成されている。より具体的には、磁気ディスク装置１は、ある学習位置においてリードヘッド２２ｒを用いて補正情報の学習を行いながら、すでに得られた別の学習位置にかかる補正情報をライトヘッド２２ｗを用いて書き込む。つまり、ある学習位置にかかる補正情報の学習と、別の学習位置にかかる補正情報の学習値の書き込みと、が並行して実行される。なお、処理Ｘと処理Ｙとが並行に実行されるとは、処理Ｘの実行期間の少なくとも１部が、処理Ｙの実行期間とオーバーラップしていることをいう。処理Ｘの実行期間の開始タイミングは、処理Ｙの実行期間の開始タイミングと一致していてもよいし、一致していなくてもよい。処理Ｘの実行期間の終了タイミングは、処理Ｙの実行期間の終了タイミングと一致していてもよいし、一致していなくてもよい。

よって、実施形態によれば、補正情報の学習と、補正情報の書き込みと、がそれぞれ異なる期間に実行される比較例に比べて、補正情報の学習および書き込みに要する時間が短縮される。

以降、ある学習位置における補正情報の学習と並行して、別の学習位置における補正情報の学習値の書き込みを実行する処理を、並行処理、と表記する。

図９は、実施形態にかかる並行処理を説明するための図である。ここでは一例として、学習位置Ｐ_ｎにかかる補正情報の書き込みの際の並行処理を説明する。

実施形態では、ヘッド位置間距離Ｙが非ゼロである場合において、リードヘッド２２ｒがライトヘッド２２ｗよりも先行するような方向に磁気ヘッド２２が移動せしめられながら、補正情報の書き込みが実行される。例えば、図４に示された内方向領域Ａ_{ｉｎｎｅｒ}においては、磁気ディスク１１の最も内周側から位置Ｐ_ａ１に向かって、つまり外方向に、磁気ヘッド２２が移動せしめられる。また、図４に示された外方向領域Ａ_{ｏｕｔｅｒ}においては、磁気ディスク１１の最も外周側から位置Ｐ_ａ１に向かって、つまり内方向に、磁気ヘッド２２が移動せしめられる。

図９では、外方向領域Ａ_{ｏｕｔｅｒ}において実行される並行処理を説明する。つまり、磁気ヘッド２２は、内方向に移動せしめられ、補正情報の学習および書き込みは、内方向に向かって順次、実行される。

まず、リードヘッド２２ｒが学習位置Ｐ_ｎに位置するように磁気ヘッド２２を移動させるシーク制御が実行されて、当該シーク制御の後、リードヘッド２２ｒを用いた学習位置Ｐ_ｎにかかる補正情報の学習が実行される（Ｓ１）。

続いて、リードヘッド２２ｒが学習位置Ｐ_ｎ＋１に位置するように磁気ヘッド２２を移動させるシーク制御が実行されて、当該シーク制御の後、リードヘッド２２ｒを用いた学習位置Ｐ_ｎ＋１にかかる補正情報の学習が実行される（Ｓ２）。つまり、磁気ディスク装置１は、リードヘッド２２ｒによって学習位置Ｐ_ｎ＋１のバーストパターンを読み出して、読み出したバーストパターンに基づいて学習位置Ｐ_ｎ＋１にかかる補正情報を算出する。

続いて、リードヘッド２２ｒが学習位置Ｐ_ｎ＋２に位置するように磁気ヘッド２２を移動させるシーク制御が実行されて、当該シーク制御の後、リードヘッド２２ｒを用いた学習位置Ｐ_ｎ＋２にかかる補正情報の学習が実行される（Ｓ３）。

続いて、リードヘッド２２ｒが学習位置Ｐ_ｎ＋３に位置するように磁気ヘッド２２を移動させるシーク制御が実行されて、当該シーク制御の後、リードヘッド２２ｒを用いた学習位置Ｐ_ｎ＋３にかかる補正情報の学習が実行される（Ｓ４）。

リードヘッド２２ｒが学習位置Ｐ_ｎ＋３上に位置するとき、ライトヘッド２２ｗは、目標書き込み範囲ＲＡ＿Ｐ_ｎ－６上を通過することなく目標書き込み範囲ＲＡ＿Ｐ_ｎの内方向側の一部を通過する。つまり、既に目標書き込み範囲ＲＡ＿Ｐ_ｎ－６に書き込まれた補正情報を学習位置Ｐｎにかかる補正情報の上書きによって目標書き込み範囲ＲＡ＿Ｐ_ｎ－６からロストさせることなく学習位置Ｐｎにかかる補正情報を書き込むことが可能である。従って、リードヘッド２２ｒが学習位置Ｐ_ｎ＋３上に位置するように制御されるＳ４では、学習位置Ｐ_ｎ＋３にかかる補正情報の学習とともに、学習位置Ｐ_ｎにかかる補正情報の書き込みが実行される。

続いて、リードヘッド２２ｒが学習位置Ｐ_ｎ＋４に位置するように磁気ヘッド２２を移動させるシーク制御が実行されて、当該シーク制御の後、リードヘッド２２ｒを用いた学習位置Ｐ_ｎ＋４にかかる補正情報の学習が実行される（Ｓ５）。

続いて、リードヘッド２２ｒが学習位置Ｐ_ｎ＋５に位置するように磁気ヘッド２２を移動させるシーク制御が実行されて、当該シーク制御の後、リードヘッド２２ｒを用いた学習位置Ｐ_ｎ＋５にかかる補正情報の学習が実行される（Ｓ６）。

続いて、リードヘッド２２ｒが学習位置Ｐ_ｎ＋６に位置するように磁気ヘッド２２を移動させるシーク制御が実行されて、当該シーク制御の後、リードヘッド２２ｒを用いた学習位置Ｐ_ｎ＋６にかかる補正情報の学習が実行される（Ｓ７）。

リードヘッド２２ｒが学習位置Ｐ_ｎ＋６上に位置するとき、ライトヘッド２２ｗは、目標書き込み範囲ＲＡ＿Ｐ_ｎの残りの部分、換言すると目標書き込み範囲ＲＡ＿Ｐ_ｎのうちのまだ補正情報の書き込みが行われていない部分、の全てを含む領域を通過する。つまり、目標書き込み範囲ＲＡ＿Ｐ_ｎのうちの残りの部分に補正情報を書き込むことが可能である。従って、リードヘッド２２ｒが学習位置Ｐ_ｎ＋６上に位置するように制御されるＳ７では、学習位置Ｐ_ｎ＋６にかかる補正情報の学習とともに、学習位置Ｐ_ｎにかかる補正情報の書き込みが実行される。

このように、学習位置Ｐ_ｎにかかる補正情報は、学習位置Ｐ_ｎ＋３にかかる補正情報の学習の際と、学習位置Ｐ_ｎ＋６にかかる補正情報の学習の際と、において磁気ディスク１１に書き込まれる。これによって、既に目標書き込み範囲ＲＡ＿Ｐ_ｎ－６に書き込まれた学習位置Ｐ_ｎ－６にかかる補正情報に学習位置Ｐ_ｎにかかる補正情報を上書きすることなく、目標書き込み範囲ＲＡ＿Ｐ_ｎを含む範囲に、学習位置Ｐ_ｎにかかる補正情報のライトパターン１０３を形成することが可能である。

前述されたように、ヘッド位置間距離Ｙは、磁気ヘッド２２の半径位置に応じて変化する。よって、目標書き込み範囲ＲＡが設けられた半径位置によっては、当該目標書き込み範囲ＲＡの２つの端部のうちの磁気ヘッド２２の移動方向とは逆側の端部に、補正情報が書き込まれない部分が残ってしまうケースが生じ得る。また、当該目標書き込み範囲ＲＡの２つの端部のうちの磁気ヘッド２２の移動方向とは逆側の端部に補正情報が書き込まれない部分を残さないように補正情報の書き込みを行おうとすると、隣の目標書き込み範囲ＲＡに既に書き込まれた補正情報を上書きによって消してしまう場合が生じ得る。これらを防ぐためには、目標書き込み範囲ＲＡの半径方向の間隔は、学習位置の間隔Ｌよりも大きい必要がある。また、６個の学習位置によって１つの学習位置セットが構成される場合、１つの目標書き込み範囲の幅は、６Ｌ以下である必要がある。よって、下記の式（１）が満たされる必要が生じる。
２＊Ｌ＋Ｒ＋２＊Ｍ＋Ｌ＜６＊Ｌ ・・・（１）

式（１）を変形すると、式（２）が導出される。
Ｒ＜３＊Ｌ－２＊Ｍ ・・・（２）

つまり、Ｌとしてある程度大きな値を設定する必要が生じる。しかしながら、Ｌとして大きな値を設定すると、位置決め精度が悪化したり、１つの目標書き込み範囲に補正情報が非連続に書き込まれたりする場合がある。

そこで、実施形態では、さらに、目標書き込み範囲の２つの端部のうちの磁気ヘッド２２の移動方向とは逆側の端部と、当該目標書き込み範囲への２回の補正情報の書き込みのうちの初回の書き込みの際のライトヘッド２２ｗが通過する範囲の端部と、が一致するように、Ｌが設定される。これによって、目標書き込み範囲ＲＡ間の半径方向の間隔を設定することを不要とする。

図１０は、実施形態にかかるＬの設定方法を説明するための図である。

学習位置Ｐ_ｎを中心とした２Ｌ＋Ｒ＋２Ｍの幅を有する領域が、目標書き込み範囲ＲＡ＿Ｐ_ｎとして設定される。学習位置Ｐ_ｎにかかる補正情報の学習が行われる際、リードヘッド２２ｒ（より正確にはリードヘッド２２ｒの中心）が学習位置Ｐ_ｎに位置するように、磁気ヘッド２２が制御される。そして、目標書き込み範囲ＲＡ＿Ｐ_ｎの２つの端部のうちの磁気ヘッド２２の移動方向とは逆側の端部、つまり図１０に示される例では目標書き込み範囲ＲＡ＿Ｐ_ｎの外方向側の端部は、学習位置Ｐ_ｎの中心から外方向に下記の式（３）で示されるＬ１だけ離間している。
Ｌ１＝Ｌ＋Ｒ／２＋Ｍ ・・・（３）

続いて、学習位置Ｐ_ｎ＋Ｄにかかる補正情報の学習が行われる際に学習位置Ｐ_ｎにかかる補正情報の初回の書き込みが実施される場合を考える。Ｄは正の整数である。リードヘッド２２ｒが学習位置Ｐ_ｎ＋Ｄに位置するように磁気ヘッド２２が制御された場合、ライトヘッド２２ｗの外方向側の端部は、学習位置Ｐ_ｎから外方向に下記の式（４）で示されるＬ２だけ離間している。
Ｌ２＝Ｙ＋Ｗ／２－Ｘ ・・・（４）

式（４）において、Ｗは、ライトヘッド２２ｗの半径方向における幅である。また、Ｘは、学習位置Ｐ_ｎと学習位置Ｐ_ｎ＋Ｄとの間の距離である。Ｘは、下記の式（５）で示される。
Ｘ＝Ｄ＊Ｌ ・・・（５）

Ｌ１とＬ２とを一致させるために、下記の式（６）が満たされる必要がある。
Ｌ１＝Ｌ２ ・・・（６）

式（３）および式（４）を式（６）に代入すると、下記の式（７）が導出される。
Ｌ＋Ｒ／２＋Ｍ＝Ｙ＋Ｗ／２－Ｘ ・・・（７）

式（７）に式（５）を代入して変形すると、式（８）が導出される。
Ｌ＝（Ｙ－Ｍ＋（Ｗ－Ｒ）／２）／（Ｄ＋１） ・・・（８）

一方、６個の学習位置によって１つの学習位置セットが構成される場合、１つの目標書き込み範囲ＲＡの幅は、６Ｌ以下である必要がある。つまり、下記の式（９）が満たされる必要がある。
６＊Ｌ＞２＊Ｌ＋Ｒ＋２＊Ｍ ・・・（９）

式（９）を変形すると、下記の式（１０）が導出される。
Ｌ＞（Ｒ＋２＊Ｍ）／４ ・・・（１０）

磁気ディスク装置１は、式（８）と式（１０）とがともに満たされるように、Ｌの値およびＤの値を設定する。

Ｍは固定値である。また、Ｙ、Ｗ、Ｒは、半径位置に応じて一意に決まる。Ｍ、Ｙ、Ｗ、Ｒが決まるので、磁気ディスク装置１は、式（８）と式（１０）とに基づいてＬの設定値およびＤの設定値を算出することができる。

図１０に示される例では、式（８）および式（１０）をともに満たすためのＤの値として、「４」が設定されている。よって、式（８）のＤに「４」を代入することによって、Ｌの設定値が定まる。

磁気ディスク装置１は、いったんＤの値を設定すると、連続するＤ箇所の学習位置における学習の際に、Ｄの設定値およびＬの設定値を変更せずに実行する。その後、Ｄの設定値およびＬの設定値の更新を行うことができる。

つまり、図１０に示される例によれば、磁気ディスク装置１は、内方向側に学習位置Ｐ_ｎからＬだけ離れた位置を学習位置Ｐ_ｎ＋１に設定し、内方向側に学習位置Ｐ_ｎから２＊Ｌだけ離れた位置を学習位置Ｐ_ｎ＋２に設定し、内方向側に学習位置Ｐ_ｎから３＊Ｌだけ離れた位置を学習位置Ｐ_ｎ＋３に設定し、内方向側に学習位置Ｐ_ｎから４＊Ｌだけ離れた位置を学習位置Ｐ_ｎ＋４に設定する。そして、学習位置Ｐ_ｎ＋４において、Ｄの設定値およびＬの設定値の更新を行う。

そして、学習位置Ｐ_ｎ－１よりも前に学習が行われた際のＤの設定値が、学習位置Ｐ_ｎにおいて設定されたＤの値と等しい値、即ち「４」、である場合、磁気ディスク装置１は、学習位置Ｐ_ｎ～Ｐ_ｎ＋４のそれぞれにおける学習の際に、並行処理を実行する。

例えば、磁気ディスク装置１は、リードヘッド２２ｒが学習位置Ｐ_ｎ上に位置するように磁気ヘッド２２を制御した状態で、学習位置Ｐ_ｎにかかる補正情報の学習を実行する。磁気ディスク装置１は、学習位置Ｐ_ｎにかかる補正情報の学習に並行して、学習位置Ｐ_ｎ－４にかかる補正情報の書き込みと、学習位置Ｐ_ｎ－７にかかる補正情報の書き込みと、を実行する（Ｓ１１）。

そして、磁気ディスク装置１は、リードヘッド２２ｒが学習位置Ｐ_ｎ＋１上に位置するように磁気ヘッド２２を制御した状態で、学習位置Ｐ_ｎ＋１にかかる補正情報の学習を実行する。磁気ディスク装置１は、学習位置Ｐ_ｎ＋１にかかる補正情報の学習に並行して、学習位置Ｐ_ｎ－３にかかる補正情報の書き込みと、学習位置Ｐ_ｎ－６にかかる補正情報の書き込みと、を実行する（Ｓ１２）。

そして、磁気ディスク装置１は、リードヘッド２２ｒが学習位置Ｐ_ｎ＋２上に位置するように磁気ヘッド２２を制御した状態で、学習位置Ｐ_ｎ＋２にかかる補正情報の学習を実行する。磁気ディスク装置１は、学習位置Ｐ_ｎ＋２にかかる補正情報の学習に並行して、学習位置Ｐ_ｎ－２にかかる補正情報の書き込みと、学習位置Ｐ_ｎ－５にかかる補正情報の書き込みと、を実行する（Ｓ１３）。

そして、磁気ディスク装置１は、リードヘッド２２ｒが学習位置Ｐ_ｎ＋３上に位置するように磁気ヘッド２２を制御した状態で、学習位置Ｐ_ｎ＋３にかかる補正情報の学習を実行する。磁気ディスク装置１は、学習位置Ｐ_ｎ＋３にかかる補正情報の学習に並行して、学習位置Ｐ_ｎ－１にかかる補正情報の書き込みと、学習位置Ｐ_ｎ－４にかかる補正情報の書き込みと、を実行する（Ｓ１４）。

そして、磁気ディスク装置１は、リードヘッド２２ｒが学習位置Ｐ_ｎ＋４上に位置するように磁気ヘッド２２を制御した状態で、学習位置Ｐ_ｎ＋４にかかる補正情報の学習を実行する。磁気ディスク装置１は、学習位置Ｐ_ｎ＋４にかかる補正情報の学習に並行して、学習位置Ｐ_ｎにかかる補正情報の書き込みと、学習位置Ｐ_ｎ－３にかかる補正情報の書き込みと、を実行する（Ｓ１５）。また、Ｓ１５では、磁気ディスク装置１は、Ｄの設定値と、Ｌの設定値と、の更新を実行する。

磁気ディスク装置１の動作のさらに詳細な説明は後述される。

なお、Ｌに関する条件は、式（１０）に示された例だけに限定されない。例えば、Ｌに関し、下限値Ｌ_ｍｉｎと上限値Ｌ_ｍａｘとが設定されて、下記の式（１１）が満たされるようにＬの設定値およびＤの設定値が算出されてもよい。
（Ｒ＋２＊Ｍ）／４＜Ｌ_ｍｉｎ≦Ｌ≦Ｌ_ｍａｘ ・・・（１１）

なお、式（８）の条件と式（１１）の条件との論理積によって構成される条件を、並行処理条件、と表記する。なお、並行処理条件はこれに限定されない。式（８）の条件と式（１０）の条件との論理積によって構成される条件が並行処理条件とされてもよい。

図１１－１は、実施形態の式（８）に基づいて算出されたＬの値とＹの値との関係を示すグラフである。本グラフにおいて、横軸は、Ｙの値を示しており、縦軸は、Ｌの値を示している。そして、Ｄの値毎に、Ｌの値とＹの値との関係が描画されている。本図から、Ｙが小さくなるほど、Ｄが小さくなりかつＬの値とＹの値との関係の勾配が急になることが読み取れる。逆に、Ｙが大きくなるほど、Ｄが大きくなりかつＬの値とＹの値との関係の勾配が緩やかになることが読み取れる。

図１１－２は、図１１－１に示されたグラフのうちのＹの値が大きい領域１０４を拡大したグラフである。この例では、磁気ディスク装置１は、Ｌが下限値Ｌ_ｍｉｎから上限値Ｌ_ｍａｘまでの範囲でできるだけ小さな値となるように、Ｌの設定値とＤの設定値とを算出する。図１１－２のグラフに描画された各ドットは、磁気ディスク装置１が算出したＬの設定値とＤの設定値との対を示している。

領域１０４のように、Ｄの値毎のＬの値とＹの値との関係の勾配が緩やかである領域においては、Ｙが如何なる値であっても、式（１１）の条件を満たすようにＬの設定値とＤの設定値との対を算出することが可能である。しかしながら、図１１－１のグラフのＹの値がゼロに近くなる例えば領域１０５においては、Ｌの値とＹの値との関係の勾配が急になるため、式（１１）の条件を満たすようなＬの設定値とＤの設定値との対を得ることができない場合が生じる。

実施形態では、磁気ディスク装置１は、並行処理条件が満たされているか否かを判定する。並行処理条件が満たされている場合、磁気ディスク装置１は、並行処理を実行する。並行処理条件が満たされていない場合、磁気ディスク装置１は、並行処理を実行せずに、例えば比較例として説明された処理を実行する。

つまり、磁気ディスク装置１は、Ｙの値が十分に大きい領域（例えば領域１０４）においては、並行処理を実行する。Ｙの値が０および０付近の領域（例えば領域１０５）においては、磁気ディスク装置１は、並行処理を実行せず、比較例として説明された処理を実行する。

図１２－１および図１２－２は、補正情報の学習および書き込みの実施形態にかかる動作の一例を示すフローチャートである。本図に示される例では、説明を簡単にするために、学習位置Ｐ_ｘにおける学習の際に並行処理によってある目標書き込み範囲に補正情報の１回目の書き込みが実行された場合、当該目標書き込み範囲への補正情報の２回目の書き込みは、学習位置Ｐ_ｘ＋３における学習の際の並行処理において実行されることとする。なお、ｘは正の整数である。

また、本図に示される一連の処理は、リードヘッド２２ｒがライトヘッド２２ｗよりも先行するような方向に磁気ヘッド２２が移動せしめられながら実行される。図４に示された説明に従えば、リードヘッド２２ｒがライトヘッド２２ｗよりも外方向に位置するような内方向領域Ａ_{ｉｎｎｅｒ}では、磁気ヘッド２２は、磁気ディスク１１の最も内周側から位置Ｐ_ａ１に向かって移動せしめられる。リードヘッド２２ｒがライトヘッド２２ｗよりも内方向に位置するような外方向領域Ａ_{ｏｕｔｅｒ}では、磁気ヘッド２２は、磁気ディスク１１の最も外周側から位置Ｐ_ａ１に向かって移動せしめられる。内方向領域Ａ_{ｉｎｎｅｒ}および外方向領域Ａ_{ｏｕｔｅｒ}のそれぞれにおいて、図１２に示される一連の動作が実行される。

まず、コントローラ３０（例えばプロセッサ２６）は、変数Ｄ_ｌａｓｔをゼロで初期化する（Ｓ１０１）。Ｄ_ｌａｓｔは、Ｄの最新の設定値を記憶しておくための変数である。

続いて、コントローラ３０は、基準学習位置Ｐ_ｂａｓｅでは並行処理条件が満たされているか否かを判定する（Ｓ１０２）。

基準学習位置Ｐ_ｂａｓｅは、複数の学習位置のうちの何れかであり、図１２に示された一連の動作において更新され得る。内方向領域Ａ_{ｉｎｎｅｒ}においては、内方向領域Ａ_{ｉｎｎｅｒ}の最も内周側の学習位置が初期の基準学習位置Ｐ_ｂａｓｅとして設定される。外方向領域Ａ_{ｏｕｔｅｒ}においては、外方向領域Ａ_{ｏｕｔｅｒ}の最も外周側の学習位置が初期の基準学習位置Ｐ_ｂａｓｅとして設定される。

Ｓ１０２では、コントローラ３０は、例えば、半径位置Ｐ_ｂａｓｅにリードヘッド２２ｒが位置する場合における、Ｍ、Ｙ、Ｗ、およびＲのそれぞれの値を算出する。そして、コントローラ３０は、算出したこれらの値を、並行処理条件を定義する数式、例えば式（８）および式（１１）、に代入して、式（８）の条件および式（１１）の条件をともに満たすＤの値とＬの値とが存在するか否かを判定する。式（８）の条件および式（１１）の条件をともに満たすＤの値とＬの値とが存在する場合、コントローラ３０は、並行処理条件が満たされていると判定する。式（８）の条件および式（１１）の条件をともに満たすＤの値とＬの値とが存在しない場合、コントローラ３０は、並行処理条件が満たされていないと判定する。なお、前述されたように、並行処理条件はこれに限定されない。

並行処理条件が満たされている場合（Ｓ１０２：Ｙｅｓ）、コントローラ３０は、並行処理条件に基づいてＤの新しい設定値およびＬの新しい設定値を算出する（Ｓ１０３）。

そして、コントローラ３０は、Ｄの新しい設定値がＤ_ｌａｓｔとして記憶している値と等しいか否かを判定する（Ｓ１０４）。Ｄの新しい設定値がＤ_ｌａｓｔとして記憶している値と等しい場合（Ｓ１０４：Ｙｅｓ）、コントローラ３０は、Ｄ_ｌａｓｔの値をＤの新しい設定値で更新する（Ｓ１０６）。そして、コントローラ３０は、変数ｄをゼロで初期化する（Ｓ１０７）。

変数ｄは、Ｓ１０８からＳ１０７までのループ処理で使用されるループカウンタであり、０からＤまでの整数を取り得る。

コントローラ３０は、Ｐ_ｂａｓｅ＋ｄ＊Ｌの半径位置を学習位置Ｐ_{ｂａｓｅ＋ｄ}として設定し、学習位置Ｐ_{ｂａｓｅ＋ｄ}にリードヘッド２２ｒが位置するようにシーク制御を行う（Ｓ１０８）。

そして、コントローラ３０は、学習位置Ｐ_{ｂａｓｅ＋ｄ－Ｄ}にかかる補正情報の書き込みが実行された際のＤの設定値が現在のＤの設定値と等しいか否かを判定する（Ｓ１０９）。

学習位置Ｐ_{ｂａｓｅ＋ｄ－Ｄ}にかかる補正情報の書き込みが実行された際のＤの設定値が現在のＤの設定値と等しい場合（Ｓ１０９：Ｙｅｓ）、コントローラ３０は、学習位置Ｐ_{ｂａｓｅ＋ｄ－Ｄ}にかかる補正情報を並行処理における書き込みの対象として設定する（Ｓ１１０）。学習位置Ｐ_{ｂａｓｅ＋ｄ－Ｄ}にかかる補正情報の書き込みが実行された際のＤの設定値が現在のＤの設定値と異なる場合（Ｓ１０９：Ｎｏ）、Ｓ１１０の処理がスキップされる。

続いて、コントローラ３０は、学習位置Ｐ_{ｂａｓｅ＋ｄ－Ｄ＋３}にかかる補正情報の書き込みが実行された際のＤの設定値が現在のＤの設定値と等しいか否かを判定する（Ｓ１１１）。

学習位置Ｐ_{ｂａｓｅ＋ｄ－Ｄ＋３}にかかる補正情報の書き込みが実行された際のＤの設定値が現在のＤの設定値と等しい場合（Ｓ１１１：Ｙｅｓ）、コントローラ３０は、学習位置Ｐ_{ｂａｓｅ＋ｄ－Ｄ＋３}にかかる補正情報を並行処理における書き込みの対象として設定する（Ｓ１１２）。学習位置Ｐ_{ｂａｓｅ＋ｄ－Ｄ＋３}にかかる補正情報の書き込みが実行された際のＤの設定値が現在のＤの設定値と異なる場合（Ｓ１１１：Ｎｏ）、Ｓ１１２の処理がスキップされる。

そして、コントローラ３０は、並行処理における書き込みの対象が設定されているか否かを判定する（Ｓ１１３）。

Ｓ１１０およびＳ１１２の何れかによって並行処理における書き込みの対象に設定された補正情報が存在する場合には（Ｓ１１３：Ｙｅｓ）、コントローラ３０は、リードヘッド２２ｒおよびライトヘッド２２ｗを制御して、並行処理を実行する（Ｓ１１４）。つまり、コントローラ３０は、学習位置Ｐ_{ｂａｓｅ＋ｄ}にかかる補正情報の学習と、Ｓ１１０およびＳ１１２のうちの並行処理における書き込みの対象に設定された補正情報の書き込みと、を並行して実行する。

並行処理における書き込みの対象に設定された補正情報が存在しない場合には（Ｓ１１３：Ｎｏ）、コントローラ３０は、リードヘッド２２ｒを制御して、学習位置Ｐ_{ｂａｓｅ＋ｄ}にかかる補正情報の学習を実行する（Ｓ１１５）。

コントローラ３０は、Ｓ１１４またはＳ１１５において、学習によって得た学習位置Ｐ_{ｂａｓｅ＋ｄ}にかかる補正情報を、例えばＲＡＭ２７に一時的に保存する。

Ｓ１１４またはＳ１１５の後、コントローラ３０は、ｄの値を１だけインクリメントし（Ｓ１１６）、その後、ｄの値がＤの新しい設定値以上か否かを判定する（Ｓ１１７）。ｄの値がＤの新しい設定値以上でない場合（Ｓ１１７：Ｎｏ）、Ｓ１０８に制御が移行する。

ｄの値がＤの新しい設定値以上である場合（Ｓ１１７：Ｙｅｓ）、コントローラ３０は、基準学習位置Ｐ_ｂａｓｅを学習位置Ｐ_{ｂａｓｅ＋Ｄ}で更新し（Ｓ１１８）、制御がＳ１０２に移行する。

Ｄの設定値がＳ１０３によってＤ_ｌａｓｔとして記憶している値と異なる値に更新された場合、その後に実行されるＳ１０８～Ｓ１１７のループ処理では並行処理が実行されない。よって、Ｄの新しい設定値がＤ_ｌａｓｔとして記憶している値と異なる場合（Ｓ１０４：Ｎｏ）、コントローラ３０は、Ｄの設定値がＤ_ｌａｓｔであった期間に得られ、かつ、未だポストコード領域５２への書き込みが完了していない補正情報があれば、ライトヘッド２２ｗを制御して、その補正情報の書き込みを実行する（Ｓ１０５）。そして、制御がＳ１０６に移行する。

並行処理条件が満たされてない場合（Ｓ１０２：Ｎｏ）、コントローラ３０は、既に学習によって得た補正情報であって、かつ未だポストコード領域５２への書き込みが完了していない補正情報があれば、ライトヘッド２２ｗを制御して、その補正情報の書き込みを実行する（Ｓ１１９）。

そして、コントローラ３０は、基準学習位置Ｐ_ｂａｓｅからＹの値が０になる位置まで、任意の方法で学習位置を設定して、各学習位置での補正情報の学習と、学習によって得られた補正情報の書き込みと、を分離して実行する（Ｓ１２０）。つまり、Ｓ１２０では、コントローラ３０は、比較例にかかる制御を実行する。

そして、一連の動作が完了する。

このように、実施形態によれば、磁気ディスク装置１は、磁気ディスク１１の半径方向に複数の学習位置を設定する（例えば図９、図１０の複数の学習位置Ｐ、および図１２のＳ１０８参照）。そして、磁気ディスク装置１は、リードヘッド２２ｒが複数の学習位置のうちの１つの学習位置（例えば図９、図１０の学習位置Ｐ_ｎ）上に位置するように磁気ヘッド２２を移動させて、補正情報の学習を行う（例えば図９のＳ１、図１０のＳ１１、図１２のＳ１０８参照）。そして、磁気ディスク装置１は、リードヘッド２２ｒが複数の学習位置のうちの別の学習位置（例えば図９の学習位置Ｐ_ｎ＋３、図１０の学習位置Ｐ_ｎ＋４）上に位置するように磁気ヘッド２２を移動させる。なお、当該別の学習位置上にリードヘッド２２ｒが位置するとき、ライトヘッド２２ｗは、前記１つの学習位置にかかる補正情報の目標書き込み範囲ＲＡの一部を通過する半径位置に位置している。リードヘッド２２ｒが前記別の学習位置上に位置しているときに、磁気ディスク装置１は、前記別の学習位置にかかる補正情報の学習を実行しながら並行して前記１つの学習位置にかかる補正情報の書き込みを実行する。

よって、実施形態によれば、補正情報の学習と、補正情報の書き込みと、がそれぞれ異なる期間に実行される比較例に比べて、補正情報の学習および書き込みに要する時間が短縮される。つまり、補正情報の学習および書き込みの効率が向上する。

なお、磁気ディスク装置１は、前記１つの学習位置から第１の方向に離間した位置に前記別の学習位置を設定する。第１の方向は、リードヘッド２２ｒが磁気ディスク１１の半径方向においてライトヘッド２２ｗよりも先行するような磁気ヘッド２２の移動方向である。図４に示される例において、内方向領域Ａ_{ｉｎｎｅｒ}では、磁気ディスク１１の最も内周側から位置Ｐ_ａ１に向かう向きが第１の方向に相当する。外方向領域Ａ_{ｏｕｔｅｒ}では、磁気ディスク１１の最も外周側から位置Ｐ_ａ１に向かう向きが第１の方向に相当する。

また、実施形態によれば、磁気ディスク装置１は、前記別の学習位置（図１０の学習位置Ｐ_ｎ＋４）にかかる補正情報の学習の際にライトヘッド２２ｗが通過する範囲の２つの端部のうちの第１の方向とは逆側の端部と、前記１つの学習位置にかかる補正情報の目標書き込み範囲ＲＡの２つの端部のうちの第１の方向とは逆側の端部と、が一致するように、学習位置の間隔Ｌを調整する（例えば図１０、図１２－１のＳ１０３参照）。

これによって、目標書き込み範囲ＲＡ間の半径方向の間隔を学習位置の間隔Ｌよりも大きくし、かつ、Ｌとしてある程度大きな値を設定する、という制約を免れることができる。目標書き込み範囲ＲＡ間の半径方向の間隔を考慮しないでＬの値を設定することが可能であるので、Ｌの値を小さくできる。Ｌとして小さい値が設定されるほど、磁気ディスク装置１は、より細かい粒度で補正情報を取得することができ、その結果、位置決めの精度が向上する。

なお、学習位置の間隔Ｌは必ずしも上記のように調整されなくてもよい。例えば、学習位置の間隔Ｌは磁気ディスク１１内で均一とされ、図９を参照して説明された方法で並行処理が実行されてもよい。

また、実施形態によれば、例えば第１の領域（例えば図１１－１の領域１０４参照）では、並行処理条件が満たされ、磁気ディスク装置１は、並行処理を実行する。例えば第１の領域におけるヘッド位置間距離Ｙよりもヘッド位置間距離Ｙが小さい第２の領域（例えば図１１－１の領域１０５参照）では、並行処理条件が満たされず、その結果、磁気ディスク装置１は、任意の方法で学習位置を設定して、各学習位置での補正情報の学習と、学習によって得られた補正情報の書き込みと、を分離して実行する（例えば図１２－１のＳ１２０参照）。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１ 磁気ディスク装置、２ ホスト、１１ 磁気ディスク、１２ スピンドルモータ、１３ ランプ、１５ アクチュエータアーム、２２ 磁気ヘッド、２２ｒ リードヘッド、２２ｗ ライトヘッド、２３ ＨＤＣ、２４ ヘッドＩＣ、２５ ＲＷＣ、２６ プロセッサ、２７ ＲＡＭ、２８ ＦＲＯＭ、２９ バッファメモリ、３０ コントローラ、４１ トラック、４２ サーボ領域、４３ データ領域、４４ サーボセクタ、５１ バーストパターン領域、５２ ポストコード領域、１０１ 範囲、１０２ 設定例、１０３ ライトパターン、１０４，１０５ 領域。

Claims (4)

1. 磁気ディスクおよび磁気ヘッドを備えた磁気ディスク装置の製造方法であって、
   前記磁気ディスクの半径方向に複数の学習位置を設定することと、
   前記磁気ヘッドが有するリードヘッドが前記複数の学習位置のうちの第１の学習位置上に位置するように前記磁気ヘッドを移動させることと、
   前記リードヘッドが前記第１の学習位置上に位置するとき前記第１の学習位置にかかるＲＲＯ（Repeatable RunOut）補正情報を、前記リードヘッドを用いて学習することと、
   前記リードヘッドが前記複数の学習位置のうちの第２の学習位置上に位置するように前記磁気ヘッドを移動させることと、前記リードヘッドが前記第２の学習位置上に位置するとき前記磁気ヘッドが有するライトヘッドは前記第１の学習位置を含む第１の範囲の一部を通過する位置に位置し、
   前記リードヘッドが前記第２の学習位置上に位置するとき前記第２の学習位置にかかるＲＲＯ補正情報を前記リードヘッドを用いて学習しながら並行して、前記第１の学習位置にかかる前記ＲＲＯ補正情報の前記第１の範囲への書き込みを前記ライトヘッドを用いて実行することと、
   を含む製造方法。
2. 前記複数の学習位置を設定することは、前記第１の学習位置から第１の方向に離間した位置に前記第２の学習位置を設定すること、をさらに含み、
   前記第１の方向は、前記リードヘッドが前記磁気ディスクの半径方向において前記ライトヘッドよりも先行するような前記磁気ヘッドの移動方向である、
   請求項１に記載の製造方法。
3. 前記複数の学習位置を設定することは、前記第２の学習位置にかかる前記ＲＲＯ補正情報の学習の際に前記ライトヘッドが通過する範囲の２つの端部のうちの前記第１の方向とは逆側の端部と、前記第１の範囲の２つの端部のうちの前記第１の方向とは逆側の端部と、が一致するように前記複数の学習位置の間隔を調整すること、を含む、
   請求項２に記載の製造方法。
4. 前記複数の学習位置を設定することは、前記複数の学習位置を前記半径方向における第１の領域内に設定することであり、
   前記半径方向における第２の領域内に前記半径方向に複数の第３の学習位置を設定することと、前記第２の領域においては前記リードヘッドの位置と前記ライトヘッドの位置との間の前記半径方向の距離が前記第１の領域における前記距離よりも小さく、
   前記複数の第３の学習位置のそれぞれにかかるＲＲＯ補正情報の学習と、前記複数の第３の学習位置のそれぞれにかかる前記ＲＲＯ補正情報の書き込みと、を分離して実行することと、
   をさらに含む請求項１から３の何れか一項に記載の製造方法。

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