JP2022051029A - Substrate washing device and substrate washing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板を洗浄する基板洗浄装置および基板洗浄方法に関する。 The present invention relates to a substrate cleaning device for cleaning a substrate and a substrate cleaning method.
液晶表示装置または有機EL(Electro Luminescence)表示装置等に用いられるFPD(Flat Panel Display)用基板、半導体基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。基板を洗浄するためには、基板洗浄装置が用いられる。 FPD (Flat Panel Display) substrate, semiconductor substrate, optical disk substrate, magnetic disk substrate, magneto-optical disk substrate, photomask substrate, ceramic substrate used in liquid crystal display devices or organic EL (Electro Luminescence) display devices, etc. Alternatively, a substrate processing device is used to perform various processing on various substrates such as a substrate for a solar cell. A substrate cleaning device is used to clean the substrate.
特許文献1に記載された基板洗浄装置は、ウエハの裏面周縁部を保持する2つの吸着パッド、ウエハの裏面中央部を保持するスピンチャック、およびウエハの裏面を洗浄するブラシを備える。2つの吸着パッドがウエハを保持するとともに横方向に移動する。この状態で、ウエハの裏面中央部がブラシで洗浄される。その後、スピンチャックが吸着パッドからウエハを受け取り、スピンチャックがウエハの裏面中央部を保持しつつ回転する。この状態で、ウエハの裏面周縁部がブラシで洗浄される。
The substrate cleaning apparatus described in
クリーンルーム内に占める基板洗浄装置の設置床面積(フットプリント)を低減するために、基板洗浄装置の小型化が求められる。しかしながら、上記の基板洗浄装置においては、水平方向における基板洗浄装置の小型化が難しい。 In order to reduce the installation floor area (footprint) of the board cleaning device in the clean room, it is required to reduce the size of the board cleaning device. However, in the above-mentioned substrate cleaning apparatus, it is difficult to miniaturize the substrate cleaning apparatus in the horizontal direction.
本発明の目的は、フットプリントの増加を低減しつつ基板の下面全体を洗浄することが可能な基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a substrate cleaning apparatus and a substrate cleaning method capable of cleaning the entire lower surface of a substrate while reducing an increase in footprint.
(1)第1の発明に係る基板洗浄装置は、基板の外周端部を保持する第1の基板保持部と、第1の基板保持部よりも下方の位置で基板の下面中央領域を保持する第2の基板保持部と、第1の基板保持部と第2の基板保持部との間で基板の受け渡しを行う受渡部と、基板の下面に接触して基板の下面を洗浄する洗浄具と、基板が第1の基板保持部により保持されているときに基板の中心が第1の位置にある状態で基板の下面中央領域を洗浄し、基板が第2の基板保持部により保持されているときに基板の中心が第1の位置の下方の第2の位置にある状態で基板の下面中央領域を取り囲む下面外側領域を洗浄するように洗浄具を制御する洗浄制御部とを備える。 (1) The substrate cleaning apparatus according to the first invention holds the first substrate holding portion that holds the outer peripheral end portion of the substrate and the lower surface central region of the substrate at a position lower than the first substrate holding portion. A second substrate holding portion, a delivery portion for transferring the substrate between the first substrate holding portion and the second substrate holding portion, and a cleaning tool that contacts the lower surface of the substrate to clean the lower surface of the substrate. When the substrate is held by the first substrate holder, the center region of the lower surface of the substrate is cleaned with the center of the substrate in the first position, and the substrate is held by the second substrate holder. It is provided with a cleaning control unit that controls the cleaning tool so as to clean the lower surface outer region surrounding the lower surface central region of the substrate, sometimes in a state where the center of the substrate is in the second position below the first position.
この基板洗浄装置においては、受渡部により第1の基板保持部と第2の基板保持部との間で基板が受け渡される。基板が第1の基板保持部により保持されているときに、基板の中心が第1の位置にある状態で基板の下面中央領域が洗浄具により洗浄される。基板が第2の基板保持部により保持されているときに、基板の中心が第1の位置の下方の第2の位置にある状態で基板の下面外側領域が洗浄具により洗浄される。このように、基板の下面中央領域と下面外側領域とをそれぞれ洗浄するために、基板の水平方向への移動を要しない。したがって、フットプリントの増加を低減しつつ基板の下面全体を洗浄することが可能になる。 In this substrate cleaning device, the substrate is delivered between the first substrate holding portion and the second substrate holding portion by the delivery portion. When the substrate is held by the first substrate holding portion, the central region of the lower surface of the substrate is cleaned by the cleaning tool with the center of the substrate in the first position. When the substrate is held by the second substrate holder, the lower surface outer region of the substrate is cleaned by the washer with the center of the substrate in the second position below the first position. As described above, in order to clean the lower surface center region and the lower surface outer region of the substrate, it is not necessary to move the substrate in the horizontal direction. Therefore, it is possible to clean the entire lower surface of the substrate while reducing the increase in footprint.
(2)基板洗浄装置は、第1の基板保持部において下面中央領域が洗浄された基板を第2の基板保持部に渡すように受渡部を制御する受渡制御部をさらに備えてもよい。この場合、基板の下面全体を容易に洗浄することができる。 (2) The substrate cleaning device may further include a delivery control unit that controls the delivery unit so that the substrate whose lower surface central region has been cleaned in the first substrate holding unit is passed to the second substrate holding unit. In this case, the entire lower surface of the substrate can be easily cleaned.
(3)受渡制御部は、第2の基板保持部において下面外側領域が洗浄された基板を第1の基板保持部に再度渡すように受渡部をさらに制御し、洗浄制御部は、第1の基板保持部により保持された基板の下面中央領域を再度洗浄するように洗浄具を制御してもよい。この場合、第2の基板保持部により保持された基板の下面中央領域が第1の基板保持部において再度洗浄される。これにより、基板をより適切に洗浄することができる。 (3) The delivery control unit further controls the delivery unit so that the substrate whose lower surface outer region has been cleaned in the second substrate holding unit is passed to the first substrate holding unit again, and the cleaning control unit further controls the first substrate holding unit. The cleaning tool may be controlled to clean the lower center region of the substrate held by the substrate holding portion again. In this case, the lower surface central region of the substrate held by the second substrate holding portion is washed again in the first substrate holding portion. As a result, the substrate can be cleaned more appropriately.
(4)基板洗浄装置は、第2の基板保持部において下面外側領域が洗浄された基板を第1の基板保持部に渡すように受渡部を制御する受渡制御部をさらに備えてもよい。この場合、第2の基板保持部により保持された基板の下面中央領域が第1の基板保持部において洗浄される。これにより、基板をより適切にかつ効率的に洗浄することができる。 (4) The substrate cleaning device may further include a delivery control unit that controls the delivery unit so that the substrate whose lower surface outer region has been cleaned in the second substrate holding unit is passed to the first substrate holding unit. In this case, the lower surface central region of the substrate held by the second substrate holding portion is washed in the first substrate holding portion. As a result, the substrate can be cleaned more appropriately and efficiently.
(5)基板洗浄装置は、第1の洗浄モードと第2の洗浄モードとで選択的に動作するように構成され、洗浄制御部は、第1の洗浄モードにおいては、基板が第1の基板保持部により保持されているときに基板の下面中央領域を洗浄し、基板が第2の基板保持部により保持されているときに基板の下面外側領域を洗浄するように洗浄具を制御し、第2の洗浄モードにおいては、基板が第1の基板保持部により保持されているときに基板を洗浄せず、基板が第2の基板保持部により保持されているときに基板の下面外側領域を洗浄するように洗浄具を制御してもよい。
(5) The substrate cleaning apparatus is configured to selectively operate in the first cleaning mode and the second cleaning mode, and in the cleaning control unit, the substrate is the first substrate in the first cleaning mode. The washer is controlled to clean the lower center region of the substrate when held by the retainer and the lower outer region of the substrate when the substrate is held by the second substrate retainer. In the
この場合、基板洗浄装置を第1の洗浄モードで動作させることにより、基板の下面全体を洗浄することができる。一方、基板の下面中央領域を洗浄する必要がない場合には、基板洗浄装置を第2の洗浄モードで動作させることにより、基板の下面外側領域を効率的に洗浄することができる。 In this case, by operating the substrate cleaning apparatus in the first cleaning mode, the entire lower surface of the substrate can be cleaned. On the other hand, when it is not necessary to clean the central region of the lower surface of the substrate, the outer region of the lower surface of the substrate can be efficiently cleaned by operating the substrate cleaning apparatus in the second cleaning mode.
(6)第2の基板保持部は、基板を保持して回転可能に構成され、基板洗浄装置は、洗浄具および第2の基板保持部を支持する台座部と、洗浄具が第1の基板保持部により保持されるべき基板の中心の下方にある第1の状態と、第2の基板保持部の回転中心が第1の基板保持部により保持されるべき基板の中心の下方にある第2の状態との間で台座部を移動させる台座駆動部と、第1の基板保持部における基板の洗浄時に台座部が第1の状態にあり、第1の基板保持部と第2の基板保持部との間での基板の受け渡し時に台座部が第2の状態にあるように台座駆動部を制御する台座制御部とをさらに備えてもよい。 (6) The second substrate holding portion is configured to hold the substrate and rotate rotatably, and the substrate cleaning device includes a pedestal portion that supports the cleaning tool and the second substrate holding portion, and the cleaning tool is the first substrate. A first state below the center of the substrate to be held by the holder and a second state where the center of rotation of the second substrate holder is below the center of the substrate to be held by the first substrate holder. The pedestal drive unit that moves the pedestal portion to and from the state of A pedestal control unit that controls the pedestal drive unit may be further provided so that the pedestal unit is in the second state when the substrate is delivered to and from the vehicle.
この場合、第1の基板保持部と第2の基板保持部との間での基板の受け渡しを容易にしつつ、第1の基板保持部により保持された基板の下面中央領域と、第2の基板保持部により保持された基板の下面外側領域とを共通の洗浄具により容易に洗浄することができる。 In this case, the lower surface center region of the substrate held by the first substrate holding portion and the second substrate while facilitating the transfer of the substrate between the first substrate holding portion and the second substrate holding portion. The lower surface outer region of the substrate held by the holding portion can be easily washed with a common cleaning tool.
(7)第2の発明に係る基板洗浄方法は、基板の外周端部が第1の基板保持部により保持されているときに、基板の中心が第1の位置にある状態で基板の下面に接触する洗浄具により基板の下面中央領域を洗浄するステップと、第1の基板保持部よりも下方の位置で基板の下面中央領域が第2の基板保持部により保持されているときに、基板の中心が第1の位置の下方の第2の位置にある状態で洗浄具により基板の下面中央領域を取り囲む下面外側領域を洗浄するステップと、第1の基板保持部と第2の基板保持部との間で基板の受け渡しを行うステップとを含む。 (7) In the substrate cleaning method according to the second invention, when the outer peripheral end portion of the substrate is held by the first substrate holding portion, the center of the substrate is in the first position on the lower surface of the substrate. A step of cleaning the bottom center region of the substrate with a contacting washer and when the bottom center region of the substrate is held by the second substrate holder at a position below the first substrate holder. A step of cleaning the lower surface outer region surrounding the lower surface center region of the substrate with a cleaning tool in a state where the center is in the second position below the first position, and the first substrate holding portion and the second substrate holding portion. Includes steps to transfer the board between.
この基板洗浄方法によれば、基板の下面中央領域と下面外側領域とをそれぞれ洗浄するために、基板の水平方向への移動を要しない。したがって、フットプリントの増加を低減しつつ基板の下面全体を洗浄することが可能になる。 According to this substrate cleaning method, it is not necessary to move the substrate in the horizontal direction in order to clean the lower surface center region and the lower surface outer region of the substrate, respectively. Therefore, it is possible to clean the entire lower surface of the substrate while reducing the increase in footprint.
(8)基板の受け渡しを行うステップは、第1の基板保持部において下面中央領域が洗浄された基板を第2の基板保持部に渡すことを含んでもよい。この場合、基板の下面全体を容易に洗浄することができる。 (8) The step of transferring the substrate may include passing the substrate whose lower surface central region is cleaned in the first substrate holding portion to the second substrate holding portion. In this case, the entire lower surface of the substrate can be easily cleaned.
(9)基板洗浄方法は、第2の基板保持部において下面外側領域が洗浄された基板を第1の基板保持部に再度渡すステップと、第2の基板保持部から渡されかつ第1の基板保持部により保持された基板の下面中央領域を洗浄具により再度洗浄するステップとをさらに含んでもよい。この場合、第2の基板保持部により保持された基板の下面中央領域が第1の基板保持部において再度洗浄される。これにより、基板をより適切に洗浄することができる。 (9) The substrate cleaning method includes a step of passing the substrate whose lower surface outer region has been cleaned in the second substrate holding portion to the first substrate holding portion again, and a first substrate passed from the second substrate holding portion. It may further include a step of re-cleaning the lower center region of the substrate held by the holding portion with a cleaning tool. In this case, the lower surface central region of the substrate held by the second substrate holding portion is washed again in the first substrate holding portion. As a result, the substrate can be cleaned more appropriately.
(10)基板の受け渡しを行うステップは、第2の基板保持部において下面外側領域が洗浄された基板を第1の基板保持部に渡すことを含んでもよい。この場合、第2の基板保持部により保持された基板の下面中央領域が第1の基板保持部において洗浄される。これにより、基板をより適切にかつ効率的に洗浄することができる。 (10) The step of transferring the substrate may include passing the substrate whose lower surface outer region is cleaned in the second substrate holding portion to the first substrate holding portion. In this case, the lower surface central region of the substrate held by the second substrate holding portion is washed in the first substrate holding portion. As a result, the substrate can be cleaned more appropriately and efficiently.
(11)基板の下面中央領域を洗浄するステップは、第1の洗浄モードにおいて、基板の下面中央領域を洗浄し、第2の洗浄モードにおいて、基板を洗浄しないことを含み、下面外側領域を洗浄するステップは、第1および第2の洗浄モードにおいて、基板の下面外側領域を洗浄することを含んでもよい。 (11) The step of cleaning the lower surface central region of the substrate includes cleaning the lower surface central region of the substrate in the first cleaning mode and not cleaning the substrate in the second cleaning mode, and cleaning the lower surface outer region. The steps to be performed may include cleaning the lower surface outer region of the substrate in the first and second cleaning modes.
この場合、第1の洗浄モードにおいて、基板の下面全体を洗浄することができる。一方、基板の下面中央領域を洗浄する必要がない場合には、第2の洗浄モードにおいて、基板の下面外側領域を効率的に洗浄することができる。 In this case, in the first cleaning mode, the entire lower surface of the substrate can be cleaned. On the other hand, when it is not necessary to clean the central region of the lower surface of the substrate, the outer region of the lower surface of the substrate can be efficiently cleaned in the second cleaning mode.
(12)基板の下面中央領域を洗浄するステップは、洗浄具および第2の基板保持部を支持する台座部を第1の状態にすることを含み、下面外側領域を洗浄するステップは、台座部を第2の状態にすることを含み、第2の基板保持部は、基板を保持して回転可能に構成され、第1の状態においては、洗浄具が第1の基板保持部により保持されるべき基板の中心の下方にあり、第2の状態においては、第2の基板保持部の回転中心が第1の基板保持部により保持されるべき基板の中心の下方にあってもよい。 (12) The step of cleaning the lower surface central region of the substrate includes putting the cleaning tool and the pedestal portion supporting the second substrate holding portion into the first state, and the step of cleaning the lower surface outer region includes the pedestal portion. The second substrate holding portion is configured to hold and rotate the substrate, and in the first state, the cleaning tool is held by the first substrate holding portion. It may be below the center of the substrate to be held, and in the second state, the center of rotation of the second substrate holder may be below the center of the substrate to be held by the first substrate holder.
この場合、第1の基板保持部と第2の基板保持部との間での基板の受け渡しを容易にしつつ、第1の基板保持部により保持された基板の下面中央領域と、第2の基板保持部により保持された基板の下面外側領域とを共通の洗浄具により容易に洗浄することができる。 In this case, the lower surface center region of the substrate held by the first substrate holding portion and the second substrate while facilitating the transfer of the substrate between the first substrate holding portion and the second substrate holding portion. The lower surface outer region of the substrate held by the holding portion can be easily washed with a common cleaning tool.
本発明によれば、フットプリントの増加を低減しつつ基板の下面全体を洗浄することができる。 According to the present invention, the entire lower surface of the substrate can be cleaned while reducing the increase in footprint.
以下、本発明の実施の形態に係る基板洗浄装置および基板洗浄方法について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板(ウエハ)、液晶表示装置もしくは有機EL(Electro Luminescence)表示装置等のFPD(Flat Panel Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。また、本実施の形態では、基板の上面が回路形成面(表面)であり、基板の下面が回路形成面と反対側の面(裏面)である。また、本実施の形態では、基板は、ノッチを除いて円形状を有する。 Hereinafter, the substrate cleaning apparatus and the substrate cleaning method according to the embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the substrate is a semiconductor substrate (wafer), a substrate for FPD (Flat Panel Display) such as a liquid crystal display device or an organic EL (Electro Luminescence) display device, a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, and a magneto-optical disk. Board, photomask board, ceramic board, solar cell board, etc. Further, in the present embodiment, the upper surface of the substrate is the circuit forming surface (front surface), and the lower surface of the substrate is the surface opposite to the circuit forming surface (back surface). Further, in the present embodiment, the substrate has a circular shape except for the notch.
(1)基板処理装置の構成
図1は、本発明の一実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的平面図である。図2は、図1の基板洗浄装置1の内部構成を示す外観斜視図である。本実施の形態に係る基板洗浄装置1においては、位置関係を明確にするために互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を定義する。図1および図2以降の所定の図では、X方向、Y方向およびZ方向が適宜矢印で示される。X方向およびY方向は水平面内で互いに直交し、Z方向は鉛直方向に相当する。
(1) Configuration of Substrate Processing Device FIG. 1 is a schematic plan view of a substrate cleaning device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an external perspective view showing the internal configuration of the
図1に示すように、基板洗浄装置1は、上側保持装置10A,10B、下側保持装置20、台座装置30、受渡装置40、下面洗浄装置50、カップ装置60、上面洗浄装置70、端部洗浄装置80および開閉装置90を備える。これらの構成要素は、ユニット筐体2内に設けられる。図2では、ユニット筐体2が点線で示される。
As shown in FIG. 1, the
ユニット筐体2は、矩形の底面部2aと、底面部2aの4辺から上方に延びる4つの側壁部2b,2c,2d,2eとを有する。側壁部2b,2cが互いに対向し、側壁部2d,2eが互いに対向する。側壁部2bの中央部には、矩形の開口が形成されている。この開口は、基板Wの搬入搬出口2xであり、ユニット筐体2に対する基板Wの搬入時および搬出時に用いられる。図2では、搬入搬出口2xが太い点線で示される。以下の説明においては、Y方向のうちユニット筐体2の内部から搬入搬出口2xを通してユニット筐体2の外方に向く方向(側壁部2cから側壁部2bを向く方向)を前方と呼び、その逆の方向(側壁部2bから側壁部2cを向く方向)を後方と呼ぶ。
The
側壁部2bにおける搬入搬出口2xの形成部分およびその近傍の領域には、開閉装置90が設けられている。開閉装置90は、搬入搬出口2xを開閉可能に構成されたシャッタ91と、シャッタ91を駆動するシャッタ駆動部92とを含む。図2では、シャッタ91が太い二点鎖線で示される。シャッタ駆動部92は、基板洗浄装置1に対する基板Wの搬入時および搬出時に搬入搬出口2xを開放するようにシャッタ91を駆動する。また、シャッタ駆動部92は、基板洗浄装置1における基板Wの洗浄時に搬入搬出口2xを閉塞するようにシャッタ91を駆動する。
A
底面部2aの中央部には、台座装置30が設けられている。台座装置30は、リニアガイド31、可動台座32および台座駆動部33を含む。リニアガイド31は、2本のレールを含み、平面視で側壁部2bの近傍から側壁部2cの近傍までY方向に延びるように設けられている。可動台座32は、リニアガイド31の2本のレール上でY方向に移動可能に設けられている。台座駆動部33は、例えばパルスモータを含み、リニアガイド31上で可動台座32をY方向に移動させる。
A
可動台座32上には、下側保持装置20および下面洗浄装置50がY方向に並ぶように設けられている。下側保持装置20は、吸着保持部21および吸着保持駆動部22を含む。吸着保持部21は、いわゆるスピンチャックであり、基板Wの下面を吸着保持可能な円形の吸着面を有し、上下方向に延びる軸(Z方向の軸)の周りで回転可能に構成される。以下の説明では、吸着保持部21により基板Wが吸着保持される際に、基板Wの下面のうち吸着保持部21の吸着面が吸着すべき領域を下面中央領域と呼ぶ。一方、基板Wの下面のうち下面中央領域を取り囲む領域を下面外側領域と呼ぶ。
The
吸着保持駆動部22は、モータを含む。吸着保持駆動部22のモータは、回転軸が上方に向かって突出するように可動台座32上に設けられている。吸着保持部21は、吸着保持駆動部22の回転軸の上端部に取り付けられる。また、吸着保持駆動部22の回転軸には、吸着保持部21において基板Wを吸着保持するための吸引経路が形成されている。その吸引経路は、図示しない吸気装置に接続されている。吸着保持駆動部22は、吸着保持部21を上記の回転軸の周りで回転させる。
The suction holding
可動台座32上には、下側保持装置20の近傍にさらに受渡装置40が設けられている。受渡装置40は、複数(本例では3本)の支持ピン41、ピン連結部材42およびピン昇降駆動部43を含む。ピン連結部材42は、平面視で吸着保持部21を取り囲むように形成され、複数の支持ピン41を連結する。複数の支持ピン41は、ピン連結部材42により互いに連結された状態で、ピン連結部材42から一定長さ上方に延びる。ピン昇降駆動部43は、可動台座32上でピン連結部材42を昇降させる。これにより、複数の支持ピン41が吸着保持部21に対して相対的に昇降する。
On the
下面洗浄装置50は、下面ブラシ51、2つの液ノズル52、気体噴出部53、昇降支持部54、移動支持部55、下面ブラシ回転駆動部55a、下面ブラシ昇降駆動部55bおよび下面ブラシ移動駆動部55cを含む。移動支持部55は、可動台座32上の一定領域内で下側保持装置20に対してY方向に移動可能に設けられている。図2に示すように、移動支持部55上に、昇降支持部54が昇降可能に設けられている。昇降支持部54は、吸着保持部21から遠ざかる方向(本例では後方)において斜め下方に傾斜する上面54uを有する。
The bottom
図1に示すように、下面ブラシ51は、基板Wの下面に接触可能な円形の洗浄面を有する。また、下面ブラシ51は、洗浄面が上方を向くようにかつ洗浄面が当該洗浄面の中心を通って上下方向に延びる軸の周りで回転可能となるように、昇降支持部54の上面54uに取り付けられている。下面ブラシ51の洗浄面の面積は、吸着保持部21の吸着面の面積よりも大きい。
As shown in FIG. 1, the
2つの液ノズル52の各々は、下面ブラシ51の近傍に位置しかつ液体吐出口が上方を向くように、昇降支持部54の上面54u上に取り付けられている。液ノズル52には、下面洗浄液供給部56(図3)が接続されている。下面洗浄液供給部56は、液ノズル52に洗浄液を供給する。液ノズル52は、下面ブラシ51による基板Wの洗浄時に、下面洗浄液供給部56から供給される洗浄液を基板Wの下面に吐出する。本実施の形態では、液ノズル52に供給される洗浄液として純水が用いられる。
Each of the two
気体噴出部53は、一方向に延びる気体噴出口を有するスリット状の気体噴射ノズルである。気体噴出部53は、平面視で下面ブラシ51と吸着保持部21との間に位置しかつ気体噴射口が上方を向くように、昇降支持部54の上面54uに取り付けられている。気体噴出部53には、噴出気体供給部57(図3)が接続されている。噴出気体供給部57は、気体噴出部53に気体を供給する。本実施の形態では、気体噴出部53に供給される気体として窒素ガス等の不活性ガスが用いられる。気体噴出部53は、下面ブラシ51による基板Wの洗浄時および後述する基板Wの下面の乾燥時に、噴出気体供給部57から供給される気体を基板Wの下面に噴射する。この場合、下面ブラシ51と吸着保持部21との間に、X方向に延びる帯状の気体カーテンが形成される。
The
下面ブラシ回転駆動部55aは、モータを含み、下面ブラシ51による基板Wの洗浄時に下面ブラシ51を回転させる。下面ブラシ昇降駆動部55bは、ステッピングモータまたはエアシリンダを含み、移動支持部55に対して昇降支持部54を昇降させる。下面ブラシ移動駆動部55cは、モータを含み、可動台座32上で移動支持部55をY方向に移動させる。ここで、可動台座32における下側保持装置20の位置は固定されている。そのため、下面ブラシ移動駆動部55cによる移動支持部55のY方向の移動時には、移動支持部55が下側保持装置20に対して相対的に移動する。以下の説明では、可動台座32上で下側保持装置20に最も近づくときの下面洗浄装置50の位置を接近位置と呼び、可動台座32上で下側保持装置20から最も離れたときの下面洗浄装置50の位置を離間位置と呼ぶ。
The lower surface brush
底面部2aの中央部には、さらにカップ装置60が設けられている。カップ装置60は、カップ61およびカップ駆動部62を含む。カップ61は、平面視で下側保持装置20および台座装置30を取り囲むようにかつ昇降可能に設けられている。図2においては、カップ61が点線で示される。カップ駆動部62は、下面ブラシ51が基板Wの下面におけるどの部分を洗浄するのかに応じてカップ61を下カップ位置と上カップ位置との間で移動させる。下カップ位置はカップ61の上端部が吸着保持部21により吸着保持される基板Wよりも下方にある高さ位置である。また、上カップ位置はカップ61の上端部が吸着保持部21よりも上方にある高さ位置である。
A
カップ61よりも上方の高さ位置には、平面視で台座装置30を挟んで対向するように一対の上側保持装置10A,10Bが設けられている。上側保持装置10Aは、下チャック11A、上チャック12A、下チャック駆動部13Aおよび上チャック駆動部14Aを含む。上側保持装置10Bは、下チャック11B、上チャック12B、下チャック駆動部13Bおよび上チャック駆動部14Bを含む。
A pair of
下チャック11A,11Bは、平面視で吸着保持部21の中心を通ってY方向(前後方向)に延びる鉛直面に関して対称に配置され、共通の水平面内でX方向に移動可能に設けられている。下チャック11A,11Bの各々は、基板Wの下面周縁部を基板Wの下方から支持可能な2本の支持片を有する。下チャック駆動部13A,13Bは、下チャック11A,11Bが互いに近づくように、または下チャック11A,11Bが互いに遠ざかるように、下チャック11A,11Bを移動させる。
The lower chucks 11A and 11B are arranged symmetrically with respect to the vertical plane extending in the Y direction (front-back direction) through the center of the
上チャック12A,12Bは、下チャック11A,11Bと同様に、平面視で吸着保持部21の中心を通ってY方向(前後方向)に延びる鉛直面に関して対称に配置され、共通の水平面内でX方向に移動可能に設けられている。上チャック12A,12Bの各々は、基板Wの外周端部の2つの部分に当接して基板Wの外周端部を保持可能に構成された2本の保持片を有する。上チャック駆動部14A,14Bは、上チャック12A,12Bが互いに近づくように、または上チャック12A,12Bが互いに遠ざかるように、上チャック12A,12Bを移動させる。
Like the
図1に示すように、カップ61の一側方においては、平面視で上側保持装置10Bの近傍に位置するように、上面洗浄装置70が設けられている。上面洗浄装置70は、回転支持軸71、アーム72、スプレーノズル73および上面洗浄駆動部74を含む。
As shown in FIG. 1, on one side of the
回転支持軸71は、底面部2a上で、上下方向に延びるようにかつ昇降可能かつ回転可能に上面洗浄駆動部74により支持される。アーム72は、図2に示すように、上側保持装置10Bよりも上方の位置で、回転支持軸71の上端部から水平方向に延びるように設けられている。アーム72の先端部には、スプレーノズル73が取り付けられている。
The
スプレーノズル73には、上面洗浄流体供給部75(図3)が接続される。上面洗浄流体供給部75は、スプレーノズル73に洗浄液および気体を供給する。本実施の形態では、スプレーノズル73に供給される洗浄液として純水が用いられ、スプレーノズル73に供給される気体として窒素ガス等の不活性ガスが用いられる。スプレーノズル73は、基板Wの上面の洗浄時に、上面洗浄流体供給部75から供給される洗浄液と気体とを混合して混合流体を生成し、生成された混合流体を下方に噴射する。
A top surface cleaning fluid supply unit 75 (FIG. 3) is connected to the
上面洗浄駆動部74は、1または複数のパルスモータおよびエアシリンダ等を含み、回転支持軸71を昇降させるとともに、回転支持軸71を回転させる。上記の構成によれば、吸着保持部21により吸着保持されて回転される基板Wの上面上で、スプレーノズル73を円弧状に移動させることにより、基板Wの上面全体を洗浄することができる。
The top surface cleaning
図1に示すように、カップ61の他側方においては、平面視で上側保持装置10Aの近傍に位置するように、端部洗浄装置80が設けられている。端部洗浄装置80は、回転支持軸81、アーム82、ベベルブラシ83およびベベルブラシ駆動部84を含む。
As shown in FIG. 1, on the other side of the
回転支持軸81は、底面部2a上で、上下方向に延びるようにかつ昇降可能かつ回転可能にベベルブラシ駆動部84により支持される。アーム82は、図2に示すように、上側保持装置10Aよりも上方の位置で、回転支持軸81の上端部から水平方向に延びるように設けられている。アーム82の先端部には、下方に向かって突出するようにかつ上下方向の軸の周りで回転可能となるようにベベルブラシ83が設けられている。
The
ベベルブラシ83は、上半部が逆円錐台形状を有するとともに下半部が円錐台形状を有する。このベベルブラシ83によれば、外周面の上下方向における中央部分で基板Wの外周端部を洗浄することができる。
The
ベベルブラシ駆動部84は、1または複数のパルスモータおよびエアシリンダ等を含み、回転支持軸81を昇降させるとともに、回転支持軸81を回転させる。上記の構成によれば、吸着保持部21により吸着保持されて回転される基板Wの外周端部にベベルブラシ83の外周面の中央部分を接触させることにより、基板Wの外周端部全体を洗浄することができる。
The bevel
ここで、ベベルブラシ駆動部84は、さらにアーム82に内蔵されるモータを含む。そのモータは、アーム82の先端部に設けられるベベルブラシ83を上下方向の軸の周りで回転させる。したがって、基板Wの外周端部の洗浄時に、ベベルブラシ83が回転することにより、基板Wの外周端部におけるベベルブラシ83の洗浄力が向上する。
Here, the bevel
図3は、基板洗浄装置1の制御系統の構成を示すブロック図である。図3の制御装置9は、CPU(中央演算処理装置)、RAM(ランダムアクセスメモリ)、ROM(リードオンリメモリ)および記憶装置を含む。RAMは、CPUの作業領域として用いられる。ROMは、システムプログラムを記憶する。記憶装置は、制御プログラムを記憶する。
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a control system of the
図3に示すように、制御装置9は、機能部として、チャック制御部9A、吸着制御部9B、台座制御部9C、受渡制御部9D、下面洗浄制御部9E、カップ制御部9F、上面洗浄制御部9G、ベベル洗浄制御部9Hおよび搬入搬出制御部9Iを含む。CPUが記憶装置に記憶された基板洗浄プログラムをRAM上で実行することにより制御装置9の機能部が実現される。制御装置9の機能部の一部または全部が電子回路等のハードウエアにより実現されてもよい。
As shown in FIG. 3, the
チャック制御部9Aは、基板洗浄装置1に搬入される基板Wを受け取り、吸着保持部21の上方の位置で保持するために、下チャック駆動部13A,13Bおよび上チャック駆動部14A,14Bを制御する。吸着制御部9Bは、吸着保持部21により基板Wを吸着保持するとともに吸着保持された基板Wを回転させるために、吸着保持駆動部22を制御する。
The
台座制御部9Cは、上側保持装置10A,10Bにより保持される基板Wに対して可動台座32を移動させるために、台座駆動部33を制御する。受渡制御部9Dは、上側保持装置10A,10Bにより保持される基板Wの高さ位置と、吸着保持部21により保持される基板Wの高さ位置との間で基板Wを移動させるために、ピン昇降駆動部43を制御する。
The
下面洗浄制御部9Eは、基板Wの下面を洗浄するために、下面ブラシ回転駆動部55a、下面ブラシ昇降駆動部55b、下面ブラシ移動駆動部55c、下面洗浄液供給部56および噴出気体供給部57を制御する。カップ制御部9Fは、吸着保持部21により吸着保持された基板Wの洗浄時に基板Wから飛散する洗浄液をカップ61で受け止めるために、カップ駆動部62を制御する。
In order to clean the lower surface of the substrate W, the bottom surface cleaning
上面洗浄制御部9Gは、吸着保持部21により吸着保持された基板Wの上面を洗浄するために、上面洗浄駆動部74および上面洗浄流体供給部75を制御する。ベベル洗浄制御部9Hは、吸着保持部21により吸着保持された基板Wの外周端部を洗浄するために、ベベルブラシ駆動部84を制御する。搬入搬出制御部9Iは、基板洗浄装置1における基板Wの搬入時および搬出時にユニット筐体2の搬入搬出口2xを開閉するために、シャッタ駆動部92を制御する。
The top surface cleaning
(2)基板洗浄装置の動作
図4~図15は、図1の基板洗浄装置1の動作を説明するための模式図である。図4~図15の各々においては、上段に基板洗浄装置1の平面図が示される。また、中段にY方向に沿って見た下側保持装置20およびその周辺部の側面図が示され、下段にX方向に沿って見た下側保持装置20およびその周辺部の側面図が示される。中段の側面図は図1のA-A線側面図に対応し、下段の側面図は図1のB-B線側面図に対応する。なお、基板洗浄装置1における各構成要素の形状および動作状態の理解を容易にするために、上段の平面図と中段および下段の側面図との間では、一部の構成要素の拡縮率が異なる。また、図4~図15では、カップ61が二点鎖線で示されるとともに、基板Wの外形が太い一点鎖線で示される。
(2) Operation of the Substrate Cleaning Device FIGS. 4 to 15 are schematic views for explaining the operation of the
基板洗浄装置1に基板Wが搬入される前の初期状態においては、開閉装置90のシャッタ91が搬入搬出口2xを閉塞している。また、図1に示されるように、下チャック11A,11Bは、互いの距離が基板Wの直径よりも十分に大きくなる状態で維持されている。また、上チャック12A,12Bも、互いの距離が基板Wの直径よりも十分に大きくなる状態で維持されている。また、台座装置30の可動台座32は、平面視で吸着保持部21の中心がカップ61の中心に位置するように配置されている。また、可動台座32上で下面洗浄装置50は、接近位置に配置されている。また、下面洗浄装置50の昇降支持部54は、下面ブラシ51の洗浄面(上端部)が吸着保持部21よりも下方に位置する状態にある。また、受渡装置40においては、複数の支持ピン41が吸着保持部21よりも下方に位置する状態にある。さらに、カップ装置60においては、カップ61は下カップ位置にある。以下の説明では、平面視におけるカップ61の中心位置を平面基準位置rpと呼ぶ。また、平面視で吸着保持部21の中心が平面基準位置rpにあるときの底面部2a上の可動台座32の位置を第1の水平位置と呼ぶ。
In the initial state before the substrate W is carried into the
基板洗浄装置1のユニット筐体2内に基板Wが搬入される。具体的には、基板Wの搬入の直前にシャッタ91が搬入搬出口2xを開放する。その後、図4に太い実線の矢印a1で示すように、図示しない基板搬送ロボットのハンド(基板保持部)RHが搬入搬出口2xを通してユニット筐体2内の略中央の位置に基板Wを搬入する。このとき、ハンドRHにより保持される基板Wは、図4に示すように、下チャック11Aおよび上チャック12Aと下チャック11Bおよび上チャック12Bとの間に位置する。
The substrate W is carried into the
次に、図5に太い実線の矢印a2で示すように、下チャック11A,11Bの複数の支持片が基板Wの下面周縁部の下方に位置するように、下チャック11A,11Bが互いに近づく。この状態で、ハンドRHが下降し、搬入搬出口2xから退出する。それにより、ハンドRHに保持された基板Wの下面周縁部の複数の部分が、下チャック11A,11Bの複数の支持片により支持される。ハンドRHの退出後、シャッタ91は搬入搬出口2xを閉塞する。
Next, as shown by the thick solid arrow a2 in FIG. 5, the
次に、図6に太い実線の矢印a3で示すように、上チャック12A,12Bの複数の保持片が基板Wの外周端部に当接するように、上チャック12A,12Bが互いに近づく。上チャック12A,12Bの複数の保持片が基板Wの外周端部の複数の部分に当接することにより、下チャック11A,11Bにより支持された基板Wが上チャック12A,12Bによりさらに保持される。また、図6に太い実線の矢印a4で示すように、吸着保持部21が平面基準位置rpから所定距離ずれるとともに下面ブラシ51の中心が平面基準位置rpに位置するように、可動台座32が第1の水平位置から前方に移動する。このとき、底面部2a上に位置する可動台座32の位置を第2の水平位置と呼ぶ。
Next, as shown by the thick solid arrow a3 in FIG. 6, the
次に、図7に太い実線の矢印a5で示すように、下面ブラシ51の洗浄面が基板Wの下面中央領域に接触するように、昇降支持部54が上昇する。また、図7に太い実線の矢印a6で示すように、下面ブラシ51が上下方向の軸の周りで回転(自転)する。それにより、基板Wの下面中央領域に付着する汚染物質が下面ブラシ51により物理的に剥離される。
Next, as shown by the thick solid arrow a5 in FIG. 7, the elevating
図7の下段には、下面ブラシ51が基板Wの下面に接触する部分の拡大側面図が吹き出し内に示される。その吹き出し内に示されるように、下面ブラシ51が基板Wに接触する状態で、液ノズル52および気体噴出部53は、基板Wの下面に近接する位置に保持される。このとき、液ノズル52は、白抜きの矢印a51で示すように、下面ブラシ51の近傍の位置で基板Wの下面に向かって洗浄液を吐出する。これにより、液ノズル52から基板Wの下面に供給された洗浄液が下面ブラシ51と基板Wとの接触部に導かれることにより、下面ブラシ51により基板Wの裏面から除去された汚染物質が洗浄液により洗い流される。このように、下面洗浄装置50においては、液ノズル52が下面ブラシ51とともに昇降支持部54に取り付けられている。それにより、下面ブラシ51による基板Wの下面の洗浄部分に効率よく洗浄液を供給することができる。したがって、洗浄液の消費量が低減されるとともに洗浄液の過剰な飛散が抑制される。
In the lower part of FIG. 7, an enlarged side view of a portion where the
ここで、昇降支持部54の上面54uは、吸着保持部21から遠ざかる方向において斜め下方に傾斜している。この場合、基板Wの下面から汚染物質を含む洗浄液が昇降支持部54上に落下する場合に、上面54uによって受け止められた洗浄液が吸着保持部21から遠ざかる方向に導かれる。
Here, the
また、下面ブラシ51による基板Wの下面の洗浄時には、気体噴出部53が、図7の吹き出し内に白抜きの矢印a52で示すように、下面ブラシ51と吸着保持部21との間の位置で基板Wの下面に向かって気体を噴射する。本実施の形態においては、気体噴出部53は、気体噴射口がX方向に延びるように昇降支持部54上に取り付けられている。この場合、気体噴出部53から基板Wの下面に気体が噴射される際には、下面ブラシ51と吸着保持部21との間でX方向に延びる帯状の気体カーテンが形成される。それにより、下面ブラシ51による基板Wの下面の洗浄時に、汚染物質を含む洗浄液が吸着保持部21に向かって飛散することが防止される。したがって、下面ブラシ51による基板Wの下面の洗浄時に、汚染物質を含む洗浄液が吸着保持部21に付着することが防止され、吸着保持部21の吸着面が清浄に保たれる。
Further, when the lower surface of the substrate W is cleaned by the
なお、図7の例においては、気体噴出部53は、白抜きの矢印a52で示すように、気体噴出部53から下面ブラシ51に向かって斜め上方に気体を噴射するが、本発明はこれに限定されない。気体噴出部53は、気体噴出部53から下面ブラシ51に向かってZ方向に沿うように気体を噴射してもよい。
In the example of FIG. 7, the
次に、図7の状態で、基板Wの下面中央領域の洗浄が完了すると、下面ブラシ51の回転が停止され、下面ブラシ51の洗浄面が基板Wから所定距離離間するように、昇降支持部54が下降する。また、液ノズル52から基板Wへの洗浄液の吐出が停止される。このとき、気体噴出部53から基板Wへの気体の噴射は継続される。
Next, in the state of FIG. 7, when the cleaning of the lower surface central region of the substrate W is completed, the rotation of the
その後、図8に太い実線の矢印a7で示すように、吸着保持部21が平面基準位置rpに位置するように、可動台座32が後方に移動する。すなわち、可動台座32は、第2の水平位置から第1の水平位置に移動する。このとき、気体噴出部53から基板Wへの気体の噴射が継続されることにより、基板Wの下面中央領域が気体カーテンにより順次乾燥される。
After that, as shown by the thick solid arrow a7 in FIG. 8, the
次に、図9に太い実線の矢印a8で示すように、下面ブラシ51の洗浄面が吸着保持部21の吸着面(上端部)よりも下方に位置するように、昇降支持部54が下降する。また、図9に太い実線の矢印a9で示すように、上チャック12A,12Bの複数の保持片が基板Wの外周端部から離間するように、上チャック12A,12Bが互いに遠ざかる。このとき、基板Wは、下チャック11A,11Bにより支持された状態となる。
Next, as shown by the thick solid arrow a8 in FIG. 9, the elevating
その後、図9に太い実線の矢印a10で示すように、複数の支持ピン41の上端部が下チャック11A,11Bよりもわずかに上方に位置するように、ピン連結部材42が上昇する。それにより、下チャック11A,11Bにより支持された基板Wが、複数の支持ピン41により受け取られる。
After that, as shown by the thick solid arrow a10 in FIG. 9, the
次に、図10に太い実線の矢印a11で示すように、下チャック11A,11Bが互いに遠ざかる。このとき、下チャック11A,11Bは、平面視で複数の支持ピン41により支持される基板Wに重ならない位置まで移動する。それにより、上側保持装置10A,10Bは、ともに初期状態に戻る。
Next, as shown by the thick solid arrow a11 in FIG. 10, the
次に、図11に太い実線の矢印a12で示すように、複数の支持ピン41の上端部が吸着保持部21よりも下方に位置するように、ピン連結部材42が下降する。それにより、複数の支持ピン41上に支持された基板Wが、吸着保持部21により受け取られる。この状態で、吸着保持部21は、基板Wの下面中央領域を吸着保持する。ピン連結部材42の下降と同時かまたはピン連結部材42の下降完了後、図11に太い実線の矢印a13で示すように、カップ61が下カップ位置から上カップ位置まで上昇する。
Next, as shown by the thick solid arrow a12 in FIG. 11, the
次に、図12に太い実線の矢印a14で示すように、吸着保持部21が上下方向の軸(吸着保持駆動部22の回転軸の軸心)の周りで回転する。それにより、吸着保持部21に吸着保持された基板Wが水平姿勢で回転する。
Next, as shown by the thick solid arrow a14 in FIG. 12, the
次に、上面洗浄装置70の回転支持軸71が回転し、下降する。それにより、図12に太い実線の矢印a15で示すように、スプレーノズル73が基板Wの上方の位置まで移動し、スプレーノズル73と基板Wとの間の距離が予め定められた距離となるように下降する。この状態で、スプレーノズル73は、基板Wの上面に洗浄液と気体との混合流体を噴射する。また、回転支持軸71が回転する。それにより、図12に太い実線の矢印a16で示すように、スプレーノズル73が回転する基板Wの上方の位置で移動する。基板Wの上面全体に混合流体が噴射されることにより、基板Wの上面全体が洗浄される。
Next, the
また、スプレーノズル73による基板Wの上面の洗浄時には、端部洗浄装置80の回転支持軸81も回転し、下降する。それにより、図12に太い実線の矢印a17で示すように、ベベルブラシ83が基板Wの外周端部の上方の位置まで移動する。また、ベベルブラシ83の外周面の中央部分が基板Wの外周端部に接触するように下降する。この状態で、ベベルブラシ83が上下方向の軸の周りで回転(自転)する。それにより、基板Wの外周端部に付着する汚染物質がベベルブラシ83により物理的に剥離される。基板Wの外周端部から剥離された汚染物質は、スプレーノズル73から基板Wに噴射される混合流体の洗浄液により洗い流される。
Further, when the upper surface of the substrate W is cleaned by the
さらに、スプレーノズル73による基板Wの上面の洗浄時には、下面ブラシ51の洗浄面が基板Wの下面外側領域に接触するように、昇降支持部54が上昇する。また、図12に太い実線の矢印a18で示すように、下面ブラシ51が上下方向の軸の周りで回転(自転)する。さらに、液ノズル52は基板Wの下面に向かって洗浄液を吐出し、気体噴出部53は基板Wの下面に向かって気体を噴射する。この状態で、さらに図12に太い実線の矢印a19で示すように、移動支持部55が可動台座32上で接近位置と離間位置との間を進退動作する。それにより、吸着保持部21により吸着保持されて回転される基板Wの下面外側領域が全体に渡って下面ブラシ51により洗浄される。
Further, when the upper surface of the substrate W is cleaned by the
次に、基板Wの上面、外周端部および下面外側領域の洗浄が完了すると、スプレーノズル73から基板Wへの混合流体の噴射が停止される。また、図13に太い実線の矢印a20で示すように、スプレーノズル73がカップ61の一側方の位置(初期状態の位置)まで移動する。また、図13に太い実線の矢印a21で示すように、ベベルブラシ83がカップ61の他側方の位置(初期状態の位置)まで移動する。さらに、下面ブラシ51の回転が停止され、下面ブラシ51の洗浄面が基板Wから所定距離離間するように、昇降支持部54が下降する。また、液ノズル52から基板Wへの洗浄液の吐出、および気体噴出部53から基板Wへの気体の噴射が停止される。この状態で、吸着保持部21が高速で回転することにより、基板Wに付着する洗浄液が振り切られ、基板Wの全体が乾燥する。
Next, when the cleaning of the upper surface, the outer peripheral end portion, and the lower surface outer region of the substrate W is completed, the injection of the mixed fluid from the
次に、図14に太い実線の矢印a22で示すように、カップ61が上カップ位置から下カップ位置まで下降する。また、新たな基板Wがユニット筐体2内に搬入されることに備えて、図14に太い実線の矢印a23で示すように、新たな基板Wを支持可能な位置まで下チャック11A,11Bが互いに近づく。
Next, as shown by the thick solid arrow a22 in FIG. 14, the
最後に、基板洗浄装置1のユニット筐体2内から基板Wが搬出される。具体的には、基板Wの搬出の直前にシャッタ91が搬入搬出口2xを開放する。その後、図15に太い実線の矢印a24で示すように、図示しない基板搬送ロボットのハンド(基板保持部)RHが搬入搬出口2xを通してユニット筐体2内に進入する。続いて、ハンドRHは、吸着保持部21上の基板Wを受け取り、搬入搬出口2xから退出する。ハンドRHの退出後、シャッタ91は搬入搬出口2xを閉塞する。
Finally, the substrate W is carried out from the
(3)基板洗浄処理
図16は、図3の制御装置9による基板洗浄処理を示すフローチャートである。図16の基板洗浄処理は、制御装置9のCPUが記憶装置に記憶された基板洗浄プログラムをRAM上で実行することにより行われる。以下、図2の制御装置9、図4~図15の基板洗浄装置1および図16のフローチャートを用いて基板洗浄処理を説明する。
(3) Substrate Cleaning Process FIG. 16 is a flowchart showing a substrate cleaning process by the
まず、搬入搬出制御部9Iが、シャッタ駆動部92を制御することにより、ユニット筐体2内に基板Wを搬入する(図4、図5およびステップS1)。次に、チャック制御部9Aが、下チャック駆動部13A,13Bおよび上チャック駆動部14A,14Bを制御することにより、上側保持装置10A,10Bにより基板Wを保持する(図5、図6およびステップS2)。
First, the carry-in / carry-out control unit 9I carries in the substrate W into the
続いて、台座制御部9Cが、台座駆動部33を制御することにより、可動台座32を第1の水平位置から第2の水平位置に移動させる(図6およびステップS3)。このとき、上側保持装置10A,10Bにより保持された基板Wの中心は第1の位置にあり、下面ブラシ51の中心は第1の位置の下方にある。その後、下面洗浄制御部9Eが、下面ブラシ回転駆動部55a、下面ブラシ昇降駆動部55b、下面ブラシ移動駆動部55c、下面洗浄液供給部56および噴出気体供給部57を制御することにより、基板Wの中心が第1の位置にある状態で基板Wの下面中央領域を洗浄する(図7およびステップS4)。
Subsequently, the
次に、下面洗浄制御部9Eが、噴出気体供給部57を制御することにより、基板Wを乾燥させる(図8およびステップS5)。また、台座制御部9Cが、台座駆動部33を制御することにより、可動台座32を第2の水平位置から第1の水平位置に移動させる(図8およびステップS6)。このとき、下側保持装置20の吸着保持部21の回転中心は、第1の位置の下方にある。本例では、ステップS5,S6は、略同時に実行される。これにより、基板Wの下面中央領域が順次乾燥される。
Next, the bottom surface cleaning
続いて、チャック制御部9Aが下チャック駆動部13A,13Bおよび上チャック駆動部14A,14Bを制御するとともに、受渡制御部9Dがピン昇降駆動部43を制御することにより、基板Wを上側保持装置10A,10Bから下側保持装置20に受け渡す(図8~図11およびステップS7)。このとき、基板Wの中心は、第1の位置の下方の第2の位置にある。この状態で、吸着制御部9Bが、基板Wの下面中央領域を吸着するように吸着保持駆動部22を制御することにより、下側保持装置20により基板Wを保持する(図11およびステップS8)。
Subsequently, the
その後、上面洗浄制御部9Gが、上面洗浄駆動部74および上面洗浄流体供給部75を制御することにより、基板Wの上面全体を洗浄する(図12およびステップS9)。また、ベベル洗浄制御部9Hが、ベベルブラシ駆動部84を制御することにより、基板Wの外周端部を洗浄する(図12およびステップS10)。さらに、下面洗浄制御部9Eが、下面ブラシ回転駆動部55a、下面ブラシ昇降駆動部55b、下面ブラシ移動駆動部55c、下面洗浄液供給部56および噴出気体供給部57を制御することにより、基板Wの中心が第2の位置にある状態で基板Wの下面外側領域を洗浄する(図12およびステップS11)。
After that, the upper surface cleaning
ステップS9~S11は、略同時に実行される。ステップS9~S11の実行時には、吸着制御部9Bが、吸着保持駆動部22を制御することにより、吸着保持駆動部22の回転軸の軸心の周りで基板Wを回転させる。また、カップ制御部9Fが、カップ駆動部62を制御することにより、カップ61を下カップ位置から上カップ位置まで上昇させる。
Steps S9 to S11 are executed substantially at the same time. During the execution of steps S9 to S11, the
洗浄の終了後、吸着制御部9Bが、吸着保持駆動部22を制御して吸着保持部21を高速で回転させることにより、基板Wの全体を乾燥させる(図13およびステップS12)。洗浄の終了後、乾燥後、上側保持装置10A,10Bおよびカップ61等が初期状態に戻される(図14)。最後に、搬入搬出制御部9Iが、シャッタ駆動部92を制御することにより、ユニット筐体2内から基板Wを搬出し(図15およびステップS13)、基板洗浄処理を終了する。
After the cleaning is completed, the
(4)効果
本実施の形態に係る基板洗浄装置1においては、受渡装置40により上側保持装置10A,10Bと下側保持装置20との間で基板Wが受け渡される。基板Wが上側保持装置10A,10Bにより保持されているときに、基板Wの中心が第1の位置にある状態で基板Wの下面中央領域が下面ブラシ51により洗浄される。基板Wが下側保持装置20により保持されているときに、基板Wの中心が第1の位置の下方の第2の位置にある状態で基板Wの下面外側領域が下面ブラシ51により洗浄される。
(4) Effect In the
この構成によれば、基板Wの下面中央領域と下面外側領域とをそれぞれ洗浄するために、基板Wの水平方向への移動を要しない。したがって、フットプリントの増加を低減しつつ基板Wの下面全体を容易に洗浄することが可能になる。 According to this configuration, it is not necessary to move the substrate W in the horizontal direction in order to clean the lower surface center region and the lower surface outer region of the substrate W, respectively. Therefore, it becomes possible to easily clean the entire lower surface of the substrate W while reducing the increase in footprint.
また、上側保持装置10A,10Bにおける基板Wの洗浄時に可動台座32が第1の状態にあり、上側保持装置10A,10Bと下側保持装置20との間での基板Wの受け渡し時に可動台座32が第2の状態にあるように台座駆動部33が制御される。ここで、第1の状態においては、下面ブラシ51が上側保持装置10A,10Bにより保持されるべき基板Wの中心の下方にある。第2の状態においては、下側保持装置20の回転中心が上側保持装置10A,10Bにより保持されるべき基板Wの中心の下方にある。
Further, the
この場合、上側保持装置10A,10Bと下側保持装置20との間での基板Wの受け渡しを容易にしつつ、上側保持装置10A,10Bにより保持された基板Wの下面中央領域と、下側保持装置20により保持された基板Wの下面外側領域とを共通の下面ブラシ51により容易に洗浄することができる。
In this case, the lower center region of the substrate W held by the
(5)変形例
本実施の形態において、下面洗浄装置50により基板Wの下面外側領域が洗浄された後に洗浄が終了し、基板Wがユニット筐体2内から搬出されるが、実施の形態はこれに限定されない。図17は、第1の変形例における基板洗浄処理を示すフローチャートである。図17に示すように、本例においては、基板洗浄処理のステップS12とステップS13との間にステップS14~S19が実行される。
(5) Modification Example In the present embodiment, the cleaning is completed after the lower surface outer region of the substrate W is cleaned by the bottom
具体的には、ステップS12の後、受渡制御部9Dがピン昇降駆動部43を制御することにより、基板Wを下側保持装置20から上側保持装置10A,10Bに再度受け渡す(ステップS14)。このとき、基板Wの中心は、第1の位置にある。この状態で、チャック制御部9Aが、下チャック駆動部13A,13Bおよび上チャック駆動部14A,14Bを制御することにより、上側保持装置10A,10Bにより基板Wを保持する(ステップS15)。
Specifically, after step S12, the
次に、台座制御部9Cが、台座駆動部33を制御することにより、可動台座32を第1の水平位置から第2の水平位置に移動させる(ステップS16)。このとき、下面ブラシ51の中心は第1の位置の下方にある。続いて、下面洗浄制御部9Eが、下面ブラシ回転駆動部55a、下面ブラシ昇降駆動部55b、下面ブラシ移動駆動部55c、下面洗浄液供給部56および噴出気体供給部57を制御することにより、基板Wの中心が第1の位置にある状態で基板Wの下面中央領域を再度洗浄する(ステップS17)。
Next, the
その後、下面洗浄制御部9Eが、噴出気体供給部57を制御することにより、基板Wを乾燥させる(ステップS18)。また、台座制御部9Cが、台座駆動部33を制御することにより、可動台座32を第2の水平位置から第1の水平位置に移動させる(ステップS19)。本例では、ステップS18,S19は、略同時に実行される。これにより、基板Wの下面中央領域が順次乾燥される。最後に、搬入搬出制御部9Iが、シャッタ駆動部92を制御することにより、ユニット筐体2内から基板Wを搬出し(ステップS13)、基板洗浄処理を終了する。
After that, the bottom surface cleaning
第1の変形例によれば、下側保持装置20により保持された基板Wの下面中央領域が上側保持装置10A,10Bにおいて再度洗浄される。これにより、基板Wをより適切に洗浄することができる。
According to the first modification, the lower surface center region of the substrate W held by the
図18は、第2の変形例における基板洗浄処理を示すフローチャートである。第2の変形例における基板洗浄処理が第1の変形例における基板洗浄処理と異なるのは以下の点である。第2の変形例における基板洗浄処理においては、ステップS3~S6の実行が省略される。すなわち、基板Wの下面中央領域の洗浄は、基板Wの下面外側領域の洗浄の前には行われず、基板Wの下面外側領域の洗浄の後にのみ行われる。 FIG. 18 is a flowchart showing a substrate cleaning process in the second modification. The substrate cleaning process in the second modification is different from the substrate cleaning process in the first modification in the following points. In the substrate cleaning process in the second modification, the execution of steps S3 to S6 is omitted. That is, the cleaning of the lower surface central region of the substrate W is not performed before the cleaning of the lower surface outer region of the substrate W, but is performed only after the cleaning of the lower surface outer region of the substrate W.
第2の変形例によれば、下側保持装置20により保持された基板Wの下面中央領域が上側保持装置10A,10Bにおいて洗浄される。基板Wの下面外側領域の洗浄の前には、基板Wの下面中央領域の洗浄は行われない。これにより、基板Wをより適切にかつ効率的に洗浄することができる。
According to the second modification, the lower surface center region of the substrate W held by the
第2の変形例においては、ユニット筐体2内に搬入された基板Wが、上側保持装置10A,10Bにより保持された後、複数の支持ピン41により下側保持装置20に渡されるが、実施の形態はこれに限定されない。ユニット筐体2内に搬入された基板Wは、上側保持装置10A,10Bおよび複数の支持ピン41を介することなく下側保持装置20に直接渡されてもよい。この場合、図18のステップS2,S7の実行がさらに省略される。
In the second modification, the substrate W carried into the
(6)他の実施の形態
(a)上記実施の形態において、基板Wが上側保持装置10A,10Bにより保持されているときに基板Wの下面中央領域が洗浄されるように基板洗浄装置1が構成されるが、実施の形態はこれに限定されない。例えば、基板洗浄装置1は、第1の洗浄モードと第2の洗浄モードとで選択的に動作するように構成されてもよい。
(6) Other Embodiments (a) In the above embodiment, the
第1の洗浄モードにおいては、下面洗浄制御部9Eは、基板Wが上側保持装置10A,10Bにより保持されているときに基板Wの下面中央領域を洗浄し、基板Wが下側保持装置20により保持されているときに基板Wの下面外側領域を洗浄するように下面洗浄装置50を制御する。一方、第2の洗浄モードにおいては、下面洗浄制御部9Eは、基板Wが上側保持装置10A,10Bにより保持されているときに基板Wを洗浄せず、基板Wが下側保持装置20により保持されているときに基板Wの下面外側領域を洗浄するように下面洗浄装置50を制御する。
In the first cleaning mode, the bottom surface cleaning
この場合、基板洗浄装置1を第1の洗浄モードで動作させることにより、基板Wの下面全体を洗浄することができる。一方、基板Wの下面中央領域を洗浄する必要がない場合には、基板洗浄装置1を第2の洗浄モードで動作させることにより、基板Wの下面外側領域を効率的に洗浄することができる。
In this case, by operating the
(b)上記実施の形態において、基板洗浄装置1は受渡装置40を含むが、実施の形態はこれに限定されない。上側保持装置10A,10Bが上下方向に移動可能に構成され、下側保持装置20との間で基板Wを直接受け渡し可能である場合には、基板洗浄装置1は受渡装置40を含まなくてもよい。この構成においては、上側保持装置10A,10Bが受渡部となり、上側保持装置10A,10Bの動作を制御するチャック制御部9Aが受渡制御部となる。
(B) In the above embodiment, the
あるいは、下側保持装置20が上下方向に移動可能に構成され、上側保持装置10A,10Bとの間で基板Wを直接受け渡し可能である場合には、基板洗浄装置1は受渡装置40を含まなくてもよい。この構成においては、下側保持装置20が受渡部となり、下側保持装置20の動作を制御する吸着制御部9Bが受渡制御部となる。
Alternatively, when the
(c)上記実施の形態において、基板洗浄装置1は上面洗浄装置70および端部洗浄装置80を含むが、実施の形態はこれに限定されない。基板Wの上面を洗浄しなくてもよい場合には、基板洗浄装置1は上面洗浄装置70を含まなくてもよい。また、基板Wの外周端部を洗浄しなくてもよい場合には、基板洗浄装置1は端部洗浄装置80を含まなくてもよい。
(C) In the above embodiment, the
(7)請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
(7) Correspondence between each component of the claim and each part of the embodiment The example of correspondence between each component of the claim and each element of the embodiment will be described below. Not limited to. As each component of the claim, various other components having the structure or function described in the claim can also be used.
上記実施の形態においては、基板Wが基板の例であり、上側保持装置10A,10Bが第1の基板保持部の例であり、下側保持装置20が第2の基板保持部の例であり、受渡装置40が受渡部の例であり、下面ブラシ51が洗浄具の例であり、下面洗浄制御部9Eが洗浄制御部の例である。基板洗浄装置1が基板洗浄装置の例であり、受渡制御部9Dが受渡制御部の例であり、可動台座32が台座部の例であり、台座駆動部33が台座駆動部の例であり、台座制御部9Cが台座制御部の例である。
In the above embodiment, the substrate W is an example of the substrate, the
1…基板洗浄装置,2…ユニット筐体,2a…底面部,2b~2e…側壁部,2x…搬入搬出口,9…制御装置,9A…チャック制御部,9B…吸着制御部,9C…台座制御部,9D…受渡制御部,9E…下面洗浄制御部,9F…カップ制御部,9G…上面洗浄制御部,9H…ベベル洗浄制御部,9I…搬入搬出制御部,10A,10B…上側保持装置,11A,11B…下チャック,12A,12B…上チャック,13A,13B…下チャック駆動部,14A,14B…上チャック駆動部,20…下側保持装置,21…吸着保持部,22…吸着保持駆動部,30…台座装置,31…リニアガイド,32…可動台座,33…台座駆動部,40…受渡装置,41…支持ピン,42…ピン連結部材,43…ピン昇降駆動部,50…下面洗浄装置,51…下面ブラシ,52…液ノズル,53…気体噴出部,54…昇降支持部,54u…上面,55…移動支持部,55a…下面ブラシ回転駆動部,55b…下面ブラシ昇降駆動部,55c…下面ブラシ移動駆動部,56…下面洗浄液供給部,57…噴出気体供給部,60…カップ装置,61…カップ,62…カップ駆動部,70…上面洗浄装置,71,81…回転支持軸,72,82…アーム,73…スプレーノズル,74…上面洗浄駆動部,75…上面洗浄流体供給部,80…端部洗浄装置,83…ベベルブラシ,84…ベベルブラシ駆動部,90…開閉装置,91…シャッタ,92…シャッタ駆動部,RH…ハンド,rp…平面基準位置,W…基板 1 ... Substrate cleaning device, 2 ... Unit housing, 2a ... Bottom part, 2b-2e ... Side wall part, 2x ... Carry-in / carry-out port, 9 ... Control device, 9A ... Chuck control unit, 9B ... Suction control unit, 9C ... Pedestal Control unit, 9D ... Delivery control unit, 9E ... Bottom surface cleaning control unit, 9F ... Cup control unit, 9G ... Top surface cleaning control unit, 9H ... Bevel cleaning control unit, 9I ... Import / export control unit, 10A, 10B ... Upper side holding device , 11A, 11B ... Lower chuck, 12A, 12B ... Upper chuck, 13A, 13B ... Lower chuck drive unit, 14A, 14B ... Upper chuck drive unit, 20 ... Lower holding device, 21 ... Suction holding unit, 22 ... Suction holding Drive unit, 30 ... pedestal device, 31 ... linear guide, 32 ... movable pedestal, 33 ... pedestal drive unit, 40 ... delivery device, 41 ... support pin, 42 ... pin connecting member, 43 ... pin elevating drive unit, 50 ... bottom surface Cleaning device, 51 ... bottom brush, 52 ... liquid nozzle, 53 ... gas ejection part, 54 ... elevating support part, 54u ... top surface, 55 ... moving support part, 55a ... bottom brush rotation drive part, 55b ... bottom brush elevating drive part , 55c ... Bottom brush moving drive unit, 56 ... Bottom cleaning liquid supply unit, 57 ... Ejected gas supply unit, 60 ... Cup device, 61 ... Cup, 62 ... Cup drive unit, 70 ... Top surface cleaning device, 71, 81 ... Rotational support Shaft, 72, 82 ... Arm, 73 ... Spray nozzle, 74 ... Top surface cleaning drive unit, 75 ... Top surface cleaning fluid supply unit, 80 ... End cleaning device, 83 ... Bevel brush, 84 ... Bevel brush drive unit, 90 ... Opening and closing device, 91 ... Shutter, 92 ... Shutter drive unit, RH ... Hand, rp ... Plane reference position, W ... Substrate
Claims (12)
前記第1の基板保持部よりも下方の位置で前記基板の下面中央領域を保持する第2の基板保持部と、
前記第1の基板保持部と前記第2の基板保持部との間で前記基板の受け渡しを行う受渡部と、
前記基板の下面に接触して前記基板の下面を洗浄する洗浄具と、
前記基板が前記第1の基板保持部により保持されているときに前記基板の中心が第1の位置にある状態で前記基板の前記下面中央領域を洗浄し、前記基板が前記第2の基板保持部により保持されているときに前記基板の中心が前記第1の位置の下方の第2の位置にある状態で前記基板の前記下面中央領域を取り囲む下面外側領域を洗浄するように前記洗浄具を制御する洗浄制御部とを備える、基板洗浄装置。 A first board holding part that holds the outer peripheral edge of the board,
A second substrate holding portion that holds the lower surface central region of the substrate at a position below the first substrate holding portion, and a second substrate holding portion.
A delivery unit that transfers the substrate between the first substrate holding unit and the second substrate holding unit, and a transfer unit.
A cleaning tool that comes into contact with the lower surface of the substrate to clean the lower surface of the substrate.
When the substrate is held by the first substrate holding portion, the lower surface central region of the substrate is washed with the center of the substrate in the first position, and the substrate holds the second substrate. The cleaning tool is used to clean the lower surface outer region surrounding the lower surface central region of the substrate in a state where the center of the substrate is in the second position below the first position when held by the portion. A board cleaning device including a cleaning control unit for controlling.
前記洗浄制御部は、前記第1の基板保持部により保持された前記基板の前記下面中央領域を再度洗浄するように前記洗浄具を制御する、請求項2記載の基板洗浄装置。 The delivery control unit further controls the delivery unit so that the substrate whose lower surface outer region is cleaned in the second substrate holding unit is passed to the first substrate holding unit again.
The substrate cleaning apparatus according to claim 2, wherein the cleaning control unit controls the cleaning tool so as to re-clean the lower surface central region of the substrate held by the first substrate holding unit.
前記洗浄制御部は、
前記第1の洗浄モードにおいては、前記基板が前記第1の基板保持部により保持されているときに前記基板の前記下面中央領域を洗浄し、前記基板が前記第2の基板保持部により保持されているときに前記基板の前記下面外側領域を洗浄するように前記洗浄具を制御し、
前記第2の洗浄モードにおいては、前記基板が前記第1の基板保持部により保持されているときに前記基板を洗浄せず、前記基板が前記第2の基板保持部により保持されているときに前記基板の前記下面外側領域を洗浄するように前記洗浄具を制御する、請求項1~4のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。 The substrate cleaning device is configured to selectively operate in a first cleaning mode and a second cleaning mode.
The cleaning control unit
In the first cleaning mode, when the substrate is held by the first substrate holding portion, the lower surface central region of the substrate is cleaned, and the substrate is held by the second substrate holding portion. The cleaning tool is controlled so as to clean the lower surface outer region of the substrate while the cleaning tool is used.
In the second cleaning mode, when the substrate is held by the first substrate holding portion, the substrate is not cleaned, and the substrate is held by the second substrate holding portion. The substrate cleaning apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the cleaning tool is controlled so as to clean the lower surface outer region of the substrate.
前記基板洗浄装置は、
前記洗浄具および前記第2の基板保持部を支持する台座部と、
前記洗浄具が前記第1の基板保持部により保持されるべき前記基板の中心の下方にある第1の状態と、前記第2の基板保持部の回転中心が前記第1の基板保持部により保持されるべき前記基板の中心の下方にある第2の状態との間で前記台座部を移動させる台座駆動部と、
前記第1の基板保持部における前記基板の洗浄時に前記台座部が前記第1の状態にあり、前記第1の基板保持部と前記第2の基板保持部との間での前記基板の受け渡し時に前記台座部が前記第2の状態にあるように前記台座駆動部を制御する台座制御部とをさらに備える、請求項1~5のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。 The second substrate holding portion is configured to hold the substrate and be rotatable.
The board cleaning device is
A pedestal portion that supports the cleaning tool and the second substrate holding portion, and a pedestal portion.
The first state in which the cleaning tool is below the center of the substrate to be held by the first substrate holding portion and the rotation center of the second substrate holding portion are held by the first substrate holding portion. A pedestal drive that moves the pedestal to and from a second state below the center of the substrate to be
When the substrate is cleaned in the first substrate holding portion, the pedestal portion is in the first state, and when the substrate is transferred between the first substrate holding portion and the second substrate holding portion. The substrate cleaning device according to any one of claims 1 to 5, further comprising a pedestal control unit that controls the pedestal drive unit so that the pedestal unit is in the second state.
前記第1の基板保持部よりも下方の位置で前記基板の前記下面中央領域が第2の基板保持部により保持されているときに、前記基板の中心が前記第1の位置の下方の第2の位置にある状態で前記洗浄具により前記基板の前記下面中央領域を取り囲む下面外側領域を洗浄するステップと、
前記第1の基板保持部と前記第2の基板保持部との間で前記基板の受け渡しを行うステップとを含む、基板洗浄方法。 When the outer peripheral edge of the substrate is held by the first substrate holding portion, a cleaning tool that contacts the lower surface of the substrate with the center of the substrate in the first position covers the central region of the lower surface of the substrate. Steps to wash and
When the lower surface central region of the substrate is held by the second substrate holding portion at a position lower than the first substrate holding portion, the center of the substrate is the second lower portion below the first position. The step of cleaning the lower surface outer region surrounding the lower surface central region of the substrate with the cleaning tool in the state of
A substrate cleaning method comprising a step of transferring the substrate between the first substrate holding portion and the second substrate holding portion.
前記第2の基板保持部から渡されかつ前記第1の基板保持部により保持された前記基板の前記下面中央領域を前記洗浄具により再度洗浄するステップとをさらに含む、請求項8記載の基板洗浄方法。 A step of passing the substrate whose lower surface outer region has been cleaned in the second substrate holding portion to the first substrate holding portion again, and a step of passing the substrate to the first substrate holding portion.
The substrate cleaning according to claim 8, further comprising a step of re-cleaning the lower surface central region of the substrate passed from the second substrate holding portion and held by the first substrate holding portion with the cleaning tool. Method.
前記下面外側領域を洗浄するステップは、前記第1および第2の洗浄モードにおいて、前記基板の前記下面外側領域を洗浄することを含む、請求項7~10のいずれか一項に記載の基板洗浄方法。 The step of cleaning the lower surface central region of the substrate comprises cleaning the lower surface central region of the substrate in a first cleaning mode and not cleaning the substrate in a second cleaning mode.
The substrate cleaning according to any one of claims 7 to 10, wherein the step of cleaning the lower surface outer region includes cleaning the lower surface outer region of the substrate in the first and second cleaning modes. Method.
前記下面外側領域を洗浄するステップは、前記台座部を第2の状態にすることを含み、
前記第2の基板保持部は、前記基板を保持して回転可能に構成され、
前記第1の状態においては、前記洗浄具が前記第1の基板保持部により保持されるべき前記基板の中心の下方にあり、
前記第2の状態においては、前記第2の基板保持部の回転中心が前記第1の基板保持部により保持されるべき前記基板の中心の下方にある、請求項7~11のいずれか一項に記載の基板洗浄方法。 The step of cleaning the lower surface central region of the substrate includes putting the cleaning tool and the pedestal portion supporting the second substrate holding portion into the first state.
The step of cleaning the lower surface outer region comprises putting the pedestal portion in a second state.
The second substrate holding portion is configured to hold the substrate and be rotatable.
In the first state, the washer is below the center of the substrate to be held by the first substrate holder.
The second state, any one of claims 7 to 11, wherein the center of rotation of the second substrate holding portion is below the center of the substrate to be held by the first substrate holding portion. The substrate cleaning method described in 1.
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WO2024004938A1 (en) * | 2022-06-27 | 2024-01-04 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate underside drying device and substrate washing device provided with same |
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2020
- 2020-09-18 JP JP2020157270A patent/JP2022051029A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2024004938A1 (en) * | 2022-06-27 | 2024-01-04 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate underside drying device and substrate washing device provided with same |
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