JP2022042131A

JP2022042131A - 面発光レーザの測定方法、製造方法、測定装置、および測定プログラム

Info

Publication number: JP2022042131A
Application number: JP2020147379A
Authority: JP
Inventors: 良輔久保田; Ryosuke Kubota
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2020-09-02
Filing date: 2020-09-02
Publication date: 2022-03-14
Also published as: CN114199371A; US20220069548A1

Abstract

【課題】測定時間を短縮することが可能な面発光レーザの測定方法、製造方法、測定装置、測定プログラムを提供する。【解決手段】面発光レーザを発光させる工程と、前記面発光レーザを発光させる工程において前記面発光レーザから出射される光を分岐し、分岐された光のうち一方を光強度測定部に入射し、他方をスペクトル測定部に入射することで、前記面発光レーザの光強度およびスペクトルを測定する工程と、を有する面発光レーザの測定方法。【選択図】図１Ａ

Description

本開示は面発光レーザの測定方法、製造方法、測定装置、および測定プログラムに関するものである。

面発光レーザ（垂直共振型面発光レーザ、ＶＣＳＥＬ：ＶｅｒｔｉｃａｌＣａｖｉｔｙＳｕｒｆａｃｅＥｍｉｔｔｉｎｇＬａｓｅｒ）の製造工程では、アレイ状に並ぶ複数の面発光レーザを発光させ、特性を検査する。複数の面発光レーザに周波数の異なる電気信号を入力し、出射された光を周波数ごとに解析して光強度を測定する技術がある（例えば特許文献１）。

特開２０１０－１６１１０号公報

面発光レーザの光強度とともに、光のスペクトルも測定することがある。しかし光強度の測定とスペクトルの測定とを順に行うと、測定に時間がかかってしまう。そこで、測定時間を短縮することが可能な面発光レーザの測定方法、製造方法、測定装置、および測定プログラムを提供することを目的とする。

本開示に係る面発光レーザの測定方法は、面発光レーザを発光させる工程と、前記面発光レーザを発光させる工程において前記面発光レーザから出射される光を分岐し、分岐された光のうち一方を光強度測定部に入射し、他方をスペクトル測定部に入射することで、前記面発光レーザの光強度およびスペクトルを測定する工程と、を有するものである。

本開示に係る面発光レーザの製造方法は、ウェハに複数の面発光レーザを形成する工程と、前記複数の面発光レーザに上記の測定方法を行う工程と、を有するものである。

本開示に係る面発光レーザの測定装置は、面発光レーザを発光させる発光部と、前記面発光レーザから出射される光を分岐する分岐部と、前記分岐部により分岐された光のうち一方を受光することで前記面発光レーザの光強度を測定する光強度測定部と、前記分岐された光のうち他方を受光し、前記面発光レーザのスペクトルを測定するスペクトル測定部と、を具備する。

本開示に係る面発光レーザの測定プログラムは、コンピュータに、面発光レーザを発光させる処理と、前記面発光レーザを発光させる処理によって前記面発光レーザから出射され、かつ分岐され、光強度測定部およびスペクトル測定部に入射される光を用いて前記面発光レーザの光強度およびスペクトルを測定する処理と、を実行させる。

本開示によれば測定時間を短縮することが可能である。

図１Ａは実施形態に係る測定装置を例示する模式図である。図１Ｂは制御部のハードウェア構成を示すブロック図である。図２はウェハを例示する平面図である。図３は面発光レーザの製造方法を例示するフローチャートである。図４は特性の測定方法を例示するフローチャートである。図５Ａは比較例に係る測定装置を例示する模式図である。図５Ｂは比較例に係る測定装置を例示する模式図である。図６は比較例における測定方法を例示するフローチャートである。図７は比較例における測定方法を例示するフローチャートである。

[本開示の実施形態の説明]
最初に本開示の実施形態の内容を列記して説明する。

本開示の一形態は、（１）面発光レーザを発光させる工程と、前記面発光レーザを発光させる工程において前記面発光レーザから出射される光を分岐し、分岐された光のうち一方を光強度測定部に入射し、他方をスペクトル測定部に入射することで、前記面発光レーザの光強度およびスペクトルを測定する工程と、を有する面発光レーザの測定方法である。光強度とスペクトルとを同時に測定することで、測定時間を短縮することができる。
（２）ウェハに配列された複数の前記面発光レーザのうち第１面発光レーザに、前記発光させる工程と前記光強度およびスペクトルを測定する工程とを行った後、前記複数の面発光レーザのうち第２面発光レーザに、前記発光させる工程と前記光強度およびスペクトルを測定する工程とを行ってもよい。複数の面発光レーザの光強度とスペクトルとを同時に測定することで、測定時間をより短縮することができる。
（３）前記光を分岐させる分岐部を前記第１面発光レーザの上に配置する工程と、前記第１面発光レーザの前記光強度およびスペクトルを測定する工程を行った後、前記分岐部を前記第２面発光レーザの上に配置する工程と、を有し、前記光強度および前記スペクトルを測定する工程は、前記分岐部により分岐された光のうち一方を前記光強度測定部に入射し、他方を前記スペクトル測定部に入射することで、前記光強度および前記スペクトルを測定する工程でもよい。分岐部と面発光レーザとの位置合わせの時間を短縮することができる。
（４）前記面発光レーザを発光させる工程は、前記面発光レーザに入力する電気信号の大きさを変化させ、大きさの異なる前記電気信号ごとに前記面発光レーザを発光させる工程であり、前記面発光レーザの光強度およびスペクトルを測定する工程は、前記電気信号が所定の大きさになった場合、前記光強度および前記スペクトルを測定する工程でもよい。電気信号を変化させた場合の特性の評価が短時間で可能である。
（５）ウェハに複数の面発光レーザを形成する工程と、前記複数の面発光レーザに上記の測定方法を行う工程と、を有する面発光レーザの製造方法である。製造工程において面発光レーザの測定時間を短縮することができる。
（６）面発光レーザを発光させる発光部と、前記面発光レーザから出射される光を分岐する分岐部と、前記分岐部により分岐された光のうち一方を受光することで前記面発光レーザの光強度を測定する光強度測定部と、前記分岐された光のうち他方を受光し、前記面発光レーザのスペクトルを測定するスペクトル測定部と、を具備する面発光レーザの測定装置である。光強度とスペクトルとを同時に測定することで、測定時間を短縮することができる。
（７）前記分岐部は前記面発光レーザの発振波長の光を所定の割合で分岐してもよい。分岐される割合および光強度の測定結果に基づいて、光強度およびスペクトルを正確に取得することができる。
（８）複数の前記面発光レーザが配列されたウェハの温度を調整する温度調整部を具備してもよい。温度調整部により温度を調整し、かつ測定時間を短くすることで、温度の変化を小さくする。温度変化による面発光レーザの特性の変化を抑制することができる。
（９）コンピュータに、面発光レーザを発光させる処理と、前記面発光レーザを発光させる処理によって前記面発光レーザから出射され、かつ分岐され、光強度測定部およびスペクトル測定部に入射される光を用いて前記面発光レーザの光強度およびスペクトルを測定する処理と、を実行させる面発光レーザの測定プログラムである。光強度とスペクトルとを同時に測定することで、測定時間を短縮することができる。

［本開示の実施形態の詳細］
本開示の実施形態に係る面発光レーザの測定方法、製造方法、測定装置、測定プログラムの具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本開示はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

（測定装置）
図１Ａは実施形態に係る測定装置１００を例示する模式図である。図１Ａに示すように、測定装置１００は、制御部１０、電流電圧源２０（発光部）、ステージ２２、サーモチャック２４（温度調整部）、一対のプローブ２６、レンズ２８、３１および３６、ビームスプリッタ３０（分岐部）、受光素子３２、パワーメータ３４、分光器３８（スペクトル測定部）を備える。Ｘ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向は互いに直交する。

ステージ２２、サーモチャック２４およびウェハ５０の主面はＸＹ平面内に位置する。これらの主面の法線方向はＺ軸方向である。ステージ２２の上にサーモチャック２４が搭載され、サーモチャック２４の上にウェハ５０が搭載されている。ステージ２２は可動式であり、サーモチャック２４およびウェハ５０のＸＹ平面内の位置およびＺ軸方向の高さを変えることができる。サーモチャック２４は温度調整が可能なステージであり、ウェハ５０を吸着し、固定する。

図２はウェハ５０を例示する平面図である。ウェハ５０には、複数の面発光レーザ５２が二次元グリッド状に配列されている。例えば３インチのウェハ５０は４万個の面発光レーザ５２を有する。面発光レーザ５２は例えば化合物半導体で形成され、基板上に下側クラッド層、コア層および上側クラッド層が積層されたものである。基板は例えばガリウム砒素（ＧａＡｓ）で形成された半導体基板である。下側クラッド層および上側クラッド層はアルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）などで形成されている。コア層はインジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）などで形成され、多重量子井戸構造（ＭＱＷ：ＭｕｌｔｉＱｕａｎｔｕｍＷｅｌｌ）を有する。電気信号（電流）が入力されることで、面発光レーザ５２は例えば波長８００ｎｍ～１０００ｎｍの光をＺ軸方向に出射する。

図１Ａに示す電流電圧源２０は、面発光レーザのｎ電極およびｐ電極に対応して、一対のプローブ２６を有する。プローブ２６は金属などで形成されており、面発光レーザ５２の不図示のパッドに接触する。電流電圧源２０は、プローブ２６を通じてウェハ５０内の面発光レーザ５２に電気信号（電流）を入力し、発光させる。電流電圧源２０は電流を変化させることができ、例えば０～１０ｍＡの範囲で０．２ｍＡずつ、０．５ｍＡずつなどステップ状に電流を変化させる。

Ｚ軸方向において、ウェハ５０、レンズ２８、ビームスプリッタ３０、レンズ３１および受光素子３２が順に並ぶ。ビームスプリッタ３０からＸ軸方向に、レンズ３６および分光器３８が順に並ぶ。

レンズ２８は対物レンズである。レンズ３１および３６は集光レンズである。ビームスプリッタ３０は例えば一辺が２５ｍｍ～５０ｍｍのキューブ型であり、光をＺ軸方向とＸ軸方向とに分岐させる。ビームスプリッタ３０による光の分岐の割合は、光の波長によって決まる。ビームスプリッタ３０は面発光レーザ５２の発振波長の光を例えば１：１に分岐する。受光素子３２およびパワーメータ３４は光強度測定部として機能する。受光素子３２は例えばフォトダイオードまたは積分球を含み、光を受光することで電気信号を出力する。パワーメータ３４は受光素子３２と電気的に接続され、受光素子３２から入力される電気信号に基づいて光強度を検出する。レンズ３６と分光器３８との間は光ファイバなどで接続されている。分光器３８は入力された光のスペクトルを測定する。

ウェハ５０の面発光レーザ５２から出射される光は、レンズ２８を経てビームスプリッタ３０に入射し、分岐される。分岐後の光の一方はビームスプリッタ３０からＺ軸方向に伝搬し、レンズ３１で集光され、受光素子３２に入射する。光の他方はビームスプリッタ３０からＸ軸方向に伝搬し、レンズ３６で集光され、分光器３８に入射する。光を分岐することで、光強度とスペクトルとを同時に測定することができる。

制御部１０は例えばパーソナルコンピュータ（ＰｅｒｓｏｎｎｅｌＣｏｍｐｕｔｅｒ）などの制御装置であり、電流電圧源２０、ステージ２２、パワーメータ３４および分光器３８と電気的に接続されている。

図１Ｂは制御部１０のハードウェア構成を示すブロック図である。図１Ｂに示すように、制御部１０は、ＣＰＵ（ＣｅｎｔｒａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ、中央演算処理装置）４０、ＲＡＭ（ＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）４２、記憶装置４４、インターフェース４６を備える。ＣＰＵ４０、ＲＡＭ４２、記憶装置４４およびインターフェース４６は互いにバスなどで接続されている。ＲＡＭ４２はプログラムおよびデータなどを一時的に記憶する揮発性メモリである。記憶装置４４は例えばＲＯＭ（ＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）、フラッシュメモリなどのソリッド・ステート・ドライブ（ＳＳＤ：ＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＤｒｉｖｅ）、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ：ＨａｒｄＤｉｓｃＤｒｉｖｅ）などである。記憶装置４４は、後述の測定プログラムなどを記憶する。

ＣＰＵ４０がＲＡＭ４２に記憶されるプログラムを実行することにより、制御部１０に図１Ａの電気信号制御部１２、位置制御部１４、パワーメータ制御部１６、分光器制御部１８などが実現される。制御部１０の各部は、回路などのハードウェアでもよい。電気信号制御部１２は電流電圧源２０を制御し、ウェハ５０に入力する電流のオン・オフ、電流の変化などを行う。位置制御部１４はステージ２２を制御し、ウェハ５０の位置を調整する。パワーメータ制御部１６はパワーメータ３４を制御し、パワーメータ３４から光強度を取得する。分光器制御部１８は分光器３８を制御し、分光器３８からスペクトルを取得する。

（製造方法、測定方法）
図３は面発光レーザの製造方法を例示するフローチャートである。図３に示すように、ウェハ５０に複数の面発光レーザ５２を形成する（ステップＳ１）。具体的には、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ：ＭｅｔａｌＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を行い、ウェハ５０に下側クラッド層、コア層および上側クラッド層などをエピタキシャル成長する。エッチングなどによって発光部となるメサを形成する。レジストパターニングおよび蒸着などで電極を形成する。面発光レーザ５２を形成した後、面発光レーザ５２の特性の評価を行う（ステップＳ２、図４）。評価の後、ウェハ５０にダイシングを行う（ステップＳ３）。

特性の評価について詳しく説明する。図４は特性の測定方法を例示するフローチャートであり、図３のステップＳ２で行われる工程である。レンズ２８およびビームスプリッタ３０と、ウェハ５０内の１つの面発光レーザ５２とを位置合わせしておく、レンズ２８と面発光レーザ５２との距離は例えば５ｃｍである。図４に示すように、電流電圧源２０は、面発光レーザ５２の電極にプローブ２６を接触させる（ステップＳ１０）。電流電圧源２０からプローブ２６を通じて面発光レーザ５２に通電し、電気信号（電流）を入力する（ステップＳ１２）。電流の入力により、面発光レーザ５２は光を出射する。図１Ａに示したように、ビームスプリッタ３０は光をＸ軸方向とＺ軸方向とに分岐させる。分岐された光は受光素子３２および分光器３８に入射する。

制御部１０は、面発光レーザ５２に入力される電流Ｉが所定の電流Ｉｓに等しいか否か判定する（ステップＳ１４）。Ｎｏの場合、分光器制御部１８は、電流電圧源２０から分光器３８へのトリガーを遮断する。分光器３８にトリガーは入力されず、スペクトルの測定は実施されない。受光素子３２およびパワーメータ３４は光強度の測定を行う（ステップＳ２０）。電気信号制御部１２は、電流の全ステップが終了したか否か判定する（ステップＳ２２）。Ｎｏの場合、電気信号制御部１２は電流を例えば０．２ｍＡ変化させる（ステップＳ２４）。その後、ステップＳ１４が再び行われる。電気信号制御部１２は、電流を例えば０～１０ｍＡの範囲で０．２ｍＡずつステップ状に変化させる。

電流Ｉが所定の電流Ｉｓに等しい場合（ステップＳ１４でＹｅｓ）、電流電圧源２０はトリガーを送信し、分光器制御部１８はトリガーを遮断しない（ステップＳ１６）。トリガーに応じて分光器３８はスペクトルを測定する（ステップＳ１８）。スペクトルの測定と並行して、受光素子３２およびパワーメータ３４は光強度の測定を行う（ステップＳ２０）。

例えば０～１０ｍＡの範囲で電流の全ステップが終了したと制御部１０が判定した場合（ステップＳ２２でＹｅｓ）、電流電圧源２０はプローブ２６を面発光レーザ５２から離間させる（ステップＳ２６）。制御部１０は、ウェハ５０内の測定対象の面発光レーザ５２（指定チップ）に対する測定が終了したか否か判定する（ステップＳ２８）。測定対象は、例えばウェハ５０に含まれる複数の面発光レーザ５２のうちすべてでもよいし、半数のチップでもよいし、６割のチップ、８割のチップなどでもよい。

Ｎｏの場合、ステージ２２によってウェハ５０を移動させ、次のチップ（面発光レーザ５２）をレンズ２８およびビームスプリッタ３０の下に配置する（ステップＳ２９）。当該チップに対してステップＳ１０以下を行う。ウェハ５０内の測定対象の面発光レーザ５２に対する測定が終了した場合（ステップＳ２８でＹｅｓ）、測定は終了する。

図３に示すように、特性の測定後、ダイシングを行う（ステップＳ３）。１つの面発光レーザ５２のチップを形成してもよいし、複数の面発光レーザ５２を含むアレイチップを形成してもよい。

図５Ａおよび図５Ｂは比較例に係る測定装置１１０を例示する模式図である。測定装置１１０はビームスプリッタ３０を有さない。図５Ａの例ではレンズ３１および受光素子３２がウェハ５０の上に配置され、光を受光することができる。レンズ３６はウェハ５０に位置合わせされていないため、分光器３８は光を受光しない。図５Ｂの例ではレンズ３６がウェハ５０の上に配置され、分光器３８が光を受光する。受光素子３２はウェハ５０に位置合わせされておらず、光を受光しない。

図６および図７は比較例における測定方法を例示するフローチャートである。図６のステップＳ３０および図７のステップＳ４８は、図４のステップＳ１０と同じである。ステップＳ３２およびＳ５０はステップＳ１２と同じであり、ステップＳ３６およびＳ５４はステップＳ２２と同じである。ステップＳ３８およびＳ５６はステップＳ２４と同じであり、ステップＳ４０およびＳ５８はステップＳ２６と同じである。ステップＳ４２およびＳ６０はステップＳ２８と同じであり、ステップＳ４４およびＳ６２はステップＳ２９と同じである。図６のステップＳ３４はステップＳ２０と同じく光強度測定の工程である。図７のステップＳ５２はステップＳ１８と同じくスペクトル測定の工程である。

図６の工程では図５Ａのように、レンズ３１および受光素子３２をウェハ５０の上に配置する。図６のステップＳ３０からＳ４２により、ウェハ５０内の指定チップに電流を入力し、面発光レーザ５２の光強度を測定する。その後、図５Ａから図５Ｂの構成へと切り替えを行い、レンズ３６および分光器３８をウェハ５０の上に配置する（ステップＳ４６）。図７のステップＳ４８からＳ６０により、ウェハ５０内の指定チップに電流を入力し、面発光レーザ５２のスペクトルを測定する。

図６および図７に示すように、比較例では光強度の測定とスペクトルの測定とを別の工程で行う。光強度の測定およびスペクトルの測定のそれぞれにおいて、プローブ２６の接触と離間、指定チップへの移動を繰り返すため、測定に時間がかかる。

一方、本実施形態によれば、面発光レーザ５２から出射される光をビームスプリッタ３０で分岐させる。分岐した光を受光素子３２および分光器３８に入射することで、光強度とスペクトルとを測定する。光強度とスペクトルとを同時に測定することで、比較例のように測定を順に行う場合に比べて、測定時間を短縮することができる。

図２に示すように、ウェハ５０には複数の面発光レーザ５２が配列されている。１つの面発光レーザ５２に対して光強度およびスペクトルの測定を実施した後、別の面発光レーザ５２に対しても光強度およびスペクトルの測定を行う。つまり、複数の面発光レーザ５２それぞれにおいて光強度およびスペクトルを同時に測定する。比較例のように複数の面発光レーザ５２に光強度の測定とスペクトルの測定とを順に行う場合に比べて、測定時間が大きく短縮される。ウェハ５０は例えば１万個以上の面発光レーザ５２を有する。一例として、３インチのウェハ５０は４万個の面発光レーザ５２を有する。１万個以上のような多数の面発光レーザ５２において光強度およびスペクトルの測定を同時に行うため、測定時間が大幅に短くなる。図３に示すように、ウェハ５０に複数の面発光レーザ５２を形成した後、ダイシング前に測定を行うことで、製造工程における検査を短時間で行うことができる。

ビームスプリッタ３０、レンズ２８、３１および３６、受光素子３２、分光器３８など測定に用いる光学系を、測定対象である１つの面発光レーザ５２の上に配置し、光強度およびスペクトルの測定を行う。その後、ウェハ５０を移動させ、測定対象である別の面発光レーザ５２と光学系との位置合わせを行う。位置合わせの回数が減少するため、測定時間を短縮することができる。レンズの焦点などの調整の手間も半減する。一対のプローブ２６の面発光レーザ５２への接触、離間の回数も減少するため、測定時間が半減する。

受光素子３２、パワーメータ３４および分光器３８にビームスプリッタ３０を追加すればよく、コストの増加は抑制される。ビームスプリッタ３０は、面発光レーザ５２の発振波長の光を所定の割合で分岐する。制御部１０は、分岐の割合と測定結果とに基づき、正確な光強度およびスペクトルを取得することができる。分岐の割合は１：１以外でもよい。分光器３８に代えてスペクトルアナライザなどを用いてもよい。

電流電圧源２０が電流を入力することで面発光レーザ５２が発光する。電流を変化させ、電流が所定の大きさになった場合に、光強度およびスペクトルを測定する。電流は例えば０～１０ｍＡの範囲で０．２ｍＡずつステップ状に変化させる。電流を変化させながら光強度を測定するＬＩＶテストを行うことで、各電流における光強度を評価することができる。電流の全ステップで光強度を測定してもよいし、特定のステップで光強度を測定してもよい。例えば電流が所定の値Ｉｓになったときにスペクトルを測定する。電流Ｉｓを例えば８ｍＡなど面発光レーザ５２の実使用時の電流と同程度とすることで、精度の高いスペクトルを得ることができる。複数の電流においてスペクトルを測定してもよい。電流の範囲、ステップの大きさは変更してもよい。

温度変化によって面発光レーザ５２の特性が変化することがある。図１Ａに示すサーモチャック２４によりウェハ５０の温度を制御する。実施形態によれば、比較例に比べ測定時間が半減するため、ウェハ５０の温度の変化がより小さくなる。温度変化による面発光レーザ５２の特性の変化を抑制し、精度の高い測定が可能である。

以上、本開示の実施形態について詳述したが、本開示は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０制御部
１２電気信号制御部
１４位置制御部
１６パワーメータ制御部
１８分光器制御部
２０電流電圧源
２２ステージ
２４サーモチャック
２６プローブ
２８、３１、３６レンズ
３０ビームスプリッタ
３２受光素子
３４パワーメータ
３８分光器
４０ＣＰＵ
４２ＲＡＭ
４４記憶装置
４６インターフェース
５０ウェハ
５２面発光レーザ
１００、１１０測定装置

Claims

面発光レーザを発光させる工程と、
前記面発光レーザを発光させる工程において前記面発光レーザから出射される光を分岐し、分岐された光のうち一方を光強度測定部に入射し、他方をスペクトル測定部に入射することで、前記面発光レーザの光強度およびスペクトルを測定する工程と、を有する面発光レーザの測定方法。
ウェハに配列された複数の前記面発光レーザのうち第１面発光レーザに、前記発光させる工程と前記光強度およびスペクトルを測定する工程とを行った後、
前記複数の面発光レーザのうち第２面発光レーザに、前記発光させる工程と前記光強度およびスペクトルを測定する工程とを行う請求項１に記載の面発光レーザの測定方法。
前記光を分岐させる分岐部を前記第１面発光レーザの上に配置する工程と、
前記第１面発光レーザの前記光強度およびスペクトルを測定する工程を行った後、前記分岐部を前記第２面発光レーザの上に配置する工程と、を有し、
前記光強度および前記スペクトルを測定する工程は、前記分岐部により分岐された光のうち一方を前記光強度測定部に入射し、他方を前記スペクトル測定部に入射することで、前記光強度および前記スペクトルを測定する工程である請求項２に記載の面発光レーザの測定方法。
前記面発光レーザを発光させる工程は、前記面発光レーザに入力する電気信号の大きさを変化させ、大きさの異なる前記電気信号ごとに前記面発光レーザを発光させる工程であり、
前記面発光レーザの光強度およびスペクトルを測定する工程は、前記電気信号が所定の大きさになった場合、前記光強度および前記スペクトルを測定する工程である請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の面発光レーザの測定方法。
ウェハに複数の面発光レーザを形成する工程と、
前記複数の面発光レーザに請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の測定方法を行う工程と、を有する面発光レーザの製造方法。
面発光レーザを発光させる発光部と、
前記面発光レーザから出射される光を分岐する分岐部と、
前記分岐部により分岐された光のうち一方を受光することで前記面発光レーザの光強度を測定する光強度測定部と、
前記分岐された光のうち他方を受光し、前記面発光レーザのスペクトルを測定するスペクトル測定部と、を具備する面発光レーザの測定装置。
前記分岐部は前記面発光レーザの発振波長の光を所定の割合で分岐する請求項６に記載の面発光レーザの測定装置。
複数の前記面発光レーザが配列されたウェハの温度を調整する温度調整部を具備する請求項６または請求項７に記載の面発光レーザの測定装置。
コンピュータに、
面発光レーザを発光させる処理と、
前記面発光レーザを発光させる処理によって前記面発光レーザから出射され、かつ分岐され、光強度測定部およびスペクトル測定部に入射される光を用いて前記面発光レーザの光強度およびスペクトルを測定する処理と、を実行させる面発光レーザの測定プログラム。