KR20210085574A - 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법 - Google Patents
텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210085574A KR20210085574A KR1020190178755A KR20190178755A KR20210085574A KR 20210085574 A KR20210085574 A KR 20210085574A KR 1020190178755 A KR1020190178755 A KR 1020190178755A KR 20190178755 A KR20190178755 A KR 20190178755A KR 20210085574 A KR20210085574 A KR 20210085574A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- polishing
- pattern wafer
- cmp slurry
- substituted
- unsubstituted
- Prior art date
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 100
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 73
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 66
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 66
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 239000002002 slurry Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical class O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 30
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 19
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical group [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 7
- -1 Y 4 Is a single bond Chemical group 0.000 claims description 24
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 15
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 9
- 125000006832 (C1-C10) alkylene group Chemical group 0.000 claims description 7
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 7
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 5
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 claims description 5
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000006376 (C3-C10) cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000006736 (C6-C20) aryl group Chemical group 0.000 claims description 2
- HXLAEGYMDGUSBD-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCN HXLAEGYMDGUSBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCN ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 11
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 5
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 4
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid group Chemical class S(O)(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 3
- 125000003860 C1-C20 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N N,N-bis{2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl}glycine Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRTDMTXEFZEJRR-UHFFFAOYSA-N OO.OO.OO Chemical compound OO.OO.OO KRTDMTXEFZEJRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 2
- 229940024606 amino acid Drugs 0.000 description 2
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 2
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 229920006317 cationic polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N potassium dichromate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N (2S)-2-Amino-3-hydroxypropansäure Chemical compound OC[C@H](N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- VKZRWSNIWNFCIQ-WDSKDSINSA-N (2s)-2-[2-[[(1s)-1,2-dicarboxyethyl]amino]ethylamino]butanedioic acid Chemical compound OC(=O)C[C@@H](C(O)=O)NCCN[C@H](C(O)=O)CC(O)=O VKZRWSNIWNFCIQ-WDSKDSINSA-N 0.000 description 1
- 125000003837 (C1-C20) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006833 (C1-C5) alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006717 (C3-C10) cycloalkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- OSSNTDFYBPYIEC-UHFFFAOYSA-O 1-ethenylimidazole;hydron Chemical compound C=CN1C=C[NH+]=C1 OSSNTDFYBPYIEC-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- VKZRWSNIWNFCIQ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(1,2-dicarboxyethylamino)ethylamino]butanedioic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)NCCNC(C(O)=O)CC(O)=O VKZRWSNIWNFCIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNCSCQSQSGDGES-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]propyl-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)C(C)CN(CC(O)=O)CC(O)=O XNCSCQSQSGDGES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMQQXDPCRUGSQB-UHFFFAOYSA-N 2-[3-[bis(carboxymethyl)amino]propyl-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCCN(CC(O)=O)CC(O)=O DMQQXDPCRUGSQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-2-hydroxypropanoate Chemical compound NCC(O)C(O)=O BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004475 Arginine Substances 0.000 description 1
- 125000005865 C2-C10alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000041 C6-C10 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N L-Proline Chemical compound OC(=O)[C@@H]1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P L-argininium(2+) Chemical compound NC(=[NH2+])NCCC[C@H]([NH3+])C(O)=O ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P 0.000 description 1
- ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N L-glutamine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N L-histidine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N L-isoleucine Chemical compound CC[C@H](C)[C@H](N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N L-leucine Chemical compound CC(C)C[C@H](N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N L-lysine Chemical compound NCCCC[C@H](N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N L-methionine Chemical compound CSCC[C@H](N)C(O)=O FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N L-phenylalanine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N L-threonine Chemical compound C[C@@H](O)[C@H](N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N 0.000 description 1
- QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N L-tryptophane Chemical compound C1=CC=C2C(C[C@H](N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N L-tyrosine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N L-valine Chemical compound CC(C)[C@H](N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N Leucine Natural products CC(C)CC(N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000691 Poly[bis(2-chloroethyl) ether-alt-1,3-bis[3-(dimethylamino)propyl]urea] Polymers 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N Proline Natural products OC(=O)C1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N Serine Natural products OCC(N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N Threonine Natural products CC(O)C(N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004473 Threonine Substances 0.000 description 1
- QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N Tryptophan Natural products C1=CC=C2C(CC(N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N Valine Natural products CC(C)C(N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100107923 Vitis labrusca AMAT gene Proteins 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- OZZOVSQSDIWNIP-UHFFFAOYSA-N acetic acid;azane Chemical compound [NH4+].[NH4+].CC([O-])=O.CC([O-])=O OZZOVSQSDIWNIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRHBOQMZUOWXQL-UHFFFAOYSA-L ammonium ferric citrate Chemical compound [NH4+].[Fe+3].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O FRHBOQMZUOWXQL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N arginine Natural products OC(=O)C(N)CCCNC(N)=N ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003139 biocide Substances 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-N chloric acid Chemical compound OCl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940005991 chloric acid Drugs 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 229960004642 ferric ammonium citrate Drugs 0.000 description 1
- 229960002413 ferric citrate Drugs 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N glutamine Natural products OC(=O)C(N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N glymidine Chemical compound N1=CC(OCCOC)=CN=C1NS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000262 haloalkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000232 haloalkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N histidine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004313 iron ammonium citrate Substances 0.000 description 1
- 235000000011 iron ammonium citrate Nutrition 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N iron(2+);dinitrate Chemical compound [Fe+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H iron(3+) sulfate Chemical compound [Fe+3].[Fe+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate Chemical compound [Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPFOYSMITVOQOS-UHFFFAOYSA-K iron(III) citrate Chemical compound [Fe+3].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NPFOYSMITVOQOS-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N isoleucine Natural products CCC(C)C(N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000310 isoleucine Drugs 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229930182817 methionine Natural products 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229960003330 pentetic acid Drugs 0.000 description 1
- 125000002081 peroxide group Chemical group 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N phenylalanine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N triammonium citrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRTMQOHKMFDUKX-UHFFFAOYSA-N triiodide Chemical compound I[I-]I WRTMQOHKMFDUKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N tyrosine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004474 valine Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
극성 용매, 비극성 용매 중 1종 이상의 용매; 및 연마제를 포함하는 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 CMP 슬러리 조성물로서, 상기 연마제는 아미노 실란으로 개질된 실리카를 포함하고, 상기 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 CMP 슬러리 조성물은 화학식 2의 반복 단위를 포함하는 화합물 또는 그의 염을 더 포함하는 것인, 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법이 제공된다.
Description
본 발명은 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 속도와 평탄성을 개선하고 스크래치 결함이 없게 하는 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법에 관한 것이다.
기판의 표면을 연마(또는 평탄화)하기 위한 화학적 기계적 연마(CMP) 조성물 및 방법은 관련 기술 분야에 널리 공지되어 있다. 반도체 기판 상의 금속 층 (예컨대, 텅스텐)을 연마하기 위한 연마 조성물은 수용액 중에 현탁된 연마제 입자 및 화학적 촉진제, 예컨대 산화제, 촉매 등을 포함할 수 있다.
CMP 조성물로 금속층을 연마하는 공정은 초기 금속층만을 연마하는 단계, 금속층과 배리어층을 연마하는 단계, 금속, 배리어층과 산화막을 연마하는 단계로 진행된다. 이중 금속층, 배리어층과 산화막을 연마하는 단계에서 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마 조성물이 사용되는데, 금속층과 산화막이 적절한 연마 속도로 연마되어야 우수한 연마 평탄화를 달성할 수 있다.
텅스텐 패턴 웨이퍼 연마는 일반적으로 강 산성인 CMP 슬러리 조성물을 사용해서 수행된다. 그런데, 강 산성의 조성물을 사용하는 경우 연마 후 후처리가 어려우며 처리 비용도 높다는 문제점이 있다. 따라서, 강 산성 대비 높은 pH에서 연마 속도와 평탄성을 개선할 수 있는 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 CMP 슬러리 조성물이 요구된다.
본 발명의 목적은 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마 시 연마 속도와 평탄성을 개선한 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 CMP 슬러리 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 CMP 슬러리 조성물은 극성 용매, 비극성 용매 중 1종 이상의 용매; 및 연마제를 포함하고, 상기 연마제는 아미노 실란으로 개질된 실리카를 포함하고, 상기 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 CMP 슬러리 조성물은 하기 화학식 2의 반복 단위를 포함하는 화합물 또는 그의 염을 더 포함한다:
[화학식 2]
(상기 화학식 2에서,
*은 연결 부위이고,
R1, R2, R3, R4는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 탄소 수 1 내지 탄소 수 10의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 수 6 내지 탄소 수 20의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소 수 3 내지 탄소 수 10의 시클로알킬기이고,
Y1, Y2, Y3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소 수 1 내지 탄소 수 10의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소 수 2 내지 10의 알콕실렌기, 치환 또는 비치환된 탄소 수 6 내지 탄소 수 20의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소 수 7 내지 탄소 수 20의 아릴알킬렌기이고,
Y4는 단일 결합, 치환 또는 비치환된 탄소 수 1 내지 탄소 수 10의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소 수 2 내지 탄소 수 10의 알콕실렌기, 치환 또는 비치환된 탄소 수 6 내지 탄소 수 20의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소 수 7 내지 탄소 수 20의 아릴알킬렌기이다).
본 발명의 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법은 본 발명의 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 CMP 슬러리 조성물을 이용하여 텅스텐을 연마하는 단계를 포함한다.
본 발명은 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마 시 연마 속도와 평탄성을 개선한 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 CMP 슬러리 조성물을 제공하였다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된"에서 "치환된"은 해당 작용기 중 1개 이상의 수소 원자가 수산기, 탄소 수 1 내지 탄소 수 10의 알킬기 또는 할로알킬기, 탄소 수 2 내지 탄소 수 10의 알케닐기 또는 할로알케닐기, 탄소 수 2 내지 탄소 수 10의 알키닐기 또는 할로알키닐기, 탄소 수 3 내지 탄소 수 10의 시클로알킬기, 탄소 수 3 내지 탄소 수 10의 시클로알케닐기, 탄소 수 6 내지 탄소 수 10의 아릴기, 탄소 수 7 내지 탄소 수 10의 아릴알킬기, 탄소 수 1 내지 탄소 수 10의 알콕시기, 탄소 수 6 내지 탄소 수 10의 아릴옥시기, 아미노기, 할로, 시아노기 또는 티올기 중 어느 하나로 치환된 것을 의미한다.
본 명세서에서 수치 범위 기재 시 "X 내지 Y"는 X 이상 Y 이하를 의미한다.
본 발명자는 종래 강 산성의 pH를 갖는 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 CMP 슬러리 조성물에서 벗어나 약 산성의 pH 범위 구체적으로 pH 3 내지 6, 바람직하게는 pH 4 내지 6에서도 텅스텐 연마 속도가 높고 이로젼(erosion) 등이 낮아서 평탄성이 우수한 CMP 슬러리 조성물을 개발하기 위해 노력하였다. 그 결과, 연마제로서 아미노 실란으로 개질된 실리카를 사용하고 하기 화학식 2의 화합물을 함께 포함시킴으로써 pH 3 내지 6, 바람직하게는 pH 4 내지 6에서도 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 속도가 높고 이로젼 등이 낮아서 평탄성이 우수하였음을 확인하고 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 CMP 슬러리 조성물(이하, "CMP 슬러리 조성물"이라고 함)은 극성 용매, 비극성 용매 중 1종 이상의 용매 및 연마제를 포함하고, 상기 연마제는 아미노 실란으로 개질된 실리카를 포함하고, 상기 조성물은 상기 화학식 2의 단위를 포함하는 화합물 또는 그의 염을 포함한다.
이하, 본 발명에 따른 CMP 슬러리 조성물에 대해 상세하게 설명한다.
CMP 슬러리 조성물은 pH가 3 내지 6이다. 종래 텅스텐 연마용 CMP 슬러리 조성물에서는 pH가 1 이상 3 미만의 강 산성이어서 연마 후 후처리가 어려웠다. 반면에, 본 발명의 CMP 슬러리 조성물은 pH가 3 내지 6의 약산성으로 연마 후 후처리가 용이하여 공정성과 경제성이 우수할 수 있다. 바람직하게는, pH가 4 내지 6, 더 바람직하게는 5 내지 6이 될 수 있다.
극성 용매, 비극성 용매 중 1종 이상은 연마제로 텅스텐 패턴 웨이퍼를 연마 시 마찰을 줄여줄 수 있다. 극성 용매, 비극성 용매 중 1종 이상은 물(예를 들면 초순수 또는 탈이온수), 유기 아민, 유기 알코올, 유기 알코올아민, 유기 에테르, 유기 케톤 등이 될 수 있다. 바람직하게는 초순수 또는 탈이온수를 사용할 수 있다. 극성 용매, 비극성 용매 중 1종 이상의 용매는 CMP 슬러리 조성물 중 잔량으로 포함될 수 있다.
연마제는 절연층 막(예: 실리콘 산화막)과 텅스텐 패턴 웨이퍼를 높은 연마 속도로 연마할 수 있다.
연마제 예를 들면 아미노 실란으로 개질된 실리카는 구형 또는 비구형의 입자로서, 1차 입자의 평균 입경(D50)이 10nm 내지 200nm, 구체적으로 20nm 내지 180nm, 더 구체적으로 40nm 내지 120nm가 될 수 있다. 상기 범위에서 본 발명의 연마 대상인 절연층 막과 텅스텐 금속막에 대한 연마 속도를 낼 수 있고, 연마 후 표면 결함(스크래치 등)이 발생하지 않을 수 있다. 상기 "평균 입경(D50)"은 당업자에게 알려진 통상의 입경을 의미하고, 연마제를 중량 기준으로 분포시켰을 때 50 중량%에 해당되는 입자의 입경을 의미한다.
연마제 예를 들면 아미노 실란으로 개질된 실리카는 CMP 슬러리 조성물 중 0.001 중량% 내지 20 중량%, 바람직하게는 0.01 중량% 내지 10 중량%, 더 바람직하게는 0.05 중량% 내지 5 중량%, 가장 바람직하게는 0.5 중량% 내지 3 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 절연층 막과 텅스텐을 충분한 연마 속도로 연마할 수 있고, 스크래치가 발생하지 않게 할 수 있고, 조성물의 분산 안정성이 좋을 수 있다.
연마제는 아미노 실란으로 개질된 실리카를 포함한다.
아미노 실란으로 개질된 실리카는 pH가 3 내지 6인 CMP 슬러리 조성물에서도 텅스텐 연마 속도를 높일 수 있다. 아미노 실란으로 개질된 실리카는 표면에 양 전하를 구비하며, 10mV 내지 80mV, 바람직하게는 10mV 내지 60mV의 표면 전위를 갖는다. 상기 범위에서, pH가 3 내지 6인 CMP 슬러리 조성물에서도 텅스텐 연마 속도를 높일 수 있다.
아미노 실란은 1차 아민 실란, 2차 아민 실란 또는 3차 아민 실란일 수 있다. 1차 아민 실란은 1차 아민을 함유하는 실란을 의미한다. 2차 아민 실란은 2차 아민을 함유하는 실란을 의미한다. 3차 아민 실란은 3차 아민을 함유하는 실란을 의미한다. 바람직하게는 아미노 실란은 1차 아민 실란을 사용할 수 있다.
일 구체예에서, 아미노 실란은 하기 화학식 1로 표시되는 실란을 포함할 수 있다:
[화학식 1]
(상기 화학식 1에서,
X1, X2, X3은 각각 독립적으로, 수소, 수산기, 치환 또는 비치환된 탄소 수 1 내지 탄소 수 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 수 6 내지 탄소 수 20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소 수 3 내지 탄소 수 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 수 7 내지 탄소 수 20의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 수 1 내지 탄소 수 20의 알콕시기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소 수 6 내지 탄소 수 20의 아릴옥시기이고,
X1, X2, X3 중 적어도 어느 하나는 수산기, 치환 또는 비치환된 탄소 수 1 내지 탄소 수 20의 알콕시기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소 수 6 내지 탄소 수 20의 아릴옥시기이고,
Y5는 아미노기 함유 탄소 수 1 내지 탄소 수 10의 알킬기 또는 아미노기 함유 탄소 수 6 내지 탄소 수 10의 아릴기이다).
바람직하게는 상기 화학식 1에서, Y5는 아미노기 함유 탄소 수 1 내지 5의 알킬기, 더 바람직하게는 아미노프로필기가 될 수 있다.
예를 들면, 상기 화학식 1의 화합물은 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필메틸디메톡시실란, 3-아미노프로필메틸디에톡시실란 등이 될 수 있다.
아미노 실란으로 개질된 실리카는 비개질된 실리카에 개질하고자 하는 아미노 실란을 첨가한 후 소정 기간 반응시킴으로써 수행될 수 있다. 비개질된 실리카는 콜로이달 실리카, 흄드 실리카 중 1종 이상을 포함할 수 있고 바람직하게는 콜로이달 실리카를 포함할 수 있다.
CMP 슬러리 조성물은 하기 화학식 2의 반복 단위를 포함하는 화합물 또는 그의 염을 포함한다. 그 결과, pH가 3 내지 6이며 아미노 실란으로 개질된 실리카를 포함하는 CMP 슬러리 조성물에 있어서, 텅스텐 연마 속도를 높이고 평탄성을 개선한다:
[화학식 2]
(상기 화학식 2에서,
*은 연결 부위이고,
R1, R2, R3, R4는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 탄소 수 1 내지 탄소 수 10의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 수 6 내지 탄소 수 20의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소 수 3 내지 탄소 수 10의 시클로알킬기이고,
Y1, Y2, Y3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소 수 1 내지 탄소 수 10의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소 수 2 내지 10의 알콕실렌기, 치환 또는 비치환된 탄소 수 6 내지 탄소 수 20의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소 수 7 내지 탄소 수 20의 아릴알킬렌기이고,
Y4는 단일 결합, 치환 또는 비치환된 탄소 수 1 내지 탄소 수 10의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소 수 2 내지 탄소 수 10의 알콕실렌기, 치환 또는 비치환된 탄소 수 6 내지 탄소 수 20의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소 수 7 내지 탄소 수 20의 아릴알킬렌기이다).
상기 화학식 2에서, "알콕실렌기"는 탄소 수 2 내지 탄소 수 10의 알킬렌기 중 임의의 탄소와 탄소 중 사이에 산소가 결합된 작용기를 의미한다. 예를 들면, 알콕실렌기는 *-Y11-O-Y12-*(이때, *은 연결 부위이고, Y11, Y12는 각각 알킬렌기이고, Y11, Y12에 포함되는 전체 탄소 수는 2개 내지 10개이다).
바람직하게는, 상기 화학식 2에서, R1, R2, R3, R4는 각각 독립적으로 탄소 수 1 내지 탄소 수 10의 알킬기, 탄소 수 1 내지 탄소 수 5의 알킬기일 수 있다.
바람직하게는, 상기 화학식 2에서, Y1은 치환 또는 비치환된 탄소 수 2 내지 10의 알콕실렌기, 탄소 수 2 내지 5의 알콕실렌기일 수 있다. 바람직하게는 상기 화학식 2에서, Y2, Y3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소 수 1 내지 탄소 수 10의 알킬렌기, 탄소 수 1 내지 탄소 수 5의 알킬렌기일 수 있다. 바람직하게는, 상기 화학식 2에서, Y4는 단일결합이 될 수 있다.
일 구체예에서, 상기 화학식 2의 반복 단위는 하기 화학식 3이 될 수 있다:
[화학식 3]
(상기 화학식 3에서, *은 연결 부위이다)
상기 화학식 2의 단위를 포함하는 화합물은 양이온성 고분자로서, 양이온성 고분자 자체로 조성물에 포함될 수도 있으나 음이온을 포함하는 염으로 포함될 수도 있다. 상기 음이온은 할로겐 음이온(예: F-, Cl-, Br-, I-); 탄산 음이온(예: CO3 2-, HCO3 -), 초산 음이온(CH3COO-), 구연산 음이온(HOC(COO-)(CH2COO-)2) 등의 유기산 음이온; 질소 함유 음이온(예: NO3 -, NO2 -); 인 함유 음이온(예: PO4 3-, HPO4 2-, H2PO4 -); 황 함유 음이온(예: SO4 2-, HSO4 -); 시아나이드 음이온(CN-) 등을 들 수 있다.
상기 화학식 2의 단위를 포함하는 화합물 또는 그의 염은 중량평균분자량이 10,000g/mol 내지 1,000,000g/mol, 바람직하게는 100,000g/mol 내지 800,000g/mol이 될 수 있다. 상기 범위에서, 절연층 막과 텅스텐 금속막을 충분한 연마 속도로 연마할 수 있고, 스크래치가 발생하지 않게 할 수 있고, 조성물의 분산 안정성이 좋을 수 있다.
상기 화학식 2의 단위를 포함하는 화합물 또는 그의 염은 CMP 슬러리 조성물 중 0.0005중량% 내지 20중량%, 바람직하게는 0.0005중량% 내지 10 중량%, 더 바람직하게는 0.0005중량% 내지 5 중량%, 가장 바람직하게는 0.0005중량% 내지 0.2중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 절연층 막과 텅스텐 금속막을 충분한 연마 속도로 연마할 수 있고, 스크래치가 발생하지 않게 할 수 있고, 조성물의 분산 안정성이 좋을 수 있다.
CMP 슬러리 조성물은 산화제, 촉매, 유기산 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
산화제는 무기 과화합물, 유기 과화합물, 브롬산 또는 그의 염, 질산 또는 그의 염, 염소산 또는 그의 염, 크롬산 또는 그의 염, 요오드산 또는 그의 염, 철 또는 그의 염, 구리 또는 그의 염, 희토류 금속 산화물, 전이 금속 산화물, 중크롬산 칼륨 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 "과화합물"은 하나 이상의 과산화기(-O-O-)를 포함하거나 최고 산화 상태의 원소를 포함하는 화합물이다. 바람직하게는 산화제로 과화합물을 사용할 수 있다. 예를 들면 과화합물은 과산화수소, 과요오드화칼륨, 과황산칼슘, 페리시안칼륨 중 하나 이상, 바람직하게는 과산화수소일 수 있다.
산화제는 상기 조성물 중 0.01 중량% 내지 20 중량%, 바람직하게는 0.05 중량% 내지 10 중량%, 더 바람직하게는 0.1 중량% 내지 5 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 텅스텐에 대한 연마 속도를 향상시킬 수 있다.
CMP 슬러리 조성물은 촉매로서 철 이온 화합물, 철 이온의 착화합물, 그의 수화물 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
철 이온 화합물, 철 이온 착화합물 또는 그의 수화물은 텅스텐 금속막의 연마 속도를 향상시킬 수 있다.
철 이온 화합물은 철 3가 양이온 함유 화합물을 포함할 수 있다. 철 3가 양이온 함유 화합물은 철 3가 양이온이 수용액 상태에서 자유 양이온으로 존재하는 화합물이라면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 철 3가 양이온 함유 화합물은 염화철(FeCl3), 질산철(Fe(NO3)3), 황산철(Fe2(SO4)3) 중 1종 이상을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
철 이온 착화합물은 철 3가 양이온 함유 착화합물을 포함할 수 있다. 철 3가 양이온 함유 착화합물은 철 3가 양이온이 수용액 상태에서 카르복실산류, 인산류, 황산류, 아미노산류, 아민류 중 1종 이상의 작용기를 갖는 유기 화합물 또는 무기 화합물과 반응하여 형성된 화합물을 포함할 수 있다. 상기 유기 화합물 또는 무기 화합물은 시트레이트, 암모늄 시트레이트, 파라톨루엔술폰산(pTSA), PDTA(1,3-propylenediaminetetraacetic acid), EDTA(ethylenediaminetetraacetic acid), DTPA(diethylenetriaminepentaacetic acid), NTA(nitrilotriacetic acid), EDDS(ethylenediamine-N,N'-disuccinic acid) 등이 될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 철 3가 양이온 함유 착화합물의 구체적인 예로서는 구연산철(ferric citrate), 구연산철의 암모늄염(ferric ammonium citrate), Fe(III)-pTSA, Fe(III)-PDTA, Fe(III)-EDTA 등이 될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
촉매 예를 들면 철 이온 화합물, 철 이온의 착화합물, 그의 수화물 중 1종 이상은 CMP 슬러리 조성물 중 0.001 중량% 내지 10 중량%, 바람직하게는 0.001 중량% 내지 5 중량%, 더 바람직하게는 0.001 중량% 내지 1 중량%, 가장 바람직하게는 0.001 중량% 내지 0.5 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 텅스텐 막의 연마 속도를 높일 수 있다.
유기산은 말론산, 말레산, 말산 등의 카르복시산이나 글리신, 이소류신, 류신, 페닐알라닌, 메티오닌, 트레오닌, 트립토판, 발린, 알라닌, 아르기닌, 시스테인, 글루타민, 히스티딘, 프롤린, 세린, 티로신, 리신 등의 아미노산일 수 있다.
유기산은 CMP 슬러리 조성물 중 0.001 중량% 내지 20 중량%, 바람직하게는 0.01 중량% 내지 10 중량%, 더 바람직하게는 0.01 중량% 내지 5 중량%, 가장 바람직하게는 0.01 중량% 내지 1 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마 시 이로젼과 돌출을 동시에 개선할 수 있다.
CMP 슬러리 조성물은 상기 pH를 맞추기 위해 pH 조절제를 더 포함할 수도 있다.
pH 조절제는 무기산 예를 들면 질산, 인산, 염산, 황산 중 하나 이상을 포함할 수 있고, 유기산 예를 들면 pKa 값이 6 이하인 유기산으로 예를 들면 초산, 질산, 프탈산 중 1종 이상을 포함할 수 있다. pH 조절제는 염기 예를 들면 암모니아수, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화암모늄, 탄산나트륨, 탄산칼륨 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
CMP 슬러리 조성물은 살생물제, 계면활성제, 분산제, 개질제, 표면활성제 등의 통상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 첨가제는 조성물 중 0.001 중량% 내지 10 중량%, 바람직하게는 0.001 중량% 내지 5 중량%, 더 바람직하게는 0.001 중량% 내지 1 중량%, 가장 바람직하게는 0.001 중량% 내지 0.5 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 첨가제로서 역할을 낼 수 있고, 연마 속도, 평탄성에 영향을 주지 않을 수 있다.
본 발명의 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법은 본 발명의 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 CMP 슬러리 조성물을 이용하여 텅스텐 패턴 웨이퍼를 연마하는 단계를 포함한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
하기 실시예와 비교예에서 사용된 성분의 구체적인 사양은 다음과 같다.
(1) 개질 전의 연마제: 평균 입경(D50)이 120nm인 콜로이달 실리카(Fuso, PL-7)
(2) pH 조절제: 질산 또는 암모니아수
실시예 1
상기 개질 전의 연마 입자의 고형 함량당 0.04mmol에 해당하는 3-아미노프로필트리에톡시실란과 상기 개질 전의 연마 입자를 혼합하고 pH 2.5 조건에서 25℃에서 72시간 동안 반응시켜, 3-아미노프로필트리에톡시실란으로 개질된 실리카(평균 입경(D50): 125nm)를 제조하였다.
CMP 슬러리 조성물 총 중량에 대하여, 연마제로서 상기 제조된 개질된 실리카 1.5중량%, 하기 화학식 3-1의 반복 단위를 구비하는 화합물(Polyquaternium-2, Hangzhou DayangChem Co. Ltd) 0.001중량%, 에틸렌디아민테트라아세트산 디암모늄 염 0.001중량%, 말론산 0.03중량%, 산화제로서 과산화수소 0.3중량%, 글리신 0.15중량%, 철 이온 함유 화합물로서 질산철 구수화물 0.001중량%를 함유하고 나머지는 탈이온수를 포함시켜 CMP 슬러리 조성물을 제조하였다. CMP 슬러리 조성물에 대해 pH 조절제를 사용하여 pH 5.5로 조절하였다.
[화학식 3-1]
(상기 화학식 3-1에서, *은 연결 부위이다)
실시예 2 내지 실시예 3
실시예 1에서 CMP 슬러리 조성물 중 각 성분의 함량을 하기 표 1과 같이 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 실시하여 CMP 슬러리 조성물을 제조하였다.
비교예 1
실시예 1에서 연마제로서 개질 전의 연마제를 사용한 점을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 실시하여 CMP 슬러리 조성물을 제조하였다.
비교예 2
실시예 1에서 화학식 3-1의 반복 단위를 구비하는 화합물을 포함시키지 않은 점을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 실시하여 CMP 슬러리 조성물을 제조하였다.
비교예 3
실시예 1에서 화학식 3-1의 반복 단위를 구비하는 화합물을 포함시키지 않고, 폴리(비닐이미다졸륨) 0.001중량%를 포함시킨 점을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 실시하여 CMP 슬러리 조성물을 제조하였다.
실시예에서 제조한 CMP 슬러리 조성물에 대하여 하기의 연마 평가 조건으로 연마 평가를 하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
[연마 평가 조건]
1. 연마기: Reflexion LK 300mm(AMAT社)
2. 연마 조건
- 연마 패드: VP3100/Rohm and Haas 社
- Head 속도: 35rpm
- Platen 속도: 33rpm
- 연마 압력: 1.5psi
- Retainer Ring Pressure: 8psi
- 슬러리 유량: 250ml/분
- 연마 시간: 60초
3. 연마 대상
- 상업적으로 입수가능한 텅스텐 패턴 웨이퍼(MIT 854, 300mm)를 사용
- 텅스텐 연마용 CMP 슬러리 STARPLANAR7000(삼성SDI社)과 탈이온수를 1:2 중량비로 혼합한 후 만들어진 혼합액에 대해 상기 혼합액 중량의 2%에 해당하는 과산화수소를 추가한 혼합액으로 상기 텅스텐 패턴 웨이퍼를 Reflexion LK 300mm 연마기에 IC1010 /SubaIV Stacked(Rodel社) 연마 패드로 Head 속도 101rpm, Platen 속도 33rpm, 연마 압력 2psi, Retainer Ring Pressure 8psi, 혼합액 유량 250ml/분 조건으로 60초간 1차 연마하였다. 이를 통해 텅스텐 금속막층을 제거하여 옥사이드/금속 패턴이 드러나게 하였다.
4. 분석 방법
- 연마 속도(단위: Å/분): 텅스텐 금속막 연마 속도는 상기 연마 조건으로 평가 시 연마 전후의 막 두께 차이를 전기 저항값으로부터 환산하여 구하였다. 절연층 막 연마 속도는 상기 연마 조건으로 평가 시 연마 전후의 막 두께 차이를 광간섭두께측정기(Reflectometer)로 환산하여 구하였다.
- 평탄성(이로젼, 단위: Å): 상기 연마 조건을 이용하여 실시예에서 제조한 CMP 슬러리 조성물로 연마한 후 패턴의 프로파일을 InSight CAP Compact Atomic Profiler(bruker社)로 측정하였다. 이로젼은 연마한 웨이퍼의 0.18/0.18㎛ 패턴 영역에서 peri oxide와 cell oxide 높이 차이로 계산하였다. 스캔 속도는 100㎛/초, 스캔 길이는 2mm로 하였다.
| 실시예 | 비교예 | ||||||
| 1 | 2 | 3 | 1 | 2 | 3 | ||
| 연마제 | 종류 | 개질 실리카 |
개질 실리카 |
개질 실리카 |
비개질 실리카 |
개질 실리카 |
개질 실리카 |
| 함량 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | |
| 산화제 | 종류 | 과산화수소 | 과산화수소 | 과산화수소 | 과산화수소 | 과산화수소 | 과산화수소 |
| 함량 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | |
| 화학식 3-1의 단위를 포함하는 화합물 | 0.001 | 0.0005 | 0.2 | 0.001 | 0 | 0 | |
| 폴리(비닐이미다졸륨) | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0.001 | |
| pH | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | |
| 텅스텐 금속막 연마 속도 | 30 | 20 | 20 | 10 | 20 | 20 | |
| 절연층 막 연마 속도 | 120 | 110 | 50 | 5 | 50 | 120 | |
| 이로젼 | 150 | 280 | 350 | 600 | 500 | 500 | |
상기 표 1에서 보여지는 바와 같이, 본 발명의 CMP 슬러리 조성물은 pH 3 내지 6의 약 산성에서도 텅스텐과 절연막 연마 속도와 평탄성이 모두 개선되었다.
반면에, 아미노 실란으로 개질된 실리카를 사용하지 않고 비개질된 실리카를 포함하는 비교예 1은 pH 3 내지 6의 약 산성에서 텅스텐과 절연막 연마 속도가 낮고 평탄성이 악화되는 문제점이 있었다. 본원발명의 화학식 2의 화합물을 포함하지 않는 비교예 2는 pH 3 내지 6의 약 산성에서 평탄성이 악화되는 문제점이 있었다. 본원발명의 화학식 2의 화합물 대신에 폴리(비닐이미다졸륨)을 포함하는 비교예 3은 pH 3 내지 6의 약 산성에서 평탄성이 악화되는 문제점이 있었다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.
Claims (9)
- 극성 용매, 비극성 용매 중 1종 이상의 용매; 및 연마제를 포함하는 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 CMP 슬러리 조성물로서,
상기 연마제는 아미노 실란으로 개질된 실리카를 포함하고,
상기 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 CMP 슬러리 조성물은 하기 화학식 2의 반복 단위를 포함하는 화합물 또는 그의 염을 더 포함하는 것인, 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 CMP 슬러리 조성물:
[화학식 2]
(상기 화학식 2에서,
*은 연결 부위이고,
R1, R2, R3, R4는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 탄소 수 1 내지 탄소 수 10의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 수 6 내지 탄소 수 20의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소 수 3 내지 탄소 수 10의 시클로알킬기이고,
Y1, Y2, Y3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소 수 1 내지 탄소 수 10의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소 수 2 내지 10의 알콕실렌기, 치환 또는 비치환된 탄소 수 6 내지 탄소 수 20의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소 수 7 내지 탄소 수 20의 아릴알킬렌기이고,
Y4는 단일 결합, 치환 또는 비치환된 탄소 수 1 내지 탄소 수 10의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소 수 2 내지 10의 알콕실렌기, 치환 또는 비치환된 탄소 수 6 내지 탄소 수 20의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소 수 7 내지 탄소 수 20의 아릴알킬렌기이다).
- 제1항에 있어서, 상기 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 CMP 슬러리 조성물은 pH가 3 내지 6인 것인, 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 CMP 슬러리 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 화학식 2에서, Y1은 치환 또는 비치환된 탄소 수 2 내지 10의 알콕실렌기, Y2, Y3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소 수 1 내지 탄소 수 10의 알킬렌기, Y4는 단일결합인 것인, 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 CMP 슬러리 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 화학식 2의 반복 단위는 하기 화학식 3인 것인, 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 CMP 슬러리 조성물:
[화학식 3]
(상기 화학식 3에서, *은 연결 부위이다).
- 제1항에 있어서, 상기 화학식 2의 반복 단위를 포함하는 화합물 또는 그의 염은 상기 조성물 중 0.0005중량% 내지 20중량%로 포함되는 것인, 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 CMP 슬러리 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 아미노 실란은 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필메틸디메톡시실란, 3-아미노프로필메틸디에톡시실란 중 1종 이상을 포함하는 것인, 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 CMP 슬러리 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 조성물은 산화제, 촉매, 유기산 중 1종 이상을 더 포함하는 것인, 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 CMP 슬러리 조성물.
- 제7항에 있어서, 상기 조성물은
상기 연마제 0.001 중량% 내지 20 중량%,
상기 화학식 2의 반복 단위를 포함하는 화합물 또는 그의 염 0.0005중량% 내지 20중량%,
상기 산화제 0.01 중량% 내지 20 중량%,
상기 촉매 0.001 중량% 내지 10 중량%,
상기 유기산 0.001 중량% 내지 20 중량%, 및
상기 용매 잔량으로 이루어진 것인, 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 CMP 슬러리 조성물.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 CMP 슬러리 조성물을 사용하여 텅스텐 패턴 웨이퍼를 연마하는 단계를 포함하는 것인, 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190178755A KR20210085574A (ko) | 2019-12-30 | 2019-12-30 | 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190178755A KR20210085574A (ko) | 2019-12-30 | 2019-12-30 | 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210085574A true KR20210085574A (ko) | 2021-07-08 |
Family
ID=76893783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020190178755A KR20210085574A (ko) | 2019-12-30 | 2019-12-30 | 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20210085574A (ko) |
-
2019
- 2019-12-30 KR KR1020190178755A patent/KR20210085574A/ko not_active IP Right Cessation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101032504B1 (ko) | Ｃｍｐ 슬러리 | |
| KR20180073384A (ko) | Cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법 | |
| KR20210085574A (ko) | 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법 | |
| KR20220163207A (ko) | 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법 | |
| KR102570805B1 (ko) | 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마 방법 | |
| KR102678848B1 (ko) | 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법 | |
| KR20210095465A (ko) | 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법 | |
| KR102637819B1 (ko) | 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법 | |
| KR102623640B1 (ko) | 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법 | |
| KR20240063642A (ko) | 텅스텐 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 연마 방법 | |
| CN115305010B (zh) | 化学机械抛光浆料组合物及抛光钨图案晶片的方法 | |
| KR102574851B1 (ko) | 화학기계적 연마 슬러리 조성물 | |
| KR102418496B1 (ko) | 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용하는 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR20220115316A (ko) | 텅스텐 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 연마 방법 | |
| US20230220241A1 (en) | Cmp slurry composition for polishing tungsten pattern wafer and method of polishing tungsten pattern wafer using the same | |
| KR20210143543A (ko) | 텅스텐 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 연마 방법 | |
| KR20100080067A (ko) | 금속 배선 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 | |
| US20220298382A1 (en) | Cmp slurry composition for polishing tungsten pattern wafer and method of polishing tungsten pattern wafer using the same | |
| KR20070075079A (ko) | Ｃｍｐ 연마용 슬러리 조성물 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X601 | Decision of rejection after re-examination |