JP2021528671A - 表示基板、その駆動方法、表示装置及び高精度メタルマスク - Google Patents

Abstract

本開示は、表示基板、その駆動方法、表示装置及び高精度メタルマスクを開示し、表示基板の表示領域は、画素分布密度が大きな第１表示サブ領域と画素分布密度が小さな第２表示サブ領域とを含む。第２表示サブ領域内の画素分布密度が小さいため、カメラなどの素子を第２表示サブ領域に設置することができ、つまり、局所の画素分布密度を低下させることで画面の光透過率を向上させる方式によって、表示基板の画面占有率を向上させる。

Description

本願は、２０１８年６月２０日に中国特許庁に提出した、出願番号が２０１８１０６３９８３２．６、発明の名称が「表示基板、その駆動方法、表示装置及び高精度メタルマスク」の中国特許出願の優先権を主張し、その全内容が引用により本願に組み込まれる。

本開示は、表示技術分野、特に表示基板、その駆動方法、表示装置及び高精度メタルマスクに関する。

表示技術の発展に伴い、全画面は、大きな画面占有率、極狭額縁を有するため、一般的な表示画面に比べて、視聴者の視覚効果を大幅に向上させるので、広く注目されている。現在、全画面を用いた携帯電話などの表示装置では、自分撮り、ビデオ通話及び指紋認識の機能を実現するために、表示装置の正面にフロントカメラ、ヘッドホン、指紋認識領域又は物理ボタンなどが設置されるのが一般的である。しかしながら、これら欠かせない機能性素子を設置することが画面占有率向上の制約因素の１つとなる。

本開示の実施例による表示基板であって、
前記表示基板の表示領域は、
第１表示サブ領域と、
第２表示サブ領域と、を備え、
前記第１表示サブ領域内の画素分布密度が前記第２表示サブ領域内の画素分布密度より大きい。

本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域の少なくとも一部の辺が前記表示領域の少なくとも一部の辺と重なり、且つ、前記第２表示サブ領域の残りの部分が前記第１表示サブ領域で囲まれているようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第１表示サブ領域と前記第２表示サブ領域は、行方向に配列され、又は前記第１表示サブ領域と前記第２表示サブ領域は、列方向に沿って配列されているようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第１表示サブ領域は、前記第２表示サブ領域を囲んで設置されるようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域は、円形状、水滴形状、矩形状及び台形状のうちの１種であるようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第１表示サブ領域と前記第２表示サブ領域は、連続した表示領域を形成し、且つ前記表示領域の形状が略矩形状であるようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域は、前記表示領域の隅部に位置するようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域の面積が前記第１表示サブ領域の面積より小さいようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第１表示サブ領域内には、隣接して設置された複数の第１画素ユニットと第２画素ユニットを含み、前記第１画素ユニットは、第１サブ画素と第２サブ画素を含み、前記第２画素ユニットは、第３サブ画素と第２サブ画素を含み、
前記第２表示サブ領域内には、複数の第３画素ユニットを含み、前記第３画素ユニットは、隣接して設置された第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素を含むようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域内のサブ画素は、前記第１表示サブ領域内のサブ画素の一部とは、同一行にあるようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域内のサブ画素は、前記第１表示サブ領域内のサブ画素の一部とは、同一列にあるようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域内の１つの前記第１サブ画素の発光面積が前記第１表示サブ領域内の１つの前記第１サブ画素の発光面積以上であり、
前記第２表示サブ領域内の１つの前記第２サブ画素の発光面積が前記第１表示サブ領域内の１つの前記第２サブ画素の発光面積以上であり、
前記第２表示サブ領域内の１つの前記第３サブ画素の発光面積が前記第１表示サブ領域内の１つの前記第３サブ画素の発光面積以上であるようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域内には、複数の前記第３画素ユニットは、マトリクス状に配列されるようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域内には、複数の前記第３画素ユニットは、チェッカーボード状に配列されるようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域内には、前記第３画素ユニットにおける前記第１サブ画素、前記第２サブ画素及び前記第３サブ画素は、同一行に順次設置されているようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域内の第３画素ユニットにおいて、前記第１サブ画素と前記第３サブ画素は、同一行に設置され、前記第２サブ画素は、前記第１サブ画素と前記第３サブ画素が位置する行に隣接する行にあるようにしてもよい。

本開示の実施例では、同一前記第３画素ユニットにおいて、前記第１サブ画素の中心と前記第３サブ画素の中心との接続線における前記第２サブ画素の中心の正投影が、前記第１サブ画素の中心と前記第３サブ画素の中心との間にあるようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域内には、行方向に沿って隣接する２つの第３画素ユニットにおけるサブ画素の配列順番が同じであり、列方向に沿って隣接する２つの第３画素ユニットにおけるサブ画素の配列順番が反対しているようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域内には、前記第３画素ユニットの各々におけるサブ画素の配列順番が同じであるようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域内には、同一列にある前記第３画素ユニットの各々におけるサブ画素の配列順番が同じであり、
隣接する２列にある前記第３画素ユニットにおけるサブ画素の配列順番が反対しているようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域内には、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、前記第３サブ画素の形状がほぼ一致しているようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域内には、１つの前記第２サブ画素の発光面積が１つの前記第１サブ画素の発光面積より小さく又はそれにほぼ等しく、１つの前記第２サブ画素の発光面積が１つの前記第３サブ画素の発光面積より小さく又はそれにほぼ等しいようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域内には、１つの前記第１サブ画素の発光面積が１つの前記第３サブ画素の発光面積にほぼ等しいようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第１表示サブ領域内には、前記第１画素ユニットと前記第２画素ユニットが列方向に交互して配列され、前記第１画素ユニットと前記第２画素ユニットが行方向に交互して配列されるようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第１画素ユニットにおいて、第２サブ画素と第１サブ画素が同一行に配列され、前記第２画素ユニットにおいて、第２サブ画素と第３サブ画素が同一行に配列され、
行方向に沿って隣接する第１画素ユニットと第２画素ユニットについて、前記第１画素ユニットにおける第２サブ画素と前記第２画素ユニットにおける第２サブ画素が直接隣接しないようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第１表示サブ領域内には、１つの前記第１サブ画素の発光面積、１つの前記第２サブ画素の発光面積及び１つの前記第３サブ画素の発光面積がほぼ同じであるようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第１画素ユニットにおいて、前記第２サブ画素と前記第１サブ画素が行をずらして配列され且つ列をずらして配列され、前記第２画素ユニットにおいて、前記第２サブ画素と前記第３サブ画素が同一行に配列され、
列方向に沿って隣接する第１画素ユニットと第２画素ユニットを１つの画素群とし、同一前記画素群には、前記第１画素ユニットにおける前記第２サブ画素と前記第２画素ユニットにおける前記第３サブ画素とが同一行に配列され、前記第１画素ユニットにおける前記第２サブ画素と前記第２画素ユニットにおける前記第２サブ画素が同一列にあるようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第１表示サブ領域内には、１つの前記第２サブ画素の発光面積が１つの前記第１サブ画素の発光面積以下であり、１つの前記第２サブ画素の発光面積が１つの前記第３サブ画素の発光面積以下であるようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記画素群では、同一前記画素群には、２つの前記第２サブ画素は、列方向に沿って隣接して設置され、且つ２つの前記第２サブ画素は、行方向に対して対称的に設置されるようにしてもよい。

本開示の実施例では、同一前記画素群には、前記第１サブ画素と前記第３サブ画素の形状がほぼ一致し、且つ２つの前記第２サブ画素の組み合わせの形状が前記第１サブ画素の形状とほぼ一致しているようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第１表示サブ領域内には、前記第１画素ユニットの各々におけるサブ画素の配列順番が同じであり、前記第２画素ユニットの各々におけるサブ画素の配列順番が同じであるようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域内の第１サブ画素と第３サブ画素のうち少なくとも１つのサブ画素の形状が、前記第１表示サブ領域内の第１サブ画素の形状とほぼ一致しているようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第１表示サブ領域内の第１サブ画素と第２サブ画素のうち１つのサブ画素の形状が、前記第２表示サブ領域内の第２サブ画素の形状とほぼ一致しているようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第１サブ画素の形状は、矩形状及び六角形のうちの少なくとも1種であるようにしてもよい。

それに対応して、本開示の実施例は、上記表示基板を備える表示装置をさらに提供する。

本開示の実施例では、前記表示装置は、前記表示基板を駆動するための駆動器をさらに備え、前記駆動器は、具体的には、
原画像データを受信し、
前記第１表示サブ領域内の各前記サブ画素について、原画像データにおいてそれに対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定し、
前記第２表示サブ領域内の各前記サブ画素について、前記サブ画素の発光面積、前記第２表示サブ領域の画素分布密度、及び原画像データにおいて該サブ画素が位置する領域に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定し、
その目標グレースケール値に基づいて表示するように、前記表示基板内の各サブ画素を駆動するようにしてもよい。

それに対応して、本開示の実施例は、上記表示基板を駆動する駆動方法をさらに提供し、該駆動方法は、
原画像データを受信するステップと、
前記第１表示サブ領域内の各前記サブ画素について、前記原画像データにおいて前記サブ画素に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップと、
前記第２表示サブ領域内の各前記サブ画素について、前記サブ画素の発光面積、前記第２表示サブ領域の画素分布密度、及び前記原画像データにおいて該サブ画素が位置する領域に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップと、
その目標グレースケール値に基づいて表示するように、前記表示基板内の各サブ画素を駆動するステップと、を含む。

本開示の実施例では、前記第１表示サブ領域内の各前記サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップでは、
前記第１サブ画素について、式

（式中、Ｇａｍｍａは、表示基板のガンマ値を表し、ｘ₁及びｘ₂は、それぞれ原画像データにおいて前記第１サブ画素に対応する２つの第１サブ画素の初期グレースケール値である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｘを決定し、
前記第２サブ画素の目標グレースケール値Ｙが原画像データにおいて前記第２サブ画素に対応する１つの第２サブ画素の初期グレースケール値ｙに等しく、
前記第３サブ画素について、式

（式中、ｚ₁及びｚ₂は、それぞれ原画像データにおいて前記第３サブ画素に対応する２つの第３サブ画素の初期グレースケール値である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｚを決定するようにしてもよい。

本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域内の各前記サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップでは、
前記サブ画素について、式

（式中、ｎは、１〜Ｎの任意の整数であり、Ｎは、前記原画像データにおいて前記サブ画素に対応するサブ画素の数であり、Ｇａｍｍａは、前記表示基板のガンマ値を表し、ｓは、前記第１表示領域における前記サブ画素の発光面積と前記第２表示サブ領域における前記サブ画素の発光面積との比を表し、ρは、前記第１表示サブ領域内の画素分布密度と前記第２表示サブ領域内の画素分布密度との比を表し、ｋは、誤差調整係数であり、ｘ_nは、前記原画像データにおいて前記サブ画素に対応するｎ番目のサブ画素の初期グレースケール値である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｘを決定するようにしてもよい。

それに対応して、本開示の実施例は、上記表示基板を製造するための高精度メタルマスクであって、前記第１サブ画素、第２サブ画素又は第３サブ画素の形状及び位置に対応する複数の開口領域を含む高精度メタルマスクをさらに提供する。

本開示の実施例による表示基板の構造模式図１である。 本開示の実施例による表示基板の構造模式図２である。 本開示の実施例による表示基板の構造模式図３である。 本開示の実施例による表示基板の構造模式図４である。 本開示の実施例による表示基板の構造模式図５である。 本開示の実施例による表示基板の構造模式図６である。 本開示の実施例による表示基板の構造模式図７である。 本開示の実施例による表示基板の構造模式図８である。 本開示の実施例による表示基板の構造模式図９である。 本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図１である。 本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図２である。 本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図３である。 本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図４である。 本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図５である。 本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図６である。 本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図７である。 本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図８である。 本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図９である。 本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図１０である。 本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図１１である。 本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図１２である。 本開示の実施例による表示基板の駆動方法の模式的フローチャートである。 本開示の実施例による表示基板を走査するときのデモンストレーション図である。 本開示の実施例による高精度メタルマスクの構造模式図である。

本開示の実施例は、表示基板、その駆動方法、表示装置及び高精度メタルマスクを提供する。本開示の目的、技術案及び利点をより明瞭にするために、以下、図面を参照しながら本開示をさらに詳細に説明するが、明らかなように、説明する実施例は、本開示の実施例の一部に過ぎず、すべての実施例ではない。本開示における実施例に基づいて、当業者が創造的な努力を必要とせずに想到しうるほかのすべての実施例は、本開示の特許範囲に属する。

図面における各部材の形状及びサイズが実際な割合ではなく、本開示の内容を模式的に説明するためのものに過ぎない。

本開示の実施例による表示基板では、図１ａ〜１ｉに示すように、表示基板の表示領域は、第１表示サブ領域Ａ１と第２表示サブ領域Ａ２を含み、第１表示サブ領域Ａ１内の画素分布密度が第２表示サブ領域Ａ２内の画素分布密度より大きい。

本開示の実施例による表示基板では、表示領域は、画素分布密度が大きな（即ち解像度が高い）第１表示サブ領域と画素分布密度が小さな（即ち解像度が低い）第２表示サブ領域として設置されている。第２表示サブ領域内の画素分布密度が小さいため、カメラなどの素子を第２表示サブ領域に設置することができ、つまり、局所の画素分布密度を低下させることで画面の光透過率を向上させる方式によって、表示基板の画面占有率を向上させる。

なお、画素分布密度とは、単位面積に均等に設置された画素の個数をいう。単位面積に設置された画素の個数が多いと、画素分布密度が大きくなり、解像度が高くなる。逆には、単位面積に設置された画素の個数が少ないと、画素分布密度が小さくなり、解像度が低くなる。

さらに、本開示の実施例では、画素分布密度の計算式は、具体的には、

（式中、ρは、画素分布密度を表し、ｘは、行方向における表示画素の数を表し、ｙは、列方向における表示画素の数を表し、Ｓは、画面面積を表す。）である。

特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、第２表示サブ領域は、１つ又は複数であってもよい。且つ、第１表示サブ領域は、連続した領域であってもよく、第１表示サブ領域は、連続していない領域であってもよく、実際の適用場面に応じて設計すればよく、ここで限定しない。

特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図１ａ〜図１ｇに示すように、第２表示サブ領域Ａ２の少なくとも一部の辺が表示領域の少なくとも一部の辺と重なり、且つ、第２表示サブ領域Ａ２の残りの部分が第１表示サブ領域Ａ１で囲まれている。このようにして、第２表示サブ領域Ａ２を表示領域の縁部に設置することができる。

特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図１ｈ〜図１ｉに示すように、第１表示サブ領域Ａ１は、第２表示サブ領域Ａ２を囲んで設置される。このようにして、第２表示サブ領域Ａ２を表示領域の内部に設置することができる。

さらに、特定の実施形態では、第２表示サブ領域Ａ２の形状を規則的な形状に設置してもよく、たとえば、図１ａ〜図１ｃに示すように、第２表示サブ領域Ａ２を矩形状に設置してもよい。該矩形状の頂角が直角であってもよく、アーク状の角であってもよい。図１ｄに示すように、第２表示サブ領域Ａ２を台形状に設置してもよい。該台形状の頂角が一般的な夾角であってもよく、アーク状の角であってもよい。図１ｈ及び図１ｉに示すように、第２表示サブ領域Ａ２を円形状に設置してもよい。言うまでもないが、第２表示サブ領域Ａ２の形状を非規則的な形状に設置してもよい。たとえば、図１ｅに示すように、第２表示サブ領域Ａ２を水滴形状に設置してもよい。勿論、実際に適用する場合、第２表示サブ領域の形状を第２表示サブ領域に設置された素子の形状に応じて設計してもよく、ここで限定しない。

本開示の実施例による表示基板において、図１ａ〜図１ｉに示すように、第１表示サブ領域Ａ１と第２表示サブ領域Ａ２は、連続した表示領域を形成し、且つ表示領域の形状が略矩形状であるようにしてもよい。このようにして、第１表示サブ領域Ａ１と第２表示サブ領域Ａ２を補完的な図形に形成することにより、連続した表示領域が形成される。さらに、たとえば、表示領域の頂角がすべて直角である場合、表示領域が矩形状となる。或いは、表示領域の頂角がアーチ状の角である場合、表示領域の形状が略矩形状となる。

特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、第１表示サブ領域と第２表示サブ領域との相対位置関係及び形状について限定がなく、表示基板の画面設計に応じて設置してもよい。携帯電話を例にすると、図１ａに示すように、第２表示サブ領域Ａ２が第１表示サブ領域Ａ１の左上隅に設置される。図１ｂに示すように、第２表示サブ領域Ａ２が第１表示サブ領域Ａ１の右上隅に設置される。図１ｃ〜図１ｅに示すように、第２表示サブ領域Ａ２が第１表示サブ領域Ａ１の中央よりも上側に設置される。図１ｆに示すように、第１表示サブ領域Ａ１と第２表示サブ領域Ａ２が行方向に沿って配列される。ここで、第２表示サブ領域Ａ２が第１表示サブ領域Ａ１の上側又は下側に位置するようにしてもよい。このようにして、第２表示サブ領域Ａ２が位置する領域には、センサ、たとえば、顔認識を行うセンサ（たとえば、赤外線センサなど）が設置されてもよい。図１ｇに示すように、第１表示サブ領域Ａ１と第２表示サブ領域Ａ２が列方向に沿って配列される。ここで、第２表示サブ領域Ａ２が第１表示サブ領域Ａ１の左側又は右側に位置するようにしてもよい。このようにして、第２表示サブ領域Ａ２が位置する領域には、センサ、たとえば、顔認識を行うセンサ（たとえば、赤外線センサなど）が設置されてもよい。図１ｈに示すように、第２表示サブ領域Ａ２が第１表示サブ領域Ａ１の中央に設置される。図１ｉに示すように、第２表示サブ領域Ａ２が表示領域の隅部、（たとえば、左上隅）に設置される。勿論、実際に適用する場合、第２表示サブ領域Ａ２の位置は、具体的には、実際の適用場面に応じて設計してもよく、ここで限定しない。

特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、第２表示サブ領域内の画素分布密度が第２表示サブ領域に設置されるべき素子及び表示のニーズに応じて決定され、ここで限定しない。たとえば、第２表示サブ領域にカメラが設置される場合を例にすると、画素分布密度が大きすぎると、良好な表示効果を確保できるが、撮像の明瞭さに悪影響を及ぼし、画素分布密度が小さすぎると、高い撮像の明瞭さを確保できるが、表示を損なう。特定の実施形態では、従来の表示基板により達成可能な解像度でも、一般には、第２表示サブ領域の画素分布密度が第１表示サブ領域の画素分布密度の１／４以上である。たとえば、第２表示サブ領域の画素分布密度が第１表示サブ領域の画素分布密度の１／２、１／３又は１／４である。勿論、表示基板の解像度をより高くすることができると、第２表示サブ領域の画素分布密度と第１表示サブ領域の画素分布密度との比を小さく設定することができる。

特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図１ａ〜図１ｉに示すように、第２表示サブ領域Ａ２の面積を第１表示サブ領域Ａ１の面積より小さくすることができる。勿論、実際に適用する場合、第２表示サブ領域の面積は、第２表示サブ領域に設置された素子に応じて設計してもよく、ここで限定しない。

一般に、表示領域には、画素ユニットが設置され、画素ユニットには、複数のサブ画素が設置され、本開示の実施例における画素とは、１つの画素点を独立して表示可能なサブ画素の組み合わせであってもよく、たとえば、１つの画素とは、１つの画素ユニットである。本開示の実施例による表示基板において、図２〜図１３に示すように、第１表示サブ領域Ａ１内には、隣接して設置された複数の第１画素ユニット１０と第２画素ユニット２０を含み、第１画素ユニット１０は、第１サブ画素１と第２サブ画素２を含み、第２画素ユニット２０は、第３サブ画素３と第２サブ画素２を含むようにしてもよい。表示する際に、第１表示サブ領域Ａ１内の画素の数が第１画素ユニット１０の数と第２画素ユニット２０の数との和に等しい。即ち、第１表示サブ領域Ａ１内の画素配列がＰａｎｔｉｌｅ配列であり、表示する際に、画素ユニットは、隣接する画素ユニットにおけるサブ画素を利用して、物理的解像度よりも高い解像度を実現できる。

第２表示サブ領域Ａ２内には、複数の第３画素ユニット３０を含み、第３画素ユニット３０は、隣接して設置された第１サブ画素１、第２サブ画素２及び第３サブ画素３を含む。表示する際に、第２表示サブ領域Ａ２内の画素の数が第３画素ユニット３０の数に等しい。即ち、第２表示サブ領域Ａ２内の画素の物理的解像度がその表示解像度となる。また、該実施例では、第２表示サブ領域内の第３画素ユニット３０の1種だけの配列方式を示しているが、ここで第２表示サブ領域Ａ２内の第３画素ユニット３０の分布密度には限定がない。

なお、画素ユニットは、１つの画素点を表示するサブ画素の組み合わせであってもよく、たとえば、赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素のうちの２個、３個、４個以上のサブ画素の組み合わせである。或いは、画素ユニットは、基本繰り返しユニット又は画素の組み合わせであってもよく、たとえば、赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素の組み合わせである。

特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、２つの画素ユニットが隣接するとは、該２つの画素ユニットの間にほかの画素ユニットが存在しないことをいう。２つのサブ画素が隣接して設置されるとは、該２つのサブ画素の間にほかのサブ画素が存在しないことをいう。

なお、本開示の実施例による表示基板において、表示サブ領域の縁部の空間が制限されるので、第１表示サブ領域内のサブ画素の配置及び第２表示サブ領域内のサブ画素の配置は、主に表示サブ領域の内部のことを意味し、表示領域の縁部では、一部のサブ画素の配置がほかの領域と異なる可能性があり、ここで限定しない。

特定の実施形態では、第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素は、一般に、それぞれ赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素のうちの1種である。本開示の実施例による表示基板において、第２サブ画素は、緑色サブ画素であり、第１サブ画素は、赤色又は青色サブ画素であり、第３サブ画素は、青色又は赤色サブ画素であるようにしてもよい。

本開示の実施例による表示基板において、図２〜図５に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内のサブ画素は、第１表示サブ領域Ａ１内のサブ画素の一部とは、同一行にあるようにしてもよい。このようにして、第２表示サブ領域Ａ２内のサブ画素が行方向において第１表示サブ領域Ａ１内のサブ画素とは行又は列をずらして設置されるのではなく、それに対応することに相当する。このようにして、製造をするときに、もともと表示領域全体に規則的に配列されたサブ画素マスクのうち第２表示サブ領域内のサブ画素の一部を省略することに相当し、製造プロセスがより容易になる。本開示の実施例による表示基板において、図６〜図１３に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内のサブ画素は、第１表示サブ領域Ａ１内のサブ画素の一部とは、同一列にあるようにしてもよい。このようにして、第２表示サブ領域Ａ２内のサブ画素は、列方向において第１表示サブ領域Ａ１内のサブ画素とは行又は列をずらして設置されるのではなく、それに対応することに相当する。このようにして、製造をするときに、もともと表示領域全体に規則的に配列されたサブ画素マスクのうち第２表示サブ領域内のサブ画素の一部を省略することに相当し、製造プロセスがより容易になる。たとえば、図２に示すように、第１表示サブ領域Ａ１に比べて第２表示サブ領域Ａ２が半分の第２サブ画素２を省略するため、その解像度が第１表示サブ領域Ａ１の１／２である。たとえば、図３に示すように、第１表示サブ領域Ａ１に比べて第２表示サブ領域Ａ２が３／４の第２サブ画素２、半分の第１サブ画素１及び半分の第３サブ画素３を省略するため、その解像度が第１表示サブ領域Ａ１の１／４である。

本開示の実施例による表示基板において、図２〜図８に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内の１つの第１サブ画素１の発光面積が第１表示サブ領域Ａ１内の１つの第１サブ画素１の発光面積にほぼ等しいようにしてもよい。第２表示サブ領域Ａ２内の１つの第３サブ画素３の発光面積が第１表示サブ領域Ａ１内の１つの第３サブ画素３の発光面積にほぼ等しい。図２〜図７に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内の１つの第２サブ画素２の発光面積が第１表示サブ領域Ａ１内の１つの第２サブ画素２の発光面積にほぼ等しい。

特定の実施形態では、第２表示サブ領域の画素分布密度が第１表示サブ領域の画素分布密度より小さいため、表示する際に、第２表示サブ領域の明るさが第１表示サブ領域の明るさよりも低くなり、それにより、第１表示サブ領域と第２表示サブ領域の境界部位に人間の目により視認可能な明らかな暗縞が生じる。該暗縞の現象を改善するために、本開示の実施例による表示基板において、図９〜図１３に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内の１つの第１サブ画素１の発光面積が第１表示サブ領域Ａ１内の１つの第１サブ画素１の発光面積より大きく、第２表示サブ領域Ａ２内の１つの第２サブ画素２の発光面積が第１表示サブ領域Ａ１内ｎ１つの第２サブ画素２の発光面積より大きく、第２表示サブ領域Ａ２内の１つの第３サブ画素３の発光面積が第１表示サブ領域Ａ１内の１つの第３サブ画素３の発光面積より大きいようにしてもよい。即ち、第２表示サブ領域Ａ２内のサブ画素の発光面積を増大することで第２表示サブ領域Ａ２と第１表示サブ領域Ａ１との明るさの差を低下させ、それにより第２表示サブ領域Ａ２と第１表示サブ領域Ａ１との境界での暗縞を改善する。

本開示の実施例による表示基板において、図２〜図５、図７〜図１０に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内には、複数の第３画素ユニット３０は、マトリクス状に配列されるようにしてもよい。

本開示の実施例による表示基板において、図６、図１１〜図１３に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内には、複数の第３画素ユニット３０は、チェッカーボード状に配列されるようにしてもよい。即ち、複数の第３画素ユニット３０は、行方向において１列おきに設置され、列方向において１行おきに設置され。たとえば、図６に示すように、奇数の行では、第３画素ユニット３０は、奇数の列の位置に設置され、偶数の行では、第３画素ユニット３０は、偶数の列の位置に設置され、それによって、第３画素ユニット３０は、行方向と列方向の両方において均等に分布しており、第２表示サブ領域Ａ２での明るさの均一性が確保される。また、たとえば、奇数の行では、第３画素ユニット３０は、偶数の列の位置に設置され、偶数の行では、第３画素ユニット３０は、奇数の列の位置に設置され、それによって、いずれか２つの第３画素ユニットの間に一定の間隔があり、間隔は、たとえば、行方向では少なくとも１つの第３画素ユニットの行方向の長さであり、列方向では少なくとも１つの第３画素ユニットの列方向の長さであり、本開示の実施例では、これについて限定しない。

本開示の実施例による表示基板において、図５及び図１０に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内の第３画素ユニット３０において、第１サブ画素１と第３サブ画素３は、同一行に設置され、第２サブ画素２は、第１サブ画素１と第３サブ画素３が位置する行に隣接する行にあるようにしてもよく、このようにして、第２サブ画素２と第１サブ画素１は、行をずらして設置される。たとえば、同一第３画素ユニット３０において、第１サブ画素１と第３サブ画素３は、１行目にあり、第２サブ画素２は、２行目にある。このようにして、同一第３画素ユニット３０における第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素の中心の接続線が三角形をなす。このようにして、第２表示サブ領域に横方向の明縞や暗縞が生じることを回避できる。

なお、本開示の実施例による表示パネルでは、サブ画素の中心とは、サブ画素の発光領域の中心である。ＯＬＥＤ表示パネルを例にすると、サブ画素は、一般に、陽極層、発光層及び陰極層から構成される積層構造を含み、表示する際に、該積層構造に対応する発光領域が該サブ画素の発光領域となる。このようにして、発光領域の占める面積を発光面積とすることができる。勿論、発光面積は、たとえば、画素画定層により限定された開口領域の占める面積としてもよく、ここで限定しない。

本開示の実施例による表示基板において、図５及び図１０に示すように、同一第３画素ユニット３０において、第１サブ画素１の中心と第３サブ画素３の中心との接続線Ｌ１における第２サブ画素２の中心の正投影が、第１サブ画素１の中心と第３サブ画素３の中心との間にあるようにしてもよい。たとえば、第１サブ画素１の中心と第３サブ画素３の中心との接続線Ｌ１における第２サブ画素２の中心の正投影が、接続線Ｌ１と直線Ｌ２の交差点にある。このようにして、第３画素ユニット３０における第２サブ画素２の中心と第１サブ画素１の中心との間隔が、第２サブ画素２の中心と第３サブ画素３の中心との間隔に等しくなり、それによりこの３個のサブ画素が二等辺三角形状に配列され、第２表示サブ領域Ａ２に縦方向の明縞や暗縞が生じることを回避する。

特定の実施形態では、第２サブ画素２の中心と第１サブ画素１の中心との間の間隔及び第２サブ画素２の中心と第３サブ画素３の中心との間隔が完全に同じではない可能性があり、実際のプロセスでは、プロセス条件による制限又はほかの因素、たとえば、配線又はビアの設置のため、偏差が生じることがなく、したがって、各サブ画素の形状、位置及び相対位置関係が上記条件を大体満足できれば、本開示の特許範囲に属する。

本開示の実施例による表示基板において、図２〜図４、図６〜図９、図１１〜図１３に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内には、第３画素ユニット３０における第１サブ画素１、第２サブ画素２及び第３サブ画素３は、同一行に設置されるようにしてもよい。或いは、同一列に設置されてもよく、ここで限定しない。

勿論、特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図２〜図４、図６〜図９、図１１〜図１３に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内には、第３画素ユニット３０において、第１サブ画素１、第２サブ画素２及び第３サブ画素３は、同一行に順次設置される。或いは、同一列に順次設置されてもよく、ここで限定しない。さらに、勿論、特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図２〜図４、図６〜図９、図１１〜図１３に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内には、第３画素ユニット３０において、第１サブ画素１、第２サブ画素２及び第３サブ画素３は、同一行に順次隣接して設置され、或いは、同一列に順次隣接して設置されてもよく、ここで限定しない。

本開示の実施例による表示基板において、図２、如４〜図６、図１２に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内には、行方向に沿って隣接する２つの第３画素ユニット３０におけるサブ画素の行方向での配列順番が同じであり、列方向に沿って隣接する２つの第３画素ユニット３０におけるサブ画素の行方向での配列順番が反対しているようにしてもよい。それによって、第２表示サブ領域Ａ２内には、列方向において第１サブ画素１と第３サブ画素３が交互して配列され、列方向での色偏りの発生が抑えられる。たとえば、図２に示すように、１行目の第３画素ユニット３０を例とすると、行方向において、隣接する２つの第３画素ユニット３０における第１サブ画素１、第２サブ画素２、第３サブ画素３は、いずれも左から右へ順次配列される。１列目の第３画素ユニット３０を例とすると、列方向において、奇数の行にある第３画素ユニット３０における第１サブ画素１、第２サブ画素２、第３サブ画素３は、いずれも左から右へ順次配列される。偶数の行にある第３画素ユニット３０における第３サブ画素３、第２サブ画素２、第１サブ画素１は、いずれも左から右へ順次配列される。たとえば、図５に示すように、１行目の第３画素ユニット３０を例とすると、行方向において、隣接する２つの第３画素ユニット３０における第１サブ画素１、第３サブ画素３、第２サブ画素２は、いずれも逆三角形状に配列される。１列目の第３画素ユニット３０を例とすると、列方向において、奇数の行にある第３画素ユニット３０における第１サブ画素１、第３サブ画素３、第２サブ画素２は、いずれも逆三角形状に配列される。偶数の行にある第３画素ユニット３０における第３サブ画素３、第１サブ画素１、第２サブ画素２は、いずれも逆三角形状に配列される。

特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図２、図７〜図１１に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内には、第３画素ユニットの各々におけるサブ画素の配列順番が同じであるようにすることができる。

特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図１３に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内には、同一列にある第３画素ユニット３０の各々におけるサブ画素の配列順番が同じであり、且つ隣接する２列にある第３画素ユニット３０におけるサブ画素の配列順番が反対している。たとえば、奇数の列にある第３画素ユニット３０の各々における第１サブ画素１、第２サブ画素２、第３サブ画素３は、いずれも左から右へ順次配列される。偶数の列にある第３画素ユニット３０の各々における第３サブ画素３、第２サブ画素２、第１サブ画素１は、いずれも左から右へ順次配列される。

特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図２〜図６及び図８〜図１３に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内には、第１サブ画素１、第２サブ画素２、第３サブ画素３の形状がほぼ一致している。

特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、第２表示サブ領域内には、１つの第２サブ画素の発光面積が１つの第１サブ画素の発光面積より小さく又はそれにほぼ等しく、１つの第２サブ画素の発光面積が１つの第３サブ画素の発光面積より小さく又はそれにほぼ等しい。たとえば、図２〜図６に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内には、１つの第２サブ画素２の発光面積が１つの第１サブ画素１の発光面積にほぼ等しく、１つの第２サブ画素２の発光面積が１つの第３サブ画素３の発光面積にほぼ等しい。図７〜図１３に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内には、１つの第２サブ画素２の発光面積が１つの第１サブ画素１の発光面積より小さく、１つの第２サブ画素２の発光面積が１つの第３サブ画素３の発光面積より小さい。勿論、第２表示サブ領域における１つの第２サブ画素の発光面積、１つの第１サブ画素の発光面積及び１つの第３サブ画素の発光面積の関係については、実際の適用場面に応じて設計してもよく、ここで限定しない。

特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図２〜図１３に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内には、１つの第１サブ画素１の発光面積が１つの第３サブ画素３の発光面積にほぼ等しい。

本開示の実施例による表示基板において、図２〜図１３に示すように、第１表示サブ領域Ａ１内には、第１画素ユニット１０と第２画素ユニット２０は、いずれか１種のＰａｎｔｉｌｅ配列方式で配列されるようにしてもよく、ここで限定しない。

本開示の実施例による表示基板において、図２〜図１３に示すように、第１表示サブ領域Ａ２内には、第１画素ユニット１０と第２画素ユニット２０が列方向に交互して配列され、第１画素ユニット１０と第２画素ユニット２０が行方向に交互して配列されるようにしてもよい。

本開示の実施例による表示基板において、図２〜図６に示すように、第１表示サブ領域Ａ１内には、第１画素ユニット１０において、第２サブ画素２と第１サブ画素１が同一行に配列され、第２画素ユニット２０において、第２サブ画素２と第３サブ画素３が同一行に配列されるようにしてもよい。且つ、行方向に沿って隣接する第１画素ユニット１０及び第２画素ユニット２０の場合、第１画素ユニット１０における第２サブ画素２と第２画素ユニット２０における第２サブ画素２が直接隣接しない。たとえば、行方向に沿って隣接する第１画素ユニット１０及び第２画素ユニット２０の場合、第１画素ユニット１０における第２サブ画素２と第２画素ユニット２０における第２サブ画素との間には、第３サブ画素３が挟まれている。勿論、上記実施形態は、ほかの方式で実施されてもよいが、ここで詳しく説明しない。

さらに、本開示の実施例による表示基板において、図２〜図６に示すように、第１表示サブ領域Ａ２内には、１つの第１サブ画素１の発光面積、１つの第２サブ画素２の発光面積及び１つの第３サブ画素３の発光面積がほぼ同じであってもよい。

本開示の実施例による表示基板において、図７〜図１３に示すように、第１表示サブ領域Ａ１内には、第１画素ユニット１０において、第２サブ画素２と第１サブ画素１が行をずらして配列され且つ列をずらして配列され、第２画素ユニット２０において第２サブ画素２と第３サブ画素３が同一行に配列ようにしてもよい。且つ、列方向に沿って隣接する第１画素ユニット１０と第２画素ユニット２０を１つの画素群１００とし、同一画素群１００には、第１画素ユニット１０における第２サブ画素２と第２画素ユニット２０における第３サブ画素３とが同一行に配列され、且つ第１画素ユニット１０における第２サブ画素２と第２画素ユニット２０における第２サブ画素２が同一列にある。

さらに、本開示の実施例による表示基板において、図７〜図１２に示すように、同一画素群１００には、２つの第２サブ画素２は、列方向に沿って隣接して設置され、且つ２つの第２サブ画素２は、行方向に対して対称的に設置され、即ち、同一画素群１００における２つの第２サブ画素２は、ミラーリングして設置される。さらに、第１表示サブ領域Ａ１内には、第２サブ画素２が緑色サブ画素である場合、２つの第２サブ画素２の発光面積が１つの第１サブ画素１の発光面積より小さく、且つ２つの第２サブ画素２の発光面積が１つの第３サブ画素３の面積より小さく、それは、緑色サブ画素の発光効率がほかの色のサブ画素の発光効率より高いからである。

本開示の実施例による表示基板において、図２〜図１３に示すように、第１表示サブ領域内には、第１画素ユニット１０の各々におけるサブ画素の配列順番が同じであり、第２画素ユニット２０の各々におけるサブ画素の配列順番が同じであるようにしてもよい。たとえば、図２〜図６に示すように、第１画素ユニット１０の各々における第１サブ画素１、第２サブ画素２は、いずれも左から右へ順次配列される。第２画素ユニット２０の各々における第３サブ画素３、第２サブ画素２は、いずれも左から右へ順次配列される。図７〜図１３に示すように、第２画素ユニット２０の各々における第３サブ画素３、第２サブ画素２は、いずれも左から右へ順次配列される。第１画素ユニット１０の各々における第１サブ画素１、第２サブ画素２は、いずれも左上から右下への方向に順次配列される。

本開示の実施例による表示基板において、第１表示サブ領域内には、１つの第２サブ画素の発光面積が１つの第１サブ画素の発光面積以下であり、１つの第２サブ画素の発光面積が１つの第３サブ画素の発光面積以下であるようにしてもよい。たとえば、図２〜図６に示すように、第１表示サブ領域Ａ１内には、１つの第２サブ画素２の発光面積が１つの第１サブ画素１の発光面積にほぼ等しく、１つの第２サブ画素２の発光面積が１つの第３サブ画素３の発光面積にほぼ等しい。図７〜図１３に示すように、第１表示サブ領域Ａ１内には、１つの第２サブ画素２の発光面積が１つの第１サブ画素１の発光面積より小さく、１つの第２サブ画素２の発光面積が１つの第３サブ画素３の発光面積より小さい。それは、第１表示サブ領域Ａ１内には、第１サブ画素１の数が第３サブ画素３の数と同じである一方、第２サブ画素２の数が第１サブ画素１の１倍であるため、第２サブ画素２の発光面積を小さくすることができるからである。

本開示の実施例による表示基板において、図２〜図１３に示すように、第１表示サブ領域Ａ１内には、１つの第１サブ画素１の発光面積が１つの第３サブ画素３の発光面積にほぼ等しいようにしてもよい。

具体的には、本開示の実施例による表示基板において、第１表示サブ領域内には、第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素の形状について限定がなく、規則的な形状としてもいし、非規則的な形状としてもよい。特定の実施形態では、一般に、プロセスの実現しやすさから、規則的な形状が好適である。

具体的には、本開示の実施例による表示基板において、第２表示サブ領域内には、第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素の形状について限定がなく、規則的な形状としてもいし、非規則的な形状としてもよい。特定の実施形態では、一般に、プロセスの実現しやすさから、規則的な形状が好適である。

本開示の実施例による表示基板において、図７〜図１２に示すように、同一画素群１００には、第１サブ画素１と第３サブ画素３の形状が一致し、且つ２つの第２サブ画素２の組み合わせの形状が第１サブ画素１或いは第３サブ画素３の形状と一致するようにしてもよい。

本開示の実施例による表示基板において、第１サブ画素の形状は、矩形状及び六角形のうちの少なくとも1種であるようにしてもよい。たとえば、図２〜図６に示すように、第１表示サブ領域Ａ１及び第２表示サブ領域Ａ２のいずれの場合にも、第１サブ画素１の形状が矩形状である。図７〜図１２に示すように、第１表示サブ領域Ａ１及び第２表示サブ領域Ａ２のいずれの場合にも、第１サブ画素１の形状が六角形である。勿論、第１サブ画素の形状は、丸みを帯びたパターン形、或いは楕円形状などとしてもよく、ここで限定しない。

本開示の実施例による表示基板において、図７〜図１２に示すように、第１表示サブ領域Ａ１内には、第１サブ画素１及び第３サブ画素３のいずれの形状も六角形であり、２つの第２サブ画素２を組み合わせた後の形状が１つの六角形となるようにしてもよい。

本開示の実施例による表示基板において、第２表示サブ領域内の第１サブ画素と第３サブ画素のうち少なくとも１つのサブ画素の形状が、第１表示サブ領域内の第１サブ画素の形状とほぼ一致しているようにしてもよい。たとえば、図２〜図１３に示すように、第２表示サブ領域Ａ２における第１サブ画素１の形状と第１表示サブ領域Ａ１における第１サブ画素１の形状がほぼ一致している。図２〜図１３に示すように、第２表示サブ領域Ａ２における第３サブ画素３の形状と第１表示サブ領域Ａ１における第１サブ画素１の形状がほぼ一致している。図２〜図１３に示すように、第２表示サブ領域Ａ２における第１サブ画素１の形状と第３サブ画素３の形状は、それぞれ第１表示サブ領域Ａ１における第１サブ画素１の形状とほぼ一致している。

本開示の実施例による表示基板において、第１表示サブ領域内の第１サブ画素と第２サブ画素における1種のサブ画素の形状が、第２表示サブ領域内の第２サブ画素の形状とほぼ一致しているようにしてもよい。たとえば、図２〜図６及び図８〜図１３に示すように、第１表示サブ領域Ａ１における第１サブ画素１の形状と第２表示サブ領域Ａ２における第２サブ画素２の形状がほぼ一致している。図７に示すように、第１表示サブ領域Ａ１における第２サブ画素２の形状と第２表示サブ領域Ａ２における第２サブ画素２の形状がほぼ一致している。

なお、同じサブ領域内の各第１サブ画素１、各第２サブ画素２、各第３サブ画素３の形状がほぼ一致している場合を例とすると、この３種類のサブ画素の形状がほぼ一致し、この場合、この３種類のサブ画素の発光面積が異なってもよい。たとえば、図１０に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内には、第２サブ画素２の発光面積が第１サブ画素１の発光面積より小さく、且つ第２サブ画素２の発光面積が第３サブ画素３の発光面積より小さい。且つ、実際に適用する場合、たとえば、青色サブ画素の発光面積＞赤色サブ画素の発光面積＞緑色サブ画素の発光面積、或いは青色サブ画素の発光面積＞緑色サブ画素の発光面積＞赤色サブ画素の発光面積という実施形態に基づいて設置してもよく、ここで限定しない。

なお、本開示の実施例による表示基板において、サブ画素の形状とは、サブ画素の発光領域の形状をいう。

本開示の実施例による表示基板において、図７〜図１２に示すように、第１表示サブ領域Ａ１内には、第２サブ画素２が緑色サブ画素である場合、２つの第２サブ画素２の発光面積が１つの第１サブ画素１の面積より小さく、且つ２つの第２サブ画素２の発光面積が１つの第３サブ画素３の面積より小さいようにしてもよく、それは、緑色サブ画素の発光効率がほかの色のサブ画素の発光効率より高いからである。

本開示の実施例による表示基板において、図７〜図１２に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内には、第２サブ画素２が緑色サブ画素である場合、第２サブ画素２の発光面積が第１サブ画素１の発光面積より小さく、第２サブ画素２の発光面積が第３サブ画素３の発光面積より小さいようにしてもよい。

特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板は、表示する際に、一般に、第１表示サブ領域内の行を単位として行ごとに走査する。たとえば、図１５に示すように、第１表示サブ領域Ａ１と第２表示サブ領域Ａ２が行方向に沿って隣接する場合、ゲート駆動回路ＧＯＡ１〜ＧＯＡ５が行ごとに信号を出力し、一方、第２表示サブ領域Ａ２内には、ＧＯＡ１、ＧＯＡ３及びＧＯＡ５出力信号だけが必要とされる。

同じ発明構想に基づいて、本開示の実施例は、上記いずれか１つの表示基板を駆動する駆動方法をさらに提供し、図１４に示すように、該駆動方法は、
原画像データを受信するＳ１３０１と、
第１表示サブ領域内の各サブ画素について、原画像データにおいて該サブ画素に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定し、第２表示サブ領域内の各サブ画素について、サブ画素の発光面積、第２表示サブ領域の画素分布密度、及び原画像データにおいて該サブ画素が位置する領域に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するＳ１３０２と、
その目標グレースケール値に基づいて表示するように、表示基板内の各サブ画素を駆動するＳ１３０３と、を含む。

具体的には、第１表示サブ領域内のサブ画素に対しては、第１表示サブ領域内の１つの物理画素が画像データにおける１つの画素に対応する場合、一般に、サブ画素の目標グレースケール値がその初期グレースケール値である。第１表示領域内の物理画素が画像データにおける画素の数より小さい場合、表示する際に、サブ画素を借りる関係が生じ、このため、１つのサブ画素は、画像データにおける２つ以上の画素に対応することができ、したがって、サブ画素の目標グレースケール値は、原画像データにおいてそれに対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて換算する必要がある。

第２表示サブ領域内の各サブ画素に対しては、解像度が低いため、表示する際に、１つの物理画素が画像データにおける１つの画素に対応し、一般的には、サブ画素の目標グレースケール値がその初期グレースケール値である。しかしながら、このような場合には、第２表示サブ領域の解像度が低いため、初期グレースケール値に基づいて直接表示すると、第２表示サブ領域と第１表示サブ領域内の明るさには大きな差が生じて、その結果として第２表示サブ領域と第１表示サブ領域との境界に明らかな暗縞が発生するという問題がある。この問題を解決するために、本開示の実施例による駆動器は、サブ画素の発光面積、第２表示サブ領域の画素分布密度に基づいて、第２表示サブ領域内のサブ画素のグレースケールを調整する。たとえば、サブ画素の発光面積が大きいほど、第２表示サブ領域全体の明るさが高くなり、また、第２表示サブ領域に分布しているサブ画素の数が多いほど、第２表示サブ領域全体の明るさが高くなる。

なお、１つの物理画素は、一般に、少なくともＲＧＢの３個のサブ画素を含む。

特定の実施形態では、第１表示サブ領域内には、画素配列がＰａｎｔｉｌｅ配列である場合、第１サブ画素及び第３サブ画素が借りられるため、表示する際に、一般に、１つの第１サブ画素は、画像データにおける２つの画素に対応し、１つの第３サブ画素は、画像データにおける２つの画素に対応し、第２サブ画素が借りられないので、１つの第２サブ画素は、一般に、画像データにおける１つの画素に対応する。

このため、本開示の実施例による駆動方法では、第１表示サブ領域内の各サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップは、具体的には、
第１サブ画素について、式

（式中、Ｇａｍｍａは、表示基板のガンマ値を表し、ｘ₁及びｘ₂は、それぞれ原画像データにおいて第１サブ画素に対応する２つの第１サブ画素の初期グレースケール値である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｘを決定することと、
第２サブ画素の目標グレースケール値Ｙが原画像データにおいて第２サブ画素に対応する１つの第２サブ画素の初期グレースケール値ｙに等しいことと、
第３サブ画素について、式

（式中、ｚ₁及びｚ₂は、それぞれ原画像データにおいて第３サブ画素に対応する２つの第３サブ画素の初期グレースケール値である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｚを決定することを、含むようにしてもよい。

特定の実施形態では、第２表示サブ領域と第１表示サブ領域との境界に生じる暗縞を改善するために、第２表示サブ領域の明るさを適切に調整できる。明るさは、発光面積及び画素分布密度のいずれにも比例する。

このため、本開示の実施例による駆動方法では、第２表示サブ領域内の各サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップは、具体的には、
サブ画素について、式

（式中、ｎは、１〜Ｎの任意の整数であり、Ｎは、原画像データにおいてサブ画素に対応するサブ画素の数であり、Ｇａｍｍａは、表示基板のガンマ値を表し、ｓは、サブ画素の第１表示領域内の発光面積とサブ画素の第２表示サブ領域内の発光面積との比を表し、ρは、第１表示サブ領域内の画素分布密度と第２表示サブ領域内画素分布密度との比を表し、ｋは、誤差調整係数であり、ｘ_nは、原画像データにおいてサブ画素に対応するｎ番目のサブ画素の初期グレースケール値である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｘを決定することを含むようにしてもよい。

特定の実施形態では、誤差調整係数ｋは、表示基板の実際の表示効果に応じて調整することができ、ここで限定しない。

特定の実施形態では、第２表示サブ領域内には、単位面積あたりｍ個の第３画素ユニットがあり、対応領域の画像データにはｊ個の画素があるとすれば、１つの第３画素ユニットは、画像データにおけるｊ／ｍ個の画素に対応し、即ち、Ｎ＝ｊ／ｍである。サブ画素の目標グレースケールを決定するときに、該サブ画素の目標グレースケール値は、それに対応するＮ個のサブ画素のうちのいずれか１つ又は複数のサブ画素に基づいて決定できる。たとえば、Ｎ＝４の場合、１つのサブ画素は、それに対応する画像データにおける４個のサブ画素のうちのいずれか１つ又は複数のサブ画素の初期グレースケール値に基づいて決定できる。たとえば、そのうちの１つのサブ画素の初期グレースケール値に基づいて決定する場合、

（ここで、ｘ_iは、４個のサブ画素のうちのいずれか１つのサブ画素の初期グレースケール値を表す。）である。たとえば、そのうちの２つのサブ画素の初期グレースケール値に基づいて決定する場合、

（ここで、ｘ₁及びｘ₂は、４個のサブ画素のうちいずれか２つのサブ画素の初期グレースケール値を表す。）である。たとえば、そのうちの３個のサブ画素の初期グレースケール値に基づいて決定する場合、

（ここで、ｘ₁、ｘ₂及びｘ₃は、４個のサブ画素のうちいずれか３個のサブ画素の初期グレースケール値を表す。）である。たとえば、４個のサブ画素の初期グレースケール値に基づいて決定する場合、

（ここで、ｘ₁、ｘ₂、ｘ₃及びｘ₄は、４個のサブ画素の初期グレースケール値を表す。）である。

同じ発明構想に基づいて、本開示の実施例は、本開示の実施例による上記いずれか１つの表示基板を備える表示装置をさらに提供する。該表示装置は、携帯電話、タブレット、テレビ、モニター、ラップトップパソコン、デジタルフォトフレーム、ナビゲーターなど、表示機能を有する任意の製品又は部材であってもよい。該表示装置の実施については、上記表示基板の実施例を参照すればよく、ここで重複説明を省略する。

本開示の実施例による表示装置では、該表示基板を駆動するための駆動器をさらに備えるようにしてもよく、前記表示基板の駆動器は、たとえば、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉ、集積回路）、或いは外付けＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ、中央処理装置）、マイクロプロセッサなどとしてもよい。駆動器は、具体的には、
原画像データを受信し、
第１表示サブ領域内の各サブ画素について、原画像データにおいてそれに対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定し、第２表示サブ領域内の各サブ画素について、サブ画素の発光面積、第２表示サブ領域の画素分布密度、及び原画像データにおいて該サブ画素が位置する領域に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定し、
その目標グレースケール値に基づいて表示するように、表示基板内の各サブ画素を駆動する。

本開示の実施例による表示装置では、駆動器は、下記方法によって第１表示サブ領域内の各サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するようにしてもよく、具体的には、
第１表示領域内の第１サブ画素について、式

（式中、Ｇａｍｍａは、表示基板のガンマ値を表し、Ｇａｍｍａは、一般に、２．２であり、ｘ₁及びｘ₂は、それぞれ原画像データにおいて第１サブ画素に対応する２つの第１サブ画素の初期グレースケール値である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｘを決定し、
第２サブ画素の目標グレースケール値Ｙが原画像データにおいて第２サブ画素に対応する１つの第２サブ画素の初期グレースケール値ｙに等しく、
第１表示領域内の第３サブ画素について、式

（式中、ｚ₁及びｚは₂は、それぞれ原画像データにおいて第３サブ画素に対応する２つの第３サブ画素の初期グレースケール値である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｚを決定する。

特定の実施形態では、第２表示サブ領域と第１表示サブ領域との境界に生じる暗縞を改善するために、第２表示サブ領域の明るさを適切に調整できる。明るさは、発光面積及び画素分布密度のいずれにも比例する。

このため、本開示の実施例による表示装置では、駆動器は、下記方法によって第２表示サブ領域内の各サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するようにしてもよく、具体的には、
サブ画素について、式

（式中、ｎは、１〜Ｎの任意の整数であり、Ｎは、原画像データにおいてサブ画素に対応するサブ画素の数であり、Ｇａｍｍａは、表示基板のガンマ値を表し、ｓは、サブ画素の第１表示領域内の発光面積とサブ画素の第２表示サブ領域内の発光面積との比を表し、ρは、第１表示サブ領域内の画素分布密度と第２表示サブ領域内画素分布密度との比を表し、ｋは、誤差調整係数であり、ｘ_nは、原画像データにおいてサブ画素に対応するｎ番目のサブ画素の初期グレースケール値である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｘを決定する。

特定の実施形態では、誤差調整係数ｋは、表示基板の実際の表示効果に応じて調整することができ、ここで限定しない。

具体的には、本開示の実施例による駆動方法については、上記表示装置における駆動器の実施を参照すればよく、ここで詳しく説明しない。

特定の実施形態では、本開示の実施例による表示装置では、駆動器は、各サブ領域内のサブ画素の目標グレースケール値のアルゴリズムのすべてをＩＣに集積させている。表示する際に、駆動器は、受信した画像データに基づいて各サブ画素に対応する目標グレースケール値を決定し、目標グレースケール値に基づいて表示するように表示基板を駆動する。

さらに、表示基板は、目標グレースケール値に基づいて表示する前に、明るさの均一性を向上させるために、通常Ｄｅｍｕｒａアルゴリズム処理を行う。Ｄｅｍｕｒａアルゴリズムとしては、具体的には、従来技術を参照すればよく、ここで詳しく説明しない。

同じ発明構想に基づいて、本開示の実施例は、本開示の実施例による上記いずれか１つの表示基板を製造するための高精度メタルマスクをさらに提供し、該高精度メタルマスクは、第１サブ画素、第２サブ画素又は第３サブ画素の形状及び位置に対応する複数の開口領域を含む。

特定の実施形態では、サブ画素は、一般に、陽極層、発光層及び陰極層を含み、発光層は、一般に、上記高精度メタルマスクを用いて蒸着するものである。図１２に示した表示基板を例にすると、第１サブ画素を形成するための高精度メタルマスクでは、図１６に示すように、開口領域０１は、表示基板の第１サブ画素１の発光層の形状及び位置に対応する。且つ、プロセスによる制限のため、開口領域０１の面積は、一般に、対応する発光層の面積より大きい。第２サブ画素を形成するための高精度メタルマスク及び第３サブ画素を形成するための高精度メタルマスクの原理は、第１サブ画素と類似したため、ここで詳しく説明しない。

本開示の実施例による上記表示基板、その駆動方法、表示装置及び高精度メタルマスクでは、表示領域は、画素分布密度が大きな（即ち解像度が高い）第１表示サブ領域と画素分布密度が小さな（即ち解像度が低い）第２表示サブ領域として設置されている。第２表示サブ領域内の画素分布密度が小さいため、カメラなどの素子を第２表示サブ領域に設置することができ、つまり、局所の画素分布密度を低下させることで画面の光透過率を向上させる方式によって、表示基板の画面占有率を向上させる。且つ、該表示基板が駆動されるとき、第２表示サブ領域内のサブ画素の発光面積と画素分布密度が第２表示サブ領域のサブ画素のグレースケール値を調整するので、第１表示サブ領域と第２表示サブ画素の画素分布密度のムラによる第２表示サブ領域と第１表示サブ領域内の明るさの大きな差異を補償し、それにより第２表示サブ領域と第１表示サブ領域との境界に存在する暗縞を減少させ、全画面での均一な表示を実現する。

勿論、当業者であれば、本開示の精神及び範囲から逸脱することなく本開示について様々な変化及び変形をすることができる。このため、本開示のこのような修正及び変形が本開示の特許請求の範囲及びその等同技術の範囲に属すると、本開示は、これら変化及び変形を含むことを意図する。

Claims (40)

1. 表示基板であって、
   前記表示基板の表示領域は、
   第１表示サブ領域と、
   第２表示サブ領域と、を備え、
   前記第１表示サブ領域内の画素分布密度が前記第２表示サブ領域内の画素分布密度より大きい表示基板。
2. 前記第２表示サブ領域の少なくとも一部の辺が前記表示領域の少なくとも一部の辺と重なり、且つ、前記第２表示サブ領域の残りの部分が前記第１表示サブ領域で囲まれている請求項１に記載の表示基板。
3. 前記第１表示サブ領域と前記第２表示サブ領域は、行方向に配列され、又は前記第１表示サブ領域と前記第２表示サブ領域は、列方向に沿って配列されている請求項２に記載の表示基板。
4. 前記第１表示サブ領域は、前記第２表示サブ領域を囲んで設置される請求項１に記載の表示基板。
5. 前記第２表示サブ領域は、円形状、水滴形状、矩形状及び台形状のうちの１種である請求項１に記載の表示基板。
6. 前記第１表示サブ領域と前記第２表示サブ領域は、連続した表示領域を形成し、且つ前記表示領域の形状が略矩形状である請求項１に記載の表示基板。
7. 前記第２表示サブ領域は、前記表示領域の隅部に位置する請求項６に記載の表示基板。
8. 前記第２表示サブ領域の面積が前記第１表示サブ領域の面積より小さい請求項１に記載の表示基板。
9. 前記第１表示サブ領域内には、隣接して設置された複数の第１画素ユニットと第２画素ユニットを含み、前記第１画素ユニットは、第１サブ画素と第２サブ画素を含み、前記第２画素ユニットは、第３サブ画素と第２サブ画素を含み、
   前記第２表示サブ領域内には、複数の第３画素ユニットを含み、前記第３画素ユニットは、隣接して設置された第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素を含む請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の表示基板。
10. 前記第２表示サブ領域内のサブ画素は、前記第１表示サブ領域内のサブ画素の一部とは、同一行にある請求項９に記載の表示基板。
11. 前記第２表示サブ領域内のサブ画素は、前記第１表示サブ領域内のサブ画素の一部とは、同一列にある請求項９に記載の表示基板。
12. 前記第２表示サブ領域内の１つの前記第１サブ画素の発光面積が前記第１表示サブ領域内の１つの前記第１サブ画素の発光面積以上であり、
    前記第２表示サブ領域内の１つの前記第２サブ画素の発光面積が前記第１表示サブ領域内の１つの前記第２サブ画素の発光面積以上であり、
    前記第２表示サブ領域内の１つの前記第３サブ画素の発光面積が前記第１表示サブ領域内の１つの前記第３サブ画素の発光面積以上である請求項９に記載の表示基板。
13. 前記第２表示サブ領域内には、複数の前記第３画素ユニットは、マトリクス状に配列される請求項９に記載の表示基板。
14. 前記第２表示サブ領域内には、複数の前記第３画素ユニットは、チェッカーボード状に配列される請求項９に記載の表示基板。
15. 前記第２表示サブ領域内には、前記第３画素ユニットにおける前記第１サブ画素、前記第２サブ画素及び前記第３サブ画素は、同一行に順次設置されている請求項９に記載の表示基板。
16. 前記第２表示サブ領域内の第３画素ユニットにおいて、前記第１サブ画素と前記第３サブ画素は、同一行に設置され、前記第２サブ画素は、前記第１サブ画素と前記第３サブ画素が位置する行に隣接する行にある請求項９に記載の表示基板。
17. 同一前記第３画素ユニットにおいて、前記第１サブ画素の中心と前記第３サブ画素の中心との接続線における前記第２サブ画素の中心の正投影が、前記第１サブ画素の中心と前記第３サブ画素の中心との間にある請求項１６に記載の表示基板。
18. 前記第２表示サブ領域内には、行方向に沿って隣接する２つの第３画素ユニットにおけるサブ画素の配列順番が同じであり、列方向に沿って隣接する２つの第３画素ユニットにおけるサブ画素の配列順番が反対している請求項９ないし請求項１７のいずれか１項に記載の表示基板。
19. 前記第２表示サブ領域内には、前記第３画素ユニットの各々におけるサブ画素の配列順番が同じである請求項９ないし請求項１７のいずれか１項に記載の表示基板。
20. 前記第２表示サブ領域内には、同一列にある前記第３画素ユニットの各々におけるサブ画素の配列順番が同じであり、
    隣接する２列にある前記第３画素ユニットにおけるサブ画素の配列順番が反対している請求項９ないし請求項１７のいずれか１項に記載の表示基板。
21. 前記第２表示サブ領域内には、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、前記第３サブ画素の形状がほぼ一致している請求項９ないし請求項２０のいずれか１項に記載の表示基板。
22. 前記第２表示サブ領域内には、１つの前記第２サブ画素の発光面積が１つの前記第１サブ画素の発光面積より小さく又はそれにほぼ等しく、１つの前記第２サブ画素の発光面積が１つの前記第３サブ画素の発光面積より小さく又はそれにほぼ等しい請求項２１に記載の表示基板。
23. 前記第２表示サブ領域内には、１つの前記第１サブ画素の発光面積が１つの前記第３サブ画素の発光面積にほぼ等しい請求項２２に記載の表示基板。
24. 前記第１表示サブ領域内には、前記第１画素ユニットと前記第２画素ユニットが列方向に交互して配列され、前記第１画素ユニットと前記第２画素ユニットが行方向に交互して配列される請求項９ないし請求項２３のいずれか１項に記載の表示基板。
25. 前記第１画素ユニットにおいて、第２サブ画素と第１サブ画素が同一行に配列され、前記第２画素ユニットにおいて、第２サブ画素と第３サブ画素が同一行に配列され、
    行方向に沿って隣接する第１画素ユニットと第２画素ユニットについて、前記第１画素ユニットにおける第２サブ画素と前記第２画素ユニットにおける第２サブ画素が直接隣接しない請求項２４に記載の表示基板。
26. 前記第１表示サブ領域内には、１つの前記第１サブ画素の発光面積、１つの前記第２サブ画素の発光面積及び１つの前記第３サブ画素の発光面積がほぼ同じである請求項２５に記載の表示基板。
27. 前記第１画素ユニットにおいて、前記第２サブ画素と前記第１サブ画素が行をずらして配列され且つ列をずらして配列され、前記第２画素ユニットにおいて、前記第２サブ画素と前記第３サブ画素が同一行に配列され、
    列方向に沿って隣接する第１画素ユニットと第２画素ユニットを１つの画素群とし、同一前記画素群には、前記第１画素ユニットにおける前記第２サブ画素と前記第２画素ユニットにおける前記第３サブ画素とが同一行に配列され、前記第１画素ユニットにおける前記第２サブ画素と前記第２画素ユニットにおける前記第２サブ画素が同一列にある請求項２４に記載の表示基板。
28. 前記第１表示サブ領域内には、１つの前記第２サブ画素の発光面積が１つの前記第１サブ画素の発光面積以下であり、１つの前記第２サブ画素の発光面積が１つの前記第３サブ画素の発光面積以下である請求項２７に記載の表示基板。
29. 前記画素群では、同一前記画素群には、２つの前記第２サブ画素は、列方向に沿って隣接して設置され、且つ２つの前記第２サブ画素は、行方向に対して対称的に設置される請求項２７に記載の表示基板。
30. 同一前記画素群には、前記第１サブ画素と前記第３サブ画素の形状がほぼ一致し、且つ２つの前記第２サブ画素の組み合わせの形状が前記第１サブ画素の形状とほぼ一致している請求項２７に記載の表示基板。
31. 前記第１表示サブ領域内には、前記第１画素ユニットの各々におけるサブ画素の配列順番が同じであり、前記第２画素ユニットの各々におけるサブ画素の配列順番が同じである請求項２４に記載の表示基板。
32. 前記第２表示サブ領域内の第１サブ画素と第３サブ画素のうち少なくとも１つのサブ画素の形状が、前記第１表示サブ領域内の第１サブ画素の形状とほぼ一致している請求項９ないし請求項３１のいずれか１項に記載の表示基板。
33. 前記第１表示サブ領域内の第１サブ画素と第２サブ画素のうち１つのサブ画素の形状が、前記第２表示サブ領域内の第２サブ画素の形状とほぼ一致している請求項３２に記載の表示基板。
34. 前記第１サブ画素の形状は、矩形状及び六角形のうちの少なくとも1種である請求項３２又は３３に記載の表示基板。
35. 表示装置であって、請求項１ないし請求項３４のいずれか１項に記載の表示基板を備える表示装置。
36. 前記表示装置は、前記表示基板を駆動するための駆動器をさらに備え、前記駆動器は、具体的には、
    原画像データを受信し、
    前記第１表示サブ領域内の各前記サブ画素について、原画像データにおいてそれに対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定し、
    前記第２表示サブ領域内の各前記サブ画素について、前記サブ画素の発光面積、前記第２表示サブ領域の画素分布密度、及び原画像データにおいて該サブ画素が位置する領域に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定し、
    その目標グレースケール値に基づいて表示するように、前記表示基板内の各サブ画素を駆動する請求項３５に記載の表示装置。
37. 請求項１ないし請求項３４のいずれか１項に記載の表示基板を駆動する駆動方法であって、
    原画像データを受信するステップと、
    前記第１表示サブ領域内の各前記サブ画素について、前記原画像データにおいて前記サブ画素に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップと、
    前記第２表示サブ領域内の各前記サブ画素について、前記サブ画素の発光面積、前記第２表示サブ領域の画素分布密度、及び前記原画像データにおいて該サブ画素が位置する領域に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップと、
    その目標グレースケール値に基づいて表示するように、前記表示基板内の各サブ画素を駆動するステップと、を含む駆動方法。
38. 前記第１表示サブ領域内の各前記サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップでは、
    前記第１サブ画素について、式
    

    

    により、それに対応する目標グレースケール値Ｘを決定し、ここで、Ｇａｍｍａは、表示基板のガンマ値を表し、ｘ₁及びｘ₂は、それぞれ原画像データにおいて前記第１サブ画素に対応する２つの第１サブ画素の初期グレースケール値であり、
    前記第２サブ画素の目標グレースケール値Ｙが原画像データにおいて前記第２サブ画素に対応する１つの第２サブ画素の初期グレースケール値ｙに等しく、
    前記第３サブ画素について、式
    

    

    により、それに対応する目標グレースケール値Ｚを決定し、ここで、ｚ₁及びｚは₂は、それぞれ原画像データにおいて前記第３サブ画素に対応する２つの第３サブ画素の初期グレースケール値である請求項３７に記載の駆動方法。
39. 前記第２表示サブ領域内の各前記サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップでは、
    前記サブ画素について、式
    

    

    比により、それに対応する目標グレースケール値Ｘを決定し、
    ここで、ｎは、１〜Ｎの任意の整数であり、Ｎは、前記原画像データにおいて前記サブ画素に対応するサブ画素の数であり、Ｇａｍｍａは、前記表示基板のガンマ値を表し、ｓは、前記第１表示領域における前記サブ画素の発光面積と前記第２表示サブ領域における前記サブ画素の発光面積との比を表し、ρは、前記第１表示サブ領域内の画素分布密度と前記第２表示サブ領域内の画素分布密度との比を表し、ｋは、誤差調整係数であり、ｘ_nは、前記原画像データにおいて前記サブ画素に対応するｎ番目のサブ画素の初期グレースケール値であることを含む請求項３７に記載の駆動方法。
40. 請求項９ないし請求項３４のいずれか１項に記載の表示基板を製造するための高精度メタルマスクであって、
    前記第１サブ画素、第２サブ画素又は第３サブ画素の形状及び位置に対応する複数の開口領域を含む高精度メタルマスク。

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