JP2021518666A - オプトエレクトロニクス部品およびオプトエレクトロニクス部品の製造方法 - Google Patents
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- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 61
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims abstract description 126
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 96
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 64
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 23
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 36
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 5
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- -1 Al N Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- GTDCAOYDHVNFCP-UHFFFAOYSA-N chloro(trihydroxy)silane Chemical class O[Si](O)(O)Cl GTDCAOYDHVNFCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052605 nesosilicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004762 orthosilicates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02216—Butterfly-type, i.e. with electrode pins extending horizontally from the housings
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
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- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/022—Mountings; Housings
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Abstract
Description
2 放射放出半導体チップ
2a 放射出口面
3 カバー
3a フレーム
3b カバープレート
33 空洞
4 被覆
4a 第1の接点
4b さらなる第1の接点
4c 第2の接点
4d さらなる第2の接点
4e 第3の接点
4f 第4の接点
4g コンタクト
4h さらなるコンタクト
5 キャリア
5a めっきスルーホール
6 完全な接続部
6a 第1の複数のナノワイヤ
6b 第2の複数のナノワイヤ
6c 第3の複数のナノワイヤ
6d 第4の複数のナノワイヤ
6e 不完全な接続部
7 取付け要素
8 光学素子
8a 変換層
9 中間層
10 微小共振器
11 変換要素
12 ホルダー
13 誘電体ミラー
Claims (20)
- オプトエレクトロニクス部品(1)であって、
− 動作時に放射出口面(2a)から電磁放射を放出する放射放出半導体チップ(2)と、
− 少なくとも2つの第1の接点(4a)を備えたキャリア(5)と、
− 少なくとも2つの第2の接点(4c)を備えたカバー(3)と、
を具備し、
− 前記少なくとも2つの第1の接点(4a)と前記少なくとも2つの第2の接点(4c)とが、第1の複数のナノワイヤ(6a)および第2の複数のナノワイヤ(6b)によって、導電的および/または熱伝導的に互いに接続されており、
− 前記ナノワイヤが、前記キャリア(5)と前記カバー(3)との間に、機械的に安定的な接続部(6)を提供する、
オプトエレクトロニクス部品(1)。 - − 前記第1の接点(4a)が、前記第1の複数のナノワイヤ(6a)を備えており、かつ前記第2の接点(4c)が、前記第2の複数のナノワイヤ(6b)を備えており、
− 機械的に安定的な接続部(6)が形成されるように、前記第1の複数のナノワイヤ(6a)と前記第2の複数のナノワイヤ(6b)が、主延在方向に沿って互いに中に挿入されている、
請求項1に記載のオプトエレクトロニクス部品(1)。 - 前記ナノワイヤが、次の材料、すなわち銅、金、銀、白金、ニッケル、スズ、のうちの1種類を有する、
請求項1または請求項2のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品(1)。 - 前記カバー(3)が空洞(33)を備えており、前記空洞(33)の境界を画成している前記カバー(3)の側壁が、前記半導体チップ(2)を囲んでいる、
請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品(1)。 - − 前記カバー(3)の前記空洞(33)の境界を画成している上面が、半導体チップ(2)と向かい合っており、かつ、前記半導体チップ(2)の前記放射出口面(2a)に直角に配置されており、
− 前記空洞(33)の境界を画成している前記上面が、さらなる第2の接点(4d)を有し、
− 前記半導体チップ(2)の上面に第3の接点(4e)が配置されており、
− 前記さらなる第2の接点(4d)と前記第3の接点(4e)とが、第3の複数のナノワイヤ(6c)および第4の複数のナノワイヤ(6d)によって、導電的および/または熱伝導的に互いに接続されている、
請求項4に記載のオプトエレクトロニクス部品(1)。 - 前記さらなる第2の接点(4d)から前記第3の接点(4e)までの距離が、前記少なくとも2つの第1の接点(4a)から前記少なくとも2つの第2の接点(4b)までの距離とは異なる、
請求項5に記載のオプトエレクトロニクス部品(1)。 - − 前記半導体チップ(2)が取付け要素(7)の上に配置されており、
− 前記取付け要素(7)が、前記半導体チップ(2)とは反対側の面に第4の接点(4f)を有し、
− 前記キャリア(5)が、さらなる第1の接点(4b)を有し、
− 前記さらなる第1の接点(4b)と前記第4の接点(4f)とが、第5の複数のナノワイヤおよび第6の複数のナノワイヤによって、導電的および/または熱伝導的に互いに接続されている、
請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品(1)。 - − 前記キャリア(5)と向かい合っている前記カバー(3)の内面を、少なくとも一部の領域において、被覆(4)が導電的および/または熱伝導的に覆っており、
− 前記第2の接点(4c)および前記さらなる第2の接点(4d)が、前記被覆の一部である、
請求項7に記載のオプトエレクトロニクス部品(1)。 - − 前記カバー(3)がフレーム(3a)を有し、前記フレーム(3a)が前記半導体チップ(2)を横方向に囲んでおり、
− 前記カバー(3)が、前記フレーム(3a)の上に配置されているカバープレート(3b)を有する、
請求項1から請求項8のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品(1)。 - − 前記フレーム(3a)をコンタクト(4g)が垂直方向に完全に貫いており、
− 前記コンタクト(4g)が、前記第2の接点(4c)の少なくとも1つと、前記さらなる第2の接点(4d)とを、導電的および/または熱伝導的に接続している、
請求項8または請求項9に記載のオプトエレクトロニクス部品(1)。 - 前記カバープレート(3b)が、可視光に対して透明である、
請求項9または請求項10に記載のオプトエレクトロニクス部品(1)。 - 前記カバー(3)の前記内面が、前記被覆(4)によって完全に覆われている、
請求項8に記載のオプトエレクトロニクス部品(1)。 - − 前記半導体チップ(2)が端面発光型半導体レーザチップであり、
− 前記放射出口面(2a)に光学素子(8)が中間層(9)によって取り付けられている、
請求項1から請求項12のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品(1)。 - 前記中間層(9)に微小共振器(10)が埋め込まれている、
請求項13に記載のオプトエレクトロニクス部品(1)。 - − 前記光学素子(8)の外面が、変換層(8a)によって覆われている、
請求項13または請求項14のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品(1)。 - 前記部品が、
− 誘電体フィルタ(13)およびホルダー(12)、を備えており、
− 前記ホルダー(12)が、放射入口面および放射出口面を有し、
− 前記誘電体フィルタ(13)が、前記半導体チップ(2)の前記電磁放射に対して透明であり、かつ、別の波長範囲の変換された放射に対して不透明である、
請求項1から請求項15のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品(1)。 - − 前記誘電体フィルタ(13)が、前記ホルダー(12)の前記放射入口面または前記放射出口面に配置されており、
− 前記ホルダーの前記放射出口面に変換要素(11)が配置されており、前記変換要素(11)が、前記半導体チップ(2)の電磁放射を、少なくとも部分的に、別の波長範囲の電磁放射に変換する、
請求項16に記載のオプトエレクトロニクス部品(1)。 - − 前記キャリア(5)が、前記放射出口面(2a)より横方向に突き出しており、
− 前記ホルダー(12)および前記キャリア(5)が、第7の複数のナノワイヤおよび第8の複数のナノワイヤによって、互いに熱伝導的に接続されている、
請求項16または請求項17のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品(1)。 - オプトエレクトロニクス部品(1)を製造する方法であって、以下のステップ、すなわち、
− 少なくとも2つの第1の接点(4a)を備えたキャリア(5)、を設けるステップと、
− 動作時に放射出口面(2a)から電磁放射を放出する放射放出半導体チップ(2)を、前記キャリアに貼り付けるステップと、
− 少なくとも2つの第2の接点(4c)を備えたカバー(3)を、前記キャリア(5)に貼り付けるステップと、
を含み、
− 前記少なくとも2つの第1の接点(4a)と前記少なくとも2つの第2の接点(4c)とが、第1の複数のナノワイヤ(6a)および第2の複数のナノワイヤ(6b)によって、導電的および/または熱伝導的に互いに接続され、
− 前記第1の複数のナノワイヤ(6a)および前記第2の複数のナノワイヤ(6b)が、前記キャリア(5)と前記カバー(3)の間に、機械的に安定的な接続部(6)を提供する、
方法。 - 前記カバー(3)が前記キャリア(5)に貼り付けられるとき、前記第1の複数のナノワイヤ(6a)および前記第2の複数のナノワイヤ(6b)が、1MPaと50MPaの間(両端値を含む)の垂直方向における圧力で、0.5秒と5秒の間(両端値を含む)の時間にわたり、室温において互いに押し付けられる、
請求項19に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102018106959.6A DE102018106959A1 (de) | 2018-03-23 | 2018-03-23 | Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements |
DE102018106959.6 | 2018-03-23 | ||
PCT/EP2019/055597 WO2019179769A1 (de) | 2018-03-23 | 2019-03-06 | Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021518666A true JP2021518666A (ja) | 2021-08-02 |
JP7279065B2 JP7279065B2 (ja) | 2023-05-22 |
Family
ID=65729333
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020550108A Active JP7279065B2 (ja) | 2018-03-23 | 2019-03-06 | オプトエレクトロニクス部品およびオプトエレクトロニクス部品の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11611191B2 (ja) |
JP (1) | JP7279065B2 (ja) |
DE (2) | DE102018106959A1 (ja) |
WO (1) | WO2019179769A1 (ja) |
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EP3796489B1 (en) | 2019-09-20 | 2022-04-27 | Nichia Corporation | Light source device and method of manufacturing the same |
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-
2018
- 2018-03-23 DE DE102018106959.6A patent/DE102018106959A1/de not_active Withdrawn
-
2019
- 2019-03-06 DE DE112019001502.8T patent/DE112019001502A5/de active Granted
- 2019-03-06 JP JP2020550108A patent/JP7279065B2/ja active Active
- 2019-03-06 US US17/040,412 patent/US11611191B2/en active Active
- 2019-03-06 WO PCT/EP2019/055597 patent/WO2019179769A1/de active Application Filing
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Publication number | Publication date |
---|---|
US11611191B2 (en) | 2023-03-21 |
DE112019001502A5 (de) | 2021-03-18 |
WO2019179769A1 (de) | 2019-09-26 |
DE102018106959A1 (de) | 2019-09-26 |
US20210075187A1 (en) | 2021-03-11 |
JP7279065B2 (ja) | 2023-05-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220303 |
|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230510 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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