JP2021518666A - オプトエレクトロニクス部品およびオプトエレクトロニクス部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、オプトエレクトロニクス部品（１）であって、動作時に放射出口面（２ａ）から電磁放射を放出する放射放出半導体チップ（２）と、少なくとも２つの第１の接点（４ａ）を備えたキャリア（５）と、少なくとも２つの第２の接点（４ｃ）を備えたカバー（３）と、を具備し、少なくとも２つの第１の接点（４ａ）と少なくとも２つの第２の接点（４ｃ）が、第１の多数のナノワイヤ（６ａ）および第２の多数のナノワイヤ（６ｂ）によって、導電的および／または熱伝導的に互いに接続されており、ナノワイヤが、キャリア（５）とカバー（３）との間に、機械的に安定的な接続部（６）を提供する、オプトエレクトロニクス部品（１）、に関する。本発明はさらに、オプトエレクトロニクス部品の製造方法に関する。【選択図】 図３Ａ

Description

オプトエレクトロニクス部品を開示する。さらに、オプトエレクトロニクス部品を製造する方法を開示する。

解決するべき１つの目的は、機械的に安定的であり、かつ放射出口面の付近において封止されているオプトエレクトロニクス部品を開示することである。さらに、このようなオプトエレクトロニクス部品を製造する方法を開示する。

これらの目的は、請求項１の特徴を有するオプトエレクトロニクス部品によって、および、請求項１９のステップを含む方法によって、解決される。

オプトエレクトロニクス部品の有利な実施形態と、オプトエレクトロニクス部品の製造方法の有利な実施形態は、それぞれの従属請求項の主題である。

少なくとも一実施形態によれば、本オプトエレクトロニクス部品は、動作時に放射出口面から電磁放射を放出する放射放出半導体チップ、を備えている。この放射放出半導体チップは、例えば端面発光型半導体レーザチップである。放射放出半導体チップとして端面発光型半導体レーザチップが使用される場合、本オプトエレクトロニクス部品は、一般に、レーザダイオードなどのレーザ部品である。端面発光型半導体レーザチップは、好ましくは半導体チップの側面を介して、単色レーザ光やコヒーレントレーザ光などの電磁放射を放出する。半導体チップの側面は、半導体チップの取付け面に垂直であることが好ましい。

少なくとも一実施形態によれば、本オプトエレクトロニクス部品は、キャリアを備えている。キャリアは、例えば、プラスチックまたはセラミックを含む、あるいはプラスチックまたはセラミックからなる。プラスチックは、エポキシまたはシリコーンとすることができる。半導体チップは、キャリアの第１の主面に貼り付けられていることが好ましい。キャリアは、２つの第１の接点を有することが好ましい。

これら第１の接点は、キャリアの第１の主面に位置していることが好ましい。半導体チップは、少なくとも２つの第１の接点から横方向に離間して配置されていることが好ましい。すなわち半導体チップは、少なくとも２つの第１の接点を覆っていない。

キャリアは、少なくとも２つのめっきスルーホールを有することができる。これらのめっきスルーホールは、キャリアを垂直方向に完全に貫いていることが好ましい。垂直方向とは、キャリアの第１の主面から、第１の主面とは反対側のキャリアの第２の主面に延びる。めっきスルーホールは、例えば、２つの第１の接点に含まれる材料と同じ材料を有する、または同じ材料からなることができる。例えば、２つの第１の接点それぞれを、少なくとも２つのめっきスルーホールの１つの上に位置させることができる。接点は、めっきスルーホールと直接接触していることが好ましい。少なくとも２つのめっきスルーホールのうちの１つの上に半導体チップを配置することが可能である。この場合、半導体チップは、めっきスルーホールの上に導電性接触によって配置されていることが好ましい。

本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態によれば、キャリアは、少なくとも３つのめっきスルーホールを有する。２つの第１の接点は、それぞれめっきスルーホールの１つの上に配置されており、その一方で、半導体チップは、同様に接点が設けられているめっきスルーホールの上に配置されていることが好ましい。半導体チップは、２つの接点の間に配置されていることが好ましい。

少なくとも一実施形態によれば、本オプトエレクトロニクス部品は、少なくとも２つの第２の接点を有するカバー、を備えている。第２の接点は、カバー上に配置されていることが好ましい。カバーの少なくとも２つの第２の接点は、キャリアの２つの第１の接点に対向する位置にあることが好ましい。すなわちキャリアの第１の接点は、カバーの第２の接点に対向していることが好ましい。

第１の接点および／または第２の接点は、金属を有する、または金属から形成されていることが好ましい。

例えばカバーは、プラスチックまたはセラミック材料を含む、あるいは、プラスチックまたはセラミック材料からなる。プラスチックは、エポキシまたはシリコーンとすることができる。

少なくとも一実施形態によれば、第１の接点と第２の接点は、第１の複数のナノワイヤおよび第２の複数のナノワイヤによって、導電的および／または熱伝導的に互いに接続されている。すなわち第１の複数のナノワイヤおよび第２の複数のナノワイヤは、キャリアとカバーとの間に導電性接続部を提供する。

少なくとも一実施形態によれば、ナノワイヤは、特にせん断力に対して、キャリアとカバーとの間に機械的に安定的な接続部を提供する。例えば、キャリアまたはカバーに横方向にせん断力が作用する場合、キャリアとカバーとの間の接続部は、１２ＭＰａのせん断力まで損傷しないことが好ましい。

少なくとも一実施形態においては、本オプトエレクトロニクス部品は、動作時に放射出口面から電磁放射を放出する半導体チップと、少なくとも２つの第１の接点を備えたキャリアと、少なくとも２つの第２の接点を備えたカバーと、を具備し、少なくとも２つの第１の接点と少なくとも２つの第２の接点とが、第１の複数のナノワイヤおよび第２の複数のナノワイヤによって、導電的および／または熱伝導的に互いに接続されており、ナノワイヤが、キャリアとカバーとの間に、機械的に安定的な接続部を提供する。

オプトエレクトロニクス部品、特にレーザ部品のハウジングは、通常ではキャリアおよびカバーを備えており、これらのキャリアとカバーは好ましくは互いに気密封止されていなければならない。キャリアとカバーは、高い精度で互いに貼り付けられていなければならない。キャリアおよび／またはカバーが、その寸法に関する製造公差を有する場合、気密封止された結合を保証するのが困難なことがある。したがって放熱に支障をきたすことがある。また、導電性接触が遮断されることがある。

本明細書に記載されているオプトエレクトロニクス要素の発想は、特に、キャリアの側の複数のナノワイヤと、カバーの側の複数のナノワイヤとによって、キャリアとカバーの間に、導電性および／または熱伝導性の、かつ好ましくは機械的に安定的な接続部を形成することである。キャリアおよび／またはカバーが寸法に関する製造公差を有する場合、それらの製造公差をナノワイヤの寸法によって有利に補正することができる。例えば、厳しい公差の複数の接続部を介して、カバーおよびキャリアを通じて半導体チップに電気的に接触する、および／または、熱的に接触することができる。これらの接続部は、上述した製造公差によって遮断されることがある。この遮断も、ナノワイヤの寸法によって有利に補正することができる。さらにナノワイヤは、気密封止された接続を提供することもできる。ナノワイヤが一部の領域においてのみキャリアとカバーの間の接続を提供する場合、オプトエレクトロニクス要素の放射放出半導体チップの放射出口面を、中間層によって有利に直接封止することができ、したがってハウジングの密封構造が必要ない。

少なくとも一実施形態によれば、第１の接点それぞれは、第１の複数のナノワイヤを有し、第２の接点それぞれは、第２の複数のナノワイヤを有する。機械的に安定的な接続部が形成されるように、第１の複数のナノワイヤと第２の複数のナノワイヤが、主延在方向に沿って互いに中に挿入されていることが好ましい。

ナノワイヤは、第１の接点の表面全体にわたり、および／または、第２の接点の表面全体にわたり、配置することができる。これに代えて、ナノワイヤを、第１の接点の一部の領域に、および／または、第２の接点の一部の領域に、配置することが可能である。各ナノワイヤは、例えば１０ナノメートル〜５マイクロメートルの範囲内（両端値を含む）の直径、好ましくは３０ナノメートル〜２マイクロメートルの範囲内（両端値を含む）の直径、を有する。ナノワイヤの長さは、例えば１００ナノメートル〜１００マイクロメートルの範囲内（両端値を含む）、好ましくは５００ナノメートル〜３０マイクロメートルの範囲内（両端値を含む）である。

主延在方向は、垂直方向に実質的に平行であることが好ましい。実質的に平行とは、本明細書では、ナノワイヤが、製造工程に起因して主延在方向から逸脱する傾斜を有し得ることを意味する。例えばナノワイヤは、主延在方向に対して１０゜未満の角度をなす。

主延在方向に沿って互いに挿入された後、第１の複数のナノワイヤおよび第２の複数のナノワイヤの全体または大部分が、もはや単一の延在方向に沿って延びていないことが可能である。そうではなく、第１の複数のナノワイヤおよび第２の複数のナノワイヤが、全般的に互いにからみ合う（ｉｎｔｅｒｔｗｉｎｅｄ）。これにより、第１の複数のナノワイヤと第２の複数のナノワイヤの間に機械的に安定的な接続部を有利に形成することができる。

さらには、第１の複数のナノワイヤと第２の複数のナノワイヤを互いに挿入した後、第１の複数のナノワイヤと第２の複数のナノワイヤとの間の機械的な接続部によって、第１の接点と第２の接点との間の距離をもたらすことが可能である。第１の接点と第２の接点との間の距離は、例えば１マイクロメートル〜２０マイクロメートルの範囲内（両端値を含む）である。この距離は、例えば、接点の対向する面の間に定義される。

少なくとも一実施形態によれば、ナノワイヤは、次の材料、すなわち銅、金、銀、白金、ニッケル、スズ、のうちの１種類を有する、または１種類からなる。例えば、ナノワイヤは、２つの第１の接点および／または２つの第２の接点と同じ材料を有する、または同じ材料からなる。

少なくとも一実施形態によれば、カバーは空洞を備えており、空洞の境界を画成している、カバーの側壁は、半導体チップを囲んでいる。これに代えて、またはこれに加えて、キャリアに空洞を設けることも可能である。例えば、半導体チップは、部分的に空洞および／またはカバーの中に位置している。

例えば側壁は、一部の領域において、横方向に側壁を完全に貫いている開口部を有する。例えば、半導体チップを部分的にこの開口部の中に配置することができる。この場合、半導体チップは、横方向にカバーより突き出す、またはカバーおよびキャリアより突き出すことができる。

少なくとも一実施形態によれば、カバーの空洞の境界を画成している上面は、半導体チップと向かい合っている。この上面は、半導体チップの放射出口面に直角に配置されていることが好ましい。この実施形態においては、半導体チップの放射出口面は、空洞の境界を画成している上面に実質的に垂直に配置されていることが好ましい。実質的に垂直とは、半導体チップの放射出口面が、製造公差に起因して、空洞の上面に対する傾斜を有し得ることを意味する。例えば放射出口面は、空洞の上面に対して５゜未満の角度をなす。

少なくとも一実施形態によれば、空洞の境界を画成している上面は、さらなる第２の接点を有する。さらなる第２の接点は、例えば半導体チップと向かい合っている。

少なくとも一実施形態によれば、半導体チップの上面に、第３の接点が配置されている。この第３の接点は、例えば半導体チップの上面に配置されており、さらなる第２の接点と向かい合っている。さらなる第２の接点および第３の接点は、例えば互いに向かい合っている。

少なくとも一実施形態によれば、さらなる第２の接点と第３の接点は、第３の複数のナノワイヤおよび第４の複数のナノワイヤによって、導電的および／または熱伝導的に互いに接続されている。第３の複数のナノワイヤおよび第４の複数のナノワイヤは、カバーと半導体チップとの間に導電性および／または熱伝導性の接続部を提供することが好ましい。さらに、カバーと半導体チップとの間の接続部は、熱伝導性とすることができる。

少なくとも一実施形態によれば、さらなる第２の接点から第３の接点までの距離は、例えば製造公差に起因して、少なくとも２つの第１の接点から少なくとも２つの第２の接点までの距離とは異なる。この距離は、例えば、互いに対向する位置にある接点の、垂直方向の距離である。距離の差は、例えば、１マイクロメートル〜２０マイクロメートルの範囲内（両端値を含む）である。例えば、さらなる第２の接点から第３の接点までの距離は、少なくとも２つの第１の接点から少なくとも２つの第２の接点までの距離よりも大きい。

少なくとも一実施形態によれば、半導体チップは、取付け要素（ｍｏｕｎｔｉｎｇ ｅｌｅｍｅｎｔ）の上に配置されている。この場合に半導体チップは、導電性の電気的接触によって取付け要素の上に配置されていることが好ましい。取付け要素は、例えば金属を含む、または金属からなる。金属は、好ましくは銅タングステン、シリコンカーバイド、または窒化アルミニウムとすることができる。

少なくとも一実施形態によれば、取付け要素は、半導体チップとは反対側の面に第４の接点を有する。第４の接点はキャリアと向かい合っていることが好ましい。

さらなる実施形態によれば、キャリアは、さらなる第１の接点を有する。さらなる第１の接点は、第４の接点と向かい合っていることが好ましい。第４の接点とさらなる第１の接点は、互いに向かい合っていることが好ましい。さらなる第１の接点は、キャリアのめっきスルーホールの１つの上に位置しており、かつ、そのめっきスルーホールに直接接触していることが好ましい。この場合、さらなる第１の接点は、めっきスルーホールに電気的に接続されていることが好ましい。

少なくとも一実施形態によれば、さらなる第１の接点と第４の接点は、第５の複数のナノワイヤおよび第６の複数のナノワイヤによって、導電的および／または熱伝導的に互いに接続されている。第５の複数のナノワイヤおよび第６の複数のナノワイヤは、取付け要素とキャリアとの間に導電性および／または熱導電性の接続部を提供することが好ましい。

少なくとも一実施形態によれば、キャリアと向かい合っているカバーの内面を、少なくとも一部の領域において、導電性および／または熱伝導性の被覆が覆っている。第２の接点およびさらなる第２の接点は、被覆の一部であることが好ましい。被覆は、連続的であるように構成することができ、第２の接点とさらなる第２の接点とを、導電的および／または熱伝導的に接続することができる。被覆は、第２の接点およびさらなる第２の接点に対応する領域を備えていることが好ましい。これらの領域は、第１の接点および第３の接点に対向する位置にあることが好ましい。

少なくとも一実施形態によれば、カバーは、半導体チップを横方向に囲んでいるフレームを有し、かつカバーは、フレームの上に配置されているカバープレートを有する。したがってカバーは、いくつかの部品で構築することができる。例えばフレームは、枠のように半導体チップを囲んでいる。語「枠のように」は、フレームの形状および延在方向を制限するようには理解されないものとする。フレームは、例えば矩形、多角形、円形、または楕円形とすることができる。

例えば、フレームとカバープレートは、一部の領域において直接接触している。フレームおよびカバープレートには、例えば次の材料、すなわち、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、Ｓｉ、ガラス、またはサファイア、のうちの１種類が適している。フレームは、カバープレートと同じ材料を有する、または同じ材料から形成されていることが好ましい。

フレームは、例えば、一部の領域において、フレームを横方向に完全に貫いている開口部を有する。この開口部の中に、例えば、半導体チップ、または半導体チップおよび取付け要素を、部分的に配置することができる。この場合、半導体チップは、横方向にカバーより突き出している、またはカバーおよびキャリアより突き出していることができる。この場合、放射出口面は開口部の外側に位置する。

少なくとも一実施形態によれば、フレームを、コンタクトが垂直方向に完全に貫いている。コンタクトは、第２の接点の少なくとも１つと、さらなる第２の接点を、導電的および／または熱伝導的に互いに接続している。コンタクトは、フレームによって完全に囲まれていることが好ましい。第２の接点は、キャリアと向かい合っているフレームの表面に配置することができる。コンタクトは、第２の接点の１つに、導電的および／または熱伝導的に接続されていることが好ましい。さらなる第２の接点は、半導体チップと向かい合っているカバープレートに配置することができ、フレームの上面まで延びていることができる。フレームの上面で、さらなる第２の接点は、コンタクトに導電的および／または熱伝導的に接続されていることが好ましい。

すでに上に説明した被覆は、例えば、半導体チップと向かい合っているカバープレートに、一部の領域において配置されており、コンタクトに導電的および／または熱伝導的に接続されていることが好ましい。

これに代えて、被覆を、半導体チップの側および反対側のカバープレートに、一部の領域において配置することが可能である。この場合、カバープレートは、カバープレートを垂直方向に完全に貫いている少なくとも２つのさらなるコンタクト、を有することが好ましい。フレームのコンタクトは、これら２つのさらなるコンタクトの一方に導電的および／または熱伝導的に接続されていることが好ましい。半導体チップの側の被覆は、２つのさらなるコンタクトの他方に導電的および／または熱伝導的に接続されていることが好ましい。半導体チップとは反対側の被覆は、さらなるコンタクトの両方に導電的および／または熱伝導的に接続されていることが好ましい。

コンタクトは、例えば、２つの第１の接点に含まれる材料と同じ材料を有する、または同じ材料からなることができる。

少なくとも一実施形態によれば、カバープレートは、可視光に対して透明である。例えばカバーは、ガラスまたはサファイアを含む、またはこれらの材料の１つからなる。透明なカバーは、キャリアの上方で良好に調整することができ、これは有利である。

少なくとも一実施形態によれば、カバーの内面は、被覆によって完全に覆われている。カバーの内面は、例えば、空洞およびキャリアと向かい合っているカバーの表面である。被覆は、第２の接点とさらなる第２の接点とを導電的および／または熱伝導的に接続していることが好ましい。被覆は、カバーに直接接触していることが特に好ましい。

少なくとも一実施形態によれば、放射放出半導体チップは、端面発光型半導体チップである。端面発光型半導体レーザチップは、例えば、動作時に生成されるレーザ放射を、半導体レーザチップの、放射を生成する活性ゾーンに平行な方向に放出するように構成されている。放射出口面は、ファセットを備えている、またはファセットとして構成されていることが好ましい。放射出口面は、ファセットの部分領域とすることができ、ファセットに限定されることが好ましい。ファセットは、例えば、活性ゾーンに垂直、または実質的に垂直な向きにある。実質的に垂直とは、製造工程に起因してファセットが傾斜を有し得ることを意味する。

少なくとも一実施形態によれば、端面発光型半導体レーザチップの放射出口面に、中間層によって光学素子が取り付けられている。中間層は、カバーおよび／またはキャリアにも配置することができる。中間層は、動作時に半導体レーザチップによって放出されるレーザ放射に対して透明であることが好ましく、例えばポリシロキサン、シリコーン誘導体、またはガラスを含む、またはこのような材料からなる。中間層は、放射出口面、したがってファセットのための保護層を有利に形成し、酸素および／または水蒸気に対する拡散障壁の役割を果たすことが好ましい。

光学素子は、半導体チップの動作時に生成される放射をコリメートする、またはフォーカスするように構成されているレンズ、とすることができる。レンズは、球面、非球面、または自由形状とすることができる。さらに、レンズは、円柱レンズ、半円柱レンズ、平凸レンズ、両凸レンズ、またはフレネルレンズとして構成することができる。光学素子は、例えば、サファイア、ガラス、またはシリコンカーバイドを含む、またはこのような材料からなる。

放射出口面と向かい合っている光学素子の側面は、平坦であることが好ましい。光学素子は、この側面を介して、中間層によって半導体チップに機械的に安定的に結合されている。放射出口面は、化学的損傷や機械的損傷から、光学素子および中間層によって保護されており、これは有利である。光学素子を中間層によってカバーおよび／またはキャリアに固定することも可能である。

少なくとも一実施形態によれば、中間層に微小共振器が埋め込まれている。埋め込まれている、とは、微小共振器が中間層に接触している、および／または、部分的に中間層の内側にある、および／または、その外面の少なくとも一部が中間層によって囲まれている、ことを意味し得る。

微小共振器は、放射出口面の前に位置決めされていることが好ましい。すなわち動作時に生成される放射は、放射出口面から微小共振器を通って放出される。微小共振器は、狭帯域共振を発生させることができ、狭帯域共振は、半導体レーザを安定化するために使用される。微小共振器によって放出される放射の帯域幅は、サブｋＨｚ範囲内またはサブＭＨｚ範囲内であることが好ましい。微小共振器は、例えばガラスまたはケイ酸塩を含む、またはこのような材料からなる。

少なくとも一実施形態によれば、光学素子の外面が、変換層によって覆われている。変換層は、半導体チップの電磁放射を、少なくとも部分的に、別の波長範囲の電磁放射に変換するように構成されている。変換層は、例えば、蛍光体粒子が組み込まれているマトリックス材料を好ましくは含む変換材料、を有する。マトリックス材料は、エポキシやシリコーンなどの樹脂、またはこれらの材料の混合物とすることができる。蛍光体粒子は、変換材料、したがって変換層に、波長変換特性を与える。

蛍光体粒子には、例えば次の材料、すなわち、希土類元素でドープされたガーネット、希土類元素でドープされたアルカリ土類硫化物、希土類元素でドープされたチオガレート、希土類元素でドープされたアルミン酸塩、希土類元素でドープされたケイ酸塩、希土類元素でドープされたオルトケイ酸塩、希土類元素でドープされたクロロシリケート、希土類元素でドープされたアルカリ土類窒化ケイ素、希土類元素でドープされた酸窒化物、希土類元素でドープされたアルミニウム酸窒化物、希土類元素でドープされた窒化珪素、希土類元素でドープされたサイアロン、量子ドット、のうちの１つが適している。これらの材料は、マトリックス材料なしで使用して直接塗布することもできる。この場合に変換層は、これらの材料のうちの１種類からなることができる。

少なくとも一実施形態によれば、本オプトエレクトロニクス部品は、誘電体フィルタおよびホルダーを備えている。誘電体フィルタは、変換要素と一緒に使用されることが好ましい。誘電体フィルタは、半導体チップの電磁放射に対して透明であり、かつ、変換要素の変換された放射に対して不透明であることが好ましい。誘電体フィルタは、半導体チップの電磁放射の波長範囲に対して高い透過率を優先的に有し、その一方で、変換された電磁放射の波長範囲は優先的に反射されるかまたは吸収される。これに代えて、誘電体フィルタは、変換された電磁放射の波長範囲に対して低い透過率を有し、その一方で、半導体チップの電磁放射の波長範囲は透過させることが好ましい。

ホルダーは、光学素子および／またはさらなる要素を一部の領域において囲むように構成されていることが好ましい。ホルダーは、光学素子および／またはさらなる要素を、キャリアおよび／またはカバーに取り付けるために使用することができる。ホルダーは、半導体チップによって放出された電磁放射、および／または、変換された電磁放射、を反射するように構成することができる。光学素子に面しているホルダーの内面に、反射層を配置することができる。反射層は、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ａｌ：Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔなどの金属を含む、またはこのような金属からなる。さらに、反射層は、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物の略）などのＴＣＯ（「透明導電性酸化物」の略）を含む、またはＩＴＯなどのＴＣＯから形成することもできる。さらには、反射層を、銀の層と酸化ケイ素の層が交互に並ぶ誘電体ミラーとして形成することもできる。

少なくとも一実施形態によれば、ホルダーは、放射入口面および放射出口面を有する。例えば、ホルダーは、半導体チップの放射出口面に対向する第１の開口部を有し、この第１の開口部がホルダーの放射入口面を形成している。さらに、ホルダーは、第１の開口部の反対側および／または下流の第２の開口部を有する。このさらなる開口部によって、放射出口面を形成することができる。

少なくとも一実施形態によれば、誘電体フィルタは、ホルダーの放射入口面、またはホルダーの放射出口面に配置されている。誘電体フィルタがホルダーの放射入口面に配置されている場合、誘電体フィルタはホルダーと中間層の間に位置しており、ホルダーおよび中間層の両方に直接接触していることが好ましい。誘電体フィルタが放射出口面に配置されている場合、誘電体フィルタは光学素子に直接接触していることが好ましい。

少なくとも一実施形態によれば、ホルダーの放射出口面に変換要素が配置されており、変換要素は、半導体チップの電磁放射を少なくとも部分的に、別の波長範囲の電磁放射に変換する。変換要素は、変換層と同じ変換材料を含む、または同じ変換材料からなることができる。

変換要素は、例えばホルダーの第２の開口部の上に配置されている。この場合、誘電体フィルタは例えば変換要素と光学素子との間に配置されている。これに代えて、変換要素を光学素子に直接接触させることができる。

少なくとも一実施形態によれば、キャリアは、半導体チップの放射出口面より横方向に突き出している。ホルダーとキャリアは、第７の複数のナノワイヤおよび第８の複数のナノワイヤによって、互いに熱伝導的に結合されていることが好ましい。ホルダーが第６の接点を有することが好ましく、キャリアが第７の接点を有することが好ましく、第７の接点は、半導体チップの放射面より突き出しているキャリアの部分に配置されている。第６の接点は、第７の接点に対向して配置されていることが好ましい。

第６の接点が第７の複数のナノワイヤを有することが好ましく、第７の接点が第８の複数のナノワイヤを有することが好ましい。第７の複数のナノワイヤと第８の複数のナノワイヤは、互いに中に挿入されていることが好ましく、例えば、ホルダーとキャリアとの間に熱導電性の接続部を提供する。この接続部によってホルダーを追加的に冷やすことができ、これは有利である。

本明細書に記載されている接点は、好ましくは同じ材料を有する、または同じ材料からなることができる。本明細書に記載されている接点には、例えば次の材料、すなわち、銅、金、銀、白金、ニッケル、スズ、のうちの１種類が適している。

さらに、ナノワイヤによって形成される接続部の電気接触抵抗は、例えば１オーム未満である。ナノワイヤによって形成される接続部の熱伝導率は、例えば３００Ｗ／（ｍ＊Ｋ）（ワット／（メートル＊ケルビン））より高い。

これに加えて、オプトエレクトロニクス部品を製造する方法であって、本明細書に記載されているオプトエレクトロニクス部品を製造することのできる方法、を開示する。したがって、本オプトエレクトロニクス部品に関連して開示されているすべての特徴および実施形態は、本方法に関しても適用可能であり、逆も同様である。

本方法の少なくとも一実施形態によれば、少なくとも２つの第１の接点を有するキャリアを設ける。これら少なくとも２つの第１の接点は、例えば接着、接合、またははんだ付けによって、キャリアに貼り付けることができる。

本方法の少なくとも一実施形態によれば、動作時に放射出口面から電磁放射を放出する放射放出半導体チップを、キャリアに貼り付ける。半導体チップは、少なくとも１つのチップ接触面を備えていることが好ましく、チップ接触面は、例えば金属を含む、または金属からなることができる。チップ接触面は、キャリアのめっきスルーホールに、例えば接着、接合、またははんだ付けによって貼り付けることができる。

本方法の少なくとも一実施形態によれば、少なくとも２つの第２の接点を備えたカバーを、キャリアに貼り付ける。これら少なくとも２つの第２の接点は、少なくとも２つの第１の接点の上方に位置決めされることが好ましい。

カバーは、フレームおよびカバープレートを備えることができる。フレームおよびカバープレートは、例えば、同時焼成セラミック（ｃｏ−ｆｉｒｅｄ ｃｅｒａｍｉｃｓ）の層によって形成することができ、フレームとカバープレートをはんだ付けすることができる。フレームとカバープレートを陽極接合することも可能である。

本方法の少なくとも一実施形態によれば、少なくとも２つの第１の接点と少なくとも２つの第２の接点を、第１の複数のナノワイヤおよび第２の複数のナノワイヤによって、導電的および／または熱伝導的に互いに接続する。第１の複数のナノワイヤおよび第２の複数のナノワイヤは、少なくとも２つの第１の接点および少なくとも２つの第２の接点に、電気めっき工程によって貼り付けられていることが好ましい。さらなる接点には、さらなるナノワイヤを例えば類似する方法で貼り付けることができる。

フィルタ箔（ｆｉｌｔｅｒ ｆｏｉｌ）をそれぞれの接点に貼り付けることが好ましく、フィルタ箔は、例えば２００マイクロメートル〜５００マイクロメートルの範囲内（両端値を含む）の厚さを有する。フィルタ箔は、フィルタ箔を完全に貫いている複数の開口部を備えていることが好ましい。これらの開口部は、３０ナノメートル〜最大２マイクロメートルの範囲内（両端値を含む）の直径を有することが好ましい。ナノワイヤの材料を、電気めっき工程によって開口部の中に導入することができる。この工程の後、フィルタ箔を除去し、結果として複数のナノワイヤが形成される。

定義済みの圧力でカバーをキャリアに押し付けることが好ましく、少なくとも２つの第１の接点と少なくとも２つの第２の接点が互いに接続される。この場合に圧力は、垂直方向にカバーに作用することが好ましい。印加されるべき圧力は、１ＭＰａ〜５０ＭＰａの範囲内（両端値を含む）である。

ナノワイヤを、主延在方向に沿って互いに中に挿入することが好ましい。定義済みの力を印加することによって、第１の複数のナノワイヤと第２の複数のナノワイヤがからみ合うことが好ましい。すなわちナノワイヤは、互いに押し込まれた後、単一の延在方向を示さない。

半導体チップが熱応力にさらされないように、ナノワイヤの結合工程は、好ましくは室温で行うことができる。

結合工程においては、１ＭＰａ〜５０ＭＰａの範囲内（両端値を含む）の垂直方向における圧力で、０．５秒〜５秒の範囲内（両端値を含む）の時間にわたり、ナノワイヤを室温で互いに押し付けることが好ましい。

以下では、ここまでに記載した本オプトエレクトロニクス部品と、ここまでに記載した本方法について、例示的な実施形態および関連する図を使用してさらに詳しく説明する。

例示的な実施形態に係る、オプトエレクトロニクス部品を製造する方法の方法ステップの概略断面図である。 例示的な実施形態に係る、オプトエレクトロニクス部品を製造する方法の方法ステップの概略断面図である。 それぞれ例示的な実施形態に係る、オプトエレクトロニクス部品の概略断面図である。 それぞれ例示的な実施形態に係る、オプトエレクトロニクス部品の概略断面図である。 それぞれさらなる例示的な実施形態に係る、オプトエレクトロニクス部品の概略断面図である。 それぞれさらなる例示的な実施形態に係る、オプトエレクトロニクス部品の概略断面図である。 それぞれさらなる例示的な実施形態に係る、オプトエレクトロニクス部品の概略断面図である。 それぞれ例示的な実施形態に係る、オプトエレクトロニクス部品の概略断面図である。 それぞれ例示的な実施形態に係る、オプトエレクトロニクス部品の概略断面図である。 それぞれ例示的な実施形態に係る、オプトエレクトロニクス部品の概略断面図である。 それぞれ例示的な実施形態に係る、オプトエレクトロニクス部品の概略断面図である。 それぞれ例示的な実施形態に係る、オプトエレクトロニクス部品の概略断面図である。 それぞれ例示的な実施形態に係る、オプトエレクトロニクス部品の概略断面図である。 それぞれ例示的な実施形態に係る、オプトエレクトロニクス部品の概略断面図である。 それぞれ例示的な実施形態に係る、オプトエレクトロニクス部品の概略断面図である。 それぞれ例示的な実施形態に係る、オプトエレクトロニクス部品の概略断面図である。

図において、同じ要素、類似する要素、または類似する機能の構成要素には、同じ参照記号を付してある。図と、図に示した要素の互いの比率は、正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、便宜上、または深く理解できるようにする目的で、個々の要素を誇張して大きく示してあることがある。

本プロセスの最初のステップにおいては、図１Ａに従って、キャリア５およびカバー４を設ける。カバー４は、一体に形成する。キャリア５に２つの第１の接点４ａを配置する。２つの第１の接点４ａの間に、さらなる第１の接点４ｂをキャリア５に配置する。これに加えて、カバー３に、２つの第２の接点４ｃを配置する。２つの第２の接点４ｃの間に、さらなる第２の接点４ｄをカバー５に配置する。キャリア５の第１の接点４ａ，４ｂは、カバー３の第２の接点４ｃ，４ｅに対向している。

キャリア５は、キャリア５を完全に貫くめっきスルーホール５ａを有する。第１の接点４ａおよびさらなる第１の接点４ｂは、それぞれめっきスルーホール５ａの１つの上に位置している。

第１の接点４ａから第２の接点４ｃまでの垂直方向の距離は、第３の接点４ｅからさらなる第２の接点４ｄまでの距離に等しい。

次のプロセスステップにおいては、放射放出半導体チップ２をキャリアに貼り付け（図示していない）、放射放出半導体チップ２は、さらなる第２の接点４ｄに対向する位置にある第３の接点４ｅを有する。半導体チップ２を、さらなる第２の接点４ｂの上に配置する。カバー３は空洞３３を有し、空洞３３は、半導体チップ２の側面を一部の領域において枠のように囲んでいる。

次のプロセスステップにおいては、第１の接点４ａそれぞれに第１の複数のナノワイヤ６ａを適用させ、第２の接点４ｃそれぞれに第２の複数のナノワイヤ６ｂを適用させる。さらに、さらなる第２の接点４ｄに第３の複数のナノワイヤ６ｃを適用させ、第３の接点４ｅに第４の複数のナノワイヤ６ｄを適用させる。各場合において、第１の複数のナノワイヤ６ａと第２の複数のナノワイヤ６ｂは、向かい合っている。第３の複数のナノワイヤ６ｃと第４の複数のナノワイヤ６ｄも、向かい合っている。

図１Ｂに従って、カバーとキャリアを互いに貼り付ける。互いに対向する位置にあるナノワイヤが、互いに中に挿入されて、導電性および／または熱伝導性かつ機械的に安定的な接続部を形成する。

図２Ａに示した例示的な実施形態は、図１Ｂに示した実施形態と異なる点として、カバー２がキャリア５に貼り付けられている。

これによって第１の複数のナノワイヤ６ａと第２の複数のナノワイヤ６ｂ、および、第３の複数のナノワイヤ６ｃと第４の複数のナノワイヤ６ｄが、定義済みの力で互いに押し込まれ、これにより第１の複数のナノワイヤ６ａと第２の複数のナノワイヤ６ｂ、および、第３の複数のナノワイヤ６ｃと第４の複数のナノワイヤ６ｄが、それぞれ互いに接続される。それぞれの接続部６は、導電性および／または熱伝導性であるように構成されており、キャリア５とカバー３の間に機械的に安定的な接続を提供する。この接続の理由で、ナノワイヤ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄは、もはや主延在面に垂直な向きにない。そうではなく、第１の複数のナノワイヤ６ａと第２の複数のナノワイヤ６ｂ、および、第３の複数のナノワイヤ６ｃと第４の複数のナノワイヤ６ｄは、からみ合っている。

図２Ｂに示した例示的な実施形態は、図２Ａに示した実施形態と異なる点として、第１の接点４ａから第２の接点４ｃまでの距離が、第３の接点４ｅからさらなる第２の接点４ｄまでの距離より小さい。第１の接点４ａと第２の接点４ｃの間に、機械的に安定的な接続部６が完全に形成されており、第１の複数のナノワイヤ６ａと第２の複数のナノワイヤ６ｂがからみ合っている。第３の接点４ｅからさらなる第２の接点４ｄまでの距離は、より大きいため、第３の複数のナノワイヤ６ｃと第４の複数のナノワイヤ６ｄは、部分的にのみからみ合って接続部６ｅを形成している。第３の複数のナノワイヤ６ｃと第４の複数のナノワイヤ６ｄは、一部分が主延在面に垂直に配置されており、一部分が互いに結合されている。それにもかかわらず、互いに挿入されている第３の複数のナノワイヤ６ｃと第４の複数のナノワイヤ６ｄは、導電性および／または熱伝導性の接続部６ｅを形成している。したがって、機械的に安定化させる接続部は、第１の接点４ａと第２の接点４ｃの間の接続部６である。

図３Ａに示した例示的な実施形態は、図２Ｂに示した例示的な実施形態と異なる点として、キャリア５と向かい合っているカバー３の内面を、少なくとも一部の領域において、被覆４が導電的および／または熱伝導的に覆っている。

図３Ｂに示した例示的な実施形態は、図３Ａに示した例示的な実施形態と異なる点として、カバー３が、２つの部品から形成されており、フレーム３ａおよびカバープレート３ｂを備えている。さらに、フレーム３ａは、コンタクト４ｇによって垂直方向に貫かれている。カバーは、その内面に、導電性および／または熱伝導性の被覆を部分的に有する。被覆は、コンタクトに直接接触しているように、カバープレートにおいて連続している。したがって被覆およびコンタクトは、ナノワイヤ６ｃ，６ｄとの熱伝導性および／または導電性の接続を形成している。

図３Ｃに示した例示的な実施形態は、図３Ｂに示した例示的な実施形態と異なる点として、カバープレート３ｂが半透明である。さらに、フレームを垂直方向に貫いているコンタクト４ｇが、カバープレート３ｂを垂直方向に貫いているさらなるコンタクト４ｈに接続されている。被覆４は、カバープレート３ｂに部分的に配置されている。同様にカバープレート３ｂを垂直方向に貫いているさらなるコンタクト４ｈが、さらなる第２の接点４ｄに接続されている。

図４Ａに示した例示的な実施形態は、図３Ａに示した例示的な実施形態と異なる点として、半導体チップ２が取付け要素７の上に配置されている。取付け要素７は、第４の接点４ｆを有する。取付け要素７は、第４の接点４ｆおよびさらなる第１の接点４ｂを介して、第５の複数のナノワイヤおよび第６の複数のナノワイヤによって、導電的および／または熱伝導的にキャリア５に接続されている。

図４Ｂに示した例示的な実施形態は、図４Ａに示した例示的な実施形態と異なる点として、半導体チップ２の放射出口面２ａの前に光学素子８が配置されている。

図４Ｃは、図４Ｂの例示的な実施形態に示した部品の、図４Ａに記載した切断線Ａ−Ａに沿った概略断面図を示している。半導体チップ２と光学素子８との間に中間層９が配置されている。中間層９は、半導体チップの側面、カバーの側面、キャリアの側面、および取付け要素の側面を少なくとも部分的に含む側面と、光学素子８との間の接着を提供する。半導体チップ２の放射出口面２ａは、カバー３およびキャリア５より横方向に突き出している。

図５に示した例示的な実施形態は、図４Ｃに示した例示的な実施形態と異なる点として、中間層９に微小共振器１０が埋め込まれている。微小共振器１０は、半導体チップ２の放射出口面２ａの前に配置されている。微小共振器は、動作時に半導体チップによって放出される電磁放射のための光共振室（ｏｐｔｉｃａｌ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｃｈａｍｂｅｒ）として構成されている。

図６に示した例示的な実施形態は、図４Ｃに示した例示的な実施形態と異なる点として、光学素子８が変換層８ａによって覆われている。変換層は、半導体チップの電磁放射を、少なくとも部分的に、別の波長範囲の電磁放射に変換する。

図７に示した例示的な実施形態は、図４Ｃに示した例示的な実施形態と異なる点として、カバー３が光学素子８より横方向に突き出している。突き出しているカバー３に変換要素１１が取り付けられており、変換要素１１は光学素子８を横方向に覆っている。変換要素は、半導体チップの電磁放射を、少なくとも部分的に、別の波長範囲の電磁放射に変換する。

図８に示した例示的な実施形態は、図４Ｃに示した例示的な実施形態と異なる点として、光学素子８がホルダー１２によって囲まれている。ホルダー１２と中間層９との間に誘電体フィルタ１３が配置されている。ホルダー１２は、半導体チップ２の放射出口面２ａに対向する放射入口面を有する。対向する位置にある放射出口面に、変換層１１が取り付けられている。

図９に示した例示的な実施形態は、図８に示した例示的な実施形態と異なる点として、キャリア５が放射出口面２ａより横方向に突き出している。ホルダー１３は、第７の複数のナノワイヤおよび第８の複数のナノワイヤによって、キャリア５に熱伝導的に結合されている。

図１０に示した例示的な実施形態は、図８に示した例示的な実施形態と異なる点として、誘電体フィルタ１３がホルダー１２の放射出口面に配置されている。変換要素１１は誘電体フィルタ１３の上に配置されている。変換要素１１は誘電体フィルタ１３の上に配置されている。ホルダー１２は、半導体チップ２の動作時に放出される電磁放射を、放射出口面２ａに垂直に方向転換する傾斜部を有する。ホルダーの放射出口面は、本部品の主延在面に平行である。光学素子８の下側部分は、ホルダー１２によって囲まれていない。動作時に放出される電磁放射の一部は、光学素子８の下側部分に入射し得る。光学素子８の下側部分は、例えば、光混合器として、あるいは放熱（ｔｈｅｒｍａｌ ｄｅｃｏｕｐｌｉｎｇ）の目的に使用することができる。

本特許出願は、独国特許出願第１０２０１８１０６９５９．６号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照により本明細書に組み込まれている。

本発明は、例示的な実施形態に基づく説明に制限されない。むしろ本発明は、新規の各特徴および特徴の各組合せ（特に特許請求項における特徴の各組合せを含む）を包含しており、これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が特許請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。

１ オプトエレクトロニクス部品
２ 放射放出半導体チップ
２ａ 放射出口面
３ カバー
３ａ フレーム
３ｂ カバープレート
３３ 空洞
４ 被覆
４ａ 第１の接点
４ｂ さらなる第１の接点
４ｃ 第２の接点
４ｄ さらなる第２の接点
４ｅ 第３の接点
４ｆ 第４の接点
４ｇ コンタクト
４ｈ さらなるコンタクト
５ キャリア
５ａ めっきスルーホール
６ 完全な接続部
６ａ 第１の複数のナノワイヤ
６ｂ 第２の複数のナノワイヤ
６ｃ 第３の複数のナノワイヤ
６ｄ 第４の複数のナノワイヤ
６ｅ 不完全な接続部
７ 取付け要素
８ 光学素子
８ａ 変換層
９ 中間層
１０ 微小共振器
１１ 変換要素
１２ ホルダー
１３ 誘電体ミラー

Claims (20)

1. オプトエレクトロニクス部品（１）であって、
   − 動作時に放射出口面（２ａ）から電磁放射を放出する放射放出半導体チップ（２）と、
   − 少なくとも２つの第１の接点（４ａ）を備えたキャリア（５）と、
   − 少なくとも２つの第２の接点（４ｃ）を備えたカバー（３）と、
   を具備し、
   − 前記少なくとも２つの第１の接点（４ａ）と前記少なくとも２つの第２の接点（４ｃ）とが、第１の複数のナノワイヤ（６ａ）および第２の複数のナノワイヤ（６ｂ）によって、導電的および／または熱伝導的に互いに接続されており、
   − 前記ナノワイヤが、前記キャリア（５）と前記カバー（３）との間に、機械的に安定的な接続部（６）を提供する、
   オプトエレクトロニクス部品（１）。
2. − 前記第１の接点（４ａ）が、前記第１の複数のナノワイヤ（６ａ）を備えており、かつ前記第２の接点（４ｃ）が、前記第２の複数のナノワイヤ（６ｂ）を備えており、
   − 機械的に安定的な接続部（６）が形成されるように、前記第１の複数のナノワイヤ（６ａ）と前記第２の複数のナノワイヤ（６ｂ）が、主延在方向に沿って互いに中に挿入されている、
   請求項１に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
3. 前記ナノワイヤが、次の材料、すなわち銅、金、銀、白金、ニッケル、スズ、のうちの１種類を有する、
   請求項１または請求項２のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
4. 前記カバー（３）が空洞（３３）を備えており、前記空洞（３３）の境界を画成している前記カバー（３）の側壁が、前記半導体チップ（２）を囲んでいる、
   請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
5. − 前記カバー（３）の前記空洞（３３）の境界を画成している上面が、半導体チップ（２）と向かい合っており、かつ、前記半導体チップ（２）の前記放射出口面（２ａ）に直角に配置されており、
   − 前記空洞（３３）の境界を画成している前記上面が、さらなる第２の接点（４ｄ）を有し、
   − 前記半導体チップ（２）の上面に第３の接点（４ｅ）が配置されており、
   − 前記さらなる第２の接点（４ｄ）と前記第３の接点（４ｅ）とが、第３の複数のナノワイヤ（６ｃ）および第４の複数のナノワイヤ（６ｄ）によって、導電的および／または熱伝導的に互いに接続されている、
   請求項４に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
6. 前記さらなる第２の接点（４ｄ）から前記第３の接点（４ｅ）までの距離が、前記少なくとも２つの第１の接点（４ａ）から前記少なくとも２つの第２の接点（４ｂ）までの距離とは異なる、
   請求項５に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
7. − 前記半導体チップ（２）が取付け要素（７）の上に配置されており、
   − 前記取付け要素（７）が、前記半導体チップ（２）とは反対側の面に第４の接点（４ｆ）を有し、
   − 前記キャリア（５）が、さらなる第１の接点（４ｂ）を有し、
   − 前記さらなる第１の接点（４ｂ）と前記第４の接点（４ｆ）とが、第５の複数のナノワイヤおよび第６の複数のナノワイヤによって、導電的および／または熱伝導的に互いに接続されている、
   請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
8. − 前記キャリア（５）と向かい合っている前記カバー（３）の内面を、少なくとも一部の領域において、被覆（４）が導電的および／または熱伝導的に覆っており、
   − 前記第２の接点（４ｃ）および前記さらなる第２の接点（４ｄ）が、前記被覆の一部である、
   請求項７に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
9. − 前記カバー（３）がフレーム（３ａ）を有し、前記フレーム（３ａ）が前記半導体チップ（２）を横方向に囲んでおり、
   − 前記カバー（３）が、前記フレーム（３ａ）の上に配置されているカバープレート（３ｂ）を有する、
   請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
10. − 前記フレーム（３ａ）をコンタクト（４ｇ）が垂直方向に完全に貫いており、
    − 前記コンタクト（４ｇ）が、前記第２の接点（４ｃ）の少なくとも１つと、前記さらなる第２の接点（４ｄ）とを、導電的および／または熱伝導的に接続している、
    請求項８または請求項９に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
11. 前記カバープレート（３ｂ）が、可視光に対して透明である、
    請求項９または請求項１０に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
12. 前記カバー（３）の前記内面が、前記被覆（４）によって完全に覆われている、
    請求項８に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
13. − 前記半導体チップ（２）が端面発光型半導体レーザチップであり、
    − 前記放射出口面（２ａ）に光学素子（８）が中間層（９）によって取り付けられている、
    請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
14. 前記中間層（９）に微小共振器（１０）が埋め込まれている、
    請求項１３に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
15. − 前記光学素子（８）の外面が、変換層（８ａ）によって覆われている、
    請求項１３または請求項１４のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
16. 前記部品が、
    − 誘電体フィルタ（１３）およびホルダー（１２）、を備えており、
    − 前記ホルダー（１２）が、放射入口面および放射出口面を有し、
    − 前記誘電体フィルタ（１３）が、前記半導体チップ（２）の前記電磁放射に対して透明であり、かつ、別の波長範囲の変換された放射に対して不透明である、
    請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
17. − 前記誘電体フィルタ（１３）が、前記ホルダー（１２）の前記放射入口面または前記放射出口面に配置されており、
    − 前記ホルダーの前記放射出口面に変換要素（１１）が配置されており、前記変換要素（１１）が、前記半導体チップ（２）の電磁放射を、少なくとも部分的に、別の波長範囲の電磁放射に変換する、
    請求項１６に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
18. − 前記キャリア（５）が、前記放射出口面（２ａ）より横方向に突き出しており、
    − 前記ホルダー（１２）および前記キャリア（５）が、第７の複数のナノワイヤおよび第８の複数のナノワイヤによって、互いに熱伝導的に接続されている、
    請求項１６または請求項１７のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１）。
19. オプトエレクトロニクス部品（１）を製造する方法であって、以下のステップ、すなわち、
    − 少なくとも２つの第１の接点（４ａ）を備えたキャリア（５）、を設けるステップと、
    − 動作時に放射出口面（２ａ）から電磁放射を放出する放射放出半導体チップ（２）を、前記キャリアに貼り付けるステップと、
    − 少なくとも２つの第２の接点（４ｃ）を備えたカバー（３）を、前記キャリア（５）に貼り付けるステップと、
    を含み、
    − 前記少なくとも２つの第１の接点（４ａ）と前記少なくとも２つの第２の接点（４ｃ）とが、第１の複数のナノワイヤ（６ａ）および第２の複数のナノワイヤ（６ｂ）によって、導電的および／または熱伝導的に互いに接続され、
    − 前記第１の複数のナノワイヤ（６ａ）および前記第２の複数のナノワイヤ（６ｂ）が、前記キャリア（５）と前記カバー（３）の間に、機械的に安定的な接続部（６）を提供する、
    方法。
20. 前記カバー（３）が前記キャリア（５）に貼り付けられるとき、前記第１の複数のナノワイヤ（６ａ）および前記第２の複数のナノワイヤ（６ｂ）が、１ＭＰａと５０ＭＰａの間（両端値を含む）の垂直方向における圧力で、０．５秒と５秒の間（両端値を含む）の時間にわたり、室温において互いに押し付けられる、
    請求項１９に記載の方法。

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