JP2021517960A - マークフィールドならびにポジションを特定する方法および装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 174
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 65
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 97
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 37
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 22
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 17
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 7
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 4
- -1 InN Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- 229910015894 BeTe Inorganic materials 0.000 description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005543 GaSe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006592 α-Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- RMMXTBMQSGEXHJ-UHFFFAOYSA-N Aminophenazone Chemical compound O=C1C(N(C)C)=C(C)N(C)N1C1=CC=CC=C1 RMMXTBMQSGEXHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 1
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 description 1
- 238000012951 Remeasurement Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000009918 complex formation Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000005283 halide glass Substances 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005286 inorganic non-metallic glass Substances 0.000 description 1
- 229920003049 isoprene rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005281 nonmetallic glass Substances 0.000 description 1
- 239000005280 organic non-metallic glass Substances 0.000 description 1
- 239000005365 phosphate glass Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
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- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/26—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
- G01B11/27—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
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- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
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- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7007—Alignment other than original with workpiece
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- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7046—Strategy, e.g. mark, sensor or wavelength selection
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- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
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- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B2210/00—Aspects not specifically covered by any group under G01B, e.g. of wheel alignment, caliper-like sensors
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Abstract
Description
−少なくとも2つのロケーションマークであって、マークフィールド内のそれぞれのロケーションマークのロケーション(方位)についての情報を含むロケーションマークと、
−ロケーションマークの1つに割り当てられたまたは割り当て可能な少なくとも1つのポジションマークであって、基板上の構造化部の構造特徴部のX−Y−ポジション(座標)を、特に基板ホルダの運動またはポジションによらず特定するポジションマークと、
を設けることである。
マークとは、本発明において最も広義に、光学式に検出可能なかつ/またはトポグラフィックに検出可能な構造化部(または構造化部の構造特徴部)と解され、構造化部(または構造化部の構造特徴部)もしくはそのポジション、好ましくは、少なくともそのX−Y−ポジション(位置)は、測定機器により検知、ひいては特定可能である。構造化部/構造特徴部を検出、ひいてはそのポジションを特定する測定機器は、特に:
−光学式のシステム、特にカメラ、
−接触式のシステム、特にAFM、
であってよい。
−金属、特に
Cr,Al,Ti,Cu,Ag,Au,Fe,Ni,Co,Pt,W,Pb,Ta,Zn,Sn、
−合金、特に
金属合金、
金属−非金属合金、
−セラミック、
−プラスチック、
−半導体、特に
化合物半導体、特に
GaAs,GaN,InP,InxGa1−xN,InSb,InAs,GaSb,AlN,InN,GaP,BeTe,ZnO,CuInGaSe2,ZnS,ZnSe,ZnTe,CdS,CdSe,CdTe,Hg(1−x)Cd(x)Te,BeSe,HgS,AlxGa1−xAs,GaS,GaSe,GaTe,InS,InSe,InTe,CuInSe2,CuInS2,CuInGaS2,SiC,SiGe、
半導体、特に
Ge,Si,α−Sn,フラーレン,B,Se,Te。
−QRコード、
−バーコード、
−幾何学的な、特に3次元の図形、
−記号列、特に文字列および/または数字列、好ましくはバイナリコード、
−画像、
の1つまたは複数である。
マークフィールドは、特に、好ましくは互いに高対称的に配置される複数のマーク、すなわちロケーションマークおよびポジションマークの集合からなっている。本発明において重要なことは、とりわけ、ポジションマークが互いに高精度に作成されることである。ポジションマークに割り当てられたまたは割り当て可能なロケーションマークは、両者が好ましくは同時に光学系の視界内に存在しているように配置される。ロケーションマークは、特に専ら、光学系により観察される、以下の文ではロケーションとしか呼ばない大体のロケーションポジション(方位)を読み取るために用いられる。好ましくは、各ロケーションマークと、割り当てられたポジションマークとの間の相対ポジションは、同じである。このことは、評価アルゴリズムのプログラミングを容易にし、ひいては、ロケーションマークおよびポジションマークが光学系の視界内に存在すると直ちに、マークフィールド内のロケーションマークおよび/またはポジションマークをサーチすることが容易になる。
本発明によるマークフィールド担体は、マークフィールドがその上に設けられている/設けられる1つまたは複数の構成部材である。
−金属、特に
Cu,Ag,Au,Al,Fe,Ni,Co,Pt,W,Cr,Pb,Ti,Ta,Zn,Snならびに/または
−プラスチック、特に
エラストマー、特に
バイトン(素材)および/もしくは
ポリウレタンおよび/もしくは
ハイパロン(素材)および/もしくは
イソプレンゴム(素材)および/もしくは
ニトリルゴム(素材)および/もしくは
パーフルオロゴム(素材)および/もしくは
ポリイソブテン(素材)、
熱可塑性のエラストマーならびに/または
−半導体材料、特に
化合物半導体、
GaAs,GaN,InP,InxGa1−xN,InSb,InAs,GaSb,AlN,InN,GaP,BeTe,ZnO,CuInGaSe2,ZnS,ZnSe,ZnTe,CdS,CdSe,CdTe,Hg(1−x)Cd(x)Te,BeSe,HgS,AlxGa1−xAs,GaS,GaSe,GaTe,InS,InSe,InTe,CuInSe2,CuInS2,CuInGaS2,SiC,SiGe、
半導体、特に
Ge,Si,α−Sn,フラーレン,B,Se,Te、
−ガラス、特に
金属ガラス、
非金属ガラス、特に
有機非金属ガラス、
無機非金属ガラス、特に
非酸化物ガラス、特に
ハロゲン化物ガラス、
カルコゲナイドガラス、
酸化物ガラス、特に
リン酸塩ガラス、
ケイ酸塩ガラス、特に
アルミノケイ酸塩ガラス、
鉛ケイ酸塩ガラス、
アルカリケイ酸塩ガラス、特に
アルカリ−アルカリ土類ケイ酸塩ガラス、
ホウケイ酸ガラス、
ホウ酸塩ガラス、特に
アルカリホウ酸塩ガラス、
石英、
−セラミック、
−鉱物、特にサファイア。
−円筒形、
−(好ましくは)直方体形、
である。しかし、マークフィールド担体は、原則、あらゆる任意の形状をとることができる。
−機械式の固定手段、特にクランプ、
−真空固定手段、特に個々に動作制御可能なまたは互いに接続された複数の真空帯を有する真空固定手段、
−電気式の固定手段、特に静電気を利用した固定手段、
−磁気式の固定手段、
−接着式の固定手段、特にGel−Pak固定手段、
−接着式の、特に動作制御可能な表面を有する固定手段、
の1つまたは複数であってもよい。
本発明に係る装置は、マークフィールド担体と、基板ホルダと、少なくとも2つの光学系とからなっている。マークフィールド担体は、好ましくは、基板ホルダの一部である(その逆もまた然り)。本明細書において基板ホルダまたはマークフィールド担体について述べる限りにおいて、これらは、ユニットと見なされるまたは同義に使用される。
X−Y−ポジションを特定する本発明による決定的な方法ステップの前に、両光学系を特に互いに可能な限り最良に校正する。
−回転誤差および/または
−並進誤差および/または
−スケーリング誤差および/または
−残存誤差
を有していることがある。回転誤差とは、構造化部がその理想的な目標ポジションに対して全体的かつ/または局所的に回転しているエラーと解される。並進誤差とは、構造化部がその理想的な目標ポジションに対して全体的かつ/または局所的に並進しているエラーと解される。スケーリング誤差とは、構造化部がその理想的な目標ポジションに対して全体的かつ/または局所的にスケーリングを受けているエラーと解される。このエラーは、当業者の世界では、「ランアウト」とも称呼される。「ランアウト」は、特に、半径が大きくなるにつれて、誤差が大きくなることを特徴としている。大抵の場合、この誤差は、基板の縁部において中心近傍の領域におけるよりも強く作用する熱膨張の結果である。残存誤差は、目標構造化部と実際構造化部との偏差に至るすべての別種の誤差を指している。実際構造化部が目標構造化部とは軽微に異なるという作用は、以下では初期誤差または「インカミングエラー(incoming error)」と称呼する。
dx=dx1+dx2
dy=dy1+dy2
こうして求めた値dxおよびdyは、而して、校正マークの(2倍の)横方向の変位と、(2倍の)光学的な誤差とからなる(2倍の)合計誤差である:
dx=(2倍の)横方向の変位x+(2倍の)光学的な誤差x
dy=(2倍の)横方向の変位y+(2倍の)光学的な誤差y
校正マークのための最適な作成方法、特に穴あけ法の既に言及した使用により、横方向の変位は、事実上、ゼロに減じることができ、値dxおよびdyは、(2倍の)光学的な誤差を表している:
(2倍の)光学的な誤差x=dx
(2倍の)光学的な誤差y=dy
横方向の変位がそれほど小さくない場合は、横方向の変位を別の方法で求め、その後で差し引く必要がある:
(2倍の)光学的な誤差x=dx−測定した(2倍の)横方向の変位x
(2倍の)光学的な誤差y=dy−測定した(2倍の)横方向の変位y
x方向およびy方向での光学的な誤差は、最終的に
光学的な誤差x=(2倍の)光学的な誤差x/2
光学的な誤差y=(2倍の)光学的な誤差y/2
により得られる。x方向およびy方向での光学的な誤差は、光学系をその後それ以上互いに動かさない限り、1回だけ計算すればよい。その後、基板表面における構造化部と、マークフィールド内の相応のポジションマークとの間の、計測したx方向およびy方向での各間隔を光学的な誤差の分だけ修正するために、x方向およびy方向での光学的な誤差を用いることができる。光学的な誤差は、好ましくは、ベクトルとして記憶され、以下の文では、アルファベットのFで示す。
−マークフィールドの軸は、基板座標系の軸と一致していない。
−コンピュータ内のマークフィールドの理想的なポジションマークは、マークフィールド担体におけるマークフィールドの現実のポジションマークと同じには配置されていない。偏差を計測し、記憶することができる。
−マークフィールドの現実のポジションマークのポジションと、基板上の現実の構造化部のポジションとの間の相関は、ここで説明したように求めることができる。
−コンピュータ内のマークフィールドの理想的なポジションマークのポジションと、コンピュータ内の理想的な構造化部のポジションとの間の相関は、データが常に提供されていて、初めに計測する必要がないため、計算可能である。
−光学的な誤差は、校正プロセスにおいて求めた値によりデータから算出可能である。
−上の列挙からのデータは、常に、基板上の現実の構造化部の、コンピュータ内の理想的な構造化部からの偏差の計算を可能にする。
2 ロケーションマーク
3,3’,3i,3r ポジションマーク
4 マークフィールド
5,5’,5’’ マークフィールド担体
5o,5o’,5o’’ マークフィールド担体表面
5r,5r’’ マークフィールド担体裏側
6 物体固定の座標系
7 基板
7o 基板表面
8,8’,8’’,8’’’ 基板ホルダ
8o 基板ホルダ表面
8r 基板ホルダ裏側
9 固定要素
10 支柱
11,11i,11r 構造
11c 特徴的な構造特徴部
12 固定手段
13,13’ 光学系
14 貫通部
Claims (9)
- マークフィールド(4)であって、
−少なくとも2つのロケーションマーク(2)であって、前記マークフィールド(4)内のそれぞれの前記ロケーションマーク(2)のロケーションについての情報を含むロケーションマーク(2)と、
−前記ロケーションマーク(2)の1つに割り当てられたまたは割り当て可能な少なくとも1つのポジションマーク(3)と、
を備えるマークフィールド(4)。 - 前記ロケーションマーク(2)および/またはポジションマーク(3)は、任意の、特に対称的なラスタ内で統一的な間隔を前記ロケーションマーク(2)および/またはポジションマーク(3)間に置いて配置されている、請求項1記載のマークフィールド。
- 隣り合うロケーションマーク(2)および/または隣り合うポジションマーク(3)は、前記マークフィールド(4)上で等間隔に配置されている、請求項1または2記載のマークフィールド。
- 前記マークフィールド(4)は、少なくとも10×10のマーク(1)、好ましくは、少なくとも100×100のマーク(1)、さらに好ましくは、1000×1000を超えるマーク(1)、殊に好ましくは、10000×10000を超えるマーク(1)、最も好ましくは、100000×100000を超えるマーク(1)を有する、請求項1から3までのいずれか1項または複数項記載のマークフィールド。
- 隣り合うロケーションマーク(2)間の間隔は、前記ロケーションマーク(2)の幅および/もしくは高さまたは直径より小さく、特に、前記間隔と、前記ロケーションマーク(2)の前記幅および/もしくは高さまたは前記直径との比は、1より小さい、さらに好ましくは、0.5より小さい、さらに好ましくは、0.1より小さい、請求項1から4までのいずれか1項または複数項記載のマークフィールド。
- 前記マークフィールド(4)の各マーク(1)は、それぞれ異なっており、特にそれぞれ異なるコード、好ましくは、ポジションコードを有する、請求項1から5までのいずれか1項または複数項記載のマークフィールド。
- 前記ロケーションマークは、以下の特徴、つまり、
−QRコード、
−バーコード、
−幾何学的な、特に3次元の図形、
−記号列、特に文字列および/または数字列、好ましくはバイナリコード、
−画像、
の1つまたは複数を有する、請求項1から6までのいずれか1項または複数項記載のマークフィールド。 - 基板(7)上に配置される構造化部(11)の構造特徴部(11c)のX−Y−ポジションを特定する装置であって、前記X−Y−ポジションは、前記基板に対して固定の、請求項1から7までのいずれか1項または複数項にしたがって形成されているマークフィールド(4)に対して相対的に特定可能である、装置。
- 基板(7)上に配置される構造化部(11)の構造特徴部(11c)のX−Y−ポジションを特定する方法であって、
前記基板(7)に対して固定のマークフィールド(4)が、
−少なくとも2つのロケーションマーク(2)であって、前記マークフィールド(4)内でのそれぞれの前記ロケーションマーク(2)のロケーションについての情報を含むロケーションマーク(2)と、
−前記ロケーションマーク(4)の1つに割り当てられたまたは割り当て可能な少なくとも1つのポジションマーク(3)と、
を有し、
前記X−Y−ポジションを前記マークフィールド(4)に対して相対的に特定する、
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022177024A JP2023011855A (ja) | 2018-02-27 | 2022-11-04 | マークフィールドならびにポジションを特定する方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2018/054840 WO2019166078A1 (de) | 2018-02-27 | 2018-02-27 | Markenfeld, verfahren und vorrichtung zur bestimmung von positionen |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022177024A Division JP2023011855A (ja) | 2018-02-27 | 2022-11-04 | マークフィールドならびにポジションを特定する方法および装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021517960A true JP2021517960A (ja) | 2021-07-29 |
JP7480049B2 JP7480049B2 (ja) | 2024-05-09 |
Family
ID=61750075
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020542445A Active JP7480049B2 (ja) | 2018-02-27 | 2018-02-27 | マークフィールドならびにポジションを特定する方法および装置 |
JP2022177024A Pending JP2023011855A (ja) | 2018-02-27 | 2022-11-04 | マークフィールドならびにポジションを特定する方法および装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022177024A Pending JP2023011855A (ja) | 2018-02-27 | 2022-11-04 | マークフィールドならびにポジションを特定する方法および装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11680792B2 (ja) |
EP (1) | EP3759424B1 (ja) |
JP (2) | JP7480049B2 (ja) |
KR (1) | KR20200125584A (ja) |
CN (1) | CN111727353A (ja) |
TW (1) | TW202001690A (ja) |
WO (1) | WO2019166078A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2018
- 2018-02-27 EP EP18712511.7A patent/EP3759424B1/de active Active
- 2018-02-27 US US16/959,230 patent/US11680792B2/en active Active
- 2018-02-27 WO PCT/EP2018/054840 patent/WO2019166078A1/de active Search and Examination
- 2018-02-27 KR KR1020207020923A patent/KR20200125584A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-02-27 JP JP2020542445A patent/JP7480049B2/ja active Active
- 2018-02-27 CN CN201880089074.3A patent/CN111727353A/zh active Pending
-
2019
- 2019-02-25 TW TW108106261A patent/TW202001690A/zh unknown
-
2022
- 2022-11-04 JP JP2022177024A patent/JP2023011855A/ja active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7480049B2 (ja) | 2024-05-09 |
CN111727353A (zh) | 2020-09-29 |
US11680792B2 (en) | 2023-06-20 |
US20200333136A1 (en) | 2020-10-22 |
EP3759424A1 (de) | 2021-01-06 |
WO2019166078A1 (de) | 2019-09-06 |
EP3759424B1 (de) | 2024-05-29 |
JP2023011855A (ja) | 2023-01-24 |
KR20200125584A (ko) | 2020-11-04 |
TW202001690A (zh) | 2020-01-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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A02 | Decision of refusal |
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|
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|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
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|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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|
C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
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