JP2021190504A - Semiconductor device and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体素子とこれに接続される導電部材とが封止されてなる半導体装置およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor device in which a semiconductor element and a conductive member connected to the semiconductor element are sealed, and a method for manufacturing the same.
従来、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistorの略）などの半導体素子と、リード部を有し、半導体素子が搭載されるリードフレームと、リード部と半導体素子とを繋ぐ電気接続部材としての金属板と、封止樹脂とを備える半導体装置が知られている。この種の半導体装置は、例えば、リードフレームに半導体素子をマウントした後に、個々の金属板を搬送してリード部と半導体素子とを架橋するように配置してこれらを接合することで得られる。 Conventionally, a semiconductor element such as an IGBT (abbreviation of Insulated Gate Bipolar Transistor), a lead frame having a lead portion on which the semiconductor element is mounted, a metal plate as an electrical connection member connecting the lead portion and the semiconductor element, and a metal plate. A semiconductor device including a sealing resin is known. This type of semiconductor device can be obtained, for example, by mounting a semiconductor element on a lead frame, transporting individual metal plates, arranging them so as to crosslink the lead portion and the semiconductor element, and joining them.
しかしながら、上記の製造方法では製造コストがかかるため、例えば、特許文献１に記載の方法が提案されている。この方法では、複数のリードフレームが連結された金属部材上に複数の半導体素子を搭載し、複数の金属板が連結されたシートを組み付けて接合し、封止樹脂を形成した後に金属部材およびシートを切断して分離する。
However, since the above-mentioned manufacturing method requires a manufacturing cost, for example, the method described in
特許文献１に記載の半導体装置は、半導体素子とリード部とが金属板により接合されることで、大電流化や低インダクタンス化がされると共に、製造コストが低減された構造となる。
The semiconductor device described in
しかしながら、封止樹脂を形成後に連結された金属板同士を切断して分離する製造方法であるため、封止樹脂の側面に金属板の断面が露出してしまう。また、近年、この種の半導体装置の小型化が進められており、小型化が進むと、封止樹脂から露出した金属板の断面に起因して沿面放電が生じ得る。具体的には、金属板の露出部分と他の電位の異なる電極等との距離が小型化に伴って小さくなり、これらの間で沿面放電が生じ得る。 However, since it is a manufacturing method in which the metal plates connected after forming the sealing resin are cut and separated from each other, the cross section of the metal plate is exposed on the side surface of the sealing resin. Further, in recent years, the miniaturization of this type of semiconductor device has been promoted, and as the miniaturization progresses, creeping discharge may occur due to the cross section of the metal plate exposed from the sealing resin. Specifically, the distance between the exposed portion of the metal plate and other electrodes having different potentials becomes smaller as the size is reduced, and creeping discharge may occur between them.
本発明は、上記の点に鑑み、半導体素子と、半導体素子と他の部材とを接続する金属板と、これらを封止する封止樹脂とを備える半導体装置において、金属板に起因する沿面放電を抑制することを目的とする。 In view of the above points, the present invention relates to a semiconductor device including a semiconductor element, a metal plate connecting the semiconductor element and other members, and a sealing resin for sealing the semiconductor element, and creeping discharge caused by the metal plate. The purpose is to suppress.
上記目的を達成するため、請求項１に記載の半導体装置は、リード部（２１）と、リード部とは分離したダイパッド部（２２）と、を有するリードフレーム（２）と、ダイパッド部に搭載される半導体素子（３）と、リード部と半導体素子とを架橋して電気的に接続する金属板（４）と、リードフレームの一部、半導体素子および金属板を覆うモールド樹脂（７）と、を備え、金属板のうち半導体素子およびリード部の側の面を裏面（４ｂ）とし、裏面とは反対面を表面（４ａ）とし、表面と裏面とを繋ぐ面を側面（４ｃ）とし、リード部に接続される端部を一端とし、半導体素子に接続される端部を他端とし、一端と他端とを繋ぐ方向を接続方向（Ｄ１）として、金属板は、すべてモールド樹脂に覆われると共に、側面のうち接続方向に対して交差する接続方向端面（４ｃａ）の一部または全部が表面の側である上部に向かって反っている。
In order to achieve the above object, the semiconductor device according to
これにより、リード部と半導体素子とを繋ぐ金属板が封止樹脂に覆われ、封止樹脂から金属板が露出することがなくなり、金属板に起因する沿面放電が抑制された半導体装置となる。 As a result, the metal plate connecting the lead portion and the semiconductor element is covered with the sealing resin, the metal plate is not exposed from the sealing resin, and the creeping discharge caused by the metal plate is suppressed, resulting in a semiconductor device.
請求項７に記載の半導体装置の製造方法は、半導体装置の製造方法であって、リード部（２１）とダイパッド部（２２）とを有してなるリードフレーム（２）を用意することと、半導体素子（３）を用意し、ダイパッド部の上に搭載することと、半導体素子をダイパッド部の上に搭載した後、リード部と半導体素子とを架橋する金属板（４）となる部位を備える金属シート（４０）を用意することと、金属板となる部位のうち半導体素子に接続する側の面を接続面（４０ｂ）として、金属シートのうち接続面とは反対側の面（４０ａ）を真空吸着することにより金属シートを治具（Ｊ１）に仮固定することと、金属シートを治具に仮固定した状態で、金属シートから金属板を分離することと、金属シートから分離した金属板を治具に仮固定したまま、半導体素子およびリード部に接続し、リード部と半導体素子とを架橋した後に、真空吸着をやめて金属板を治具から取り外すことと、金属板を治具から取り外した後、リードフレームの一部、半導体素子および金属板を覆うモールド樹脂（７）を形成することと、を含み、金属板を金属シートから分離することにおいては、刃具（Ｊ３）を用いて接続面の側から接続面の反対側の面に向かって金属板となる部分と他の部分との境界部分を切断することで、金属板のうちリード部に接続される一端と半導体素子に接続される他端とを繋ぐ方向を接続方向（Ｄ１）として、接続方向に対して交差する接続方向端面（４ｃａ）を形成する。
The method for manufacturing a semiconductor device according to
これにより、刃具を用いて金属シートから半導体素子とリード部とを接続する金属板を分離した後に、接続方向端面が形成された金属板を半導体素子およびリード部に搭載し、これをモールド樹脂で封止する。そのため、接続部材としての金属板がすべてモールド樹脂に覆われ、モールド樹脂の外表面において金属板が露出しない半導体装置を製造することができる。この半導体装置は、金属板がモールド樹脂から露出していないため、金属板に起因する沿面放電が抑制された構造となる。 As a result, after separating the metal plate that connects the semiconductor element and the lead portion from the metal sheet using a cutting tool, the metal plate on which the end face in the connection direction is formed is mounted on the semiconductor element and the lead portion, and this is mounted on the semiconductor element and the lead portion with a mold resin. Seal. Therefore, it is possible to manufacture a semiconductor device in which the metal plate as a connecting member is entirely covered with the mold resin and the metal plate is not exposed on the outer surface of the mold resin. Since the metal plate is not exposed from the mold resin, this semiconductor device has a structure in which creeping discharge caused by the metal plate is suppressed.
なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。 The reference numerals in parentheses attached to each component or the like indicate an example of the correspondence between the component or the like and the specific component or the like described in the embodiment described later.
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each of the following embodiments, the parts that are the same or equal to each other will be described with the same reference numerals.
（第１実施形態）
第１実施形態の半導体装置１について、図１〜図４を参照して説明する。
(First Embodiment)
The
図１では、見易くして理解を助けるため、半導体装置１のうち後述するモールド樹脂７に覆われて見えない構成要素の外郭を実線で示すと共に、モールド樹脂７の外郭を二点鎖線で示している。図３では、見易くするため、後述する金属板４のうち図示した角度では見えない部分を破線で示している。
In FIG. 1, in order to make it easier to see and to help understanding, the outer shell of the component of the
〔構成〕
本実施形態の半導体装置１は、例えば図１に示すように、リードフレーム２と、複数の半導体素子３と、電気接続部材としての金属板４と、ワイヤ５と、制御素子６と、モールド樹脂７とを備える。半導体装置１は、リードフレーム２のうちダイパッド部２２に半導体素子３が搭載され、リード部２１と半導体素子３とが金属板４により架橋されることで電気的に接続された構成である。半導体装置１は、複数の半導体素子３がそれぞれワイヤ５を介して制御素子６に接続され、制御素子６により半導体素子３の駆動制御がなされる。
〔composition〕
As shown in FIG. 1, for example, the
リードフレーム２は、例えば図１に示すように、本実施形態では、複数のリード部２１と、リード部２１から分離した複数のダイパッド部２２とを有してなり、Ｃｕ（銅）等の金属材料により構成される。リードフレーム２は、例えば、後述する製造工程の途中までは、複数のリード部２１およびダイパッド部２２が図示しないタイバーで連結されているが、当該タイバーが切断分離されることで、リード部２１およびダイパッド部２２が分離した状態となっている。
As shown in FIG. 1, for example, the
複数のリード部２１は、ダイパッド部２２および他のリード部２１から離れた位置に配置されるが、その配置については適宜変更され得る。複数のリード部２１のうち一部のリード部２１には、例えば図２に示すように、接合材８を介して金属板４の一部が搭載されている。このリード部２１は、金属板４を介してダイパッド部２２の上に搭載された半導体素子３の図示しない電極に接続されており、半導体素子３の電流経路となっている。また、複数のリード部２１のうち他の一部は、ワイヤ５が接続されており、ワイヤ５を介した制御素子６との電気的なやり取りが可能となっている。複数のリード部２１は、例えば図２に示すように、一部がモールド樹脂７から露出しており、外部端子として機能する。
The plurality of
複数のダイパッド部２２のうち一部のダイパッド部２２は、例えば図２に示すように、接合材８を介して半導体素子３が搭載されており、半導体素子３の図示しない電極と電気的に接続されている。複数のダイパッド部２２のうち少なくとも１つには、本実施形態では、例えば図１に示すように、制御素子６が搭載されている。つまり、ダイパッド部２２には、半導体素子３または制御素子６が搭載されている。ダイパッド部２２は、リード部２１と同様にモールド樹脂７から一部が露出しており、外部端子として機能する。ダイパッド部２２は、必要に応じて、上面視にて、外部に向かって突出した突出部が複数形成される。
As shown in FIG. 2, for example, a part of the
半導体素子３は、例えば、ＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistorの略）やダイオード等のパワー素子であり、公知の半導体素子の製造プロセスにより製造される。半導体素子３は、例えば図２に示すように、表裏の関係にある一面３ａおよび他面３ｂを有する板状とされ、少なくとも一面３ａおよび他面３ｂにＡｌ（アルミニウム）等の金属材料によりなる図示しない一対の電極を備えた縦型のパワー素子とされる。半導体素子３は、例えば、ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴである場合には、図示しない一対の電極（エミッタ、コレクタ）のほか、一面３ａに図示しないゲート電極を備え、当該ゲート電極にワイヤ５が接続され、制御素子６との電気的なやり取りが可能となっている。半導体素子３は、例えば図２に示すように、他面３ｂ側がはんだ等によりなる接合材８を介してリードフレーム２のうちダイパッド部２２の上に搭載される。半導体素子３は、ダイパッド部２２とは反対側の一面３ａに形成された図示しない電極に、接合材８を介して金属板４が接続されている。つまり、半導体素子３は、制御素子６により駆動制御がなされると共に、半導体素子３の厚み方向に生じる電流が金属板４を介して接続されたリード部２１に流れる構成となっている。
The
なお、半導体素子３は、図１に示すように、１つの金属板４により１つのリード部２１に接続されてもよいし、複数の金属板４を介して複数の異なるリード部２１に接続されてもよく、半導体素子３のサイズ、電流量やデバイス用途に応じて適宜変更され得る。１つの半導体素子３に複数の金属板４が接続される場合であっても、金属板４を介したリード部２１との接続は、例えば図４に示すように、１つの金属板４のみが接続されるときと同様である。
As shown in FIG. 1, the
金属板４は、例えば、Ｃｕ等の任意の金属材料等により構成され、ワイヤ５に比べて大電流が印加可能であって、低インダクタンス化に適した略板状の導電性の接続部材であり、「金属クリップ」とも称され得る。金属板４は、例えば図２に示すように、リード部２１および半導体素子３のそれぞれに接合材８を介して接続され、これらを架橋して電気的に接続する役割を果たす。
The
以下、説明の便宜上、図２に示すように、金属板４のうち半導体素子３に接続される端部側を「一端４１」と、リード部２１に接続される端部側を「他端４２」と、それぞれ称する。また、例えば図３に示すように、金属板４の一端４１と他端４２とを繋ぐ方向を「接続方向Ｄ１」と、接続方向に対して交差する方向を「交差方向Ｄ２」と、それぞれ称する。さらに、金属板４のうちリード部２１および半導体素子３とは反対側の面を「表面４ａ」と、リード部２１および半導体素子３と向き合う面を「裏面４ｂ」と、表面４ａと裏面４ｂとを繋ぐ面を「側面４ｃ」と、それぞれ称する。
Hereinafter, for convenience of explanation, as shown in FIG. 2, the end side of the
金属板４は、例えば図２に示すように、表面４ａと裏面４ｂとを繋ぐ方向、すなわち厚み方向において、一部が折れ曲がるかまたは湾曲した形状とされ、プレス加工などにより成形される。金属板４は、一端４１が半導体素子３に、他端４２がリード部２１に、それぞれ接合材８を介して接続され、これらの部材を電気的に接続する。
As shown in FIG. 2, for example, the
なお、金属板４のうち一端４１および他端４２の平面サイズについては、リード部２１や半導体素子３のサイズに応じて適宜変更され得る。接続方向Ｄ１に対して直交する方向における寸法を金属板４の幅として、例えば図１に示すように、一端４１および他端４２は、その幅が同じであってもよいし、その幅が異なっていてもよい。
The plane size of one
金属板４は、例えば図３に示すように、側面４ｃのうち接続方向Ｄ１に対して交差する交差方向Ｄ２に沿った面を「接続方向端面４ｃａ」として、接続方向端面４ｃａが裏面４ｂから表面４ａに向かうように一部または全部が上部に反った形状となっている。金属板４は、例えば、Ｃｕ等によりなる金属シートにプレス打ち抜き加工等を施すことにより側面４ｃが形成されるが、少なくとも接続方向端面４ｃａについては裏面４ｂ側から表面４ａに向かって刃具を用いた打ち抜き加工により形成される。
As shown in FIG. 3, for example, in the
これにより、一端４１および他端４２における接続方向端面４ｃａが上部に向かって反った形状となり、接続方向端面４ｃａにいわゆるバリが生じたとしても、接合時にいわゆるバリによって半導体素子３に傷が付くことを抑制できる。また、この反り形状により、いわゆるバリとリード部２１または半導体素子３との接触を避けられるため、金属板４と接合材８との接触面積に製造ロットごとのばらつき発生を防止でき、金属板４とリード部２１および半導体素子３との接合の安定性が向上する。
As a result, the end face 4ca in the connection direction at one
なお、接続方向端面４ｃａは、製造工程における安定性の向上および製造コストの低減の観点から、側面４ｃの全面積に対する割合が３０％以下、好ましくは２０％以下、より好ましくは１５％以下、さらに好ましくは１０％以下とされる。この詳細については、後述する半導体装置１の製造方法にて説明する。
The ratio of the
金属板４は、接続方向端面４ｃａが形成され、リード部２１および半導体素子３に接続された後に、モールド樹脂７に覆われる。すなわち、金属板４は、すべてモールド樹脂７に覆われ、モールド樹脂７の外表面において外部に露出しない状態である。これにより、金属板４が半導体装置１のうち電位の異なる他の導電部位であって外部に露出する部分との間で意図しない電流が生じることが抑制されるため、沿面放電を防止できる。
The
ワイヤ５は、例えば、Ａｕ（金）等の任意の導電性の金属材料によりなる接続部材である。ワイヤ５は、例えば図１に示すように、ワイヤボンディングにより制御素子６とリード部２１または半導体素子３とにそれぞれ接続され、これらの部材間における電気的なやり取りを可能にする。
The
制御素子６は、例えば、ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴ等の駆動制御用の制御ＩＣ（集積回路）を有してなり、パワー素子に対応した任意の電源制御用の素子が用いられ得る。制御素子６は、ダイパッド部２２の上に接合材８を介して搭載されると共に、図示しない電極パッドを備え、ワイヤ５を介して半導体素子３に接続される。制御素子６は、例えば図１に示すように、ワイヤ５を介して一部が外部に露出したリード部２１に接続されており、外部電源等からの電圧印加により作動し、半導体素子３の駆動制御を行う。なお、制御素子６は、例えば、Ｓｉ（シリコン）等の半導体材料により構成され得るため、半導体素子の一種といえる。
The
モールド樹脂７は、リードフレーム２の一部、半導体素子３、金属板４、ワイヤ５および制御素子６を覆っており、例えば、エポキシ樹脂等の任意の絶縁性の樹脂材料で構成される。モールド樹脂７は、例えば、コンプレッション成形等の公知の樹脂成形法により形成される。
The
接合材８は、２つの異なる部材を電気的に接合するための部材であり、例えば、はんだや導電性樹脂材料等の公知の材料が用いられ得る。なお、接合材８は、２つ以上の異なる部材を電気的に接続できるものであればよく、はんだ、導電性の樹脂材料や接着剤等の１つの材料で構成されてもよいし、これらの組み合わせで構成されてもよい。
The joining
以上が、本実施形態の半導体装置１の基本的な構成である。
The above is the basic configuration of the
〔製造方法〕
次に、本実施形態の半導体装置１の製造方法の一例について、図５Ａ〜図６Ｇを参照して説明する。
〔Production method〕
Next, an example of the manufacturing method of the
図５Ｃ、図６Ｆでは、見やすくするため、断面を示すものではないが、リードフレーム２または半導体素子３の上に塗布される接合材８にハッチングを施している。
Although the cross section is not shown in FIGS. 5C and 6F for easy viewing, the
まず、例えば図５Ａに示すように、複数のリード部２１およびダイパッド部２２を有する金属部材２０を用意する。金属部材２０は、例えば、Ｃｕ等の金属材料によりなり、プレス打ち抜き加工等により形成され得る。金属部材２０は、例えば図５Ａに示すように、上面視にて、その外郭となる部分が複数のリード部２１およびダイパッド部２２を連結するタイバー２３となっており、この時点では、リード部２１とダイパッド部２２とが一体となっている。
First, for example, as shown in FIG. 5A, a
続いて、例えば図５Ｂに示すように、ダイパッド部２２の上に図示しない接合材８を介して半導体素子３または制御素子６を搭載する。具体的には、例えば、はんだなどによりなる接合材８をダイパッド部２２上に塗布し、半導体素子３および制御素子６をマウントした後、リフロー工程により金属部材２０にこれらの部材を接合する。
Subsequently, for example, as shown in FIG. 5B, the
次いで、例えば図５Ｃに示すように、複数のリード部２１の一部および半導体素子３の上に、すなわち金属板４を接合する領域に接合材８を塗布する。その後、接合材８を塗布した領域に、予め形成された複数の金属板４を一括で実装する。
Next, as shown in FIG. 5C, for example, the
ここで、金属板４の成形について、図６Ａ〜図６Ｅを参照して説明する。
Here, the molding of the
なお、図６Ｂ〜図６Ｅでは、見やすくして理解を助けるため、後述する治具Ｊ１〜Ｊ３の別断面における内部に形成される真空吸着のための経路を破線で示すと共に、便宜上、当該経路の一部を治具Ｊ１〜Ｊ３の外部に示している。 In FIGS. 6B to 6E, in order to make it easier to see and to help understanding, the path for vacuum suction formed inside in another cross section of the jigs J1 to J3, which will be described later, is shown by a broken line, and for convenience, the path of the path is shown. A part is shown outside the jigs J1 to J3.
まず、例えば図６Ａに示すように、後ほど金属板４となる部位を複数有する金属シート４０を用意する。金属シート４０は、例えば、Ｃｕ等の金属材料により構成され、プレス加工等により金属板４となる部分の立体形状および側面４ｃのうち接続方向端面４ｃａを除く部分が形成されている。
First, for example, as shown in FIG. 6A, a
続けて、例えば図６Ｂに示すように、金属シート４０の一部の外形に沿った形状とされた治具Ｊ１を用意し、金属シート４０を仮固定する。
Subsequently, for example, as shown in FIG. 6B, a jig J1 having a shape along the outer shape of a part of the
具体的には、治具Ｊ１には真空吸着のための経路が複数形成されており、金属シート４０のうち後ほど半導体素子３に接続する側の接続面４０ｂとは逆の反対面４０ａを真空吸着により治具Ｊ１に仮固定する。治具Ｊ１は、金属シート４０を吸着する側の面において、金属シート４０のうち金属板４となる部位と他の部位との境界に位置する部分に凹部Ｊ１１が形成されている。治具Ｊ１は、後述する治具Ｊ３（刃具）による金属シート４０の切断の際、治具Ｊ３の刃部を凹部Ｊ１１により受けることが可能となっている。
Specifically, the jig J1 is formed with a plurality of paths for vacuum suction, and vacuum suction is performed on the
治具Ｊ１は、例えば、任意の金属材料等により構成され、少なくとも金属シート４０のうち金属板４となる部分とは異なる部分のみを真空吸着するための第１経路Ｖ１と、金属板４となる部位のみを真空吸着するための第２経路Ｖ２とを備える。治具Ｊ１は、例えば、金属シート４０の反対面４０ａの外形に沿った面形状とされ、図示しない真空ポンプを用いて、経路Ｖ１、Ｖ２にて真空吸着することで金属シート４０の仮固定が可能である。
The jig J1 is composed of, for example, an arbitrary metal material or the like, and is a first path V1 for vacuum-adsorbing at least a portion of the
次いで、例えば図６Ｃに示すように、金属シート４０のうち接続面４０ｂの外形に沿った面形状を有する治具Ｊ２を用意し、治具Ｊ１と共に金属シート４０を挟み込む。治具Ｊ２は、治具Ｊ１の凹部Ｊ１１に対応する位置に貫通溝Ｊ２１が形成されており、治具Ｊ３の刃部Ｊ３１を受けることが可能となっている。治具Ｊ２は、例えば、任意の金属材料等により構成されると共に、金属シート４０のうち金属板４となる部位とは異なる部位（以下「不要部」という）のみを真空吸着するための第３経路Ｖ３を備える。治具Ｊ２は、治具Ｊ１と共に、金属シート４０を挟み込んだ後、真空吸着により金属シート４０のうち不要部を仮固定した状態とする。
Next, for example, as shown in FIG. 6C, a jig J2 having a surface shape along the outer shape of the
そして、刃部Ｊ３１を有する治具Ｊ３を用意する。刃部Ｊ３１は、治具Ｊ１の凹部Ｊ１１および治具Ｊ２の貫通溝Ｊ２１に対応する位置に配置されている。治具Ｊ３は、例えば図６Ｄに示すように、治具Ｊ２の貫通溝Ｊ２１を介して治具Ｊ１の凹部Ｊ１１に刃部Ｊ３１が押し込まれることで、金属シート４０の金属板４と不要部とを切断分離する。
Then, a jig J3 having a blade portion J31 is prepared. The blade portion J31 is arranged at a position corresponding to the recess J11 of the jig J1 and the through groove J21 of the jig J2. As shown in FIG. 6D, for example, the jig J3 has a
治具Ｊ３による金属シート４０からの金属板４の切断分離後、治具Ｊ１のうち第１経路Ｖ１を大気開放して大気圧に戻し、金属シート４０の不要部の仮固定を解除する。そして、治具Ｊ２、Ｊ３を治具Ｊ１から離すことで、例えば図６Ｅに示すように、一括成形された複数の金属板４が治具Ｊ１に、金属シート４０のうち不要部が治具Ｊ２に、それぞれ仮固定された状態となる。
After cutting and separating the
なお、図６Ｄの工程において、刃部Ｊ３１が金属シート４０の接続面４０ｂ側から反対面４０ａに向かうように治具Ｊ３が押し込まれるため、図６Ｅに示すように、上部に向かって反った接続方向端面４ｃａを有する複数の金属板４が一括で形成される。
In the process of FIG. 6D, the jig J3 is pushed so that the blade portion J31 faces the
その後、治具Ｊ１に複数の金属板４を仮固定した状態で、例えば図６Ｆに示すように、リード部２１および半導体素子３を架橋するように金属板４をマウントし、リフロー工程により金属板４をリード部２１および半導体素子３に接合する。金属板４の接合後、治具Ｊ１の第２経路Ｖ２を大気開放して大気圧に戻し、治具Ｊ１への金属板４の仮固定を解除し、治具Ｊ１から複数の金属板４を取り外す。
After that, with the plurality of
続けて、例えば図６Ｇに示すように、半導体素子３と制御素子６、およびリード部２１と制御素子６にワイヤボンディングによりワイヤ５を接続する。そして、モールド樹脂７の外形に沿ったキャビティを有する図示しない金型とエポキシ樹脂等の樹脂材料とを用意し、例えば、コンプレッション成形によりモールド樹脂７を形成する。これにより、複数のリード部２１およびダイパッド部２２の一部、半導体素子３、金属板４、ワイヤ５および制御素子６を覆うモールド樹脂７を形成することができる。最後に、金属部材２０のうち複数のリード部２１およびダイパッド部２２を連結するタイバー２３を切断分離することで、本実施形態の半導体装置１を製造することができる。
Subsequently, as shown in FIG. 6G, for example, the
なお、図５Ａないし図６Ｇでは、本実施形態の半導体装置１を１つ製造する場合を代表例として示したが、この例に限定されるものではなく、複数の半導体装置１を一度に一括で製造してもよい。
In FIGS. 5A to 6G, a case where one
また、治具Ｊ３による金属板４の切断分離においては、金属シート４０のうち接続方向端面４ｃａとなる部分のみを切断することで、治具Ｊ３（刃具）の負荷を下げると共に、製造コストの低減効果が得られる。
Further, in the cutting and separation of the
具体的には、例えば、金属シート４０が縦７５ｍｍ×横２５０ｍｍの平面サイズ、かつ厚み０．２ｍｍのＣｕ板であって、この金属シート４０から接続方向５ｍｍ×幅２ｍｍ（全周長１４ｍｍ）の金属板４を２００個ほど切断分離する場合を例に説明する。
Specifically, for example, the
この場合において、金属板４の側面４ｃをすべて一度の剪断で形成するとき、２００個の金属板４を打ち抜くために必要な力Ｐ１（単位：トン）は、次の（１）式で算出することができる。
In this case, when all the side surfaces 4c of the
Ｐ１＝Ｌ×ｔ×Ｓ×ｋ／１０００・・・（１）
（１）式におけるＬ（単位：ｍｍ）は、切断する部位の長さの合計であり、上記の例では、２００×１４＝２８００ｍｍとなる。ｔ（単位：ｍｍ）は、切断する部材（金属シート４０）の厚みであり、上記の例では０．２ｍｍである。Ｓ（単位：ｋｇ／ｍｍ２）は、剪断抵抗であり、上記の例ではＣｕであるため、およそ１８〜２２である。ｋ（単位なし）は、安全率であり、１．１〜１．２とする。
P1 = L × t × S × k / 1000 ... (1)
L (unit: mm) in the equation (1) is the total length of the portions to be cut, and in the above example, it is 200 × 14 = 2800 mm. t (unit: mm) is the thickness of the member (metal sheet 40) to be cut, which is 0.2 mm in the above example. S (unit: kg / mm 2 ) is a shear resistance, which is about 18 to 22 because it is Cu in the above example. k (without unit) is a safety factor, which is 1.1 to 1.2.
２００個の金属板４の側面４ｃの全域を一度に剪断で形成する場合において必要な力Ｐ１は、（１）式により、およそ１１．１〜１４．８トンとなる。この算出結果によれば、上記の加工を行う場合、１０トン以上の力を生じさせることが可能な高価なプレス機が必要となり、製造コストが増大してしまう。
When the entire area of the
これに対して、金属板４の側面４ｃのうち接続方向Ｄ１に対して交差する幅方向のみ、すなわち側面４ｃの全域に対して約２９％の部分のみを剪断した場合、Ｌは４×２００＝８００ｍｍとなり、Ｐ１は３．２〜４．３トンとなる。この場合、剪断に必要な力を５トン以下に抑えることができ、いわゆる５ｔプレス機のように上記の場合に比べて安価な設備にすることができ、製造コストを低減することができる。また、剪断における圧が下がることで刃具の消耗を抑えることができ、この点からも製造コストが低減される。
On the other hand, when only the width direction intersecting the connection direction D1 of the
なお、上記の例におけるＰ１は、金属板４の接続方向端面４ｃａの側面４ｃ全域に対する面積の割合が２０％、１５％、１０％の場合、それぞれ、２．２〜３．０トン、１．７〜２．２トン、１．１〜１．５トンとなる。そのため、接続方向端面４ｃａの側面４ｃに対する割合が下がるほど、設備コスト、ひいては半導体装置１の製造コストを低減できることがわかる。
In the above example, P1 has 2.2 to 3.0 tons and 1. It will be 7 to 2.2 tons and 1.1 to 1.5 tons. Therefore, it can be seen that as the ratio of the end surface 4ca in the connection direction to the
本実施形態によれば、リード部２１と半導体素子３とを架橋する金属板４がモールド樹脂７にすべて覆われ、モールド樹脂７の外表面で接続部材としての金属板４が露出することがなくなり、金属板４に起因する沿面放電が抑制される半導体装置１となる。このような構成とされることで、半導体装置１が小型化され、構成部材間の距離が小さくなったとしても、外部に金属板４が露出しないため、沿面放電が生じることはない。
According to the present embodiment, the
また、複数の金属板４のうち一部のみを切断し、接続方向端面４ｃａを備える複数の金属板４を一括で成形することで、剪断に必要な設備コストを抑え、半導体装置１の製造コストを低減することが可能となる。また、接続方向端面４ｃａの一部または全部が裏面４ｂから表面４ａに向かって反った形状となるため、金属板４の接合時における半導体素子３の傷付き防止の効果と、接合材８との接触面積のばらつき抑制に伴う接合の安定性向上の効果とが得られる。
Further, by cutting only a part of the plurality of
（第２実施形態）
第２実施形態の半導体装置１について、図７、図８を参照して説明する。図７では、見やすくするため、断面を示すものではないが、接合材８にハッチングを施している。
(Second Embodiment)
The
本実施形態の半導体装置１は、例えば図７に示すように、リードフレーム２が１つのリード部２１およびダイパッド部２２により構成され、半導体素子３および金属板４を１つのみ有し、ワイヤ５、制御素子６を備えない点で上記第１実施形態と相違する。本実施形態では、この相違点について主に説明する。
In the
リードフレーム２は、本実施形態では、１つのリード部２１と、１つのダイパッド部２２とにより構成されている。
In the present embodiment, the
半導体素子３は、本実施形態では、例えばダイオードとされ、図７に示すように、ダイパッド部２２とは反対側の面に金属板４のみが接続されている。つまり、本実施形態の半導体装置１は、整流素子を構成する。半導体素子３は、例えば図８に示すように、接合材８を介してダイパッド部２２の上に搭載されている。半導体素子３は、上記第１実施形態と同様に、金属板４を介してリード部２１に電気的に接続されている。
In the present embodiment, the
本実施形態によっても、金属板４の全域がモールド樹脂７により覆われているため、上記第１実施形態と同様に、沿面放電が抑制された構造となる。
Also in this embodiment, since the entire area of the
（第２実施形態の変形例）
金属板４は、接続方向端面４ｃａの交差方向Ｄ２における反り量が同じであってもよいが、例えば図９に示すように、交差方向Ｄ２において接続方向端面４ｃａにおける反り量が異なる形状であってもよい。言い換えると、金属板４は、交差方向Ｄ２における両端において、反り度合いが異なる形状とされてもよい。この形状は、例えば、金属シート４０の接続面４０ｂに対して、先端面が傾いた斜め刃とされた刃部Ｊ３１を有する治具Ｊ３を用意し、刃部Ｊ３１を押し込むにつれて、接続面４０ｂと刃部Ｊ３１の先端部との当接部位を変化させることで成形される。
(Modified example of the second embodiment)
The
これにより、より少ない力で金属シート４０の金属板４と不要部とを切断分離でき、刃部Ｊ３１の消耗を抑えると共に、１つの金属シート４０からの金属板４の取り数をさらに多くすることができ、製造コストをより低減する効果が得られる。
As a result, the
なお、金属板４は、接続方向端面４ｃａの一部のみが上部に向かって反った状態となることで反り度合いが異なっていてもよいし、接続方向端面４ｃａの全部が上部に向かって反り、かつその反り量が交差方向Ｄ２において異なっていてもよい。
The
（他の実施形態）
本発明は、実施例に準拠して記述されたが、本発明は当該実施例や構造に限定されるものではないと理解される。本発明は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらの一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本発明の範疇や思想範囲に入るものである。
(Other embodiments)
Although the present invention has been described in accordance with the examples, it is understood that the present invention is not limited to the examples and structures. The present invention also includes various modifications and variations within a uniform range. In addition, various combinations and forms, as well as other combinations and forms including only one element thereof, more or less, are also within the scope and scope of the invention.
（１）例えば、上記各実施形態において、金属板４は、図１０に示すように、接続方向端面４ｃａの幅が金属板４の他の部位の幅よりも小さい形状とされてもよい。この場合、金属板４は、接続方向Ｄ１における両端に幅狭部４３を有する形状とされ、幅狭部４３のうち接続方向Ｄ１に交差する方向の面が接続方向端面４ｃａとなる。
(1) For example, in each of the above embodiments, the
また、金属板４は、例えば図１１に示すように、一端４１および他端４２のそれぞれに複数の幅狭部４３を有する形状とされ、幅狭部４３のうち接続方向Ｄ１に交差する方向の面が接続方向端面４ｃａであってもよい。
Further, as shown in FIG. 11, for example, the
上記によれば、接続方向端面４ｃａの幅が金属板４の他の部位の幅と同じである場合に比べて、金属シート４０から金属板４を切断分離する際に要する力をさらに小さくでき、半導体装置１の製造コストをより低減することができる。
According to the above, the force required for cutting and separating the
（２）上記各実施形態において、金属板４は、例えば図１２に示すように、接続方向端面４ｃａの厚みが金属板４の他の部分よりも小さい形状であってもよい。この形状は、例えば、ハーフエッチングや切削等の任意の工程によりなし得る。この場合であっても、金属シート４０から金属板４を切断分離する際に要する力をさらに小さくでき、半導体装置１の製造コストをより低減することができる。
(2) In each of the above embodiments, the
なお、金属板４は、図１２に示すように、一端４１および他端４２に幅狭部４３を有し、かつ幅狭部４３が金属板４の他の部位よりも厚みが薄い薄肉部であってもよいし、幅狭部４３を有さず、接続方向Ｄ１の両端がそれぞれ薄肉部であってもよい。
As shown in FIG. 12, the
（３）上記各実施形態において、金属シート４０は、例えば図１３（ａ）に示すように、金属シート４０のうち金属板４と当該金属板４とは異なる部分とを接続する連結部４４の幅が金属板４となる部分の幅よりも小さい形状とされてもよい。また、連結部４４は、例えば図１３（ｂ）に示すように、連結部４４の厚みを金属板４となる部分の厚みよりも小さくされてもよい。
(3) In each of the above embodiments, the
この場合、金属シート４０から金属板４と他の部分との境界部分である連結部４４を切断する際に要する力をより少なくし、複数の金属板４の一括成形をより容易にできると共に、刃具の消耗を低減でき、上記の他の実施形態と同様の効果が得られる。
In this case, the force required for cutting the connecting
２・・・リードフレーム、２１・・・リード部、２２・・・ダイパッド部
３・・・半導体素子、４・・・金属板、４ａ・・・表面、４ｂ・・・裏面、
４ｃ・・・側面、４ｃａ・・・接続方向端面、４１・・・一端、４２・・・他端、
４０・・・金属シート、４０ａ・・・（接続面の）反対側の面、４０ｂ・・・接続面、
５・・・ワイヤ、６・・・制御素子、７・・・モールド樹脂、Ｄ１・・・接続方向、
Ｄ２・・・交差方向、Ｊ１・・・治具、Ｊ３・・・刃具
2 ... Lead frame, 21 ... Lead part, 22 ...
4c ... side surface, 4ca ... end face in connection direction, 41 ... one end, 42 ... other end,
40 ... Metal sheet, 40a ... Opposite surface (of the connection surface), 40b ... Connection surface,
5 ... Wire, 6 ... Control element, 7 ... Mold resin, D1 ... Connection direction,
D2 ... Crossing direction, J1 ... Jig, J3 ... Cutting tool
Claims (9)
前記ダイパッド部に搭載される半導体素子（３）と、
前記リード部と前記半導体素子とを架橋して電気的に接続する金属板（４）と、
前記リードフレームの一部、前記半導体素子および前記金属板を覆うモールド樹脂（７）と、を備え、
前記金属板のうち前記半導体素子および前記リード部の側の面を裏面（４ｂ）とし、前記裏面とは反対面を表面（４ａ）とし、前記表面と前記裏面とを繋ぐ面を側面（４ｃ）とし、前記半導体素子に接続される端部を一端（４１）とし、前記リード部に接続される端部を他端（４２）とし、前記一端と前記他端とを繋ぐ方向を接続方向（Ｄ１）として、
前記金属板は、すべて前記モールド樹脂に覆われると共に、前記側面のうち前記接続方向に対して交差する接続方向端面（４ｃａ）の一部または全部が前記表面の側である上部に向かって反っている、半導体装置。 A lead frame (2) having a lead portion (21) and a die pad portion (22) separated from the lead portion.
The semiconductor element (3) mounted on the die pad portion and
A metal plate (4) that crosslinks and electrically connects the lead portion and the semiconductor element, and
A part of the lead frame, the semiconductor element, and the mold resin (7) covering the metal plate are provided.
Of the metal plate, the surface on the side of the semiconductor element and the lead portion is the back surface (4b), the surface opposite to the back surface is the front surface (4a), and the surface connecting the front surface and the back surface is the side surface (4c). The end connected to the semiconductor element is defined as one end (41), the end connected to the lead portion is defined as the other end (42), and the direction connecting the one end and the other end is the connection direction (D1). ), As
The metal plate is entirely covered with the mold resin, and a part or all of the connection direction end faces (4ca) intersecting the connection direction among the side surfaces are warped toward the upper portion which is the side of the surface. There are semiconductor devices.
複数の前記ダイパッド部のうち少なくとも１つには、前記半導体素子の駆動制御用の制御素子（６）が搭載されており、
前記半導体素子は、ワイヤ（５）を介して前記制御素子に接続されている、請求項１に記載の半導体装置。 The lead frame has a plurality of the lead portions and a plurality of the die pad portions.
A control element (6) for driving control of the semiconductor element is mounted on at least one of the plurality of die pad portions.
The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor element is connected to the control element via a wire (5).
リード部（２１）とダイパッド部（２２）とを有してなるリードフレーム（２）を用意することと、
半導体素子（３）を用意し、前記ダイパッド部の上に搭載することと、
前記半導体素子を前記ダイパッド部の上に搭載した後、前記リード部と前記半導体素子とを架橋する金属板（４）となる部位を備える金属シート（４０）を用意することと、
前記金属板となる部位のうち前記半導体素子に接続する側の面を接続面（４０ｂ）として、前記金属シートのうち前記接続面とは反対側の面（４０ａ）を真空吸着することにより前記金属シートを治具（Ｊ１）に仮固定することと、
前記金属シートを前記治具に仮固定した状態で、前記金属シートから前記金属板を分離することと、
前記金属シートから分離した前記金属板を前記治具に仮固定したまま、前記半導体素子および前記リード部に接続し、前記リード部と前記半導体素子とを架橋した後に、真空吸着をやめて前記金属板を前記治具から取り外すことと、
前記金属板を前記治具から取り外した後、前記リードフレームの一部、前記半導体素子および前記金属板を覆うモールド樹脂（７）を形成することと、を含み、
前記金属板を前記金属シートから分離することにおいては、刃具（Ｊ３）を用いて前記接続面の側から前記接続面の反対側の面に向かって前記金属板となる部分と他の部分との境界部分を切断することで、前記金属板のうち前記リード部に接続される一端と前記半導体素子に接続される他端とを繋ぐ方向を接続方向（Ｄ１）として、前記接続方向に対して交差する接続方向端面（４ｃａ）を形成する、半導体装置の製造方法。 It is a manufacturing method of semiconductor devices.
To prepare a lead frame (2) having a lead portion (21) and a die pad portion (22).
The semiconductor element (3) is prepared and mounted on the die pad portion.
After mounting the semiconductor element on the die pad portion, a metal sheet (40) having a portion to be a metal plate (4) for cross-linking the lead portion and the semiconductor element is prepared.
The surface of the metal plate on the side connected to the semiconductor element is used as the connecting surface (40b), and the surface of the metal sheet opposite to the connecting surface (40a) is vacuum-sucked to the metal. Temporarily fixing the sheet to the jig (J1) and
Separating the metal plate from the metal sheet with the metal sheet temporarily fixed to the jig,
While the metal plate separated from the metal sheet is temporarily fixed to the jig, it is connected to the semiconductor element and the lead portion, and after bridging the lead portion and the semiconductor element, vacuum suction is stopped and the metal plate is stopped. From the above-mentioned jig
After removing the metal plate from the jig, it includes forming a part of the lead frame, the semiconductor element, and the mold resin (7) covering the metal plate.
In separating the metal plate from the metal sheet, a cutting tool (J3) is used to connect the portion to be the metal plate and another portion from the side of the connecting surface toward the surface opposite to the connecting surface. By cutting the boundary portion, the direction of connecting one end of the metal plate connected to the lead portion and the other end connected to the semiconductor element is set as the connection direction (D1) and intersects the connection direction. A method for manufacturing a semiconductor device, which forms an end face (4ca) in a connection direction.
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