JP2021027117A - Semiconductor device - Google Patents

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Abstract

To provide a semiconductor device capable of improving a bonding strength of a joint of a bonding wire regardless of a material of the wire.SOLUTION: A semiconductor device A10 includes: a bonding wire 71 having a second bonded portion 712; a wire bonding portion 210 to which the second bonded portion 712 is connected; and a sintered metal bonding material 761 containing a porous sintered metal and covering at least a part of the wire bonding portion 210 and the second bonded portion 712.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本開示は、半導体素子を搭載した半導体装置に関する。 The present disclosure relates to a semiconductor device equipped with a semiconductor element.

半導体装置において、半導体素子の電極とリードとを電気的に接続するために、ワイヤボンディングが行われる。たとえばボールボンディングを行うワイヤボンディングの場合、まず、ワイヤの先端に溶融ボールを形成し、これを電極に押し付けて超音波振動を付加して接合することで、ボール接合部を形成する。そして、ワイヤを引き出しつつキャピラリを移動させ、ワイヤをリードに押し付けて超音波振動を付加して接合し、ワイヤを切断することで、ステッチ接合部を形成する。ステッチ接合部はボール接合部より接合強度が低く、熱応力によってステッチ接合部にクラックが発生する場合がある。 In a semiconductor device, wire bonding is performed to electrically connect the electrodes and leads of the semiconductor element. For example, in the case of wire bonding in which ball bonding is performed, first, a molten ball is formed at the tip of the wire, and the molten ball is pressed against an electrode to be bonded by applying ultrasonic vibration to form a ball bonding portion. Then, the capillary is moved while pulling out the wire, the wire is pressed against the reed to be joined by applying ultrasonic vibration, and the wire is cut to form a stitch joint portion. The stitch joint has a lower joint strength than the ball joint, and thermal stress may cause cracks in the stitch joint.

ステッチ接合部の接合強度を高めるために、ステッチ接合部を覆うようにさらにボールボンディングを行う方法がある。特許文献１には、このようなワイヤボンディング方法が開示されている。しかしながら、ワイヤの材料がＣｕの場合、ワイヤの表面が酸化しやすいので、ステッチ接合部と、これを覆うボール接合部との界面の接合が不安定になる。 In order to increase the joint strength of the stitch joint, there is a method of further ball bonding so as to cover the stitch joint. Patent Document 1 discloses such a wire bonding method. However, when the material of the wire is Cu, the surface of the wire is easily oxidized, so that the interface between the stitch joint and the ball joint that covers the stitch joint becomes unstable.

特開昭５７−１２５３０号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 57-12530

本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、ワイヤの材料に関係なくボンディングワイヤの接合部の接合強度を高めることができる半導体装置を提供することをその課題とする。 The present disclosure has been conceived under the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of increasing the bonding strength of a bonding portion of a bonding wire regardless of the material of the wire. ..

本開示によって提供される半導体装置は、第１端部を有するボンディングワイヤと、前記第１端部が接続されるワイヤボンディング部と、多孔質の焼結金属を含み、かつ、前記ワイヤボンディング部の少なくとも一部と前記第１端部とを覆う焼結金属接合材とを備えている。 The semiconductor device provided by the present disclosure includes a bonding wire having a first end portion, a wire bonding portion to which the first end portion is connected, and a porous sintered metal, and the wire bonding portion of the wire bonding portion. It includes a sintered metal bonding material that covers at least a part thereof and the first end portion.

本開示によると、焼結金属接合材は、接続された第１端部およびワイヤボンディング部を覆っている。これにより、第１端部は接合強度が高められ、熱応力によるクラックの発生が抑制される。 According to the present disclosure, the sintered metal bonding material covers the connected first end portion and the wire bonding portion. As a result, the joint strength of the first end portion is increased, and the generation of cracks due to thermal stress is suppressed.

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。 Other features and advantages of the present disclosure will become more apparent with the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

本開示の第１実施形態にかかる半導体装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the semiconductor device which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 図１に示す半導体装置の平面図である。It is a top view of the semiconductor device shown in FIG. 図１に示す半導体装置の底面図である。It is a bottom view of the semiconductor device shown in FIG. 図２のIＶ−IＶ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the IV-IV line of FIG. 図１に示す半導体装置の要部拡大断面写真である。It is an enlarged cross-sectional photograph of a main part of the semiconductor device shown in FIG. 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する部分拡大平面図である。It is a partially enlarged plan view explaining the manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する部分拡大平面図である。It is a partially enlarged plan view explaining the manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する部分拡大平面図である。It is a partially enlarged plan view explaining the manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する部分拡大平面図である。It is a partially enlarged plan view explaining the manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する部分拡大平面図である。It is a partially enlarged plan view explaining the manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 図１に示す半導体装置の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the semiconductor device shown in FIG. 図１に示す半導体装置の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the semiconductor device shown in FIG. 図１に示す半導体装置の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the semiconductor device shown in FIG. 本開示の第２実施形態にかかる半導体装置を示す平面図である。It is a top view which shows the semiconductor device which concerns on 2nd Embodiment of this disclosure. 図１４のＸＶ−ＸＶ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XV-XV line of FIG. 本開示の第３実施形態にかかる半導体装置を示す平面図である。It is a top view which shows the semiconductor device which concerns on 3rd Embodiment of this disclosure. 図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。16 is a cross-sectional view taken along the line XVII-XVII of FIG. 図１６に示す半導体装置の製造工程を説明する部分拡大断面図である。It is a partially enlarged sectional view explaining the manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 図１６に示す半導体装置の製造工程を説明する部分拡大断面図である。It is a partially enlarged sectional view explaining the manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 図１６に示す半導体装置の製造工程を説明する部分拡大断面図である。It is a partially enlarged sectional view explaining the manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 図１６に示す半導体装置の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the semiconductor device shown in FIG.

以下、本開示の好ましい実施の形態を、添付図面を参照して具体的に説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present disclosure will be specifically described with reference to the accompanying drawings.

〔第１実施形態〕
図１〜図５に基づき、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０について説明する。半導体装置Ａ１０は、複数のリード１〜５、半導体素子６、ボンディングワイヤ７１〜７４、焼結金属接合材７５，７６、めっき層７９、および封止樹脂８を備えている。 [First Embodiment]
The semiconductor device A10 according to the first embodiment of the present disclosure will be described with reference to FIGS. 1 to 5. The semiconductor device A10 includes a plurality of leads 1 to 5, a semiconductor element 6, bonding wires 71 to 74, sintered metal bonding materials 75 and 76, a plating layer 79, and a sealing resin 8.

図１は、半導体装置Ａ１０を示す斜視図である。図２は、半導体装置Ａ１０を示す平面図である。図２においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。図３は、半導体装置Ａ１０を示す底面図である。図４は、図２のIＶ−IＶ線に沿う断面図である。図５は、半導体装置Ａ１０の要部拡大断面写真である。 FIG. 1 is a perspective view showing the semiconductor device A10. FIG. 2 is a plan view showing the semiconductor device A10. In FIG. 2, for convenience of understanding, the outer shape of the sealing resin 8 is shown by an imaginary line (dashed line) through the sealing resin 8. FIG. 3 is a bottom view showing the semiconductor device A10. FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV of FIG. FIG. 5 is an enlarged cross-sectional photograph of a main part of the semiconductor device A10.

これらの図に示す半導体装置Ａ１０は、様々な機器の回路基板に表面実装される装置である。半導体装置Ａ１０の厚さ方向視の形状は矩形状である。説明の便宜上、半導体装置Ａ１０の厚さ方向をｚ方向とし、ｚ方向に直交する半導体装置Ａ１０の一方の辺に沿う方向（図２における左右方向）をｘ方向、ｚ方向およびｘ方向に直交する方向（図２における上下方向）をｙ方向とする。半導体装置Ａ１０の大きさは特に限定されない。 The semiconductor device A10 shown in these figures is a device that is surface-mounted on the circuit boards of various devices. The shape of the semiconductor device A10 in the thickness direction is rectangular. For convenience of explanation, the thickness direction of the semiconductor device A10 is the z direction, and the directions along one side of the semiconductor device A10 orthogonal to the z direction (the left-right direction in FIG. 2) are orthogonal to the x direction, the z direction, and the x direction. The direction (vertical direction in FIG. 2) is the y direction. The size of the semiconductor device A10 is not particularly limited.

複数のリード１〜５は、半導体素子６を支持するとともに、半導体素子６と導通している。リード１〜５は、金属からなり、好ましくはＣｕおよびＮｉのいずれか、またはこれらの合金や４２アロイなどからなる。本実施形態においては、リード１〜５が、Ｃｕからなる場合を例に説明する。リード１〜５の厚さは、たとえば０．０８〜０．５ｍｍであり、本実施形態においては０．５ｍｍ程度である。リード１〜５は、たとえば、金属板にエッチング加工を施すことで形成されている。なお、リード１〜５は、金属板に打ち抜き加工や折り曲げ加工等を施すことにより形成されてもよい。以降の説明においては、第１リード１、第２リード２、第３リード３、第４リード４、および第５リード５と記載する。なお、まとめて示す場合は、リード１〜５と記載する。 The plurality of leads 1 to 5 support the semiconductor element 6 and are electrically connected to the semiconductor element 6. Leads 1-5 are made of metal, preferably either Cu or Ni, or alloys thereof, 42 alloys, and the like. In this embodiment, the case where the leads 1 to 5 are made of Cu will be described as an example. The thickness of the leads 1 to 5 is, for example, 0.08 to 0.5 mm, and in the present embodiment, it is about 0.5 mm. The leads 1 to 5 are formed by, for example, etching a metal plate. The leads 1 to 5 may be formed by subjecting a metal plate to a punching process, a bending process, or the like. In the following description, the first lead 1, the second lead 2, the third lead 3, the fourth lead 4, and the fifth lead 5 will be described. When they are collectively shown, they are described as leads 1 to 5.

図２に示すように、第１リード１は、半導体装置Ａ１０のｙ方向の中央より一方側（図２においては下側）寄りに配置され、ｘ方向の全体に広がっている。第２リード２と第３リード３とは、ｙ方向において、第１リード１を挟んで互いに反対側に、それぞれ第１リード１から離間して配置されている。第２リード２は、ｙ方向の一方側の端部であり、かつ、ｘ方向の一方側（図２においては左側）の端部に配置されている。第３リード３は、ｙ方向の他方側（図２においては上側）の端部に配置され、ｘ方向の全体に広がっている。第４リード４と第５リード５とは、ｙ方向において、第１リード１に対して第２リード２と同じ側（図２においては下側）に、それぞれ第１リード１から離間して配置されている。また、第２リード２、第５リード５および第４リード４は、互いに離間して、この順でｘ方向に並んで配置されている。第１リード１は、ｚ方向視寸法が、他のリード２〜５に比べて大きい。リード２〜５のｘ方向の寸法は、第３リード３が最大であり、第２リード２、第４リード４、第５リード５の順に小さくなっている。また、第３リード３の第１リード１からの離間距離は、第２リード２、第５リード５および第４リード４の第１リード１からの離間距離より大きい。 As shown in FIG. 2, the first lead 1 is arranged closer to one side (lower side in FIG. 2) than the center of the semiconductor device A10 in the y direction, and extends in the entire x direction. The second lead 2 and the third lead 3 are arranged on opposite sides of the first lead 1 in the y direction, respectively, separated from the first lead 1. The second lead 2 is one end in the y direction and is arranged at one end in the x direction (left side in FIG. 2). The third lead 3 is arranged at the end on the other side in the y direction (upper side in FIG. 2) and extends in the entire x direction. The fourth reed 4 and the fifth reed 5 are arranged on the same side as the second reed 2 (lower side in FIG. 2) with respect to the first reed 1 in the y direction, respectively, apart from the first reed 1. Has been done. Further, the second lead 2, the fifth lead 5, and the fourth lead 4 are arranged side by side in the x direction in this order so as to be separated from each other. The first lead 1 has a larger z-direction visual dimension than the other leads 2 to 5. The dimensions of the leads 2 to 5 in the x direction are maximum for the third lead 3, and decrease in the order of the second lead 2, the fourth lead 4, and the fifth lead 5. Further, the separation distance of the third lead 3 from the first lead 1 is larger than the separation distance of the second lead 2, the fifth lead 5, and the fourth lead 4 from the first lead 1.

第１リード１は、搭載部１１０および連結部１２０を備えている。 The first lead 1 includes a mounting portion 110 and a connecting portion 120.

搭載部１１０は、ｚ方向視において第１リード１の中央に位置し、ｚ方向視略矩形状である。搭載部１１０は、搭載部主面１１１、搭載部裏面１１２および搭載部裏面側凹部１１３を有する。搭載部主面１１１および搭載部裏面１１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。搭載部主面１１１は、図４の上方を向く面である。搭載部主面１１１は、半導体素子６が搭載される面である。搭載部裏面１１２は、図４の下方を向く面である。搭載部裏面１１２は、封止樹脂８から露出して、裏面端子になる。搭載部裏面側凹部１１３は、搭載部１１０の一部が搭載部裏面１１２からｚ方向に凹んだ部分である。搭載部１１０のうち搭載部裏面側凹部１１３が位置する部分の厚さ（ｚ方向の寸法）は、搭載部裏面１１２が位置する部分の厚さの半分程度である。搭載部裏面側凹部１１３は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。 The mounting portion 110 is located at the center of the first lead 1 in the z-direction view, and has a substantially rectangular shape in the z-direction view. The mounting portion 110 has a mounting portion main surface 111, a mounting portion back surface 112, and a mounting portion back surface side recess 113. The mounting portion main surface 111 and the mounting portion back surface 112 face opposite to each other in the z direction. The mounting portion main surface 111 is a surface facing upward in FIG. The mounting portion main surface 111 is a surface on which the semiconductor element 6 is mounted. The back surface 112 of the mounting portion is a surface facing downward in FIG. The back surface 112 of the mounting portion is exposed from the sealing resin 8 and becomes a back surface terminal. The mounting portion back surface side recess 113 is a portion in which a part of the mounting portion 110 is recessed from the mounting portion back surface 112 in the z direction. The thickness (dimension in the z direction) of the portion of the mounting portion 110 where the recess 113 on the back surface side of the mounting portion is located is about half the thickness of the portion where the back surface 112 of the mounting portion is located. The recess 113 on the back surface side of the mounting portion is formed by, for example, a half etching process.

連結部１２０は、搭載部１１０に繋がっており、ｚ方向視矩形状である。連結部１２０は、搭載部１１０のｘ方向の一方端面に２個配置されている。また、連結部１２０は、搭載部１１０のｘ方向の他方端面にも２個配置されている。つまり、連結部１２０は、合計４個配置されている。各連結部１２０は、連結部主面１２１、連結部裏面１２２、および連結部端面１２３を有する。連結部主面１２１および連結部裏面１２２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。連結部主面１２１は、図４の上方を向く面である。連結部主面１２１と搭載部主面１１１とは、面一になっている。連結部裏面１２２は、図４の下方を向く面である。連結部１２０の厚さ（ｚ方向の寸法）は、搭載部１１０のうち搭載部裏面側凹部１１３が位置する部分の厚さと同程度である。連結部１２０は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。連結部端面１２３は、連結部主面１２１および連結部裏面１２２を繋ぐ面であり、ｘ方向外側を向いている。連結部端面１２３は、封止樹脂８から露出している（図１参照）。 The connecting portion 120 is connected to the mounting portion 110 and has a rectangular shape in the z direction. Two connecting portions 120 are arranged on one end surface of the mounting portion 110 in the x direction. In addition, two connecting portions 120 are also arranged on the other end surface of the mounting portion 110 in the x direction. That is, a total of four connecting portions 120 are arranged. Each connecting portion 120 has a connecting portion main surface 121, a connecting portion back surface 122, and a connecting portion end surface 123. The main surface 121 of the connecting portion and the back surface 122 of the connecting portion face each other in the z direction. The main surface 121 of the connecting portion is a surface facing upward in FIG. The main surface 121 of the connecting portion and the main surface 111 of the mounting portion are flush with each other. The back surface 122 of the connecting portion is a surface facing downward in FIG. The thickness (dimension in the z direction) of the connecting portion 120 is about the same as the thickness of the portion of the mounting portion 110 where the recess 113 on the back surface side of the mounting portion is located. The connecting portion 120 is formed by, for example, a half etching process. The connecting portion end surface 123 is a surface connecting the connecting portion main surface 121 and the connecting portion back surface 122, and faces outward in the x direction. The end face 123 of the connecting portion is exposed from the sealing resin 8 (see FIG. 1).

第２リード２は、ｚ方向視において、半導体装置Ａ１０の角部（図２においては左下の角部）に配置され、ワイヤボンディング部２１０、端子部２２０および連結部２３０を備えている。 The second lead 2 is arranged at a corner portion (lower left corner portion in FIG. 2) of the semiconductor device A10 in the z-direction view, and includes a wire bonding portion 210, a terminal portion 220, and a connecting portion 230.

ワイヤボンディング部２１０は、ｚ方向視において、ｘ方向に長い矩形状である。ワイヤボンディング部２１０は、ワイヤボンディング部主面２１１、ワイヤボンディング部裏面２１２およびワイヤボンディング部裏面側凹部２１３を有する。ワイヤボンディング部主面２１１およびワイヤボンディング部裏面２１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。ワイヤボンディング部主面２１１は、図４の上方を向く面である。ワイヤボンディング部主面２１１は、ボンディングワイヤ７１がボンディングされる面である。ワイヤボンディング部裏面２１２は、図４の下方を向く面である。ワイヤボンディング部裏面２１２は、封止樹脂８から露出して、裏面端子になる。ワイヤボンディング部裏面側凹部２１３は、ワイヤボンディング部２１０の一部がワイヤボンディング部裏面２１２からｚ方向に凹んだ部分である。ワイヤボンディング部２１０のうちワイヤボンディング部裏面側凹部２１３が位置する部分の厚さ（ｚ方向の寸法）は、ワイヤボンディング部裏面２１２が位置する部分の厚さの半分程度である。ワイヤボンディング部裏面側凹部２１３は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。 The wire bonding portion 210 has a rectangular shape that is long in the x direction in the z direction. The wire bonding unit 210 has a wire bonding unit main surface 211, a wire bonding unit back surface 212, and a wire bonding unit back surface side recess 213. The main surface 211 of the wire bonding portion and the back surface 212 of the wire bonding portion are facing opposite sides in the z direction. The main surface 211 of the wire bonding portion is a surface facing upward in FIG. The main surface 211 of the wire bonding portion is a surface on which the bonding wire 71 is bonded. The back surface 212 of the wire bonding portion is a surface facing downward in FIG. The back surface 212 of the wire bonding portion is exposed from the sealing resin 8 and becomes a back surface terminal. The recess 213 on the back surface side of the wire bonding portion is a portion in which a part of the wire bonding portion 210 is recessed from the back surface 212 of the wire bonding portion in the z direction. The thickness (dimension in the z direction) of the portion of the wire bonding portion 210 where the recess 213 on the back surface side of the wire bonding portion is located is about half the thickness of the portion where the back surface 212 of the wire bonding portion is located. The recess 213 on the back surface side of the wire bonding portion is formed by, for example, a half etching process.

端子部２２０は、ワイヤボンディング部２１０に繋がっており、ｚ方向視矩形状である。端子部２２０は、ワイヤボンディング部２１０のｙ方向の一方端面（半導体装置Ａ１０の外側を向く端面）にｘ方向に２個並んで配置されている。端子部２２０は、端子部主面２２１、端子部裏面２２２、および端子部端面２２３を有する。端子部主面２２１および端子部裏面２２２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。端子部主面２２１は、図４の上方を向く面である。端子部主面２２１とワイヤボンディング部主面２１１とは、面一になっている。端子部裏面２２２は、図４の下方を向く面である。端子部裏面２２２とワイヤボンディング部裏面２１２とは、面一になっている。端子部端面２２３は、端子部主面２２１および端子部裏面２２２を繋ぐ面であり、ｙ方向外側を向いている。ワイヤボンディング部裏面２１２、端子部裏面２２２および端子部端面２２３は、封止樹脂８から露出して繋がっており、端子になる。 The terminal portion 220 is connected to the wire bonding portion 210 and has a rectangular shape in the z direction. Two terminal portions 220 are arranged side by side in the x direction on one end surface of the wire bonding portion 210 in the y direction (the end surface facing the outside of the semiconductor device A10). The terminal portion 220 has a terminal portion main surface 221, a terminal portion back surface 222, and a terminal portion end surface 223. The terminal portion main surface 221 and the terminal portion back surface 222 face opposite to each other in the z direction. The terminal portion main surface 221 is a surface facing upward in FIG. The main surface 221 of the terminal portion and the main surface 211 of the wire bonding portion are flush with each other. The back surface 222 of the terminal portion is a surface facing downward in FIG. The back surface 222 of the terminal portion and the back surface 212 of the wire bonding portion are flush with each other. The terminal portion end surface 223 is a surface connecting the terminal portion main surface 221 and the terminal portion back surface 222, and faces outward in the y direction. The back surface 212 of the wire bonding portion, the back surface 222 of the terminal portion, and the end surface 223 of the terminal portion are exposed from the sealing resin 8 and connected to each other to form terminals.

連結部２３０は、ワイヤボンディング部２１０のｘ方向外側（図２において左側）に繋がって配置されている。連結部２３０の厚さ（ｚ方向の寸法）は、ワイヤボンディング部裏面側凹部２１３が位置するワイヤボンディング部２１０の厚さと同程度である。連結部２３０は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。連結部２３０は、連結部主面２３１、連結部裏面２３２、および連結部端面２３３を有する。連結部主面２３１および連結部裏面２３２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。連結部主面２３１は、図４の上方を向く面である。連結部主面２３１とワイヤボンディング部主面２１１とは、面一になっている。したがって、ワイヤボンディング部主面２１１、端子部主面２２１および連結部主面２３１は、面一の一体となった面になっている（図２参照）。連結部裏面２３２は、図４の下方を向く面である。連結部端面２３３は、連結部主面２３１および連結部裏面２３２を繋ぐ面のうち、ｘ方向を向く面であり、封止樹脂８から露出する面である。 The connecting portion 230 is arranged so as to be connected to the outside of the wire bonding portion 210 in the x direction (left side in FIG. 2). The thickness (dimension in the z direction) of the connecting portion 230 is about the same as the thickness of the wire bonding portion 210 in which the recess 213 on the back surface side of the wire bonding portion is located. The connecting portion 230 is formed by, for example, a half etching process. The connecting portion 230 has a connecting portion main surface 231 and a connecting portion back surface 232, and a connecting portion end surface 233. The main surface 231 of the connecting portion and the back surface 232 of the connecting portion face each other in the z direction. The main surface 231 of the connecting portion is a surface facing upward in FIG. The main surface 231 of the connecting portion and the main surface 211 of the wire bonding portion are flush with each other. Therefore, the wire bonding portion main surface 211, the terminal portion main surface 221 and the connecting portion main surface 231 are flush with each other (see FIG. 2). The back surface 232 of the connecting portion is a surface facing downward in FIG. The connecting portion end surface 233 is a surface facing the x direction among the surfaces connecting the connecting portion main surface 231 and the connecting portion back surface 232, and is a surface exposed from the sealing resin 8.

第３リード３は、ｚ方向視において、半導体装置Ａ１０のｙ方向の他方側（図２においては上側）の端部に配置され、ｘ方向の全体に広がっており、ワイヤボンディング部３１０、端子部３２０、および連結部３３０を備えている。 The third lead 3 is arranged at the end of the semiconductor device A10 on the other side (upper side in FIG. 2) of the semiconductor device A10 in the z-direction, and extends over the entire x-direction. The wire bonding portion 310 and the terminal portion. It includes a 320 and a connecting portion 330.

ワイヤボンディング部３１０は、ｚ方向視において、ｘ方向に長い矩形状である。ワイヤボンディング部３１０は、ワイヤボンディング部主面３１１、ワイヤボンディング部裏面３１２、およびワイヤボンディング部裏面側凹部３１３を有する。ワイヤボンディング部主面３１１およびワイヤボンディング部裏面３１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。ワイヤボンディング部主面３１１は、図４の上方を向く面である。ワイヤボンディング部主面３１１は、ボンディングワイヤ７２がボンディングされる面である。ワイヤボンディング部裏面３１２は、図４の下方を向く面である。ワイヤボンディング部裏面３１２は、封止樹脂８から露出して、裏面端子になる。ワイヤボンディング部裏面側凹部３１３は、ワイヤボンディング部３１０の一部がワイヤボンディング部裏面３１２からｚ方向に凹んだ部分である。ワイヤボンディング部３１０のうちワイヤボンディング部裏面側凹部３１３が位置する部分の厚さ（ｚ方向の寸法）は、ワイヤボンディング部裏面３１２が位置する部分の厚さの半分程度である。ワイヤボンディング部裏面側凹部３１３は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。 The wire bonding portion 310 has a rectangular shape that is long in the x direction in the z direction. The wire bonding portion 310 has a main surface 311 of the wire bonding portion, a back surface 312 of the wire bonding portion, and a recess 313 on the back surface side of the wire bonding portion. The main surface 311 of the wire bonding portion and the back surface 312 of the wire bonding portion face opposite to each other in the z direction. The main surface 311 of the wire bonding portion is a surface facing upward in FIG. The main surface 311 of the wire bonding portion is a surface on which the bonding wire 72 is bonded. The back surface 312 of the wire bonding portion is a surface facing downward in FIG. The back surface 312 of the wire bonding portion is exposed from the sealing resin 8 and becomes a back surface terminal. The recess 313 on the back surface side of the wire bonding portion is a portion in which a part of the wire bonding portion 310 is recessed from the back surface 312 of the wire bonding portion in the z direction. The thickness (dimension in the z direction) of the portion of the wire bonding portion 310 where the recess 313 on the back surface side of the wire bonding portion is located is about half the thickness of the portion where the back surface 312 of the wire bonding portion is located. The recess 313 on the back surface side of the wire bonding portion is formed by, for example, a half etching process.

端子部３２０は、ワイヤボンディング部３１０に繋がっており、ｚ方向視矩形状である。端子部３２０は、ワイヤボンディング部３１０のｙ方向の一方端面（半導体装置Ａ１０の外側を向く端面）にｘ方向に４個並んで配置されている。端子部３２０は、端子部主面３２１、端子部裏面３２２、および端子部端面３２３を有する。端子部主面３２１および端子部裏面３２２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。端子部主面３２１は、図４の上方を向く面である。端子部主面３２１とワイヤボンディング部主面３１１とは、面一になっている。端子部裏面３２２は、図４の下方を向く面である。端子部裏面３２２とワイヤボンディング部裏面３１２とは、面一になっている。端子部端面３２３は、端子部主面３２１および端子部裏面３２２を繋ぐ面であり、ｙ方向外側を向いている。ワイヤボンディング部裏面３１２、端子部裏面３２２および端子部端面３２３は、封止樹脂８から露出して繋がっており、端子になる。 The terminal portion 320 is connected to the wire bonding portion 310 and has a rectangular shape in the z direction. Four terminal portions 320 are arranged side by side in the x direction on one end surface of the wire bonding portion 310 in the y direction (the end surface facing the outside of the semiconductor device A10). The terminal portion 320 has a terminal portion main surface 321 and a terminal portion back surface 322, and a terminal portion end surface 323. The terminal portion main surface 321 and the terminal portion back surface 322 face opposite to each other in the z direction. The terminal portion main surface 321 is a surface facing upward in FIG. The main surface 321 of the terminal portion and the main surface 311 of the wire bonding portion are flush with each other. The back surface 322 of the terminal portion is a surface facing downward in FIG. The back surface 322 of the terminal portion and the back surface 312 of the wire bonding portion are flush with each other. The terminal portion end surface 323 is a surface that connects the terminal portion main surface 321 and the terminal portion back surface 322, and faces outward in the y direction. The back surface 312 of the wire bonding portion, the back surface 322 of the terminal portion, and the end surface 323 of the terminal portion are exposed and connected from the sealing resin 8 to form terminals.

連結部３３０は、２個備えられており、ワイヤボンディング部３１０のｘ方向両端部にそれぞれ繋がって配置されている。連結部３３０の厚さ（ｚ方向の寸法）は、ワイヤボンディング部裏面側凹部３１３が位置するワイヤボンディング部３１０の厚さと同程度である。連結部３３０は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。連結部３３０は、連結部主面３３１、連結部裏面３３２、および連結部端面３３３を有する。連結部主面３３１および連結部裏面３３２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。連結部主面３３１は、図４の上方を向く面である。連結部主面３３１とワイヤボンディング部主面３１１とは、面一になっている。したがって、ワイヤボンディング部主面３１１、端子部主面３２１および連結部主面３３１は、面一の一体となった面になっている（図２参照）。連結部裏面３３２は、図４の下方を向く面である。連結部端面３３３は、連結部主面３３１および連結部裏面３３２を繋ぐ面のうち、ｘ方向を向く面であり、封止樹脂８から露出する面である。 Two connecting portions 330 are provided, and are arranged so as to be connected to both ends of the wire bonding portion 310 in the x direction. The thickness (dimension in the z direction) of the connecting portion 330 is about the same as the thickness of the wire bonding portion 310 in which the recess 313 on the back surface side of the wire bonding portion is located. The connecting portion 330 is formed by, for example, a half etching process. The connecting portion 330 has a connecting portion main surface 331, a connecting portion back surface 332, and a connecting portion end surface 333. The main surface of the connecting portion 331 and the back surface of the connecting portion 332 face each other in the z direction. The main surface 331 of the connecting portion is a surface facing upward in FIG. The main surface 331 of the connecting portion and the main surface 311 of the wire bonding portion are flush with each other. Therefore, the wire bonding portion main surface 311 and the terminal portion main surface 321 and the connecting portion main surface 331 are flush with each other (see FIG. 2). The back surface 332 of the connecting portion is a surface facing downward in FIG. The connecting portion end surface 333 is a surface facing the x direction among the surfaces connecting the connecting portion main surface 331 and the connecting portion back surface 332, and is a surface exposed from the sealing resin 8.

第４リード４は、ｚ方向視において、半導体装置Ａ１０の角部（図２においては右下の角部）に配置され、ワイヤボンディング部４１０、端子部４２０および連結部４３０を備えている。 The fourth reed 4 is arranged at a corner portion (lower right corner portion in FIG. 2) of the semiconductor device A10 in the z-direction view, and includes a wire bonding portion 410, a terminal portion 420, and a connecting portion 430.

ワイヤボンディング部４１０は、ｚ方向視において、ｘ方向に長い矩形状である。ワイヤボンディング部４１０は、ワイヤボンディング部主面４１１、ワイヤボンディング部裏面４１２およびワイヤボンディング部裏面側凹部４１３を有する。ワイヤボンディング部主面４１１およびワイヤボンディング部裏面４１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。ワイヤボンディング部主面４１１は、図４の上方を向く面である。ワイヤボンディング部主面４１１は、ボンディングワイヤ７３がボンディングされる面である。ワイヤボンディング部裏面４１２は、図４の下方を向く面である。ワイヤボンディング部裏面４１２は、封止樹脂８から露出して、裏面端子になる。ワイヤボンディング部裏面側凹部４１３は、ワイヤボンディング部４１０の一部がワイヤボンディング部裏面４１２からｚ方向に凹んだ部分である。ワイヤボンディング部４１０のうちワイヤボンディング部裏面側凹部４１３が位置する部分の厚さ（ｚ方向の寸法）は、ワイヤボンディング部裏面４１２が位置する部分の厚さの半分程度である。ワイヤボンディング部裏面側凹部４１３は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。 The wire bonding portion 410 has a rectangular shape that is long in the x direction in the z direction. The wire bonding unit 410 has a wire bonding unit main surface 411, a wire bonding unit back surface 412, and a wire bonding unit back surface side recess 413. The main surface 411 of the wire bonding portion and the back surface 412 of the wire bonding portion face opposite to each other in the z direction. The main surface 411 of the wire bonding portion is a surface facing upward in FIG. The main surface 411 of the wire bonding portion is a surface on which the bonding wire 73 is bonded. The back surface 412 of the wire bonding portion is a surface facing downward in FIG. The back surface 412 of the wire bonding portion is exposed from the sealing resin 8 and becomes a back surface terminal. The recess 413 on the back surface side of the wire bonding portion is a portion in which a part of the wire bonding portion 410 is recessed in the z direction from the back surface 412 of the wire bonding portion. The thickness (dimension in the z direction) of the portion of the wire bonding portion 410 where the recess 413 on the back surface side of the wire bonding portion is located is about half the thickness of the portion where the back surface 412 of the wire bonding portion is located. The recess 413 on the back surface side of the wire bonding portion is formed by, for example, a half etching process.

端子部４２０は、ワイヤボンディング部４１０に繋がっており、ｚ方向視矩形状である。端子部４２０は、ワイヤボンディング部４１０のｙ方向の一方端面（半導体装置Ａ１０の外側を向く端面）に配置されている。端子部４２０は、端子部主面４２１、端子部裏面４２２、および端子部端面４２３を有する。端子部主面４２１および端子部裏面４２２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。端子部主面４２１は、図４の上方を向く面である。端子部主面４２１とワイヤボンディング部主面４１１とは、面一になっている。端子部裏面４２２は、図４の下方を向く面である。端子部裏面４２２とワイヤボンディング部裏面４１２とは、面一になっている。端子部端面４２３は、端子部主面４２１および端子部裏面４２２を繋ぐ面であり、ｙ方向外側を向いている。ワイヤボンディング部裏面４１２、端子部裏面４２２および端子部端面４２３は、封止樹脂８から露出して繋がっており、端子になる。 The terminal portion 420 is connected to the wire bonding portion 410 and has a rectangular shape in the z direction. The terminal portion 420 is arranged on one end surface of the wire bonding portion 410 in the y direction (the end surface facing the outside of the semiconductor device A10). The terminal portion 420 has a terminal portion main surface 421, a terminal portion back surface 422, and a terminal portion end surface 423. The terminal portion main surface 421 and the terminal portion back surface 422 face opposite to each other in the z direction. The terminal portion main surface 421 is a surface facing upward in FIG. The main surface 421 of the terminal portion and the main surface 411 of the wire bonding portion are flush with each other. The back surface 422 of the terminal portion is a surface facing downward in FIG. The back surface 422 of the terminal portion and the back surface 412 of the wire bonding portion are flush with each other. The terminal end surface 423 is a surface that connects the terminal main surface 421 and the terminal back surface 422, and faces outward in the y direction. The back surface 412 of the wire bonding portion, the back surface 422 of the terminal portion, and the end surface 423 of the terminal portion are exposed and connected from the sealing resin 8 to form terminals.

連結部４３０は、ワイヤボンディング部４１０のｘ方向外側（図２において右側）に繋がって配置されている。連結部４３０の厚さ（ｚ方向の寸法）は、ワイヤボンディング部裏面側凹部４１３が位置するワイヤボンディング部４１０の厚さと同程度である。連結部４３０は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。連結部４３０は、連結部主面４３１、連結部裏面４３２、および連結部端面４３３を有する。連結部主面４３１および連結部裏面４３２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。連結部主面４３１は、図４の上方を向く面である。連結部主面４３１とワイヤボンディング部主面４１１とは、面一になっている。したがって、ワイヤボンディング部主面４１１、端子部主面４２１および連結部主面４３１は、面一の一体となった面になっている（図２参照）。連結部裏面４３２は、図４の下方を向く面である。連結部端面４３３は、連結部主面４３１および連結部裏面４３２を繋ぐ面のうち、ｘ方向を向く面であり、封止樹脂８から露出する面である。 The connecting portion 430 is arranged so as to be connected to the outside of the wire bonding portion 410 in the x direction (on the right side in FIG. 2). The thickness of the connecting portion 430 (dimension in the z direction) is about the same as the thickness of the wire bonding portion 410 in which the recess 413 on the back surface side of the wire bonding portion is located. The connecting portion 430 is formed by, for example, a half etching process. The connecting portion 430 has a connecting portion main surface 431, a connecting portion back surface 432, and a connecting portion end surface 433. The main surface 431 of the connecting portion and the back surface 432 of the connecting portion face each other in the z direction. The main surface 431 of the connecting portion is a surface facing upward in FIG. The main surface 431 of the connecting portion and the main surface 411 of the wire bonding portion are flush with each other. Therefore, the wire bonding portion main surface 411, the terminal portion main surface 421, and the connecting portion main surface 431 are flush with each other (see FIG. 2). The back surface 432 of the connecting portion is a surface facing downward in FIG. The connecting portion end surface 433 is a surface facing the x direction among the surfaces connecting the connecting portion main surface 431 and the connecting portion back surface 432, and is a surface exposed from the sealing resin 8.

第５リード５は、ｚ方向視において、半導体装置Ａ１０のｙ方向の一方側（図２においては下側）の端部の、第２リード２と第４リード４との間に配置され、ワイヤボンディング部５１０および端子部５２０を備えている。 The fifth lead 5 is arranged between the second lead 2 and the fourth lead 4 at the end of the semiconductor device A10 on one side (lower side in FIG. 2) in the y direction in the z-direction view, and is a wire. It includes a bonding portion 510 and a terminal portion 520.

ワイヤボンディング部５１０は、ｚ方向視において、ｘ方向に長い矩形状である。ワイヤボンディング部５１０は、ワイヤボンディング部主面５１１、ワイヤボンディング部裏面５１２およびワイヤボンディング部裏面側凹部５１３を有する。ワイヤボンディング部主面５１１およびワイヤボンディング部裏面５１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。ワイヤボンディング部主面５１１は、図４の上方を向く面である。ワイヤボンディング部主面５１１は、ボンディングワイヤ７４がボンディングされる面である。ワイヤボンディング部裏面５１２は、図４の下方を向く面である。ワイヤボンディング部裏面５１２は、封止樹脂８から露出して、裏面端子になる。ワイヤボンディング部裏面側凹部５１３は、ワイヤボンディング部５１０の一部がワイヤボンディング部裏面５１２からｚ方向に凹んだ部分である。ワイヤボンディング部５１０のうちワイヤボンディング部裏面側凹部５１３が位置する部分の厚さ（ｚ方向の寸法）は、ワイヤボンディング部裏面５１２が位置する部分の厚さの半分程度である。ワイヤボンディング部裏面側凹部５１３は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。 The wire bonding portion 510 has a rectangular shape that is long in the x direction in the z direction. The wire bonding portion 510 has a main surface 511 of the wire bonding portion, a back surface 512 of the wire bonding portion, and a recess 513 on the back surface side of the wire bonding portion. The main surface 511 of the wire bonding portion and the back surface 512 of the wire bonding portion face opposite to each other in the z direction. The main surface 511 of the wire bonding portion is a surface facing upward in FIG. The main surface 511 of the wire bonding portion is a surface on which the bonding wire 74 is bonded. The back surface 512 of the wire bonding portion is a surface facing downward in FIG. The back surface 512 of the wire bonding portion is exposed from the sealing resin 8 and becomes a back surface terminal. The recess 513 on the back surface side of the wire bonding portion is a portion in which a part of the wire bonding portion 510 is recessed in the z direction from the back surface 512 of the wire bonding portion. The thickness (dimension in the z direction) of the portion of the wire bonding portion 510 where the recess 513 on the back surface side of the wire bonding portion is located is about half the thickness of the portion where the back surface 512 of the wire bonding portion is located. The recess 513 on the back surface side of the wire bonding portion is formed by, for example, a half etching process.

端子部５２０は、ワイヤボンディング部５１０に繋がっており、ｚ方向視矩形状である。端子部５２０は、ワイヤボンディング部５１０のｙ方向の一方端面（半導体装置Ａ１０の外側を向く端面）に配置されている。端子部５２０は、端子部主面５２１、端子部裏面５２２、および端子部端面５２３を有する。端子部主面５２１および端子部裏面５２２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。端子部主面５２１は、図４の上方を向く面である。端子部主面５２１とワイヤボンディング部主面５１１とは、面一になっている。端子部裏面５２２は、図４の下方を向く面である。端子部裏面５２２とワイヤボンディング部裏面５１２とは、面一になっている。端子部端面５２３は、端子部主面５２１および端子部裏面５２２を繋ぐ面であり、ｙ方向外側を向いている。ワイヤボンディング部裏面５１２、端子部裏面５２２および端子部端面５２３は、封止樹脂８から露出して繋がっており、端子になる。 The terminal portion 520 is connected to the wire bonding portion 510 and has a rectangular shape in the z direction. The terminal portion 520 is arranged on one end surface of the wire bonding portion 510 in the y direction (the end surface facing the outside of the semiconductor device A10). The terminal portion 520 has a terminal portion main surface 521, a terminal portion back surface 522, and a terminal portion end surface 523. The terminal portion main surface 521 and the terminal portion back surface 522 face opposite to each other in the z direction. The terminal portion main surface 521 is a surface facing upward in FIG. The terminal portion main surface 521 and the wire bonding portion main surface 511 are flush with each other. The back surface 522 of the terminal portion is a surface facing downward in FIG. The back surface 522 of the terminal portion and the back surface 512 of the wire bonding portion are flush with each other. The terminal end surface 523 is a surface connecting the terminal main surface 521 and the terminal back surface 522, and faces outward in the y direction. The back surface 512 of the wire bonding portion, the back surface 522 of the terminal portion, and the end surface 523 of the terminal portion are exposed and connected from the sealing resin 8 to form terminals.

めっき層７９は、図２および図４に示すように、各リード１〜５の焼結金属接合材７５または焼結金属接合材７６が配置される領域に形成されている。めっき層７９は、たとえばＡｇを含有する。なお、めっき層７９の材料は限定されない。めっき層７９は、めっき層７９１〜７９５を含んでいる。 As shown in FIGS. 2 and 4, the plating layer 79 is formed in a region where the sintered metal bonding material 75 or the sintered metal bonding material 76 of each lead 1 to 5 is arranged. The plating layer 79 contains, for example, Ag. The material of the plating layer 79 is not limited. The plating layer 79 includes plating layers 791 to 795.

めっき層７９１は、第１リード１の搭載部主面１１１に接して形成されており、搭載部主面１１１のうち、半導体素子６が搭載され焼結金属接合材７５が配置される領域を覆っている。本実施形態においては、めっき層７９１は、ｚ方向視において長矩形状であり、搭載部主面１１１のｘ方向中央で、かつ、ｙ方向中央に配置されている。なお、めっき層７９１は、少なくとも焼結金属接合材７５が配置される領域を覆っていればよく、その他の部分も覆っていてもよい。つまり、めっき層７９１は、搭載部主面１１１の全面を覆っていてもよいし、搭載部裏面１１２にも形成されていてもよい。また、めっき層７９１は、第１リード１の全体を覆っていてもよい。 The plating layer 791 is formed in contact with the main surface 111 of the mounting portion of the first lead 1, and covers the region of the main surface 111 of the mounting portion where the semiconductor element 6 is mounted and the sintered metal bonding material 75 is arranged. ing. In the present embodiment, the plating layer 791 has an elongated rectangular shape in the z-direction view, and is arranged at the center of the mounting portion main surface 111 in the x-direction and in the center of the y-direction. The plating layer 791 may cover at least the region where the sintered metal bonding material 75 is arranged, and may also cover other portions. That is, the plating layer 791 may cover the entire surface of the mounting portion main surface 111, or may be formed on the mounting portion back surface 112 as well. Further, the plating layer 791 may cover the entire first lead 1.

めっき層７９２は、第２リード２のワイヤボンディング部主面２１１に接して形成されており、ワイヤボンディング部主面２１１のうち、ボンディングワイヤ７１が接続され焼結金属接合材７６が配置される領域を覆っている。本実施形態においては、めっき層７９２は、ｚ方向視において長矩形状であり、ワイヤボンディング部主面２１１上に２個配置されている。なお、めっき層７９２は、少なくとも焼結金属接合材７６が配置される領域を覆っていればよく、その他の部分も覆っていてもよい。つまり、めっき層７９２は、ワイヤボンディング部主面２１１の全面を覆っていてもよいし、ワイヤボンディング部裏面２１２にも形成されていてもよい。また、めっき層７９２は、第２リード２の全体を覆っていてもよい。 The plating layer 792 is formed in contact with the main surface 211 of the wire bonding portion of the second lead 2, and is a region of the main surface 211 of the wire bonding portion where the bonding wire 71 is connected and the sintered metal bonding material 76 is arranged. Covering. In the present embodiment, the plating layers 792 have an elongated rectangular shape in the z-direction, and two plating layers 792 are arranged on the main surface 211 of the wire bonding portion. The plating layer 792 may cover at least the region where the sintered metal bonding material 76 is arranged, and may also cover other portions. That is, the plating layer 792 may cover the entire surface of the main surface 211 of the wire bonding portion, or may be formed on the back surface 212 of the wire bonding portion. Further, the plating layer 792 may cover the entire second lead 2.

めっき層７９３は、第３リード３のワイヤボンディング部主面３１１に接して形成されており、ワイヤボンディング部主面３１１のうち、ボンディングワイヤ７２が接続され焼結金属接合材７６が配置される領域を覆っている。本実施形態においては、めっき層７９３は、ｚ方向視において長矩形状であり、ワイヤボンディング部主面３１１上に４個配置されている。なお、めっき層７９３は、少なくとも焼結金属接合材７６が配置される領域を覆っていればよく、その他の部分も覆っていてもよい。つまり、めっき層７９３は、ワイヤボンディング部主面３１１の全面を覆っていてもよいし、ワイヤボンディング部裏面３１２にも形成されていてもよい。また、めっき層７９３は、第３リード３の全体を覆っていてもよい。 The plating layer 793 is formed in contact with the main surface 311 of the wire bonding portion of the third lead 3, and is a region of the main surface 311 of the wire bonding portion where the bonding wire 72 is connected and the sintered metal bonding material 76 is arranged. Covering. In the present embodiment, the plating layers 793 have an elongated rectangular shape in the z-direction, and four plating layers 793 are arranged on the main surface 311 of the wire bonding portion. The plating layer 793 may cover at least the region where the sintered metal bonding material 76 is arranged, and may also cover other portions. That is, the plating layer 793 may cover the entire surface of the main surface 311 of the wire bonding portion, or may be formed on the back surface 312 of the wire bonding portion. Further, the plating layer 793 may cover the entire third lead 3.

めっき層７９４は、第４リード４のワイヤボンディング部主面４１１に接して形成されており、ワイヤボンディング部主面４１１のうち、ボンディングワイヤ７３が接続され焼結金属接合材７６が配置される領域を覆っている。本実施形態においては、めっき層７９４は、ｚ方向視において長矩形状であり、ワイヤボンディング部主面４１１上に１個配置されている。なお、めっき層７９４は、少なくとも焼結金属接合材７６が配置される領域を覆っていればよく、その他の部分も覆っていてもよい。つまり、めっき層７９４は、ワイヤボンディング部主面４１１の全面を覆っていてもよいし、ワイヤボンディング部裏面４１２にも形成されていてもよい。また、めっき層７９４は、第４リード４の全体を覆っていてもよい。 The plating layer 794 is formed in contact with the main surface 411 of the wire bonding portion of the fourth reed 4, and is a region of the main surface 411 of the wire bonding portion where the bonding wire 73 is connected and the sintered metal bonding material 76 is arranged. Covering. In the present embodiment, the plating layer 794 has an elongated rectangular shape in the z-direction, and one plating layer 794 is arranged on the main surface 411 of the wire bonding portion. The plating layer 794 may cover at least the region where the sintered metal bonding material 76 is arranged, and may also cover other portions. That is, the plating layer 794 may cover the entire surface of the main surface 411 of the wire bonding portion, or may be formed on the back surface 412 of the wire bonding portion. Further, the plating layer 794 may cover the entire fourth reed 4.

めっき層７９５は、第５リード５のワイヤボンディング部主面５１１に接して形成されており、ワイヤボンディング部主面５１１のうち、ボンディングワイヤ７４が接続され焼結金属接合材７６が配置される領域を覆っている。本実施形態においては、めっき層７９５は、ｚ方向視において長矩形状であり、ワイヤボンディング部主面５１１上に１個配置されている。なお、めっき層７９５は、少なくとも焼結金属接合材７６が配置される領域を覆っていればよく、その他の部分も覆っていてもよい。つまり、めっき層７９５は、ワイヤボンディング部主面５１１の全面を覆っていてもよいし、ワイヤボンディング部裏面５１２にも形成されていてもよい。また、めっき層７９５は、第５リード５の全体を覆っていてもよい。 The plating layer 795 is formed in contact with the main surface 511 of the wire bonding portion of the fifth reed 5, and is a region of the main surface 511 of the wire bonding portion where the bonding wire 74 is connected and the sintered metal bonding material 76 is arranged. Covering. In the present embodiment, the plating layer 795 has an elongated rectangular shape in the z-direction, and one plating layer 795 is arranged on the main surface 511 of the wire bonding portion. The plating layer 795 may cover at least the region where the sintered metal bonding material 76 is arranged, and may also cover other portions. That is, the plating layer 795 may cover the entire surface of the main surface 511 of the wire bonding portion, or may be formed on the back surface 512 of the wire bonding portion. Further, the plating layer 795 may cover the entire fifth reed 5.

半導体素子６は、半導体装置Ａ１０の電気的機能を発揮する要素である。本実施形態では、半導体素子６は、トランジスタである。なお、トランジスタの種類および内部構造は限定されない。また、半導体素子６は、他の半導体素子であってもよく、たとえばダイオードや、サイリスタ、コントロールＩＣなどのＩＣチップであってもよい。本実施形態では、半導体素子６はＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor：高電子移動度トランジスタ）であって、素子本体６０、第１電極６１、第２電極６２、第３電極６３、および金属層６４を備えている。 The semiconductor element 6 is an element that exerts an electrical function of the semiconductor device A10. In this embodiment, the semiconductor element 6 is a transistor. The type and internal structure of the transistor are not limited. Further, the semiconductor element 6 may be another semiconductor element, for example, an IC chip such as a diode, a thyristor, or a control IC. In the present embodiment, the semiconductor element 6 is a HEMT (High Electron Mobility Transistor), which comprises the element body 60, the first electrode 61, the second electrode 62, the third electrode 63, and the metal layer 64. I have.

素子本体６０は、半導体材料よりなる。本実施形態においては、当該半導体材料はシリコンである。素子本体６０は、直方体であり、素子主面６ａ、素子裏面６ｂ、および素子側面６ｃを備えている。図４に示すように、素子主面６ａおよび素子裏面６ｂは、ｚ方向において互いに反対側を向いている。素子主面６ａは、図４の上方を向く面である。素子裏面６ｂは、図４の下方を向く面である。素子側面６ｃは、素子主面６ａおよび素子裏面６ｂに繋がる面であり、ｘ方向またはｙ方向を向いている。 The element body 60 is made of a semiconductor material. In this embodiment, the semiconductor material is silicon. The element main body 60 is a rectangular parallelepiped and includes an element main surface 6a, an element back surface 6b, and an element side surface 6c. As shown in FIG. 4, the element main surface 6a and the element back surface 6b face opposite to each other in the z direction. The element main surface 6a is a surface facing upward in FIG. The back surface 6b of the element is a surface facing downward in FIG. The element side surface 6c is a surface connected to the element main surface 6a and the element back surface 6b, and faces the x direction or the y direction.

第１電極６１、第２電極６２、および第３電極６３は、たとえばＣｕ，Ｎｉ，Ａｌ，Ａｕなどのめっき層からなり、図２に示すように、素子主面６ａに配置されている。なお、第１電極６１、第２電極６２、および第３電極６３の配置のレイアウトは限定されない。第１電極６１は、ソース電極として機能する。第２電極６２は、ドレイン電極として機能する。第３電極６３は、ゲート電極として機能する。 The first electrode 61, the second electrode 62, and the third electrode 63 are made of plating layers such as Cu, Ni, Al, and Au, and are arranged on the element main surface 6a as shown in FIG. The layout of the arrangement of the first electrode 61, the second electrode 62, and the third electrode 63 is not limited. The first electrode 61 functions as a source electrode. The second electrode 62 functions as a drain electrode. The third electrode 63 functions as a gate electrode.

金属層６４は、図４に示すように、素子裏面６ｂに配置されている。本実施形態では、金属層６４は、素子裏面６ｂの全体を覆っている。なお、金属層６４は、素子裏面６ｂの一部にのみ形成されていてもよい。ただし、焼結金属接合材７５に接する面積を大きくするために、金属層６４は、素子裏面６ｂの全面を覆うことが望ましい。金属層６４の材料は、焼結金属接合材７５と金属結合する金属であればよく、たとえばＡｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｎｉなどが考えられる。なお、金属層６４の材料は、これらに限定されず、他の金属であってもよいし、合金であってもよい。本実施形態では、金属層６４の材料は、Ａｇである。 As shown in FIG. 4, the metal layer 64 is arranged on the back surface 6b of the device. In the present embodiment, the metal layer 64 covers the entire back surface 6b of the device. The metal layer 64 may be formed only on a part of the back surface 6b of the element. However, in order to increase the area in contact with the sintered metal bonding material 75, it is desirable that the metal layer 64 covers the entire surface of the back surface 6b of the device. The material of the metal layer 64 may be any metal that metal-bonds to the sintered metal bonding material 75, and examples thereof include Ag, Au, Cu, and Ni. The material of the metal layer 64 is not limited to these, and may be another metal or an alloy. In this embodiment, the material of the metal layer 64 is Ag.

図２に示すように、半導体素子６は、第１リード１の搭載部主面１１１に形成されためっき層７９上に搭載されている。図４に示すように、半導体素子６は、素子裏面６ｂを搭載部主面１１１に向けて、焼結金属接合材７５を介して、第１リード１の搭載部主面１１１に搭載されている。 As shown in FIG. 2, the semiconductor element 6 is mounted on the plating layer 79 formed on the main surface 111 of the mounting portion of the first lead 1. As shown in FIG. 4, the semiconductor element 6 is mounted on the mounting portion main surface 111 of the first lead 1 via the sintered metal bonding material 75 with the element back surface 6b facing the mounting portion main surface 111. ..

焼結金属接合材７５は、半導体素子６と第１リード１との間に介在し、これらを接合する。焼結金属接合材７５は、焼結金属を含んでいる。本実施形態においては、当該焼結金属は、焼結銀である。なお、焼結金属はこれに限られず、焼結銅などであってもよい。焼結金属接合材７５は多孔質であり、多数の微細孔を有する。焼結金属接合材７５は、銀粒子を含むペーストに焼結処理を行って銀粒子を焼結させ、金属結合された多孔質の焼結銀の層として形成される。焼結金属接合材７５は、半導体素子６の素子裏面６ｂに形成された金属層６４に接しており、金属層６４と金属結合している。また、焼結金属接合材７５は、第１リード１の搭載部主面１１１に形成されためっき層７９に接しており、めっき層７９とも金属結合している。これにより、焼結金属接合材７５は、半導体素子６が放出した熱を、効率よく第１リード１に伝達することができる。 The sintered metal bonding material 75 is interposed between the semiconductor element 6 and the first lead 1 to bond them. The sintered metal bonding material 75 contains a sintered metal. In this embodiment, the sintered metal is sintered silver. The sintered metal is not limited to this, and may be sintered copper or the like. The sintered metal bonding material 75 is porous and has a large number of micropores. The sintered metal bonding material 75 is formed as a metal-bonded porous sintered silver layer by subjecting a paste containing silver particles to a sintering treatment to sinter the silver particles. The sintered metal bonding material 75 is in contact with the metal layer 64 formed on the element back surface 6b of the semiconductor element 6, and is metal-bonded to the metal layer 64. Further, the sintered metal bonding material 75 is in contact with the plating layer 79 formed on the main surface 111 of the mounting portion of the first lead 1, and is also metal-bonded to the plating layer 79. As a result, the sintered metal bonding material 75 can efficiently transfer the heat released by the semiconductor element 6 to the first lead 1.

焼結金属接合材７５は、図２に示すように、ｚ方向視において、半導体素子６に重なっている。また、焼結金属接合材７５は、ｚ方向視において、めっき層７９に内包されている。本実施形態では、焼結金属接合材７５のｚ方向に直交する断面は、第１リード１の搭載部主面１１１に近づくほど大きくなり、半導体素子６に近づくほど小さくなっている。つまり、図４に示すように、焼結金属接合材７５のｘ方向視の形状は台形状になっており、図示しないが、焼結金属接合材７５のｙ方向視の形状も台形状になっている。また、本実施形態では、図４に示すように、焼結金属接合材７５は、半導体素子６の素子本体６０の素子側面６ｃの一部も覆っている。 As shown in FIG. 2, the sintered metal bonding material 75 overlaps the semiconductor element 6 in the z-direction view. Further, the sintered metal bonding material 75 is included in the plating layer 79 in the z-direction view. In the present embodiment, the cross section of the sintered metal bonding material 75 orthogonal to the z direction becomes larger as it approaches the main surface 111 of the mounting portion of the first lead 1, and becomes smaller as it approaches the semiconductor element 6. That is, as shown in FIG. 4, the shape of the sintered metal bonding material 75 in the x-direction is trapezoidal, and although not shown, the shape of the sintered metal bonding material 75 in the y-direction is also trapezoidal. ing. Further, in the present embodiment, as shown in FIG. 4, the sintered metal bonding material 75 also covers a part of the element side surface 6c of the element body 60 of the semiconductor element 6.

ボンディングワイヤ７１〜７４は、半導体素子６とリード２〜５とを接続し、これらを導通させるものである。ボンディングワイヤ７１〜７４は、たとえばＣｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ａｌなどの金属からなる。なお、ボンディングワイヤ７１〜７４の材料は限定されない。また、ボンディングワイヤ７１〜７４は、たとえば不純物として他の成分（金属、非金属等）を許容範囲内で含んでいてもよい。本実施形態においては、ボンディングワイヤ７１〜７４が、Ｃｕからなる場合を例に説明する。なお、ボンディングワイヤ７１〜７４は、さらにＰｄなどによって表面が覆われていてもよい。 The bonding wires 71 to 74 connect the semiconductor element 6 and the leads 2 to 5 and make them conductive. The bonding wires 71 to 74 are made of a metal such as Cu, Au, Ag, or Al. The materials of the bonding wires 71 to 74 are not limited. Further, the bonding wires 71 to 74 may contain other components (metal, non-metal, etc.) as impurities within an allowable range. In this embodiment, the case where the bonding wires 71 to 74 are made of Cu will be described as an example. The surfaces of the bonding wires 71 to 74 may be further covered with Pd or the like.

複数のボンディングワイヤ７１は、図２に示すように、半導体素子６の第１電極６１と、第２リード２のワイヤボンディング部主面２１１とに接続されている。これにより、第２リード２は、半導体素子６の第１電極６１（ソース電極）に電気的に接続されて、ソース端子として機能する。図４に示すように、各ボンディングワイヤ７１は、互いに反対側の端部に位置する第１接合部７１１および第２接合部７１２を備えている。第１接合部７１１は、半導体素子６の第１電極６１に接合されている。第１接合部７１１は、製造工程のワイヤボンディング工程において、ボールボンディングによって接合されたボール接合部である。第１接合部７１１は、ワイヤの先端に溶融ボールを形成し、これを第１電極６１に押し付けて超音波振動を付加して接合することで形成される。第２接合部７１２は、第２リード２のワイヤボンディング部主面２１１に形成されためっき層７９２に接合されている。第２接合部７１２は、製造工程のワイヤボンディング工程において、ステッチボンディングによって接合されたステッチ接合部である。第２接合部７１２は、第１接合部７１１を形成してワイヤを引き出しつつキャピラリを移動させた後、ワイヤをめっき層７９２に押し付けて超音波振動を付加して接合し、ワイヤを切断することで形成される。本実施形態では、「第１接合部７１１」が本開示の第２端部に相当し、「第２接合部７１２」が本開示の第１端部に相当する。 As shown in FIG. 2, the plurality of bonding wires 71 are connected to the first electrode 61 of the semiconductor element 6 and the main surface 211 of the wire bonding portion of the second lead 2. As a result, the second lead 2 is electrically connected to the first electrode 61 (source electrode) of the semiconductor element 6 and functions as a source terminal. As shown in FIG. 4, each bonding wire 71 includes a first bonding portion 711 and a second bonding portion 712 located at ends opposite to each other. The first bonding portion 711 is bonded to the first electrode 61 of the semiconductor element 6. The first joint portion 711 is a ball joint portion joined by ball bonding in the wire bonding step of the manufacturing process. The first joint portion 711 is formed by forming a molten ball at the tip of the wire, pressing the molten ball against the first electrode 61, and applying ultrasonic vibration to the joint. The second bonding portion 712 is bonded to the plating layer 792 formed on the main surface 211 of the wire bonding portion of the second lead 2. The second joint portion 712 is a stitch joint portion joined by stitch bonding in the wire bonding step of the manufacturing process. The second joint portion 712 forms the first joint portion 711, moves the capillary while pulling out the wire, and then presses the wire against the plating layer 792 to apply ultrasonic vibration to join the wire and cut the wire. Is formed by. In the present embodiment, the "first joint portion 711" corresponds to the second end portion of the present disclosure, and the "second joint portion 712" corresponds to the first end portion of the present disclosure.

複数のボンディングワイヤ７２は、図２に示すように、半導体素子６の第２電極６２と、第３リード３のワイヤボンディング部主面３１１とに接続されている。これにより、第３リード３は、半導体素子６の第２電極６２（ドレイン電極）に電気的に接続されて、ドレイン端子として機能する。図４に示すように、各ボンディングワイヤ７２は、互いに反対側の端部に位置する第１接合部７２１および第２接合部７２２を備えている。第１接合部７２１は、半導体素子６の第２電極６２に接合されている。第１接合部７２１は、製造工程のワイヤボンディング工程において、ボールボンディングによって接合されたボール接合部である。第１接合部７２１は、ワイヤの先端に溶融ボールを形成し、これを第２電極６２に押し付けて超音波振動を付加して接合することで形成される。第２接合部７２２は、第３リード３のワイヤボンディング部主面３１１に形成されためっき層７９３に接合されている。第２接合部７２２は、製造工程のワイヤボンディング工程において、ステッチボンディングによって接合されたステッチ接合部である。第２接合部７２２は、第１接合部７２１を形成してワイヤを引き出しつつキャピラリを移動させた後、ワイヤをめっき層７９３に押し付けて超音波振動を付加して接合し、ワイヤを切断することで形成される。本実施形態では、「第１接合部７２１」が本開示の第２端部に相当し、「第２接合部７２２」が本開示の第１端部に相当する。 As shown in FIG. 2, the plurality of bonding wires 72 are connected to the second electrode 62 of the semiconductor element 6 and the main surface 311 of the wire bonding portion of the third lead 3. As a result, the third lead 3 is electrically connected to the second electrode 62 (drain electrode) of the semiconductor element 6 and functions as a drain terminal. As shown in FIG. 4, each bonding wire 72 includes a first bonding portion 721 and a second bonding portion 722 located at ends opposite to each other. The first bonding portion 721 is bonded to the second electrode 62 of the semiconductor element 6. The first joint portion 721 is a ball joint portion joined by ball bonding in the wire bonding step of the manufacturing process. The first joint portion 721 is formed by forming a molten ball at the tip of the wire, pressing the molten ball against the second electrode 62, and applying ultrasonic vibration to the joint. The second bonding portion 722 is bonded to the plating layer 793 formed on the main surface 311 of the wire bonding portion of the third lead 3. The second joint portion 722 is a stitch joint portion joined by stitch bonding in the wire bonding step of the manufacturing process. The second joint portion 722 forms the first joint portion 721, moves the capillary while pulling out the wire, and then presses the wire against the plating layer 793 to apply ultrasonic vibration to join the wire and cut the wire. Is formed by. In the present embodiment, the "first joint portion 721" corresponds to the second end portion of the present disclosure, and the "second joint portion 722" corresponds to the first end portion of the present disclosure.

ボンディングワイヤ７３は、図２に示すように、半導体素子６の第３電極６３と、第４リード４のワイヤボンディング部主面４１１とに接続されている。これにより、第４リード４は、半導体素子６の第３電極６３（ゲート電極）に電気的に接続されて、ゲート端子として機能する。ボンディングワイヤ７３は、図示しないが、互いに反対側の端部に位置する第１接合部７３１および第２接合部７３２を備えている。第１接合部７３１は、半導体素子６の第３電極６３に接合されている。第１接合部７３１は、製造工程のワイヤボンディング工程において、ボールボンディングによって接合されたボール接合部である。第１接合部７３１は、ワイヤの先端に溶融ボールを形成し、これを第３電極６３に押し付けて超音波振動を付加して接合することで形成される。第２接合部７３２は、第４リード４のワイヤボンディング部主面４１１に形成されためっき層７９４に接合されている。第２接合部７３２は、製造工程のワイヤボンディング工程において、ステッチボンディングによって接合されたステッチ接合部である。第２接合部７３２は、第１接合部７３１を形成してワイヤを引き出しつつキャピラリを移動させた後、ワイヤをめっき層７９４に押し付けて超音波振動を付加して接合し、ワイヤを切断することで形成される。本実施形態では、「第１接合部７３１」が本開示の第２端部に相当し、「第２接合部７３２」が本開示の第１端部に相当する。 As shown in FIG. 2, the bonding wire 73 is connected to the third electrode 63 of the semiconductor element 6 and the main surface 411 of the wire bonding portion of the fourth lead 4. As a result, the fourth reed 4 is electrically connected to the third electrode 63 (gate electrode) of the semiconductor element 6 and functions as a gate terminal. Although not shown, the bonding wire 73 includes a first bonding portion 731 and a second bonding portion 732 located at ends opposite to each other. The first bonding portion 731 is bonded to the third electrode 63 of the semiconductor element 6. The first joint portion 731 is a ball joint portion joined by ball bonding in the wire bonding step of the manufacturing process. The first joint portion 731 is formed by forming a molten ball at the tip of the wire, pressing the molten ball against the third electrode 63, and applying ultrasonic vibration to the joint. The second bonding portion 732 is bonded to the plating layer 794 formed on the main surface 411 of the wire bonding portion of the fourth lead 4. The second joint portion 732 is a stitch joint portion joined by stitch bonding in the wire bonding step of the manufacturing process. The second joint portion 732 forms the first joint portion 731, moves the capillary while pulling out the wire, and then presses the wire against the plating layer 794 to add ultrasonic vibration to join and cut the wire. Is formed by. In the present embodiment, the "first joint portion 731" corresponds to the second end portion of the present disclosure, and the "second joint portion 732" corresponds to the first end portion of the present disclosure.

複数のボンディングワイヤ７４は、図２に示すように、半導体素子６の第１電極６１と、第５リード５のワイヤボンディング部主面５１１とに接続されている。これにより、第５リード５は、半導体素子６の第１電極６１（ソース電極）に電気的に接続されて、ソースセンス端子として機能する。ソースセンス端子は、第１電極６１（ソース電極）の電位を検出するための端子である。各ボンディングワイヤ７４は、図示しないが、互いに反対側の端部に位置する第１接合部７４１および第２接合部７４２を備えている。第１接合部７４１は、半導体素子６の第１電極６１に接合されている。第１接合部７４１は、製造工程のワイヤボンディング工程において、ボールボンディングによって接合されたボール接合部である。第１接合部７４１は、ワイヤの先端に溶融ボールを形成し、これを第１電極６１に押し付けて超音波振動を付加して接合することで形成される。第２接合部７４２は、第５リード５のワイヤボンディング部主面５１１に形成されためっき層７９５に接合されている。第２接合部７４２は、製造工程のワイヤボンディング工程において、ステッチボンディングによって接合されたステッチ接合部である。第２接合部７４２は、第１接合部７４１を形成してワイヤを引き出しつつキャピラリを移動させた後、ワイヤをめっき層７９５に押し付けて超音波振動を付加して接合し、ワイヤを切断することで形成される。本実施形態では、「第１接合部７４１」が本開示の第２端部に相当し、「第２接合部７４２」が本開示の第１端部に相当する。 As shown in FIG. 2, the plurality of bonding wires 74 are connected to the first electrode 61 of the semiconductor element 6 and the main surface 511 of the wire bonding portion of the fifth lead 5. As a result, the fifth reed 5 is electrically connected to the first electrode 61 (source electrode) of the semiconductor element 6 and functions as a source sense terminal. The source sense terminal is a terminal for detecting the potential of the first electrode 61 (source electrode). Although not shown, each bonding wire 74 includes a first bonding portion 741 and a second bonding portion 742 located at ends opposite to each other. The first bonding portion 741 is bonded to the first electrode 61 of the semiconductor element 6. The first joint portion 741 is a ball joint portion joined by ball bonding in the wire bonding step of the manufacturing process. The first joint portion 741 is formed by forming a molten ball at the tip of the wire, pressing the molten ball against the first electrode 61, and applying ultrasonic vibration to the joint. The second bonding portion 742 is bonded to the plating layer 795 formed on the main surface 511 of the wire bonding portion of the fifth reed 5. The second joint portion 742 is a stitch joint portion joined by stitch bonding in the wire bonding step of the manufacturing process. The second joint portion 742 forms the first joint portion 741 and moves the capillary while pulling out the wire, and then presses the wire against the plating layer 795 to apply ultrasonic vibration to join the wire and cut the wire. Is formed by. In the present embodiment, the "first joint portion 741" corresponds to the second end portion of the present disclosure, and the "second joint portion 742" corresponds to the first end portion of the present disclosure.

なお、各ボンディングワイヤ７１〜７４の本数は限定されない。また、各ボンディングワイヤ７１〜７４の材料および太さは限定されず、全て同じであってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。 The number of each bonding wire 71 to 74 is not limited. Further, the materials and thicknesses of the bonding wires 71 to 74 are not limited, and they may all be the same or may be different from each other.

焼結金属接合材７６は、ボンディングワイヤ７１（７２，７３，７４）の第２接合部７１２（７２２，７３２，７４２）の接合強度を高めるために形成されている。焼結金属接合材７６は、焼結金属を含んでいる。本実施形態においては、当該焼結金属は、焼結銀である。なお、焼結金属はこれに限られず、焼結銅などであってもよい。焼結金属接合材７６は多孔質であり、多数の微細孔を有する。焼結金属接合材７６は、銀粒子を含むペーストに焼結処理を行って銀粒子を焼結させ、金属結合された多孔質の焼結銀の層として形成される。 The sintered metal bonding material 76 is formed to increase the bonding strength of the second bonding portion 712 (722,732,742) of the bonding wire 71 (72, 73, 74). The sintered metal bonding material 76 contains a sintered metal. In this embodiment, the sintered metal is sintered silver. The sintered metal is not limited to this, and may be sintered copper or the like. The sintered metal bonding material 76 is porous and has a large number of micropores. The sintered metal bonding material 76 is formed as a metal-bonded porous layer of sintered silver by subjecting a paste containing silver particles to a sintering treatment to sinter the silver particles.

本実施形態では、焼結金属接合材７６における焼結銀の体積比率は、比較的高く、たとえば５０％以上８０％以下である。なお、焼結銀の体積比率はこの範囲に限定されない。また、焼結金属接合材７６は、スペーサを含んでいない。なお、焼結金属接合材７６は、たとえばアクリル樹脂などからなるスペーサを含んでいてもよい。なお、スペーサの材料は限定されず、他の熱可塑性樹脂であってもよいし、その他の材料であってもよい。本実施形態では、焼結金属接合材７６は、焼結金属接合材７５と同じ材料からなるが、焼結金属接合材７６の材料は、焼結金属接合材７５と異なっていてもよい。焼結金属接合材７６は、焼結金属接合材７６１，７６２，７６３，７６４を含んでいる。 In the present embodiment, the volume ratio of sintered silver in the sintered metal bonding material 76 is relatively high, for example, 50% or more and 80% or less. The volume ratio of sintered silver is not limited to this range. Further, the sintered metal bonding material 76 does not include a spacer. The sintered metal bonding material 76 may include a spacer made of, for example, an acrylic resin. The material of the spacer is not limited, and may be another thermoplastic resin or another material. In the present embodiment, the sintered metal bonding material 76 is made of the same material as the sintered metal bonding material 75, but the material of the sintered metal bonding material 76 may be different from the sintered metal bonding material 75. The sintered metal bonding material 76 includes a sintered metal bonding material 761,762,763,764.

焼結金属接合材７６１は、図４に示すように、ボンディングワイヤ７１の第２接合部７１２と、第２リード２のワイヤボンディング部主面２１１の一部とを覆っている。焼結金属接合材７６１は、ワイヤボンディング部主面２１１に形成されためっき層７９２に接しており、めっき層７９２と金属結合している。また、焼結金属接合材７６１は、ボンディングワイヤ７１に接しており、ボンディングワイヤ７１とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７１とめっき層７９２とが、焼結金属接合材７６１によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第２接合部７１２の接合強度が高められている。 As shown in FIG. 4, the sintered metal bonding material 761 covers the second bonding portion 712 of the bonding wire 71 and a part of the wire bonding portion main surface 211 of the second lead 2. The sintered metal bonding material 761 is in contact with the plating layer 792 formed on the main surface 211 of the wire bonding portion, and is metal-bonded to the plating layer 792. Further, the sintered metal bonding material 761 is in contact with the bonding wire 71, and is also metal-bonded to the bonding wire 71. That is, the bonding wire 71 and the plating layer 792 are bonded by metal bonding in a wide range by the sintered metal bonding material 761. As a result, the joint strength of the second joint portion 712 is increased.

図５(ａ)は、図４の領域Ａの部分に相当する要部拡大断面写真である。図５（ｂ）は、図５(ａ)の要部拡大断面写真における領域Ｂの部分をさらに拡大した要部拡大断面写真である。図５（ｂ）を見ると、ボンディングワイヤ７１と焼結金属接合材７６１とが金属結合していることが解る。また、図５（ｃ）は、図５(ａ)の要部拡大断面写真における領域Ｃの部分をさらに拡大した要部拡大断面写真である。図５（ｃ）を見ると、めっき層７９２と焼結金属接合材７６１とが金属結合していることが解る。 FIG. 5A is an enlarged cross-sectional photograph of a main part corresponding to the portion of region A in FIG. FIG. 5B is an enlarged cross-sectional photograph of the main part in which the portion of the region B in the enlarged cross-sectional photograph of the main part of FIG. 5A is further enlarged. Looking at FIG. 5B, it can be seen that the bonding wire 71 and the sintered metal bonding material 761 are metal-bonded. Further, FIG. 5C is an enlarged cross-sectional photograph of the main part in which the portion of the region C in the enlarged cross-sectional photograph of the main part of FIG. 5A is further enlarged. Looking at FIG. 5C, it can be seen that the plating layer 792 and the sintered metal bonding material 761 are metal-bonded.

焼結金属接合材７６２は、図４に示すように、ボンディングワイヤ７２の第２接合部７２２と、第３リード３のワイヤボンディング部主面３１１の一部とを覆っている。焼結金属接合材７６２は、ワイヤボンディング部主面３１１に形成されためっき層７９３に接しており、めっき層７９３と金属結合している。また、焼結金属接合材７６２は、ボンディングワイヤ７２に接しており、ボンディングワイヤ７２とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７２とめっき層７９３とが、焼結金属接合材７６２によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第２接合部７２２の接合強度が高められている。 As shown in FIG. 4, the sintered metal bonding material 762 covers the second bonding portion 722 of the bonding wire 72 and a part of the wire bonding portion main surface 311 of the third lead 3. The sintered metal bonding material 762 is in contact with the plating layer 793 formed on the main surface 311 of the wire bonding portion, and is metal-bonded to the plating layer 793. Further, the sintered metal bonding material 762 is in contact with the bonding wire 72, and is also metal-bonded to the bonding wire 72. That is, the bonding wire 72 and the plating layer 793 are bonded by metal bonding in a wide range by the sintered metal bonding material 762. As a result, the joint strength of the second joint portion 722 is increased.

焼結金属接合材７６３は、ボンディングワイヤ７３の第２接合部７３２と、第４リード４のワイヤボンディング部主面４１１の一部とを覆っている。焼結金属接合材７６３は、ワイヤボンディング部主面４１１に形成されためっき層７９４に接しており、めっき層７９４と金属結合している。また、焼結金属接合材７６３は、ボンディングワイヤ７３に接しており、ボンディングワイヤ７３とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７３とめっき層７９４とが、焼結金属接合材７６３によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第２接合部７３２の接合強度が高められている。 The sintered metal bonding material 763 covers the second bonding portion 732 of the bonding wire 73 and a part of the main surface 411 of the wire bonding portion of the fourth lead 4. The sintered metal bonding material 763 is in contact with the plating layer 794 formed on the main surface 411 of the wire bonding portion, and is metal-bonded to the plating layer 794. Further, the sintered metal bonding material 763 is in contact with the bonding wire 73, and is also metal-bonded to the bonding wire 73. That is, the bonding wire 73 and the plating layer 794 are bonded by metal bonding in a wide range by the sintered metal bonding material 763. As a result, the joint strength of the second joint portion 732 is increased.

焼結金属接合材７６４は、ボンディングワイヤ７４の第２接合部７４２と、第５リード５のワイヤボンディング部主面５１１の一部とを覆っている。焼結金属接合材７６４は、ワイヤボンディング部主面５１１に形成されためっき層７９５に接しており、めっき層７９５と金属結合している。また、焼結金属接合材７６４は、ボンディングワイヤ７４に接しており、ボンディングワイヤ７４とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７４とめっき層７９５とが、焼結金属接合材７６４によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第２接合部７４２の接合強度が高められている。 The sintered metal bonding material 764 covers a second bonding portion 742 of the bonding wire 74 and a part of the main surface 511 of the wire bonding portion of the fifth lead 5. The sintered metal bonding material 764 is in contact with the plating layer 795 formed on the main surface 511 of the wire bonding portion, and is metal-bonded to the plating layer 795. Further, the sintered metal bonding material 764 is in contact with the bonding wire 74 and is also metal-bonded to the bonding wire 74. That is, the bonding wire 74 and the plating layer 795 are bonded by metal bonding in a wide range by the sintered metal bonding material 764. As a result, the joint strength of the second joint portion 742 is increased.

封止樹脂８は、各リード１〜５の一部ずつ、半導体素子６、焼結金属接合材７５，７６、めっき層７９、およびボンディングワイヤ７１〜７４を覆っている。封止樹脂８は、電気絶縁性を有する熱硬化性の合成樹脂である。本実施形態においては、封止樹脂８は、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなる。 The sealing resin 8 covers the semiconductor element 6, the sintered metal bonding materials 75 and 76, the plating layer 79, and the bonding wires 71 to 74, with a part of each lead 1 to 5. The sealing resin 8 is a thermosetting synthetic resin having electrical insulation. In the present embodiment, the sealing resin 8 is made of, for example, a black epoxy resin.

封止樹脂８は、樹脂主面８１、樹脂裏面８２および樹脂側面８３を有する。樹脂主面８１と樹脂裏面８２とは、ｚ方向において互いに反対側を向いている。樹脂主面８１は、図４の上方を向く面であり、樹脂裏面８２は、図４の下方を向く面である。樹脂側面８３は、樹脂主面８１および樹脂裏面８２を繋ぐ面であり、ｘ方向またはｙ方向を向いている。 The sealing resin 8 has a resin main surface 81, a resin back surface 82, and a resin side surface 83. The resin main surface 81 and the resin back surface 82 face each other in the z direction. The resin main surface 81 is a surface facing upward in FIG. 4, and the resin back surface 82 is a surface facing downward in FIG. The resin side surface 83 is a surface connecting the resin main surface 81 and the resin back surface 82, and faces the x direction or the y direction.

本実施形態においては、第１リード１の連結部端面１２３と、第２リード２の端子部端面２２３および連結部端面２３３と、第３リード３の端子部端面３２３および連結部端面３３３と、第４リード４の端子部端面４２３および連結部端面４３３と、第５リード５の端子部端面５２３とが、封止樹脂８の樹脂側面８３と互いに面一である。また、第１リード１の搭載部裏面１１２と、第２リード２のワイヤボンディング部裏面２１２および端子部裏面２２２と、第３リード３のワイヤボンディング部裏面３１２および端子部裏面３２２と、第４リード４のワイヤボンディング部裏面４１２および端子部裏面４２２と、第５リード５のワイヤボンディング部裏面５１２および端子部裏面５２２とが、封止樹脂８の樹脂裏面８２と互いに面一である。 In the present embodiment, the connecting portion end surface 123 of the first lead 1, the terminal portion end surface 223 and the connecting portion end surface 233 of the second lead 2, the terminal portion end surface 323 and the connecting portion end surface 333 of the third lead 3, and the second The terminal portion end surface 423 and the connecting portion end surface 433 of the 4 lead 4 and the terminal portion end surface 523 of the 5th lead 5 are flush with each other with the resin side surface 83 of the sealing resin 8. Further, the back surface 112 of the mounting portion of the first lead 1, the back surface 212 of the wire bonding portion and the back surface 222 of the wire bonding portion of the second lead 2, the back surface 312 of the wire bonding portion and the back surface of the terminal portion 322 of the third lead 3, and the fourth lead. The back surface 412 of the wire bonding portion and the back surface 422 of the terminal portion of No. 4 and the back surface 512 of the wire bonding portion and the back surface 522 of the terminal portion of the fifth lead 5 are flush with each other with the resin back surface 82 of the sealing resin 8.

次に、半導体装置Ａ１０の製造方法の一例について、図６〜図１０を参照して以下に説明する。なお、これらの図は、部分拡大平面図であり、ｘ方向およびｙ方向は、図２と同じ方向を示している。 Next, an example of a method for manufacturing the semiconductor device A10 will be described below with reference to FIGS. 6 to 10. It should be noted that these figures are partially enlarged plan views, and the x-direction and the y-direction show the same directions as in FIG.

まず、図６に示すように、リードフレーム９１０を用意する。リードフレーム９１０は、各リード１〜５となる板状の材料である。リードフレーム９１０の主面９１１は、第１リード１の搭載部主面１１１および連結部主面１２１と、第２リード２のワイヤボンディング部主面２１１、端子部主面２２１および連結部主面２３１と、第３リード３のワイヤボンディング部主面３１１、端子部主面３２１および連結部主面３３１と、第４リード４のワイヤボンディング部主面４１１、端子部主面４２１および連結部主面４３１と、第５リード５のワイヤボンディング部主面５１１および端子部主面５２１になる面である。リードフレーム９１０の主面９１１は、面一になっている。図中の比較的密であるハッチングが施された領域は、厚さ（ｚ方向の寸法）が厚い領域である。一方、図中の比較的粗であるハッチングが施された領域は、厚さ（ｚ方向の寸法）が薄い領域である。当該領域は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。本実施形態においては、リードフレーム９１０の母材は、Ｃｕからなる。 First, as shown in FIG. 6, a lead frame 910 is prepared. The lead frame 910 is a plate-shaped material that serves as each lead 1 to 5. The main surface 911 of the lead frame 910 includes the mounting portion main surface 111 and the connecting portion main surface 121 of the first lead 1, the wire bonding portion main surface 211 of the second lead 2, the terminal portion main surface 221 and the connecting portion main surface 231. The wire bonding part main surface 311 of the third lead 3, the terminal part main surface 321 and the connecting part main surface 331, and the wire bonding part main surface 411 of the fourth lead 4, the terminal part main surface 421 and the connecting part main surface 431. The surface of the fifth lead 5 becomes the main surface 511 of the wire bonding portion and the main surface 521 of the terminal portion. The main surface 911 of the lead frame 910 is flush with each other. The relatively dense hatched region in the figure is a region having a large thickness (dimension in the z direction). On the other hand, the relatively coarse hatched region in the figure is a region having a thin thickness (dimension in the z direction). The region is formed, for example, by a half-etching process. In the present embodiment, the base material of the lead frame 910 is made of Cu.

また、リードフレーム９１０とは別に、半導体素子６を用意する。具体的には、素子本体６０となるウエハに第１電極６１、第２電極６２、第３電極６３、および金属層６４となるめっき処理を施す。当該ウエハは、素子本体６０（半導体素子６）を複数個生成可能なサイズとされる。そして、めっき処理されたウエハをダイシングして、半導体素子６を生成する。 Further, a semiconductor element 6 is prepared separately from the lead frame 910. Specifically, the wafer to be the element body 60 is plated to form the first electrode 61, the second electrode 62, the third electrode 63, and the metal layer 64. The wafer has a size capable of generating a plurality of element main bodies 60 (semiconductor elements 6). Then, the plated wafer is diced to generate the semiconductor element 6.

次いで、図７に示すように、リードフレーム９１０にめっき層７９１〜７９５を形成し、めっき層７９１に、焼結金属接合材７５になる焼結銀ペースト９２０を塗布する。めっき層７９１は、主面９１１のうち、第１リード１の搭載部主面１１１になる部分の中央に形成される。めっき層７９２は主面９１１のうち、第２リード２のワイヤボンディング部主面２１１になる部分に形成される。めっき層７９３は主面９１１のうち、第３リード３のワイヤボンディング部主面３１１になる部分に形成される。めっき層７９４は主面９１１のうち、第４リード４のワイヤボンディング部主面４１１になる部分に形成される。めっき層７９５は主面９１１のうち、第５リード５のワイヤボンディング部主面５１１になる部分に形成される。めっき層７９１〜７９５は、たとえば、電解めっきにより形成される。焼結銀ペースト９２０は、溶媒中にマイクロサイズあるいはナノサイズの銀粒子を混ぜ合わせたペースト状である。焼結銀ペースト９２０は、たとえばディスペンサーを用いて、めっき層７９１の中央に塗布される。 Next, as shown in FIG. 7, the plating layers 791 to 795 are formed on the lead frame 910, and the sintered silver paste 920 to be the sintered metal bonding material 75 is applied to the plating layer 791. The plating layer 791 is formed in the center of the main surface 911, which is the main surface 111 of the mounting portion of the first lead 1. The plating layer 792 is formed on the portion of the main surface 911 that becomes the main surface 211 of the wire bonding portion of the second lead 2. The plating layer 793 is formed on the portion of the main surface 911 that becomes the main surface 311 of the wire bonding portion of the third lead 3. The plating layer 794 is formed on the portion of the main surface 911 that becomes the main surface 411 of the wire bonding portion of the fourth reed 4. The plating layer 795 is formed on the portion of the main surface 911 that becomes the main surface 511 of the wire bonding portion of the fifth reed 5. The plating layers 791 to 795 are formed by, for example, electrolytic plating. The sintered silver paste 920 is a paste in which micro-sized or nano-sized silver particles are mixed in a solvent. The sintered silver paste 920 is applied to the center of the plating layer 791 using, for example, a dispenser.

次いで、焼結銀ペースト９２０を挟むようにして、半導体素子６をめっき層７９１上に載置する。半導体素子６は、素子裏面６ｂを搭載部主面１１１に向けて載置される。本実施形態では、半導体素子６は、特に力を加えることなく、焼結銀ペースト９２０上に載置される。半導体素子６の自重により、図８に示すように、焼結銀ペースト９２０は周囲に広がる。 Next, the semiconductor element 6 is placed on the plating layer 791 so as to sandwich the sintered silver paste 920. The semiconductor element 6 is mounted with the element back surface 6b facing the mounting portion main surface 111. In the present embodiment, the semiconductor element 6 is placed on the sintered silver paste 920 without applying any particular force. Due to the weight of the semiconductor element 6, the sintered silver paste 920 spreads around as shown in FIG.

次いで、焼結処理工程を行う。具体的には、焼結銀ペースト９２０上に半導体素子６を載置した状態を維持したまま、焼結銀ペースト９２０を、所定の焼結条件で熱処理する。当該焼結条件としては、加圧の有無、加熱時間、加熱温度、環境（雰囲気）などが挙げられる。本実施形態においては、たとえば、無加圧状態で、２００℃で２時間の熱処理を、酸素を含んだ雰囲気中で行う。なお、焼結条件は、上記したものに限定されない。上記熱処理を行うことで、焼結銀ペースト９２０の溶媒が揮発・消失し、ナノサイズの銀粒子が溶融してマイクロサイズの銀粒子が焼結される。これにより、金属結合された多孔質の焼結銀の層が、焼結金属接合材７５として形成される。焼結金属接合材７５は、金属層６４およびめっき層７９１とも金属結合する。 Next, a sintering process is performed. Specifically, the sintered silver paste 920 is heat-treated under predetermined sintering conditions while maintaining the state in which the semiconductor element 6 is placed on the sintered silver paste 920. Examples of the sintering conditions include the presence / absence of pressurization, heating time, heating temperature, environment (atmosphere), and the like. In the present embodiment, for example, the heat treatment at 200 ° C. for 2 hours is performed in an oxygen-containing atmosphere in a non-pressurized state. The sintering conditions are not limited to those described above. By performing the above heat treatment, the solvent of the sintered silver paste 920 is volatilized and disappears, the nano-sized silver particles are melted, and the micro-sized silver particles are sintered. As a result, a metal-bonded porous layer of sintered silver is formed as the sintered metal bonding material 75. The sintered metal bonding material 75 also metal-bonds to the metal layer 64 and the plating layer 791.

次いで、図９に示すように、ボンディングワイヤ７１〜７４を半導体素子６の各電極６１〜６３とリードフレーム９１０とにボンディングする。ワイヤボンディング工程は、キャピラリを用いたワイヤボンダによって行う。具体的には、まず、ワイヤボンダのキャピラリからワイヤの先端部を突出させ、これを溶解させて、ワイヤの先端部に溶融ボールを形成する。この溶融ボールを電極６１〜６３に押し付けて超音波振動を付加して接合する。次に、キャピラリからワイヤを引き出しつつキャピラリを移動させた後、リードフレーム９１０の各リード２〜５になる部分に形成されためっき層７９２〜７９５にワイヤを押し付けて超音波振動を付加して接合する。そして、キャピラリのクランパでワイヤを押さえながら、キャピラリを持ち上げ、ワイヤを切断する。これにより、ボンディングワイヤ７１〜７４が形成される。なお、ボンディングワイヤ７１〜７４の形成の順番は限定されない。 Next, as shown in FIG. 9, the bonding wires 71 to 74 are bonded to the electrodes 61 to 63 of the semiconductor element 6 and the lead frame 910. The wire bonding step is performed by a wire bonder using a capillary. Specifically, first, the tip of the wire is projected from the capillary of the wire bonder and melted to form a molten ball at the tip of the wire. The molten balls are pressed against the electrodes 61 to 63 to apply ultrasonic vibration to join them. Next, after moving the capillary while pulling out the wire from the capillary, the wire is pressed against the plating layers 792 to 795 formed in the portions of the lead frames 910 to be the leads 2 to 5, and ultrasonic vibration is applied to join them. To do. Then, while holding the wire with the capillary clamper, the capillary is lifted and the wire is cut. As a result, bonding wires 71 to 74 are formed. The order of forming the bonding wires 71 to 74 is not limited.

次いで、図１０に示すように、めっき層７９２〜７９５に、焼結金属接合材７６（７６１〜７６４）になる焼結銀ペースト９３０をそれぞれ塗布する。焼結銀ペースト９３０は、溶媒中にマイクロサイズあるいはナノサイズの銀粒子を混ぜ合わせたペースト状である。本実施形態においては、焼結銀ペースト９２０と焼結銀ペースト９３０の材料は同じである。焼結銀ペースト９３０は、たとえばディスペンサーを用いて塗布される。 Next, as shown in FIG. 10, the sintered silver paste 930 which becomes the sintered metal bonding material 76 (761 to 764) is applied to the plating layers 792 to 795, respectively. The sintered silver paste 930 is a paste in which micro-sized or nano-sized silver particles are mixed in a solvent. In the present embodiment, the materials of the sintered silver paste 920 and the sintered silver paste 930 are the same. The sintered silver paste 930 is applied, for example, using a dispenser.

次いで、焼結処理工程を行う。具体的には、焼結銀ペースト９３０を、所定の焼結条件で熱処理する。当該焼結条件としては、加圧の有無、加熱時間、加熱温度、環境（雰囲気）などが挙げられる。本実施形態においては、たとえば、無加圧状態で、２００℃で２時間の熱処理を、酸素を含んだ雰囲気中で行う。なお、焼結条件は、上記したものに限定されない。上記熱処理を行うことで、焼結銀ペースト９３０の溶媒が揮発・消失し、ナノサイズの銀粒子が溶融してマイクロサイズの銀粒子が焼結される。これにより、金属結合された多孔質の焼結銀の層が、焼結金属接合材７６１〜７６４として形成される。焼結金属接合材７６１は、ボンディングワイヤ７１およびめっき層７９２とも金属結合している。焼結金属接合材７６２は、ボンディングワイヤ７２およびめっき層７９３とも金属結合している。焼結金属接合材７６３は、ボンディングワイヤ７３およびめっき層７９４とも金属結合している。焼結金属接合材７６４は、ボンディングワイヤ７４およびめっき層７９５とも金属結合している。 Next, a sintering process is performed. Specifically, the sintered silver paste 930 is heat-treated under predetermined sintering conditions. Examples of the sintering conditions include the presence / absence of pressurization, heating time, heating temperature, environment (atmosphere), and the like. In the present embodiment, for example, the heat treatment at 200 ° C. for 2 hours is performed in an oxygen-containing atmosphere in a non-pressurized state. The sintering conditions are not limited to those described above. By performing the above heat treatment, the solvent of the sintered silver paste 930 volatilizes and disappears, the nano-sized silver particles are melted, and the micro-sized silver particles are sintered. As a result, a metal-bonded porous layer of sintered silver is formed as the sintered metal bonding material 716 to 764. The sintered metal bonding material 761 is also metal-bonded to the bonding wire 71 and the plating layer 792. The sintered metal bonding material 762 is also metal-bonded to the bonding wire 72 and the plating layer 793. The sintered metal bonding material 763 is also metal-bonded to the bonding wire 73 and the plating layer 794. The sintered metal bonding material 764 is also metal-bonded to the bonding wire 74 and the plating layer 795.

次いで、樹脂材料を硬化させることにより、リードフレーム９１０の一部、半導体素子６、およびボンディングワイヤ７１〜７４を覆う封止樹脂８（図示略）を形成する。封止樹脂８の形成工程は、たとえば、金型を用いた、周知のトランスファモールド成形により行われる。具体的には、半導体素子６およびボンディングワイヤ７１〜７４をボンディングしたリードフレーム９１０を、金型成形機にセットし、流動化させたエポキシ樹脂を金型内のキャビティに流し込み、モールド成形する。そして、エポキシ樹脂を硬化させ、成形済みのリードフレーム９１０を取り出す。そして、余分な樹脂やバリ取りなどを行う。本実施形態においては、封止樹脂８は、図１０に示された全領域に形成される。 Next, the resin material is cured to form a sealing resin 8 (not shown) that covers a part of the lead frame 910, the semiconductor element 6, and the bonding wires 71 to 74. The step of forming the sealing resin 8 is performed by, for example, a well-known transfer mold molding using a mold. Specifically, the lead frame 910 to which the semiconductor element 6 and the bonding wires 71 to 74 are bonded is set in a mold molding machine, and the fluidized epoxy resin is poured into a cavity in the mold for molding. Then, the epoxy resin is cured, and the molded lead frame 910 is taken out. Then, excess resin and deburring are performed. In this embodiment, the sealing resin 8 is formed in the entire region shown in FIG.

次いで、リードフレーム９１０および封止樹脂８を、図１０に示す切断線９５０に沿って切断する。これにより、半導体装置Ａ１０となる個片が形成される。以上の工程を経ることにより、上述した半導体装置Ａ１０が得られる。 Next, the lead frame 910 and the sealing resin 8 are cut along the cutting line 950 shown in FIG. As a result, individual pieces to be the semiconductor device A10 are formed. By going through the above steps, the above-mentioned semiconductor device A10 can be obtained.

次に、半導体装置Ａ１０の作用効果について説明する。 Next, the action and effect of the semiconductor device A10 will be described.

本実施形態によると、焼結金属接合材７６１は、ボンディングワイヤ７１の第２接合部７１２と、第２リード２のワイヤボンディング部主面２１１の一部とを覆っている。焼結金属接合材７６１は、ワイヤボンディング部主面２１１に形成されためっき層７９２に接しており、めっき層７９２と金属結合している。また、焼結金属接合材７６１は、ボンディングワイヤ７１に接しており、ボンディングワイヤ７１とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７１とめっき層７９２とが、焼結金属接合材７６１によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第２接合部７１２は接合強度が高められ、熱応力によるクラックの発生が抑制される。ボンディングワイヤ７２（７３，７４）の第２接合部７２２（７３２，７４２）も同様であり、ボンディングワイヤ７２（７３，７４）とめっき層７９３（７９４，７９５）とが焼結金属接合材７６２（７６３，７６４）によって広い範囲で金属結合により接合されているので、接合強度が高められ、熱応力によるクラックの発生が抑制される。 According to the present embodiment, the sintered metal bonding material 761 covers a second bonding portion 712 of the bonding wire 71 and a part of the wire bonding portion main surface 211 of the second lead 2. The sintered metal bonding material 761 is in contact with the plating layer 792 formed on the main surface 211 of the wire bonding portion, and is metal-bonded to the plating layer 792. Further, the sintered metal bonding material 761 is in contact with the bonding wire 71, and is also metal-bonded to the bonding wire 71. That is, the bonding wire 71 and the plating layer 792 are bonded by metal bonding in a wide range by the sintered metal bonding material 761. As a result, the joint strength of the second joint portion 712 is increased, and the generation of cracks due to thermal stress is suppressed. The same applies to the second bonding portion 722 (732,742) of the bonding wire 72 (73,74), in which the bonding wire 72 (73,74) and the plating layer 793 (794,795) form a sintered metal bonding material 762 ( Since the bonding is performed by metal bonding in a wide range according to 763, 764), the bonding strength is increased and the generation of cracks due to thermal stress is suppressed.

本実施形態によると、第２リード２（ワイヤボンディング部主面２１１）に、Ａｇを含有するめっき層７９２が形成され、焼結金属接合材７６１はめっき層７９２と金属結合している。したがって、焼結金属接合材７６１が、Ｃｕからなる第２リード２と直接金属結合する場合より、第２接合部７１２の接合強度を高めることができる。第２接合部７２２，７３２，７４２も同様である。 According to this embodiment, a plating layer 792 containing Ag is formed on the second lead 2 (main surface 211 of the wire bonding portion), and the sintered metal bonding material 761 is metal-bonded to the plating layer 792. Therefore, the bonding strength of the second bonding portion 712 can be increased as compared with the case where the sintered metal bonding material 761 directly metal-bonds to the second lead 2 made of Cu. The same applies to the second joint portion 722, 732, 742.

本実施形態によると、焼結金属接合材７６は、スペーサを含んでおらず、焼結銀の体積比率が比較的高い。したがって、焼結金属接合材７６は、めっき層７９２〜７９５およびボンディングワイヤ７１〜７４との結合強度が高い。よって、第２接合部７１２，７２２,７３２,７４２の接合強度をより高めることができる。 According to this embodiment, the sintered metal bonding material 76 does not include a spacer, and the volume ratio of sintered silver is relatively high. Therefore, the sintered metal bonding material 76 has high bonding strength with the plating layers 792 to 795 and the bonding wires 71 to 74. Therefore, the joint strength of the second joint portion 712,722,732,742 can be further increased.

〔第１変形例〕
図１１は、半導体装置Ａ１０の第１変形例である半導体装置Ａ１１を示している。図１１において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図１１は、半導体装置Ａ１１を示す断面図であり、図４に対応する図である。 [First modification]
FIG. 11 shows a semiconductor device A11 which is a first modification of the semiconductor device A10. In FIG. 11, elements that are the same as or similar to the semiconductor device A10 described above are designated by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted. FIG. 11 is a cross-sectional view showing the semiconductor device A11, and is a diagram corresponding to FIG.

半導体装置Ａ１１は、めっき層７９（７９１〜７９５）が形成されていない点で、半導体装置Ａ１０と異なる。 The semiconductor device A11 is different from the semiconductor device A10 in that the plating layer 79 (791 to 795) is not formed.

半導体装置Ａ１１は、搭載部主面１１１にめっき層７９１が形成されず、焼結金属接合材７５が搭載部主面１１１に直接形成されている。この場合、焼結金属接合材７５は、搭載部主面１１１に接し、搭載部主面１１１と金属結合する。また、半導体装置Ａ１１は、ワイヤボンディング部主面２１１（３１１，４１１，５１１）にめっき層７９２（７９３，７９４，７９５）が形成されず、焼結金属接合材７６１（７６２，７６３，７６４）がワイヤボンディング部主面２１１（３１１，４１１，５１１）に直接形成されている。この場合、焼結金属接合材７６１（７６２，７６３，７６４）は、ワイヤボンディング部主面２１１（３１１，４１１，５１１）に接し、ワイヤボンディング部主面２１１（３１１，４１１，５１１）と金属結合する。 In the semiconductor device A11, the plating layer 791 is not formed on the main surface 111 of the mounting portion, and the sintered metal bonding material 75 is directly formed on the main surface 111 of the mounting portion. In this case, the sintered metal bonding material 75 is in contact with the mounting portion main surface 111 and is metal-bonded to the mounting portion main surface 111. Further, in the semiconductor device A11, the plating layer 792 (793,794,795) is not formed on the main surface 211 (311, 411, 511) of the wire bonding portion, and the sintered metal bonding material 761 (762,763,764) is formed. It is formed directly on the main surface 211 (311, 411, 511) of the wire bonding portion. In this case, the sintered metal bonding material 761 (762,763,764) is in contact with the wire bonding portion main surface 211 (311, 411, 511) and is metal-bonded to the wire bonding portion main surface 211 (311, 411, 511). To do.

本変形例においても、ボンディングワイヤ７１（７２，７３，７４）とワイヤボンディング部主面２１１（３１１，４１１，５１１）とが、焼結金属接合材７６１（７６２，７６３，７６４）によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第２接合部７１２（７２２，７３２，７４２）は接合強度が高められ、熱応力によるクラックの発生が抑制される。また、めっき層７９（７９１〜７９５）を形成する工程を省略できるので、製造工程が簡略化できる。なお、めっき層７９１が形成されず、めっき層７９２〜７９５が形成されてもよいし、めっき層７９２〜７９５が形成されず、めっき層７９１が形成されてもよい。 Also in this modification, the bonding wire 71 (72, 73, 74) and the wire bonding portion main surface 211 (311, 411, 511) are covered in a wide range by the sintered metal bonding material 761 (762,763,764). It is joined by metal bonding. As a result, the joint strength of the second joint portion 712 (722,732,742) is increased, and the occurrence of cracks due to thermal stress is suppressed. Further, since the step of forming the plating layer 79 (791 to 795) can be omitted, the manufacturing step can be simplified. The plating layer 791 may not be formed and the plating layers 792 to 795 may be formed, or the plating layers 792 to 795 may not be formed and the plating layer 791 may be formed.

〔第２変形例〕
図１２は、半導体装置Ａ１０の第２変形例である半導体装置Ａ１２を示している。図１２において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図１２は、半導体装置Ａ１２を示す断面図であり、図４に対応する図である。 [Second modification]
FIG. 12 shows a semiconductor device A12 which is a second modification of the semiconductor device A10. In FIG. 12, elements that are the same as or similar to the semiconductor device A10 described above are designated by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted. FIG. 12 is a cross-sectional view showing the semiconductor device A12, and is a diagram corresponding to FIG.

半導体装置Ａ１２は、ワイヤボンディング工程における各ボンディングワイヤ７１〜７４の形成方法が、半導体装置Ａ１０と異なる。 The semiconductor device A12 differs from the semiconductor device A10 in the method of forming each bonding wire 71 to 74 in the wire bonding step.

本変形例におけるボンディングワイヤ７１は、溶融ボールをリード２のワイヤボンディング部主面２１１のめっき層７９２に接合した後、引き出したワイヤを半導体素子６の第１電極６１に接合することで形成される。したがって、図１２に示すように、ボンディングワイヤ７１の第１接合部７１１はめっき層７９２に接合されており、第２接合部７１２は第１電極６１に接合されている。なお、本変形例では、ワイヤボンディング部主面２１１にめっき層７９２が形成されているが、めっき層７９２が形成されてなくてもよい。この場合、ボンディングワイヤ７１の第１接合部７１１は、第２リード２のワイヤボンディング部主面２１１に接合される。 The bonding wire 71 in this modification is formed by bonding the molten ball to the plating layer 792 of the main surface 211 of the wire bonding portion of the lead 2 and then bonding the drawn wire to the first electrode 61 of the semiconductor element 6. .. Therefore, as shown in FIG. 12, the first bonding portion 711 of the bonding wire 71 is bonded to the plating layer 792, and the second bonding portion 712 is bonded to the first electrode 61. In this modification, the plating layer 792 is formed on the main surface 211 of the wire bonding portion, but the plating layer 792 may not be formed. In this case, the first bonding portion 711 of the bonding wire 71 is bonded to the main surface 211 of the wire bonding portion of the second lead 2.

また、本変形例における焼結金属接合材７６１は、図１２に示すように、ボンディングワイヤ７１の第２接合部７１２と、半導体素子６の第１電極６１の一部とを覆っている。焼結金属接合材７６１は、第１電極６１に接しており、第１電極６１と金属結合している。また、焼結金属接合材７６１は、ボンディングワイヤ７１に接しており、ボンディングワイヤ７１とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７１と第１電極６１とが、焼結金属接合材７６１によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第２接合部７１２の接合強度が高められている。 Further, as shown in FIG. 12, the sintered metal bonding material 761 in this modification covers the second bonding portion 712 of the bonding wire 71 and a part of the first electrode 61 of the semiconductor element 6. The sintered metal bonding material 761 is in contact with the first electrode 61 and is metal-bonded to the first electrode 61. Further, the sintered metal bonding material 761 is in contact with the bonding wire 71, and is also metal-bonded to the bonding wire 71. That is, the bonding wire 71 and the first electrode 61 are bonded by metal bonding in a wide range by the sintered metal bonding material 761. As a result, the joint strength of the second joint portion 712 is increased.

本変形例におけるボンディングワイヤ７２〜７４も同様であり、ボンディングワイヤ７２（７３，７４）の第１接合部７２１（７３１，７４１）はワイヤボンディング部主面３１１（４１１,５１１）のめっき層７９３(７９４，７９５)に接合されており、第２接合部７２２（７３２，７４２）は第２電極６２（第３電極６３、第１電極６１）に接合されている。また、焼結金属接合材７６２(７６３，７６４)は、ボンディングワイヤ７２（７３，７４）の第２接合部７２２（７３２，７４２）と、半導体素子６の第２電極６２（第３電極６３、第１電極６１）の一部とを覆っている。焼結金属接合材７６２(７６３，７６４)は、第２電極６２（第３電極６３、第１電極６１）に接して金属結合し、ボンディングワイヤ７２（７３，７４）とも接して金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７２（７３，７４）と第２電極６２（第３電極６３、第１電極６１）とが、焼結金属接合材７６２(７６３，７６４)によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第２接合部７２２(７３２，７４２)の接合強度が高められている。本変形例では、「第１電極６１」、「第２電極６２」、「第３電極６３」が本開示のワイヤボンディング部に相当する。 The same applies to the bonding wires 72 to 74 in this modification, and the first bonding portion 721 (731,741) of the bonding wire 72 (73,74) is the plating layer 793 (411,511) of the wire bonding portion main surface 311 (411,511). It is bonded to 794,795), and the second bonding portion 722 (732,742) is bonded to the second electrode 62 (third electrode 63, first electrode 61). Further, the sintered metal bonding material 762 (763, 764) includes the second bonding portion 722 (732,742) of the bonding wire 72 (73,74) and the second electrode 62 (third electrode 63, 3rd electrode 63) of the semiconductor element 6. It covers a part of the first electrode 61). The sintered metal bonding material 762 (763, 764) is in contact with the second electrode 62 (third electrode 63, first electrode 61) to form a metal bond, and is also in contact with the bonding wire 72 (73, 74) to form a metal bond. There is. That is, the bonding wire 72 (73, 74) and the second electrode 62 (third electrode 63, first electrode 61) are bonded by metal bonding in a wide range by the sintered metal bonding material 762 (763, 764). ing. As a result, the joint strength of the second joint portion 722 (732,742) is increased. In this modification, the "first electrode 61", "second electrode 62", and "third electrode 63" correspond to the wire bonding portions of the present disclosure.

本変形例においても、ボンディングワイヤ７１（７２，７３，７４）と第１電極６１（第２電極６２、第３電極６３、第１電極６１）とが、焼結金属接合材７６１（７６２，７６３，７６４）によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第２接合部７１２（７２２，７３２，７４２）は接合強度が高められ、熱応力によるクラックの発生が抑制される。 Also in this modification, the bonding wire 71 (72, 73, 74) and the first electrode 61 (second electrode 62, third electrode 63, first electrode 61) are made of sintered metal bonding material 761 (762,763). , 764), which are joined by metal bonds in a wide range. As a result, the joint strength of the second joint portion 712 (722,732,742) is increased, and the occurrence of cracks due to thermal stress is suppressed.

〔第３変形例〕
図１３は、半導体装置Ａ１０の第３変形例である半導体装置Ａ１３を示している。図１３において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図１３は、半導体装置Ａ１３を示す断面図であり、図４に対応する図である。 [Third modification example]
FIG. 13 shows a semiconductor device A13 which is a third modification of the semiconductor device A10. In FIG. 13, elements that are the same as or similar to those of the semiconductor device A10 described above are designated by the same reference numerals, and redundant description will be omitted. FIG. 13 is a cross-sectional view showing the semiconductor device A13, and is a diagram corresponding to FIG.

半導体装置Ａ１３は、各ボンディングワイヤ７１〜７４の両方の接合部に焼結金属接合材７６が形成されている点で、半導体装置Ａ１０と異なる。 The semiconductor device A13 is different from the semiconductor device A10 in that a sintered metal bonding material 76 is formed at both bonding portions of the bonding wires 71 to 74.

本変形例においては、製造工程のワイヤボンディング工程は、ウェッジツールを用いたウェッジボンディングによって行われる。ウェッジボンディングでは、ワイヤの先端部に溶融ボールを形成することなく、ワイヤの先端を電極６１〜６３に押し付けて超音波振動を付加して接合する。よって、溶融ボールを形成して接合するボールボンディングに比べて、接合強度が低くなる。したがって、半導体装置Ａ１３では、第１接合部７１１，７２１，７３１，７４１にも、焼結金属接合材７６（７６１〜７６４）が形成されている。 In this modification, the wire bonding step of the manufacturing process is performed by wedge bonding using a wedge tool. In wedge bonding, the tip of the wire is pressed against the electrodes 61 to 63 without forming a molten ball at the tip of the wire, and ultrasonic vibration is applied to bond the wire. Therefore, the bonding strength is lower than that of ball bonding in which molten balls are formed and bonded. Therefore, in the semiconductor device A13, the sintered metal bonding material 76 (761 to 764) is also formed in the first bonding portion 711,721,731,741.

第１接合部７１１に形成された焼結金属接合材７６１は、図１３に示すように、ボンディングワイヤ７１の第１接合部７１１と、半導体素子６の第１電極６１の一部とを覆っている。焼結金属接合材７６１は、第１電極６１に接しており、第１電極６１と金属結合している。また、焼結金属接合材７６１は、ボンディングワイヤ７１に接しており、ボンディングワイヤ７１とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７１と第１電極６１とが、焼結金属接合材７６１によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第１接合部７１１の接合強度が高められている。 As shown in FIG. 13, the sintered metal bonding material 761 formed on the first bonding portion 711 covers the first bonding portion 711 of the bonding wire 71 and a part of the first electrode 61 of the semiconductor element 6. There is. The sintered metal bonding material 761 is in contact with the first electrode 61 and is metal-bonded to the first electrode 61. Further, the sintered metal bonding material 761 is in contact with the bonding wire 71, and is also metal-bonded to the bonding wire 71. That is, the bonding wire 71 and the first electrode 61 are bonded by metal bonding in a wide range by the sintered metal bonding material 761. As a result, the joint strength of the first joint portion 711 is increased.

第１接合部７２１に形成された焼結金属接合材７６２は、図１３に示すように、ボンディングワイヤ７２の第１接合部７２１と、半導体素子６の第２電極６２の一部とを覆っている。焼結金属接合材７６２は、第２電極６２に接しており、第２電極６２と金属結合している。また、焼結金属接合材７６２は、ボンディングワイヤ７２に接しており、ボンディングワイヤ７２とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７２と第２電極６２とが、焼結金属接合材７６２によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第１接合部７２１の接合強度が高められている。 As shown in FIG. 13, the sintered metal bonding material 762 formed in the first bonding portion 721 covers the first bonding portion 721 of the bonding wire 72 and a part of the second electrode 62 of the semiconductor element 6. There is. The sintered metal bonding material 762 is in contact with the second electrode 62 and is metal-bonded to the second electrode 62. Further, the sintered metal bonding material 762 is in contact with the bonding wire 72, and is also metal-bonded to the bonding wire 72. That is, the bonding wire 72 and the second electrode 62 are bonded by metal bonding in a wide range by the sintered metal bonding material 762. As a result, the joint strength of the first joint portion 721 is increased.

第１接合部７３１に形成された焼結金属接合材７６３は、ボンディングワイヤ７３の第１接合部７３１と、半導体素子６の第３電極６３の一部とを覆っている。焼結金属接合材７６３は、第３電極６３に接しており、第３電極６３と金属結合している。また、焼結金属接合材７６３は、ボンディングワイヤ７３に接しており、ボンディングワイヤ７３とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７３と第３電極６３とが、焼結金属接合材７６３によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第１接合部７３１の接合強度が高められている。 The sintered metal bonding material 763 formed in the first bonding portion 731 covers the first bonding portion 731 of the bonding wire 73 and a part of the third electrode 63 of the semiconductor element 6. The sintered metal bonding material 763 is in contact with the third electrode 63 and is metal-bonded to the third electrode 63. Further, the sintered metal bonding material 763 is in contact with the bonding wire 73, and is also metal-bonded to the bonding wire 73. That is, the bonding wire 73 and the third electrode 63 are bonded by metal bonding in a wide range by the sintered metal bonding material 763. As a result, the joint strength of the first joint portion 731 is increased.

第１接合部７４１に形成された焼結金属接合材７６４は、ボンディングワイヤ７４の第１接合部７４１と、半導体素子６の第１電極６１の一部とを覆っている。焼結金属接合材７６４は、第１電極６１に接しており、第１電極６１と金属結合している。また、焼結金属接合材７６４は、ボンディングワイヤ７４に接しており、ボンディングワイヤ７４とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７４と第１電極６１とが、焼結金属接合材７６４によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第１接合部７４１の接合強度が高められている。 The sintered metal bonding material 764 formed on the first bonding portion 741 covers the first bonding portion 741 of the bonding wire 74 and a part of the first electrode 61 of the semiconductor element 6. The sintered metal bonding material 764 is in contact with the first electrode 61 and is metal-bonded to the first electrode 61. Further, the sintered metal bonding material 764 is in contact with the bonding wire 74 and is also metal-bonded to the bonding wire 74. That is, the bonding wire 74 and the first electrode 61 are bonded by metal bonding in a wide range by the sintered metal bonding material 764. As a result, the joint strength of the first joint portion 741 is increased.

本変形例によると、ボンディングワイヤ７１（７２，７３，７４）と第１電極６１（第２電極６２、第３電極６３、第１電極６１）とが、焼結金属接合材７６１（７６２，７６３，７６４）によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第１接合部７１１（７２１，７３１，７４１）は接合強度が高められ、熱応力によるクラックの発生が抑制される。 According to this modification, the bonding wire 71 (72, 73, 74) and the first electrode 61 (second electrode 62, third electrode 63, first electrode 61) are made of a sintered metal bonding material 761 (762,763). , 764), which are joined by metal bonds in a wide range. As a result, the joint strength of the first joint portion 711 (721, 731, 741) is increased, and the generation of cracks due to thermal stress is suppressed.

なお、ボンディングワイヤ７１〜７４のいずれかのみが、両方の接合部に焼結金属接合材７６を形成されてもよい。たとえば、キャピラリを用いたボールボンディングによってボンディングされたか、ウェッジツールを用いたウェッジボンディングによってボンディングされたかによって、ボンディングワイヤ７１〜７４ごとに、焼結金属接合材７６の形成を変更してもよい。 In addition, only one of the bonding wires 71 to 74 may form the sintered metal bonding material 76 at both bonding portions. For example, the formation of the sintered metal bonding material 76 may be changed for each of the bonding wires 71 to 74 depending on whether the bonding is performed by ball bonding using a capillary or wedge bonding using a wedge tool.

〔第２実施形態〕
図１４〜図１５に基づき、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図１４は、半導体装置Ａ２０を示す平面図であり、図２に対応する図である。図１５は、図１４のＸＶ−ＸＶ線に沿う断面図である。 [Second Embodiment]
The semiconductor device A20 according to the second embodiment of the present disclosure will be described with reference to FIGS. 14 to 15. In these figures, elements that are the same as or similar to those of the semiconductor device A10 described above are designated by the same reference numerals, and redundant description will be omitted. FIG. 14 is a plan view showing the semiconductor device A20, and is a diagram corresponding to FIG. FIG. 15 is a cross-sectional view taken along the line XV-XV of FIG.

本実施形態にかかる半導体装置Ａ２０は、半導体素子６の第１電極６１と第１リード１の搭載部主面１１１とに接続されているボンディングワイヤ７７と、焼結金属接合材７６５とをさらに備えている点で、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０と異なる。 The semiconductor device A20 according to the present embodiment further includes a bonding wire 77 connected to the first electrode 61 of the semiconductor element 6 and the main surface 111 of the mounting portion of the first lead 1, and a sintered metal bonding material 765. This is different from the semiconductor device A10 according to the first embodiment.

複数のボンディングワイヤ７７は、半導体素子６の第１電極６１と、第１リード１の搭載部主面１１１とに接続されている。これにより、第１リード１は、半導体素子６の第１電極６１（ソース電極）に電気的に接続されて、ソース端子として機能する。なお、ボンディングワイヤ７７は、ボンディングワイヤ７１〜７４と同様の材料からなる。図１５に示すように、各ボンディングワイヤ７７は、互いに反対側の端部に位置する第１接合部７７１および第２接合部７７２を備えている。第１接合部７７１は、半導体素子６の第１電極６１に接合されている。第１接合部７７１は、製造工程のワイヤボンディング工程において、ボールボンディングによって接合されたボール接合部である。第１接合部７７１は、ワイヤの先端に溶融ボールを形成し、これを第１電極６１に押し付けて超音波振動を付加して接合することで形成される。第２接合部７７２は、第１リード１の搭載部主面１１１に形成されためっき層７９１に接合されている。第２接合部７７２は、製造工程のワイヤボンディング工程において、ステッチボンディングによって接合されたステッチ接合部である。第２接合部７７２は、第１接合部７７１を形成してワイヤを引き出しつつキャピラリを移動させた後、ワイヤをめっき層７９１に押し付けて超音波振動を付加して接合し、ワイヤを切断することで形成される。なお、ボンディングワイヤ７７の本数、材料および太さは限定されない。本実施形態では、「第１接合部７７１」が本開示の第２端部に相当し、「第２接合部７７２」が本開示の第１端部に相当する。また、「搭載部１１０」が本開示のワイヤボンディング部に相当する。 The plurality of bonding wires 77 are connected to the first electrode 61 of the semiconductor element 6 and the mounting portion main surface 111 of the first lead 1. As a result, the first lead 1 is electrically connected to the first electrode 61 (source electrode) of the semiconductor element 6 and functions as a source terminal. The bonding wire 77 is made of the same material as the bonding wires 71 to 74. As shown in FIG. 15, each bonding wire 77 includes a first bonding portion 771 and a second bonding portion 772 located at ends opposite to each other. The first bonding portion 771 is bonded to the first electrode 61 of the semiconductor element 6. The first joint portion 771 is a ball joint portion joined by ball bonding in the wire bonding step of the manufacturing process. The first joint portion 771 is formed by forming a molten ball at the tip of the wire, pressing the molten ball against the first electrode 61, and applying ultrasonic vibration to the joint. The second joint portion 772 is joined to the plating layer 791 formed on the main surface 111 of the mounting portion of the first lead 1. The second joint portion 772 is a stitch joint portion joined by stitch bonding in the wire bonding step of the manufacturing process. The second joint portion 772 forms the first joint portion 771 and moves the capillary while pulling out the wire, and then presses the wire against the plating layer 791 to apply ultrasonic vibration to join the wire and cut the wire. Is formed by. The number, material, and thickness of the bonding wires 77 are not limited. In the present embodiment, the "first joint portion 771" corresponds to the second end portion of the present disclosure, and the "second joint portion 772" corresponds to the first end portion of the present disclosure. Further, the "mounting portion 110" corresponds to the wire bonding portion of the present disclosure.

焼結金属接合材７６５は、焼結金属接合材７６１〜７６４と同様の材料からなり、同様に形成される。焼結金属接合材７６５は、図１４および図１５に示すように、ボンディングワイヤ７７の第２接合部７７２と、第１リード１の搭載部主面１１１の一部とを覆っている。焼結金属接合材７６５は、搭載部主面１１１に形成されためっき層７９１に接しており、めっき層７９１と金属結合している。また、焼結金属接合材７６５は、ボンディングワイヤ７７に接しており、ボンディングワイヤ７７とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７７とめっき層７９１とが、焼結金属接合材７６５によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第２接合部７７２の接合強度が高められている。 The sintered metal bonding material 765 is made of the same material as the sintered metal bonding materials 761 to 764, and is formed in the same manner. As shown in FIGS. 14 and 15, the sintered metal bonding material 765 covers the second bonding portion 772 of the bonding wire 77 and a part of the mounting portion main surface 111 of the first lead 1. The sintered metal bonding material 765 is in contact with the plating layer 791 formed on the main surface 111 of the mounting portion, and is metal-bonded to the plating layer 791. Further, the sintered metal bonding material 765 is in contact with the bonding wire 77, and is also metal-bonded to the bonding wire 77. That is, the bonding wire 77 and the plating layer 791 are bonded by metal bonding in a wide range by the sintered metal bonding material 765. As a result, the joint strength of the second joint portion 772 is increased.

本実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。また、本実施形態によると、焼結金属接合材７６５は、ボンディングワイヤ７７の第２接合部７７２と、第１リード１の搭載部主面１１１の一部とを覆っている。焼結金属接合材７６５は、搭載部主面１１１に形成されためっき層７９１に接しており、めっき層７９１と金属結合している。また、焼結金属接合材７６５は、ボンディングワイヤ７７に接しており、ボンディングワイヤ７７とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７７とめっき層７９１とが、焼結金属接合材７６５によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第２接合部７７２は接合強度が高められ、熱応力によるクラックの発生が抑制される。 Also in this embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained. Further, according to the present embodiment, the sintered metal bonding material 765 covers the second bonding portion 772 of the bonding wire 77 and a part of the mounting portion main surface 111 of the first lead 1. The sintered metal bonding material 765 is in contact with the plating layer 791 formed on the main surface 111 of the mounting portion, and is metal-bonded to the plating layer 791. Further, the sintered metal bonding material 765 is in contact with the bonding wire 77, and is also metal-bonded to the bonding wire 77. That is, the bonding wire 77 and the plating layer 791 are bonded by metal bonding in a wide range by the sintered metal bonding material 765. As a result, the joint strength of the second joint portion 772 is increased, and the generation of cracks due to thermal stress is suppressed.

〔第３実施形態〕
図１６〜図１７に基づき、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置Ａ３０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図１６は、半導体装置Ａ３０を示す平面図であり、図２に対応する図である。図１７は、図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。 [Third Embodiment]
The semiconductor device A30 according to the third embodiment of the present disclosure will be described with reference to FIGS. 16 to 17. In these figures, elements that are the same as or similar to those of the semiconductor device A10 described above are designated by the same reference numerals, and redundant description will be omitted. FIG. 16 is a plan view showing the semiconductor device A30, and is a diagram corresponding to FIG. FIG. 17 is a cross-sectional view taken along the line XVII-XVII of FIG.

本実施形態にかかる半導体装置Ａ３０は、ボンディングワイヤの接合部が、半導体素子６を接合する焼結金属接合材７５に覆われている点で、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０と異なる。 The semiconductor device A30 according to the present embodiment is different from the semiconductor device A10 according to the first embodiment in that the bonding portion of the bonding wire is covered with the sintered metal bonding material 75 for bonding the semiconductor element 6.

半導体装置Ａ３０は、第６リード９およびボンディングワイヤ７８を備えている。 The semiconductor device A30 includes a sixth lead 9 and a bonding wire 78.

第６リード９は、リード１〜５と同様にして形成される。第６リード９は、ボンディングワイヤ７８を介して、第１リード１と導通している。第６リード９は、ワイヤボンディング部主面９１を備えている。ワイヤボンディング部主面９１は、ｚ方向において第１リード１の搭載部主面１１１と同じ方向を向く面であり、ボンディングワイヤ７８がボンディングされる面である。 The sixth lead 9 is formed in the same manner as the leads 1 to 5. The sixth lead 9 is conducting with the first lead 1 via the bonding wire 78. The sixth lead 9 includes a wire bonding portion main surface 91. The wire bonding portion main surface 91 is a surface that faces the same direction as the mounting portion main surface 111 of the first lead 1 in the z direction, and is a surface on which the bonding wires 78 are bonded.

複数のボンディングワイヤ７８は、第６リード９のワイヤボンディング部主面９１と、第１リード１の搭載部主面１１１とに接続されている。これにより、第６リード９は、第１リード１に電気的に接続されて、第１リード１と同電位になる。なお、ボンディングワイヤ７８は、ボンディングワイヤ７１〜７４と同様の材料からなる。図１７に示すように、各ボンディングワイヤ７８は、互いに反対側の端部に位置する第１接合部７８１および第２接合部７８２を備えている。第１接合部７８１は、第６リード９のワイヤボンディング部主面９１に接合されている。第１接合部７８１は、製造工程のワイヤボンディング工程において、ボールボンディングによって接合されたボール接合部である。第１接合部７８１は、ワイヤの先端に溶融ボールを形成し、これをワイヤボンディング部主面９１に押し付けて超音波振動を付加して接合することで形成される。第２接合部７８２は、第１リード１の搭載部主面１１１に形成されためっき層７９１に接合されている。第２接合部７８２は、製造工程のワイヤボンディング工程において、ステッチボンディングによって接合されたステッチ接合部である。第２接合部７８２は、第１接合部７８１を形成してワイヤを引き出しつつキャピラリを移動させた後、ワイヤをめっき層７９１に押し付けて超音波振動を付加して接合し、ワイヤを切断することで形成される。なお、ボンディングワイヤ７８の本数、材料および太さは限定されない。本実施形態では、「第２接合部７８２」が本開示の第１端部に相当する。また、「搭載部１１０」が本開示のワイヤボンディング部に相当する。 The plurality of bonding wires 78 are connected to the wire bonding portion main surface 91 of the sixth lead 9 and the mounting portion main surface 111 of the first lead 1. As a result, the sixth lead 9 is electrically connected to the first lead 1 and has the same potential as the first lead 1. The bonding wire 78 is made of the same material as the bonding wires 71 to 74. As shown in FIG. 17, each bonding wire 78 includes a first bonding portion 781 and a second bonding portion 782 located at ends opposite to each other. The first bonding portion 781 is bonded to the main surface 91 of the wire bonding portion of the sixth lead 9. The first joint portion 781 is a ball joint portion joined by ball bonding in the wire bonding step of the manufacturing process. The first bonding portion 781 is formed by forming a molten ball at the tip of the wire, pressing the molten ball against the main surface 91 of the wire bonding portion, and applying ultrasonic vibration to the bonding. The second joint portion 782 is joined to the plating layer 791 formed on the main surface 111 of the mounting portion of the first lead 1. The second joint portion 782 is a stitch joint portion joined by stitch bonding in the wire bonding step of the manufacturing process. The second joint portion 782 is formed by forming the first joint portion 781 and moving the capillary while pulling out the wire, and then pressing the wire against the plating layer 791 to apply ultrasonic vibration to join the wire and cut the wire. Is formed by. The number, material, and thickness of the bonding wires 78 are not limited. In the present embodiment, the "second joint portion 782" corresponds to the first end portion of the present disclosure. Further, the "mounting portion 110" corresponds to the wire bonding portion of the present disclosure.

本実施形態では、焼結金属接合材７５は、図１７に示すように、半導体素子６と第１リード１との間に介在してこれらを接合しつつ、ボンディングワイヤ７８の第２接合部７８２も覆っている。焼結金属接合材７５は、搭載部主面１１１に形成されためっき層７９１に接しており、めっき層７９１と金属結合している。また、焼結金属接合材７５は、ボンディングワイヤ７８に接しており、ボンディングワイヤ７８とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７８とめっき層７９１とが、焼結金属接合材７５によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第２接合部７８２の接合強度が高められている。 In the present embodiment, as shown in FIG. 17, the sintered metal bonding material 75 is interposed between the semiconductor element 6 and the first lead 1 to bond them, and the second bonding portion 782 of the bonding wire 78. Also covers. The sintered metal bonding material 75 is in contact with the plating layer 791 formed on the main surface 111 of the mounting portion, and is metal-bonded to the plating layer 791. Further, the sintered metal bonding material 75 is in contact with the bonding wire 78, and is also metal-bonded to the bonding wire 78. That is, the bonding wire 78 and the plating layer 791 are bonded by metal bonding in a wide range by the sintered metal bonding material 75. As a result, the joint strength of the second joint portion 782 is increased.

次に、半導体装置Ａ３０の製造方法の一例について、図１８〜図２０を参照して以下に説明する。なお、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０の製造方法と共通する部分は説明を省略する。図１８〜図２０は、半導体装置Ａ３０の製造方法の一例の工程を示す図である。図１８〜図２０は、部分拡大断面図であり、図１７と同じ断面を示している。 Next, an example of a method for manufacturing the semiconductor device A30 will be described below with reference to FIGS. 18 to 20. The description of the parts common to the manufacturing method of the semiconductor device A10 according to the first embodiment will be omitted. 18 to 20 are diagrams showing a process of an example of a method for manufacturing the semiconductor device A30. 18 to 20 are partially enlarged cross-sectional views, showing the same cross section as in FIG.

リードフレーム９１０および半導体素子６を用意する工程、および、めっき層を形成する工程は、第１実施形態の場合と同様である。半導体装置Ａ３０の製造方法では、半導体素子６を搭載する前に、図１８に示すように、ボンディングワイヤ７８のボンディングを行う。当該ワイヤボンディング工程は、キャピラリを用いたワイヤボンダによって行う。具体的には、まず、ワイヤボンダのキャピラリからワイヤの先端部を突出させ、これを溶解させて、ワイヤの先端部に溶融ボールを形成する。この溶融ボールをリードフレーム９１０のワイヤボンディング部主面９１になる部分に押し付けて超音波振動を付加して接合する。次に、キャピラリからワイヤを引き出しつつキャピラリを移動させた後、リードフレーム９１０の搭載部主面１１１になる部分に形成されためっき層７９１にワイヤを押し付けて超音波振動を付加して接合する。そして、キャピラリのクランパでワイヤを押さえながら、キャピラリを持ち上げ、ワイヤを切断する。これにより、ボンディングワイヤ７８が形成される。 The steps of preparing the lead frame 910 and the semiconductor element 6 and the step of forming the plating layer are the same as those in the first embodiment. In the method of manufacturing the semiconductor device A30, the bonding wire 78 is bonded before the semiconductor element 6 is mounted, as shown in FIG. The wire bonding step is performed by a wire bonder using a capillary. Specifically, first, the tip of the wire is projected from the capillary of the wire bonder and melted to form a molten ball at the tip of the wire. The molten ball is pressed against the portion of the lead frame 910 that becomes the main surface 91 of the wire bonding portion to apply ultrasonic vibration for bonding. Next, after moving the capillary while pulling out the wire from the capillary, the wire is pressed against the plating layer 791 formed on the portion to be the main surface 111 of the mounting portion of the lead frame 910, and ultrasonic vibration is applied to join them. Then, while holding the wire with the capillary clamper, the capillary is lifted and the wire is cut. As a result, the bonding wire 78 is formed.

次いで、図１９に示すように、めっき層７９１に、焼結金属接合材７５になる焼結銀ペースト９２０を塗布する。焼結銀ペースト９２０は、めっき層７９１の中央に塗布されるが、半導体素子６を載置したときに焼結銀ペースト９２０がボンディングワイヤ７８の第２接合部７８２を覆うまで広がるように、量および位置を設定して塗布される。次いで、焼結銀ペースト９２０を挟むようにして、半導体素子６をめっき層７９１上に載置する。本実施形態では、半導体素子６は、特に力を加えることなく、焼結銀ペースト９２０上に載置されるが、半導体素子６の自重により、図２０に示すように、焼結銀ペースト９２０は周囲に広がる。これにより、ボンディングワイヤ７８の第２接合部７８２は、焼結銀ペースト９２０によって覆われる。次いで、焼結処理工程を行う。焼結処理により、焼結銀ペースト９２０の溶媒が揮発・消失し、ナノサイズの銀粒子が溶融してマイクロサイズの銀粒子が焼結される。これにより、金属結合された多孔質の焼結銀の層が、焼結金属接合材７５として形成される。焼結金属接合材７５は、金属層６４、めっき層７９１およびボンディングワイヤ７８とも金属結合する。以下の工程は、第１実施形態の場合と共通する。 Next, as shown in FIG. 19, the sintered silver paste 920 to be the sintered metal bonding material 75 is applied to the plating layer 791. The sintered silver paste 920 is applied to the center of the plating layer 791, and the amount of the sintered silver paste 920 spreads until the sintered silver paste 920 covers the second bonding portion 782 of the bonding wire 78 when the semiconductor element 6 is placed. And set the position and apply. Next, the semiconductor element 6 is placed on the plating layer 791 so as to sandwich the sintered silver paste 920. In the present embodiment, the semiconductor element 6 is placed on the sintered silver paste 920 without applying any particular force. However, due to the weight of the semiconductor element 6, the sintered silver paste 920 is as shown in FIG. Spread around. As a result, the second bonding portion 782 of the bonding wire 78 is covered with the sintered silver paste 920. Next, a sintering process is performed. By the sintering treatment, the solvent of the sintered silver paste 920 volatilizes and disappears, the nano-sized silver particles are melted, and the micro-sized silver particles are sintered. As a result, a metal-bonded porous layer of sintered silver is formed as the sintered metal bonding material 75. The sintered metal bonding material 75 also metal-bonds to the metal layer 64, the plating layer 791, and the bonding wire 78. The following steps are common to the case of the first embodiment.

本実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。また、本実施形態によると、焼結金属接合材７５は、ボンディングワイヤ７８の第２接合部７８２と、第１リード１の搭載部主面１１１の一部とを覆っている。焼結金属接合材７５は、搭載部主面１１１に形成されためっき層７９１に接しており、めっき層７９１と金属結合している。また、焼結金属接合材７５は、ボンディングワイヤ７８に接しており、ボンディングワイヤ７８とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７８とめっき層７９１とが、焼結金属接合材７５によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第２接合部７８２の接合強度が高められ、熱応力によるクラックの発生が抑制される。また、半導体装置Ａ３０は、焼結金属接合材７５を、半導体素子６と第１リード１とを接合する接合材として機能させ、かつ、第２接合部７８２の接合強度を高める機能も発揮させることができる。 Also in this embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained. Further, according to the present embodiment, the sintered metal bonding material 75 covers the second bonding portion 782 of the bonding wire 78 and a part of the mounting portion main surface 111 of the first lead 1. The sintered metal bonding material 75 is in contact with the plating layer 791 formed on the main surface 111 of the mounting portion, and is metal-bonded to the plating layer 791. Further, the sintered metal bonding material 75 is in contact with the bonding wire 78, and is also metal-bonded to the bonding wire 78. That is, the bonding wire 78 and the plating layer 791 are bonded by metal bonding in a wide range by the sintered metal bonding material 75. As a result, the joint strength of the second joint portion 782 is increased, and the generation of cracks due to thermal stress is suppressed. Further, the semiconductor device A30 makes the sintered metal bonding material 75 function as a bonding material for bonding the semiconductor element 6 and the first lead 1, and also exerts a function of increasing the bonding strength of the second bonding portion 782. Can be done.

〔第１変形例〕
図２１は、半導体装置Ａ３０の第１変形例である半導体装置Ａ３１を示している。図２１において、先述した半導体装置Ａ３０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図２１は、半導体装置Ａ３１を示す断面図であり、図１７に対応する図である。 [First modification]
FIG. 21 shows a semiconductor device A31 which is a first modification of the semiconductor device A30. In FIG. 21, elements that are the same as or similar to those of the semiconductor device A30 described above are designated by the same reference numerals, and redundant description will be omitted. FIG. 21 is a cross-sectional view showing the semiconductor device A31 and is a diagram corresponding to FIG.

半導体装置Ａ３１は、ボンディングワイヤ７８の第２接合部７８２が、ｚ方向視において、半導体素子６に重なっている点で、半導体装置Ａ３０と異なる。 The semiconductor device A31 is different from the semiconductor device A30 in that the second bonding portion 782 of the bonding wire 78 overlaps the semiconductor element 6 in the z-direction view.

本変形例においても、第３実施形態と同様の効果を奏することができる。また、本変形例は、ｚ方向視において半導体素子６に重ならない搭載部主面１１１の領域が狭く、当該領域にボンディングワイヤ７８の第２接合部７８２をボンディングすることが困難である場合に、特に有効である。ただし、本変形例の場合は、半導体素子６がボンディングワイヤ７８の第２接合部７８２に接触することを防止するために、焼結金属接合材７５がたとえばアクリル樹脂などからなるスペーサを含んでいることが望ましい。また、スペーサの粒子径は、ボンディングワイヤ７８の太さ以上にすることが望ましい。 Also in this modified example, the same effect as that of the third embodiment can be obtained. Further, in this modification, when the region of the mounting portion main surface 111 that does not overlap with the semiconductor element 6 in the z-direction is narrow and it is difficult to bond the second bonding portion 782 of the bonding wire 78 to the region. It is especially effective. However, in the case of this modification, in order to prevent the semiconductor element 6 from coming into contact with the second bonding portion 782 of the bonding wire 78, the sintered metal bonding material 75 includes a spacer made of, for example, acrylic resin. Is desirable. Further, it is desirable that the particle size of the spacer is equal to or larger than the thickness of the bonding wire 78.

なお、上記第１〜第２実施形態では、焼結金属接合材７５によって、半導体素子６が第１リード１に接合されている場合について説明したが、これに限られない。半導体素子６と第１リード１とを接合する接合材は、たとえば銀ペーストなどの導電性接合材であってもよい。ただし、この場合、半導体素子６の金属層６４とめっき層７９１との間では、金属結合していないので、焼結金属接合材７５によって接合されている場合と比較して、熱伝導性および導電性が低い。また、熱伝導性および導電性を必要としない場合は、半導体素子６と第１リード１とを接合する接合材は、たとえば絶縁性接合材であってもよい。この場合、半導体素子６には金属層６４が形成されていなくてもよい。 In the first to second embodiments, the case where the semiconductor element 6 is bonded to the first lead 1 by the sintered metal bonding material 75 has been described, but the present invention is not limited to this. The bonding material for bonding the semiconductor element 6 and the first lead 1 may be a conductive bonding material such as silver paste. However, in this case, since no metal bond is formed between the metal layer 64 of the semiconductor element 6 and the plating layer 791, thermal conductivity and conductivity are as compared with the case where the metal layer 64 and the plating layer 791 are bonded by the sintered metal bonding material 75. Low sex. Further, when thermal conductivity and conductivity are not required, the bonding material for bonding the semiconductor element 6 and the first lead 1 may be, for example, an insulating bonding material. In this case, the metal layer 64 may not be formed on the semiconductor element 6.

また、上記第１〜第３実施形態では、１個の半導体素子６が第１リード１に搭載されている場合について説明したが、これに限られない。第１リード１に搭載される半導体素子６は、複数であってもよい。また、半導体素子６に加えて、半導体素子６とは異なる半導体素子が搭載されてもよい。 Further, in the first to third embodiments, the case where one semiconductor element 6 is mounted on the first lead 1 has been described, but the present invention is not limited to this. The number of semiconductor elements 6 mounted on the first lead 1 may be plural. Further, in addition to the semiconductor element 6, a semiconductor element different from the semiconductor element 6 may be mounted.

また、上記第１〜第３実施形態では、リード１〜５を備えている場合について説明したが、これに限られない。リードの数、形状、および配置は、半導体素子６の種類、数、配置などに応じて適宜設計される。 Further, in the first to third embodiments, the case where the leads 1 to 5 are provided has been described, but the present invention is not limited to this. The number, shape, and arrangement of the leads are appropriately designed according to the type, number, arrangement, and the like of the semiconductor element 6.

また、上記第１〜第３実施形態では、各リード１〜５が、封止樹脂８から突出しない場合について説明したが、これに限られない。本開示は、いずれかのリードが封止樹脂８から突出して外部端子となる半導体装置（たとえば、挿入実装型の半導体装置）においても適用することができる。 Further, in the first to third embodiments, the case where the leads 1 to 5 do not protrude from the sealing resin 8 has been described, but the present invention is not limited to this. The present disclosure can also be applied to a semiconductor device (for example, a through-hole mounting type semiconductor device) in which any of the leads protrudes from the sealing resin 8 and serves as an external terminal.

本開示にかかる半導体装置は、先述した実施形態に限定されるものではない。本開示にかかる半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。 The semiconductor device according to the present disclosure is not limited to the above-described embodiment. The specific configuration of each part of the semiconductor device according to the present disclosure can be freely redesigned.

〔付記１〕
第１端部を有するボンディングワイヤと、
前記第１端部が接続されるワイヤボンディング部と、
多孔質の焼結金属を含み、かつ、前記ワイヤボンディング部の少なくとも一部と前記第１端部とを覆う焼結金属接合材と、
を備えている、
半導体装置。
〔付記２〕
前記焼結金属接合材における前記焼結金属は、焼結銀である、
付記１に記載の半導体装置。
〔付記３〕
前記焼結金属接合材は、熱可塑性樹脂を含んでいる、
付記１または２に記載の半導体装置。
〔付記４〕
前記ボンディングワイヤは、Ｃｕからなる、
付記１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記５〕
前記ボンディングワイヤは、表面がＰｄで覆われている、
付記４に記載の半導体装置。
〔付記６〕
半導体素子と、
前記半導体素子が搭載される第１リードと、
をさらに備える、
付記１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記７〕
前記ボンディングワイヤは、前記第１端部の反対側に位置する第２端部を有し、
前記第２端部は、前記半導体素子に接続されている、
付記６に記載の半導体装置。
〔付記８〕
前記第１リードから離間して配置された第２リードをさらに備えており、
前記ワイヤボンディング部は、前記第２リードの一部により構成されている、
付記７に記載の半導体装置。
〔付記９〕
前記ワイヤボンディング部は、前記第１リードの一部により構成されている、
付記６に記載の半導体装置。
〔付記１０〕
前記焼結金属接合材は、前記半導体素子と前記第１リードとの間にも介在する、
付記９に記載の半導体装置。
〔付記１１〕
前記第１端部は、前記半導体素子の厚さ方向視において、前記半導体素子に重なっている、
付記１０に記載の半導体装置。
〔付記１２〕
めっき層をさらに備え、
前記ワイヤボンディング部は、前記第１端部が接続されるワイヤボンディング部主面を備え、
前記めっき層は、前記ワイヤボンディング部主面に接して形成されており、かつ、前記焼結金属接合材に接している、
付記１ないし１１のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１３〕
前記ワイヤボンディング部は、前記ワイヤボンディング部主面とは反対側を向くワイヤボンディング部裏面を備え、
前記めっき層は、前記ワイヤボンディング部裏面にも形成されている、
付記１２に記載の半導体装置。
〔付記１４〕
前記めっき層は、Ａｇを含有する、
付記１２または１３に記載の半導体装置。
〔付記１５〕
前記半導体素子は、厚さ方向において、前記第１リードに対向する面とは反対側を向く素子主面と、前記素子主面に配置された第１電極とを有し、
前記ワイヤボンディング部は、前記第１電極である、
付記６に記載の半導体装置。 [Appendix 1]
A bonding wire having a first end and
A wire bonding portion to which the first end portion is connected and
A sintered metal bonding material containing a porous sintered metal and covering at least a part of the wire bonding portion and the first end portion.
Is equipped with
Semiconductor device.
[Appendix 2]
The sintered metal in the sintered metal bonding material is sintered silver.
The semiconductor device according to Appendix 1.
[Appendix 3]
The sintered metal bonding material contains a thermoplastic resin.
The semiconductor device according to Appendix 1 or 2.
[Appendix 4]
The bonding wire is made of Cu.
The semiconductor device according to any one of Appendix 1 to 3.
[Appendix 5]
The surface of the bonding wire is covered with Pd.
The semiconductor device according to Appendix 4.
[Appendix 6]
With semiconductor elements
The first reed on which the semiconductor element is mounted and
Further prepare
The semiconductor device according to any one of Appendix 1 to 5.
[Appendix 7]
The bonding wire has a second end located on the opposite side of the first end.
The second end is connected to the semiconductor element.
The semiconductor device according to Appendix 6.
[Appendix 8]
Further, a second lead arranged apart from the first lead is provided.
The wire bonding portion is composed of a part of the second lead.
The semiconductor device according to Appendix 7.
[Appendix 9]
The wire bonding portion is composed of a part of the first lead.
The semiconductor device according to Appendix 6.
[Appendix 10]
The sintered metal bonding material is also interposed between the semiconductor element and the first lead.
The semiconductor device according to Appendix 9.
[Appendix 11]
The first end portion overlaps the semiconductor element in the thickness direction of the semiconductor element.
The semiconductor device according to Appendix 10.
[Appendix 12]
With an additional plating layer,
The wire bonding portion includes a main surface of the wire bonding portion to which the first end portion is connected.
The plating layer is formed in contact with the main surface of the wire bonding portion and is in contact with the sintered metal bonding material.
The semiconductor device according to any one of Appendix 1 to 11.
[Appendix 13]
The wire bonding portion includes a back surface of the wire bonding portion facing the side opposite to the main surface of the wire bonding portion.
The plating layer is also formed on the back surface of the wire bonding portion.
The semiconductor device according to Appendix 12.
[Appendix 14]
The plating layer contains Ag.
The semiconductor device according to Appendix 12 or 13.
[Appendix 15]
The semiconductor device has an element main surface facing the side opposite to the surface facing the first lead in the thickness direction, and a first electrode arranged on the element main surface.
The wire bonding portion is the first electrode.
The semiconductor device according to Appendix 6.

Ａ１０〜Ａ１３，Ａ２０，Ａ３０〜Ａ３１：半導体装置
１ ：第１リード
１１０ ：搭載部
１１１ ：搭載部主面
１１２ ：搭載部裏面
１１３ ：搭載部裏面側凹部
１２０ ：連結部
１２１ ：連結部主面
１２２ ：連結部裏面
１２３ ：連結部端面
２ ：第２リード
２１０ ：ワイヤボンディング部
２１１ ：ワイヤボンディング部主面
２１２ ：ワイヤボンディング部裏面
２１３ ：ワイヤボンディング部裏面側凹部
２２０ ：端子部
２２１ ：端子部主面
２２２ ：端子部裏面
２２３ ：端子部端面
２３０ ：連結部
２３１ ：連結部主面
２３２ ：連結部裏面
２３３ ：連結部端面
３ ：第３リード
３１０ ：ワイヤボンディング部
３１１ ：ワイヤボンディング部主面
３１２ ：ワイヤボンディング部裏面
３１３ ：ワイヤボンディング部裏面側凹部
３２０ ：端子部
３２１ ：端子部主面
３２２ ：端子部裏面
３２３ ：端子部端面
３３０ ：連結部
３３１ ：連結部主面
３３２ ：連結部裏面
３３３ ：連結部端面
４ ：第４リード
４１０ ：ワイヤボンディング部
４１１ ：ワイヤボンディング部主面
４１２ ：ワイヤボンディング部裏面
４１３ ：ワイヤボンディング部裏面側凹部
４２０ ：端子部
４２１ ：端子部主面
４２２ ：端子部裏面
４２３ ：端子部端面
４３０ ：連結部
４３１ ：連結部主面
４３２ ：連結部裏面
４３３ ：連結部端面
５ ：第５リード
５１０ ：ワイヤボンディング部
５１１ ：ワイヤボンディング部主面
５１２ ：ワイヤボンディング部裏面
５１３ ：ワイヤボンディング部裏面側凹部
５２０ ：端子部
５２１ ：端子部主面
５２２ ：端子部裏面
５２３ ：端子部端面
６ ：半導体素子
６ａ ：素子主面
６ｂ ：素子裏面
６ｃ ：素子側面
６０ ：素子本体
６１ ：第１電極
６２ ：第２電極
６３ ：第３電極
６４ ：金属層
９ ：第６リード
９１ ：ワイヤボンディング部主面
７１〜７４，７７,７８：ボンディングワイヤ
７１１，７２１，７３１，７４１，７７１，７８１：第１接合部
７１２，７２２，７３２，７４２，７７２，７８２：第２接合部
７５ ：焼結金属接合材
７６，７６１〜７６５：焼結金属接合材
７９，７９１〜７９５：めっき層
８ ：封止樹脂
８１ ：樹脂主面
８２ ：樹脂裏面
８３ ：樹脂側面
９１０ ：リードフレーム
９１１ ：主面
９２０ ：焼結銀ペースト
９３０ ：焼結銀ペースト
９５０ ：切断線 A10 to A13, A20, A30 to A31: Semiconductor device 1: First lead 110: Mounting unit 111: Mounting unit main surface 112: Mounting unit back surface 113: Mounting unit back surface side recess 120: Connecting unit 121: Connecting unit main surface 122 : Connecting part back surface 123: Connecting part end surface 2: Second lead 210: Wire bonding part 211: Wire bonding part main surface 212: Wire bonding part back surface 213: Wire bonding part back surface side recess 220: Terminal part 221: Terminal part main surface 222: Terminal back surface 223: Terminal end surface 230: Connecting unit 231: Connecting unit main surface 232: Connecting unit back surface 233: Connecting unit end surface 3: Third lead 310: Wire bonding unit 311: Wire bonding unit main surface 312: Wire Bonding part back surface 313: Wire bonding part back side recess 320: Terminal part 321: Terminal part main surface 322: Terminal part back surface 323: Terminal part end surface 330: Connecting part 331: Connecting part main surface 332: Connecting part back surface 333: Connecting part End surface 4: Fourth lead 410: Wire bonding portion 411: Wire bonding portion main surface 412: Wire bonding portion back surface 413: Wire bonding unit back surface side recess 420: Terminal portion 421: Terminal portion main surface 422: Terminal portion back surface 423: Terminal Part end surface 430: Connecting part 431: Connecting part main surface 432: Connecting part back surface 433: Connecting part end surface 5: Fifth lead 510: Wire bonding part 511: Wire bonding part main surface 512: Wire bonding part back surface 513: Wire bonding part Back side recess 520: Terminal part 521: Terminal part main surface 522: Terminal part back surface 523: Terminal part end surface 6: Semiconductor element 6a: Element main surface 6b: Element back surface 6c: Element side surface 60: Element body 61: First electrode 62 : 2nd electrode 63: 3rd electrode 64: Metal layer 9: 6th lead 91: Main surface of wire bonding part 71-74, 77,78: Bonding wire 711,721,731,741,771,781: 1st bonding Parts 712,722,732,742,772,782: Second bonding part 75: Sintered metal bonding material 76,761-765: Sintered metal bonding material 79,791-795: Plating layer 8: Encapsulating resin 81: Resin main surface 82: Resin back surface 83: Resin side surface 910: Lead frame 911: Main surface 920: Sintered silver paste 930: Sintered silver paste 950: Cutting wire

Claims (15)

第１端部を有するボンディングワイヤと、
前記第１端部が接続されるワイヤボンディング部と、
多孔質の焼結金属を含み、かつ、前記ワイヤボンディング部の少なくとも一部と前記第１端部とを覆う焼結金属接合材と、
を備えている、
半導体装置。 A bonding wire having a first end and
A wire bonding portion to which the first end portion is connected and
A sintered metal bonding material containing a porous sintered metal and covering at least a part of the wire bonding portion and the first end portion.
Is equipped with
Semiconductor device. 前記焼結金属接合材における前記焼結金属は、焼結銀である、
請求項１に記載の半導体装置。 The sintered metal in the sintered metal bonding material is sintered silver.
The semiconductor device according to claim 1. 前記焼結金属接合材は、熱可塑性樹脂を含んでいる、
請求項１または２に記載の半導体装置。 The sintered metal bonding material contains a thermoplastic resin.
The semiconductor device according to claim 1 or 2. 前記ボンディングワイヤは、Ｃｕからなる、
請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。 The bonding wire is made of Cu.
The semiconductor device according to any one of claims 1 to 3. 前記ボンディングワイヤは、表面がＰｄで覆われている、
請求項４に記載の半導体装置。 The surface of the bonding wire is covered with Pd.
The semiconductor device according to claim 4. 半導体素子と、
前記半導体素子が搭載される第１リードと、
をさらに備える、
請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。 With semiconductor elements
The first reed on which the semiconductor element is mounted and
Further prepare
The semiconductor device according to any one of claims 1 to 5. 前記ボンディングワイヤは、前記第１端部の反対側に位置する第２端部を有し、
前記第２端部は、前記半導体素子に接続されている、
請求項６に記載の半導体装置。 The bonding wire has a second end located on the opposite side of the first end.
The second end is connected to the semiconductor element.
The semiconductor device according to claim 6. 前記第１リードから離間して配置された第２リードをさらに備えており、
前記ワイヤボンディング部は、前記第２リードの一部により構成されている、
請求項７に記載の半導体装置。 Further, a second lead arranged apart from the first lead is provided.
The wire bonding portion is composed of a part of the second lead.
The semiconductor device according to claim 7. 前記ワイヤボンディング部は、前記第１リードの一部により構成されている、
請求項６に記載の半導体装置。 The wire bonding portion is composed of a part of the first lead.
The semiconductor device according to claim 6. 前記焼結金属接合材は、前記半導体素子と前記第１リードとの間にも介在する、
請求項９に記載の半導体装置。 The sintered metal bonding material is also interposed between the semiconductor element and the first lead.
The semiconductor device according to claim 9. 前記第１端部は、前記半導体素子の厚さ方向視において、前記半導体素子に重なっている、
請求項１０に記載の半導体装置。 The first end portion overlaps the semiconductor element in the thickness direction of the semiconductor element.
The semiconductor device according to claim 10. めっき層をさらに備え、
前記ワイヤボンディング部は、前記第１端部が接続されるワイヤボンディング部主面を備え、
前記めっき層は、前記ワイヤボンディング部主面に接して形成されており、かつ、前記焼結金属接合材に接している、
請求項１ないし１１のいずれかに記載の半導体装置。 With an additional plating layer,
The wire bonding portion includes a main surface of the wire bonding portion to which the first end portion is connected.
The plating layer is formed in contact with the main surface of the wire bonding portion and is in contact with the sintered metal bonding material.
The semiconductor device according to any one of claims 1 to 11. 前記ワイヤボンディング部は、前記ワイヤボンディング部主面とは反対側を向くワイヤボンディング部裏面を備え、
前記めっき層は、前記ワイヤボンディング部裏面にも形成されている、
請求項１２に記載の半導体装置。 The wire bonding portion includes a back surface of the wire bonding portion facing the side opposite to the main surface of the wire bonding portion.
The plating layer is also formed on the back surface of the wire bonding portion.
The semiconductor device according to claim 12. 前記めっき層は、Ａｇを含有する、
請求項１２または１３に記載の半導体装置。 The plating layer contains Ag.
The semiconductor device according to claim 12 or 13. 前記半導体素子は、厚さ方向において、前記第１リードに対向する面とは反対側を向く素子主面と、前記素子主面に配置された第１電極とを有し、
前記ワイヤボンディング部は、前記第１電極である、
請求項６に記載の半導体装置。 The semiconductor device has an element main surface facing the side opposite to the surface facing the first lead in the thickness direction, and a first electrode arranged on the element main surface.
The wire bonding portion is the first electrode.
The semiconductor device according to claim 6.
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