JP2021161274A - Adhesive tape - Google Patents

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Noriaki Abe
信之 佐藤
Nobuyuki Sato
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Arisawa Mfg Co Ltd
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Abstract

To provide an adhesive tape which is excellent in wire connection reliability after a wire bonding step.SOLUTION: An adhesive tape has an adhesive layer containing a phenoxy resin, an acid anhydride, and an epoxy resin.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、主に半導体装置の製造に用いられる粘着テープに関する。 The present invention relates mainly to adhesive tapes used in the manufacture of semiconductor devices.

ＬＳＩの実装技術において、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ／Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）技術が注目されており、中でも、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ ｐａｃｋａｇｅ）に代表されるリード端子がパッケージ内部に取り込まれた形態のパッケージについては、小型化と高集積の面で有利である。そのようなＱＦＮの製造方法としては、複数のＱＦＮ用半導体チップをリードフレームのパッケージパターン領域のダイパッド上に配列し、金型のキャビティ内で封止樹脂にて一括封止したのち、個別のＱＦＮ構造物に切り分けることにより、リードフレーム面積あたりの生産性を向上させる方法が採用されている。 In LSI mounting technology, CSP (Chip Size / Scale Package) technology is attracting attention. Among them, a package in which a lead terminal represented by QFN (Quad Flat Non-led package) is incorporated inside the package is attracting attention. It is advantageous in terms of miniaturization and high integration. As a method for manufacturing such a QFN, a plurality of semiconductor chips for QFN are arranged on a die pad in a package pattern area of a lead frame, and after being collectively sealed with a sealing resin in a cavity of a mold, individual QFNs are manufactured. A method of improving productivity per lead frame area by cutting into structures is adopted.

上記のような、複数の半導体チップを一括封止するＱＦＮの製造方法において、樹脂封止時のモールド金型によってクランプされる領域はパッケージパターン領域より外側に広がった樹脂封止領域の更に外側の領域だけである。従って、封止樹脂がリードフレーム裏面に漏れ出し、モールド樹脂によるバリに起因する接続不良や、ＱＦＮの端子等が樹脂で被覆されるという問題が生じ易い。このため、ＱＦＮの製造方法においては、リードフレームの裏面側に耐熱性の粘着テープを貼り付け、この粘着テープの自着力（マスキング）を利用したシール効果により、樹脂封止時のリードフレーム裏面側への樹脂漏れを防ぐことが効果的と考えられる。 In the method for manufacturing a QFN that collectively seals a plurality of semiconductor chips as described above, the region clamped by the mold mold at the time of resin sealing is further outside the resin sealing region extending outside the package pattern region. Only the area. Therefore, the sealing resin leaks to the back surface of the lead frame, which tends to cause problems such as poor connection due to burrs caused by the mold resin and coating of QFN terminals and the like with the resin. Therefore, in the QFN manufacturing method, a heat-resistant adhesive tape is attached to the back surface side of the lead frame, and the sealing effect utilizing the self-adhesive force (masking) of the adhesive tape makes it possible to seal the lead frame on the back surface side during resin encapsulation. It is considered effective to prevent resin leakage to.

このような製造方法においては、リードフレーム上に半導体チップを搭載した後、あるいはワイヤボンディングを実施した後から粘着テープの貼り合せを行う方法や、粘着テープを最初の段階でリードフレームの裏面（アウターパット面）に貼り合わせ、その後、半導体チップの搭載工程やワイヤボンディング工程を経て、封止樹脂による封止工程を行う方法が採用されている。例えば、特許文献１には、粘着剤層を有する耐熱性粘着テープを用いて、樹脂漏れを防止しつつワイヤボンディングなどの一連の工程を実施できる製造方法が提案されている。また、特許文献２には、基材と、フェノキシ樹脂を含む粘着剤組成物からなる粘着剤層と、を含む電子部品製造用粘着テープが開示されており、これにより粘着テープの粘着剤残渣や、樹脂封止工程における密封樹脂漏れが改善できることが報告されている。 In such a manufacturing method, the adhesive tape is bonded after mounting the semiconductor chip on the lead frame or after wire bonding, or the adhesive tape is applied to the back surface (outer) of the lead frame at the first stage. A method is adopted in which the semiconductor chip is bonded to the pad surface), and then the semiconductor chip is mounted and the wire bonding process is performed, and then the sealing process using the sealing resin is performed. For example, Patent Document 1 proposes a manufacturing method capable of carrying out a series of steps such as wire bonding while preventing resin leakage by using a heat-resistant adhesive tape having an adhesive layer. Further, Patent Document 2 discloses an adhesive tape for manufacturing electronic parts, which comprises a base material and an adhesive layer composed of an adhesive composition containing a phenoxy resin, whereby the adhesive residue of the adhesive tape and the adhesive residue of the adhesive tape are disclosed. , It has been reported that the sealing resin leakage in the resin sealing step can be improved.

特開２００２−１８４８０１号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-184801 特表２０１２−５０４６９８号公報Special Table 2012-504698

ＱＦＮの製造においては、リードフレーム上に半導体チップを搭載した後、リードフレームの端子部先端と半導体チップ上の電極パッドとをボンディングワイヤで電気的に接続するワイヤボンディング工程が行なわれる。この際、リードフレームの裏面に貼合された粘着テープが高弾性でないと、ボンディングワイヤとリードフレームとの間の接続不良が発生し、ワイヤ接続信頼性が低下するという問題がある。従来の粘着テープは、この点で十分なワイヤ接続信頼性を有するとはいえず、特に、リードフレームとしてＰＰＦ（Ｐｒｅ−Ｐｌａｔｅｄ Ｌｅａｄ−Ｆｒａｍｅ）を用い、ワイヤとして銅を用いる場合に、ワイヤ接続信頼性の低下が顕著となる。 In the production of QFN, after mounting the semiconductor chip on the lead frame, a wire bonding step of electrically connecting the tip of the terminal portion of the lead frame and the electrode pad on the semiconductor chip with a bonding wire is performed. At this time, if the adhesive tape attached to the back surface of the lead frame is not highly elastic, there is a problem that a poor connection between the bonding wire and the lead frame occurs and the wire connection reliability is lowered. Conventional adhesive tapes cannot be said to have sufficient wire connection reliability in this respect, and in particular, when PPF (Pre-Plated Lead-Flame) is used as the lead frame and copper is used as the wire, the wire connection reliability The decrease in sex becomes remarkable.

本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、ワイヤボンディング工程後のワイヤ接続信頼性に優れた粘着テープを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an adhesive tape having excellent wire connection reliability after a wire bonding step.

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、フェノキシ樹脂と、酸無水物と、エポキシ樹脂を含む粘着層を有する粘着テープが、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。 As a result of diligent studies to solve the above problems, the present inventors have found that an adhesive tape having an adhesive layer containing a phenoxy resin, an acid anhydride, and an epoxy resin can solve the above problems, and have found that the present invention can be solved. It came to be completed.

すなわち、本発明は以下のとおりである。
［１］
フェノキシ樹脂と、酸無水物と、エポキシ樹脂と、を含む粘着層を有する粘着テープ。
［２］
前記粘着層の１５０以上２００℃以下における貯蔵弾性率が５０ＭＰａ以下であり、２００℃超２５０℃以下における貯蔵弾性率が３ＭＰａ以上である、上記［１］記載の粘着テープ。
［３］
前記粘着層の１５０℃未満における貯蔵弾性率が３ＭＰａ〜１００００ＭＰａである、上記［１］又は［２］記載の粘着テープ。
［４］
前記フェノキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂、ビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂、ビスフェノールＡ／Ｆ混合型骨格を含有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を含有するフェノキシ樹脂、フルオレン骨格を含有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を含有するフェノキシ樹脂、アントラセン骨格を含有するフェノキシ樹脂、ピレン骨格を含有するフェノキシ樹脂、キサンテン骨格を含有するフェノキシ樹脂、アダマンタン骨格を含有するフェノキシ樹脂及びジシクロペンタジエン骨格を含有するフェノキシ樹脂からなる群から選択される１種以上を含む、上記［１］〜［３］のいずれか記載の粘着テープ。
［５］
前記粘着層を構成する樹脂組成物のガラス転移温度（Ｔｇ）が８０℃以上である、上記［１］〜［４］のいずれか記載の粘着テープ。
［６］
前記酸無水物は、単官能酸無水物及び多官能酸無水物からなる群から選択されるいずれか１種以上を含む、上記［１］〜［５］のいずれか記載の粘着テープ。
［７］
前記エポキシ樹脂は、１分子中にエポキシ基を２つ以上持つエポキシ樹脂である、上記［１］〜［６］のいずれか記載の粘着テープ。
［８］
前記粘着層が硬化触媒をさらに含有する、上記［１］〜［７］のいずれか記載の粘着テープ。
［９］
半導体装置の製造に用いられる、上記［１］〜［８］いずれか記載の粘着テープ。
［１０］
前記半導体装置はＱＦＮパッケージ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）である、上記［９］記載の粘着テープ。
［１１］
ワイヤボンディング工程の前にリードフレームに貼合される先貼り用テープである、上記［９］又は［１０］に記載の粘着テープ。 That is, the present invention is as follows.
[1]
An adhesive tape having an adhesive layer containing a phenoxy resin, an acid anhydride, and an epoxy resin.
[2]
The adhesive tape according to the above [1], wherein the adhesive layer has a storage elastic modulus of 150 or more and 200 ° C. or less at 50 MPa or less, and a storage elastic modulus of more than 200 ° C. and 250 ° C. or less at 3 MPa or more.
[3]
The adhesive tape according to the above [1] or [2], wherein the storage elastic modulus of the adhesive layer at less than 150 ° C. is 3 MPa to 10000 MPa.
[4]
The phenoxy resin includes a bisphenol A type phenoxy resin, a bisphenol F type phenoxy resin, a phenoxy resin containing a bisphenol A / F mixed skeleton, a bisphenol S type phenoxy resin, a phenoxy resin containing a naphthalene skeleton, and a phenoxy containing a fluorene skeleton. Resin, phenoxy resin containing biphenyl skeleton, phenoxy resin containing anthracene skeleton, phenoxy resin containing pyrene skeleton, phenoxy resin containing xanthene skeleton, phenoxy resin containing adamantan skeleton and phenoxy containing dicyclopentadiene skeleton. The adhesive tape according to any one of the above [1] to [3], which comprises one or more selected from the group consisting of resins.
[5]
The adhesive tape according to any one of [1] to [4] above, wherein the glass transition temperature (Tg) of the resin composition constituting the adhesive layer is 80 ° C. or higher.
[6]
The adhesive tape according to any one of [1] to [5] above, wherein the acid anhydride contains at least one selected from the group consisting of monofunctional acid anhydrides and polyfunctional acid anhydrides.
[7]
The adhesive tape according to any one of [1] to [6] above, wherein the epoxy resin is an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule.
[8]
The adhesive tape according to any one of [1] to [7] above, wherein the adhesive layer further contains a curing catalyst.
[9]
The adhesive tape according to any one of the above [1] to [8], which is used for manufacturing a semiconductor device.
[10]
The adhesive tape according to the above [9], wherein the semiconductor device is a QFN package (Quad Flat Non-led Package).
[11]
The adhesive tape according to the above [9] or [10], which is a pre-attaching tape to be attached to a lead frame before a wire bonding step.

本発明によれば、ワイヤボンディング工程後のワイヤ接続信頼性に優れた粘着テープを提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide an adhesive tape having excellent wire connection reliability after a wire bonding step.

本発明の粘着テープを用いた半導体装置の製造方法の一例を示す工程図である。It is a process drawing which shows an example of the manufacturing method of the semiconductor device using the adhesive tape of this invention.

本発明の粘着テープを用いた半導体装置の製造方法の一例を示す工程図である。It is a process drawing which shows an example of the manufacturing method of the semiconductor device using the adhesive tape of this invention.

以下、本発明を実施するための形態（以下、単に「本実施形態」という。）について詳細に説明する。以下の本実施形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明を以下の内容に限定する趣旨ではない。本発明は、その要旨の範囲内で適宜に変形して実施できる。なお、本明細書において、特に断りがない限り、「硬化」とは、全硬化だけでなく、半硬化も包含するものとする。また、本明細書において「粘着テープ」とは、常温（２０〜３０℃）では被着体と接着せず、高温域（１００℃以上）で被着体と良好に接着し得るテープをいう。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention (hereinafter, simply referred to as “the present embodiment”) will be described in detail. The following embodiments are examples for explaining the present invention, and are not intended to limit the present invention to the following contents. The present invention can be appropriately modified and implemented within the scope of the gist thereof. In addition, in this specification, unless otherwise specified, "curing" includes not only total curing but also semi-curing. Further, in the present specification, the “adhesive tape” refers to a tape that does not adhere to the adherend at room temperature (20 to 30 ° C.) but can adhere well to the adherend in a high temperature range (100 ° C. or higher).

本実施形態の粘着テープは、フェノキシ樹脂と、酸無水物と、エポキシ樹脂と、を含む粘着層を有する粘着テープである。 The adhesive tape of the present embodiment is an adhesive tape having an adhesive layer containing a phenoxy resin, an acid anhydride, and an epoxy resin.

［フェノキシ樹脂］
本実施形態の粘着テープの粘着層に含まれる樹脂としては、硬化物の耐熱性を高め、高温域におけるワイヤ接続信頼性を高める観点から、フェノキシ樹脂が用いられる。フェノキシ樹脂としては、特に限定されず、例えば、エピハロヒドリンと２価フェノール化合物とを反応させて得られる樹脂、又は２価のエポキシ化合物と２価のフェノール化合物とを反応させて得られる樹脂が挙げられる。上記樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂、ビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂、ビスフェノールＡ／Ｆ混合型骨格を含有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を含有するフェノキシ樹脂、フルオレン骨格を含有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を含有するフェノキシ樹脂、アントラセン骨格を含有するフェノキシ樹脂、ピレン骨格を含有するフェノキシ樹脂、キサンテン骨格を含有するフェノキシ樹脂、アダマンタン骨格を含有するフェノキシ樹脂及びジシクロペンタジエン骨格を含有するフェノキシ樹脂からなる群から選択される１種以上が挙げられる。中でも、糊残りの観点から、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡ／Ｆ混合型、ビスフェノールＳ型、ビフェニル型、ナフタレン型フェノキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡ／Ｆ混合型、ビスフェノールＳ型、ビフェニル型フェノキシ樹脂がより好ましい。 [Phenoxy resin]
As the resin contained in the adhesive layer of the adhesive tape of the present embodiment, a phenoxy resin is used from the viewpoint of enhancing the heat resistance of the cured product and enhancing the wire connection reliability in a high temperature range. The phenoxy resin is not particularly limited, and examples thereof include a resin obtained by reacting epihalohydrin with a divalent phenol compound, or a resin obtained by reacting a divalent epoxy compound with a divalent phenol compound. .. Examples of the resin include a bisphenol A type phenoxy resin, a bisphenol F type phenoxy resin, a phenoxy resin containing a bisphenol A / F mixed skeleton, a bisphenol S type phenoxy resin, a phenoxy resin containing a naphthalene skeleton, and a fluorene skeleton. Contains phenoxy resin, phenoxy resin containing biphenyl skeleton, phenoxy resin containing anthracene skeleton, phenoxy resin containing pyrene skeleton, phenoxy resin containing xanthene skeleton, phenoxy resin containing adamantan skeleton, and dicyclopentadiene skeleton. One or more selected from the group consisting of phenoxy resins to be used. Among them, bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol A / F mixed type, bisphenol S type, biphenyl type, and naphthalene type phenoxy resin are preferable, and bisphenol A type, bisphenol A / F mixed type, and bisphenol S are preferable from the viewpoint of adhesive residue. Mold and biphenyl type phenoxy resins are more preferable.

フェノキシ樹脂の重量平均分子量は特に限定されないが、１０００〜２０００００であることが好ましく、５０００〜１０００００であることがより好ましく、１００００〜５００００であることがさらに好ましい。フェノキシ樹脂の重量平均分子量が１０００〜２０００００であると、粘着層を安定的に形成できる傾向にある。 The weight average molecular weight of the phenoxy resin is not particularly limited, but is preferably 1000 to 20000, more preferably 5000 to 100,000, and even more preferably 1000 to 50000. When the weight average molecular weight of the phenoxy resin is 1000 to 200,000, the adhesive layer tends to be stably formed.

フェノキシ樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は特に限定されないが、８０℃以上であることが好ましく、１００℃以上であることがより好ましく、１２０℃以上であることがさらに好ましい。フェノキシ樹脂のＴｇが８０℃以上である場合、ワイヤ接続信頼性が向上する傾向にある。 The glass transition temperature (Tg) of the phenoxy resin is not particularly limited, but is preferably 80 ° C. or higher, more preferably 100 ° C. or higher, and even more preferably 120 ° C. or higher. When the Tg of the phenoxy resin is 80 ° C. or higher, the wire connection reliability tends to be improved.

粘着層に含まれるフェノキシ樹脂の含有量は特に限定されないが、粘着層１００質量部に対して、好ましくは３０〜８０質量部であり、より好ましくは４０〜７０質量部であり、更に好ましくは５０〜６０質量部である。フェノキシ樹脂の含有量が３０質量部以上であると、糊残りが良好となる傾向にあり、８０質量部以下であると、ワイヤ接続信頼性が良好となる傾向にある。 The content of the phenoxy resin contained in the adhesive layer is not particularly limited, but is preferably 30 to 80 parts by mass, more preferably 40 to 70 parts by mass, and further preferably 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive layer. ~ 60 parts by mass. When the content of the phenoxy resin is 30 parts by mass or more, the adhesive residue tends to be good, and when it is 80 parts by mass or less, the wire connection reliability tends to be good.

［酸無水物］
本実施形態の粘着テープの粘着層に含まれる酸無水物としては、特に限定されず、例えば、単官能酸無水物及び多官能酸無水物からなる群から選択される１種以上が挙げられる。 [Acid anhydride]
The acid anhydride contained in the adhesive layer of the adhesive tape of the present embodiment is not particularly limited, and examples thereof include one or more selected from the group consisting of monofunctional acid anhydride and polyfunctional acid anhydride.

単官能酸無水物としては、例えば、無水トリメリット酸、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸からなる群から選択されるいずれか１種以上を用いることができる。 Examples of the monofunctional acid anhydride include trimellitic anhydride, phthalic anhydride, maleic anhydride, pyromellitic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, methylnadic anhydride, nadicic anhydride, and glutaric anhydride. , Methylhexahydrophthalic anhydride, or methyltetrahydrophthalic anhydride, any one or more selected from the group.

多官能酸無水物としては、例えば、ピロメリット酸二無水物、ベンゼン―１，２，３，４―テトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２′，３，３′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３′，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ナフタレン―２，３，６，７−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン―１，２，５，６−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン―１，２，４，５−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン―１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン―１，２，６，７−テトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメチル―１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロナフタレン―１，２，５，６−テトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメチル―１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロナフタレン―２，３，６，７−テトラカルボン酸二無水物、２，２′，３，３′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３′，４′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロ−３−フラニル）−３メチル−３−シクロヘキセン−１，２−カルボン酸二無水物からなる群から選択されるいずれか１種以上を用いることができる。中でも、粘着層を安定的に形成できる観点から、無水トリメリット酸、無水フタル酸、無水マレイン酸が好ましく、無水トリメリット酸がより好ましい。 Examples of the polyfunctional acid anhydride include pyromellitic dianhydride, benzene-1,2,3,4-tetracarboxylic hydride, and 3,3', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic hydride. 2,2', 3,3'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,3,3', 4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic Acid dianhydride, naphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic acid dianhydride, naphthalene-1,2,4,5-tetracarboxylic acid dianhydride, naphthalene-1,4,5,8-tetra Carboxyl dianhydride, naphthalene-1,2,6,7-tetracarboxylic hydride, 4,8-dimethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydronaphthalene-1,2,5 , 6-Tetracarboxylic acid dianhydride, 4,8-dimethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydronaphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic acid dianhydride, 2,2 ′, 3,3 ′-diphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4 ′-diphenyltetracarboxylic dianhydride, 5- (2,5-dioxotetrahydro-3-franyl) -3 Any one or more selected from the group consisting of methyl-3-cyclohexene-1,2-carboxylic acid dianhydride can be used. Of these, trimellitic anhydride, phthalic anhydride, and maleic anhydride are preferable, and trimellitic anhydride is more preferable, from the viewpoint of stably forming an adhesive layer.

粘着層に含まれる酸無水物の含有量は特に限定されないが、粘着層１００質量部に対して、好ましくは１０〜２５質量部であり、より好ましくは１５〜２０質量部である。酸無水物の含有量が１０質量部以上であると、主剤であるフェノキシ樹脂の硬化が十分となる傾向にあり、２５質量部以下であると、糊残りが良好となる傾向にある。 The content of the acid anhydride contained in the adhesive layer is not particularly limited, but is preferably 10 to 25 parts by mass, and more preferably 15 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive layer. When the content of the acid anhydride is 10 parts by mass or more, the phenoxy resin which is the main agent tends to be sufficiently cured, and when it is 25 parts by mass or less, the adhesive residue tends to be good.

［エポキシ樹脂］
本実施形態の粘着テープの粘着層に含まれるエポキシ樹脂としては、エポキシ基を１分子中に２つ以上持つものであれば特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、アミン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂からなる群から選択されるいずれか１種以上を用いることができる。中でも、糊残りの観点から、ノボラック型エポキシ樹脂、アミン型エポキシ樹脂が好ましく、ノボラック型エポキシ樹脂がより好ましい。 [Epoxy resin]
The epoxy resin contained in the adhesive layer of the adhesive tape of the present embodiment is not particularly limited as long as it has two or more epoxy groups in one molecule, and for example, a bisphenol A type epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin. , Bisphenol S type epoxy resin, novolak type epoxy resin, amine type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, any one or more selected from the group can be used. Of these, a novolak type epoxy resin and an amine type epoxy resin are preferable, and a novolak type epoxy resin is more preferable, from the viewpoint of adhesive residue.

粘着層に含まれるエポキシ樹脂の含有量は特に限定されないが、粘着層１００質量部に対して、好ましくは１０〜４５質量部であり、より好ましくは１５〜４０質量部である。エポキシ樹脂の含有量が１０質量部以上であると、主剤であるフェノキシ樹脂の硬化が十分となる傾向にあり、４５質量部以下であると、糊残りが良好となる傾向にある。 The content of the epoxy resin contained in the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, but is preferably 10 to 45 parts by mass, and more preferably 15 to 40 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the pressure-sensitive adhesive layer. When the content of the epoxy resin is 10 parts by mass or more, the phenoxy resin which is the main agent tends to be sufficiently cured, and when it is 45 parts by mass or less, the adhesive residue tends to be good.

エポキシ樹脂としては、反応性の観点から、エポキシ当量が９０〜３００ｇ／ｅｑであることが好ましく、９０〜２００ｇ／ｅｑであることがより好ましい。 From the viewpoint of reactivity, the epoxy resin preferably has an epoxy equivalent of 90 to 300 g / eq, and more preferably 90 to 200 g / eq.

［硬化触媒］
本実施形態の粘着テープの粘着層は、硬化触媒をさらに含有していてもよい。硬化触媒としては、活性温度が１２０℃以下のものを用いることが好ましい。硬化触媒としては、例えば、ベンゾイルパーオキサイド、メチルエチルケトンパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、クメンヒドロパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド等の有機過酸化物；２−メチルイミダゾール、Ｎ−ベンジル−２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール等のイミダゾール系開始剤；２，２’−アゾビス−（２−メチルブチロニトリル）、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ系開始剤、三フッ化ホウ素モノエチルアミン等のルイス酸錯体、ポリアミン、メラミン樹脂等が挙げられる。上記の中でも、触媒残渣による汚染の観点から、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール等のイミダゾール系開始剤が好ましい。 [Curing catalyst]
The adhesive layer of the adhesive tape of the present embodiment may further contain a curing catalyst. As the curing catalyst, it is preferable to use a catalyst having an active temperature of 120 ° C. or lower. Examples of the curing catalyst include organic peroxides such as benzoyl peroxide, methylethylketone peroxide, t-butylperoxy-2-ethylhexanoate, cumenehydroperoxide, cyclohexanone peroxide, and dicumyl peroxide; 2- Imidazole-based initiators such as methylimidazole, N-benzyl-2-methylimidazole, 2-undecylimidazole; 2,2'-azobis- (2-methylbutyronitrile), 2,2'-azobisisobutyro Examples thereof include an azo-based initiator such as nitrile, a Lewis acid complex such as boron trifluoride monoethylamine, polyamine, and a melamine resin. Among the above, imidazole-based initiators such as 2-methylimidazole and 2-undecylimidazole are preferable from the viewpoint of contamination by the catalyst residue.

粘着層に含まれる硬化触媒の含有量は特に限定されないが、フェノキシ樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜３質量部であり、より好ましくは０．０５〜２質量部であり、更に好ましくは０．０５〜１質量部である。硬化触媒の含有量が０．０１質量部以上であると、十分に反応開始させることが可能となる傾向にあり、３質量部以下であると、被着体汚染（糊残り）のリスクが低くなる傾向にある。 The content of the curing catalyst contained in the adhesive layer is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 3 parts by mass, and more preferably 0.05 to 2 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the phenoxy resin. More preferably, it is 0.05 to 1 part by mass. When the content of the curing catalyst is 0.01 parts by mass or more, the reaction tends to be sufficiently started, and when it is 3 parts by mass or less, the risk of adherend contamination (glue residue) is low. It tends to be.

［その他成分］
本実施形態の粘着テープに含まれる粘着層は、上記以外にも他の添加剤等を更に含有してもよい。このような他の添加剤としては、離型剤、紫外線吸収剤、粘着付与剤、軟化剤、充填剤、老化防止剤、顔料、染料、シランカップリング剤等の各種添加剤が挙げられる。 [Other ingredients]
The adhesive layer contained in the adhesive tape of the present embodiment may further contain other additives and the like in addition to the above. Examples of such other additives include various additives such as mold release agents, ultraviolet absorbers, tackifiers, softeners, fillers, antioxidants, pigments, dyes, and silane coupling agents.

［粘着層］
本実施形態の粘着層の貯蔵弾性率は特に限定されないが、１５０以上２００℃以下における貯蔵弾性率が５０ＭＰａ以下であることが好ましく、３０ＭＰａ以下であることがより好ましく、２０ＭＰａ以下であることがさらに好ましい。１５０以上２００℃以下における貯蔵弾性率が５０ＭＰａ以下である場合、被着体であるリードフレームとの接着性が向上する傾向にある。また、２００℃超２５０℃以下における貯蔵弾性率が３ＭＰａ以上であることが好ましく、５ＭＰａ以上であることが好ましく、１０ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。２００℃超２５０℃以下における貯蔵弾性率が３ＭＰａ以上である場合、前記温度領域においても粘着テープの変形が抑えられ、ワイヤ接続信頼性が向上する傾向にある。
さらに、粘着層の貯蔵弾性率は、ハンドリング性の観点から、１５０℃未満における貯蔵弾性率が３〜１００００ＭＰａであることが好ましく、５〜１００００ＭＰａであることがより好ましく、１０〜１００００ＭＰａであることがさらに好ましい。 [Adhesive layer]
The storage elastic modulus of the adhesive layer of the present embodiment is not particularly limited, but the storage elastic modulus at 150 or more and 200 ° C. or less is preferably 50 MPa or less, more preferably 30 MPa or less, and further preferably 20 MPa or less. preferable. When the storage elastic modulus at 150 or more and 200 ° C. or less is 50 MPa or less, the adhesiveness with the lead frame as an adherend tends to be improved. Further, the storage elastic modulus at more than 200 ° C. and 250 ° C. or lower is preferably 3 MPa or more, preferably 5 MPa or more, and further preferably 10 MPa or more. When the storage elastic modulus at more than 200 ° C. and 250 ° C. or lower is 3 MPa or more, the deformation of the adhesive tape is suppressed even in the temperature range, and the wire connection reliability tends to be improved.
Further, the storage elastic modulus of the adhesive layer is preferably 3 to 10000 MPa, more preferably 5 to 10000 MPa, and 10 to 10000 MPa at a temperature lower than 150 ° C. from the viewpoint of handleability. More preferred.

粘着層の貯蔵弾性率を調整する方法としては、例えば、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、及び酸無水物の添加割合を調整すること等が挙げられる。 Examples of the method for adjusting the storage elastic modulus of the adhesive layer include adjusting the addition ratio of the phenoxy resin, the epoxy resin, and the acid anhydride.

本実施形態の粘着層を構成する樹脂組成物のＴｇは特に限定されないが、８０℃以上であることが好ましく、１００℃以上であることがより好ましく、１２０℃以上であることがさらに好ましい。樹脂層を構成する樹脂組成物のＴｇが８０℃以上である場合、ワイヤ接続信頼性が向上する傾向にある。 The Tg of the resin composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer of the present embodiment is not particularly limited, but is preferably 80 ° C. or higher, more preferably 100 ° C. or higher, and even more preferably 120 ° C. or higher. When the Tg of the resin composition constituting the resin layer is 80 ° C. or higher, the wire connection reliability tends to be improved.

［粘着テープ］
本実施形態の粘着テープは、上述した特定の成分を含む粘着層を有する粘着テープである。ここで、粘着テープは、粘着層と、基材層とから構成されていてもよい。
例えば、本実施形態の粘着層を構成する樹脂組成物を、基材（ベースフィルム等と呼ばれる場合もある。）等上に塗布して、粘着層を形成させること等によって、粘着テープとすることができる。 [Adhesive tape]
The adhesive tape of the present embodiment is an adhesive tape having an adhesive layer containing the above-mentioned specific component. Here, the adhesive tape may be composed of an adhesive layer and a base material layer.
For example, the resin composition constituting the adhesive layer of the present embodiment is applied onto a base material (sometimes called a base film or the like) or the like to form an adhesive layer, thereby forming an adhesive tape. Can be done.

本実施形態の粘着テープの粘着層の厚みは、好ましくは３〜４０μｍであり、より好ましくは３〜２０μｍである。粘着層の厚みが３μｍ以上であると、封止工程において十分なシール性が得られる傾向にある。一方、厚みが４０μｍ以下であると、金型の締め付け圧力によっても粘着層が破壊されず、粘着テープを安定的に製造することができる傾向にある。
一方、基材層の厚みは、特に限定されないが、折れや裂けを防止する観点から、５μｍ以上であることが好ましく、ハンドリング性の観点から、１０〜１００μｍであることがより好ましい。 The thickness of the adhesive layer of the adhesive tape of the present embodiment is preferably 3 to 40 μm, more preferably 3 to 20 μm. When the thickness of the adhesive layer is 3 μm or more, sufficient sealing properties tend to be obtained in the sealing step. On the other hand, when the thickness is 40 μm or less, the adhesive layer is not destroyed by the tightening pressure of the mold, and the adhesive tape tends to be stably produced.
On the other hand, the thickness of the base material layer is not particularly limited, but is preferably 5 μm or more from the viewpoint of preventing breakage and tearing, and more preferably 10 to 100 μm from the viewpoint of handleability.

基材層を構成する材料としては、特に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）系基材、ポリイミド（ＰＩ）系基材、ポリアミド（ＰＡ）系基材、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）系基材、ポリフェニレンエーテルサルファイド（ＰＰＳ）系基材等が挙げられる。これらの中でも、耐熱性等の観点から、ポリイミド系基材が好ましい。また、基材には、コロナ処理やプラズマ処理等といった表面改質処理を施すこともできる。これにより、基材の経時的な物性変化の防止や各種表面改質等が可能となる。 The material constituting the base material layer is not particularly limited, and is, for example, a polyethylene terephthalate (PET) -based base material, a polyimide (PI) -based base material, a polyamide (PA) -based base material, or a polyethylene naphthalate (PEN) -based base material. Examples thereof include materials, polyphenylene ether sulfide (PPS) -based base materials, and the like. Among these, a polyimide-based base material is preferable from the viewpoint of heat resistance and the like. Further, the base material can be subjected to surface modification treatment such as corona treatment and plasma treatment. This makes it possible to prevent changes in the physical properties of the base material over time and to modify various surfaces.

本実施形態の粘着テープは、使用前には離型フィルム（セパレートフィルム）等によって粘着層を保護していてもよい。このような離型フィルムを貼り合わせておくことで、粘着層の粘着力等を維持できる。離型フィルムとしては、特に限定されず、公知のものを適宜に使用することもできる。離型フィルムとしては、例えば、シリコーン系離型処理やフッ素系離型処理を施したポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、離型紙等が挙げられる。 The adhesive tape of the present embodiment may protect the adhesive layer with a release film (separate film) or the like before use. By laminating such a release film, the adhesive strength of the adhesive layer can be maintained. The release film is not particularly limited, and a known release film can be appropriately used. Examples of the release film include a polyethylene terephthalate film, a polypropylene film, a polyethylene film, and a release paper that have been subjected to a silicone-based release treatment or a fluorine-based mold release treatment.

本実施形態の粘着テープの製造方法としては、例えば、粘着層を構成する樹脂組成物を有機溶媒に溶解させた溶液を用意し、当該溶液を基材の上に塗布し、乾燥させること等によって粘着層を基材上に形成させる方法等が挙げられる。 As a method for producing the adhesive tape of the present embodiment, for example, a solution in which the resin composition constituting the adhesive layer is dissolved in an organic solvent is prepared, the solution is applied onto a base material, and the solution is dried. Examples thereof include a method of forming an adhesive layer on a substrate.

有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール等のアルコール類；エチレングリコール、プロピレングリコール等のグリコール類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールモノアルキルエーテル類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル等のグリコールジアルキルエーテル；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸メチル等のアルキルエステル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素類；ヘキサン、シクロヘキサン、オクタン等の脂肪族炭化水素類；ジメチルホフルアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類；テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類等が挙げられる。 Examples of the organic solvent include alcohols such as methanol and ethanol; glycols such as ethylene glycol and propylene glycol; glycol monoalkyl ethers such as ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether; ethylene glycol dimethyl ether and ethylene glycol diethyl. Glycoldialkyl ethers such as ethers; alkyl esters such as methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, methyl acetoacetate, methyl acetoacetate; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone; benzene, toluene, xylene, ethylbenzene Aromatic hydrocarbons such as; aliphatic hydrocarbons such as hexane, cyclohexane and octane; amides such as dimethylhofluamide, dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone; cyclic ethers such as tetrahydrofuran and dioxane. ..

塗布方法については、特に限定されず、公知の手法を採用することもできる。例えば、ダイコーダ、コンマコータ、グラビアコータ等を用いることができる。 The coating method is not particularly limited, and a known method can be adopted. For example, a die coder, a comma coater, a gravure coater, or the like can be used.

［半導体装置の製造方法］
本実施形態の粘着テープは、電子部品又は半導体部品を樹脂封止する際に端子部をマスキングするために貼着して使用されるものである。
図１は、本実施形態の粘着テープを用いた半導体装置の製造方法の一例の工程図である。本実施形態の半導体装置の製造方法は、図１に示すように、半導体チップ３の搭載工程と、封止樹脂５による封止工程とを少なくとも含む。本実施形態の半導体装置の製造方法は、封止された構造物を切断するダイシング工程をさらに含んでいてもよい。 [Manufacturing method of semiconductor devices]
The adhesive tape of the present embodiment is used by being attached to mask the terminal portion when sealing the electronic component or the semiconductor component with a resin.
FIG. 1 is a process diagram of an example of a method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive tape of the present embodiment. As shown in FIG. 1, the method for manufacturing a semiconductor device of the present embodiment includes at least a mounting step of the semiconductor chip 3 and a sealing step of the sealing resin 5. The method for manufacturing a semiconductor device of the present embodiment may further include a dicing step of cutting the sealed structure.

搭載工程は、図１（ａ）〜（ｄ）に示すように、リードフレーム裏面側（図の下側）に粘着テープ１を貼り合わせた金属製のリードフレーム２のダイパッド上に半導体チップ３をボンディングする工程である。 In the mounting process, as shown in FIGS. 1 (a) to 1 (d), the semiconductor chip 3 is mounted on the die pad of the metal lead frame 2 to which the adhesive tape 1 is attached to the back surface side (lower side of the figure) of the lead frame. This is the bonding process.

リードフレーム２とは、例えば銅などの金属を素材としてＱＦＮの端子パターンが刻まれたものであり、その電気接点部分には、銀、ニッケル、パラジウム、金などのなどの素材で被覆（めっき）されている場合もある。リードフレームとしてＰＰＦ（Ｐｒｅ−Ｐｌａｔｅｄ Ｌｅａｄ−Ｆｒａｍｅ）を用いた場合は、本発明の効果がより顕著となる傾向にある。リードフレーム２の厚みは、１００〜３００μｍが一般的である。なお、部分的にエッチングなどで薄く加工されている部分は、この限りではない。リードフレーム２は、後の切断工程にて切り分けやすいよう、個々のＱＦＮの配置パターンが整然と並べられているものが好ましい。 The lead frame 2 is a metal material such as copper engraved with a QFN terminal pattern, and its electrical contact portion is coated (plated) with a material such as silver, nickel, palladium, or gold. It may have been done. When PPF (Pre-Plated Lead-Flame) is used as the lead frame, the effect of the present invention tends to be more remarkable. The thickness of the lead frame 2 is generally 100 to 300 μm. It should be noted that this does not apply to the portion that is partially thinly processed by etching or the like. The lead frame 2 preferably has individual QFN arrangement patterns arranged in an orderly manner so that it can be easily separated in a later cutting step.

粘着テープ１は、少なくともパッケージパターン領域より外側に貼着され、樹脂封止される樹脂封止領域の外側の全周を含む領域に貼着するのが好ましい。リードフレーム２は、通常、樹脂封止時の位置決めを行うための、ガイドピン用孔を端辺近傍に有しており、それを塞がない領域に貼着するのが好ましい。また、樹脂封止領域はリードフレーム２の長手方向に複数配置されるため、それらの複数領域を渡るように連続して粘着テープ１を貼着するのが好ましい。 The adhesive tape 1 is preferably attached to at least the outer side of the package pattern region, and is preferably attached to the region including the entire outer circumference of the resin-sealed resin-sealed region. The lead frame 2 usually has a guide pin hole in the vicinity of the end side for positioning at the time of resin sealing, and it is preferable to attach the lead frame 2 to an unobstructed region. Further, since a plurality of resin sealing regions are arranged in the longitudinal direction of the lead frame 2, it is preferable to continuously attach the adhesive tape 1 so as to cross the plurality of regions.

上記のようなリードフレーム２上に、半導体チップ３、すなわち半導体集積回路部分であるシリコンウエハ・チップが搭載される。リードフレーム２上にはこの半導体チップ３を固定するためダイパッドと呼ばれる固定エリアが設けられており、このダイパッドヘのボンディング（固定）の方法は導電性ペーストを使用したり、接着テープ、接着剤など各種の方法が用いられる。導電性ペーストや熱硬化性の接着剤等を用いてダイボンドする場合、一般的に１５０〜２００℃程度の温度で３０分〜９０分程度加熱キュアする。半導体チップが搭載されたリードフレームには、ダイアタッチ材等の汚れを取り除き、ワイヤ接続性やモールド／フレーム間の接着性を向上させるために、図１（ｃ）に示すようなプラズマ処理を施してもよい。 A semiconductor chip 3, that is, a silicon wafer chip which is a semiconductor integrated circuit portion, is mounted on the lead frame 2 as described above. A fixing area called a die pad is provided on the lead frame 2 to fix the semiconductor chip 3, and various methods of bonding (fixing) to the die pad include using a conductive paste, adhesive tape, and adhesive. Method is used. When die-bonding with a conductive paste or a thermosetting adhesive, the heat is generally cured at a temperature of about 150 to 200 ° C. for about 30 to 90 minutes. The lead frame on which the semiconductor chip is mounted is subjected to plasma treatment as shown in FIG. 1 (c) in order to remove stains on the die attach material and improve the wire connectivity and the adhesiveness between the mold / frame. You may.

一般的には、これに続いて、前記リードフレームの端子部先端と前記半導体チップ上の電極パッドとをボンディングワイヤで電気的に接続するワイヤボンディング工程が行なわれる。ワイヤボンディング工程は、図１（ｄ）に示すように、リードフレーム２の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ３上の電極パッドとをボンディングワイヤ４で電気的に接続する工程である。ボンディングワイヤ４としては、例えば金線あるいはアルミ線などが用いられるが、中でも銅線を用いた場合は、本発明の効果がより顕著となる傾向にある。一般的には１５０〜２５０℃に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着エネルギーの併用により結線される。その際、リードフレーム２に貼着した粘着テープ１面を真空吸引することで、ヒートブロックに確実に固定することができる。なお、上記では半導体チップをフェイスアップ実装して結線工程を行なう場合を示したが、半導体チップをフェイスダウン実装した場合には、リフロー工程が適宜に施される。 Generally, this is followed by a wire bonding step of electrically connecting the tip of the terminal portion of the lead frame and the electrode pad on the semiconductor chip with a bonding wire. As shown in FIG. 1D, the wire bonding step is a step of electrically connecting the tip of the terminal portion (inner lead) of the lead frame 2 and the electrode pad on the semiconductor chip 3 with the bonding wire 4. As the bonding wire 4, for example, a gold wire or an aluminum wire is used, but when a copper wire is used, the effect of the present invention tends to be more remarkable. Generally, the wires are connected by a combination of vibration energy by ultrasonic waves and crimping energy by applied pressurization in a state of being heated to 150 to 250 ° C. At that time, by vacuum-sucking one surface of the adhesive tape attached to the lead frame 2, it can be securely fixed to the heat block. In the above, the case where the semiconductor chip is face-up mounted and the connection step is performed is shown, but when the semiconductor chip is face-down mounted, the reflow step is appropriately performed.

封止工程は、図１（ｅ）に示すように、封止樹脂５により半導体チップ側を片面封止する工程である。封止工程は、リードフレーム２に搭載された半導体チップ３やボンディングワイヤ４を保護するために行われ、とくにエポキシ系の樹脂をはじめとした封止樹脂を用いて金型中で成型されるのが代表的である。その際、複数のキャビティを有する上金型と下金型からなる金型を用いて、複数の封止樹脂５にて同時に封止工程が行われるのが一般的である。具体的には、例えば樹脂封止時の加熱温度は１７０〜１８０℃であり、この温度で数分間キュアされた後、更に、ポストモールドキュアが数時間行われる。封止工程に次いで、図１（ｆ）に示すように、リードフレーム２に貼り合わされた粘着テープを剥離する。なお、粘着テープ１はポストモールドキュアの前に剥離するのが好ましい。 As shown in FIG. 1 (e), the sealing step is a step of sealing the semiconductor chip side on one side with the sealing resin 5. The sealing step is performed to protect the semiconductor chip 3 and the bonding wire 4 mounted on the lead frame 2, and is particularly molded in a mold using a sealing resin such as an epoxy resin. Is typical. At that time, it is common that the sealing process is performed simultaneously with the plurality of sealing resins 5 by using a mold composed of an upper mold and a lower mold having a plurality of cavities. Specifically, for example, the heating temperature at the time of resin sealing is 170 to 180 ° C., and after being cured at this temperature for several minutes, post-mold curing is further performed for several hours. Following the sealing step, as shown in FIG. 1 (f), the adhesive tape attached to the lead frame 2 is peeled off. The adhesive tape 1 is preferably peeled off before the post-mold cure.

ダイシング工程は、図１（ｇ）に示すように、封止された構造物を個別の半導体装置１０に切断する工程である。一般的にはダイサーなどの回転切断刃を用いて封止樹脂５の切断部をカットするダイシング工程が挙げられる。 The dicing step is a step of cutting the sealed structure into individual semiconductor devices 10 as shown in FIG. 1 (g). Generally, a dicing step of cutting the cut portion of the sealing resin 5 using a rotary cutting blade such as a dicer can be mentioned.

なお、本実施形態の粘着テープは、上記のとおり、半導体チップの搭載工程の前にリードフレームと貼合されてもよいし、半導体チップの搭載工程後（ワイヤボンディング後）、封止工程前にリードフレームと貼合されてもよいが、本発明の効果がより顕著となる観点から、半導体チップの搭載工程の前、特にワイヤボンディング工程の前にリードフレームと貼合される先貼り用テープであることが好ましい。 As described above, the adhesive tape of the present embodiment may be bonded to the lead frame before the semiconductor chip mounting process, or after the semiconductor chip mounting process (after wire bonding) and before the sealing process. It may be bonded to the lead frame, but from the viewpoint that the effect of the present invention becomes more remarkable, it is used as a pre-bonding tape to be bonded to the lead frame before the semiconductor chip mounting process, particularly before the wire bonding process. It is preferable to have.

以下の実施例及び比較例により本発明を更に詳しく説明するが、本発明は以下の実施例により何ら限定されるものではない。
各評価方法及び測定方法は以下のとおりである。 The present invention will be described in more detail with reference to the following examples and comparative examples, but the present invention is not limited to the following examples.
Each evaluation method and measurement method are as follows.

＜重量平均分子量＞
平均分子量が約５００〜約１００万の標準ポリスチレンを用いて、ゲル浸透クロマトグラフィー（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍｏａｔｏｇｒａｐｈｙ：ＧＰＣ）により測定した。 <Weight average molecular weight>
It was measured by gel permeation chromatography (GPC) using standard polystyrene having an average molecular weight of about 5 to about 1 million.

＜ガラス転移温度（Ｔｇ）＞
示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定した。 <Glass transition temperature (Tg)>
It was measured by a differential scanning calorimeter (DSC).

＜貯蔵弾性率＞
粘着テープの粘着層部分と同じ組成の厚さ１００μｍのシート状サンプルを作製し、動的粘弾性測定装置（ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ製 ＲＳＡ−Ｇ２）を用いて貯蔵弾性率Ｅ'を測定した。測定条件は、昇温速度１０．０℃／ｍｉｎにて温度範囲−５０〜３００℃で実施し、周波数１Ｈｚとした。２５℃、１００℃、１４０℃、１７５℃、及び２２５℃における貯蔵弾性率Ｅ'を表１及び表２に示す。なお、表中「測定不可」とあるのは、粘着層部分が伸びきってしまい測定できなかったことを意味する。 <Storage modulus>
A sheet-like sample having the same composition as the adhesive layer portion of the adhesive tape and having a thickness of 100 μm was prepared, and the storage elastic modulus E'was measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (RSA-G2 manufactured by TA Instruments). The measurement conditions were carried out at a heating rate of 10.0 ° C./min in a temperature range of −50 to 300 ° C., and a frequency of 1 Hz. Tables 1 and 2 show the storage elastic moduli E'at 25 ° C, 100 ° C, 140 ° C, 175 ° C, and 225 ° C. In the table, "not measurable" means that the adhesive layer portion was completely stretched and could not be measured.

＜ワイヤ接続信頼性＞
リードフレームに粘着テープを２４０℃×１０ｓｅｃ×１０ＭＰａの条件で貼合した後、半導体チップを、ダイアタッチ材を用いてリードフレームのダイパッド部に実装し、１６０℃で３０ｍｉｎ加熱してダイアタッチ材を硬化させた。その後、実装した半導体チップの電極部とリードフレームの電極部にφ２５μｍの銅線（田中貴金属工業社製）を用いてワイヤボンディングを行った。この時、ワイヤボンダ（Ｋ＆Ｓ社製）を使用し、ステージ温度２００℃、電流値２００ｍＡ、時間３０ｍｓ、荷重１００ｇの条件にて、ワイヤボンディングを行った。
ワイヤボンディング後、ワイヤが正確に打ち込まれているかどうかを目視で確認した。また、ワイヤプルテストにてワイヤ接続強度を測定した。ワイヤが正確に打ち込まれており、且つワイヤプル強度が５ｇｆ以上の場合は「○」と評価した。一方、ワイヤが正確に打ち込まれているが、ワイヤプル強度が５ｇｆ未満の場合、又は、ワイヤが正確に打ち込まれていない場合は、「×」と評価した。 <Wire connection reliability>
After attaching the adhesive tape to the lead frame under the conditions of 240 ° C. × 10 sec × 10 MPa, the semiconductor chip is mounted on the die pad portion of the lead frame using the die attach material, and heated at 160 ° C. for 30 minutes to form the die attach material. It was cured. Then, wire bonding was performed on the electrode portion of the mounted semiconductor chip and the electrode portion of the lead frame using a copper wire having a diameter of 25 μm (manufactured by Tanaka Kikinzoku Kogyo Co., Ltd.). At this time, wire bonding was performed using a wire bonder (manufactured by K & S) under the conditions of a stage temperature of 200 ° C., a current value of 200 mA, a time of 30 ms, and a load of 100 g.
After wire bonding, it was visually confirmed whether the wire was driven correctly. In addition, the wire connection strength was measured by a wire pull test. When the wire was driven accurately and the wire pull strength was 5 gf or more, it was evaluated as "◯". On the other hand, when the wire was driven accurately but the wire pull strength was less than 5 gf, or when the wire was not driven accurately, it was evaluated as "x".

＜糊残り＞
上述のワイヤボンディング工程を経た後、封止を実施した。封止材は日立化成工業製ＣＥＬ−９２００ＨＦ９を使用し、トランスファーモールド装置で温度１７５℃、圧力３ＭＰａ、時間９０ｓｅｃの条件で封止した。その後、温度１７５℃、時間６ｈにて封止材を硬化させた。その後、テープを剥離し、モールド面及びリードフレーム面に糊残りが無いかを顕微鏡を用いて観察した。糊残りがなかった場合は「○」、糊残りがあった場合を「×」と評価した。 <Remaining glue>
After going through the wire bonding step described above, sealing was performed. CEL-9200HF9 manufactured by Hitachi Kasei Kogyo Co., Ltd. was used as the sealing material, and the sealing material was sealed with a transfer molding device under the conditions of a temperature of 175 ° C., a pressure of 3 MPa, and a time of 90 sec. Then, the sealing material was cured at a temperature of 175 ° C. and a time of 6 hours. Then, the tape was peeled off, and it was observed with a microscope whether there was any adhesive residue on the mold surface and the lead frame surface. When there was no adhesive residue, it was evaluated as "○", and when there was adhesive residue, it was evaluated as "x".

実施例及び比較例における樹脂組成物に含まれる各成分としては、具体的には以下のものを用いた。
［フェノキシ樹脂］
フェノキシ樹脂Ａ：ビスフェノールＡ／Ｆ混合型フェノキシ樹脂（三菱ケミカル社製、１２５６Ｂ４０）
フェノキシ樹脂Ｂ：ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂（三菱ケミカル社製、ＹＸ８１００ＢＨ３０）
［酸無水物］
無水トリメリット酸（三菱ガス化学社製）
無水フタル酸（ＪＦＥケミカル社製）
多官能酸無水物：５−（２，５−ジオキソテトラヒドロ−３−フラニル）−３メチル−３−シクロヘキセン−１，２−カルボン酸二無水物（ＤＩＣ社製、Ｂ−４４００）
［エポキシ樹脂］
エポキシ樹脂Ｃ：フェノールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量：２１０ｇ／ｅｑ）
エポキシ樹脂Ｄ：グリシジルアミン型４官能エポキシ樹脂（エポキシ当量：１００ｇ／ｅｑ）
［イミダゾール］
２−ウンデシルイミダゾール（四国化成工業社製、キュアゾールＣ１１Ｚ）
［アクリル樹脂］
アクリル樹脂Ｅ：アクリル酸ブチル−アクリル酸ランダム共重合体（大成ファインケミカル社製、１ＨＹ−３００６Ｙ、Ｔｇ：−５３℃）
［イソシアネート］
イソシアネートＦ：ヘキサメチレンジイソシアネート（旭化成社製、デュラネートＤ２０１） Specifically, the following components were used as the components contained in the resin compositions of Examples and Comparative Examples.
[Phenoxy resin]
Phenoxy resin A: Bisphenol A / F mixed phenoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, 1256B40)
Phenoxy resin B: Bisphenol S type phenoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, YX8100BH30)
[Acid anhydride]
Trimellitic anhydride (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company)
Phthalic anhydride (manufactured by JFE Chemical Co., Ltd.)
Polyfunctional acid anhydride: 5- (2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl) -3methyl-3-cyclohexene-1,2-carboxylic acid dianhydride (DIC, B-4400)
[Epoxy resin]
Epoxy resin C: Phenol novolac type epoxy resin (epoxy equivalent: 210 g / eq)
Epoxy resin D: Glycidylamine type tetrafunctional epoxy resin (epoxy equivalent: 100 g / eq)
[Imidazole]
2-Undecylimidazole (Curesol C11Z, manufactured by Shikoku Chemicals Corporation)
[acrylic resin]
Acrylic resin E: Butyl acrylate-random acrylic copolymer (manufactured by Taisei Fine Chemical Co., Ltd., 1HY-3006Y, Tg: -53 ° C.)
[Isocyanate]
Isocyanate F: Hexamethylene diisocyanate (Duranate D201, manufactured by Asahi Kasei Corporation)

［実施例１］
フェノキシ樹脂Ａ１００質量部に対し、無水トリメリット酸（三菱ガス化学社製）７５質量部、フェノールノボラック型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製、ｊＥＲ１５２、エポキシ当量２１０ｇ／ｅｑ）６０質量部、２−ウンデシルイミダゾール（四国化成工業社製、キュアゾールＣ１１Ｚ）０．２質量部を加え、室温で撹拌することで、樹脂組成物を得た。
得られた樹脂組成物を、厚さ２５μｍのポリイミドフィルムフィルムに乾燥後の厚さが６μｍになるようにダイコーダーを用いて塗布した後、１５０℃で５分乾燥することで粘着テープを得た。
次に、粘着テープの粘着層に、離型処理を施したセパレートフィルムの離型面をラミネートにより貼り合わせ、１００℃で１００時間加熱することで、離型フィルム付き粘着テープを得た。
得られた粘着テープを用いて各物性の評価を行った。評価結果を表１に示す（表中の含有量の単位は特に明記がない限りは「質量部」を示す。）。 [Example 1]
75 parts by mass of trimellitic anhydride (manufactured by Mitsubishi Gas Chemicals), 60 parts by mass of phenol novolac type epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemicals, jER152, epoxy equivalent 210 g / eq), 2-undecyl, relative to 100 parts by mass of phenoxy resin A A resin composition was obtained by adding 0.2 parts by mass of imidazole (Curesol C11Z manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) and stirring at room temperature.
The obtained resin composition was applied to a polyimide film film having a thickness of 25 μm using a die coder so that the thickness after drying was 6 μm, and then dried at 150 ° C. for 5 minutes to obtain an adhesive tape. ..
Next, the release surface of the separate film subjected to the release treatment was laminated to the adhesive layer of the adhesive tape and heated at 100 ° C. for 100 hours to obtain an adhesive tape with a release film.
Each physical property was evaluated using the obtained adhesive tape. The evaluation results are shown in Table 1 (the unit of content in the table indicates "parts by mass" unless otherwise specified).

［実施例２］〜［実施例８］
粘着層を形成する組成物中に含まれる各成分の種類及び含有量を表１に示された種類及び含有量に代えたこと以外は実施例１と同様の方法により粘着テープを製造し、各物性の評価を行った。 [Example 2] to [Example 8]
Adhesive tapes were produced by the same method as in Example 1 except that the types and contents of each component contained in the composition forming the adhesive layer were replaced with the types and contents shown in Table 1. The physical properties were evaluated.

［比較例１］〜［比較例６］
粘着層を形成する組成物中に含まれる各成分の種類及び含有量を表２に示された種類及び含有量に代えたこと以外は実施例１と同様の方法により粘着テープを製造し、各物性の評価を行った。 [Comparative Example 1] to [Comparative Example 6]
Adhesive tapes were produced by the same method as in Example 1 except that the types and contents of each component contained in the composition forming the adhesive layer were replaced with the types and contents shown in Table 2. The physical properties were evaluated.

Figure 2021161274
Figure 2021161274

Figure 2021161274
Figure 2021161274

表１及び２に示されているように、実施例１〜８の粘着テープは、ワイヤボンディング工程後のワイヤ接続信頼性に優れていた。また、テープ剥離工程における糊残りの抑制を同時に達成できるものであった。 As shown in Tables 1 and 2, the adhesive tapes of Examples 1 to 8 were excellent in wire connection reliability after the wire bonding step. In addition, it was possible to simultaneously achieve suppression of adhesive residue in the tape peeling step.

本発明の粘着テープは、半導体装置の製造において用いられる粘着テープとしての産業上利用可能性を有する。 The adhesive tape of the present invention has industrial applicability as an adhesive tape used in the manufacture of semiconductor devices.

Claims (11)

フェノキシ樹脂と、酸無水物と、エポキシ樹脂と、を含む粘着層を有する粘着テープ。 An adhesive tape having an adhesive layer containing a phenoxy resin, an acid anhydride, and an epoxy resin. 前記粘着層の１５０以上２００℃以下における貯蔵弾性率が５０ＭＰａ以下であり、２００℃超２５０℃以下における貯蔵弾性率が３ＭＰａ以上である、請求項１記載の粘着テープ。 The adhesive tape according to claim 1, wherein the adhesive layer has a storage elastic modulus of 150 or more and 200 ° C. or less at 50 MPa or less, and a storage elastic modulus of more than 200 ° C. and 250 ° C. or less at 3 MPa or more. 前記粘着層の１５０℃未満における貯蔵弾性率が３ＭＰａ〜１００００ＭＰａである、請求項１又は２記載の粘着テープ。 The adhesive tape according to claim 1 or 2, wherein the adhesive layer has a storage elastic modulus of 3 MPa to 10000 MPa at a temperature lower than 150 ° C. 前記フェノキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂、ビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂、ビスフェノールＡ／Ｆ混合型骨格を含有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を含有するフェノキシ樹脂、フルオレン骨格を含有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を含有するフェノキシ樹脂、アントラセン骨格を含有するフェノキシ樹脂、ピレン骨格を含有するフェノキシ樹脂、キサンテン骨格を含有するフェノキシ樹脂、アダマンタン骨格を含有するフェノキシ樹脂及びジシクロペンタジエン骨格を含有するフェノキシ樹脂からなる群から選択される１種以上を含む、請求項１〜３のいずれか１項記載の粘着テープ。 The phenoxy resin includes a bisphenol A type phenoxy resin, a bisphenol F type phenoxy resin, a phenoxy resin containing a bisphenol A / F mixed skeleton, a bisphenol S type phenoxy resin, a phenoxy resin containing a naphthalene skeleton, and a phenoxy containing a fluorene skeleton. Resin, phenoxy resin containing biphenyl skeleton, phenoxy resin containing anthracene skeleton, phenoxy resin containing pyrene skeleton, phenoxy resin containing xanthene skeleton, phenoxy resin containing adamantan skeleton and phenoxy containing dicyclopentadiene skeleton. The adhesive tape according to any one of claims 1 to 3, which contains at least one selected from the group consisting of resins. 前記粘着層を構成する樹脂組成物のガラス転移温度（Ｔｇ）が８０℃以上である、請求項１〜４のいずれか１項記載の粘着テープ。 The adhesive tape according to any one of claims 1 to 4, wherein the glass transition temperature (Tg) of the resin composition constituting the adhesive layer is 80 ° C. or higher. 前記酸無水物は、単官能酸無水物及び多官能酸無水物からなる群から選択されるいずれか１種以上を含む、請求項１〜５のいずれか１項記載の粘着テープ。 The adhesive tape according to any one of claims 1 to 5, wherein the acid anhydride contains at least one selected from the group consisting of monofunctional acid anhydrides and polyfunctional acid anhydrides. 前記エポキシ樹脂は、１分子中にエポキシ基を２つ以上持つエポキシ樹脂である請求項１〜６のいずれか１項記載の粘着テープ。 The adhesive tape according to any one of claims 1 to 6, wherein the epoxy resin is an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. 前記粘着層が硬化触媒をさらに含有する、請求項１〜７のいずれか１項記載の粘着テープ。 The adhesive tape according to any one of claims 1 to 7, wherein the adhesive layer further contains a curing catalyst. 半導体装置の製造に用いられる、請求項１〜８いずれか１項記載の粘着テープ。 The adhesive tape according to any one of claims 1 to 8, which is used for manufacturing a semiconductor device. 前記半導体装置はＱＦＮパッケージ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）である、請求項９記載の粘着テープ。 The adhesive tape according to claim 9, wherein the semiconductor device is a QFN package (Quad Flat Non-led Package). ワイヤボンディング工程の前にリードフレームに貼合される先貼り用テープである、請求項９又は１０に記載の粘着テープ。 The adhesive tape according to claim 9 or 10, which is a pre-attaching tape that is attached to a lead frame before a wire bonding step.
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