JP2021153084A - セラミック電子部品及びその製造方法、並びに回路基板 - Google Patents
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Abstract
Description
上記セラミック素体は、一対の端面と、上記一対の端面を接続する側面と、を含み、上記側面が、上記一対の端面に隣接する一対の端部領域と、当該一対の端部領域の間に位置する中間領域と、で構成される。
上記一対の外部電極は、上記一対の端面と上記側面の上記一対の端部領域とを被覆し、上記側面の上記中間領域に対する表面粗さRaの差が40nm以下の外面を有する一対の下地層と、上記一対の下地層の上記外面を被覆し、上記一対の下地層の上記外面から上記側面の上記中間領域に延出する一対の延出領域を有する一対のメッキ層と、を含む。
好ましくは、上記側面の上記中間領域に対する上記一対の延出部の接触角が鋭角である。
上記下地層がセラミック成分を含んでもよい。
上記一対の下地層の上記外面と上記側面の上記中間領域との表面粗さRaの差が30nm以下であってもよい。
上記下地層の上記外面の表面粗さRaが10nm以上200nm未満であってもよい。
上記中間領域の表面粗さRaが10nm以上150nm未満であってもよい。
上記複合焼結体にブラスト研磨が施される。
上記ブラスト研磨を施した上記複合焼結体に、湿式メッキ法によって上記一対の下地層の外面を被覆する一対のメッキ層が形成される。
上記一対のメッキ層は、上記一対の下地層の外面から上記側面に延出する一対の延出部を有してもよい。この場合、上記側面に対する上記一対の延出部の接触角が鋭角であってもよい。
上記複合焼結体を作製することは、上記セラミック素体と上記一対の下地層とを同時焼成することを含んでもよい。
上記一対の端子は、上記基板本体上に設けられている。
上記半田は、上記一対の外部電極と上記一対の端子とを接合する。
図面には、適宜相互に直交するX軸、Y軸、及びZ軸が示されている。X軸、Y軸、及びZ軸は全図において共通である。
図1〜4は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ10を示す図である。図1は、積層セラミックコンデンサ10の斜視図である。図2は、図1のA−A'線に沿った断面図である。図3は、図1のB−B'線に沿った断面図である。図4は、図1のC−C'線に沿った断面図である。
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ10は、セラミック素体11に対して良好な外部電極14,15を安定して形成可能な構成を有する。これにより、本実施形態に係る外部電極14,15では、内部電極12,13に対する良好な接続性が得られやすく、かつ実装時における良好な半田濡れ性が確保されやすい。
図6は、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ10の製造方法を示すフローチャートである。図7〜11は、積層セラミックコンデンサ10の製造過程を示す図である。以下、積層セラミックコンデンサ10の製造方法について、図6に沿って、図7〜11を適宜参照しながら説明する。
ステップS01では、図7に示す未焼成のセラミック素体111を作製する。未焼成のセラミック素体111は、例えば、複数のセラミックシートをZ軸方向に積層して熱圧着することにより得られる。セラミックシートに予め所定のパターンの導電性ペーストを印刷しておくことにより、未焼成の内部電極112,113を配置することができる。
ステップS02では、ステップS01で作製した未焼成のセラミック素体111に未焼成の下地層114a,115aを形成する。これにより、図8に示す複合未焼結体111aが得られる。下地層114a,115aは、例えば、セラミック素体111に導電性ペーストを塗布することで形成可能である。
ステップS03では、ステップS02で得られた複合未焼結体111aを焼成する。これにより、複合未焼結体111aが焼結し、図9に示す複合焼結体11aが得られる。複合未焼結体111aの焼成は、例えば、還元雰囲気下、又は低酸素分圧雰囲気下において行うことができる。複合未焼結体111aの焼成条件は、適宜決定可能である。
ステップS04では、ステップS03で得られた複合焼結体11aにブラスト研磨を施す。ブラスト研磨では、複合焼結体11aに細かい研磨材を吹き掛けることにより、複合焼結体11aの外面を構成する下地層14a,15aの外面Q及びセラミック素体11の側面S1,S2の中間領域P2を研削する。
ステップS05では、ステップS04でブラスト研磨を施した複合焼結体11aにメッキ層14b,15bを設ける。メッキ層14b,15bの形成には、電解式又は無電解式の湿式メッキ法を用いる。これにより、外部電極14,15が完成し、図1〜4に示す積層セラミックコンデンサ10が得られる。
本発明の実施例及び比較例として、上記と同様の製造方法によって、研磨の条件を変えることで表面粗さRの差ΔRaが異なる構成の積層セラミックコンデンサ10のサンプルを100個ずつ作製した。積層セラミックコンデンサ10の各構成では、表面粗さRa以外の構成を共通とした。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。
11…セラミック素体
12,13…内部電極
14,15…外部電極
14a,15a…下地層
14b,15b…メッキ層
14b1,15b1…延出部
E…端面
S1,S2…側面
P1…側面の端部領域
P2…側面の中間領域
Q…下地層の外面
Claims (13)
- 一対の端面と、前記一対の端面を接続する側面と、を含み、前記側面が、前記一対の端面に隣接する一対の端部領域と、当該一対の端部領域の間に位置する中間領域と、で構成されるセラミック素体と、
前記一対の端面と前記側面の前記一対の端部領域とを被覆し、前記側面の前記中間領域に対する表面粗さRaの差が40nm以下の外面を有する一対の下地層と、前記一対の下地層の前記外面を被覆し、前記一対の下地層の前記外面から前記側面の前記中間領域に延出する一対の延出部を有する一対のメッキ層と、を含む一対の外部電極と、
を具備するセラミック電子部品。 - 請求項1に記載のセラミック電子部品であって、
前記側面の前記中間領域に対する前記一対の延出部の接触角が鋭角である
セラミック電子部品。 - 請求項1又は2に記載のセラミック電子部品であって、
前記下地層がニッケルを主成分とする
セラミック電子部品。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載のセラミック電子部品であって、
前記下地層がセラミック成分を含む
セラミック電子部品。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載のセラミック電子部品であって、
前記一対の下地層の前記外面と前記側面の前記中間領域との表面粗さRaの差が30nm以下である
セラミック電子部品。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載のセラミック電子部品であって、
前記下地層の前記外面の表面粗さRaが10nm以上200nm未満である
セラミック電子部品。 - 請求項1から6のいずれか1項に記載のセラミック電子部品であって、
前記中間領域の表面粗さRaが10nm以上150nm未満である
セラミック電子部品。 - 一対の端面と、前記一対の端面を接続する側面と、を含むセラミック素体と、前記一対の端面から前記側面に回り込み、前記側面上で相互に離間する一対の下地層と、を含む複合焼結体を作製し、
前記複合焼結体にブラスト研磨を施し、
前記ブラスト研磨を施した前記複合焼結体に、湿式メッキ法によって前記一対の下地層の外面を被覆する一対のメッキ層を形成する
セラミック電子部品の製造方法。 - 請求項8に記載のセラミック電子部品の製造方法であって、
前記ブラスト研磨を施すことは、前記一対の下地層の前記外面と前記側面における前記一対の下地層の間の領域との表面粗さRaの差を40nm以下とすることを含む
セラミック電子部品の製造方法。 - 請求項8又は9に記載のセラミック電子部品の製造方法であって、
前記一対のメッキ層は、前記一対の下地層の外面から前記側面に延出する一対の延出部を有する
セラミック電子部品の製造方法。 - 請求項10に記載のセラミック電子部品の製造方法であって、
前記側面に対する前記一対の延出部の接触角が鋭角である
セラミック電子部品の製造方法。 - 請求項8から11のいずれか1項に記載のセラミック電子部品の製造方法であって、
前記複合焼結体を作製することは、前記セラミック素体と前記一対の下地層とを同時焼成することを含む
セラミック電子部品の製造方法。 - 一対の端面と、前記一対の端面を接続する側面と、を含み、前記側面が、前記一対の端面に隣接する一対の端部領域と、当該一対の端部領域の間に位置する中間領域と、で構成されるセラミック素体と、
前記一対の端面と前記側面の前記一対の端部領域とを被覆し、前記側面の前記中間領域に対する表面粗さRaの差が40nm以下の外面を有する一対の下地層と、前記一対の下地層の前記外面を被覆し、前記一対の下地層の前記外面から前記側面の前記中間領域に延出する一対の延出部を有する一対のメッキ層と、を含む一対の外部電極と、
基板本体と、
前記基板本体上に設けられた一対の端子と、
前記一対の外部電極と前記一対の端子とを接合する半田と、
を具備する回路基板。
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