JP2019201106A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents

Abstract

【課題】耐湿性を確保しつつ静電容量を大きくすることができる小型の積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層１１および内部電極層１２を含む積層体１０と、第１下地電極層２１ａを含む第１外部電極２１と、第２下地電極層２２ａを含む第２外部電極２２とを備える。内部電極層１２と第１および第２下地電極層２１ａ，２２ａとは、それぞれ積層体１０の第１および第２端面１０ｅ，１０ｆを覆う第１および第２合金層２１ｃ，２２ｃを介して接続される。積層体１０の稜部のうち、第１および第２端面１０ｅ，１０ｆの各々と、第１および第２主面１０ａ，１０ｂならびに第１および第２側面１０ｃ，１０ｄの各々とを結ぶ稜部の所定部位の曲率半径は、いずれも５．４μｍ以上１０μｍ以下であり、これら稜部を覆うように第１および第２端面１０ｅ，１０ｆから第１および第２外部電極２１，２２がそれぞれ延設される。【選択図】図２

Description

本発明は、積層セラミックコンデンサに関し、特にそのチップサイズが大幅に小型化された積層セラミックコンデンサに関する。

近年、積層セラミックコンデンサの小型化が飛躍的に進んでおり、長さ方向の外形寸法が概ね０．４［ｍｍ］であるとともに、幅方向および高さ方向の外形寸法がそれぞれ概ね０．２［ｍｍ］である、いわゆるチップサイズが０４０２サイズである積層セラミックコンデンサも実用化されるに至っている。

一般に、積層セラミックコンデンサは、内部電極層と誘電体層とが交互に積層された積層体と、当該積層体の外表面に設けられた一対の外部電極とを備えている。積層体は、静電容量を形成する内層部と、当該内層部を取り囲むように設けられたマージン部とによって構成されている。

このうち、マージン部は、主として誘電体層によって構成されており、外部環境から内層部を保護する目的で設けられている。この外部環境からの内層部の保護には、主として外部からの水分の侵入による内層部の絶縁抵抗の劣化の防止（すなわち耐湿性の確保）が含まれる。また、一対の外部電極自体も、その厚みを十分に厚くすることにより、耐湿性の確保に寄与している。

積層セラミックコンデンサのさらなる小型化を図るに際しては、積層体の小型化に伴って内層部も小型化してしまうことになる。そのため、何らの手当ても行なわなかった場合には、静電容量を大きく確保することができなくなってしまう問題が発生する。

仮に、静電容量を確保しつつ積層体を小型化するために、積層体の内部に設けられる内層部を大型化した場合には、必然的にマージン部が薄型化されてしまうことになり、上述した耐湿性を確保することが困難になってしまう。また、仮に、積層体を限られた大きさの範囲内で大型化するために、一対の外部電極の各々を薄型化した場合にも、やはり上述した耐湿性を確保することが困難になってしまう。

ここで、内部電極層と誘電体層との積層方向における薄型化が図られた積層セラミックコンデンサが開示された文献として、たとえば特開２０１５−３５５８１号公報（特許文献１）がある。当該特許文献１には、内部電極層が露出する部分の積層体の端面と外部電極の下地電極層との界面に、内部電極層を構成する金属と下地電極層を構成する金属との合金層が設けられてなる積層セラミックコンデンサが開示されている。このように構成することにより、等価直列抵抗の低抵抗化（すなわち低ＥＳＲ化）が図られるとともに、相当程度に耐湿性が確保できることになる。

特開２０１５−３５５８１号公報

しかしながら、積層セラミックコンデンサの小型化を図るに際して、上述した特許文献１に記載される如くの合金層を設けただけでは、必ずしも十分な耐湿性が確保できるとは限らない。すなわち、たとえば当該特許文献１の表１，表２においても開示されているように、積層体の端面に上述した合金層を設けるとともに、当該合金層の被覆率を高めたにも拘わらず、結果として耐湿性が十分に確保できていないケースも散見される。

このように、積層体の端面を上述した合金層にて覆うのみでは十分な耐湿性が確保できないおそれがあるため、積層セラミックコンデンサの小型化を図るに際しては、耐湿性を向上させるためにさらなる改善が必要不可欠である。

したがって、本発明は、上述した問題を解決すべくなされたものであり、耐湿性を確保しつつ静電容量を大きくすることができる小型の積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。

本発明者は、内部電極層の金属と外部電極の金属とからなる合金層によって積層体の端面を覆うことにより、積層体の端面を覆う部分の外部電極を介しての内層部への水分の侵入が抑制可能にはなるものの、当該合金層を設けただけでは、積層体の当該端面の周囲に位置する外表面を覆う部分の外部電極を介しての内層部への水分の侵入については、これを十分に抑制するこができないとの知見を得るに至り、当該知見に基づいて本発明を完成させるに至った。

本発明に基づく積層セラミックコンデンサは、積層体と、第１外部電極と、第２外部電極とを備えている。上記積層体は、高さ方向において交互に積層された複数の誘電体層および複数の内部電極層を含んでおり、上記高さ方向において相対する第１主面および第２主面、上記高さ方向に直交する幅方向において相対する第１側面および第２側面、ならびに、上記高さ方向および上記幅方向の双方に直交する長さ方向において相対する第１端面および第２端面を有している。上記第１外部電極は、上記第１端面を覆っており、上記第２外部電極は、上記第２端面を覆っている。上記複数の内部電極層は、上記第１外部電極に接続された複数の第１内部電極層と、上記第２外部電極に接続された複数の第２内部電極層とを含んでいる。上記第１外部電極は、上記積層体側に位置する第１下地電極層と、上記第１下地電極層上に設けられた第１めっき膜とを含んでおり、上記第２外部電極は、上記積層体側に位置する第２下地電極層と、上記第２下地電極層上に設けられた第２めっき膜とを含んでいる。

上記複数の第１内部電極層の各々と上記第１下地電極層とは、上記複数の第１内部電極層の各々を構成する金属と上記第１下地電極層を構成する金属とからなる第１合金層を介して接続されており、上記複数の第２内部電極層の各々と上記第２下地電極層とは、上記複数の第２内部電極層の各々を構成する金属と上記第２下地電極層を構成する金属とからなる第２合金層を介して接続されている。上記第１合金層は、上記複数の第１内部電極層が露出する部分の上記第１端面を当該第１端面の面内方向と平行な方向において連続的に覆っており、上記第２合金層は、上記複数の第２内部電極層が露出する部分の上記第２端面を当該第２端面の面内方向と平行な方向において連続的に覆っている。

当該本発明に基づく積層セラミックコンデンサにあっては、上記高さ方向および上記長さ方向の双方に平行でかつ上記幅方向における上記積層体の中央部を含む平面を第１平面とし、上記幅方向および上記長さ方向の双方に平行でかつ上記高さ方向における上記積層体の中央部を含む平面を第２平面とし、上記第１端面と上記第１主面とを接続する部分の上記積層体の稜部を第１稜部とし、上記第１端面と上記第２主面とを接続する部分の上記積層体の稜部を第２稜部とし、上記第１端面と上記第１側面とを接続する部分の上記積層体の稜部を第３稜部とし、上記第１端面と上記第２側面とを接続する部分の上記積層体の稜部を第４稜部とし、上記第２端面と上記第１主面とを接続する部分の上記積層体の稜部を第５稜部とし、上記第２端面と上記第２主面とを接続する部分の上記積層体の稜部を第６稜部とし、上記第２端面と上記第１側面とを接続する部分の上記積層体の稜部を第７稜部とし、上記第２端面と上記第２側面とを接続する部分の上記積層体の稜部を第８稜部とした場合に、上記第１平面上における上記第１稜部の曲率半径Ｒ１、上記第１平面上における上記第２稜部の曲率半径Ｒ２、上記第２平面上における上記第３稜部の曲率半径Ｒ３、および、上記第２平面上における上記第４稜部の曲率半径Ｒ４が、いずれも５．４［μｍ］以上１０［μｍ］以下の条件を満たすとともに、上記第１平面上における上記第５稜部の曲率半径Ｒ５、上記第１平面上における上記第６稜部の曲率半径Ｒ６、上記第２平面上における上記第７稜部の曲率半径Ｒ７、および、上記第２平面上における上記第８稜部の曲率半径Ｒ８が、いずれも５．４［μｍ］以上１０［μｍ］以下の条件を満たしている。

ここで、当該本発明に基づく積層セラミックコンデンサにあっては、上記第１外部電極が、上記第１稜部、上記第２稜部、上記第３稜部および上記第４稜部の各々を覆うように、上記第１端面から上記第１主面、上記第２主面、上記第１側面および上記第２側面の各々の上記第１端面寄りの部分にまで延設されているとともに、上記第２外部電極が、上記第５稜部、上記第６稜部、上記第７稜部および上記第８稜部の各々を覆うように、上記第２端面から上記第１主面、上記第２主面、上記第１側面および上記第２側面の各々の上記第２端面寄りの部分にまで延設されている。

上記本発明に基づく積層セラミックコンデンサにあっては、上記第１下地電極層の外側表面と上記第１端面との間の、上記第１平面上における上記長さ方向に沿った最大距離Ｔ１が、８．４［μｍ］以上１２［μｍ］以下の条件を満たすとともに、上記第２下地電極層の外側表面と上記第２端面との間の、上記第１平面上における上記長さ方向に沿った最大距離Ｔ２が、８．４［μｍ］以上１２［μｍ］以下の条件を満たしていることが好ましい。

上記本発明に基づく積層セラミックコンデンサにあっては、上記第１下地電極層の外側表面と上記第１主面との間の、上記第１平面上における上記高さ方向に沿った最大距離ｔ１、上記第１下地電極層の外側表面と上記第２主面との間の、上記第１平面上における上記高さ方向に沿った最大距離ｔ２、上記第１下地電極層の外側表面と上記第１側面との間の、上記第２平面上における上記幅方向に沿った最大距離ｔ３、および、上記第１下地電極層の外側表面と上記第２側面との間の、上記第２平面上における上記幅方向に沿った最大距離ｔ４が、いずれも３．７［μｍ］以上４．５［μｍ］以下の条件を満たすとともに、上記第２下地電極層の外側表面と上記第１主面との間の、上記第１平面上における上記高さ方向に沿った最大距離ｔ５、上記第２下地電極層の外側表面と上記第２主面との間の、上記第１平面上における上記高さ方向に沿った最大距離ｔ６、上記第２下地電極層の外側表面と上記第１側面との間の、上記第２平面上における上記幅方向に沿った最大距離ｔ７、および、上記第２下地電極層の外側表面と上記第２側面との間の、上記第２平面上における上記幅方向に沿った最大距離ｔ８が、いずれも３．７［μｍ］以上４．５［μｍ］以下の条件を満たしていることが好ましい。

上記本発明に基づく積層セラミックコンデンサにあっては、上記複数の第１内部電極層の各々が、上記高さ方向において上記複数の第２内部電極層に対向する第１対向部を有しているとともに、上記複数の第２内部電極層の各々が、上記高さ方向において上記複数の第１内部電極層に対向する第２対向部を有していてもよく、その場合には、上記積層体が、上記第１対向部および上記第２対向部が上記高さ方向において積層されることで静電容量を形成する内層部を含むことになる。また、その場合には、上記内層部に含まれる部分の上記誘電体層の上記第１平面上における厚みｄが、０．４［μｍ］以上０．７［μｍ］以下の条件を満たしていることが好ましい。

上記本発明に基づく積層セラミックコンデンサにあっては、上記第１下地電極層および上記第２下地電極層が、いずれもディップ法によって塗布された導電性ペーストを焼き付けてなる焼結金属層にて構成されていることが好ましい。

上記本発明に基づく積層セラミックコンデンサにあっては、上記第１下地電極層を構成する金属、および、上記第２下地電極層を構成する金属が、いずれもＣｕであってもよい。

上記本発明に基づく積層セラミックコンデンサにあっては、上記第１下地電極層におけるＣｕの含有量が、６５［ｗｔ％］以上であるとともに、上記第２下地電極層におけるＣｕの含有量が、６５［ｗｔ％］以上であることが好ましい。

上記本発明に基づく積層セラミックコンデンサにあっては、上記複数の第１内部電極層の各々を構成する金属、および、上記複数の第２内部電極層の各々を構成する金属が、いずれもＮｉであってもよい。

上記本発明に基づく積層セラミックコンデンサにあっては、上記第１めっき膜が、上記第１下地電極層を覆うＮｉめっき膜と、当該Ｎｉめっき膜を覆うＳｎめっき膜とを含んでいることが好ましく、上記第２めっき膜が、上記第２下地電極層を覆うＮｉめっき膜と、当該Ｎｉめっき膜を覆うＳｎめっき膜とを含んでいることが好ましい。

上記本発明に基づく積層セラミックコンデンサは、そのチップサイズが、０２０１サイズであってもよい。

本発明によれば、耐湿性を確保しつつ静電容量を大きくすることができる小型の積層セラミックコンデンサとすることができる。

実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの概略斜視図である。 図１に示すＩＩ−ＩＩ線に沿った模式断面図である。 図１に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った模式断面図である。 図１に示すＩＶ−ＩＶ線に沿った模式断面図である。 図２に示すＶ−Ｖ線に沿った模式断面図である。 図２に示すＶＩ−ＶＩ線に沿った模式断面図である。 図１に示す積層セラミックコンデンサのめっき膜形成前の要部の断面を撮影した電子顕微鏡写真である。 図７に示す電子顕微鏡写真を模式的に表わした図である。 図１に示す積層セラミックコンデンサの製造方法を示すフロー図である。 下地電極層の形成工程を示す模式図である。 検証試験の結果を示す表である。 積層体の第１稜部の曲率半径Ｒ１の測定方法を示す模式図である。

以下、本発明の実施の形態について、図を参照して詳細に説明する。なお、以下に示す実施の形態においては、同一のまたは共通する部分について図中同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。

＜本発明の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの構成＞
図１は、本発明の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの概略斜視図であり、図２ないし図４は、それぞれ図１に示すＩＩ−ＩＩ線、ＩＩＩ−ＩＩＩ線およびＩＶ−ＩＶ線に沿った模式断面図である。図５および図６は、それぞれ図２に示すＶ−Ｖ線およびＶＩ−ＶＩ線に沿った模式断面図である。また、図７は、図１に示す積層セラミックコンデンサのめっき膜形成前の要部の断面を撮影した電子顕微鏡写真であり、図８は、図７に示す電子顕微鏡写真を模式的に表わした図である。まず、これら図１ないし図８を参照して、本実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１の構成について説明する。なお、図１ないし図６においては、後述する積層体１０の長さ方向、幅方向および高さ方向をそれぞれ符号Ｌ、ＷおよびＨで示す矢印にて表わしている。

図１ないし図６に示すように、積層セラミックコンデンサ１は、全体として細長の略直方体形状を有しており、積層体１０と、第１外部電極２１と、第２外部電極２２とを備えている。

積層体１０は、細長の略直方体形状を有しており、高さ方向Ｈにおいて相対する第１主面１０ａおよび第２主面１０ｂと、高さ方向Ｈと直交する幅方向Ｗにおいて相対する第１側面１０ｃおよび第２側面１０ｄと、高さ方向Ｈおよび幅方向Ｗの双方に直交する長さ方向Ｌにおいて相対する第１端面１０ｅおよび第２端面１０ｆとを有している。

第１外部電極２１は、積層体１０の第１端面１０ｅの全面と、積層体１０の第１主面１０ａ、第２主面１０ｂ、第１側面１０ｃおよび第２側面１０ｄの各々の第１端面１０ｅ寄りの部分とを覆っている。

第２外部電極２２は、積層体１０の第２端面１０ｆの全面と、積層体１０の第１主面１０ａ、第２主面１０ｂ、第１側面１０ｃおよび第２側面１０ｄの各々の第２端面１０ｆ寄りの部分とを覆っている。

図２ないし図６に示すように、積層体１０は、一層ずつ交互に積層された複数の誘電体層１１および複数の内部電極層１２を含んでいる。複数の誘電体層１１および複数の内部電極層１２は、積層体１０の高さ方向Ｈに沿って積層されている。ここで、複数の誘電体層１１および複数の内部電極層１２の積層数は、実際には非常に多い（数十層〜数百層程度）ものであるが、ここでは作図の都合上、当該積層数を大幅に間引いた状態で表わしている。

複数の内部電極層１２は、第１外部電極２１に接続された複数の第１内部電極層１２ａと、第２外部電極２２に接続された複数の第２内部電極層１２ｂとを有している。複数の第１内部電極層１２ａと複数の第２内部電極層１２ｂとは、高さ方向Ｈに沿って交互に配置されている。

複数の第１内部電極層１２ａの各々は、高さ方向Ｈにおいて隣り合う第２内部電極層１２ｂと対向する第１対向部１２ａ１と、当該第１対向部１２ａ１および第１外部電極２１を接続する第１引出部１２ａ２とを有している。第１対向部１２ａ１は、高さ方向Ｈに沿って見た場合に略矩形状であり、第１引出部１２ａ２は、高さ方向Ｈに沿って見た場合にその幅方向Ｗにおける寸法が第１対向部１２ａ１のそれと同じでありかつその長さ方向Ｌにおける寸法が第１対向部１２ａ１のそれよりも小さい略矩形状である。第１対向部１２ａ１と第１引出部１２ａ２とは、長さ方向Ｌおいて連続している。

複数の第２内部電極層１２ｂの各々は、高さ方向Ｈにおいて隣り合う第１内部電極層１２ａと対向する第２対向部１２ｂ１と、当該第２対向部１２ｂ１および第２外部電極２２を接続する第２引出部１２ｂ２とを有している。第２対向部１２ｂ１は、高さ方向Ｈに沿って見た場合に略矩形状であり、第２引出部１２ｂ２は、高さ方向Ｈに沿って見た場合にその幅方向Ｗにおける寸法が第２対向部１２ｂ１のそれと同じでありかつその長さ方向Ｌにおける寸法が第２対向部１２ｂ１のそれよりも小さい略矩形状である。第２対向部１２ｂ１と第２引出部１２ｂ２とは、長さ方向Ｌおいて連続している。

積層体１０は、内層部Ｃと、第１メインマージンＭＭ１と、第２メインマージンＭＭ２と、第１サイドマージンＳＭ１と、第２サイドマージンＳＭ２と、第１エンドマージンＥＭ１と、第２エンドマージンＥＭ２とに区画される。

内層部Ｃは、複数の第１内部電極層１２ａの各々が有する第１対向部１２ａ１と、複数の第２内部電極層１２ｂの各々が有する第２対向部１２ｂ１と、これらの間に位置する部分の複数の誘電体層１１とによって規定され、これにより静電容量を形成している。

第１メインマージンＭＭ１は、高さ方向Ｈにおいて内層部Ｃよりも第１主面１０ａ側に位置しており、当該部分に位置する誘電体層１１によって規定されている。第２メインマージンＭＭ２は、高さ方向Ｈにおいて内層部Ｃよりも第２主面１０ｂ側に位置しており、当該部分に位置する誘電体層１１によって規定されている。

第１サイドマージンＳＭ１は、幅方向Ｗにおいて内層部Ｃよりも第１側面１０ｃ側に位置しており、当該部分に位置する誘電体層１１によって規定されている。第２サイドマージンＳＭ２は、幅方向Ｗにおいて内層部Ｃよりも第２側面１０ｄ側に位置しており、当該部分に位置する誘電体層１１によって規定されている。

第１エンドマージンＥＭ１は、長さ方向Ｌにおいて内層部Ｃよりも第１端面１０ｅ側に位置しており、当該部分に位置する誘電体層１１および複数の第１内部電極層１２ａの各々が有する第１引出部１２ａ２によって規定されている。第２エンドマージンＥＭ２は、長さ方向Ｌにおいて内層部Ｃよりも第２端面１０ｆ側に位置しており、当該部分に位置する誘電体層１１および複数の第２内部電極層１２ｂの各々が有する第２引出部１２ｂ２によって規定されている。

第１引出部１２ａ２は、第１対向部１２ａ１から連続するように積層体１０の第１端面１０ｅに達している。そのため、第１引出部１２ａ２は、積層体１０の第１端面１０ｅにおいて露出している。これにより、積層体１０の第１端面１０ｅは、長さ方向Ｌに沿って見た場合に、高さ方向Ｈにおいて誘電体層１１の露出端部と第１引出部１２ａ２の露出端部とが交互に配置された略矩形状の領域を有している。

第２引出部１２ｂ２は、第２対向部１２ｂ１から連続するように積層体１０の第２端面１０ｆに達している。そのため、第２引出部１２ｂ２は、積層体１０の第２端面１０ｆにおいて露出している。これにより、積層体１０の第２端面１０ｆは、長さ方向Ｌに沿って見た場合に、高さ方向Ｈにおいて誘電体層１１の露出端部と第２引出部１２ｂ２の露出端部とが交互に配置された略矩形状の領域を有している。

図２ないし図４を参照して、積層セラミックコンデンサ１においては、長さ方向Ｌの最大外形寸法Ｌ０が、幅方向Ｗの最大外形寸法Ｗ０および高さ方向Ｈの最大外形寸法Ｈ０のいずれよりも大きい。本実施の形態においては、幅方向Ｗの最大外形寸法Ｗ０と、高さ方向Ｈの最大外形寸法Ｈ０とが、同等に構成されている。ただし、幅方向Ｗの最大外形寸法Ｗ０と、高さ方向Ｈの最大外形寸法Ｈ０とは、異なっていてもよい。なお、最大外形寸法が同等とは、寸法差が５［％］以内の範囲を含む意味である。

本実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、その最大外形寸法Ｌ０、Ｗ０およびＨ０が、概ね０．２５［ｍｍ］×０．１２５［ｍｍ］×０．１２５［ｍｍ］である、いわゆるチップサイズが０２０１サイズのものである。しかしながら、チップサイズはこれに限定されるものではなく、その最大外形寸法Ｌ０、Ｗ０およびＨ０は、概ね０．４［ｍｍ］×０．２［ｍｍ］×０．２［ｍｍ］とされてもよいし（いわゆる０４０２サイズ）、概ね０．６［ｍｍ］×０．３［ｍｍ］×０．３［ｍｍ］とされてもいし（いわゆる０６０３サイズ）、概ね１．０［ｍｍ］×０．５［ｍｍ］×０．５［ｍｍ］とさてもよい（いわゆる１００５サイズ）。なお、上述した最大外形寸法Ｌ０、Ｗ０およびＨ０は、いずれも積層セラミックコンデンサ１を光学顕微鏡等によって観察することによって測定できる。

積層体１０の角部および稜部には、丸みがつけられている。角部は、積層体１０の第１主面１０ａ、第２主面１０ｂ、第１側面１０ｃ、第２側面１０ｄ、第１端面１０ｅおよび第２端面１０ｆのうちの三面が結ばれた部分であり、稜部は、積層体１０の第１主面１０ａ、第２主面１０ｂ、第１側面１０ｃ、第２側面１０ｄ、第１端面１０ｅおよび第２端面１０ｆのうちの二面が結ばれた部分である。

ここで、図２および図３に示すように、第１端面１０ｅと第１主面１０ａとを接続する部分の積層体１０の稜部を第１稜部３１と称し、第１端面１０ｅと第２主面１０ｂとを接続する部分の積層体１０の稜部を第２稜部３２と称し、第１端面１０ｅと第１側面１０ｃとを接続する部分の積層体１０の稜部を第３稜部３３と称し、第１端面１０ｅと第２側面１０ｄとを接続する部分の積層体１０の稜部を第４稜部３４と称し、第２端面１０ｆと第１主面１０ａとを接続する部分の積層体１０の稜部を第５稜部３５と称し、第２端面１０ｆと第２主面１０ｂとを接続する部分の積層体１０の稜部を第６稜部３６と称し、第２端面１０ｆと第１側面１０ｃとを接続する部分の積層体１０の稜部を第７稜部３７と称し、第２端面１０ｆと第２側面１０ｄとを接続する部分の積層体１０の稜部を第８稜部３８と称することとする。

誘電体層１１は、好ましくはＢａまたはＴｉを含むペロブスカイト型化合物にて構成される。誘電体層１１を構成する材料としては、たとえばＢａＴｉＯ₃、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃およびＣａＺｒＯ₃等のいずれかを主成分とする誘電体セラミックを用いることができる。また、これらのいずれかを主成分とし、副成分として、Ｍｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、Ａｌ化合物、Ｖ化合物および希土類化合物等の少なくともいずれかが添加された材料を用いて誘電体層１１を形成してもよい。

内部電極層１２を構成する材料としては、たとえばＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、ＰｄおよびＡｕ等のいずれか、または、これらのいずれかを含む合金（たとえばＡｇとＰｄとの合金等）を用いることができる。内部電極層１２は、誘電体層１１に含まれる誘電体セラミックと同一組成系の誘電体材料からなる粒子を含んでいてもよい。なお、本実施の形態においては、内部電極層１２を構成する金属は、主としてＮｉである。

第１外部電極２１は、積層体１０側に位置する第１下地電極層２１ａと、当該第１下地電極層２１ａ上に設けられた第１めっき膜２１ｂとを有している。第１めっき膜２１ｂは、第１下地電極層２１ａを覆うＮｉめっき膜２１ｂ１と、当該Ｎｉめっき膜２１ｂ１を覆うＳｎめっき膜２１ｂ２とを含んでいる。

第１下地電極層２１ａは、ディップ法によって積層体１０に塗布された導電性ペーストを焼き付けてなる焼結金属層にて構成されており、金属とガラスとを含んでいる。金属としては、たとえばＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、ＰｄおよびＡｕ等のいずれか、または、これらのいずれかを含む合金（たとえばＡｇとＰｄとの合金等）を用いることができ、ガラスとしては、たとえばＳｉおよびＺｎを含むものを用いることができる。このうちのガラスは、導電性ペーストに含まれる焼結助剤と誘電体層１１を構成する誘電体セラミックとの固着性を確保するためのものである。本実施の形態においては、第１下地電極層２１ａを構成する金属は、主としてＣｕである。

上述したように、第１外部電極２１は、積層体１０の第１端面１０ｅのみならず、積層体１０の第１主面１０ａ、第２主面１０ｂ、第１側面１０ｃおよび第２側面１０ｄの各々の第１端面１０ｅ寄りの部分も覆っている。これに伴い、上述した第１下地電極層２１ａおよび第１めっき膜２１ｂも、それぞれ積層体１０の第１端面１０ｅの全面と、積層体１０の第１主面１０ａ、第２主面１０ｂ、第１側面１０ｃおよび第２側面１０ｄの各々の第１端面１０ｅ寄りの部分とを覆っている。そのため、積層体１０の上述した第１稜部３１、第２稜部３２、第３稜部３３および第４稜部３４も、それぞれ第１下地電極層２１ａおよび第１めっき膜２１ｂからなる第１外部電極２１によって覆われている。

第２外部電極２２は、積層体１０側に位置する第２下地電極層２２ａと、当該第２下地電極層２２ａ上に設けられた第２めっき膜２２ｂとを有している。第２めっき膜２２ｂは、第２下地電極層２２ａを覆うＮｉめっき膜２２ｂ１と、当該Ｎｉめっき膜２２ｂ１を覆うＳｎめっき膜２２ｂ２とを含んでいる。

第２下地電極層２２ａは、ディップ法によって積層体１０に塗布された導電性ペーストを焼き付けてなる焼結金属層にて構成されており、金属とガラスとを含んでいる。金属としては、たとえばＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、ＰｄおよびＡｕ等のいずれか、または、これらのいずれかを含む合金（たとえばＡｇとＰｄとの合金等）を用いることができ、ガラスとしては、たとえばＳｉおよびＺｎを含むものを用いることができる。このうちのガラスは、導電性ペーストに含まれる焼結助剤と誘電体層１１を構成する誘電体セラミックとの固着性を確保するためのものである。本実施の形態においては、第２下地電極層２２ａを構成する金属は、主としてＣｕである。

上述したように、第２外部電極２２は、積層体１０の第２端面１０ｆのみならず、積層体１０の第１主面１０ａ、第２主面１０ｂ、第１側面１０ｃおよび第２側面１０ｄの各々の第２端面１０ｆ寄りの部分も覆っている。これに伴い、上述した第２下地電極層２２ａおよび第２めっき膜２２ｂも、それぞれ積層体１０の第２端面１０ｆの全面と、積層体１０の第１主面１０ａ、第２主面１０ｂ、第１側面１０ｃおよび第２側面１０ｄの各々の第２端面１０ｆ寄りの部分とを覆っている。そのため、積層体１０の上述した第５稜部３５、第６稜部３６、第７稜部３７および第８稜部３８も、それぞれ第２下地電極層２２ａおよび第２めっき膜２２ｂからなる第２外部電極２２によって覆われている。

第１めっき膜２１ｂおよび第２めっき膜２２ｂに含まれるＮｉめっき膜２１ｂ１，２２ｂ１は、積層セラミックコンデンサ１を配線基板等に実装する際に、第１下地電極層２１ａおよび第２下地電極層２２ａが半田によって浸食されることを防止する機能を発揮する。一方、第１めっき膜２１ｂおよび第２めっき膜２２ｂに含まれるＳｎめっき膜２１ｂ２，２２ｂ２は、積層セラミックコンデンサ１を配線基板等に実装する際に、半田に対する濡れ性を向上させる機能を発揮する。

図２、図３、図５および図６に示すように、積層体１０の第１端面１０ｅと第１外部電極２１の第１下地電極層２１ａとの間には、第１合金層４１が設けられている。当該第１合金層４１は、第１内部電極層１２ａを構成する金属（すなわちＮｉ）と、第１下地電極層２１ａを構成する金属（すなわちＣｕ）とからなる合金層（すなわちＮｉ−Ｃｕ合金層）である。

第１合金層４１は、積層体１０の第１端面１０ｅのうち、高さ方向Ｈにおいて誘電体層１１の露出端部と第１引出部１２ａ２の露出端部とが交互に配置された、上述した略矩形状の領域を覆うように形成されている。また、第１合金層４１は、第１下地電極層２１ａによって覆われることで積層セラミックコンデンサ１の内部に埋設されている。

ここで、第１合金層４１は、積層体１０の第１端面１０ｅに含まれる上記領域を第１端面１０ｅの面内方向と平行な方向において連続的に覆っている。これにより、第１合金層４１は、第１引出部１２ａ２の露出端部のみならず、高さ方向Ｌにおいて隣り合う第１引出部１２ａ２の露出端部同士の間に位置する誘電体層１１の露出端部をも覆っている。

一方、積層体１０の第２端面１０ｆと第２外部電極２２の第２下地電極層２２ａとの間には、第２合金層４２が設けられている。当該第２合金層４２は、第２内部電極層１２ｂを構成する金属（すなわちＮｉ）と、第２下地電極層２２ａを構成する金属（すなわちＣｕ）とからなる合金層（すなわちＮｉ−Ｃｕ合金層）である。

第２合金層４２は、積層体１０の第２端面１０ｆのうち、高さ方向Ｈにおいて誘電体層１１の露出端部と第２引出部１２ｂ２の露出端部とが交互に配置された、上述した略矩形状の領域を覆うように形成されている。また、第２合金層４２は、第２下地電極層２２ａによって覆われることで積層セラミックコンデンサ１の内部に埋設されている。

ここで、第２合金層４２は、積層体１０の第２端面１０ｆに含まれる上記領域を第２端面１０ｆの面内方向と平行な方向において連続的に覆っている。これにより、第２合金層４２は、第２引出部１２ｂ２の露出端部のみならず、高さ方向Ｌにおいて隣り合う第２引出部１２ｂ２の露出端部同士の間に位置する誘電体層１１の露出端部をも覆っている。

これら第１合金層４１および第２合金層４２は、後述する本実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１の製造過程における下地電極層の焼付けの際に形成されるものである。すなわち、第１合金層４１は、当該下地電極層の焼付けの際に形成される、第１内部電極層１２ａと第１下地電極層２１ａとの相互拡散層からなり、第２合金層４２は、当該下地電極層の焼付けの際に形成される、第２内部電極層１２ｂと第２下地電極層２２ａとの相互拡散層からなる。

より詳細には、第１合金層４１は、第１端面１０ｅ側に位置する部分の第１内部電極層１２ａに含まれるＮｉの一部が、当該第１端面１０ｅを覆う部分の第１下地電極層２１ａに拡散するとともに、第１端面１０ｅを覆う部分の第１下地電極層２１ａに含まれるＣｕの一部が、当該第１端面１０ｅ側に位置する部分の第１内部電極層１２ａに拡散することで形成されたものである。

一方、第２合金層４２は、第２端面１０ｆ側に位置する部分の第２内部電極層１２ｂに含まれるＮｉの一部が、当該第２端面１０ｆを覆う部分の第２下地電極層２２ａに拡散するとともに、第２端面１０ｆを覆う部分の第２下地電極層２２ａに含まれるＣｕの一部が、当該第２端面１０ｆ側に位置する部分の第２内部電極層１２ｂに拡散することで形成されたものである。

上述した合金層（すなわち第１合金層４１および第２合金層４２）は、実際には、図７に示す電子顕微鏡写真において表われる如くの態様にて、積層体と外部電極との間に位置している。ここで、図７に表われた積層体に含まれる黒色の領域および白色の領域は、それぞれ誘電体層および内部電極層（Ｎｉ）である。一方、図７に表われた外部電極に含まれる黒色の領域および白色の領域は、それぞれ下地電極層（ガラス成分）および下地電極層（Ｃｕ）である。

合金層は、これら積層体と外部電極との間に膜状に連続的に延在している。より詳細には、図８に示すように、合金層の一部は、誘電体層の露出端部を覆うように連続して延在しており、当該部分は、内部電極層のＮｉが外部電極のＣｕに拡散することで形成された部位からなる。一方、合金層の他の一部は、積層体の端面から積層体の内部に入り込むように延びており、当該部分は、外部電極のＣｕが内部電極層のＮｉに拡散することで形成された部位からなる。

このように、積層体１０の第１端面１０ｅと第１外部電極２１との界面において連続的に位置する第１合金層４１を設けるとともに、積層体１０の第２端面１０ｆと第２外部電極２２との界面において連続的に位置する第２合金層４２とを設けることにより、これら第１合金層４１および第２合金層４２が、積層体１０の内部への水分の侵入を抑制する保護層として機能することになり、積層セラミックコンデンサ１の耐湿性が向上することになる。

また、これら第１合金層４１および第２合金層４２は、後述する積層セラミックコンデンサ１の製造過程におけるめっき処理の際に、めっき液が積層体１０の内部へと侵入することを抑制する保護層としても機能する。このめっき液の積層体１０の内部への侵入が十分に抑制できていない場合には、めっき処理においてめっき液中に発生する水素イオンが積層体の内部に吸蔵されてしまい、やはり絶縁抵抗の劣化に繋がってしまう。そのため、第１合金層４１および第２合金層４２を設けることにより、この意味においても積層セラミックコンデンサ１の耐湿性が向上することになる。

ここで、第１合金層４１は、積層体１０の第１端面１０ｅを覆う部分の第１外部電極２１を介しての水分およびめっき液の侵入を抑制することになるとともに、第２合金層４２は、積層体１０の第２端面１０ｆを覆う部分の第２外部電極２２を介しての水分およびめっき液の侵入を抑制することになる。

しかしながら、積層体１０の第１端面１０ｅおよび第２端面１０ｆをそれぞれ上述した第１合金層４１および第２合金層４２にて覆うのみでは十分な耐湿性が確保できないおそれがある。これは、積層体１０の第１端面１０ｅの周囲に位置する外表面を覆う部分の第１外部電極２１を介しての積層体１０の内部への水分およびめっき液の侵入については、第１合金層４１を設けたのみでは十分ではなく、また、積層体１０の第２端面１０ｆの周囲に位置する外表面を覆う部分の第２外部電極２２を介しての積層体１０の内部への水分およびめっき液の侵入については、第２合金層４２を設けたのみでは十分ではないためである。

そのため、本実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、上述したように、積層体１０の上述した第１稜部３１、第２稜部３２、第３稜部３３、第４稜部３４、第５稜部３５、第６稜部３６、第７稜部３７および第８稜部３８が、第１外部電極２１および第２外部電極２２のいずれかによって覆われるように構成されているとともに、これら第１稜部３１、第２稜部３２、第３稜部３３、第４稜部３４、第５稜部３５、第６稜部３６、第７稜部３７および第８稜部３８の各々の曲率半径が、所定の大きさ以上となるように構成されており、これにより耐湿性のさらなる向上が図られている。以下、この点について詳細に説明する。

図２に示す積層セラミックコンデンサ１の断面は、積層体１０の高さ方向Ｈおよび長さ方向Ｌの双方に平行でかつ幅方向Ｗにおける積層体１０の中央部を含む平面（以下、この平面を第１平面ＰＬ１と称する）に沿って積層セラミックコンデンサ１を切断したものである。一方、図３に示す積層セラミックコンデンサ１の断面は、積層体１０の幅方向Ｗおよび長さ方向Ｌの双方に平行でかつ高さ方向Ｈにおける積層体１０の中央部を含む平面（以下、この平面を第２平面ＰＬ２と称する）に沿って積層セラミックコンデンサ１を切断したものである。

図２および図３を参照して、本実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１平面ＰＬ１上における第１稜部３１の曲率半径をＲ１とし、第１平面ＰＬ１上における第２稜部３２の曲率半径をＲ２とし、第２平面ＰＬ２上における第３稜部３３の曲率半径をＲ３とし、第２平面ＰＬ２上における第４稜部３４の曲率半径をＲ４とした場合に、これら曲率半径Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４が、いずれも５．４［μｍ］以上１０［μｍ］以下の条件（以下、これを第１条件と称する）を満たしている。

また、本実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１平面ＰＬ１上における第５稜部３５の曲率半径をＲ５とし、第１平面ＰＬ１上における第６稜部３６の曲率半径をＲ６とし、第２平面ＰＬ２上における第７稜部３７の曲率半径をＲ７とし、第２平面ＰＬ２上における第８稜部３８の曲率半径をＲ８とした場合に、これら曲率半径Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８が、いずれも５．４［μｍ］以上１０［μｍ］以下の条件（以下、これを第２条件と称する）を満たしている。

これら第１ないし第８稜部３１〜３８の各々の曲率半径Ｒ１〜Ｒ８は、いずれも後述する積層セラミックコンデンサ１の製造過程におけるバレル研磨の際に、その研磨量を調節することで容易に実現できる。

上述した第１条件および第２条件を満たすことにより、後述する積層セラミックコンデンサ１の製造過程における下地電極層の形成（すなわち、第１外部電極２１の第１下地電極層２１ａおよび第２外部電極２２の第２下地電極層２２ａの形成）の際に、導電性ペーストの付着量を適切に調節することができ、第１ないし第４稜部３１〜３４を覆う部分の第１外部電極２１の厚み、ならびに、第５ないし第８稜部３５〜３８を覆う部分の第２外部電極２２の厚みを十分に厚くすることができる。そのため、これら部分を介しての積層体１０の内部への水分およびめっき液の侵入を効果的に抑制することが可能になり、耐湿性をより向上させることができる。なお、これら第１条件および第２条件は、いずれも後述する検証試験の結果から導き出されたものである。

また、図２および図３を参照して、第１下地電極層２１ａの外側表面と第１端面１０ｅとの間の、第１平面ＰＬ１上における長さ方向Ｌに沿った最大距離をＴ１とした場合に、この最大距離Ｔ１が、８．４［μｍ］以上１２［μｍ］以下の条件（以下、これを第３条件と称する）を満たしていることが好ましい。

加えて、図２および図３を参照して、第２下地電極層２２ａの外側表面と第２端面１０ｆとの間の、第１平面ＰＬ１上における長さ方向Ｌに沿った最大距離をＴ２とした場合に、この最大距離Ｔ２が、８．４［μｍ］以上１２［μｍ］以下の条件（以下、これを第４条件と称する）を満たしていることが好ましい。

これら最大距離Ｔ１，Ｔ２は、いずれも後述する積層セラミックコンデンサ１の製造過程における上述した下地電極層の形成の際に、使用する導電ペーストの粘度等を調節することで容易にコントロールすることができる。

上述した第３条件および第４条件を満たすことにより、第１ないし第４稜部３１〜３４を覆う部分の第１外部電極２１の厚み、ならびに、第５ないし第８稜部３５〜３８を覆う部分の第２外部電極２２の厚みが必然的に十分に厚くなるため、上述した第１条件および第２条件を満たすことによる効果を確実ならしめることができる。なお、これら第３条件および第４条件のうちの下限値は、いずれも後述する検証試験の結果から導き出されたものである。

さらに、図２および図３を参照して、第１下地電極層２１ａの外側表面と第１主面１０ａとの間の、第１平面ＰＬ１上における高さ方向Ｈに沿った最大距離をｔ１とし、第１下地電極層２１ａの外側表面と第２主面１０ｂとの間の、第１平面ＰＬ１上における高さ方向Ｈに沿った最大距離をｔ２とし、第１下地電極層２１ａの外側表面と第１側面１０ｃとの間の、第２平面ＰＬ２上における幅方向Ｗに沿った最大距離をｔ３とし、第１下地電極層２１ａの外側表面と第２側面１０ｄとの間の、第２平面ＰＬ２上における幅方向Ｗに沿った最大距離をｔ４とした場合に、これら最大距離ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４が、いずれも３．７［μｍ］以上４．５［μｍ］以下の条件（以下、これを第５条件と称する）を満たしていることが好ましい。

加えて、図２および図３を参照して、第２下地電極層２２ａの外側表面と第１主面１０ａとの間の、第１平面ＰＬ１上における高さ方向Ｈに沿った最大距離をｔ５とし、第２下地電極層２２ａの外側表面と第２主面１０ｂとの間の、第１平面ＰＬ１上における高さ方向Ｈに沿った最大距離をｔ６とし、第２下地電極層２２ａの外側表面と第１側面１０ｃとの間の、第２平面ＰＬ２上における幅方向Ｗに沿った最大距離をｔ７とし、第２下地電極層２２ａの外側表面と第２側面１０ｄとの間の、第２平面ＰＬ２上における幅方向Ｗに沿った最大距離をｔ８とした場合に、これら最大距離ｔ５，ｔ６，ｔ７，ｔ８が、いずれも３．７［μｍ］以上４．５［μｍ］以下の条件（以下、これを第６条件と称する）を満たしていることが好ましい。

これら最大距離ｔ１〜ｔ８は、いずれも後述する積層セラミックコンデンサ１の製造過程における上述した下地電極層の形成の際に、使用する導電ペーストの粘度、導電性ペーストに対する積層体の浸漬深さ等を調節することで容易にコントロールすることができる。

上述した第５条件および第６条件を満たすことにより、第１ないし第４稜部３１〜３４を覆う部分の第１外部電極２１の厚み、ならびに、第５ないし第８稜部３５〜３８を覆う部分の第２外部電極２２の厚みが必然的に十分に厚くなるため、上述した第１条件および第２条件を満たすことによる効果を確実ならしめることができる。なお、これら第５条件および第６条件のうちの下限値は、いずれも後述する検証試験の結果から導き出されたものである。

そのため、上述した第１条件および第２条件を満たすことにより、またはこれに加えて上述した第３条件、第４条件、第５条件および第６条件を満たすことにより、第１合金層４１が形成された積層体１０の第１端面１０ｅの周囲に位置する外表面を覆う部分の第１外部電極２１を介しての積層体１０の内部への水分およびめっき液の侵入が効果的に抑制できるとともに、第２合金層４２が形成された積層体１０の第２端面１０ｆの周囲に位置する外表面を覆う部分の第２外部電極２２を介しての積層体１０の内部への水分およびめっき液の侵入が効果的に抑制できることになり、上述した第１合金層４１および第２合金層４２を設ける効果と相まって、全体として積層体１０の内部への水分およびめっき液の侵入が効果的に抑制できることになる。

したがって、上記構成を採用することにより、積層体１０に設けられる第１メインマージンＭＭ１、第２メインマージンＭＭ２、第１サイドマージンＳＭ１、第２サイドマージンＳＭ２、第１エンドマージンＥＭ１および第２エンドマージンＥＭ２を十分に薄型化することにより、静電容量を形成する内層部Ｃを大型化することが可能になる。

このように、本実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１とすることにより、チップサイズを０２０１サイズにまで小型化しつつも、耐湿性を確保することができるとともに静電容量を大きくすることが可能になる。

なお、第１外部電極２１および第２外部電極２２に含まれるＮｉめっき膜２１ｂ１，２２ｂ１の各々の厚みは、特に制限されるものではないが、積層体１０を限られた大きさの範囲内で大型化するために、２．０［μｍ］以上３．５［μｍ］以下とされることが好ましい。

また、第１外部電極２１および第２外部電極２２に含まれるＳｎめっき膜２１ｂ２，２２ｂ２の各々の厚みは、特に制限されるものではないが、積層体１０を限られた大きさの範囲内で大型化するために、３．０［μｍ］以上３．５［μｍ］以下とされることが好ましい。

一方、第１メインマージンＭＭ１および第２メインマージンＭＭ２の各々の厚み（すなわち高さ方向Ｈにおける寸法）は、特に制限されるものではないが、静電容量をより大きくするために、１０［μｍ］程度とされることが好ましい。

また、第１サイドマージンＳＭ１および第２サイドマージンＳＭ２の各々の厚み（すなわち幅方向Ｗにおける寸法）も、特に制限されるものではないが、静電容量をより大きくするために、１５［μｍ］程度とされることが好ましい。

さらに、第１エンドマージンＥＭ１および第２エンドマージンＥＭ２の各々の厚み（すなわち長さ方向Ｌにおける寸法）も、特に制限されるものではないが、静電容量をより大きくするために、２５［μｍ］程度とされることが好ましい。

ここで、図２を参照して、積層体１０の内部に形成された内層部Ｃに含まれる部分の誘電体層１１の第１平面ＰＬ１上における厚みをｄとした場合に、この厚みｄが、０．４［μｍ］以上０．７［μｍ］以下の条件（以下、これを第７条件と称する）を満たしていることが好ましい。

この厚みｄは、後述する積層セラミックコンデンサ１の製造過程におけるセラミックグリーンシートの形成の際に、個々のセラミックグリーンシートの厚みを調節するとともに、セラミックグリーンシートの圧着の際に、その圧着力を調節することにより、容易にコントロールすることができる。

上述した第７条件を満たすことにより、積層体１０の第１端面１０ｅおよび第２端面１０ｆに設けられる第１合金層４１および第２合金層４２の連続性をそれぞれ高めることが可能になり、第１合金層４１および第２合金層４２による第１端面１０ｅおよび第２端面１０ｆの被覆率をいずれも高めることができる。これは、第１端面１０ｅおよび第２端面１０ｆの双方において、第１合金層４１および第２合金層４２で覆うべき誘電体層１１の露出端部の厚みが必然的に小さくなるためであり、結果として、高さ方向Ｈにおいて隣り合う第１引出部１２ａ２間の間隔、および、高さ方向Ｈにおいて隣り合う第２引出部１２ｂ２間の間隔が小さくなるためである。

そのため、当該構成を採用することにより、第１端面１０ｅを覆う部分の第１外部電極２１を介しての水分およびめっき液の侵入、ならびに、第２端面１０ｆを覆う部分の第２外部電極２２を介しての水分およびめっき液の侵入をより確実に抑制することが可能になり、耐湿性の確保を確実ならしめることができる。

なお、図２を参照して、複数の内部電極層１２の各々の厚みｘは、特に制限されるものではないが、静電容量をより大きくするために、０．２５［μｍ］以上０．４［μｍ］以下とされることが好ましい。

また、第１下地電極層２１ａにおけるＣｕの含有量および第２下地電極層２２ａにおけるＣｕの含有量は、いずれも６５［ｗｔ％］以上とされることが好ましい。このように構成することにより、後述する積層セラミックコンデンサ１の製造過程における上述した下地電極層の焼付けの際に、相互拡散層である第１合金層４１および第２合金層４２の形成が促進されることになり、第１合金層４１および第２合金層４２の連続性をそれぞれ高めることが可能になる。

＜本発明の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの製造方法＞
図９は、本実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの製造方法を示すフロー図であり、図１０（Ａ）ないし図１０（Ｃ）は、図９に示すフローのうちの下地電極層の形成工程を詳細に説明するための模式図である。次に、これら図９および図１０を参照して、本実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１の製造方法について説明する。なお、以下に示す積層セラミックコンデンサ１の製造方法は、製造過程の途中段階まで一括して加工処理を行なうことでマザー積層体を製作し、その後にマザー積層体を分断して個片化し、個片化後の軟質積層体にさらに加工処理を施すことによって複数の積層セラミックコンデンサを同時に大量に生産する方法である。

図９に示すように、上述した積層セラミックコンデンサ１を製造するに際しては、まずステップＳ１において、セラミックススラリーが調製される。具体的には、セラミック粉末、バインダおよび溶剤などが所定の配合比率で混合され、これによりセラミックスラリーが形成される。

次に、ステップＳ２において、セラミックグリーンシートが形成される。具体的には、セラミックスラリーがキャリアフィルム上においてダイコータ、グラビアコータ、または、マイクログラビアコータなどを用いてシート状に成形されることにより、複数のセラミックグリーンシートが形成される。

次に、ステップＳ３において、導電パターンの印刷が行なわれる。具体的には、複数のセラミックグリーンシートのうちの一部に、所定のパターンを有するように導電性ペーストがスクリーン印刷法またはグラビア印刷法などを用いて印刷される。

次に、ステップＳ４において、セラミックグリーンシートが積層される。具体的には、導電パターンが形成されていないセラミックグリーンシートが所定枚数積層され、その上に、導電パターンが形成された複数のセラミックグリーンシートが順次積層され、さらにその上に、導電パターンが形成されていないセラミックグリーンシートが所定枚数積層される。

次に、ステップＳ５において、セラミックグリーンシートが圧着される。具体的には、積層されたセラミックグリーンシートが静水圧プレスまたは剛体プレス等によってその積層方向に沿って加圧されて圧着され、これによりマザー積層体が形成される。

次に、ステップＳ６において、マザー積層体が切断される。具体的には、押し切りまたはダイシングによってマザー積層体がマトリックス状に分断され、マザー積層体が複数の軟質積層体に個片化される。

次に、ステップＳ７において、軟質積層体の焼成が行なわれる。具体的には、個片化された軟質積層体を所定の条件で加熱処理し、これによって軟質積層体を焼成することで積層体１０が形成される。焼成温度は、使用する誘電体セラミックや導電性ペーストの種類に応じて適宜設定されるが、たとえばその焼成温度は、９００［℃］以上１３００［℃］以下である。

次に、ステップＳ８において、積層体のバレル研磨が行なわれる。具体的には、積層体がセラミック材料よりも硬度の高いメディアボールとともにバレルに封入され、当該バレルを回転させることにより、積層体の角部および稜部に丸みが付けられる。

このバレル研磨においては、上述した積層体１０の第１ないし第８稜部３１〜３８の各々の曲率半径Ｒ１〜Ｒ８が、上述した第１条件および第２条件を満たすように、その研磨量が調節される。

次に、ステップＳ９において、下地電極層の形成が行なわれる。具体的には、下地電極層の形成は、金属粉およびガラス粉を含む導電性ペーストに積層体の一部が浸漬されるいわゆるディップ法にて行なわれる。

より詳細には、図１０（Ａ）に示すように、まず、積層体１０の第１端面１０ｅが導電性ペースト２１’に対向するように配置され、この状態において図中に示す矢印方向に積層体１０が移動させられる。これにより、図１０（Ｂ）に示すように、積層体１０の第１端面１０ｅ寄りの部分が導電性ペースト２１’中に浸漬される。その後、図１０（Ｃ）に示すように、積層体１０が導電性ペースト２１’から離れるように移動させられることにより、積層体１０の第１端面１０ｅ寄りの部分に導電性ペースト２１’が付着する。

このとき、主として導電性ペースト２１’の粘度や積層体１０の導電性ペースト２１’に対する浸漬深さが調節されることにより、積層体１０の第１端面１０ｅ寄りの部分に付着する導電性ペースト２１’の量や付着位置が適正化される。これにより、後述する焼付け後の下地電極層の厚みを部位ごとに最適化することができる。なお、積層体１０の第１端面１０ｅ寄りの部分に導電性ペースト２１’が付着された後には、同様の手法にて、積層体１０の第２端面１０ｆ寄りの部分にも導電性ペースト２１’が付着される。

次に、ステップＳ１０において、下地電極層の焼付けが行なわれる。具体的には、導電性ペーストが付着された積層体を所定の条件で加熱処理し、これにより導電性ペーストが積層体に焼き付けられる。焼付け温度は、使用する導電性ペーストの種類に応じて適宜設定されるが、たとえばその焼付け温度は、６００［℃］以上８００［℃］以下である。

この下地電極層の焼付けの際に、積層体と下地電極層との界面において合金層が形成される。当該合金層は、積層体の内部電極層のＮｉが下地電極層のＣｕに拡散するとともに、下地電極層のＣｕが積層体の内部電極層のＮｉに拡散することで形成される。なお、ＮｉがＣｕに拡散する温度は、約４００［℃］以上であり、ＣｕがＮｉに拡散する温度は、約４００［℃］以上である。

次に、ステップＳ１１において、めっき膜が形成される。具体的には、下地電極層が焼き付けられた積層体がＮｉめっき浴に浸漬されることにより、下地電極層上にＮｉめっき膜が形成され、その後さらにこれがＳｎめっき浴に浸漬されることにより、Ｎｉめっき膜上にＳｎめっき膜が形成される。

以上の一連の工程を経ることにより、上述した本実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１が同時に大量に製造されることになる。

＜検証試験＞
図１１は、本発明に関連して行なった検証試験の結果を示す表である。以下、この図１１を参照して、上述した第１ないし第６条件を導き出すために行なった当該検証試験について説明する。

検証試験においては、積層体の各稜部の曲率半径と、外部電極の厚みとを種々変更し、これによって耐湿性にどのような変化が生じるかを確認した。なお、比較例１，２および実施例１〜６に係る各サンプルにおいては、上述した積層体の各稜部の曲率半径および外部電極の厚み以外の構成はすべて同一とした。ここで、図１１に示す表中における「稜部の曲率半径Ｒ［μｍ］」は、上述した曲率半径Ｒ１〜Ｒ８の平均値に該当し、図１１に示す表中における「端面被覆部の厚みＴ［μｍ］」は、上述した最大距離Ｔ１，Ｔ２の平均値に該当し、「主面被覆部および側面被覆部の厚みｔ［μｍ］は、上述した最大距離ｔ１〜ｔ８の平均値に該当する。

また、図１１に示す表中における「耐湿性の評価結果」は、いわゆるＰＣＢＴ試験法に基づいて各サンプルの耐湿性を確認した結果である。より詳細には、各サンプルを共晶半田を用いて配線基板に実装し、これを温度が１２５［℃］、相対湿度が９５［％ＲＨ］の高温高湿槽内に投入するとともに、２［Ｖ］の直流電流を一対の外部電極間に印加した状態とし、当該状態を７２時間にわたって維持した。そして、試験の前後において絶縁抵抗値が２桁以上低下しなかったものを「良」と判定し、試験の前後において絶縁抵抗値が２桁以上低下したものを「不良」と判定した。

図１１から理解されるように、比較例１，２においては、曲率半径Ｒ１〜Ｒ８がそれぞれ２．８［μｍ］、４．１［μｍ］であり、耐湿性の評価結果が「不良」であった。一方、実施例１〜６においては、曲率半径Ｒ１〜Ｒ８がそれぞれ５．４［μｍ］、６．０［μｍ］、７．３［μｍ］、１０［μｍ］、１０［μｍ］、１０［μｍ］であり、耐湿性の評価結果が「良」であった。

当該結果より、曲率半径Ｒ１〜Ｒ８がいずれも５．４［μｍ］以上１０［μｍ］以下である上述した第１条件および第２条件を満たすことにより、耐湿性が確保できることが確認された。

ここで、実施例１〜６においては、最大距離Ｔ１，Ｔ２が、いずれも８．４［μｍ］以上であり、最大距離Ｔ１，Ｔ２が８．４［μｍ］以上である上述した第３条件および第４条件の下限値を満たすことにより、耐湿性が確保できることが確認された。なお、最大距離Ｔ１，Ｔ２が１２．０［μｍ］以下である上述した第３条件および第４条件の上限値は、静電容量を大きくするために、当該静電容量を形成する内層部の体積を十分に確保するために要求されるものである。

また、実施例１〜６においては、最大距離ｔ１〜ｔ８が、いずれも３．７［μｍ］以上であり、最大距離ｔ１〜ｔ８が３．７［μｍ］以上である上述した第５条件および第６条件の下限値を満たすことにより、耐湿性が確保できることが確認された。なお、最大距離ｔ１〜ｔ８がいずれも４．５［μｍ］以下である上述した第５条件および第６条件の上限値は、下地電極層をディップ法にて形成する場合において、これら最大距離ｔ１〜ｔ８が、上述した最大距離Ｔ１，Ｔ２に応じておおよそ決定されるものであるため、最大距離Ｔ１，Ｔ２の上限値に基づいて導き出されるものである。

＜曲率半径Ｒ１〜Ｒ８の測定方法＞
曲率半径Ｒ１〜Ｒ８は、いずれもマイクロスコープによって積層セラミックコンデンサの各部を観察することで測定することができる。曲率半径Ｒ１〜Ｒ８の測定方法について、積層体１０の第１稜部３１の曲率半径Ｒ１を測定する場合を例示して詳細に説明する。図１２は、曲率半径Ｒ１の測定方法を示す模式図である。

図１２に示すように、積層体１０の第１稜部３１の曲率半径Ｒ１を測定するに際しては、積層セラミックコンデンサを研磨することにより、積層体１０の高さ方向Ｈおよび長さ方向Ｌの双方に平行でかつ幅方向Ｗにおける積層体１０の中央部を含む第１平面ＰＬ１を露出させ、次いで、マイクロスコープを用いて第１稜部３１を含む部分の拡大画像を取得し、取得した拡大画像に基づいて算術処理を行なう。

具体的には、まず、第１稜部３１に隣接する２辺のうちの一方の辺（当該一方の辺は、積層体１０の第１主面１０ａによって規定される）と第１稜部３１との境界点Ａを特定する。具体的には、当該一方の辺に沿った直線ａを描き、直線ａと積層体１０の輪郭線とが重なる部分のうちの第１稜部３１寄りの端点を特定し、この端点を境界点Ａとする。

次に、第１稜部３１に隣接する２辺のうちの上述した一方の辺とは異なる他方の辺（当該他方の辺は、積層体１０の第１端面１０ｅによって規定される）と第１稜部３１との境界点Ｂを特定する。具体的には、当該他方の辺に沿った直線ｂを描き、直線ｂと積層体１０の輪郭線とが重なる部分のうちの第１稜部３１寄りの端点を特定し、この端点を境界点Ｂとする。

次に、境界点Ａと境界点Ｂとを結ぶ線分ｃ１を描き、当該線分ｃ１の垂直二等分線ｃ２を描く。この垂直二等分線ｃ２と第１稜部３１とが重なる点を交点Ｑとして特定する。

次に、境界点Ａ、境界点Ｂおよび交点Ｑを通る円を描き、描いた円の中心Ｏと円弧との間の距離（すなわち、当該円の半径）を測定する。この距離が、第１稜部３１の曲率半径Ｒ１となる。

なお、第２稜部３２の曲率半径Ｒ２、第５稜部３５の曲率半径Ｒ５、および、第６稜部３６の曲率半径Ｒ６については、上述した第１稜部３１の曲率半径Ｒ１を測定する際に露出させた第１平面ＰＬ１の拡大画像に基づいて測定可能である一方、第３稜部３３の曲率半径Ｒ３、第４稜部３４の曲率半径Ｒ４、第７稜部３７の曲率半径Ｒ７、および、第８稜部３８の曲率半径Ｒ８については、積層体１０の幅方向Ｗおよび長さ方向Ｌの双方に平行でかつ高さ方向Ｈにおける積層体１０の中央部を含む第２平面ＰＬ２を露出させて当該第２平面ＰＬ２の拡大画像を取得することが必要になる。

＜最大距離Ｔ１，Ｔ２，ｔ１〜ｔ８の測定方法＞
最大距離Ｔ１，Ｔ２，ｔ１〜ｔ８は、いずれもマイクロスコープによって積層セラミックコンデンサの各部を観察することで測定することができる。最大距離Ｔ１，Ｔ２，ｔ１〜ｔ８の測定方法について、最大距離Ｔ１を測定する場合を例示して詳細に説明する。

最大距離Ｔ１を測定するに際しては、積層セラミックコンデンサを研磨することにより、積層体１０の高さ方向Ｈおよび長さ方向Ｌの双方に平行でかつ幅方向Ｗにおける積層体１０の中央部を含む第１平面ＰＬ１を露出させ、次いで、マイクロスコープを用いて積層体１０の第１端面１０ｅおよびこれを覆う部分の第１外部電極２１を含む部分の拡大画像を取得し、取得した拡大画像に基づいて算術処理を行なう。

具体的には、積層体１０の長さ方向Ｌと平行な方向に沿った第１端面１０ｅと第１下地電極層２１ａの外側表面との距離を、所定のインターバルで積層体１０の高さ方向Ｈに沿って段階的に測定する。測定されたこれら複数の距離のうち、最も大きい値が最大距離Ｔ１となる。ここで、段階的に距離を測定する際のインターバルは、積層体１０の高さ方向Ｈに沿って等間隔に少なくとも３箇所の位置において上記距離が測定されることとなるように決定する。

なお、最大距離Ｔ２、ｔ２，ｔ５，ｔ６については、上述した最大距離Ｔ１を測定する際に露出させた第１平面ＰＬ１の拡大画像に基づいて測定可能である一方、最大距離ｔ３，ｔ４，ｔ７，ｔ８については、積層体１０の幅方向Ｗおよび長さ方向Ｌの双方に平行でかつ高さ方向Ｈにおける積層体１０の中央部を含む第２平面ＰＬ２を露出させて当該第２平面ＰＬ２の拡大画像を取得することが必要になる。

＜その他の形態等＞
上述した本発明の実施の形態においては、第１下地電極層および第２下地電極層を覆う第１めっき膜および第２めっき膜として、Ｎｉめっき膜とＳｎめっき膜とからなる２層構造のめっき膜とした場合を例示して説明を行なったが、これらをそれぞれ１層のめっき膜にて構成してもよいし、３層以上のめっき膜にて構成してもよい。

また、上述した本発明の実施の形態において示した積層セラミックコンデンサの製造方法は、あくまでも一例であり、他の製造方法に従って積層セラミックコンデンサが製造されても当然に構わない。

このように、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって画定され、また特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。

１ 積層セラミックコンデンサ、１０ 積層体、１０ａ 第１主面、１０ｂ 第２主面、１０ｃ 第１側面、１０ｄ 第２側面、１０ｅ 第１端面、１０ｆ 第２端面、１１ 誘電体層、１２ 内部電極層、１２ａ 第１内部電極層、１２ａ１ 第１対向部、１２ａ２ 第１引出部、１２ｂ 第２内部電極層、１２ｂ１ 第２対向部、１２ｂ２ 第２引出部、２１ 第１外部電極、２１ａ 第１下地電極層、２１ｂ 第１めっき膜、２１ｂ１ Ｎｉめっき膜、２１ｂ２ Ｓｎめっき膜、２２ 第２外部電極、２２ａ 第２下地電極層、２２ｂ 第２めっき膜、２２ｂ１ Ｎｉめっき膜、２２ｂ２ Ｓｎめっき膜、３１ 第１稜部、３２ 第２稜部、３３ 第３稜部、３４ 第４稜部、３５ 第５稜部、３６ 第６稜部、３７ 第７稜部、３８ 第８稜部、４１ 第１合金層、４２ 第２合金層、Ｃ 内層部、ＭＭ１ 第１メインマージン、ＭＭ２ 第２メインマージン、ＳＭ１ 第１サイドマージン、ＳＭ２ 第２サイドマージン、ＥＭ１ 第１エンドマージン、ＥＭ２ 第２エンドマージン、ＰＬ１ 第１平面、ＰＬ２ 第２平面。

Claims (10)

1. 高さ方向において交互に積層された複数の誘電体層および複数の内部電極層を含み、前記高さ方向において相対する第１主面および第２主面、前記高さ方向に直交する幅方向において相対する第１側面および第２側面、ならびに、前記高さ方向および前記幅方向の双方に直交する長さ方向において相対する第１端面および第２端面を有する積層体と、
   前記第１端面を覆う第１外部電極と、
   前記第２端面を覆う第２外部電極と、を備え、
   前記複数の内部電極層は、前記第１外部電極に接続された複数の第１内部電極層と、前記第２外部電極に接続された複数の第２内部電極層とを含み、
   前記第１外部電極は、前記積層体側に位置する第１下地電極層と、前記第１下地電極層上に設けられた第１めっき膜とを含み、
   前記第２外部電極は、前記積層体側に位置する第２下地電極層と、前記第２下地電極層上に設けられた第２めっき膜とを含み、
   前記複数の第１内部電極層の各々と前記第１下地電極層とは、前記複数の第１内部電極層の各々を構成する金属と前記第１下地電極層を構成する金属とからなる第１合金層を介して接続され、
   前記複数の第２内部電極層の各々と前記第２下地電極層とは、前記複数の第２内部電極層の各々を構成する金属と前記第２下地電極層を構成する金属とからなる第２合金層を介して接続され、
   前記第１合金層は、前記複数の第１内部電極層が露出する部分の前記第１端面を当該第１端面の面内方向と平行な方向において連続的に覆い、
   前記第２合金層は、前記複数の第２内部電極層が露出する部分の前記第２端面を当該第２端面の面内方向と平行な方向において連続的に覆い、
   前記高さ方向および前記長さ方向の双方に平行でかつ前記幅方向における前記積層体の中央部を含む平面を第１平面とし、前記幅方向および前記長さ方向の双方に平行でかつ前記高さ方向における前記積層体の中央部を含む平面を第２平面とし、前記第１端面と前記第１主面とを接続する部分の前記積層体の稜部を第１稜部とし、前記第１端面と前記第２主面とを接続する部分の前記積層体の稜部を第２稜部とし、前記第１端面と前記第１側面とを接続する部分の前記積層体の稜部を第３稜部とし、前記第１端面と前記第２側面とを接続する部分の前記積層体の稜部を第４稜部とし、前記第２端面と前記第１主面とを接続する部分の前記積層体の稜部を第５稜部とし、前記第２端面と前記第２主面とを接続する部分の前記積層体の稜部を第６稜部とし、前記第２端面と前記第１側面とを接続する部分の前記積層体の稜部を第７稜部とし、前記第２端面と前記第２側面とを接続する部分の前記積層体の稜部を第８稜部とした場合に、前記第１平面上における前記第１稜部の曲率半径Ｒ１、前記第１平面上における前記第２稜部の曲率半径Ｒ２、前記第２平面上における前記第３稜部の曲率半径Ｒ３、および、前記第２平面上における前記第４稜部の曲率半径Ｒ４が、いずれも５．４［μｍ］以上１０［μｍ］以下の条件を満たすとともに、前記第１平面上における前記第５稜部の曲率半径Ｒ５、前記第１平面上における前記第６稜部の曲率半径Ｒ６、前記第２平面上における前記第７稜部の曲率半径Ｒ７、および、前記第２平面上における前記第８稜部の曲率半径Ｒ８が、いずれも５．４［μｍ］以上１０［μｍ］以下の条件を満たし、
   前記第１外部電極が、前記第１稜部、前記第２稜部、前記第３稜部および前記第４稜部の各々を覆うように、前記第１端面から前記第１主面、前記第２主面、前記第１側面および前記第２側面の各々の前記第１端面寄りの部分にまで延設され、
   前記第２外部電極が、前記第５稜部、前記第６稜部、前記第７稜部および前記第８稜部の各々を覆うように、前記第２端面から前記第１主面、前記第２主面、前記第１側面および前記第２側面の各々の前記第２端面寄りの部分にまで延設されている、積層セラミックコンデンサ。
2. 前記第１下地電極層の外側表面と前記第１端面との間の、前記第１平面上における前記長さ方向に沿った最大距離Ｔ１が、８．４［μｍ］以上１２［μｍ］以下の条件を満たすとともに、前記第２下地電極層の外側表面と前記第２端面との間の、前記第１平面上における前記長さ方向に沿った最大距離Ｔ２が、８．４［μｍ］以上１２［μｍ］以下の条件を満たしている、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
3. 前記第１下地電極層の外側表面と前記第１主面との間の、前記第１平面上における前記高さ方向に沿った最大距離ｔ１、前記第１下地電極層の外側表面と前記第２主面との間の、前記第１平面上における前記高さ方向に沿った最大距離ｔ２、前記第１下地電極層の外側表面と前記第１側面との間の、前記第２平面上における前記幅方向に沿った最大距離ｔ３、および、前記第１下地電極層の外側表面と前記第２側面との間の、前記第２平面上における前記幅方向に沿った最大距離ｔ４が、いずれも３．７［μｍ］以上４．５［μｍ］以下の条件を満たすとともに、前記第２下地電極層の外側表面と前記第１主面との間の、前記第１平面上における前記高さ方向に沿った最大距離ｔ５、前記第２下地電極層の外側表面と前記第２主面との間の、前記第１平面上における前記高さ方向に沿った最大距離ｔ６、前記第２下地電極層の外側表面と前記第１側面との間の、前記第２平面上における前記幅方向に沿った最大距離ｔ７、および、前記第２下地電極層の外側表面と前記第２側面との間の、前記第２平面上における前記幅方向に沿った最大距離ｔ８が、いずれも３．７［μｍ］以上４．５［μｍ］以下の条件を満たしている、請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサ。
4. 前記複数の第１内部電極層の各々は、前記高さ方向において前記複数の第２内部電極層に対向する第１対向部を有し、
   前記複数の第２内部電極層の各々は、前記高さ方向において前記複数の第１内部電極層に対向する第２対向部を有し、
   前記積層体は、前記第１対向部および前記第２対向部が前記高さ方向において積層されることで静電容量を形成する内層部を含み、
   前記内層部に含まれる部分の前記誘電体層の前記第１平面上における厚みｄが、０．４［μｍ］以上０．７［μｍ］以下の条件を満たしている、請求項１から３のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
5. 前記第１下地電極層および前記第２下地電極層が、いずれもディップ法によって塗布された導電性ペーストを焼き付けてなる焼結金属層にて構成されている、請求項１から４のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
6. 前記第１下地電極層を構成する金属、および、前記第２下地電極層を構成する金属が、いずれもＣｕである、請求項１から５のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
7. 前記第１下地電極層におけるＣｕの含有量が、６５［ｗｔ％］以上であり、
   前記第２下地電極層におけるＣｕの含有量が、６５［ｗｔ％］以上である、請求項６に記載の積層セラミックコンデンサ。
8. 前記複数の第１内部電極層の各々を構成する金属、および、前記複数の第２内部電極層の各々を構成する金属が、いずれもＮｉである、請求項１から７のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
9. 前記第１めっき膜が、前記第１下地電極層を覆うＮｉめっき膜と、当該Ｎｉめっき膜を覆うＳｎめっき膜とを含み、
   前記第２めっき膜が、前記第２下地電極層を覆うＮｉめっき膜と、当該Ｎｉめっき膜を覆うＳｎめっき膜とを含んでいる、請求項１から８のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
10. チップサイズが、０２０１サイズである、請求項１から９のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。