JP2021145083A - 配線構造及び半導体モジュール - Google Patents

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joint portion
joint
lead frame
semiconductor chip
wall
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忠彦 佐藤
Tadahiko Sato
忠彦 佐藤
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Fuji Electric Co Ltd
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Abstract

【課題】半導体モジュールの低背化を実現すること。【解決手段】リードフレーム（５）の一方側に配置される半導体チップに接合される接合部（５１）と、リードフレームの他方側に配置される接続対象に接合される接合部（５２）と、第１接合部と第２接合部とを連結する連結部（５３）とを有するリードフレーム構造において、連結部に、接合部（５１）及び接合部（５２）の主面（５１ａ、５２ａ）と交差する壁部（５３１、５３２）を設け、当該壁部で接合部（５１）の一部と接合部（５２）の一部とを連結する構成とした。【選択図】図１

Description

本発明は、配線構造及び半導体モジュールに関する。
半導体モジュールは、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、パワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）、ＦＷＤ（Free Wheeling Diode）等が形成された半導体チップが設けられ、産業用途としてエレベータなどのモータ駆動制御インバータ等に利用されている。また、近年では、車載用モータ駆動制御インバータにも広く利用されている。車載用モータ駆動制御インバータでは、燃費向上のため小型・軽量化や、エンジンルーム内の配置のため高温動作環境での長期信頼性が要求される。
このような小型・軽量化や高温動作環境での長期信頼性の要求に対応するために、半導体チップと電極パターンとの間を金属板配線方式で接続する半導体モジュールが知られている。金属板配線方式とは、金属板の型加工により成形された金属板配線を用いて、半導体チップを支持固定し、半導体チップと電極パターン等とを接続する方式である。従来、このような金属板配線方式を利用した半導体モジュールにおいて、封止樹脂の未充填領域の発生を防ぐために、金属板配線の配線部に貫通孔を設け、貫通孔を介して絶縁樹脂を充填可能とするものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００６−２０２８８５号公報
しかしながら、特許文献１に記載の半導体モジュールにおいては、例えば、補助エミッタ電極など金属板配線の一部から同電位のボンディングワイヤを結線する場合、金属板配線の上方側を通るようにボンディングワイヤを引き回す必要がある。この場合、ボンディングワイヤの一部が金属板配線の上方側に配置されることとなり、半導体モジュールを低背化することが困難となっている。
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、半導体モジュールの低背化を実現することができる配線構造及び半導体モジュールを提供することを目的の１つとする。
本実施形態の配線構造は、半導体チップと、前記半導体チップに対する接続対象とを電気的に接続する配線構造であって、導電部材の一方側に配置され、前記半導体チップに接合される第１接合部と、前記導電部材の他方側に配置され、前記接続対象に接合される第２接合部と、前記第１接合部と前記第２接合部とを連結する連結部と、を有し、前記連結部は、前記第１接合部及び前記第２接合部の主面と交差する壁部で構成され、当該壁部が前記第１接合部の一部と前記第２接合部の一部とを連結することを特徴としている。
本発明によれば、半導体モジュールの低背化を実現することが可能である。
本発明の第１の実施形態に係る配線構造が適用される半導体モジュールの構成を示す斜視図である。 第１の実施形態に係る半導体モジュールが有する導電部材の周辺の平面図である。 第１の実施形態に係る半導体モジュールが有する導電部材の展開図である。 第２の実施形態に係る配線構造が適用された半導体モジュールの構成を示す斜視図である。 第２の実施形態に係る半導体モジュールが有する導電部材の周辺の平面図である。 第２の実施形態に係る半導体モジュールに適用される半導体チップの構成を示す模式図である。 第２の実施形態に係る半導体モジュールが有する導電部材の展開図である。 第２の実施形態に係る半導体チップ上に設けられるセンサ配線の周辺の構成を示す模式図である。 第３の実施形態に係る配線構造が適用された半導体モジュールの構成を示す斜視図である。 第３の実施形態に係る半導体モジュールが有する導電部材の周辺の平面図である。 第３の実施形態に係る半導体モジュールが有する導電部材の展開図である。 本発明の変形例に係る配線構造の模式図である。 従来の金属板配線方式における金属板周辺の拡大図である。
車載用モータ駆動制御インバータ等に利用される半導体モジュールでは、小型・軽量化や高温動作環境での長期信頼性の要求に対応するために、半導体チップと電極パターンとの間を金属板配線で接続する金属板配線方式を採用するものが知られている。以下、従来の金属板配線方式における金属板周辺の構成について、図１３を参照して説明する。なお、金属板配線方式で利用される金属板は、リードフレームと呼ばれてもよい。以下においては、金属板配線方式で利用される導電部材について、適宜、リードフレームと呼ぶものとする。
図１３は、従来の金属板配線方式における金属板周辺の拡大図である。図１３Ａ及び図１３Ｂにおいては、それぞれ従来の金属板配線の構成について示す斜視図及び上面図を示している。ここでは、説明の便宜上、図１３に示す上下方向、左右方向及び前後方向を金属板（リードフレーム）の上下方向、左右方向及び前後方向として説明を行う。
図１３に示すように、例えば、リードフレーム９１は、電極パターン９２上に設けられた半導体チップ９３と、電極パターン９２と離間して配置された電極パターン９４に接合され、これらを電気的に接続する。電極パターン９２、９４は、不図示の絶縁基板上に設けられている。半導体チップ９３は、不図示のはんだにより電極パターン９２の上面に接合されている。
リードフレーム９１は、金属板に曲げ加工を施して構成され、概して水平方向（図１３に示す前後方向）に延在すると共に、その前方側及び後方側で下方側に屈曲する形状を有している。より具体的には、リードフレーム９１は、一方側（前方側）の端部に設けられ、半導体チップ９３の上面に接合される第１接合部９１１と、リードフレーム９１の他方側（後方側）の端部に設けられ、電極パターン９４の上面に接合される第２接合部９１２と、これらの第１接合部９１１及び第２接合部９１２を連結する連結部９１３とを有する。
連結部９１３は、第１接合部９１１よりも上方側に配置され、その前縁から垂下して設けられる垂下部９１３ａを有している。垂下部９１３ａは、第１接合部９１１の後縁に接続される。同様に、連結部９１３は、第２接合部９１２よりも上方側に配置され、その後縁から垂下して設けられる垂下部９１３ｂを有している。第１接合部９１１と第２接合部９１２とは、平行に構成されている。例えば、第１接合部９１１は、第２接合部９１２よりも高い位置に配置されるが、これに限定されない。
図１３においては、電極パターン９４を挟んで電極パターン９２と反対側に金属端子９５が設けられている。金属端子９５は、図示しない樹脂ケースに埋設されている。金属端子９５と第１接合部９１１の上面との間には、ボンディングワイヤ９６が接続されている。ボンディングワイヤ９６は、第１接合部９１１（金属端子９５）から連結部９１３の上方側を通るように引き回されて金属端子９５（第１接合部９１１）に接続されている。この場合、ボンディングワイヤ９６の一部がリードフレーム９１の上方側に配置されることとなり、半導体モジュールを低背化することが困難となっている。
本発明者は、第１接合部９１１及び第２接合部９１２を連結する連結部９１３が、第１接合部９１１及び第２接合部９１２よりも上方側の位置を第１接合部９１１及び第２接合部９１２と略平行に延在して配置されるリードフレーム９１の構成が半導体モジュールの低背化を阻害する要因となっていることに着目した。そして、ボンディングワイヤ９６の引き回しを阻害しないリードフレーム９１の構成を採用することが、半導体モジュールの低背化に寄与することを見出し、本発明に想到した。
すなわち、本発明の骨子は、リードフレーム（導電部材）の一方側に配置される半導体チップに接合される第１接合部と、リードフレームの他方側に配置される接続対象に接合される第２接合部と、第１接合部と第２接合部とを連結する連結部とを有する配線構造において、連結部を、第１接合部及び第２接合部の主面と交差する壁部で構成し、当該壁部で第１接合部の一部と第２接合部の一部とを連結することである。
本発明によれば、第１接合部の一部と第２接合部の一部が、第１接合部及び第２接合部の主面と交差する壁部で連結されることから、連結部が、第１接合部及び第２接合部よりも上方側の位置を第１接合部及び第２接合部と略平行に延在して配置されることがない。このため、側面視にて、連結部を構成する壁部と重複する空間を利用してボンディングワイヤを引き回すことができる。この結果、ボンディングワイヤを低い位置に配置することができるので、半導体モジュールの低背化を実現することができる。
以下、本発明の実施の形態に係る配線構造が適用される半導体モジュールの構成について、図面を参照して説明する。
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る配線構造が適用される半導体モジュール１の構成を示す斜視図である。以下においては、説明の便宜上、図１に示す前後方向、上下方向及び左右方向を半導体モジュール１の前後方向、上下方向及び左右方向として説明するものとする。しかしながら、本明細書上で用いる上下方向は、必ずしも重力方向に限定されない。
図１に示すように、半導体モジュール１は、上面に電極パターン２（２ａ、２ｂ）が設けられた絶縁基板３を備えている。絶縁基板３の上面には、離間して配置された電極パターン２ａ、２ｂが設けられている。例えば、電極パターン２ａ、２ｂは、銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）など金属の箔や板などで構成される。電極パターン２にはニッケル（Ｎｉ）などのメッキ層が設けられてもよい。なお、電極パターン２ｂは、後述するリードフレーム５の接続対象の一例を構成する。
電極パターン２ａの上面には、不図示のはんだを介して半導体チップ４が接合されている。例えば、半導体チップ４は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、パワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）等のスイッチング素子、ＦＷＤ（Free Wheeling Diode）などのダイオード等の半導体素子で構成される。半導体チップ４には、ＩＧＢＴとＦＷＤを一体化したＲＣ（Reverse Conducting）−ＩＧＢＴ、逆バイアスに対して十分な耐圧を有するＲＢ（Reverse Blocking）−ＩＧＢＴ等の半導体素子で構成されてもよい。半導体チップ４は、シリコン（Ｓｉ）、炭化けい素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）などの半導体基板を用いて形成されてよい。
半導体チップ４の上面及び電極パターン２ｂの上面には、電気接続用の配線として、リードフレーム５が接合されている。リードフレーム５は、金属板に曲げ加工を施して構成され、概して水平方向（図１に示す前後方向）に延在する形状を有している。リードフレーム５は、その一方側（図１に示す前方側）に配置された半導体チップ４と、その他方側（図１に示す後方側）に配置された電極パターン２ｂとを電気的に接続する。なお、リードフレーム５の構成については後述する。
絶縁基板３の下面には、図示しない電極パターンが設けられている。この電極パターンは、絶縁基板３の下面にはんだ接合されている。絶縁基板３は、この電極パターンを挟んで金属基板６に接合（はんだ接合）されている。金属基板６は、例えば、図示しない放熱フィンを有し、半導体モジュール１の駆動に伴って発生する熱を放熱する役割を果たす。
半導体モジュール１は、モジュールを構成する部材を収容する樹脂ケース７を備えている。樹脂ケース７は、上方側に開口した形状を有する。樹脂ケース７の一部には、金属端子８が埋め込まれている。金属端子８は、その一部が樹脂ケース７の後面部７１に設けられた凹部７２の上面から露出する一方、その他部が後面部７１の外壁面（例えば、図１に示す後方側の外壁面）から露出している。凹部７２の上面から露出する金属端子８の一部と、後述するリードフレーム５の接合部５１の上面との間には、ボンディングワイヤ９が接続されている。
樹脂ケース７の内部には、上記のように構成された半導体モジュール１の構成部品が配置される。このように構成部品が配置された状態で、樹脂ケース７の内部には、エポキシなどの硬化性樹脂や、シリコーンゲル等を含む封止樹脂（図示略）が充填される。このように封止樹脂を充填することで、半導体チップ４等が絶縁保護される。
ここで、本実施の形態に係る半導体モジュール１が有するリードフレーム５の構成について、図１及び図２を参照して説明する。図２は、第１の実施形態に係る半導体モジュール１が有するリードフレーム５の周辺の平面図である。図２において、図１と共通の構成については、同一の符号を付与し、説明を省略する。
図１及び図２に示すように、リードフレーム５は、一方側（前方側）の端部に設けられ、半導体チップ４の上面に接合される接合部５１と、リードフレーム５の他方側（後方側）の端部に設けられ、電極パターン２ｂの上面に接合される接合部５２と、これらの接合部５１と接合部５２とを連結する連結部５３とを有する。接合部５１は、第１接合部の一例を構成し、接合部５２は、第２接合部の一例を構成する。
接合部５１は、はんだを介して半導体チップ４の上面に接合されている。接合部５１は、前後方向及び左右方向に延在する主面５１ａを有している。ここで、主面５１ａとは、接合部５１の面のうち、最も面積が大きい面と、その裏面を指す。接合部５２は、はんだを介して電極パターン２ｂの上面に接合されている。接合部５２は、前後方向及び左右方向に延在する主面５２ａを有している。ここで、主面５２ａとは、接合部５２の面のうち、最も面積が大きい面と、その裏面を指す。電極パターン２ｂは、接合部５２の接続対象の一例を構成する。なお、接合部５２の接続対象は、電極パターン２ｂに限定されず、半導体モジュール１の外部端子や他の半導体チップなどの構成が含まれる。
連結部５３は、接合部５１の主面５１ａ及び接合部５２の主面５２ａと交差する一対の壁部５３１、５３２を有している。壁部５３１、５３２は、壁部５３１、５３２の面が接合部５１の主面５１ａ及び接合部５２の主面５２ａと直交する方向（より具体的には、上方側）に延びるように設けられている。しかしながら、壁部５３１、５３２の構成についてはこれに限定されない。例えば、壁部５３１、５３２は、接合部５１の主面５１ａ及び接合部５２の主面５２ａに対して傾斜する方向に延びるように設けられてもよい。
壁部５３１、５３２は、それぞれ接合部５１の主面５１ａの一部と、接合部５２の主面５２ａの一部とを連結する。本実施の形態に係る半導体モジュール１において、壁部５３１は、接合部５１の主面５１ａの左方側の側縁部（左側縁部）と、接合部５２の主面５２ａの左縁部とを連結する。同様に、壁部５３２は、接合部５１の主面５１ａの右方側の側縁部(右側縁部)と、接合部５２の主面５２ａの右側縁部とを連結する。
壁部５３１の下端側の中央には、開口部５３１ａが設けられている。開口部５３１ａは、接合部５１と接合部５２との間（両者の前後方向の間）において、下方側（接合部５１、５２側）に向けて開口している。このように開口部５３１ａが設けられることにより、壁部５３１は、アーチ状又は弧状の形状を有し、接合部５１の主面５１ａの左側縁部と、接合部５２の左側縁部とをアーチ状又は弧状に連結する構成を有している。すなわち、壁部５３１は、前方側下端部及び後方側下端部でそれぞれ接合部５１及び接合部５２に接続される一方、両者の間の領域で接合部５１及び接合部５２から離間する位置で延在している。
同様に、壁部５３２の下端側には、開口部５３２ａが設けられている。開口部５３２ａは、接合部５１と接合部５２との間（両者の前後方向の間）において、下方側（接合部５１、５２側）に向けて開口している。このように開口部５３２ａが設けられることにより、壁部５３２は、アーチ状又は弧状の形状を有し、接合部５１の主面５１ａの右側縁部と、接合部５２の右側縁部とをアーチ状又は弧状に連結する構成を有している。すなわち、壁部５３２は、前方側下端部及び後方側下端部でそれぞれ接合部５１及び接合部５２に接続される一方、両者の間の領域で接合部５１及び接合部５２から離間する位置で延在している。
なお、本実施の形態に係る半導体モジュール１においては、連結部５３を構成する壁部５３１、５３２が平面で構成される場合について説明しているが（図１及び図２参照）、これに限定されるものではなく適宜変更が可能である。例えば、壁部５３１、５３２は、ボンディングワイヤ９の引き回しに影響を与えない範囲内で、その一部に屈曲する形状を有していてもよい。また、連結部５３が一対の壁部５３１、５３２で構成される場合について説明しているが、これに限定されるものではなく適宜変更が可能である。例えば、連結部５３は、壁部５３１のみ、或いは、壁部５３２のみで構成することも可能である。
ここで、第１の実施形態に係るリードフレーム５の構成について、図３を参照しながら説明する。図３は、第１の実施形態に係る半導体モジュール１が有するリードフレーム５の展開図である。リードフレーム５は、所定の厚みを有する金属板に対して曲げ加工（型加工）を施すことで形成される。金属板は全体に亘って同一の厚み寸法を有してよい。
図３に示すように、リードフレーム５の材料となる金属板５０は、平面視にて、概して長方形状を有している。金属板５０は、前後方向に長辺を有し、左右方向に短辺を有した状態で配置されている。金属板５０の四隅部には、面取り加工が施されている。金属板５０の中央には、概して長方形状の開口部５０１が形成されている。開口部５０１は、左右方向に長辺を有し、前後方向に短辺を有した状態で形成されている。
図３に示す金属板５０においては、開口部５０１の中心Ｃから同一の長さＬａだけ離間した位置に折り曲げ線Ｌ１、Ｌ２が設定されている。すなわち、これらの折り曲げ線Ｌ１、Ｌ２は、開口部の中心Ｃから長さＬａだけ離間した位置で前後方向に沿って直線状に延びている。一方、開口部５０１の左右方向の端部を通る直線Ｌ３、Ｌ４は、中心Ｃから同一の長さＬｂだけ離間した位置で前後方向に沿って直線上に延びている。ここで、長さＬｂは、長さＬａよりも長い。このため、折り曲げ線Ｌ１、Ｌ２は、開口部５０１の左右方向の端部を通る直線Ｌ３、Ｌ４よりも内側の位置に配置されている。
リードフレーム５は、これらの折り曲げ線Ｌ１、Ｌ２よりも左右方向の外側部分を上方側に折り曲げることにより形成される。言い換えると、リードフレーム５は、折り曲げ線Ｌ１、Ｌ２よりも左右方向の外側部分を、折り曲げ線Ｌ１、Ｌ２の内側部分に対して谷折りすることで形成される。図３に示す金属板５０において、折り曲げ線Ｌ１、Ｌ２よりも左右方向の外側に配置される部分は、それぞれ壁部５３１、５３２を構成する。一方、折り曲げ線Ｌ１、Ｌ２よりも内側に配置される部分は、前方側部分において接合部５１を構成し、後方側部分において接合部５２を構成する。また、折り曲げ線Ｌ１よりも外側（左方側）に配置される開口部５０１の一部は、開口部５３１ａを構成する。同様に、折り曲げ線Ｌ２よりも右方側に配置される開口部５０１の一部は、開口部５３２ａを構成する。
第１の実施形態に係る半導体モジュール１においては、このように形成されるリードフレーム５が、半導体チップ４の上面及び電極パターン２ｂの上面に接合されることで、半導体チップ４と電極パターン２ｂとが電気的に接続される。この場合において、リードフレーム５を構成する壁部５３１、５３２は、接合部５１及び接合部５２と実質的に直交する方向に延びて配置されている。このため、壁部５３１と壁部５３２との間には、リードフレーム５の一部が配置されることはない。第１の実施形態に係る半導体モジュール１では、この接合部５１と接合部５２との間の空間にボンディングワイヤ９を配置している。
第１の実施形態に係るリードフレーム５においては、接合部５１の一部と接合部５２の一部が、接合部５１及び接合部５２の主面５１ａ、５２ａと交差する壁部５３１、５３２で連結されている。このため、連結部５３が、接合部５１及び接合部５２よりも上方側の位置を接合部５１及び接合部５２と略平行に延在して配置されることがない。これにより、側面視にて連結部５３を構成する壁部５３１、５３２と重複する空間を利用してボンディングワイヤ９を引き回すことができる。この結果、ボンディングワイヤ９を低い位置に配置することができるので、半導体モジュール１の低背化を実現することができる。
壁部５３１、５３２の幅の合計は、第１接合部５１の幅または第２接合部５２の幅以上であることが好ましい。図３に示すように、壁部５３１の上端５３１ｔと開口部５３１ａの間の長さＬｃ１を壁部５３１の幅、壁部５３２の上端５３２ｔと開口部５３２ａの間の長さＬｃ２を壁部５３２の幅とするとき、Ｌｃ１とＬｃ２の和は好ましくは、第１接合部５１の幅２Ｌａ以上、または、第２接合部５１の幅２Ｌａ以上である。壁部５３１、５３２の幅Ｌｃ１、Ｌｃ２は同じでも異なってもよい。壁部５３１、５３２はそれぞれ、第１接合部５１と第２接合部５２の間において、Ｌｃ１、Ｌｃ２以上の幅を有することが望ましい。このような幅を有する壁部５３１、５３２により、連結部５３における電気抵抗、発熱や損失を抑制できる。壁部５３１の上端５３１ｔおよび壁部５３２の上端５３２ｔは、樹脂ケース７の上面の高さ以下、好ましくは、樹脂ケース７に充填される封止樹脂上面の高さ以下であってよい。
さらに、第１接合部５１と壁部５３１，５３２の交線の長さをＬ５１、第２接合部５２と壁部５３１，５３２の交線の長さをＬ５２とするとき、壁部５３１、５３２の幅Ｌｃ１、Ｌｃ２は好ましくは、Ｌ５１以上および／またはＬ５２以上である。
また、連結部５３を構成する壁部５３１、５３２は、接合部５１及び接合部５２と実質的に直交する方向に延びることから、上面視にて、壁部５３１と壁部５３２との間には、リードフレーム５の一部が配置されることはない（図２参照）。図１３に示すような従来のリードフレームでは、連結部９１３の下部に配置された異物を確認することが困難であったが、上記のように連結部５３を構成することにより、異物の確認作業を簡単に行うことができる。また、図１３に示すような従来のリードフレームでは、連結部９１３の下方部分を樹脂封止することが困難であったが、上記のように連結部５３を構成することにより、該当部分に適切に封止樹脂を充填することができる。
接合部５１，５２の主面と壁部５３１、５３２の接合部側の主面がなす角度θ（図１参照）は、９０度以上１３５度以下、好ましくは９０度以上１２０度以下、さらに好ましくは実質的に９０度であってよい。角度θが、１３５度以下であるとワイヤ９を接合部５１、５２にボンディングする時のツールの干渉を避け、壁部５３１、５３２の幅Ｌｃ１、Ｌｃ２を大きくして連結部５３の電気抵抗を小さくすることができ、１２０度以下であるとリードフレーム５周辺への封止材の充填が容易になり、実質的に９０度であると連結部５３下側の検査が容易になる。
また、連結部５３を構成する壁部５３１、５３２の下端部には、下方側に開口した開口部５３１ａ、５３２ａが形成されている。これにより、半導体チップ４の側縁部近傍における応力集中が好ましくない部分を回避しながら、半導体チップ４と電極パターン２ａとを電気的に接続することができる。
さらに、リードフレーム５においては、リードフレーム５の材料となる金属板５０に曲げ加工を施すことで、開口部５３１ａ、５３２ａを有する壁部５３１、５３２が形成される。これにより、金属板５０に曲げ加工を施すだけで連結部５３が形成されることから、複雑な加工工程を必要とすることなく、リードフレーム５を製造することができる。
特に、金属板５０のうち、接合部５１及び接合部５２の外側部分に曲げ加工を施すことで壁部５３１、５３２を形成している。このため、曲げ加工の過程で接合部５１及び接合部５２の位置が上下方向に移動することはない。このため、接合部５１の主面５１ａと接合部５２の主面５２ａとを平行に配置し易くすることができる。これにより、リードフレーム５の内部応力によって半導体モジュール１を構成する絶縁基板３に反りが発生する事態を抑制することができる。図１３に示すような従来のリードフレームの構成では、リードフレームの延在方向に直交する方向に曲げ加工が行われる結果、第１接合部９１１と第２接合部９１２とが平行に配置されない場合がある。この場合には、リードフレームの内部応力によって絶縁基板に反りが発生し得る。上記のように金属板５０に対する曲げ加工を行うことでリードフレーム５を形成することにより、このような反りの発生を抑制することができる。
（第２の実施形態）
第２の実施形態に係るリードフレームは、接合部５１及びその周辺の構成が異なる点において、第１の実施形態に係るリードフレーム５と相違する。以下、第２の実施形態に係るリードフレームの構成について、第１の実施形態との相違点を中心に説明する。図４は、本発明の第２の実施形態に係るリードフレーム５Ａが適用された半導体モジュール１の構成を示す斜視図である。図５は、第２の実施形態に係る半導体モジュール１が有するリードフレーム５Ａの周辺の平面図である。図４及び図５において、図１及び図２と共通の構成については、同一の符号を付与して説明を省略する。
図４及び図５に示すように、リードフレーム５Ａは、接合部５１が左右方向に分割されている点及び分割された接合部５１を連結する補助連結部５４を有する点において第１の実施形態に係るリードフレーム５と相違する。
接合部５１は、左右方向に分割された一対の接合部５１ｂ及び接合部５１ｃを有している。接合部５１ｂと接合部５１ｃとの間には、前後方向に沿ってスリット５１ｄが形成されている。接合部５１は、このスリット５１ｄにより接合部５１ｂと接合部５１ｃとに分割されている。スリット５１ｄは、後述する半導体チップ４上のセンサ配線４９の一部に沿って形成されている。また、スリット５１ｄは、後述する半導体チップ４上の温度センスダイオード４８に対応する位置に配置されている。さらに、スリット５１ｄの前端部は、後述する補助連結部５４の開口部５４ａに連続して設けられている。
補助連結部５４は、接合部５１（接合部５１ｂ及び接合部５１ｃ）の前方側に配置されている。補助連結部５４は、接合部５１の前縁部に連続して設けられている。補助連結部５４は、接合部５１の前縁部から上方側に延びている。補助連結部５４は、接合部５１よりも上方側の位置にて、接合部５１ｂと接合部５１ｃとを連結している。補助連結部５４の下端部であって左右方向の中央近傍には、開口部５４ａが形成されている。この開口部５４ａは、接合部５１を分割するスリット５１ｄに連続して設けられている。
ここで、第２の実施形態に係る半導体モジュール１に適用される半導体チップ４の構成について、図６を参照して説明する。図６は、第２の実施形態に係る半導体モジュール１に適用される半導体チップ４の構成を示す模式図である。
図６に示すように、半導体チップ４の上面には、表面電極としてエミッタ電極４１が設けられている。エミッタ電極４１は、半導体チップ４の上面の大部分を占めている。エミッタ電極４１は、ソース電極と呼ばれてもよい。エミッタ電極４１の右端部には、補助エミッタ電極４２が前方側に突出して設けられている。エミッタ電極４１の前方側であって、補助エミッタ電極４２の左方側には、アノード電極４３、カソード電極４４、ゲート電極４５及び電流センス電極４６が並べて設けられている。
半導体チップ４の上面の外周近傍には、ゲートランナー４７が設けられている。ゲートランナー４７は、ゲート配線の一例を構成する。ゲートランナー４７は、エミッタ電極４１、補助エミッタ電極４２、アノード電極４３、カソード電極４４、ゲート電極４５及び電流センス電極４６の外側にて、環状に構成されている。ゲートランナー４７は、半導体チップ４の前端部にてゲート電極４５に接続されている。
エミッタ電極４１の左右方向の中央部には、前端部から後方側に向かって切欠き部４１ａが形成されている。切欠き部４１ａは、エミッタ電極４１の前後方向の中央近傍まで形成されている。切欠き部４１ａの後端部近傍には、温度センスダイオード４８が設けられている。温度センスダイオード４８は、温度センサの一例を構成するものであり、半導体チップ４の温度を検出する。温度センスダイオード４８には、一対のセンサ配線４９（４９ａ、４９ｂ）が接続されている。センサ配線４９ａ、４９ｂは、切欠き部４１ａを通ってそれぞれアノード電極４３及びカソード電極４４に接続されている。ここでは、切欠き部４１ａに一対のセンサ配線４９（４９ａ、４９ｂ）が配置される場合について説明しているが、これに限定されない。例えば、切欠き部４１ａには、ゲートランナー４７が配置されてもよい。
ここで、第２の実施形態に係るリードフレーム５Ａの構成について、図７を参照しながら説明する。図７は、第２の実施形態に係る半導体モジュール１が有するリードフレーム５Ａの展開図である。図７において、図３と共通の構成については同一の符号を付与し、その説明を省略する。リードフレーム５Ａは、全体に亘って同一の厚み寸法を有する金属板に対して曲げ加工（型加工）を施すことで形成される。
図７に示すように、リードフレーム５Ａの材料となる金属板５０Ａは、左右方向の中央において、前方側に突出する突出部５０２が設けられる点、並びに、開口部５０１の前方側に切欠き部５０３が形成される点において、第１の実施形態に係る金属板５０と相違する。突出部５０２は、金属板５０Ａの前方側の外周辺に沿って配置される折り曲げ線Ｌ５よりも前方側に突出して設けられている。切欠き部５０３は、前後方向に延伸し、開口部５０１から突出部５０２における折り曲げ線Ｌ５よりも前方側の位置まで形成されている。
リードフレーム５Ａは、折り曲げ線Ｌ１、Ｌ２よりも左右方向の外側部分を上方側に折り曲げると共に、折り曲げ線Ｌ５よりも前方側部分を上方側に折り曲げることにより形成される。言い換えると、リードフレーム５Ａは、折り曲げ線Ｌ１、Ｌ２よりも左右方向の外側部分を折り曲げ線Ｌ１、Ｌ２の内側部分に対して谷折りすると共に、折り曲げ線Ｌ５よりも前方側部分を折り曲げ線Ｌ５の後方側部分に対して谷折りすることで形成される。図７に示す金属板５０Ａにおいて、突出部５０２は、補助連結部５４を構成する。また、切欠き部５０３における折り曲げ線Ｌ５よりも後方側に配置される部分は、スリット５１ｄを構成する。一方、切欠き部５０３における折り曲げ線Ｌ５よりも前方側に配置される部分は、補助連結部５４の開口部５４ａを構成する。
第２の実施形態に係る半導体モジュール１においては、このように形成されるリードフレーム５Ａが、半導体チップ４の上面及び電極パターン２ｂの上面に接合されることで、半導体チップ４と電極パターン２ｂとが電気的に接続される。この場合において、リードフレーム５Ａを構成する接合部５１は、図５に示すように、スリット５１ｄが半導体チップ４のセンサ配線４９に対応するように配置される。このため、センサ配線４９の上方側には、リードフレーム５Ａの一部（接合部５１）が配置されることがない。これにより、センサ配線４９の上方側へのリードフレーム５Ａの配置に起因して半導体チップ４が破損する事態の発生を防止することができる。
ここで、半導体チップ４におけるセンサ配線４９の周辺の構成について、図８を参照して説明する。図８は、半導体チップ４上に設けられるセンサ配線４９の周辺の構成を示す模式図である。図８Ａにおいては、図６に示す破線Ａ−Ａ線の断面を示している。図８Ｂにおいては、参照例として、スリット５１ｄが形成されていない接合部５１が接合される場合の半導体チップ４のセンサ配線４９の周辺の構成を示している。なお、図８Ｂにおいては、説明の便宜上、第２の実施形態で使用される符号を付与している。
図８Ａに示すように、半導体チップ４においては、半導体チップ４を構成する層間絶縁膜４ａ上にエミッタ電極４１及びセンサ配線４９ａ、４９ｂが設けられている。エミッタ電極４１上には、メッキ電極４ｂが設けられている。センサ配線４９ａ、４９ｂ上には、これらの絶縁を確保するためにポリイミド４ｃが設けられている。接合部５１に形成されたスリット５１ｄは、ポリイミド４ｃの上方側に配置される。
接合部５１を構成する接合部５１ｂは、ポリイミド４ｃの左方側に配置されるメッキ電極４ｂにはんだ４ｄを介して接合される。同様に、接合部５１を構成する接合部５１ｃは、ポリイミド４ｃの右方側に配置されるメッキ電極４ｂにはんだ４ｄを介して接合される。このため、接合部５１ｂ、５１ｃを半導体チップ４に接合する際、ポリイミド４ｃに対してはんだ４ｄが押し付けられることはない。
一方、図８Ｂに示すように、接合部５１にスリット５１ｄが形成されていない場合、接合部５１は、メッキ電極４ｂに対応する位置に配置されたはんだ４ｄによりメッキ電極４ｂに接合される。この場合、はんだ４ｄがポリイミド４ｃ上に配置されると、ポリイミド４ｃの上方側に配置された接合部５１の一部によりはんだ４ｄの一部がポリイミド４ｃに押し付けられる。この場合、例えば、ポリイミド４ｃに傷が入っていると、はんだ４ｄがポリイミド４ｃの内部に入り込んでセンサ配線４９に接触してしまう。この結果、リードフレーム５Ａとセンサ配線４９とが電気的に接続されることとなり、半導体チップ４が破損する事態が発生し得る。第２の実施形態に係るリードフレーム５Ａでは、接合部５１にスリット５１ｄを設けることにより、このような半導体チップ４の破損を防止している。
第２の実施形態に係るリードフレーム５Ａにおいては、半導体チップ４上に設けられるセンサ配線４９に対応する位置にスリット５１ｄが設けられることから、半導体チップ４に対してリードフレーム５Ａを接合する際に、接合に伴う押圧力に起因して半導体チップ４が破損する事態を防止することができる。特に、リードフレーム５Ａにおいては、切欠き部５０３を形成しておいた金属板５０Ａに曲げ加工を施すだけでスリット５１ｄを形成することができるので、複雑な加工工程を必要とすることなく半導体チップ４の破損を防止できるリードフレーム５Ａを形成することができる。
また、第２の実施形態に係るリードフレーム５Ａにおいては、スリット５１ｄにより分割された接合部５１ｂと接合部５１ｃとを連結する補助連結部５４を備えている。これにより、スリット５１ｄを設けた場合であっても、接合部５１ｂと接合部５１ｃとを一部材として取り扱うことができるので、リードフレーム５Ａに電流を流れ易くすることができると共に、半導体モジュール１を組み立てる際の作業効率を向上することができる。特に、リードフレーム５Ａにおいては、突出部５０２を形成しておいた金属板５０Ａに曲げ加工を施すだけで補助連結部５４を形成することができるので、複雑な加工工程を必要とすることなく導電性及び作業性に優れたリードフレーム５Ａを形成することができる。
さらに、第２の実施形態に係るリードフレーム５Ａにおいて、接合部５１には、半導体チップ４上に設けられる温度センスダイオード４８に対応する位置にスリット５１ｄが設けられることから、リードフレーム５Ａを接合する際に接合部５１の下面で温度センスダイオード４８が閉塞されるのを防止することができる。これにより、接合部５１の上面側に露出した状態で半導体チップ４の温度を検出することができるので、温度センスダイオード４８による検出精度を向上することができる。
（第３の実施形態）
第３の実施形態に係るリードフレームは、接合部５１の構成が異なる点において、第２の実施形態に係るリードフレーム５と相違する。以下、第３の実施形態に係るリードフレームの構成について、第２の実施形態との相違点を中心に説明する。図９は、本発明の第３の実施形態に係るリードフレーム５Ｂが適用された半導体モジュール１の構成を示す斜視図である。図１０は、第３の実施形態に係る半導体モジュール１が有するリードフレーム５Ｂの周辺の平面図である。図９及び図１０において、図４及び図５と共通の構成については、同一の符号を付与して説明を省略する。
図９及び図１０に示すように、リードフレーム５Ｂは、接合部５１が前後方向に分割されている点において第２の実施形態に係るリードフレーム５と相違する。なお、リードフレーム５Ｂにおいて、補助連結部５４は設けられていない。
接合部５１は、前後方向に分割された一対の接合部５１ｅ及び接合部５１ｆを有している。接合部５１ｅと接合部５１ｆとの間には、左右方向に沿ってスリット５１ｇが形成されている。接合部５１は、このスリット５１ｇにより接合部５１ｅと接合部５１ｆとに分割されている。スリット５１ｇは、第２の実施形態に係るスリット５１ｄと同様に、半導体チップ４上のセンサ配線４９の一部に沿って形成され、半導体チップ４上の温度センスダイオード４８に対応する位置に配置されている。さらに、スリット５１ｇの左端部は、壁部５３１の下端部に形成された開口部５３１ｂに連続して設けられている。同様に、スリット５１ｇの右端部は、壁部５３２の下端部に形成された開口部５３２ｂに連続して設けられている。
図１０に示すように、リードフレーム５Ｂが接合される半導体チップ４は、平面視にて、９０度回転している点で、第２の実施形態に係る半導体モジュール１と相違する。半導体チップ４の構成は、第２の実施形態に係る半導体チップ４と同一である。
ここで、第３の実施形態に係るリードフレーム５Ｂの構成について、図１１を参照しながら説明する。図１１は、第３の実施形態に係る半導体モジュール１が有するリードフレーム５Ｂの展開図である。図１１において、図７と共通の構成については同一の符号を付与し、その説明を省略する。リードフレーム５Ｂは、全体に亘って同一の厚み寸法を有する金属板に対して曲げ加工（型加工）を施すことで形成される。
図１１に示すように、リードフレーム５Ｂの材料となる金属板５０Ｂは、開口部５０１の前方側にて切欠き部５０４が形成される点及び突出部５０２が設けられていない点において、第２の実施形態に係る金属板５０Ａと相違する。切欠き部５０４は、左右方向に沿って形成されている。切欠き部５０４の左方側端部は、折り曲げ線Ｌ１よりも左方側の位置に配置され、切欠き部５０４の右方側端部は、折り曲げ線Ｌ２よりも右方側の位置に配置されている。
リードフレーム５Ｂは、これらの折り曲げ線Ｌ１、Ｌ２よりも左右方向の外側部分を上方側に折り曲げることにより形成される。図１１に示す金属板５０Ｂにおいて、切欠き部５０４は、接合部５１のスリット５１ｇを構成する。また、この切欠き部５０４よりも前方側であって、折り曲げ線Ｌ１と折り曲げ線Ｌ２との間に配置される部分は、接合部５１ｅを構成する。一方、切欠き部５０４よりも後方側であって、折り曲げ線Ｌ１と折り曲げ線Ｌ２との間に配置される部分は、接合部５１ｆを構成する。切欠き部５０４における折り曲げ線Ｌ１よりも左方側に配置される部分は、開口部５３１ｂを構成する。また、切欠き部５０４における折り曲げ線Ｌ２よりも右方側に配置される部分は、開口部５３２ｂを構成する。
第３の実施形態に係る半導体モジュール１においては、このように形成されるリードフレーム５Ｂが、半導体チップ４の上面及び電極パターン２ｂの上面に接合されることで、半導体チップ４と電極パターン２ｂとが電気的に接続される。この場合において、リードフレーム５Ｂを構成する接合部５１は、図１０に示すように、スリット５１ｇが半導体チップ４のセンサ配線４９に対応するように配置される。このため、センサ配線４９の上方側には、リードフレーム５Ｂの一部（接合部５１）が配置されることがない。これにより、第２の実施形態と同様に、センサ配線４９の上方側へのリードフレーム５Ｂの配置に起因して半導体チップ４が破損する事態の発生を防止することができる。
（変形例）
図１２は配線構造の変形例を示す。
図１２Ａの例において、リードフレーム１０５は、第１の実施形態のリードフレーム５と同様の形状であり、スイッチング素子を含む半導体チップ１０４ｔとダイオードを含む半導体チップ１０４ｄを電気的に接続する。リードフレーム１０５は、一対の接合部１５１、１５１と、接合部１５１、１５１に立設された一対の壁部１５３１、１５３２とを含む。一方の接合部１５１は半導体チップ１０４ｔの上面電極に接合され、他方の接合部１５１は半導体チップ１０４ｄの上面電極に接合される。
図１２Ｂの例において、リードフレーム１０５は、一の電極パターン１０２上に設けられた２つの半導体チップ１０４と、他の電極パターン１０２を電気的に接続する。リードフレーム１０５および一の電極パターン１０２により２つの半導体チップ１０４は並列接続される。リードフレーム１０５は、一対の接合部１５１、１５１と、接合部１５２と、接合部１５１、１５１、１５２に立設された一対の壁部１５３１、１５３２とを含む。壁部１５３１、１５３２は、それぞれ下端側に２つの開口部を有する。接合部１５１、１５１は半導体チップ１０４、１０４の上面電極に接合され、接合部１５２は他の電極パターン１０２に接合される。
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている構成要素の大きさや形状、機能などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
例えば、上記実施形態においては、リードフレーム５（５Ａ、５Ｂ）の接合部５１及び接合部５２は、同一平面上に配置される半導体チップ４及び電極パターン２ｂに接合される場合について説明している。しかしながら、リードフレーム５の構成については、これに限定されるものではなく適宜変更が可能である。例えば、高低差のある平面に配置される接合対象に接合可能とすべく、接合部５１又は接合部５２の下面の一部に高さ調整用の凸部を設けることは実施の形態として好ましい。このような凸部は、例えば、接合部５２の下面において、均等に離間して配置され、電極パターン２ｂ側に突出する凸部５２ｂで構成される（図１０参照）。このように接合部５１又は接合部５２の下面の一部に高さ調整用の凸部を設けることにより、半導体チップ４及び電極パターン２ｂの位置に高低差が存在する場合でも、適切にこれらに接合部５１及び接合部５２を接合することができる。
また、上記実施形態においては、リードフレーム５の連結部５３を構成する壁部５３１、５３２が接合部５１、５２の側縁部（左縁部、右縁部）を連結する場合について示している。しかしながら、壁部５３１、５３２が連結する位置については、これに限定されず、適宜変更が可能である。例えば、壁部５３２は、接合部５１の主面５１ａの右側縁部よりも内側の位置と、接合部５２の主面５２ａの右側縁部よりも内側の位置とを連結してもよい。なお、この場合には、上記実施の形態と異なり、接合部５１、５２の上面に対して溶接等による接合処理を行う必要がある。
下記に、上記の実施の形態における特徴点を整理する。
上記実施の形態に係る配線構造は、半導体チップと、前記半導体チップに対する接続対象とを電気的に接続する配線構造であって、導電部材の一方側に配置され、前記半導体チップに接合される第１接合部と、前記導電部材の他方側に配置され、前記接続対象に接合される第２接合部と、前記第１接合部と前記第２接合部とを連結する連結部と、を有し、前記連結部は、前記第１接合部及び前記第２接合部の主面と交差する壁部で構成され、当該壁部が前記第１接合部の一部と前記第２接合部の一部とを連結する。この構成によれば、第１接合部の一部と第２接合部の一部が、第１接合部及び第２接合部の主面と交差する壁部で連結されることから、連結部が、第１接合部及び第２接合部よりも上方側の位置を第１接合部及び第２接合部と略平行に延在して配置されることがない。このため、側面視にて、連結部を構成する壁部と重複する空間を利用してボンディングワイヤを引き回すことができる。この結果、ボンディングワイヤを低い位置に配置することができるので、半導体モジュールの低背化を実現することができる。
上記実施の形態に係る配線構造において、前記壁部の下端部には、前記第１接合部と前記第２接合部との間で前記第１接合部及び前記第２接合部側に開口した開口部が形成される。この構成によれば、壁部の下端部に開口部が形成されることから、半導体チップや接続対象において、応力集中が好ましくない部分を回避しながら、半導体チップと接続対象とを電気的に接続することができる。
上記実施の形態に係る配線構造においては、前記第１接合部及び前記第２接合部を含む前記導電部材の材料となる金属板に曲げ加工を施すことで、前記開口部を有する前記壁部を形成する。この構成によれば、導電部材の材料となる金属板に曲げ加工を施すだけで開口部を有する壁部が形成されることから、複雑な加工工程を必要とすることなく、導電部材を製造することができる。
上記実施の形態に係る配線構造において、前記第１接合部は、前記半導体チップ上に設けられる温度センサ、センサ配線及びゲート配線の少なくとも１つに対応する位置にスリットを有する。この構成によれば、半導体チップ上に設けられる温度センサ、センサ配線及びゲート配線の少なくとも１つに対応する位置にスリットが設けられることから、ゲート配線やセンサ配線の場合には、これらの上方側への導電部材の配置に起因して半導体素子が破損する事態の発生を防止することができる。温度センサの場合には、第１接合部の下面で温度センサが閉塞されるのを防止することができるので、第１接合部の上面側に露出した状態で半導体チップの温度を検出でき、温度センサによる検出精度を向上することができる。
上記実施の形態に係る配線構造において、前記スリットにより分割された前記第１接合部の部分同士を連結する補助連結部を有する。この構成によれば、スリットにより分割された第１接合部の部分同士が補助連結部により連結されることから、スリットを設けた場合であっても、第１接合部と第２接合部とを一部材として取り扱うことができるので、導電部材に電流を流れ易くすることができると共に、半導体モジュールを組み立てる際の作業効率を向上することができる。
上記実施の形態に係る配線構造において、前記第１接合部及び前記第２接合部の少なくとも一方の下面に高さ調整用の凸部を有する。この構成によれば、第１接合部及び第２接合部の少なくとも一方の下面に高さ調整用の凸部が設けられることから、半導体チップ及び接続対象の位置に高低差が存在する場合でも、適切にこれらに第１接合部及び第２接合部を接合することができる。
上記実施の形態に係る配線構造において、前記壁部の幅は、前記第１接合部の幅または前記第２接合部の幅以上である。この構成によれば、壁部の幅が第１接合部の幅または第２接合部の幅以上に構成されることから、壁部における電気抵抗、発熱や損失を抑制することができる。
上記実施の形態に係る配線構造において、前記壁部の幅は、前記第１接合部と前記壁部の交線の長さまたは前記第２接合部と前記壁部の交線の長さ以上である。この構成によれば、壁部の幅が第１接合部と壁部の交線の長さまたは第２接合部と壁部の交線の長さ以上に構成されることから、壁部における電気抵抗、発熱や損失を抑制することができる。
上記実施の形態に係る半導体モジュールは、上記したいずれかの配線構造を有することを特徴とする。この構成によれば、上述した配線構造で得られる効果を半導体モジュールで得ることができる。
本発明の半導体モジュールは、半導体モジュールの低背化を実現することができるという効果を有し、車載用モータ駆動制御インバータなどの小型・軽量化や高温動作環境での長期信頼性が要求される半導体モジュールに好適である。
１ ：半導体モジュール
２、２ａ、２ｂ：電極パターン
３ ：絶縁基板
４ ：半導体チップ
５、５Ａ、５Ｂ ：リードフレーム
６ ：金属基板
７ ：樹脂ケース
８ ：金属端子
９ ：ボンディングワイヤ
１０ ：樹脂ケース
４１ ：エミッタ電極
４１ａ ：切欠き部
４２ ：補助エミッタ電極
４３ ：アノード電極
４４ ：カソード電極
４５ ：ゲート電極
４６ ：電流センス電極
４７ ：ゲートランナー
４８ ：温度センスダイオード
４９、４９ａ、４９ｂ：センサ配線
５０、５０Ａ、５０Ｂ：金属板
５１ ：接合部
５１ａ ：主面
５１ｂ、５１ｃ：接合部
５１ｄ ：スリット
５１ｅ、５１ｆ：接合部
５１ｇ ：スリット
５２ ：接合部
５２ａ ：主面
５２ｂ ：凸部
５３ ：連結部
５３１ ：壁部
５３１ａ、５３１ｂ：開口部
５３２ ：壁部
５３２ａ、５３２ｂ：開口部
５４ ：補助連結部
５４ａ ：開口部

Claims (9)

  1. 半導体チップと、前記半導体チップに対する接続対象とを電気的に接続する導電部材と、を備える配線構造であって、
    前記導電部材は、
    前記導電部材の一方側に配置され、前記半導体チップに接合される第１接合部と、
    前記導電部材の他方側に配置され、前記接続対象に接合される第２接合部と、
    前記第１接合部及び前記第２接合部の主面と交差する壁部で構成され、前記壁部が前記第１接合部の一部と前記第２接合部の一部とを連結する連結部と、を有する、
    配線構造。
  2. 前記壁部の下端側に、前記第１接合部と前記第２接合部との間で前記第１接合部及び前記第２接合部側に開口した開口部が形成されている請求項１に記載の配線構造。
  3. 前記第１接合部及び前記第２接合部を含む前記導電部材の材料となる金属板に曲げ加工を施すことで、前記開口部を有する前記壁部を形成する請求項２に記載の配線構造。
  4. 前記第１接合部は、前記半導体チップ上に設けられる温度センサ、センサ配線及びゲート配線の少なくとも１つに対応する位置にスリットを有する請求項１から請求項３のいずれかに記載の配線構造。
  5. 前記スリットにより分割された前記第１接合部の部分同士を連結する補助連結部を有する請求項４に記載の配線構造。
  6. 前記第１接合部及び前記第２接合部の少なくとも一方の下面に高さ調整用の凸部を有する請求項１から請求項５のいずれかに記載の配線構造。
  7. 前記壁部の幅は、前記第１接合部の幅または前記第２接合部の幅以上である請求項１から請求項６のいずれかに記載の配線構造。
  8. 前記壁部の幅は、前記第１接合部と前記壁部の交線の長さまたは前記第２接合部と前記壁部の交線の長さ以上である請求項７に記載の配線構造。
  9. 請求項１から請求項８のいずれかに記載の配線構造を有する半導体モジュール。
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