JP2021118314A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. チャンバと、
   前記チャンバ内に設けられ、下部電極を有する基板支持器と、
   前記下部電極の上方に設けられた上部電極と、
   第１の周波数を有する高周波電力を前記下部電極又は上部電極に供給するように構成された高周波電源であり、前記高周波電力は、第１の期間に、第１のパワーレベルを有し、該第１の期間の後の第２の期間に、前記第１のパワーレベルより低い第２のパワーレベルを有し、前記第１の期間及び前記第２の期間は、交互に繰り返される、該高周波電源と、
   前記第２の期間に、前記第１の周波数よりも低い第２の周波数を有するバイアス電力を前記下部電極に供給するように構成されたバイアス電源であり、第２の周波数で規定される各周期は、第１の副期間及び第２の副期間を有する、該バイアス電源と、
   前記第１の副期間に第１の負直流電圧を前記上部電極に印加し、前記第２の副期間に第２の負直流電圧を印加するように構成された直流電源であり、前記第１の負直流電圧は、前記第２の負直流電圧よりも低い、該直流電源と、
   を備えるプラズマ処理装置。
2. 前記基板支持器上の基板は、前記第１の副期間において正の電位を有し、前記第２の副期間において負の電位を有する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記基板支持器上の基板は、前記第１の副期間において負の電位を有し、前記第２の副期間において正の電位を有する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記高周波電源及び前記バイアス電源は、前記第１の期間と前記第２の期間との間の休止期間において、前記高周波電力及び前記バイアス電力の供給を停止する、請求項１～３の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
5. 前記直流電源は、前記休止期間に、前記第１の負直流電圧より高い第３の負直流電圧を前記上部電極に印加するように構成される、請求項４に記載のプラズマ処理装置。
6. 前記直流電源は、前記第１の期間に、前記第１の負直流電圧より高い第４の負直流電圧を印加するように構成される、請求項１～５の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
7. 前記第１の負直流電圧は、前記上部電極と前記下部電極との間の電位差を一定に維持するように制御される、請求項１～６の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
8. 前記第２の負直流電圧は、ゼロである、請求項１～７の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
9. 前記バイアス電力は、前記第２の周波数を有する高周波バイアス電力である、請求項１～８の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
10. 前記バイアス電力は、直流電圧パルスであり、前記直流電圧パルスは、前記第１の副期間及び前記第２の副期間のうち一方において第１の負電圧レベルを有し、前記第１の副期間及び前記第２の副期間のうち他方において前記第１の負電圧レベルよりも大きい第２の負電圧レベル又はゼロレベルを有する、請求項１～８の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
11. プラズマ処理装置を用いた基板処理方法であって、
    前記プラズマ処理装置は、
    チャンバと、
    前記チャンバ内に設けられた下部電極と、
    前記下部電極の上方に設けられた上部電極と、
    を備え、
    該基板処理方法は、複数のサイクルを含み、各サイクルは、
    第１の期間に、第１のパワーレベルを有する高周波電力を前記下部電極又は上部電極に供給する工程であり、前記高周波電力は、第１の周波数を有する、該工程と、
    前記第１の期間の後の第２の期間に、前記第１のパワーレベルより低い第２のパワーレベルを有する前記高周波電力を前記下部電極又は上部電極に供給する工程と、
    前記第２の期間に、前記第１の周波数よりも低い第２の周波数を有するバイアス電力を前記下部電極に供給する工程であり、前記第２の周波数で規定される各周期は、第１の副期間及び第２の副期間を有する、該工程と、
    前記第１の副期間に、第１の負直流電圧を前記上部電極に印加する工程と、
    前記第２の副期間に、第２の負直流電圧を印加する工程であり、前記第１の負直流電圧は、前記第２の負直流電圧よりも低い、該工程と、
    を有する、基板処理方法。