JP2021106252A - Substrate processing apparatus - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 214
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 137
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 192
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 72
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 57
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 27
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 23
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 17
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 description 14
- 230000036544 posture Effects 0.000 description 12
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 12
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 11
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000004044 response Effects 0.000 description 8
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 239000004813 Perfluoroalkoxy alkane Substances 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229920011301 perfluoro alkoxyl alkane Polymers 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
この発明は、薬液や純水などの処理液を処理槽からオーバーフローさせながら処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬して処理する基板処理装置に関するものである。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing by immersing a substrate in a treatment liquid stored in the treatment tank while overflowing a treatment liquid such as a chemical solution or pure water from the treatment tank.
半導体装置の製造分野においては、半導体装置の高密度化と大容量化に対応するために高アスペクト比の凹部を形成する技術が要望されている。例えば三次元ＮＡＮＤ型不揮発性半導体装置（以下「３Ｄ−ＮＡＮＤメモリ」という）の製造過程においては、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）とシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を多数積層した積層体に対して積層方向に凹部を形成した後、凹部を介してＳｉＮ膜をウエットエッチングにより除去する工程が含まれる。この工程を実行するために、例えば特許文献１に記載の基板処理装置を用いることが検討されている。
In the field of manufacturing semiconductor devices, there is a demand for a technique for forming recesses having a high aspect ratio in order to cope with high density and large capacity of semiconductor devices. For example, in the manufacturing process of a three-dimensional NAND type non-volatile semiconductor device (hereinafter referred to as "3D-NAND memory"), it is laminated on a laminated body in which a large number of silicon oxide films (SiO2 film) and silicon nitride film (SiN film) are laminated. A step of removing the SiN film by wet etching through the recesses after forming the recesses in the direction is included. In order to carry out this step, for example, it is considered to use the substrate processing apparatus described in
基板処理装置を用いて上記ウエットエッチングを行う場合、ＳｉＮ膜のエッチャントの一例であるリン酸を含む薬液が処理液として用いられる。より具体的には、基板処理装置では、処理槽の内部に形成された貯留空間の内底部に噴出管が配置され、当該噴出管から処理液が貯留空間に供給される。このため、処理槽では、処理液が処理槽からオーバーフローされながら処理槽に一定量だけ貯留される。そして、処理槽に貯留された処理液に上記凹部構造を有する基板が浸漬される。また、基板処理装置では、噴出管と同様に、気泡供給管が貯留空間の内底部に配置され、貯留空間の内底部からオーバーフロー面に向かって気泡が供給される。これらの気泡は処理液中で上昇して基板に供給される。こうした基板への気泡供給により凹部に対して新鮮な処理液を迅速かつ連続して供給することができる。 When the above wet etching is performed using a substrate processing apparatus, a chemical solution containing phosphoric acid, which is an example of an etchant of a SiN film, is used as a processing solution. More specifically, in the substrate processing apparatus, an ejection pipe is arranged at the inner bottom of the storage space formed inside the processing tank, and the processing liquid is supplied to the storage space from the ejection pipe. Therefore, in the treatment tank, a certain amount of the treatment liquid is stored in the treatment tank while overflowing from the treatment tank. Then, the substrate having the recessed structure is immersed in the treatment liquid stored in the treatment tank. Further, in the substrate processing apparatus, similarly to the ejection pipe, the bubble supply pipe is arranged at the inner bottom portion of the storage space, and bubbles are supplied from the inner bottom portion of the storage space toward the overflow surface. These bubbles rise in the processing liquid and are supplied to the substrate. By supplying air bubbles to the substrate, a fresh treatment liquid can be quickly and continuously supplied to the recesses.
しかしながら、特許文献１に記載の装置では、次のような問題があった。噴出管からの処理液の噴出により貯留空間内でオーバーフロー面に向う液流、つまり処理液の上昇流が形成される。そして、貯留空間の上方開口に到達した処理液の多くはオーバーフローするが、一部はオーバーフローせずオーバーフロー面の近傍から下向きに流れる。いわゆる下降流が貯留空間内で発生する。この下降流はオーバーフロー面への気泡の上昇を阻害し、基板への気泡の均一供給を低下させる主要因のひとつとなっている。その結果、基板処理の品質低下が発生している。
However, the apparatus described in
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、処理液を処理槽からオーバーフローさせながら処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬するとともに処理液内で上記基板に気泡を供給して処理する基板処理技術において、基板に対して気泡を均一に供給して処理品質を高めることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and the substrate is immersed in the treatment liquid stored in the treatment tank while overflowing the treatment liquid from the treatment tank, and bubbles are supplied to the substrate in the treatment liquid for treatment. The purpose of the substrate processing technology is to uniformly supply bubbles to the substrate to improve the processing quality.
この発明は、基板処理装置であって、底壁の周囲から側壁を立ち上がらせて処理液を貯留する貯留空間を形成し、上方開口から処理液をオーバーフローさせながら貯留空間に貯留される処理液に基板を浸漬することで基板を処理する処理槽と、貯留空間内で基板を起立姿勢で保持する基板保持部と、基板保持部に保持された基板の下方側に設けられ、貯留空間に処理液を吐出して処理液が上方開口に向う流れを形成する処理液吐出部と、基板保持部に保持された基板の下方側に設けられ、貯留空間に貯留された処理液内に気泡を供給する気泡供給部と、を備え、側壁のうち基板保持部に保持された基板と対向する基板対向領域に側壁開口が設けられることで、処理槽の外側に位置する回収空間と貯留空間とが側壁開口によって連通され、上方開口に向かって流れる処理液を上方開口を介してオーバーフローして処理槽から回収空間に排出されるものと側壁開口を介して処理槽から回収空間に排出されるものとに分流することを特徴としている。 The present invention is a substrate processing apparatus, in which a side wall is raised from the periphery of the bottom wall to form a storage space for storing the treatment liquid, and the treatment liquid is stored in the storage space while overflowing the treatment liquid from the upper opening. A processing tank that processes the substrate by immersing the substrate, a substrate holding portion that holds the substrate in an upright position in the storage space, and a processing liquid that is provided on the lower side of the substrate held by the substrate holding portion and is provided in the storage space. A treatment liquid discharge portion that forms a flow of the treatment liquid toward the upper opening, and a treatment liquid discharge portion that is provided on the lower side of the substrate held by the substrate holding portion and supplies air bubbles into the treatment liquid stored in the storage space. The collection space and the storage space located on the outside of the treatment tank are opened on the side wall by providing the air bubble supply portion and the side wall opening in the substrate facing region facing the substrate held by the substrate holding portion on the side wall. The treatment liquid that is communicated with each other and flows toward the upper opening overflows through the upper opening and is discharged from the treatment tank to the recovery space, and is discharged from the treatment tank to the recovery space through the side wall opening. It is characterized by doing.
以上のように、本発明によれば、側壁開口が貯留空間と回収空間とを連通させる。このため、貯留空間内で上方開口に向かって流れる処理液が、上方開口を介してオーバーフローして処理槽から回収空間に排出されるものと側壁開口を介して処理槽から回収空間に排出されるものとに分流される。この処理液の分流によって下降流の発生が抑制される。その結果、基板に対して気泡が均一に供給され、基板処理を高品質で行うことができる。 As described above, according to the present invention, the side wall opening communicates the storage space and the recovery space. Therefore, the treatment liquid flowing toward the upper opening in the storage space overflows through the upper opening and is discharged from the treatment tank to the recovery space, and is discharged from the treatment tank to the recovery space through the side wall opening. Divided into things. The generation of the downward flow is suppressed by the diversion of the treatment liquid. As a result, the bubbles are uniformly supplied to the substrate, and the substrate processing can be performed with high quality.
図１は本発明に係る基板処理装置の第１実施形態を装備する基板処理システムの概略構成を示す平面図である。基板処理システム１は、収納器載置部２と、シャッター駆動機構３と、基板移載ロボット４と、姿勢変換機構５と、プッシャ６と、基板搬送機構７と、処理ユニット８と、制御部９を備えている。以下の各図における方向を統一的に示すために、図１に示すようにＸＹＺ直交座標軸を設定する。ここでＸＹ平面が水平面を表す。また、Ｚ軸が鉛直軸を表し、より詳しくはＺ方向が鉛直方向である。
FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing system equipped with the first embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention. The
収納器載置部２では、基板Ｗを収納した収納器が載置される。本実施形態では、収納器の一例として、水平姿勢の複数枚（たとえば２５枚）の基板ＷをＺ方向に積層した状態で収納可能に構成されたフープＦが用いられている。フープＦは、未処理の基板Ｗを収納した状態で収納器載置部２に載置されたり、処理済の基板Ｗを収納するために、空の状態で収納器載置部２に載置されたりする。フープＦに収納される基板Ｗは、この実施形態では、３Ｄ−ＮＡＮＤメモリを形成する半導体ウエハであり、高アスペクト比の凹部を有している。 In the storage device mounting unit 2, a storage device in which the substrate W is stored is mounted. In the present embodiment, as an example of the storage device, a hoop F configured to be able to be stored in a state where a plurality of horizontal posture boards (for example, 25 boards) are stacked in the Z direction is used. The hoop F is placed on the storage device mounting unit 2 in a state where the unprocessed substrate W is stored, or is placed on the storage device mounting unit 2 in an empty state in order to store the processed substrate W. It is done. In this embodiment, the substrate W housed in the hoop F is a semiconductor wafer forming a 3D-NAND memory, and has a recess having a high aspect ratio.
収納器載置部２に対して（＋Ｙ）方向側で隣接するプロセス空間内には、シャッター駆動機構３、基板移載ロボット４、姿勢変換機構５、プッシャ６、基板搬送機構７および処理ユニット８が配置されている。収納器載置部２とプロセス空間とは、開閉自在なシャッター３１を装備する隔壁（図示省略）により区画されている。シャッター３１はシャッター駆動機構３に接続されている。シャッター駆動機構３は制御部９からの閉指令に応じてシャッター３１を閉成して収納器載置部２とプロセス空間とを空間的に分離する。逆に、シャッター駆動機構３は制御部９からの開指令に応じてシャッター３１を開放し、収納器載置部２とプロセス空間とを連通させる。これにより、フープＦからプロセス空間への未処理基板Ｗの搬入および処理済基板ＷのフープＦへの搬出が可能となる。
A
上記した基板Ｗの搬入出処理は基板移載ロボット４によって行われる。基板移載ロボット４は水平面内で旋回自在に構成されている。基板移載ロボット４は、シャッター３１が開放された状態で、姿勢変換機構５とフープＦとの間で複数枚の基板Ｗを受け渡しする。また、姿勢変換機構５は、基板移載ロボット４を介してフープＦから基板Ｗを受け取った後やフープＦに基板Ｗを受け渡す前に、複数枚の基板Ｗの姿勢を起立姿勢と水平姿勢との間で変換する。
The above-mentioned loading / unloading process of the substrate W is performed by the
姿勢変換機構５の基板搬送機構７側（同図中の＋Ｘ方向側）にプッシャ６が配置され、姿勢変換機構５と基板搬送機構７との間で起立姿勢の複数枚の基板Ｗを受け渡しする。また、基板搬送機構７は、同図に示すようにプッシャ６に対向した位置（以下「待機位置」という）から処理ユニット８を構成する処理部８１〜８５が配列された配列方向（同図中のＹ方向）に沿って水平方向に移動する。
A
基板搬送機構７は一対の懸垂アーム７１を備えている。この一対の懸垂アーム７１の揺動によって複数の基板Ｗを一括保持と保持解除を切替可能となっている。より具体的には、各アーム７１の下縁が互いに離れる方向に水平軸周りで揺動して複数枚の基板Ｗを開放し、各アーム７１の下縁を互いに接近させる方向に水平軸周りに揺動して複数枚の基板Ｗを挟持して保持する。また、図１への図示を省略しているが、基板搬送機構７はアーム移動部とアーム揺動部とを有している。これらのうちアーム移動部は、処理部８１〜８５が配列された配列方向Ｙに沿って一対の懸垂アーム７１を水平移動させる機能を有している。このため、この水平移動によって一対の懸垂アーム７１は処理部８１〜８５の各々に対向した位置（以下「処理位置」という）および待機位置に位置決めされる。
The substrate transfer mechanism 7 includes a pair of
一方、アーム揺動部は上記アーム揺動動作を実行する機能を有しており、基板Ｗを挟持して保持する保持状態と、基板Ｗの挟持を解除する解除状態とを切り替える。このため、この切替動作と、処理部８１、８２の基板保持部として機能するリフタ８１０ａや処理部８３、８４の基板保持部として機能するリフタ８１０ｂの上下動とによって、リフタ８１０と懸垂アーム７１との間での基板Ｗの受け渡しを行うことが可能となっている。また、処理部８５に対向する処理位置では、処理部８５と懸垂アーム７１との間での基板Ｗの受け渡しを行うことが可能となっている。さらに、待機位置では、プッシャ６を介して姿勢変換機構５と懸垂アーム７１との間での基板Ｗの受け渡しを行うことが可能となっている。
On the other hand, the arm swinging portion has a function of executing the arm swinging operation, and switches between a holding state in which the substrate W is sandwiched and held and a release state in which the substrate W is released from being sandwiched. Therefore, by this switching operation and the vertical movement of the
処理ユニット８には、上記したように５つの処理部８１〜８５が設けられているが、それぞれ第１薬液処理部８１、第１リンス処理部８２、第２薬液処理部８３、第２リンス処理部８４および乾燥処理部８５として機能する。これらのうち第１薬液処理部８１および第２薬液処理部８３は、それぞれ、同種または異種の薬液を処理槽８２１に貯留し、その薬液中に複数枚の基板Ｗを一括して浸漬させて薬液処理を施す。第１リンス処理部８２および第２リンス処理部８４は、それぞれ、リンス液（たとえば純水）を処理槽８２１に貯留し、そのリンス液中に複数枚の基板Ｗを一括して浸漬させて、表面にリンス処理を施すものである。これら第１薬液処理部８１、第１リンス処理部８２、第２薬液処理部８３および第２リンス処理部８４は本発明に係る基板処理装置の第１実施形態に相当しており、処理液の種類が相違するものの装置の基本構成は同一である。なお、装置構成および動作については後で図２ないし図５を参照しつつ詳述する。
The
図１に示すように、第１薬液処理部８１と、これに隣接する第１リンス処理部８２とが対になっており、第２薬液処理部８３と、これに隣接する第２リンス処理部８４とが対になっている。そして、リフタ８１０ａは第１薬液処理部８１および第１リンス処理部８２において本発明の「基板保持部」として機能するのみならず、第１薬液処理部８１で薬液処理された基板Ｗを第１リンス処理部８２に移すための専用搬送機構としても機能する。また、リフタ８１０ｂは第２薬液処理部８３および第２リンス処理部８４において本発明の「基板保持部」として機能するのみならず、第２薬液処理部８３で薬液処理された基板Ｗを第２リンス処理部８４に移すための専用搬送機構としても機能する。
As shown in FIG. 1, a first
このように構成された処理ユニット８では、リフタ８１０ａの３本の支持部材（図２中の符号８１２）が基板搬送機構７の一対の懸垂アーム７１から複数枚の基板Ｗを一括して受け取り、後で詳述するように、処理槽から処理液をオーバーフローさせるオーバーフロー工程と処理槽に貯留された処理液内に気泡を供給する気泡供給工程とを実行しながら、第１薬液処理部８１の処理槽中に下降させて薬液中に浸漬させる（浸漬工程）。さらに、所定の薬液処理時間だけ待機した後に、リフタ８１０ａは複数枚の基板Ｗを保持する支持部材を薬液中から引き上げ、第１リンス処理部８２へと横行させ、さらに、薬液処理済の基板Ｗを保持したまま支持部材を第１リンス処理部８２の処理槽（図２中の符号８２１）内へと下降させてリンス液中に浸漬させる。所定のリンス処理時間だけ待機した後、リフタ８１０ａは、リンス処理済の基板Ｗを保持したまま支持部材を上昇させてリンス液中から基板Ｗを引き上げる。この後、リフタ８１０ａの支持部材から基板搬送機構７の一対の懸垂アーム７１に複数枚の基板Ｗが一括して渡される。
In the
リフタ８１０ｂも同様に、基板搬送機構７の一対の懸垂アーム７１から複数枚の基板Ｗを一括して受け取り、この複数枚の基板Ｗを第２薬液処理部８３の処理槽８２１中に下降させて薬液中に浸漬させる。さらに、所定の薬液処理時間だけ待機した後に、リフタ８１０ｂは、支持部材を上昇させて薬液中から薬液処理済の複数枚の基板Ｗを引き上げ、第２リンス処理部８４の処理槽へと支持部材を横行させ、さらに、この支持部材を第２リンス処理部８４の処理槽８２１内へと下降させてリンス液中に浸漬させる。所定のリンス処理時間だけ待機した後、第２リフタ８１０ｂは、支持部材を上昇させてリンス液中から基板Ｗを引き上げる。この後、第２リフタ８１０ｂから基板搬送機構７に複数枚の基板Ｗが一括して渡される。なお、第１薬液処理部８１、第１リンス処理部８２、第２薬液処理部８３および第２リンス処理部８４の各々に本発明の「基板保持部」として機能するリフタを設ける一方、処理部８１〜８４に対する基板Ｗの搬入出を基板搬送機構７や専用の搬送機構で行うように構成してもよい。
Similarly, the
乾燥処理部８５は、複数枚（たとえば５２枚）の基板Ｗを起立姿勢で配列した状態で保持することができる基板保持部材（図示省略）を有しており、減圧雰囲気中で有機溶剤（イソプロピルアルコール等）を基板Ｗに供給したり、遠心力によって基板Ｗ表面の液成分を振り切ったりすることにより、基板Ｗを乾燥させるものである。この乾燥処理部８５は、基板搬送機構７の一対の懸垂アーム７１との間で基板Ｗの受渡可能に構成されている。そして、リンス処理後の複数枚の基板Ｗを一括して基板搬送機構７から受け取り、この複数枚の基板Ｗに対して乾燥処理を施す。また、乾燥処理後においては、基板保持部材から基板搬送機構７に複数枚の基板Ｗが一括して渡される。
The drying
次に、本発明に係る基板処理装置について説明する。図１に示す基板処理システムに装備された第１薬液処理部８１、第１リンス処理部８２、第２薬液処理部８３および第２リンス処理部８４では、使用される処理液が一部相違しているが、装置構成および動作は基本的に同一である。そこで、以下においては、本発明に係る基板処理装置の第１実施形態に相当する第１薬液処理部８１の構成および動作について説明し、第１リンス処理部８２、第２薬液処理部８３および第２リンス処理部８４に関する説明を省略する。
Next, the substrate processing apparatus according to the present invention will be described. The treatment liquids used in the first chemical
図２は本発明に係る基板処理装置の第１実施形態の概略構成を示す模式図である。図３は図２に示す基板処理装置の主要構成を模式的に示す分解組立斜視図である。図４は図２の部分断面図である。図５はリフタに保持される複数の基板と気泡吐出口との配置関係を示す模式図である。第１薬液処理部８１は例えばリン酸を含む薬液を処理液として用いて基板Ｗの表面に形成された凹部を介してシリコン窒化膜をエッチング除去する装置である。この第１薬液処理部８１は、図２および図３に示すように、基板Ｗに対して第１薬液処理を行うための処理槽８２１を備えている。この処理槽８２１は、平面視で長方形をなす底壁８２１ａと、底壁８２１ａの周囲から立ち上がる４つの側壁８２１ｂ〜８２１ｅとで構成された上方開口のボックス構造を有する。このため、処理槽８２１は底壁８２１ａと側壁８２１ｂ〜８２１ｅとで囲まれた貯留空間８２１ｆ内で処理液を貯留しながらリフタ８１０ａに保持される複数の基板Ｗを一括して浸漬可能となっている。また、処理槽８２１は（＋Ｚ）方向に開口された上方開口８２１ｇを有し、当該貯留空間８２１ｆから処理液をオーバーフローさせることが可能となっている。
FIG. 2 is a schematic view showing a schematic configuration of a first embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention. FIG. 3 is an disassembled assembly perspective view schematically showing the main configuration of the substrate processing apparatus shown in FIG. FIG. 4 is a partial cross-sectional view of FIG. FIG. 5 is a schematic view showing the arrangement relationship between the plurality of substrates held by the lifter and the bubble discharge port. The first chemical
処理槽８２１の周囲にオーバーフロー槽８２２が設けられ、当該オーバーフロー槽８２２と処理槽８２１の側壁８２１ｂ〜８２１ｅとでオーバーフローした処理液を回収する回収空間８２２ａが形成されている。また、処理槽８２１およびオーバーフロー槽８２２の下方と側方とを囲うように外容器８２３が設けられている。
An
このように本実施形態では、処理液を回収空間８２２ａに回収する経路として、上記したオーバーフロー経路が設けられているが、これ以外に側壁８２１ｂ〜８２１ｅを経由する経路が設けられている。すなわち、図３に示すように、処理槽８２１の側壁８２１ｂのうち処理液に浸漬されている基板Ｗと対向する基板対向領域に側壁開口８２１ｈが部分的に設けられている。また、その他の側壁８２１ｃ〜８２１ｅに対しても、側壁８２１ｂと同様に、側壁開口８２１ｉ〜８２１ｋがそれぞれ部分的に設けられている。これら側壁開口８２１ｈ〜８２１ｋによって貯留空間８２１ｆと回収空間８２２ａとが連通される。このため、上方開口８２１ｇに向かって流れる処理液の一部は側壁開口８２１ｈ〜８２１ｋを介して処理槽８２１から回収空間８２２ａに排出される。
As described above, in the present embodiment, the above-mentioned overflow route is provided as a route for collecting the treatment liquid in the
オーバーフロー槽８２２の回収空間８２２ａの一部、より具体的には、側壁８２１ｄの（−Ｘ）方向側の空間にフロー配管系８３９が配置されている。フロー配管系８３９のインレットは処理液供給部８３２に接続され、アウトレットは処理液吐出部８３０のフロー管８３１に接続されている。このため、制御部９からの処理液供給指令に応じて処理液供給部８３２が作動すると、処理液がフロー配管系８３９を介して複数のフロー管８３１に同時供給される。その結果、フロー管８３１から処理液が吐出され、貯留空間８２１ｆに貯留される。なお、フロー管８３１の詳しい構成などについては後で詳述する。
The
また、処理槽８２１からオーバーフローした処理液および側壁開口８２１ｈ〜８２１ｋを経由する処理液はオーバーフロー槽８２２に回収される。このオーバーフロー槽８２２には処理液回収部８３３が接続されている。制御部９からの処理液回収指令に応じて処理液回収部８３３が作動すると、オーバーフロー槽８２２に回収された処理液が処理液回収部８３３を経由して処理液供給部８３２に送液されて再利用に供せられる。このように本実施形態では、処理槽８２１に対して処理液を循環供給しながら処理液を貯留空間８２１ｆに貯留可能となっている。
Further, the treatment liquid overflowing from the
側壁開口８２１ｈ〜８２１ｋを介して処理液が処理槽８２１からオーバーフロー槽８２２に回収するために、本実施形態では、側壁開口８２１ｈ〜８２１ｋはオーバーフロー槽８２２に回収された処理液の液面よりも上方に位置するように配設されている。また、オーバーフロー槽８２２での鉛直方向Ｚにおける処理液の液面位置は処理液吐出部８３０により処理槽８２１に吐出される単位時間あたりの処理液の吐出量に応じて変位する。一方、処理液回収部８３３により単位時間あたりにオーバーフロー槽８２２から回収される処理液の回収量によっても上記液面位置は鉛直方向Ｚにおいて変位する。そこで、本実施形態では、制御部９は、上記吐出量に関する情報や液面位置に関する情報などに基づいて処理液回収部８３３による上記回収量を制御することで、液面位置が側壁開口８２１ｈ〜８２１ｋよりも低くなるように調整している。なお、液面位置に関する情報については、例えばオーバーフロー槽８２２に液面検出センサを取りつけ、センサ出力に基づいて取得してもよい。
In this embodiment, the
処理液が貯留された貯留空間８２１ｆに対して複数の基板Ｗを一括して保持しながら浸漬させるために、図２に示すように、リフタ８１０ａが設けられている。このリフタ８１０ａは、複数枚の基板Ｗを基板搬送機構７（図１）との間で受け渡しを行う「受渡位置」と、貯留空間８２１ｆとの間で昇降可能に構成されている。リフタ８１０ａは、背板８１１と、３本の支持部材８１２と、延出部材８１３とを備えている。背板８１１は、処理槽８２１の側壁８２１ｂに沿って底壁８２１ａに向けて延出されている。支持部材８１２は、背板８１１の下端部側面から（−Ｘ）方向に延出されている。本実施形態では、３本の支持部材８１２が設けられている。各支持部材８１２では、複数のＶ字状の溝８１２ａが一定のピッチでＸ方向に配設されている。各溝８１２ａは基板Ｗの厚さより若干幅広のＶ字状の溝８１２ａが（＋Ｚ）方向に開口して形成され、基板Ｗを係止可能となっている。このため、３本の支持部材８１２によって基板搬送機構７により搬送されてくる複数の基板Ｗを一定の基板ピッチＰＴ（図５）で一括して保持可能となっている。また、延出部材８１３は、背板８１１の上端部背面から（＋Ｘ）方向に延出されている。リフタ８１０ａは、図２に示すように全体としてＬ字状を呈している。なお、リフタ８１０ａの最上昇位置は、基板搬送機構７が複数枚の基板Ｗを保持した状態であっても支持部材８１２の上方を通過できる高さに設定されている。
As shown in FIG. 2, a
処理槽８２１の（＋Ｘ）方向側には、リフタ駆動機構８１４が設けられている。リフタ駆動機構８１４は、昇降モータ８１５と、ボールネジ８１６と、昇降ベース８１７と、昇降支柱８１８と、モータ駆動部８１９とを備えている。昇降モータ８１５は、回転軸を縦置きにした状態で基板処理システム１のフレーム（図示省略）に取り付けられている。ボールネジ８１６は、昇降モータ８１５の回転軸に連結されている。昇降ベース８１７は、ボールネジ８１６に一方側が螺合されている。昇降支柱８１８は、基端部側が昇降ベース８１７の中央部に取り付けられ、他端部側が延出部材８１３の下面に取り付けられている。制御部９からの上昇指令に応じてモータ駆動部８１９が昇降モータ８１５を駆動させると、ボールネジ８１６が回転し、昇降ベース８１７とともに昇降支柱８１８が上昇する。これによって支持部材８１２が受渡位置に位置決めされる。また、制御部９からの下降指令に応じてモータ駆動部８１９が昇降モータ８１５を逆方向に駆動させると、ボールネジ８１６が逆回転し、昇降ベース８１７とともに昇降支柱８１８が下降する。これによって、支持部材８１２に保持される複数の基板Ｗが一括して貯留空間８２１ｆに貯留された処理液に浸漬される。
A
貯留空間８２１ｆでは、支持部材８１２に保持される複数の基板Ｗの下方側、つまり（−Ｚ）方向側に処理液吐出部８３０と気泡供給部８４０とが配設されている。処理液吐出部８３０は処理液供給部８３２からフロー配管系８３９を介して供給される処理液を貯留空間８２１ｆに吐出するものであり、気泡供給部８４０は貯留空間８２１ｆに貯留された処理液内に窒素ガスの気泡Ｖ（図５）を供給するものであり、それぞれ以下のように構成されている。
In the
処理液吐出部８３０は、図３および図４に示すように、Ｘ方向に延設されたフロー管８３１を有している。本実施形態では４本のフロー管８３１がＹ方向に互いに離間して配置されている。各フロー管８３１の（−Ｘ）方向端部はフロー配管系８３９のアウトレットと接続され、（＋Ｘ）方向端部は封止されている。また、各フロー管８３１の側壁には複数の処理液吐出口８３４が一定の間隔でＸ方向に配列するように穿設されている。本実施形態では、図４に示すように、各処理液吐出口８３４は（−Ｚ）方向に向けて設けられている。このため、フロー管８３１に供給されてきた処理液は配管内部を（＋Ｘ）方向に流れ、各処理液吐出口８３４から底壁８２１ａ、つまり貯留空間８２１ｆの内底面８２１ｈに向けて吐出される。そして、処理液は図４中の実線矢印で示すように貯留空間８２１ｆの内底面８２１ｈを経由して上方に流れ、処理槽８２１の底壁８２１ａから上方開口８２１ｇ、つまりオーバーフロー面に向う処理液の流れＦを形成する。こうして、処理液の上昇流が基板Ｗの下方側に形成される。なお、発明内容の理解を容易とするため、４本のフロー管８３１のうち最も（−Ｙ）方向側に配置されたものを「フロー管８３１ａ」と称し、（＋Ｙ）方向側に順次配置されるものをそれぞれ「フロー管８３１ｂ」、「フロー管８３１ｃ」および「フロー管８３１ｄ」と称する。また、これらを区別しない場合には、上記のように単に「フロー管８３１」と称する。
As shown in FIGS. 3 and 4, the processing
気泡供給部８４０は、図３ないし図５に示すように、複数（本実施形態では４本）のバブラー８４１を有している。各バブラー８４１は、Ｘ方向に延設されたバブル配管８４２と、バブル配管８４２から上方、つまり（＋Ｚ）方向に突設される複数の突設部位８４３を有している。各バブル配管８４２の一方端部は窒素ガスを供給するガス供給部８４４と接続され、他方端部は封止されている。複数の突設部位８４３は一定の基板ピッチＰＴと同じピッチＰＴでバブル配管８４２の上方側壁に設けられている。各突設部位８４３は図３に示すように中空円柱形状を有し、上端面の中央部に気泡吐出口８４５が設けられている。本実施形態では、樹脂材料、特にポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）、およびポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）からなる群から選択された少なくとも１つのもので構成された長尺樹脂管の表面に対して切削加工と穿設加工を施すことでバブル配管８４２と複数の突設部位８４３とを一体的に形成している。ここで、バブル配管８４２と、複数の突設部位８４３とを個別に準備し、バブル配管８４２に対して複数の突設部位８４３を取り付けて一体化させてもよいことは言うまでもない。
As shown in FIGS. 3 to 5, the
このように構成された気泡供給部８４０では、制御部９からの気泡供給指令に応じてガス供給部８４４が窒素ガスを気泡供給部８４０に供給すると、バブル配管８４２を流れる窒素ガスが気泡吐出口８４５から上方に向けて吐出する。これによって、窒素ガスの気泡Ｖが貯留空間８２１ｆに貯留された処理液に供給され、鉛直方向Ｚにおいて処理液吐出口８３４よりも高い位置からオーバーフロー面に向う方向、つまり（＋Ｚ）方向に気泡Ｖが供給される。これらの気泡Ｖは処理液内を上昇し、基板Ｗの表面の処理液を新鮮な処理液に置換することを促進する。なお、ガス供給部８４４としては、例えば窒素ガスが充填されたボンベから窒素ガスを供給する構成であってもよいし、基板処理システム１が設置される工場に設けられたユーティリティを用いてもよい。
In the
また、図４に示すように、４本のバブラー８４１は、３つのバブラーボード８５１により下方から支持されることで、リフタ８１０ａに保持された基板Ｗの下方側かつ処理液吐出口８３４の上方側で固定的に配置されている。ここでも、発明内容の理解を容易とするため、４本のバブラー８４１のうち最も（−Ｙ）方向側に配置されたものを「バブラー８４１ａ」と称し、（＋Ｙ）方向側に順次配置されるものをそれぞれ「バブラー８４１ｂ」、「バブラー８４１ｃ」および「バブラー８４１ｄ」と称する。また、これらを区別しない場合には、上記のように単に「バブラー８４１」と称する。一方、バブラーボード８５１についても同様に、バブラーボード８５１のうち最も（−Ｙ）方向側に配置されたものを「バブラーボード８５１ａ」と称し、（＋Ｙ）方向側に順次配置されるものをそれぞれ「バブラーボード８５１ｂ」および「バブラーボード８５１ｃ」と称する。また、これらを区別しない場合には、上記のように単に「バブラーボード８５１」と称する。
Further, as shown in FIG. 4, the four
バブラーボード８５１ａ〜８５１ｃはいずれもＸ方向に延設されたプレート形状を有している。これらのうちバブラーボード８５１ａは、図４に示すように、鉛直方向Ｚにおいて処理液吐出口８３４よりも高い位置でフロー管８３１ａとフロー管８３１ｂとの間に配置されるとともに固定部材（図示省略）により処理槽８２１に固定されている。そして、当該バブラーボード８５１ａの上面にバブラー８４１ａが次の配置関係を満足するように固定されている。その配置関係とは、図５に示すように、バブラー８４１ａに取り付けられた突設部位８４３が上方を向いていることと、Ｘ方向において基板Ｗと気泡吐出口８４５とが交互に位置するということである。このように配置することで気泡吐出口８４５から供給された気泡ＶはＸ方向において隣接する基板Ｗの間に向けて気泡Ｖを吐出され、効率的な薬液処理が実行される。なお、この配置関係はその他のバブラー８４１ｂ〜８４１ｄについても同様である。
The
バブラーボード８５１ｂは鉛直方向Ｚにおいて処理液吐出口８３４よりも高い位置でフロー管８３１ｂとフロー管８３１ｃとの間に配置されるとともに固定部材（図示省略）により処理槽８２１に固定されている。そして、当該バブラーボード８５１ｂの上面にバブラー８４１ｂ、８４１ｃがＹ方向に一定間隔だけ離間しながら固定されている。さらにバブラーボード８５１ｃは鉛直方向Ｚにおいて処理液吐出口８３４よりも高い位置でフロー管８３１ｃとフロー管８３１ｄとの間に配置されるとともに固定部材（図示省略）により処理槽８２１に固定されている。そして、当該バブラーボード８５１ｃの上面にバブラー８４１ｄが固定されている。このようにバブラーボード８５１ａ〜８５１ｃは気泡供給部８４０を下方から支持する機能を有している。
The
また、バブラーボード８５１ａ〜８５１ｃは鉛直方向Ｚにおいて処理液吐出口８３４よりも高い位置にてフロー管８３１ａ〜８３１ｄの間に配置されているため、上記支持機能以外に、貯留空間８２１ｆの内底面８２１ｈを経由して上方に流れる処理液の流れＦを規制する機能を有している。バブラーボード８５１ａ〜８５１ｃは互いに離間して処理液の流通経路となる貫通部位８５２ａ、８５２ｂを形成している。そして、貫通部位８５２ａ、８５２ｂにフロー管８３１ｂ、８３１ｃの下端部が入り込むように配置されている。また、フロー管８３１ｂ、８３１ｃと同一高さ位置で、フロー管８３１ａがバブラーボード８５１ａの（−Ｙ）方向側に配置されるとともにフロー管８３１ｄがバブラーボード８５１ａの（＋Ｙ）方向側に配置されている。しかも、バブラーボード８５１ａ〜８５１ｃおよびフロー管８３１ａ〜８３１ｄのうち互いに隣接するもの同士の間に隙間８６が形成されている。このため、処理液の上昇流のうちバブラーボード８５１の下面に向かって流れる処理液（以下「分流対象液」という）の流れＦは当該下面で規制され、水平面内で振り分けられる。例えば図４の部分拡大図では、バブラーボード８５１ｃの下面に向う分流対象液の流れＦはバブラーボード８５１ｃとフロー管８３１ｃとの隙間８６を流れる処理液の流れＦ５とバブラーボード８５１ｃとフロー管８３１ｄとの隙間８６を流れる処理液の流れＦ６とに分流される。また、他のバブラーボード８５１ａ、８５１ｂにおいても、バブラーボード８５１ｃと同様に、分流対象液の流れＦが規制されて複数の処理液の流れＦ１〜Ｆ４に分流される。
Further, since the
このように本実施形態では、貯留空間８２１ｆの内底面８２１ｈを経由して上方に流れる処理液の一部（分流対象液）の流れＦが複数の流れＦ１〜Ｆ６に分流されてオーバーフロー面に向けて上昇する。このように本実施形態では、バブラーボード８５１ａ〜８５１ｃは貯留空間８２１ｆの内底面８２１ｈを経由して上方に流れる処理液の少なくとも一部を分流対象液とし、当該分流対象液の流れＦを複数の上昇流に分流してリフタ８１０ａに保持された基板Ｗに案内しており、分流部８５０（図３）として機能している。
As described above, in the present embodiment, the flow F of a part (flow target liquid) of the processing liquid flowing upward via the
なお、図２ないし図５を参照しつつ本発明に係る基板処理装置の第１実施形態に相当する第１薬液処理部８１の構成について説明したが、第２薬液処理部８３も処理液の種類が同種または異種である点を除き、第１薬液処理部８１と同一の構成を有し、本発明に係る基板処理装置の第１実施形態に相当している。また、第１リンス処理部８２および第２リンス処理部８４は、処理液が純水やＤＩＷ（deionized water）などのリンス液である点を除き、第１薬液処理部８１と同一の構成を有し、本発明に係る基板処理装置の第１実施形態に相当している。
Although the configuration of the first chemical
以上のように、本実施形態によれば、貯留空間８２１ｆ内における上昇している処理液の多くは上方開口８２１ｇを介してオーバーフローして処理槽８２１から回収空間８２２ａに排出されるが、処理液の一部は側壁開口８２１ｈ〜８２１ｋを介して処理槽８２１から回収空間８２２ａに排出される。このように上昇流は基板対向領域の近傍で分流される。この処理液の分流によって下降流の発生が抑制される。その結果、基板Ｗに対して気泡Ｖが均一に供給され、第１薬液処理部８１、第１リンス処理部８２、第２薬液処理部８３および第２リンス処理部８４における各基板処理を高品質で行うことができる。
As described above, according to the present embodiment, most of the rising treatment liquid in the
特に、第１薬液処理部８１は高アスペクト比の凹部を介してＳｉＮ膜をウエットエッチングするため、本発明を第１薬液処理部８１に適用することは３Ｄ−ＮＡＮＤメモリの製造に重要である。すなわち、ウエットエッチング性能を高めるためには凹部の内部と外部との間で処理液の置換を良好に行う必要がある。また、凹部の底付近にエッチング反応に伴うシリコン析出が発生するが、処理液の置換により上記シリコンを凹部から排出することが可能となる。この液置換を安定的かつ継続して発現させるためには、凹部の内部と外部との濃度差、つまり濃度勾配を大きく、しかも基板Ｗの表面全体にわたって均一に保つ必要がある。さらに言えば、これらを満足させるためには、基板Ｗの表面に新鮮な処理液を均一に供給することが重要な技術事項となる。この点について、基板Ｗに対して気泡Ｖを均一に供給することができる第１薬液処理部８１によれば、気泡Ｖによる処理液の均一供給によりＳｉＮ膜のウエットエッチングを良好に行うことができる。
In particular, since the first
また、処理液吐出口８３４から処理液が貯留空間８２１ｆの内底面８２１ｈに向けて吐出され、当該内底面８２１ｈを経由してオーバーフロー面に向う処理液の流れＦを形成している。このため、処理液を基板Ｗの下方側から上方や斜め上方に向けて吐出したり、特許文献１に記載の装置のように貯留空間の内底面に沿って吐出した従来技術に比べて貯留空間８２１ｆ内で処理液の上昇流が偏って形成されるのを抑制することができる。しかも、内底面８２１ｈを経由して上方に流れる処理液の流れＦの一部については、複数の流れＦ１〜Ｆ６に分流した後でオーバーフロー面に向けて案内している。したがって、貯留空間８２１ｆに貯留された処理液内では、数多くの上昇流が処理液内で広く分散して形成された状態で処理液は上昇する。このため、貯留空間８２１ｆ内で下降流が発生するのを効果的に抑制することができる。その結果、基板Ｗに対して気泡Ｖが均一に供給され、基板処理を高品質で行うことができる。
Further, the treatment liquid is discharged from the treatment
また、上記実施形態では、側壁開口８２１ｈ〜８２１ｋを設けて処理液の上昇流を分流している。このため、鉛直方向Ｚにおける側壁開口８２１ｈ〜８２１ｋの高さ位置よりも上方側では単位時間当たりに基板Ｗの供給される処理液の量は下方側に比べて少なくなる。この点を考慮して、本実施形態では、全側壁開口８２１ｈ〜８２１ｋは、図４に示すように、貯留空間８２１ｆ内でリフタ８１０ａに保持された基板Ｗの中心Ｗｃを通るとともに基板Ｗの表面と直交する仮想水平面ＨＳよりも上方側に設けられている。そのため、側壁開口８２１ｈ〜８２１ｋによる分流による影響を抑えることができる。
Further, in the above embodiment, the
また、図４の部分拡大図に示すように、互いに隣接するフロー管８３１ｃ、８３１ｄの間にバブラーボード８５１ｃおよびバブラー８４１ｄが配置されている。つまり、バブラーボード８５１ｃおよびバブラー８４１ｄは鉛直方向Ｚにおいてフロー管８３１ｃ、８３１ｄの最頂部位と最低部位（処理液吐出口８３４）との間に配置されている。この点については、フロー管８３１ａ、８３１ｂの間およびフロー管８３１ｂ、８３１ｃの間においても同様である。このように、処理液吐出部８３０、気泡供給部８４０および分流部８５０は鉛直方向Ｚにおいてフロー管８３１の外径寸法の範囲に収まっており、鉛直方向Ｚにおいて処理槽８２１をサイズアップすることなく、基板処理を高品質で行うことができる。
Further, as shown in the partially enlarged view of FIG. 4, the
また、図４に示すように、貯留空間８２１ｆ内でリフタ８１０ａに保持された基板Ｗの中心Ｗｃを通るとともに基板Ｗの表面と直交する仮想鉛直面ＶＳに対し、処理液吐出部８３０、気泡供給部８４０および分流部８５０が対称配置されている。このため、貯留空間８２１ｆに貯留された処理液内で発生する上昇流も仮想鉛直面ＶＳに対して対象となり、上昇流の偏りが抑えられ下降流の発生を効果的に抑制することができる。
Further, as shown in FIG. 4, the processing
また、図５の部分拡大図に示すように、Ｘ方向において基板Ｗと気泡吐出口８４５とが交互に位置するようにバブラー８４１ｄに配置されているため、気泡Ｖを互いに隣接する基板Ｗの間に向けて効率的に供給することができる。その結果、基板処理（薬液処理やリンス処理）を高品質で行うことができる。
Further, as shown in the partially enlarged view of FIG. 5, since the substrate W and the
また、バブラーボード８５１ａ〜８５１ｃを気泡供給部８４０の鉛直直下に位置させて気泡供給部８４０を下方から支持している。このため、気泡供給部８４０をしっかりと固定することができ、気泡Ｖを安定して互いに隣接する基板Ｗの間に向けて供給することができる。
Further, the
さらに、図３に示すように、貫通部位８５２ａ、８５２ｂは気泡吐出口８４５の配列方向Ｘと平行な方向に設けられている。このため、貫通部位８５２ａ、８５２ｂを通過して上方に流れる処理液の流れと気泡Ｖの流れの相対的な関係がＸ方向において一定となり、気泡Ｖの供給方向が乱れるのを抑制する。その結果、気泡Ｖを安定して互いに隣接する基板Ｗの間に向けて供給することができる。
Further, as shown in FIG. 3, the penetrating
図６は本発明に係る基板処理装置の第２実施形態の概略構成を示す部分断面図である。この第２実施形態が第１実施形態と大きく相違する点は、側壁開口８２１ｈ〜８２１ｋの開度を調整する開度調整部８６０を備える点であり、その他の構成は第１実施形態と同一である。したがって、以下においては、相違点を中心に説明し、同一構成については同一符号を付して説明を省略する。
FIG. 6 is a partial cross-sectional view showing a schematic configuration of a second embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention. The major difference between the second embodiment and the first embodiment is that the side wall opening 821h to 821k is provided with an opening
開度調整部８６０は、側壁開口８２１ｈ〜８２１ｋの近傍に配置されて側壁開口８２１ｈ〜８２１ｋを開閉するシャッター８６１と、側壁開口８２１ｈ〜８２１ｋに対してシャッター８６１を鉛直方向Ｚに移動させるシャッター駆動部８６２とを有している。シャッター駆動部８６２は制御部９と電気的に接続されている。制御部９は処理液吐出部８３０から貯留空間８２１ｆに吐出される単位時間当たりの処理液の吐出量に応じて鉛直方向Ｚにおける側壁開口８２１ｈ〜８２１ｋに対するシャッター８６１の最適位置を求める。そして、制御部９は当該最適位置にシャッター８６１を移動させるべき移動量を計算し、当該移動量に基づいて移動指令をシャッター駆動部８６２に与える。シャッター駆動部８６２は移動指令に応じてシャッター８６１を移動させる。このように側壁開口８２１ｈ〜８２１ｋに対するシャッター８６１の位置を制御して側壁開口８２１ｈ〜８２１ｋの開度を調整する。その結果、処理液吐出部８３０からの処理液の吐出量の値にかかわらず、側壁開口８２１ｈ〜８２１ｋを介して回収空間８２２ａに回収される処理液の回収量を適切に調整し、下降流の発生を確実に抑制することができる。
The
図７は本発明に係る基板処理装置の第３実施形態の概略構成を示す部分斜視図であり、オーバーフロー槽８２２および外容器８２３の一部を切り欠いて図示している。この第３実施形態が第１実施形態と大きく相違する点は２つある。１つ目は、側壁８２１ｂ〜８２１ｅがそれぞれ下方側壁部位８２１ｂ１〜８２１ｅ１と上方側壁部位８２１ｂ２〜８２１ｅ２とに分割されている点である。また、２つ目は、上方側壁部位８２１ｂ２〜８２１ｅ２が一定距離だけ下方側壁部位８２１ｂ１〜８２１ｅ１の鉛直上方に配置されている点である。なお、その他の構成は第１実施形態と同一である。したがって、以下においては、相違点を中心に説明し、同一構成については同一符号を付して説明を省略する。
FIG. 7 is a partial perspective view showing a schematic configuration of a third embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention, in which a part of the
第３実施形態では、上記仮想水平面ＨＳ（図４）よりも上方側で側壁８２１ｂ〜８２１ｅは上下分割されている。そして、上方側壁部位８２１ｂ２〜８２１ｅ２と下方側壁部位８２１ｂ１〜８２１ｅ１とが鉛直方向Ｚに互いに離間することで、貯留空間８２１ｆを水平方向から取り囲むように側壁開口８２１ｍが形成されている。このため、第１実施形態と同様に、上方開口８２１ｇに向けて上昇してくる処理液の一部は側壁開口８２１ｍを介して処理槽８２１から回収空間８２２ａに排出され、基板対向領域の近傍で分流される。この処理液の分流によって下降流の発生が抑制され、第１実施形態と同様の作用効果が得られる。
In the third embodiment, the
また、第３実施形態では、上方側壁部位８２１ｂ２〜８２１ｅ２と下方側壁部位８２１ｂ１との離間距離は一定であるが、上方側壁部位８２１ｂ２〜８２１ｅ２の全部あるいは一部を鉛直方向Ｚに移動可能な可動側壁部位としてもよい。そして、図示を省略する壁部駆動部を可動側壁部位に接続し、第２実施形態と同様に、制御部９が処理液吐出部８３０から貯留空間８２１ｆに吐出される単位時間当たりの処理液の吐出量に応じて鉛直方向Ｚにおける可動側壁部位の位置を制御して側壁開口８２１ｍの開度を調整するように構成してもよい。この場合、処理液吐出部８３０からの処理液の吐出量の値にかかわらず、側壁開口８２１ｍを介して回収空間８２２ａに回収される処理液の回収量を適切に調整し、下降流の発生を確実に抑制することができる。
Further, in the third embodiment, the distance between the upper side wall portion 821b2-821e2 and the lower side wall portion 821b1 is constant, but all or part of the upper side wall portion 821b2-821e2 can be moved in the vertical direction Z. It may be a part. Then, a wall drive unit (not shown) is connected to the movable side wall portion, and the
さらに、下降流の発生をさらに抑制するために、特開平１１−１０２８８８号公報に記載された技術、つまり上方開口８２１ｇの面積を制限するカバーを追加して下降流を抑制するという技術を上記実施形態に付加してもよい。
Further, in order to further suppress the generation of the downward flow, the technique described in JP-A-11-102888, that is, the technique of suppressing the downward flow by adding a cover that limits the area of the
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、バブル配管８４２から中空円柱状の突設部位８４３を設けたバブラー８４１を用いて気泡Ｖを供給しているが、バブラー８４１の構成はこれに限定されるものではない。例えば図８に示すように中空円錐台形状の突設部位８４６をバブル配管８４２から突設したものを用いてもよい（第４実施形態）。また、例えば図９に示すように突設部位を設けないもの、つまりバブル配管８４２の上面に気泡吐出口８４５を穿設したものを用いてもよい（第５実施形態）。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications other than those described above can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above embodiment, the bubble V is supplied from the
また、第１実施形態では、全側壁８２１ｂ〜８２１ｅに側壁開口を設けているが、一部の側壁のみに側壁開口を設けてもよい。また、側壁８２１ｂ〜８２１ｅ毎に１つの側壁開口を独立して設けているが、１つの側壁に設ける側壁開口の数は２以上であってもよい。また、互いに隣接する側壁に設けられた開口を連結して１つの側壁開口を設けてもよい。
Further, in the first embodiment, the side wall openings are provided on all the
また、上記実施形態では、処理液吐出部８３０は４本のフロー管８３１を含んでいるが、フロー管８３１の本数はこれに限定されるものではなく、貯留空間８２１ｆや基板Ｗのサイズ等に応じて設定するのが望ましい。また、気泡供給部８４０に含まれるバブラー８４１の本数は４本であるが、バブラー８４１の本数はこれらに限定されるものではなく、貯留空間８２１ｆや基板Ｗのサイズ等に応じて設定するのが望ましい。また、分流部８５０に含まれるバブラーボード８５１の枚数は３枚であるが、バブラー８４１の本数はこれらに限定されるものではなく、貯留空間８２１ｆや基板Ｗのサイズ等に応じて設定するのが望ましい。
Further, in the above embodiment, the processing
また、上記実施形態では、バブラー８４１を分流部８５０のバブラーボード８５１により支持して貯留空間８２１ｆに貯留された処理液内で固定的に配置するとともに、当該バブラーボード８５１により内底面８２１ｈを経由して上方に流れる処理液の流れＦを複数の流れに分流させている。ここで、例えばバブラーボード８５１を処理槽８２１に直接的に固定する、つまり分流部８５０を設けない基板処理装置に対して本発明を適用してもよい。
Further, in the above embodiment, the
また、上記実施形態では、窒素ガスをバブラー８４１に送り込んで窒素ガスの気泡Ｖを処理液内に供給しているが、窒素ガス以外のガスを本発明の「気体」として用いてもよい。
Further, in the above embodiment, nitrogen gas is sent to the
また、上記実施形態では、フロー管８３１から処理液を貯留空間８２１ｆの内底面８２１ｈに向けて吐出する基板処理装置に本発明を適用しているが、本発明の処理液の供給態様はこれに限定されるものではない。例えば基板の下方側から上方や斜め上方に向けて吐出したり、特許文献１のように貯留空間の内底面に沿って吐出する基板処理装置に対して本発明を適用してもよい。
Further, in the above embodiment, the present invention is applied to a substrate processing apparatus that discharges the treatment liquid from the
さらに、上記実施形態では、リン酸を含む薬液により薬液処理を行う基板処理装置やリンス処理を行う基板処理装置に対して本発明を適用しているが、本発明の適用範囲はこれに限定されるものではなく、上記薬液やリンス液以外の処理液に基板を浸漬させるとともに処理液内で上記基板に気泡を供給して基板処理を行う基板処理技術全般に本発明を適用することができる。 Further, in the above embodiment, the present invention is applied to a substrate processing apparatus that performs chemical solution treatment with a chemical solution containing phosphoric acid and a substrate processing apparatus that performs rinsing treatment, but the scope of application of the present invention is limited to this. However, the present invention can be applied to all substrate processing techniques in which a substrate is immersed in a treatment liquid other than the chemical solution or the rinse liquid and bubbles are supplied to the substrate in the treatment liquid to perform the substrate treatment.
この発明は、処理液を処理槽からオーバーフローさせながら処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬するとともに処理液内で上記基板に気泡を供給して処理する基板処理技術全般に適用することができる。 The present invention can be applied to all substrate processing techniques for immersing a substrate in a treatment liquid stored in a treatment tank while overflowing the treatment liquid from the treatment tank and supplying air bubbles to the substrate in the treatment liquid for processing. can.
８１…第１薬液処理部（基板処理装置）
８２…第１リンス処理部（基板処理装置）
８３…第２薬液処理部（基板処理装置）
８４…第２リンス処理部（基板処理装置）
８１０，８１０ａ，８１０ｂ…リフタ（基板保持部）
８２１…処理槽
８２１ａ…（処理槽の）底壁
８２１ｂ〜８２１ｅ…（処理槽の）側壁
８２１ｂ１〜８２１ｅ１…下方側壁部位
８２１ｂ２〜８２１ｅ２…上方側壁部位
８２１ｆ…貯留空間
８２１ｇ…上方開口
８２１ｈ…（貯留空間の）内底面
８２１ｈ〜８２１ｍ…側壁開口
８２２…オーバーフロー槽
８２２ａ…回収空間
８３０…処理液吐出部
８３４…処理液吐出口
８４０…気泡供給部
８４１，８４１ａ〜８４１ｄ…バブラー
８４５…気泡吐出口
ＨＳ…仮想水平面
Ｖ…気泡
ＶＳ…仮想鉛直面
Ｗ…基板
Ｗｃ…（基板の）中心
Ｚ…鉛直方向
81 ... First chemical solution processing unit (board processing device)
82 ... First rinsing unit (board processing device)
83 ... Second chemical solution processing unit (board processing device)
84 ... Second rinsing unit (board processing device)
810, 810a, 810b ... Lifter (board holding part)
821 ...
Claims (10)
前記貯留空間内で前記基板を起立姿勢で保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の下方側に設けられ、前記貯留空間に前記処理液を吐出して前記処理液が上方開口に向う流れを形成する処理液吐出部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の下方側に設けられ、前記貯留空間に貯留された前記処理液内に気泡を供給する気泡供給部と、を備え、
前記側壁のうち前記基板保持部に保持された前記基板と対向する基板対向領域に側壁開口が設けられることで、前記処理槽の外側に位置する回収空間と前記貯留空間とが前記側壁開口によって連通され、
前記上方開口に向かって流れる前記処理液を前記上方開口を介してオーバーフローして前記処理槽から前記回収空間に排出されるものと前記側壁開口を介して前記処理槽から前記回収空間に排出されるものとに分流することを特徴とする基板処理装置。 A side wall is raised from the periphery of the bottom wall to form a storage space for storing the treatment liquid, and the substrate is immersed in the treatment liquid stored in the storage space while overflowing the treatment liquid from the upper opening. With a processing tank to process
A substrate holding portion that holds the substrate in an upright position in the storage space,
A treatment liquid discharge portion provided on the lower side of the substrate held by the substrate holding portion and discharging the treatment liquid into the storage space to form a flow of the treatment liquid toward the upper opening.
A bubble supply unit provided on the lower side of the substrate held by the substrate holding unit and supplying bubbles into the processing liquid stored in the storage space is provided.
By providing a side wall opening in the substrate facing region of the side wall, which is held by the substrate holding portion and faces the substrate, the collection space located outside the processing tank and the storage space are communicated by the side wall opening. Being done
The treatment liquid flowing toward the upper opening overflows through the upper opening and is discharged from the treatment tank to the recovery space, and is discharged from the treatment tank to the recovery space through the side wall opening. A substrate processing device characterized in that it is divided into things.
前記側壁開口は前記側壁に部分的に設けられる基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1.
The side wall opening is a substrate processing device partially provided on the side wall.
前記側壁開口の開度を調整する開度調整部を備える基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2.
A substrate processing device including an opening degree adjusting unit for adjusting the opening degree of the side wall opening.
前記開度調整部を制御して前記側壁開口の開度を調整する制御部を備え、
前記開度調整部は、前記側壁開口を開閉するシャッターと、前記側壁開口に対して前記シャッターを移動させるシャッター駆動部とを有し、
前記制御部は前記処理液吐出部から前記貯留空間に吐出される単位時間当たりの前記処理液の量に応じて前記側壁開口に対する前記シャッターの位置を制御して前記側壁開口の開度を調整する基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 3.
A control unit for controlling the opening degree adjusting unit to adjust the opening degree of the side wall opening is provided.
The opening degree adjusting unit includes a shutter that opens and closes the side wall opening, and a shutter driving unit that moves the shutter with respect to the side wall opening.
The control unit controls the position of the shutter with respect to the side wall opening according to the amount of the treatment liquid discharged from the processing liquid discharge unit to the storage space per unit time to adjust the opening degree of the side wall opening. Substrate processing equipment.
前記側壁は前記底壁に接続される下方側壁部位と前記下方側壁部位の鉛直上方に配置される上方側壁部位とを有し、
前記上方側壁部位が前記下方側壁部位から鉛直上方に離間して配置されることで前記側壁開口は前記貯留空間を取り囲むように設けられる基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1.
The side wall has a lower side wall portion connected to the bottom wall and an upper side wall portion arranged vertically above the lower side wall portion.
A substrate processing apparatus in which the side wall opening is provided so as to surround the storage space by arranging the upper side wall portion vertically upward from the lower side wall portion.
前記上方側壁部位を鉛直方向に移動させる壁部駆動部と、
前記処理液吐出部から前記貯留空間に吐出される単位時間当たりの前記処理液の量に応じて前記壁部駆動部を制御することで鉛直方向における前記上方側壁部位の高さ位置を変位させて前記側壁開口の面積を調整する制御部と、
を備える基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 5.
A wall drive unit that moves the upper side wall portion in the vertical direction,
By controlling the wall drive unit according to the amount of the treatment liquid discharged from the treatment liquid discharge unit to the storage space per unit time, the height position of the upper side wall portion in the vertical direction is displaced. A control unit that adjusts the area of the side wall opening,
Substrate processing device.
前記側壁開口は前記基板保持部に保持された前記基板の中心を通る仮想水平面よりも上方側に設けられる基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6.
A substrate processing device in which the side wall opening is provided above the virtual horizontal plane passing through the center of the substrate held by the substrate holding portion.
前記回収空間に排出される前記処理液を回収するオーバーフロー槽を備え、
前記側壁開口は前記オーバーフロー槽に回収された前記処理液の液面よりも上方に位置する基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7.
An overflow tank for collecting the treatment liquid discharged into the collection space is provided.
The substrate processing apparatus whose side wall opening is located above the liquid level of the processing liquid collected in the overflow tank.
前記オーバーフロー槽における前記処理液の液面が前記側壁開口よりも低くなるように、前記オーバーフロー槽から前記処理液を回収して前記液面の高さを調整する処理液回収部を備える基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 8.
A substrate processing apparatus including a processing liquid recovery unit that collects the treatment liquid from the overflow tank and adjusts the height of the liquid level so that the liquid level of the treatment liquid in the overflow tank is lower than the side wall opening. ..
前記処理液吐出部は前記貯留空間の内底面に向けて前記処理液を吐出し、前記貯留空間の内底面を経由して前記処理液が上方開口に向う流れを形成する基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 9.
The treatment liquid discharge unit discharges the treatment liquid toward the inner bottom surface of the storage space, and forms a flow of the treatment liquid toward the upper opening via the inner bottom surface of the storage space.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019236757 | 2019-12-26 | ||
| JP2019236757 | 2019-12-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021106252A true JP2021106252A (en) | 2021-07-26 |
| JP7515335B2 JP7515335B2 (en) | 2024-07-12 |
Family
ID=76918964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020130001A Active JP7515335B2 (en) | 2019-12-26 | 2020-07-31 | Substrate Processing Equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7515335B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024131501A1 (en) * | 2022-12-19 | 2024-06-27 | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 | Substrate handling device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4338612B2 (en) | 2004-01-30 | 2009-10-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing equipment |
| US10615059B2 (en) | 2015-06-15 | 2020-04-07 | J.E.T. Co., Ltd. | Substrate processing device |
-
2020
- 2020-07-31 JP JP2020130001A patent/JP7515335B2/en active Active
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| WO2024131501A1 (en) * | 2022-12-19 | 2024-06-27 | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 | Substrate handling device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7515335B2 (en) | 2024-07-12 |
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