JP2021100213A - 高周波モジュール及び通信装置 - Google Patents

Abstract

【課題】雑音指数（ＮＦ）を改善させる。【解決手段】高周波モジュール１において、第１インダクタ４５Ａは、実装基板５の第１主面５１に配置されており、第１周波数の第１受信信号が通る第１受信経路において第１ローノイズアンプ２Ａの入力側に設けられている。第２インダクタ４５Ｂは、実装基板５の第１主面５１に配置されており、第１周波数よりも低い第２周波数の第２受信信号が通る第２受信経路において第２ローノイズアンプ２Ｂの入力側に設けられている。上記高周波部品は、第１インダクタ４５Ａと第２インダクタ４５Ｂとの間に配置されている。第１インダクタ４５Ａとシールド層８３との間の距離Ｌ１は、第２インダクタ４５Ｂとシールド層８３との間の距離Ｌ２よりも長い。第１インダクタ４５Ａは、実装基板５の厚さ方向において、第１ローノイズアンプ２Ａと重なる。【選択図】図２

Description

本発明は、一般に高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には、複数のローノイズアンプを備える高周波モジュール、及び、高周波モジュールを備える通信装置に関する。

特許文献１には、複数の増幅回路（ローノイズアンプ）を備えるフロントエンドモジュール（高周波モジュール）が開示されている（例えば、特許文献１参照）。

国際公開第２０１８／１１０３９３号

ところで、従来の高周波モジュールにおいて、実装基板に配置されている複数の部品を覆うようにシールド層が設けられた場合、周波数の高いバンドにおいて、インダクタがシールド層に近くなることによって、インダクタのＱ値が劣化する。また、周波数の高いバンドにおいて、インダクタとローノイズアンプとの配線長が長くなる。このため、雑音指数（Noise Figure：ＮＦ）が大きくなるという問題があった。

本発明は上記の点に鑑みてなされた発明であり、本発明の目的は、雑音指数（Noise Figure：ＮＦ）を改善させることができる高周波モジュール及び通信装置を提供することにある。

本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、外部接続端子と、第１ローノイズアンプと、第２ローノイズアンプと、第１インダクタと、第２インダクタと、少なくとも１つの高周波部品と、スイッチと、シールド層とを備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記外部接続端子は、前記実装基板の前記第２主面に配置されている。前記第１ローノイズアンプは、前記実装基板の前記第２主面に配置されており、第１周波数の第１受信信号が通る第１受信経路に設けられている。前記第２ローノイズアンプは、前記実装基板の前記第２主面に配置されており、前記第１周波数よりも低い第２周波数の第２受信信号が通る第２受信経路に設けられている。前記第１インダクタは、前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記第１受信経路において前記第１ローノイズアンプの入力側に設けられている。前記第２インダクタは、前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記第２受信経路において前記第２ローノイズアンプの入力側に設けられている。前記高周波部品は、前記実装基板の前記第１主面において前記第１インダクタと前記第２インダクタとの間に配置されている。前記スイッチは、前記第１受信経路と前記第２受信経路とをアンテナ端子に同時に接続可能である。前記シールド層は、前記第１ローノイズアンプ、前記第２ローノイズアンプ、前記第１インダクタ、前記第２インダクタ及び前記高周波部品を覆う。前記第１インダクタと前記高周波部品と前記第２インダクタとが並んでいる方向において、前記第１インダクタと前記シールド層との間の距離は、前記第２インダクタと前記シールド層との間の距離よりも長い。前記第１インダクタは、前記実装基板の厚さ方向において、前記第１ローノイズアンプと重なる。

本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、外部接続端子と、第１ローノイズアンプと、第２ローノイズアンプと、第１インダクタと、第２インダクタと、少なくとも１つの高周波部品と、シールド層とを備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記外部接続端子は、前記実装基板の前記第２主面に配置されている。前記第１ローノイズアンプは、前記実装基板の前記第２主面に配置されており、第１周波数の第１受信信号が通る第１受信経路に設けられている。前記第２ローノイズアンプは、前記実装基板の前記第２主面に配置されており、前記第１周波数よりも低い第２周波数の第２受信信号が通り前記第１受信経路と同時に使用される第２受信経路に設けられている。前記第１インダクタは、前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記第１受信経路において前記第１ローノイズアンプの入力側に設けられている。前記第２インダクタは、前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記第２受信経路において前記第２ローノイズアンプの入力側に設けられている。前記高周波部品は、前記実装基板の前記第１主面において前記第１インダクタと前記第２インダクタとの間に配置されている。前記シールド層は、前記第１ローノイズアンプ、前記第２ローノイズアンプ、前記第１インダクタ、前記第２インダクタ及び前記高周波部品を覆う。前記第１インダクタと前記高周波部品と前記第２インダクタとが並んでいる方向において、前記第１インダクタと前記シールド層との間の距離は、前記第２インダクタと前記シールド層との間の距離よりも長い。前記第１インダクタは、前記実装基板の厚さ方向において、前記第１ローノイズアンプと重なる。

本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、信号処理回路とを備える。前記信号処理回路は、前記高周波モジュールからの信号を処理する。

本発明の上記態様に係る高周波モジュール及び通信装置によれば、雑音指数（ＮＦ）を改善させることができる。

図１は、実施形態１に係る高周波モジュールの平面図である。 図２は、同上の高周波モジュールにおける図１のＸ１−Ｘ１断面図である。 図３は、実施形態１に係る通信装置の概略図である。 図４は、実施形態２に係る高周波モジュールの平面図である。 図５は、実施形態３に係る高周波モジュールの要部の平面図である。 図６は、実施形態４に係る高周波モジュールの要部の平面図である。 図７は、実施形態４の変形例に係る高周波モジュールの要部の平面図である。

以下、実施形態１〜４に係る高周波モジュール及び通信装置について、図面を参照して説明する。下記の実施形態等において参照する図１、図２及び図４〜図７は、模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比は、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

（実施形態１）
（１）高周波モジュール
実施形態１に係る高周波モジュール１の構成について、図面を参照して説明する。

実施形態１に係る高周波モジュール１は、図３に示すように、複数（図示例では２つ）のローノイズアンプ２と、複数（図示例では２つ）の受信フィルタ３とを備える。さらに、高周波モジュール１は、複数（図示例では２つ）の整合回路４２と、複数（図示例では２つ）の整合回路４３と、整合回路４４と、複数の外部接続端子６と、スイッチ７とを備える。また、高周波モジュール１は、図１及び図２に示すように、実装基板５と、第１樹脂部材８１と、第２樹脂部材８２と、シールド層８３とを備える。

高周波モジュール１は、図３に示すように、例えば、通信装置９に用いられる。通信装置９は、例えばスマートフォンのような携帯電話である。なお、通信装置９は、携帯電話であることに限定されず、例えば、スマートウォッチのようなウェアラブル端末等であってもよい。

高周波モジュール１は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格等に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ ＬＴＥ規格（ＬＴＥ：Long Term Evolution）である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ ＮＲ（New Radio）である。高周波モジュール１は、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティに対応可能なモジュールである。

高周波モジュール１は、複数の通信バンドの通信を行う。より詳細には、高周波モジュール１は、複数の通信バンドの各々の受信信号を受信する。具体的には、高周波モジュール１は、第１通信バンドの通信と第２通信バンドの通信とを行う。より詳細には、高周波モジュール１は、第１通信バンドの受信信号と、第２通信バンドの受信信号とを受信する。

高周波モジュール１は、複数の通信バンドの受信信号の受信のために複数（図示例では２つ）の受信経路Ｔ２を有する。複数の受信経路Ｔ２は、第１受信経路Ｔ２１と、第２受信経路Ｔ２２とを含む。第１通信バンド（第１周波数）の第１受信信号は第１受信経路Ｔ２１を通り、第２通信バンド（第２周波数）の第２受信信号は第２受信経路Ｔ２２を通る。ここで、第２通信バンド（第２周波数）は、第１通信バンド（第１周波数）よりも低い。

高周波モジュール１において、第１受信経路Ｔ２１と第２受信経路Ｔ２２とは、同時に使用される経路である。つまり、高周波モジュール１において、第１受信経路Ｔ２１及び第２受信経路Ｔ２２は、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティに対応可能なモジュールである。

受信信号は、例えば、ＦＤＤ（Frequency Division Duplex）の信号である。ＦＤＤは、無線通信における送信と受信とに異なる周波数帯域を割り当てて、送信及び受信を行う無線通信技術である。なお、受信信号は、ＦＤＤの信号に限定されず、ＴＤＤ（Time Division Duplex）の信号であってもよい。ＴＤＤは、無線通信における送信と受信とに同一の周波数帯域を割り当てて、送信と受信とを時間ごとに切り替えて行う無線通信技術である。

（２）高周波モジュールの回路構成
以下、実施形態１に係る高周波モジュール１の回路構成について、図面を参照して説明する。ここでは、受信信号がＦＤＤの信号である場合について説明する。

（２．１）ローノイズアンプ
図３に示す複数のローノイズアンプ２の各々は、受信信号の振幅を低雑音で増幅させる増幅器である。各ローノイズアンプ２は、後述のアンテナ端子６１と後述の出力端子６２とを結ぶ受信経路Ｔ２のうち整合回路４２と出力端子６２との間に設けられている。各ローノイズアンプ２は、出力端子６２を介して外部回路（例えば信号処理回路９２）に接続される。

複数のローノイズアンプ２は、第１ローノイズアンプ２Ａと、第２ローノイズアンプ２Ｂとを含む。第１ローノイズアンプ２Ａは第１受信経路Ｔ２１に設けられており、第２ローノイズアンプ２Ｂは第２受信経路Ｔ２２に設けられている。

（２．２）受信フィルタ
図３に示す複数の受信フィルタ３の各々は、受信信号を通過させる通信バンドの受信フィルタである。各受信フィルタ３は、アンテナ端子６１と出力端子６２とを結ぶ受信経路Ｔ２のうちアンテナ端子６１と整合回路４２との間に設けられている。各受信フィルタ３は、受信経路Ｔ２によって、ローノイズアンプ２と接続されている。各受信フィルタ３は、アンテナ端子６１から入力された高周波信号のうち、上記通信バンドの受信帯域の受信信号を通過させる。

複数の受信フィルタ３は、第１受信フィルタ３Ａと、第１受信フィルタ３Ｃ（図１参照）と、第２受信フィルタ３Ｂと、第２受信フィルタ３Ｄ（図１参照）とを含む。第１受信フィルタ３Ａは第１受信経路Ｔ２１に設けられており、第２受信フィルタ３Ｂは第２受信経路Ｔ２２に設けられている。

（２．３）整合回路
複数の整合回路４２の各々は、図３に示すように、受信経路Ｔ２のうち受信フィルタ３とローノイズアンプ２との間に設けられている。各整合回路４２は、受信フィルタ３とローノイズアンプ２とのインピーダンス整合をとるための回路である。

複数の整合回路４２は、第１整合回路４２Ａと、第２整合回路４２Ｂと、第３整合回路（図示せず）と、第４整合回路（図示せず）とを含む。第１整合回路４２Ａは第１受信経路Ｔ２１に設けられており、第２整合回路４２Ｂは第２受信経路Ｔ２２に設けられている。

複数の整合回路４２の各々は、インダクタ４５を含む構成である。第１整合回路４２Ａは、第１インダクタ４５Ａを含む。第１インダクタ４５Ａは、第１受信経路Ｔ２１において、第１ローノイズアンプ２Ａの入力側に設けられている。第２整合回路４２Ｂは、第２インダクタ４５Ｂを含む。第２インダクタ４５Ｂは、第２受信経路Ｔ２２において、第２ローノイズアンプ２Ｂの入力側に設けられている。第３整合回路は、第１インダクタ４５Ｃ（図１参照）を含む。第１インダクタ４５Ｃは、第１ローノイズアンプの入力側に設けられている。第４整合回路は、第２インダクタ４５Ｄ（図１参照）を含む。第２インダクタ４５Ｄは、第２ローノイズアンプの入力側に設けられている。なお、各整合回路４２は、１つのインダクタ４５を含む構成であることに限定されず、例えば、インダクタ４５を含む複数のインダクタを含む構成であってもよいし、インダクタ４５を含む複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含む構成であってもよい。要するに、各整合回路４２は、少なくとも１つのインダクタ４５を含む。

複数の整合回路４３の各々は、図３に示すように、受信経路Ｔ２のうちスイッチ７と受信フィルタ３との間に設けられている。

複数の整合回路４３は、第１整合回路４３Ａと、第２整合回路４３Ｂと、第３整合回路（図示せず）と、第４整合回路（図示せず）とを含む。第１整合回路４３Ａは第１受信経路Ｔ２１に設けられており、第２整合回路４３Ｂは第２受信経路Ｔ２２に設けられている。

複数の整合回路４３の各々は、インダクタ４６を含む構成である。第１整合回路４３Ａは、インダクタ４６Ａを含む。インダクタ４６Ａは、第１受信経路Ｔ２１においてスイッチ７と第１受信フィルタ３Ａとの間に設けられている。第２整合回路４３Ｂは、インダクタ４６Ｂを含む。インダクタ４６Ｂは、第２受信経路Ｔ２２においてスイッチ７と第２受信フィルタ３Ｂとの間に設けられている。第３整合回路は、インダクタ４６Ｃ（図１参照）を含む。インダクタ４６Ｃは、スイッチ７と第１受信フィルタ３Ｃ（図１参照）との間に設けられている。第４整合回路は、インダクタ４６Ｄを含む。インダクタ４６Ｄは、スイッチ７と第２受信フィルタ３Ｄ（図１参照）との間に設けられている。各整合回路４３のインダクタ４６は、例えば、受信経路Ｔ２上のノードとグランドとの間に設けられている。なお、各整合回路４３は、１つのインダクタ４６を含む構成であることに限定されず、例えば、インダクタ４６を含む複数のインダクタを含む構成であってもよいし、インダクタ４６を含む複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含む構成であってもよい。要するに、各整合回路４３は、少なくとも１つのインダクタ４６を含む。

整合回路４４は、図３に示すように、アンテナ端子６１とスイッチ７との間に設けられている。整合回路４４は、例えば１つのインダクタ４７を含む構成である。

インダクタ４７は、例えば、アンテナ端子６１とスイッチ７との間の経路上のノードとグランドとの間に設けられている。なお、整合回路４４は、１つのインダクタ４７を含む構成であることに限定されず、例えば、複数のインダクタを含む構成であってもよいし、複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含む構成であってもよい。

（２．４）スイッチ
スイッチ７は、図３に示すように、後述のアンテナ９１に接続させる経路（受信経路Ｔ２）を切り替えるスイッチである。スイッチ７は、共通端子７１と、２つの選択端子７２，７３とを有する。共通端子７１は、後述のアンテナ端子６１に接続されている。選択端子７２は、第１整合回路４３Ａに接続されている。選択端子７３は、第２整合回路４３Ｂに接続されている。

スイッチ７は、共通端子７１に２つの選択端子７２，７３を接続可能なスイッチである。スイッチ７は、一対多の接続が可能なダイレクトマッピングスイッチである。スイッチ７は、第１受信経路Ｔ２１と第２受信経路Ｔ２２とをアンテナ端子６１に同時に接続可能なスイッチである。スイッチ７は、例えば、信号処理回路９２によって制御される。より詳細には、スイッチ７は、信号処理回路９２のＲＦ信号処理回路９３からの制御信号に従って、共通端子７１と２つの選択端子７２，７３との接続状態を切り替える。

（２．５）外部接続端子
複数の外部接続端子６は、図３に示すように、アンテナ端子６１と、複数（図示例では２つ）の出力端子６２とを含む。アンテナ端子６１は、後述のアンテナ９１が接続される端子である。複数の出力端子６２は、後述の信号処理回路９２に接続される。複数の出力端子６２の各々は、ローノイズアンプ２からの高周波信号（受信信号）が外部回路（例えば信号処理回路９２）へ出力される端子である。複数の出力端子６２は、第１出力端子６２１と、第２出力端子６２２とを含む。第１出力端子６２１は第１ローノイズアンプ２Ａの出力側に接続されており、第２出力端子６２２は第２ローノイズアンプ２Ｂの出力側に接続されている。

（３）高周波モジュールの構造
以下、実施形態１に係る高周波モジュール１の構造について、図面を参照して説明する。

高周波モジュール１は、図１及び図２に示すように、実装基板５と、複数の回路素子とを備える。高周波モジュール１は、複数の回路素子として、複数（図示例では２つ）のローノイズアンプ２と、複数（図示例では４つ）の受信フィルタ３と、複数（図示例では４つ）のインダクタ４５（複数の整合回路４２）と、複数（図示例では４つ）のインダクタ４６（複数の整合回路４３）と、スイッチ７とを備える。図２では、複数の回路素子のうち、第１ローノイズアンプ２Ａと第２ローノイズアンプ２Ｂとスイッチ７とが１つのチップで構成されている。

高周波モジュール１は、外部基板（図示せず）に電気的に接続可能である。外部基板は、例えば、携帯電話及び通信機器等のマザー基板に相当する。なお、高周波モジュール１が外部基板に電気的に接続可能であるとは、高周波モジュール１が外部基板上に直接的に実装される場合だけでなく、高周波モジュール１が外部基板上に間接的に実装される場合も含む。なお、高周波モジュール１が外部基板上に間接的に実装される場合とは、高周波モジュール１が、外部基板上に実装された他の高周波モジュール上に実装される場合等である。

（３．１）実装基板
実装基板５は、図１及び図２に示すように、第１主面５１及び第２主面５２を有する。第１主面５１及び第２主面５２は、実装基板５の厚さ方向において互いに対向する。第２主面５２は、高周波モジュール１が外部基板（図示せず）に設けられたときに外部基板と対向する。

実装基板５は、複数の誘電体層が積層された多層基板である。実装基板５は、複数の導体パターン部と、複数の柱状電極とを有する。複数の導体パターン部は、グランド電位に設定された導体パターン部を含む。図２の例では、グランド層５４が、グランド電位に設定された導体パターン部に相当する。複数の柱状電極は、第１主面５１に実装されている回路素子と実装基板５の導体パターン部との電気的接続に用いられる。また、複数の柱状電極は、第１主面５１に実装されている回路素子及び実装基板５の導体パターン部と外部接続端子６との電気的接続に用いられる。

（３．２）受信フィルタ
複数の受信フィルタ３は、例えば、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を含む弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタである。さらに、各受信フィルタ３は、複数の直列腕共振子のいずれかと直列又は並列に接続されるインダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を含んでもよいし、複数の並列腕共振子のいずれかと直列又は並列に接続されるインダクタ又はキャパシタを含んでもよい。

（３．３）整合回路
複数のインダクタ４５（複数の整合回路４２）は、図１及び図２に示すように、実装基板５の第１主面５１に配置されている。上述したように、第１整合回路４２Ａは第１インダクタ４５Ａを含み、第２整合回路４２Ｂは第２インダクタ４５Ｂを含む。インダクタ４５は、例えば、実装基板５の第１主面５１に実装されているチップ状の素子（チップインダクタ）、又は、実装基板５に設けられている導体パターン部（配線インダクタ）である。図１の例では、インダクタ４５は、実装基板５の第１主面５１に実装されている。要するに、インダクタ４５は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されている。インダクタ４５がチップインダクタである場合、実装基板５の厚さ方向からの平面視で、インダクタ４５の外周形状は、例えば四角形状である。

（３．４）ローノイズアンプ
複数のローノイズアンプ２の各々は、図２に示すように、実装基板５の第２主面５２に配置されている。より詳細には、第１ローノイズアンプ２Ａ及び第２ローノイズアンプ２Ｂとは異なるスイッチ７（別素子）と第１ローノイズアンプ２Ａと第２ローノイズアンプ２Ｂとが１つのチップで構成されている。第１ローノイズアンプ２Ａ及び第２ローノイズアンプ２Ｂは、実装基板５の第２主面５２に配置されている。なお、ローノイズアンプ２の一部が実装基板５の第２主面５２に実装されており、ローノイズアンプ２の残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、ローノイズアンプ２は、実装基板５において第２主面５２側に配置されており、かつ、第２主面５２に実装されている部分を少なくとも有する。

（３．５）外部接続端子
図１及び図２に示す複数の外部接続端子６は、実装基板５と外部基板（図示せず）とを電気的に接続させるための端子である。複数の外部接続端子６は、図３に示すアンテナ端子６１及び複数（図示例では２つ）の出力端子６２を含む。

複数の外部接続端子６は、実装基板５の第２主面５２に配置されている。複数の外部接続端子６の各々は、柱状の貫通電極である。複数の外部接続端子６の材料は、例えば、金属（例えば、銅、銅合金等）である。

高周波モジュール１では、マザー基板（外部基板）への高周波モジュール１の実装性、高周波モジュール１のグランド電極の数を多くする観点等から、複数の外部接続端子６が設けられている。

（３．６）第１樹脂部材
第１樹脂部材８１は、図２に示すように、実装基板５の第１主面５１に設けられており、第１主面５１に配置されている複数の回路素子及び第１主面５１を覆っている。第１樹脂部材８１は、第１主面５１に配置されている回路素子の機械強度（耐衝撃性）及び耐湿性等の信頼性を確保する機能を有する。つまり、第１樹脂部材８１は、第１主面５１に配置されている回路素子を保護する機能を有する。第１樹脂部材８１は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。

（３．７）第２樹脂部材
第２樹脂部材８２は、図２に示すように、実装基板５の第２主面５２に設けられており、第２主面５２に配置されている複数の回路素子及び第２主面５２を覆っている。第２樹脂部材８２は、第２主面５２に配置されている回路素子の機械強度（耐衝撃性）及び耐湿性等の信頼性を確保する機能を有する。つまり、第２樹脂部材８２は、第２主面５２に配置されている回路素子を保護する機能を有する。第２樹脂部材８２は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。

（３．８）シールド層
シールド層８３は、図２に示すように、第１樹脂部材８１と実装基板５とを覆っている。また、シールド層８３は、第１ローノイズアンプ２Ａ、第２ローノイズアンプ２Ｂ、第１インダクタ４５Ａ、第２インダクタ４５Ｂ、インダクタ４６Ａ，４６Ｂ、第１受信フィルタ３Ａ及び第２受信フィルタ３Ｂを覆う。さらに、シールド層８３は、第１インダクタ４５Ｃ（図１参照）、第２インダクタ４５Ｄ（図１参照）、インダクタ４６Ｃ，４６Ｄ、第１受信フィルタ３Ｃ（図１参照）及び第２受信フィルタ３Ｄ（図１参照）、スイッチ７を覆う。

シールド層８３の材料は、例えば、金属である。シールド層８３は、実装基板５のグランド層５４と接触している。これにより、シールド層８３の電位をグランド層５４の電位と同じにすることができる。

（４）配置関係
次に、実施形態１に係る高周波モジュール１における複数の部品の配置関係について、図１及び図２を参照して説明する。

上述したように、複数の受信フィルタ３、複数のインダクタ４５及び複数のインダクタ４６は、実装基板５の第１主面５１に配置されている。複数のローノイズアンプ２及びスイッチ７で構成されるチップは、実装基板５の第２主面５２に配置されている。

図１及び図２に示すように、第１受信フィルタ３Ａ及び第２受信フィルタ３Ｂは、実装基板５の第１主面５１において第１インダクタ４５Ａと第２インダクタ４５Ｂとの間に配置されている。「第１受信フィルタ３Ａ及び第２受信フィルタ３Ｂが第１インダクタ４５Ａと第２インダクタ４５Ｂとの間に配置されている」とは、第１インダクタ４５Ａの任意の点と第２インダクタ４５Ｂの任意の点とを結んだ直線で囲まれた領域に第１受信フィルタ３Ａ及び第２受信フィルタ３Ｂが配置されていることをいう。このとき、第１受信フィルタ３Ａの少なくとも一部、第２受信フィルタ３Ｂの少なくとも一部が上記領域に含まれていればよい。

上記の配置状態において、第１インダクタ４５Ａと複数の高周波部品と第２インダクタ４５Ｂとが並んでいる方向において、第１インダクタ４５Ａとシールド層８３との間の距離Ｌ１は、第２インダクタ４５Ｂとシールド層８３との間の距離Ｌ２よりも長い。ここで、複数の高周波部品とは、第１受信フィルタ３Ａ、第２受信フィルタ３Ｂ、複数（図示例では２つ）のインダクタ４６である。

また、第１インダクタ４５Ｃと複数の高周波部品と第２インダクタ４５Ｄとが並んでいる方向において、第１インダクタ４５Ｃとシールド層８３との間の距離Ｌ３は、第２インダクタ４５Ｄとシールド層８３との間の距離Ｌ４よりも長い。ここで、複数の高周波部品とは、第１受信フィルタ３Ｃ、第２受信フィルタ３Ｄ、複数（図示例では２つ）のインダクタ４６である。

第１インダクタ４５Ａは、実装基板５の厚さ方向において、第１ローノイズアンプ２Ａと重なる。ここで、「第１インダクタ４５Ａが実装基板５の厚さ方向において第１ローノイズアンプ２Ａと重なる」とは、実装基板５の厚さ方向において第１インダクタ４５Ａの少なくとも一部が第１ローノイズアンプ２Ａの少なくとも一部と重なることをいう。「第１インダクタ４５Ａが実装基板５の厚さ方向において第１ローノイズアンプ２Ａと重なる」とは、例えば、第１インダクタ４５Ａの一部又は全部が第１ローノイズアンプ２Ａの一部と重なる場合と、第１インダクタ４５Ａの一部又は全部が第１ローノイズアンプ２Ａの全部と重なる場合とを含む。

ところで、図１に示すように、第１インダクタ４５Ａ及び第２インダクタ４５Ｂは、実装基板５の厚さ方向からの平面視において、高周波部品よりも実装基板５の端側に配置されている。ここでの高周波部品とは、第１受信フィルタ３Ａ、第２受信フィルタ３Ｂ、インダクタ４６Ａ，４６Ｂである。上記より、第１インダクタ４５Ａと第２インダクタ４５Ｂとの間の距離を長くすることができるので、第１インダクタ４５Ａと第２インダクタ４５Ｂとの間の結合を弱めることができる。

また、上述したように、第１インダクタ４５Ａと第２インダクタ４５Ｂとの間に第１受信フィルタ３Ａ及び第２受信フィルタ３Ｂが配置されている。これにより、第１インダクタ４５Ａと第１受信フィルタ３Ａとの間の配線長を短くすることができ、かつ、第２インダクタ４５Ｂと第２受信フィルタ３Ｂとの間の配線長を短くすることができる。その結果、第１受信経路Ｔ２１（図３参照）と第２受信経路Ｔ２２（図３参照）とが同時に使用される場合において、互いの通信のアイソレーションを確保しやすくすることができる。

ところで、図１に示すように、複数のインダクタ４６は、複数の受信フィルタ３の間に配置されている。より詳細には、インダクタ４６Ａ及びインダクタ４６Ｂは、第１受信フィルタ３Ａと第２受信フィルタ３Ｂとの間に配置されている。上記より、複数のインダクタ４６と複数の受信フィルタ３との間の配線長を短くすることができる。その結果、第１受信経路Ｔ２１（図３参照）と第２受信経路Ｔ２２（図３参照）とが同時に使用される場合において、互いの通信のアイソレーションを確保しやすくすることができる。

また、図２に示すように、第１ローノイズアンプ２Ａ及び第２ローノイズアンプ２Ｂとは異なる別素子と第１ローノイズアンプ２Ａと第２ローノイズアンプ２Ｂとが１つのチップで構成されている。ここで、別素子とは、スイッチ７である。そして、別素子であるスイッチ７は、チップ内において、第１ローノイズアンプ２Ａと第２ローノイズアンプ２Ｂとの間に配置されている。その結果、第１受信経路Ｔ２１（図３参照）と第２受信経路Ｔ２２（図３参照）とが同時に使用される場合において、互いの通信のアイソレーションを確保しやすくすることができる。

（５）高周波モジュールの各構成要素の詳細構造
（５．１）実装基板
図１及び図２に示す実装基板５は、例えば、プリント配線板、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板等である。ここにおいて、実装基板５は、例えば、複数の誘電体層（図示せず）及び複数の導体パターン部（グランド層５４を含む）を含む多層基板である。複数の誘電体層及び複数の導体パターン部は、実装基板５の厚さ方向において積層されている。複数の導体パターン部は、それぞれ所定パターンに形成されている。複数の導体パターン部の各々は、実装基板５の厚さ方向に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導体パターン部の材料は、例えば、銅である。

実装基板５の第１主面５１及び第２主面５２は、実装基板５の厚さ方向において離れており、実装基板５の厚さ方向に交差する。実装基板５における第１主面５１は、例えば、実装基板５の厚さ方向に直交しているが、例えば、厚さ方向に直交しない面として導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板５における第２主面５２は、例えば、実装基板５の厚さ方向に直交しているが、例えば、厚さ方向に直交しない面として、導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板５の第１主面５１及び第２主面５２は、微細な凹凸又は凹部又は凸部が形成されていてもよい。

（５．２）受信フィルタ
受信フィルタ３は、１チップのフィルタである。ここにおいて、受信フィルタ３では、例えば、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。この場合、受信フィルタ３は、例えば、基板と、圧電体層と、複数のＩＤＴ電極（Interdigital Transducer）とを備える。基板は、第１面及び第２面を有する。圧電体層は、基板の第１面に設けられている。圧電体層は、低音速膜上に設けられている。複数のＩＤＴ電極は、圧電体層上に設けられている。ここにおいて、低音速膜は、基板上に直接的又は間接的に設けられている。また、圧電体層は、低音速膜上に直接的又は間接的に設けられている。低音速膜では、圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。基板では、圧電体層を伝搬する弾性波の音速より伝搬するバルク波の音速が高速である。圧電体層の材料は、例えば、リチウムタンタレートである。低音速膜の材料は、例えば、酸化ケイ素である。基板は、例えば、シリコン基板である。圧電体層の厚さは、例えば、ＩＤＴ電極の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。低音速膜の厚さは、例えば、２．０λ以下である。

圧電体層は、例えば、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、又は、チタン酸ジルコン酸鉛のいずれかにより形成されていればよい。また、低音速膜は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物からなる群から選択される少なくとも１種の材料を含んでいればよい。また、基板は、シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含んでいればよい。

受信フィルタ３は、例えば、スペーサ層と、カバー部材とを更に備える。スペーサ層及びカバー部材は、基板の第１面に設けられている。スペーサ層は、基板の厚さ方向からの平面視で、複数のＩＤＴ電極を囲んでいる。基板の厚さ方向からの平面視で、スペーサ層は枠状（矩形枠状）である。スペーサ層は、電気絶縁性を有する。スペーサ層の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。カバー部材は、平板状である。基板の厚さ方向からの平面視で、カバー部材は、長方形状であるが、これに限らず、例えば、正方形状であってもよい。受信フィルタ３では、基板の厚さ方向からの平面視で、カバー部材の外形サイズと、スペーサ層の外形サイズと、カバー部材の外形サイズと、が略同じである。カバー部材は、基板の厚さ方向において基板に対向するようにスペーサ層に配置されている。カバー部材は、基板の厚さ方向において複数のＩＤＴ電極と重複し、かつ、基板の厚さ方向において複数のＩＤＴ電極から離れている。カバー部材は、電気絶縁性を有する。カバー部材の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。受信フィルタ３は、基板とスペーサ層とカバー部材とで囲まれた空間を有する。受信フィルタ３では、空間には、気体が入っている。気体は、例えば、空気、不活性ガス（例えば、窒素ガス）等である。複数の端子は、カバー部材から露出している。複数の端子の各々は、例えば、バンプである。各バンプは、例えば、はんだバンプである。各バンプは、はんだバンプに限らず、例えば金バンプであってもよい。

受信フィルタ３は、例えば低音速膜と圧電体層との間に介在する密着層を含んでいてもよい。密着層は、例えば、樹脂（エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂）からなる。また、受信フィルタ３は、低音速膜と圧電体層との間、圧電体層上、又は低音速膜下のいずれかに誘電体膜を備えていてもよい。

また、受信フィルタ３は、例えば、基板と低音速膜との間に介在する高音速膜を備えていてもよい。ここにおいて、高音速膜は、基板上に直接的又は間接的に設けられている。低音速膜は、高音速膜上に直接的又は間接的に設けられている。圧電体層は、低音速膜上に直接的又は間接的に設けられている。高音速膜では、圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。低音速膜では、圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。

高音速膜は、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、マグネシア、ダイヤモンド、又は、上記各材料を主成分とする材料、上記各材料の混合物を主成分とする材料からなる。

高音速膜の厚さに関しては、弾性波を圧電体層及び低音速膜に閉じ込める機能を高音速膜が有するため、高音速膜の厚さは厚いほど望ましい。受信フィルタ３は、高音速膜、低音速膜及び圧電体層以外の他の膜として密着層、誘電体膜等を有していてもよい。

複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々は、上記の弾性波共振子に限らず、例えば、ＳＡＷ共振子又はＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）共振子であってもよい。ここにおいて、ＳＡＷ共振子は、例えば、圧電体基板と、圧電体基板上に設けられているＩＤＴ電極と、を含む。受信フィルタ３は、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々をＳＡＷ共振子により構成する場合、１つの圧電体基板上に、複数の直列腕共振子に一対一に対応する複数のＩＤＴ電極と、複数の並列腕共振子に一対一に対応する複数のＩＤＴ電極と、を有している。圧電体基板は、例えば、リチウムタンタレート基板、リチウムニオベイト基板等である。

（５．３）ローノイズアンプ及びスイッチ
図２に示す複数のローノイズアンプ２及びスイッチは、例えば、基板と増幅機能部とを備える１つのＩＣチップである。基板は、互いに対向する第１面及び第２面を有する。基板は、例えば、シリコン基板である。増幅機能部は、基板の第１面に形成されている。増幅機能部は、所定の周波数帯域の受信信号を増幅する機能を有する機能部である。複数のローノイズアンプ２及びスイッチ７は、例えば、基板の第１面が実装基板５側となるように実装基板５の第２主面５２にフリップチップ実装されている。実装基板５の厚さ方向からの平面視で、ローノイズアンプ２及びスイッチ７の１つのＩＣチップの外周形状は、例えば四角形状である。

（６）通信装置
実施形態１に係る通信装置９は、図３に示すように、高周波モジュール１と、アンテナ９１と、信号処理回路９２とを備える。

（６．１）アンテナ
アンテナ９１は、図３に示すように、高周波モジュール１のアンテナ端子６１に接続されている。アンテナ９１は、送信信号を電波にて放射する送信機能と、受信信号を電波として外部から受信して高周波モジュール１へ出力する受信機能とを有する。受信信号の例としては、第１受信信号及び第２受信信号が挙げられる。

（６．２）信号処理回路
図３に示す信号処理回路９２は、高周波モジュール１への送信信号及び高周波モジュール１からの受信信号を処理する。信号処理回路９２は、ＲＦ信号処理回路９３と、ベースバンド信号処理回路９４とを含む。信号処理回路９２は、第１通信信号（第１送信信号、第１受信信号）及び第２通信信号（第２送信信号、第２受信信号）を処理する。

（６．２．１）ＲＦ信号処理回路
図３に示すＲＦ信号処理回路９３は、例えばＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号に対する信号処理を行う。ＲＦ信号処理回路９３は、ベースバンド信号処理回路９４から出力された高周波信号（送信信号）に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を高周波モジュール１に出力する。ＲＦ信号処理回路９３は、高周波モジュール１から出力された高周波信号（受信信号）に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号をベースバンド信号処理回路９４に出力する。

（６．２．２）ベースバンド信号処理回路
図３に示すベースバンド信号処理回路９４は、例えばＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）であり、信号処理回路９２の外部からの送信信号に対する所定の信号処理を行う。ベースバンド信号処理回路９４で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のための画像信号として使用され、又は、通話のための音声信号として使用される。

（７）効果
実施形態１に係る高周波モジュール１では、第１インダクタ４５Ａと高周波部品（複数の受信フィルタ３、複数のインダクタ４６）と第２インダクタ４５Ｂとが並んでいる方向において、第１インダクタ４５Ａとシールド層８３との間の距離Ｌ１は、第２インダクタ４５Ｂとシールド層８３との間の距離Ｌ２よりも長い。第２周波数よりも高い第１周波数の第１受信信号が通る第１受信経路Ｔ２１に設けられている第１インダクタ４５Ａを、第２周波数の第２受信信号が通る第２受信経路Ｔ２２に設けられている第２インダクタ４５Ｂよりも優先してシールド層８３から離している。これにより、第１インダクタ４５ＡのＱ値の劣化を低減させることができる。

また、実施形態１に係る高周波モジュール１では、第１インダクタ４５Ａが第１ローノイズアンプ２Ａと重なる。これにより、第１インダクタ４５Ａと第１ローノイズアンプ２Ａとの間の配線長を短くすることができるので、配線５３１が有する寄生容量を低減させることができる。

上記より、実施形態１に係る高周波モジュール１によれば、雑音指数（ＮＦ）の劣化を低減させることができる。

実施形態１に係る高周波モジュール１では、第１インダクタ４５Ａ及び第２インダクタ４５Ｂが高周波部品（複数の受信フィルタ３、複数のインダクタ４６）よりも実装基板５の端側に配置されている。これにより、第１インダクタ４５Ａと第２インダクタ４５Ｂとの間の距離を長くすることができるので、第１インダクタ４５Ａと第２インダクタ４５Ｂとの間の結合を弱めることができる。

実施形態１に係る高周波モジュール１では、第１インダクタ４５Ａと第２インダクタ４５Ｂとの間に第１受信フィルタ３Ａ及び第２受信フィルタ３Ｂが配置されている。これにより、第１インダクタ４５Ａと第１受信フィルタ３Ａとの間の配線長を短くすることができ、かつ、第２インダクタ４５Ｂと第２受信フィルタ３Ｂとの間の配線長を短くすることができる。その結果、第１受信経路Ｔ２１と第２受信経路Ｔ２２とが同時に使用される場合において、互いの通信のアイソレーションを確保しやすくすることができる。

実施形態１に係る高周波モジュール１では、複数の受信経路Ｔ２において複数の受信フィルタ３とスイッチ７との間に設けられている複数のインダクタ４６が複数の受信フィルタ３の間に配置されている。これにより、複数のインダクタ４６と複数の受信フィルタ３との間の配線長を短くすることができる。その結果、第１受信経路Ｔ２１と第２受信経路Ｔ２２とが同時に使用される場合において、互いの通信のアイソレーションを確保しやすくすることができる。

実施形態１に係る高周波モジュール１では、チップ内において第１ローノイズアンプ２Ａと第２ローノイズアンプ２Ｂとの間にスイッチ７（別素子）が配置されている。これにより、第１受信経路Ｔ２１と第２受信経路Ｔ２２とが同時に使用される場合において、互いの通信のアイソレーションを確保しやすくすることができる。

（実施形態２）
実施形態２に係る高周波モジュール１ａは、図４に示すように、実施形態１に係る高周波モジュール１（図１参照）とは異なる配置状態である。なお、実施形態２に係る高周波モジュール１ａに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

（１）構成
実施形態２に係る高周波モジュール１ａは、図４に示すように、複数（図示例では５つ）の受信フィルタ３と、複数のインダクタ４５，４８と、複数のインダクタ４６，４９とを備える。また、高周波モジュール１ａは、実装基板５ａを備える。

複数のインダクタ４５，４８の各々は、受信信号が通る受信経路Ｔ２（図３参照）においてローノイズアンプ２（図３参照）の入力側に設けられている。複数のインダクタ４６，４９の各々は、受信経路Ｔ２においてスイッチ７（図３参照）と受信フィルタ３との間に設けられている。実装基板５ａの第１主面５１ａには、複数の受信フィルタ３と、複数のインダクタ４５，４８と、複数のインダクタ４６，４９とが配置されている。

実施形態２に係る高周波モジュール１ａは、例えば１０個の通信バンドに対応する受信を可能とする。複数の受信フィルタ３は、受信フィルタ３１Ａと、受信フィルタ３１Ｂと、受信フィルタ３１Ｃと、受信フィルタ３１Ｄと、受信フィルタ３１Ｅとを含む。受信フィルタ３１Ａは、第１通信バンドの受信信号及び第２通信バンドの受信信号を通過させる。受信フィルタ３１Ｂは、第３通信バンドの受信信号及び第４通信バンドの受信信号を通過させる。受信フィルタ３１Ｃは、第５通信バンドの受信信号及び第６通信バンドの受信信号を通過させる。受信フィルタ３１Ｄは、第７通信バンドの受信信号及び第８通信バンドの受信信号を通過させる。受信フィルタ３１Ｅは、第９通信バンドの受信信号及び第１０通信バンドの受信信号を通過させる。

複数のインダクタ４５は、第１通信バンド用のインダクタ４５１と、第２通信バンド用のインダクタ４５２と、第３通信バンド用のインダクタ４５３と、第４通信バンド用のインダクタ４５４，４５５とを含む。

複数のインダクタ４８は、第５通信バンド用のインダクタ４８１と、第６通信バンド用のインダクタ４８２と、第７通信バンド用のインダクタ４８３と、第８通信バンド用のインダクタ４８４と、第９通信バンド用のインダクタ４８５と、第１０通信バンド用のインダクタ４８６とを含む。

複数のインダクタ４６は、第１通信バンド用のインダクタ４６１と、第２通信バンド用のインダクタ４６２と、第３通信バンド用のインダクタ４６３と、第４通信バンド用のインダクタ４６４，４６５，４６６とを含む。

複数のインダクタ４９は、第５通信バンド及び第７通信バンド用のインダクタ４９１と、第６通信バンド及び第８通信バンド用のインダクタ４９２と、第９通信バンド及び第１０通信バンド用のインダクタ４９３とを含む。

（２）配置関係
次に、実施形態２に係る高周波モジュール１ａにおける複数の部品の配置関係について、図４を参照して説明する。

図４に示すように、受信フィルタ３１Ａ及び受信フィルタ３１Ｂは、実装基板５ａの第１主面５１ａにおいてインダクタ４５１，４５２とインダクタ４５３，４５４との間に配置されている。「受信フィルタ３１Ａ及び受信フィルタ３１Ｂがインダクタ４５１，４５２とインダクタ４５３，４５４との間に配置されている」とは、インダクタ４５１，４５２の任意の点とインダクタ４５３，４５４の任意の点とを結んだ直線で囲まれた領域に受信フィルタ３１Ａ及び受信フィルタ３１Ｂが配置されていることをいう。このとき、受信フィルタ３１Ａの少なくとも一部、受信フィルタ３１Ｂの少なくとも一部が上記領域に含まれていればよい。

また、インダクタ４６３，４６４は、受信フィルタ３１Ａと受信フィルタ３１Ｂとの間に配置されている。「インダクタ４６３，４６４が受信フィルタ３１Ａと受信フィルタ３１Ｂとの間に配置されている」とは、受信フィルタ３１Ａの任意の点と受信フィルタ３１Ｂの任意の点とを結んだ直線で囲まれた領域にインダクタ４６３，４６４が配置されていることをいう。このとき、インダクタ４６３，４６４の少なくとも一部が上記領域に含まれていればよい。

同様に、受信フィルタ３１Ｃ、受信フィルタ３１Ｄ及び受信フィルタ３１Ｅは、実装基板５ａの第１主面５１ａにおいてインダクタ４８１，４８２とインダクタ４８３，４８４との間に配置されている。また、インダクタ４９１，４９２，４９３は、受信フィルタ３１Ｃと受信フィルタ３１Ｄとの間に配置されている。「受信フィルタ３１Ｃ，３１Ｄ及び受信フィルタ３１Ｅがインダクタ４８１，４８２とインダクタ４８３，４８４との間に配置されている」とは、インダクタ４８１，４８２の任意の点とインダクタ４８３，４８４の任意の点とを結んだ直線で囲まれた領域に受信フィルタ３１Ｃ，３１Ｄ及び受信フィルタ３１Ｅが配置されていることをいう。このとき、受信フィルタ３１Ｃ，３１Ｄの少なくとも一部、受信フィルタ３１Ｅの少なくとも一部が上記領域に含まれていればよい。

（３）効果
実施形態２に係る高周波モジュール１ａでは、インダクタ４５１，４５２とインダクタ４５３，４５４との間に受信フィルタ３１Ａ及び受信フィルタ３１Ｂが配置されている。これにより、インダクタ４５１，４５２と受信フィルタ３１Ａとの間の配線長を短くすることができ、かつ、インダクタ４５３，４５４と受信フィルタ３１Ｂとの間の配線長を短くすることができる。その結果、複数の受信経路Ｔ２（図３参照）が同時に使用される場合において、互いの通信のアイソレーションを確保しやすくすることができる。

同様に、インダクタ４８１，４８２とインダクタ４８３，４８４との間に複数の受信フィルタ３１Ｃ，３１Ｄ，３１Ｅが配置されている。これにより、インダクタ４８１，４８２と受信フィルタ３１Ｃとの間の配線長を短くすることができ、かつ、インダクタ４８３，４８４と受信フィルタ３１Ｄとの間の配線長を短くすることができる。その結果、複数の受信経路Ｔ２が同時に使用される場合において、互いの通信のアイソレーションを確保しやすくすることができる。

実施形態２に係る高周波モジュール１ａでは、インダクタ４６３，４６４が受信フィルタ３１Ａと受信フィルタ３１Ｂとの間に配置されている。これにより、インダクタ４６３，４６４と受信フィルタ３１Ｂとの間の配線長を短くすることができる。その結果、複数の受信経路Ｔ２が同時に使用される場合において、互いの通信のアイソレーションを確保しやすくすることができる。

同様に、インダクタ４９１，４９２，４９３が受信フィルタ３１Ｃと受信フィルタ３１Ｄとの間に配置されている。これにより、インダクタ４９１，４９２と受信フィルタ３１Ｃとの間の配線長を短くすることができ、インダクタ４９１，４９２と受信フィルタ３１Ｄとの間の配線長を短くすることができ、さらに、インダクタ４９３と受信フィルタ３１Ｅとの間の配線長を短くすることができる。その結果、複数の受信経路Ｔ２が同時に使用される場合において、互いの通信のアイソレーションを確保しやすくすることができる。

（実施形態３）
実施形態３に係る高周波モジュール１ｂは、図５に示すように、実施形態１に係る高周波モジュール１（図１参照）とは異なる配置状態である。なお、実施形態３に係る高周波モジュール１ｂに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

（１）構成
実施形態３に係る高周波モジュール１ｂは、図５に示すように、複数（図示例では５つ）の受信フィルタ３と、インダクタ４７と、インダクタ４８と、複数のインダクタ４９とを備える。また、高周波モジュール１ｂは、実装基板５ｂを備える。

インダクタ４８は、受信信号が通る受信経路Ｔ２（図３参照）においてローノイズアンプ２（図３参照）の入力側に設けられている。複数のインダクタ４９の各々は、受信経路Ｔ２においてスイッチ７（図３参照）と受信フィルタ３との間に設けられている。

実施形態３に係る高周波モジュール１ｂは、例えば７個の通信バンドに対応する受信を可能とする。複数の受信フィルタ３は、受信フィルタ３２Ａと、受信フィルタ３２Ｂと、受信フィルタ３２Ｃと、受信フィルタ３２Ｄと、受信フィルタ３２Ｅとを含む。受信フィルタ３２Ａは、第１通信バンドの受信信号を通過させる。受信フィルタ３２Ｂは、第２通信バンドの受信信号を通過させる。受信フィルタ３２Ｃは、第３通信バンドの受信信号及び第４通信バンドの受信信号を通過させる。受信フィルタ３２Ｄは、第５通信バンドの受信信号及び第６通信バンドの受信信号を通過させる。受信フィルタ３２Ｅは、第７通信バンドの受信信号を通過させる。

複数のインダクタ４９は、第５通信バンド用のインダクタ４９４と、第６通信バンド用のインダクタ４９５と、第１通信バンド及び第３通信バンド用のインダクタ４９６と、第７通信バンド用のインダクタ４９７とを含む。

（２）配置関係
次に、実施形態３に係る高周波モジュール１ｂにおける複数の部品の配置関係について、図５を参照して説明する。

図５に示すように、インダクタ４９４，４９５は、受信フィルタ３２Ｃと受信フィルタ３２Ｄとの間に配置されている。また、インダクタ４９６，４９７は、受信フィルタ３２Ａ，３２Ｂと受信フィルタ３２Ｅとの間に配置されている。「インダクタ４９４，４９５が受信フィルタ３２Ｃと受信フィルタ３２Ｄとの間に配置されている」とは、受信フィルタ３２Ｃの任意の点と受信フィルタ３２Ｄの任意の点とを結んだ直線で囲まれた領域にインダクタ４９４，４９５が配置されていることをいう。このとき、インダクタ４９４，４９５の少なくとも一部が上記領域に含まれていればよい。

（３）効果
実施形態３に係る高周波モジュール１ｂでは、インダクタ４９４，４９５が受信フィルタ３２Ｃと受信フィルタ３２Ｄとの間に配置されている。これにより、インダクタ４９４，４９５と受信フィルタ３２Ｄとの間の配線長を短くすることができる。その結果、複数の受信経路Ｔ２が同時に使用される場合において、互いの通信のアイソレーションを確保しやすくすることができる。

同様に、インダクタ４９６，４９７が受信フィルタ３２Ａと受信フィルタ３２Ｅとの間に配置されている。これにより、インダクタ４９６と受信フィルタ３２Ａとの間の配線長を短くすることができ、インダクタ４９７と受信フィルタ３２Ｅとの間の配線長を短くすることができる。その結果、複数の受信経路Ｔ２が同時に使用される場合において、互いの通信のアイソレーションを確保しやすくすることができる。

（実施形態４）
実施形態４では、図６に示すように、複数のローノイズアンプ２Ａ，２Ｂ，２Ｃを含むチップ内における配置関係について説明する。なお、実施形態４に係る高周波モジュール１に関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

（１）構成
実施形態４のチップは、図６に示すように、複数のローノイズアンプ２Ａ，２Ｂ，２Ｃと、スイッチ７と、スイッチ１１と、コントローラ１２とを備える。スイッチ１１は、複数のローノイズアンプ２Ａ，２Ｂ，２Ｃのいずれか１つの出力側に設けられているスイッチである。コントローラ１２は、ローノイズアンプ２Ａ，２Ｂ，２Ｃ及びスイッチ７，１１を制御する。

（２）配置関係
次に、実施形態４に係る高周波モジュール１におけるチップ内の配置関係について、図６を参照して説明する。

図６に示すように、チップ内において、ローノイズアンプ２Ａとローノイズアンプ２Ｃとの間にスイッチ１１（高周波部品）が配置されている。同様に、ローノイズアンプ２Ｂとローノイズアンプ２Ｃとの間にスイッチ１１が配置されている。「ローノイズアンプ２Ａとローノイズアンプ２Ｃとの間にスイッチ１１が配置されている」とは、ローノイズアンプ２Ａの任意の点とローノイズアンプ２Ｃの任意の点とを結んだ直線で囲まれた領域にスイッチ１１が配置されていることをいう。このとき、スイッチ１１の少なくとも一部が上記領域に含まれていればよい。同様に、「ローノイズアンプ２Ｂとローノイズアンプ２Ｃとの間にスイッチ１１が配置されている」とは、ローノイズアンプ２Ｂの任意の点とローノイズアンプ２Ｃの任意の点とを結んだ直線で囲まれた領域にスイッチ１１が配置されていることをいう。このとき、スイッチ１１の少なくとも一部が上記領域に含まれていればよい。これにより、ローノイズアンプ２Ａ，２Ｂとローノイズアンプ２Ｃとを離すことができる。

（３）効果
実施形態４に係る高周波モジュール１では、ローノイズアンプ２Ａ，２Ｂとローノイズアンプ２Ｃとの間にスイッチ１１が配置されている。これにより、ローノイズアンプ２Ａ，２Ｂとローノイズアンプ２Ｃとを離すことができるので、複数の受信経路Ｔ２が同時に使用される場合において、互いの通信のアイソレーションを確保しやすくすることができる。

（４）変形例
実施形態４の変形例として、図７に示すようなチップが用いられてもよい。

図７に示すように、チップ内において、ローノイズアンプ２Ａとローノイズアンプ２Ｂとの間にスイッチ１１（高周波部品）が配置されている。これにより、ローノイズアンプ２Ａとローノイズアンプ２Ｂとを離すことができる。同様に、ローノイズアンプ２Ｃとローノイズアンプ２Ｄとの間にスイッチ７が配置されている。これにより、ローノイズアンプ２Ｃとローノイズアンプ２Ｄとを離すことができる。さらに、ローノイズアンプ２Ａ，２Ｂとローノイズアンプ２Ｃ，２Ｄとの間にコントローラ１２が配置されている。これにより、ローノイズアンプ２Ａ，２Ｂとローノイズアンプ２Ｃ，２Ｄとを離すことができる。

上記の変形例に係る高周波モジュール１においても、実施形態４に係る高周波モジュール１と同様の効果を奏する。

以上説明した実施形態及び変形例は、本発明の様々な実施形態及び変形例の一部に過ぎない。また、実施形態及び変形例は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。

（態様）
本明細書には、以下の態様が開示されている。

第１の態様に係る高周波モジュール（１）は、実装基板（５）と、外部接続端子（６）と、第１ローノイズアンプ（２Ａ）と、第２ローノイズアンプ（２Ｂ）と、第１インダクタ（４５Ａ）と、第２インダクタ（４５Ｂ）と、少なくとも１つの高周波部品（受信フィルタ３；インダクタ４６）と、スイッチ（７）と、シールド層（８３）とを備える。実装基板（５）は、互いに対向する第１主面（５１）及び第２主面（５２）を有する。外部接続端子（６）は、実装基板（５）の第２主面（５２）に配置されている。第１ローノイズアンプ（２Ａ）は、実装基板（５）の第２主面（５２）に配置されており、第１周波数の第１受信信号が通る第１受信経路（Ｔ２１）に設けられている。第２ローノイズアンプ（２Ｂ）は、実装基板（５）の第２主面（５２）に配置されており、第１周波数よりも低い第２周波数の第２受信信号が通る第２受信経路（Ｔ２２）に設けられている。第１インダクタ（４５Ａ）は、実装基板（５）の第１主面（５１）に配置されており、第１受信経路（Ｔ２１）において第１ローノイズアンプ（２Ａ）の入力側に設けられている。第２インダクタ（４５Ｂ）は、実装基板（５）の第１主面（５１）に配置されており、第２受信経路（Ｔ２２）において第２ローノイズアンプ（２Ｂ）の入力側に設けられている。上記高周波部品は、実装基板（５）の第１主面（５１）において第１インダクタ（４５Ａ）と第２インダクタ（４５Ｂ）との間に配置されている。スイッチ（７）は、第１受信経路（Ｔ２１）と第２受信経路（Ｔ２２）とをアンテナ端子（６１）に同時に接続可能である。シールド層（８３）は、第１ローノイズアンプ（２Ａ）、第２ローノイズアンプ（２Ｂ）、第１インダクタ（４５Ａ）、第２インダクタ（４５Ｂ）及び上記高周波部品を覆う。第１インダクタ（４５Ａ）と上記高周波部品と第２インダクタ（４５Ｂ）とが並んでいる方向において、第１インダクタ（４５Ａ）とシールド層（８３）との間の距離（Ｌ１）は、第２インダクタ（４５Ｂ）とシールド層（８３）との間の距離（Ｌ２）よりも長い。第１インダクタ（４５Ａ）は、実装基板（５）の厚さ方向において、第１ローノイズアンプ（２Ａ）と重なる。

第１の態様に係る高周波モジュール（１）では、第２周波数よりも高い第１周波数の第１受信信号が通る第１受信経路（Ｔ２１）に設けられている第１インダクタ（４５Ａ）を、第２周波数の第２受信信号が通る第２受信経路（Ｔ２２）に設けられている第２インダクタ（４５Ｂ）よりも優先してシールド層（８３）から離している。これにより、第１インダクタ（４５Ａ）のＱ値の劣化を低減させることができる。

また、第１の態様に係る高周波モジュール（１）では、第１インダクタ（４５Ａ）が第１ローノイズアンプ（２Ａ）と重なる。これにより、第１インダクタ（４５Ａ）と第１ローノイズアンプ（２Ａ）との間の配線長を短くすることができるので、配線（５３１）が有する寄生容量を低減させることができる。

上記より、第１の態様に係る高周波モジュール（１）によれば、ＮＦの劣化を低減させることができる。

第２の態様に係る高周波モジュール（１）は、実装基板（５）と、外部接続端子（６）と、第１ローノイズアンプ（２Ａ）と、第２ローノイズアンプ（２Ｂ）と、第１インダクタ（４５Ａ）と、第２インダクタ（４５Ｂ）と、少なくとも１つの高周波部品（受信フィルタ３；インダクタ４６）と、シールド層（８３）とを備える。実装基板（５）は、互いに対向する第１主面（５１）及び第２主面（５２）を有する。外部接続端子（６）は、実装基板（５）の第２主面（５２）に配置されている。第１ローノイズアンプ（２Ａ）は、実装基板（５）の第２主面（５２）に配置されており、第１周波数の第１受信信号が通る第１受信経路（Ｔ２１）に設けられている。第２ローノイズアンプ（２Ｂ）は、実装基板（５）の第２主面（５２）に配置されており、第１周波数よりも低い第２周波数の第２受信信号が通り第１受信経路（Ｔ２１）と同時に使用される第２受信経路（Ｔ２２）に設けられている。第１インダクタ（４５Ａ）は、実装基板（５）の第１主面（５１）に配置されており、第１受信経路（Ｔ２１）において第１ローノイズアンプ（２Ａ）の入力側に設けられている。第２インダクタ（４５Ｂ）は、実装基板（５）の第１主面（５１）に配置されており、第２受信経路（Ｔ２２）において第２ローノイズアンプ（２Ｂ）の入力側に設けられている。上記高周波部品は、実装基板（５）の第１主面（５１）において第１インダクタ（４５Ａ）と第２インダクタ（４５Ｂ）との間に配置されている。シールド層（８３）は、第１ローノイズアンプ（２Ａ）、第２ローノイズアンプ（２Ｂ）、第１インダクタ（４５Ａ）、第２インダクタ（４５Ｂ）及び上記高周波部品を覆う。第１インダクタ（４５Ａ）と上記高周波部品と第２インダクタ（４５Ｂ）とが並んでいる方向において、第１インダクタ（４５Ａ）とシールド層（８３）との間の距離（Ｌ１）は、第２インダクタ（４５Ｂ）とシールド層（８３）との間の距離（Ｌ２）よりも長い。第１インダクタ（４５Ａ）は、実装基板（５）の厚さ方向において、第１ローノイズアンプ（２Ａ）と重なる。

第２の態様に係る高周波モジュール（１）では、第２周波数よりも高い第１周波数の第１受信信号が通る第１受信経路（Ｔ２１）に設けられている第１インダクタ（４５Ａ）を、第２周波数の第２受信信号が通る第２受信経路（Ｔ２２）に設けられている第２インダクタ（４５Ｂ）よりも優先してシールド層（８３）から離している。これにより、第１インダクタ（４５Ａ）のＱ値の劣化を低減させることができる。

また、第２の態様に係る高周波モジュール（１）では、第１インダクタ（４５Ａ）が第１ローノイズアンプ（２Ａ）と重なる。これにより、第１インダクタ（４５Ａ）と第１ローノイズアンプ（２Ａ）との間の配線長を短くすることができるので、配線（５３１）が有する寄生容量を低減させることができる。

上記より、第２の態様に係る高周波モジュール（１）によれば、ＮＦの劣化を低減させることができる。

第３の態様に係る高周波モジュール（１）では、第１又は２の態様において、第１インダクタ（４５Ａ）及び第２インダクタ（４５Ｂ）は、実装基板（５）の厚さ方向からの平面視において、高周波部品（受信フィルタ３；インダクタ４６）よりも実装基板（５）の端側に配置されている。

第３の態様に係る高周波モジュール（１）によれば、第１インダクタ（４５Ａ）と第２インダクタ（４５Ｂ）との間の距離を長くすることができるので、第１インダクタ（４５Ａ）と第２インダクタ（４５Ｂ）との間の結合を弱めることができる。

第４の態様に係る高周波モジュール（１）は、第１〜３の態様のいずれか１つにおいて、高周波部品（受信フィルタ３；インダクタ４６）として、第１受信フィルタ（３Ａ）と、第２受信フィルタ（３Ｂ）とを備える。第１受信フィルタ（３Ａ）は、第１受信信号を通過させる。第２受信フィルタ（３Ｂ）は、第２受信信号を通過させる。

第４の態様に係る高周波モジュール（１）によれば、第１インダクタ（４５Ａ）と第１受信フィルタ（３Ａ）との間の配線長を短くすることができ、かつ、第２インダクタ（４５Ｂ）と第２受信フィルタ（３Ｂ）との間の配線長を短くすることができる。その結果、第１受信経路（Ｔ２１）と第２受信経路（Ｔ２２）とが同時に使用される場合において、互いの通信のアイソレーションを確保しやすくすることができる。

第５の態様に係る高周波モジュール（１）は、第１〜３の態様のいずれか１つにおいて、高周波部品（受信フィルタ３；インダクタ４６）として、複数の受信フィルタ（３）と、インダクタ（４６）とを備える。インダクタ（４６）は、第１受信経路（Ｔ２１）及び第２受信経路（Ｔ２２）において、第１受信経路（Ｔ２１）と第２受信経路（Ｔ２２）とをアンテナ端子（６１）に同時に接続可能なスイッチ（７）と複数の受信フィルタ（３）との間に設けられている。インダクタ（４６）は、複数の受信フィルタ（３）の間に配置されている。

第５の態様に係る高周波モジュール（１）によれば、インダクタ（４６）と複数の受信フィルタ（３）との間の配線長を短くすることができる。その結果、第１受信経路（Ｔ２１）と第２受信経路（Ｔ２２）とが同時に使用される場合において、互いの通信のアイソレーションを確保しやすくすることができる。

第６の態様に係る高周波モジュール（１）は、第１〜５の態様のいずれか１つにおいて、第１ローノイズアンプ（２Ａ）及び第２ローノイズアンプ（２Ｂ）とは異なる別素子（スイッチ７，１１；コントローラ１２）を更に備える。

上記別素子と第１ローノイズアンプ（２Ａ）と第２ローノイズアンプ（２Ｂ）とが１つのチップで構成されている。上記別素子は、チップ内において、第１ローノイズアンプ（２Ａ）と第２ローノイズアンプ（２Ｂ）との間に配置されている。

第６の態様に係る高周波モジュール（１）によれば、第１受信経路（Ｔ２１）と第２受信経路（Ｔ２２）とが同時に使用される場合において、互いの通信のアイソレーションを確保しやすくすることができる。

第７の態様に係る通信装置（９）は、第１〜６の態様のいずれか１つの高周波モジュール（１）と、信号処理回路（９２）とを備える。信号処理回路（９２）は、高周波モジュール（１）からの信号を処理する。

第７の態様に係る通信装置（９）によれば、高周波モジュール（１）において、第２周波数よりも高い第１周波数の第１受信信号が通る第１受信経路（Ｔ２１）に設けられている第１インダクタ（４５Ａ）を、第２周波数の第２受信信号が通る第２受信経路（Ｔ２２）に設けられている第２インダクタ（４５Ｂ）よりも優先してシールド層（８３）から離している。これにより、第１インダクタ（４５Ａ）のＱ値の劣化を低減させることができる。

また、第７の態様に係る通信装置（９）では、高周波モジュール（１）において、第１インダクタ（４５Ａ）が第１ローノイズアンプ（２Ａ）と重なる。これにより、第１インダクタ（４５Ａ）と第１ローノイズアンプ（２Ａ）との間の配線長を短くすることができるので、配線（５３１）が有する寄生容量を低減させることができる。

上記より、第７の態様に係る通信装置（９）によれば、高周波モジュール（１）において、ＮＦの劣化を低減させることができる。

１，１ａ，１ｂ 高周波モジュール
１１ スイッチ
１２ コントローラ
２ ローノイズアンプ
２Ａ 第１ローノイズアンプ
２Ｂ 第２ローノイズアンプ
２Ｃ ローノイズアンプ
２Ｄ ローノイズアンプ
３ 受信フィルタ
３Ａ，３Ｃ 第１受信フィルタ
３Ｂ，３Ｄ 第２受信フィルタ
３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄ，３１Ｅ 受信フィルタ
３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ，３２Ｅ 受信フィルタ
４２ 整合回路
４２Ａ 第１整合回路
４２Ｂ 第２整合回路
４３ 整合回路
４３Ａ 第１整合回路
４３Ｂ 第２整合回路
４４ 整合回路
４５ インダクタ
４５Ａ 第１インダクタ
４５Ｂ 第２インダクタ
４５１，４５２，４５３，４５４，４５５ インダクタ
４６，４６Ａ，４６Ｂ インダクタ
４６１，４６２，４６３，４６４，４６５，４６６ インダクタ
４７ インダクタ
４８，４８１，４８２，４８３，４８４，４８５，４８６ インダクタ
４９，４９１，４９２，４９３，４９４，４９５，４９６，４９７ インダクタ
５，５ａ，５ｂ 実装基板
５１，５１ａ 第１主面
５２ 第２主面
５３１ 配線
５４ グランド層
６ 外部接続端子
６１ アンテナ端子
６２ 出力端子
６２１ 第１出力端子
６２２ 第２出力端子
７ スイッチ
７１ 共通端子
７２，７３ 選択端子
８１ 第１樹脂部材
８２ 第２樹脂部材
８３ シールド層
９ 通信装置
９１ アンテナ
９２ 信号処理回路
９３ ＲＦ信号処理回路
９４ ベースバンド信号処理回路
Ｌ１，Ｌ２ 距離
Ｔ２ 受信経路
Ｔ２１ 第１受信経路
Ｔ２２ 第２受信経路

Claims (7)

1. 互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板と、
   前記実装基板の前記第２主面に配置されている外部接続端子と、
   前記実装基板の前記第２主面に配置されており、第１周波数の第１受信信号が通る第１受信経路に設けられている第１ローノイズアンプと、
   前記実装基板の前記第２主面に配置されており、前記第１周波数よりも低い第２周波数の第２受信信号が通る第２受信経路に設けられている第２ローノイズアンプと、
   前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記第１受信経路において前記第１ローノイズアンプの入力側に設けられている第１インダクタと、
   前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記第２受信経路において前記第２ローノイズアンプの入力側に設けられている第２インダクタと、
   前記実装基板の前記第１主面において前記第１インダクタと前記第２インダクタとの間に配置されている少なくとも１つの高周波部品と、
   前記第１受信経路と前記第２受信経路とをアンテナ端子に同時に接続可能なスイッチと、
   前記第１ローノイズアンプ、前記第２ローノイズアンプ、前記第１インダクタ、前記第２インダクタ及び前記高周波部品を覆うシールド層と、を備え、
   前記第１インダクタと前記高周波部品と前記第２インダクタとが並んでいる方向において、前記第１インダクタと前記シールド層との間の距離は、前記第２インダクタと前記シールド層との間の距離よりも長く、
   前記第１インダクタは、前記実装基板の厚さ方向において、前記第１ローノイズアンプと重なる、
   高周波モジュール。
2. 互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板と、
   前記実装基板の前記第２主面に配置されている外部接続端子と、
   前記実装基板の前記第２主面に配置されており、第１周波数の第１受信信号が通る第１受信経路に設けられている第１ローノイズアンプと、
   前記実装基板の前記第２主面に配置されており、前記第１周波数よりも低い第２周波数の第２受信信号が通り前記第１受信経路と同時に使用される第２受信経路に設けられている第２ローノイズアンプと、
   前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記第１受信経路において前記第１ローノイズアンプの入力側に設けられている第１インダクタと、
   前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記第２受信経路において前記第２ローノイズアンプの入力側に設けられている第２インダクタと、
   前記実装基板の前記第１主面において前記第１インダクタと前記第２インダクタとの間に配置されている少なくとも１つの高周波部品と、
   前記第１ローノイズアンプ、前記第２ローノイズアンプ、前記第１インダクタ、前記第２インダクタ及び前記高周波部品を覆うシールド層と、を備え、
   前記第１インダクタと前記高周波部品と前記第２インダクタとが並んでいる方向において、前記第１インダクタと前記シールド層との間の距離は、前記第２インダクタと前記シールド層との間の距離よりも長く、
   前記第１インダクタは、前記実装基板の厚さ方向において、前記第１ローノイズアンプと重なる、
   高周波モジュール。
3. 前記第１インダクタ及び前記第２インダクタは、前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視において、前記高周波部品よりも前記実装基板の端側に配置されている、
   請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
4. 前記高周波部品として、
   前記第１受信信号を通過させる第１受信フィルタと、
   前記第２受信信号を通過させる第２受信フィルタと、を備える、
   請求項１〜３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
5. 前記高周波部品として、
   複数の受信フィルタと、
   前記第１受信経路及び前記第２受信経路において、前記第１受信経路と前記第２受信経路とをアンテナ端子に同時に接続可能なスイッチと前記複数の受信フィルタとの間に設けられているインダクタと、を備え、
   前記インダクタは、前記複数の受信フィルタの間に配置されている、
   請求項１〜３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
6. 前記第１ローノイズアンプ及び前記第２ローノイズアンプとは異なる別素子を更に備え、
   前記別素子と前記第１ローノイズアンプと前記第２ローノイズアンプとが１つのチップで構成されており、
   前記別素子は、前記チップ内において、前記第１ローノイズアンプと前記第２ローノイズアンプとの間に配置されている、
   請求項１〜５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、
   前記高周波モジュールからの信号を処理する信号処理回路と、を備える、
   通信装置。

Images