JP2021100084A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021100084A JP2021100084A JP2019232231A JP2019232231A JP2021100084A JP 2021100084 A JP2021100084 A JP 2021100084A JP 2019232231 A JP2019232231 A JP 2019232231A JP 2019232231 A JP2019232231 A JP 2019232231A JP 2021100084 A JP2021100084 A JP 2021100084A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- work
- conveyor
- heating zone
- defective
- solder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 111
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 128
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 56
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 54
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 42
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 42
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 40
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 238000001723 curing Methods 0.000 claims description 16
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 16
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 14
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 6
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 claims description 4
- 230000032258 transport Effects 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Tunnel Furnaces (AREA)
- Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
Abstract
Description
2 制御部
3 第1リフロー炉、3b 加熱ゾーン、3b1 第1加熱ゾーン、3b2 第2加熱ゾーン、3c 冷却ゾーン、3c1 第1冷却ゾーン、3c2 第2冷却ゾーン
4 塗布機
5 実装機
6 導通試験機
7 不良品除去機
8 第2リフロー炉
30 本体、30a 入口、30f 出口
31 第1コンベヤ
32 第2コンベヤ
33 投入コンベヤ
34 押えローラ
35 コントローラ
36a、36f ラビリンス
90 ワーク
90a 第1中間体(ワーク)、90b 第2中間体(ワーク)、90c 第3中間体(ワーク)、90d 第4中間体(ワーク)、90e 第5中間体(ワーク)
91 半導体チップ、91b 下面、91e 電極
92 異方性導電ペースト、92a 導電粒子、92b 熱硬化性接着剤
93 基板、93a 上面、93e 電極
94 半導体装置
911 導通不良品
前記第1加熱処理ステップは、前記第1加熱ゾーンにて前記ワークをピーク温度に到達するまで20〜40秒加熱し、前記第2加熱ゾーンにて前記ワークを前記ピーク温度が維持されるように5〜30秒加熱し、続いて、前記冷却ゾーンにて前記ワークを冷却することが好ましい。一例として、前記半導体チップはLEDであって、前記第1加熱処理ステップの後に、前記ワークに導通試験を行う導通試験ステップと、前記導通試験ステップにおいて前記LEDのうちから導通不良品が検出された場合に前記導通不良品を不良品除去機によって除去する不良品除去ステップと、前記導通不良品に換えて前記LEDの新たなものに前記異方性導電ペーストを転写して前記導通不良品が除去された箇所に搭載する再実装ステップとを有し、前記不良品除去ステップは、前記導通不良品の実装箇所を非接触で加熱しながら、真空吸引ヘッドにて吸引することで前記半田を再溶融して前記導通不良品および接続部の前記熱硬化性接着剤を前記基板から除去する。一例として、前記再実装ステップの後に、前記第1加熱処理ステップと前記導通試験ステップとを前記導通不良品が検出されなくなるまで繰り返し、前記導通試験ステップは、前記LEDの点灯の有無を前記LEDの配置データと関連付けて記憶手段によってデータ記憶させて前記導通不良品の位置を特定する。
前記押えローラは、シャフトにローラが所定間隔で回転可能に軸支されており、前記ローラの自重で前記基板の実装面を避けた位置に接する構成であり、前記制御部は、前記第1加熱ゾーンにて前記ワークをピーク温度に到達するまで20〜40秒加熱し、前記第2加熱ゾーンにて前記ワークを前記ピーク温度が維持されるように5〜30秒加熱し、続いて、前記冷却ゾーンにて前記ワークを冷却する制御を行う構成であることが好ましい。一例として、前記半導体チップはLEDであって、前記ワークに導通試験を行う導通試験機と、前記導通試験機によって前記LEDのうちから導通不良品が検出された場合に前記導通不良品を除去する不良品除去機とを有し、前記不良品除去機は、前記導通不良品の実装箇所を非接触で加熱しながら、真空吸引ヘッドにて吸引することで前記半田を再溶融して前記導通不良品および接続部の前記熱硬化性接着剤を前記基板から除去する構成であり、前記制御部は、前記塗布機および前記実装機に対して、前記LEDの新たなものに前記異方性導電ペーストを転写して前記導通不良品が除去された箇所に搭載する制御を行う構成である。一例として、前記導通試験機は、前記LEDの点灯の有無を前記LEDの配置データと関連付けて記憶手段によってデータ記憶させて前記導通不良品の位置を特定する構成である。
Claims (10)
- 導電粒子と熱硬化性接着剤とを有する異方性導電ペーストを介して複数の半導体チップが基板に搭載されたワークを第1リフロー炉によって加熱処理する第1加熱処理ステップを有する構成であって、
前記第1リフロー炉は、前記導電粒子に含まれている半田の溶融温度以上に設定された加熱ゾーンと、前記半田の溶融温度未満に設定された冷却ゾーンと、入口側から前記加熱ゾーンに亘って設けられた第1コンベヤと、前記冷却ゾーンから出口側に亘って設けられた第2コンベヤとを有し、前記第1コンベヤと前記第2コンベヤとによって前記ワークを前記熱硬化性接着剤の硬化時間未満で前記第1リフロー炉を通過させる構成であり、
前記第1加熱処理ステップは、前記ワークを前記加熱ゾーンに搬送して前記半田を溶融させ、続いて、前記ワークを前記冷却ゾーンに搬送して前記半田を硬化させて、前記ワークを通電可能かつリワーク可能な状態にすること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記加熱ゾーンは第1加熱ゾーンと前記第1加熱ゾーンよりも低温に設定された第2加熱ゾーンとを有し、
前記第1加熱処理ステップは、前記加熱ゾーンにおいて前記ワークを前記第1加熱ゾーンから前記第2加熱ゾーンにピッチ送りで搬送し、続いて、前記ワークを前記第2加熱ゾーンから前記冷却ゾーンに定速送りで搬送すること
を特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1加熱処理ステップの前に、前記半導体チップを前記基板に搭載する実装ステップを有し、
前記第1加熱処理ステップの後に、前記ワークに導通試験を行う導通試験ステップと、前記導通試験ステップにおいて前記半導体チップのうちから導通不良品が検出された場合に前記導通不良品を不良品除去機によって除去する不良品除去ステップと、前記導通不良品に換えて前記半導体チップにおける新たなものを前記基板に搭載する再実装ステップとを有すること
を特徴とする請求項1または2項記載の半導体装置の製造方法。 - 前記再実装ステップの後に、前記第1加熱処理ステップと前記導通試験ステップとを前記導通不良品が検出されなくなるまで繰り返すこと
を特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法。 - 前記導通試験ステップにおいて前記導通不良品が検出されなかった場合に前記ワークを加熱して前記熱硬化性接着剤を熱硬化させる第2加熱処理ステップを有すること
を特徴とする請求項3または4記載の半導体装置の製造方法。 - 導電粒子と熱硬化性接着剤とを有する異方性導電ペーストを介して複数の半導体チップが基板に搭載されたワークを加熱処理する第1リフロー炉と制御部とを有する構成であって、
前記第1リフロー炉は、前記導電粒子に含まれている半田の溶融温度以上に設定された加熱ゾーンと、前記半田の溶融温度未満に設定された冷却ゾーンと、入口側から前記加熱ゾーンに亘って設けられた第1コンベヤと、前記冷却ゾーンから出口側に亘って設けられた第2コンベヤとを有し、前記第1コンベヤと前記第2コンベヤとによって前記ワークを前記熱硬化性接着剤の硬化時間未満で前記第1リフロー炉を通過させる構成であり、
前記制御部は、前記第1コンベヤと前記第2コンベヤに対して、前記ワークを前記加熱ゾーンに搬送して前記半田を溶融させ、続いて、前記ワークを前記冷却ゾーンに搬送して前記半田を硬化させて、前記ワークを通電可能かつリワーク可能な状態にする制御を行う構成であること
を特徴とする半導体装置の製造装置。 - 前記加熱ゾーンは第1加熱ゾーンと前記第1加熱ゾーンよりも低温に設定された第2加熱ゾーンとを有し、
前記制御部は、前記ワークを前記第1加熱ゾーンから前記第2加熱ゾーンにピッチ送りで搬送し、続いて、前記ワークを前記第2加熱ゾーンから前記冷却ゾーンに定速送りで搬送する制御を行う構成であること
を特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造装置。 - 前記第1コンベヤと前記第2コンベヤとの間の位置に、前記ワークを前記第1コンベヤから前記第2コンベヤに移載する際に前記基板の上面に接する押えローラが設けられている構成であること
を特徴とする請求項6または7記載の半導体装置の製造装置。 - 前記異方性導電ペーストを塗布または転写する塗布機と、前記半導体チップを前記基板に搭載する実装機と、前記ワークに導通試験を行う導通試験機と、前記導通試験機によって前記半導体チップのうちから導通不良品が検出された場合に前記導通不良品を除去する不良品除去機とを有し、
前記制御部は、前記実装機に対して、前記導通不良品に換えて前記半導体チップにおける新たなものを前記基板に搭載する制御を行う構成であること
を特徴とする請求項6〜8のいずれか一項記載の半導体装置の製造装置。 - 前記導通試験機によって前記導通不良品が検出されなかった場合に前記ワークを加熱して前記熱硬化性接着剤を熱硬化させる第2リフロー炉またはバッチ炉を有すること
を特徴とする請求項9記載の半導体装置の製造装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019232231A JP6691998B1 (ja) | 2019-12-24 | 2019-12-24 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
TW109120740A TWI721912B (zh) | 2019-12-24 | 2020-06-19 | 半導體裝置的製造方法及半導體裝置的製造裝置 |
KR1020200099293A KR102212841B1 (ko) | 2019-12-24 | 2020-08-07 | 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 장치 |
CN202011188068.9A CN113036026B (zh) | 2019-12-24 | 2020-10-30 | 半导体装置的制造方法和半导体装置的制造装置 |
SG10202012501UA SG10202012501UA (en) | 2019-12-24 | 2020-12-14 | Method for producing semiconductor device and apparatus for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019232231A JP6691998B1 (ja) | 2019-12-24 | 2019-12-24 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6691998B1 JP6691998B1 (ja) | 2020-05-13 |
JP2021100084A true JP2021100084A (ja) | 2021-07-01 |
Family
ID=70549829
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019232231A Active JP6691998B1 (ja) | 2019-12-24 | 2019-12-24 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6691998B1 (ja) |
KR (1) | KR102212841B1 (ja) |
CN (1) | CN113036026B (ja) |
SG (1) | SG10202012501UA (ja) |
TW (1) | TWI721912B (ja) |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0577939U (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | セイコーエプソン株式会社 | 回路の接続方法 |
JPH06164130A (ja) * | 1992-11-18 | 1994-06-10 | Toshiba Corp | プリント基板のリフロー炉 |
JPH08130363A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の仮止め用ボンド及び電子部品の半田付け方法 |
US5639010A (en) * | 1995-08-31 | 1997-06-17 | Ford Motor Company | Simultaneous process for surface mount adhesive cure and solder paste reflow for surface mount technology devices |
JPH09162235A (ja) * | 1995-12-05 | 1997-06-20 | Hitachi Chem Co Ltd | Icチップの実装方法及び接続部材 |
JPH11298136A (ja) * | 1998-04-10 | 1999-10-29 | Toyo Commun Equip Co Ltd | リフロー装置 |
JP2000133929A (ja) * | 1998-10-27 | 2000-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リフロー加熱方法及びリフロー装置 |
JP2000216594A (ja) * | 1999-01-26 | 2000-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板搬送方法及び装置 |
JP2001093939A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Sony Chem Corp | 接続方法 |
JP2001308501A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の実装方法 |
US20050023327A1 (en) * | 2003-07-01 | 2005-02-03 | Chippac, Inc. | Method and apparatus for flip chip attachment by post collapse re-melt and re-solidification of bumps |
JP2010226140A (ja) * | 2010-06-15 | 2010-10-07 | Sony Chemical & Information Device Corp | 接続構造体の製造方法 |
JP2017162960A (ja) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | 株式会社タムラ製作所 | 電子部品の接合方法およびはんだ組成物 |
JP2019197886A (ja) * | 2018-05-07 | 2019-11-14 | キヤノン株式会社 | プリント回路板の製造方法、プリント回路板、及び電子機器 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3700519A (en) | 1969-05-13 | 1972-10-24 | Ciba Geigy Corp | Methods of forming a fiber reinforced pipe on an inflatable mandrel |
JPS5721213A (en) | 1980-07-14 | 1982-02-03 | Mitsubishi Metal Corp | Drill |
DE60025720T2 (de) * | 1999-06-18 | 2006-11-09 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Klebstoff, klebstoffgegenstand, schaltungssubstrat für halbleitermontage mit einem klebstoff und eine halbleiteranordnung die diesen enthält |
JP4175057B2 (ja) * | 2002-08-26 | 2008-11-05 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品実装システム |
JP4818952B2 (ja) * | 2007-02-26 | 2011-11-16 | 株式会社鈴木 | リフロー炉 |
TW201248800A (en) * | 2011-02-18 | 2012-12-01 | Furukawa Electric Co Ltd | Wiring substrate, method for manufacturing same, and semiconductor device |
JP2014072305A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体モジュールの製造方法、接合装置、半導体モジュール |
WO2015025867A1 (ja) * | 2013-08-22 | 2015-02-26 | 積水化学工業株式会社 | 半導体用接着剤 |
US10626301B2 (en) | 2015-03-18 | 2020-04-21 | Dexerials Corporation | Method for manufacturing light emitting device |
JP2018133562A (ja) * | 2017-02-13 | 2018-08-23 | デクセリアルズ株式会社 | 接続構造体、異方性接着材料、および接続構造体の製造方法 |
-
2019
- 2019-12-24 JP JP2019232231A patent/JP6691998B1/ja active Active
-
2020
- 2020-06-19 TW TW109120740A patent/TWI721912B/zh active
- 2020-08-07 KR KR1020200099293A patent/KR102212841B1/ko active IP Right Grant
- 2020-10-30 CN CN202011188068.9A patent/CN113036026B/zh active Active
- 2020-12-14 SG SG10202012501UA patent/SG10202012501UA/en unknown
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0577939U (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | セイコーエプソン株式会社 | 回路の接続方法 |
JPH06164130A (ja) * | 1992-11-18 | 1994-06-10 | Toshiba Corp | プリント基板のリフロー炉 |
JPH08130363A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の仮止め用ボンド及び電子部品の半田付け方法 |
US5639010A (en) * | 1995-08-31 | 1997-06-17 | Ford Motor Company | Simultaneous process for surface mount adhesive cure and solder paste reflow for surface mount technology devices |
JPH09162235A (ja) * | 1995-12-05 | 1997-06-20 | Hitachi Chem Co Ltd | Icチップの実装方法及び接続部材 |
JPH11298136A (ja) * | 1998-04-10 | 1999-10-29 | Toyo Commun Equip Co Ltd | リフロー装置 |
JP2000133929A (ja) * | 1998-10-27 | 2000-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リフロー加熱方法及びリフロー装置 |
JP2000216594A (ja) * | 1999-01-26 | 2000-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板搬送方法及び装置 |
JP2001093939A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Sony Chem Corp | 接続方法 |
JP2001308501A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の実装方法 |
US20050023327A1 (en) * | 2003-07-01 | 2005-02-03 | Chippac, Inc. | Method and apparatus for flip chip attachment by post collapse re-melt and re-solidification of bumps |
JP2010226140A (ja) * | 2010-06-15 | 2010-10-07 | Sony Chemical & Information Device Corp | 接続構造体の製造方法 |
JP2017162960A (ja) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | 株式会社タムラ製作所 | 電子部品の接合方法およびはんだ組成物 |
JP2019197886A (ja) * | 2018-05-07 | 2019-11-14 | キヤノン株式会社 | プリント回路板の製造方法、プリント回路板、及び電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113036026B (zh) | 2022-04-19 |
TWI721912B (zh) | 2021-03-11 |
SG10202012501UA (en) | 2021-07-29 |
TW202126135A (zh) | 2021-07-01 |
JP6691998B1 (ja) | 2020-05-13 |
CN113036026A (zh) | 2021-06-25 |
KR102212841B1 (ko) | 2021-02-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3786091B2 (ja) | 電子デバイス製造装置、電子デバイスの製造方法および電子デバイスの製造プログラム | |
US5878942A (en) | Soldering method and soldering apparatus | |
JP2004031885A (ja) | ボンディング方法およびその装置 | |
US7367489B2 (en) | Method and apparatus for flip chip attachment by post collapse re-melt and re-solidification of bumps | |
TWI258192B (en) | Manufacturing apparatus of electronic device, manufacturing method of electronic device, and manufacturing program of electronic device | |
WO2020119555A1 (zh) | 一种改善器件热膨胀变形的回流焊接方法 | |
JP6691998B1 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 | |
JP2004006648A (ja) | 電子デバイス製造装置、電子デバイスの製造方法および電子デバイスの製造プログラム | |
CN114700575B (zh) | 背刷锡产品的回流曲线优化方法 | |
US20070267465A1 (en) | Reflowing apparatus and reflowing method | |
US20200353571A1 (en) | Device for manufacturing electric component and method for manufacturing electric component | |
JP2004214553A (ja) | リフロー炉 | |
TW552833B (en) | Method and apparatus of manufacturing electronic circuit module, and method and apparatus of manufacturing semiconductor module | |
JP4785486B2 (ja) | 電子装置の製造方法及び製造装置 | |
JP2022185954A (ja) | リフロー方法 | |
JP2005116575A (ja) | リフロー装置 | |
JP2006222170A (ja) | はんだ付け方法 | |
KR20130112368A (ko) | 반도체 패키지 제조용 솔더 리플로우 장치 및 방법 | |
US20060138201A1 (en) | Method of manufacturing an electronic component and apparatus for carrying out the method | |
WO2019171835A1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5130643B2 (ja) | 加熱方法および加熱装置 | |
JPH07131149A (ja) | リフローハンダ付け装置 | |
KR101296372B1 (ko) | 프리 리플로우 방식의 이종재질 솔더간 솔더링 장치 및 솔더링 방법 | |
JP2003101213A (ja) | リフロー加熱工程時の基板温度予測方法 | |
JP2001085834A (ja) | リフロー半田付け方法とそれを用いた部品実装システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200127 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20200127 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20200214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200317 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200331 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200413 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6691998 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |