JP2021089964A - コーティング粒子粉末およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】絶縁膜が複数層形成され、渦電流の抑制性能に優れ、かつ、高い耐圧性を有するコーティング粒子を含むコーティング粒子粉末およびその製造方法を提供する。【解決手段】コーティング粒子粉末は、金属を含む軟磁性体粒子１０と、軟磁性体粒子１０の表面上に形成された第１無機絶縁膜２０と、第１無機絶縁膜２０の表面上に形成された第２無機絶縁膜３０と、を有するコーティング粒子１００を含む。【選択図】図１

Description

本発明は、軟磁性体粒子を絶縁被覆したコーティング粒子を含むコーティング粒子粉末、およびその製造方法に関する。

近年、ハイブリッドカーの普及や電気自動車の登場により、これまで以上に移動手段に関する分野での、電気モータの重要性が高まりつつある。また、自動車や船舶、飛行機等の移動手段だけでなく、産業機器や一般家庭における電化製品等においても、電気モータの用途は拡大している。

さらに、電気モータに限らず、インバータやトランス、リアクトルなど、交流で使用されるパワーエレクトロニクス機器の鉄心としても、軟磁性材料は使用されている。鉄心が高周波で励磁されると、ヒステリシス損および渦電流損が発生する。ヒステリシス損は励磁する周波数に比例する。これに対して、渦電流損は周波数の２乗に比例する。このため、今後、市場から一層期待される小型・高効率・低損失のパワーエレクトロニクス機器の実現には、軟磁性材料を用いた鉄心の渦電流の低減と高抵抗化とが欠かせない。

前記鉄心の渦電流を低減し、高抵抗化するための技術として、例えば特許文献１には、鉄粉表面に絶縁膜を形成して圧粉成型し、その後に酸化雰囲気中で熱処理を行う技術が開示されている。当該技術では、鉄粉どうしの界面に、鉄の酸化物とＦｅ−Ｓｉ酸化物とを含む酸化影響層を形成している。

国際公開第２０１３／１０８６４３号

上記特許文献１に開示された技術では、鉄粉表面にリン酸化成処理を行うことで、Ｆｅ−Ｐ系の無機絶縁膜を形成した後、シリコーン系樹脂による無機絶縁膜を形成し、さらにこれを熱処理している。そのため、２段階の絶縁膜形成工程が必要であり、絶縁膜形成のコストと生産性の観点から望ましくない。また、鉄粉がアモルファスである場合、圧粉成型後の高温での熱処理によって、鉄粉が多結晶化する。その結果、得られる磁性体の磁気特性が劣化してしまう。また、軟磁性材料には、高い耐圧性も求められているが、高い耐圧性と、渦電流の抑制性能とを兼ね備えたコーティング粒子が得られていないのが実状であった。

上記課題を鑑み、渦電流の抑制性能に優れ、かつ高い耐圧性を有するコーティング粒子を含むコーティング粒子粉末の提供、および当該コーティング粒子粉末を少ない工数、かつ低温での熱処理によって製造する方法の提供を目的とする。

本開示は、以下のコーティング粒子粉末を提供する。
軟磁性体粒子と、前記軟磁性体粒子表面上に形成された第１無機絶縁膜と、前記第１無機絶縁膜の上に形成された第２無機絶縁膜と、を有する、コーティング粒子を含むコーティング粒子粉末。

本開示は、以下のコーティング粒子粉末の製造方法も提供する。
表面に第１無機絶縁膜を有する軟磁性体粒子を準備する工程と、前記第１無機絶縁膜の表面に第３無機絶縁膜を形成する工程と、前記第３無機絶縁膜を形成した粒子を熱処理し、前記第１無機絶縁膜および前記第３無機絶縁膜を反応させ、前記第１無機絶縁膜および前記第３無機絶縁膜の界面に第２無機絶縁膜を形成する工程と、を含む、コーティング粒子粉末の製造方法。

本開示に係るコーティング粒子粉末は、渦電流の抑制性能に優れ、かつ高い耐圧性を有するコーティング粒子を含む。また、本開示に係るコーティング粒子粉末の製造方法によれば、少ない工数、かつ低温での熱処理によってコーティング粒子を製造することができる。

本開示の実施の形態１に係るコーティング粒子の断面構造を示す概略断面図である。 本開示の実施の形態１に係るコーティング粒子の前駆体の断面構造を示す概略断面図である。 本開示の実施の形態２に係るコーティング粒子の断面構造を示す概略断面図である。 本開示の第１実施例に係るコーティング粒子の断面を示す透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）写真の一例である。 本開示の第１実施例に係るコーティング粒子の断面のＥＤＸプロファイルである。 本開示の第１実施例に係るコーティング粒子を用いて作製した成型体の絶縁耐圧性と、絶縁膜としてシリコン酸化膜を有するコーティング粒子を用いて作製した成型体の絶縁耐圧性と、を比較したグラフである。

以下、図面を参照しながら、本開示の実施の形態に係るコーティング粒子粉末およびその製造方法について説明する。本開示の実施の形態は、以下に説明する実施の形態に限定されず、他のさまざまな実施の形態に変更して実施することができる。

（実施の形態１）
図１は実施の形態１に係るコーティング粒子の熱処理前の断面構造を示す概略断面図である。本開示の実施の形態１に係るコーティング粒子粉末は、軟磁性体粒子１０と、軟磁性体粒子１０の表面を被覆する第１無機絶縁膜２０と、第１無機絶縁膜２０を被覆する第２無機絶縁膜３０と、第２無機絶縁膜３０を被覆する第３無機絶縁膜４０と、を備えたコーティング粒子１００を含む。コーティング粒子粉末は、コーティング粒子１００の他に、本開示の目的および効果を損なわない範囲において、適宜、他の成分を含んでいてもよい。

コーティング粒子１００が、複数層の絶縁膜を有することにより、コーティング粒子粉末の渦電流の抑制性能が良好になる。また、コーティング粒子１００において、複数の絶縁膜が積層されていると、絶縁膜が一層からなる場合と比較して、耐圧性も良好になる。

つまり、実施の形態１に係るコーティング粒子粉末によれば、コーティング粒子１００が、積層された絶縁膜（第１無機絶縁膜２０、第２無機絶縁膜３０、および第３無機絶縁膜４０）を有するため、高耐圧かつ渦電流の抑制性能に優れた軟磁性材料を得ることができる。

なお、コーティング粒子粉末中のコーティング粒子１００の平均粒子径は、０．１〜１００μｍが好ましく、５〜５０μｍがより好ましい。当該平均粒子径は、レーザー回折・散乱法により測定される値である。コーティング粒子１００の平均粒子径が当該範囲であると、コーティング粒子粉末を種々の用途に適用しやすい。
以下に、このコーティング粒子粉末（コーティング粒子１００）を構成する構成要素について説明する。

＜軟磁性体粒子１０＞
軟磁性体粒子１０は、軟磁性材料を主に含む粒子であればよく、その材料は、純鉄粉、Ｆｅ−Ｓｉ合金、センダスト、パーマロイ、パーメンジュール等の鉄もしくは鉄を含む合金とすることができる。また、軟磁性体粒子１０の材料は、ＦｅおよびＳｉを含む非晶質（アモルファス）粒子、ナノ結晶粒子等であってもよい。非晶質粒子やナノ結晶粒子は、ＦｅおよびＳｉ以外の元素を含んでいてもよく、他の元素の例にはＢ、Ｃ、Ｐ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｒ等が含まれる。軟磁性体粒子１０は、これらを１種のみ含んでいてもよく、２種以上含んでいてもよい。

また、軟磁性体粒子１０の結晶構造は特に制限されず、ナノ結晶構造を有していてもよく、非晶質構造を有していてもよく、これらの混合構造であってもよい。非晶質構造を有する軟磁性体粒子１０を、５００℃以下の温度で適切な加熱処理することで、その一部に結晶サイズが約１０ｎｍ〜２０ｎｍのナノ結晶構造が形成される。非晶質構造の一部にナノ結晶構造を有する軟磁性体粒子１０によれば、軟磁性体粒子１０の保磁力を低下させることが可能になる。

軟磁性体粒子１０の平均粒子径は、０．１〜１００μｍが好ましく、５〜５０μｍがより好ましい。当該平均粒子径は、レーザー回折・散乱法により測定される値である。軟磁性体粒子１０の平均粒子径が当該範囲であると、コーティング粒子粉末を種々の用途に適用しやすい。

＜第１無機絶縁膜２０＞
第１無機絶縁膜２０は、軟磁性体粒子１０の表面に形成された、無機物からなる膜である。第１無機絶縁膜２０の例には、上述の軟磁性体粒子１０が含む金属（軟磁性材料）の自然酸化膜または熱酸化膜が含まれる。例えば、軟磁性体粒子１０がＦｅを含む場合、第１無機絶縁膜２０は、Ｆｅの酸化膜であるＦｅＯ_ｘであってもよい。第１無機絶縁膜２０は、軟磁性体粒子１０が含む軟磁性材料やＯだけでなく、軟磁性体粒子１０が含むＰやＢ等の不純物元素や他の元素を含んでもよい。また、第１無機絶縁膜２０は、後述する第２無機絶縁膜３０や第３無機絶縁膜４０が含む元素（例えばＳｉ）を一部に含んでいてもよい。

第１無機絶縁膜２０の膜厚は数ｎｍ〜１００ｎｍ程度である。第１無機絶縁膜２０の膜厚は、例えばコーティング粒子１００の断面を透過型顕微鏡で観察すること等によって確認できる。

＜第２無機絶縁膜３０＞
第２無機絶縁膜３０は、軟磁性体粒子１０の表面を被覆する第１無機絶縁膜２０の表面をさらに被覆する、無機物からなる膜である。第２無機絶縁膜３０は、上述の軟磁性体粒子１０が含む軟磁性体金属と、後述の第３無機絶縁膜４０が含む元素との化合物を主に含む膜である。例えば、後述の第３無機絶縁膜４０がシリコン酸化膜である場合、第２無機絶縁膜３０は、軟磁性体粒子１０が含む軟磁性体金属のシリケート膜であってもよい。

より具体的には、軟磁性体粒子１０がＦｅを含み、第３無機絶縁膜４０がシリコン酸化膜である場合、第２無機絶縁膜３０は、組成式ＦｅＳｉＯ_ｘで表される膜とすることができる。第２無機絶縁膜３０は、軟磁性体粒子１０が含むＰやＢ等の不純物元素や、他の元素をさらに含んでいてもよい。

第２無機絶縁膜３０の膜厚は通常、１０ｎｍ〜数十ｎｍである。第２無機絶縁膜３０の膜厚は例えばコーティング粒子１００の断面を透過型顕微鏡で観察すること等によって確認できる。

＜第３無機絶縁膜４０＞
第３無機絶縁膜４０は、第２無機絶縁膜３０の表面をさらに被覆する無機物からなる膜である。第３無機絶縁膜４０の例には、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）、酸化アルミニウム膜（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化クロム膜（Ｃｒ_２Ｏ_３）、酸化チタン膜（ＴｉＯ_２）、酸化亜鉛膜（ＺｎＯ）等が含まれる。これらの中でも、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）が好ましい。

第３無機絶縁膜４０は、ＳｉやＡｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｎ等およびＯだけでなく、軟磁性体粒子１０中が含むＰやＢ等の不純物元素や、他の金属元素を含んでいてもよい。

第３無機絶縁膜４０の膜厚は１０ｎｍ〜１００ｍ程度である。第３無機絶縁膜４０の膜厚は、例えばコーティング粒子１００の断面を透過型顕微鏡で観察すること等によって確認できる。

＜コーティング粒子の製造方法＞
・軟磁性体粒子１０の形成方法
軟磁性体粒子１０の形成方法は特に制限されず、軟磁性材料の種類や、所望の平均粒子径等によって適宜選択される。軟磁性体粒子１０は、例えばアトマイズ法によって形成してもよく、粉砕等によって形成してもよい。またこのとき、必要に応じて分級等を行ってもよい。

・第１無機絶縁膜２０の形成方法
第１無機絶縁膜２０を自然酸化膜とする場合、上述の軟磁性体粒子１０をアトマイズ法や粉砕法等で作製する際に、大気雰囲気中でハンドリングして、第１無機絶縁膜２０を形成してもよい。つまり、軟磁性体粒子１０の作製と同時に、第１無機絶縁膜２０を形成してもよい。また、軟磁性体粒子１０を一定期間、大気雰囲気中に放置することで、第１無機絶縁膜２０を形成してもよい。大気中の酸素と軟磁性体粒子１０の表面とが反応することで、第１無機絶縁膜２０が形成される。

また、上述の軟磁性体粒子１０を１００℃〜３００℃程度の温度で加熱して、熱酸化膜を形成し、これを第１無機絶縁膜２０としてもよい。いずれの方法においても、所望の厚み（１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度）の第１無機絶縁膜２０が形成される。

・第３無機絶縁膜４０の形成方法
本実施の形態のコーティング粒子１００を作製する場合、図２に示すように第１無機絶縁膜２０および第３無機絶縁膜４０を積層したコーティング粒子の前駆体１００ａを先に作製する。第１無機絶縁膜２０の表面に第３無機絶縁膜４０を形成したコーティング粒子の前駆体１００ａの断面構造を図２に示す。

第３無機絶縁膜４０の形成方法は、第３無機絶縁膜４０の種類によって適宜選択される。例えば、第３無機絶縁膜４０がシリコン酸化膜である場合、第１無機絶縁膜２０を形成した軟磁性体粒子１０の存在下、ゾルーゲル法により、アルコキシシラン化合物のアルコキシ基の加水分解・脱水縮合反応を行うことで、第１無機絶縁膜２０の表面に第３無機絶縁膜４０を形成できる。アルコキシシラン化合物の例には、テトラメトキシシランやテトラエトキシシラン等が含まれる。

以下、第３無機絶縁膜４０の形成方法を、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いてＳｉＯ_２膜を形成する場合を例に具体的に説明する。

第１無機絶縁膜２０で被覆された軟磁性体粒子１０を、ＴＥＯＳ、アンモニア水（触媒）、およびエタノール（溶媒）を含む混合溶液中に浸漬する。そして、攪拌後、溶媒を乾燥させることで、第１無機絶縁膜２０の表面に第３無機絶縁膜４０としてＳｉＯ_２膜を形成する。ＳｉＯ_２膜の膜厚は、ＴＥＯＳの量や、触媒のアンモニア水の量、攪拌時間等の諸条件を変化させることで調整でき、例えば１０ｎｍ〜２００ｎｍとすることができる。当該ＳｉＯ_２膜の膜厚は、所望の第２無機絶縁膜３０の厚み、および第３無機絶縁膜４０の厚みに応じて適宜調整する。

なお、ゾルーゲル法におけるＴＥＯＳの加水分解・脱水縮合反応に用いる溶媒は、エタノールに限定されず、例えば２−プロパノール（ＩＰＡ）等を用いることもできる。また、触媒もアンモニア水に限定されず、例えば塩酸や硝酸等を用いることもできる。

・第２無機絶縁膜３０の形成方法
第２無機絶縁膜３０は、第１無機絶縁膜２０の表面に第３無機絶縁膜４０を形成した上述の前駆体１００ａを熱処理することで形成できる。第１無機絶縁膜２０および第３無機絶縁膜４０を積層した状態で熱処理すると、これらの界面で第１無機絶縁膜２０側から第３無機絶縁膜４０側に元素が拡散すると共に、第３絶縁膜４０側から第１無機絶縁膜２０側に元素が拡散する。つまり、相互に元素が拡散する（以下、「ミキシング反応」とも称する）。そして、これらの界面（例えば第３無機絶縁膜４０の一部）の組成が変化することで、第１無機絶縁膜２０と第３無機絶縁膜４０の界面に第２無機絶縁膜３０が形成される。第２無機絶縁膜３０を形成する際の熱処理温度は２００℃〜６００℃が好ましく、２５０℃〜５００℃がより好ましい。第２無機絶縁膜３０の厚みは、熱処理温度等によって調整できる。

（実施の形態２）
上述の実施の形態１のコーティング粒子１００では、軟磁性体粒子１０上に、３層の無機絶縁膜が配置されていた。ただし、本開示では、図３に示すように、軟磁性体粒子１０上に、第１無機絶縁膜２０および第２無機絶縁膜３０のみが積層されたコーティング粒子２００を含むコーティング粒子粉末としてもよい。実施の形態２のコーティング粒子２００の第１無機絶縁膜２０および第２無機絶縁膜３０は、実施の形態１の第１無機絶縁膜２０および第２無機絶縁膜３０と同様である。

上述のように、第２無機絶縁膜３０は、第１無機絶縁膜２０と第３無機絶縁膜４０とのミキシング反応によって形成され、例えば、第１無機絶縁膜２０中の金属元素は、熱処理によりよって第３無機絶縁膜４０中に外方拡散する。したがって、上述のコーティング粒子１００の製造方法において、第３無機絶縁膜４０の膜厚、および第２無機絶縁膜３０を形成する際の熱処理温度を制御することにより、第３無機絶縁膜４０を全て第２無機絶縁膜３０に組成変化させることができ、本実施の形態のコーティング粒子２００が得られる。

以下において、実施例を参照して本開示を説明する。実施例によって、本開示の範囲は限定して解釈されない。

（第１実施例）
（１）軟磁性体粒子１０および第１無機絶縁膜２０の準備工程
第１実施例では、粉砕により形成された平均粒子径が１００μｍ以下である軟磁性体粒子（Ｆｅ粒子）１０を用意し、大気雰囲気中で静置した。その後、軟磁性体粒子１０の表面には数ｎｍ〜数十ｎｍの鉄の自然酸化膜であるＦｅＯ_ｘ膜（第１無機絶縁膜２０）が形成されていることを確認した。

（２）第３無機絶縁膜４０の形成工程
第１無機絶縁膜２０が形成された軟磁性体粒子１０ ５００ｇに対して、エタノール１ｋｇ、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン、Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４）５０ｇ、およびアンモニア水（アンモニア含有量２８〜３０容量％）５０ｇを加えて２時間攪拌した。攪拌後、溶液中の粒子を分離、乾燥することで、ＦｅＯ_ｘ膜（第１無機絶縁膜２０）の表面にＳｉＯ_２膜（第３無機絶縁膜４０）が形成されたコーティング粒子粉末を得た。

（３）第２無機絶縁膜３０の形成工程
軟磁性体粒子１０上に、ＦｅＯ_ｘ膜（第１無機絶縁膜２０）およびＳｉＯ_２膜（第３無機絶縁膜４０）の２層の絶縁膜を備えた粒子を、加熱炉内で２５０℃にて熱処理した。これにより、ＦｅＯ_ｘ膜（第１無機絶縁膜２０）中の元素とＳｉＯ_２膜（第３無機絶縁膜４０）中の元素とがミキシング反応し、これらの界面に金属シリケート膜（第２無機絶縁膜３０）が形成された。この結果、得られた絶縁膜全体の膜厚（第１無機絶縁膜２０、第２無機絶縁膜３０、および第３無機絶縁膜４０の合計膜厚）は７０ｎｍであった。

（評価）
上述のように、軟磁性体粒子１０の表面に３層の無機絶縁膜を備えたコーティング粒子１００を作製した。得られたコーティング粒子１００の断面の透過顕微鏡（ＴＥＭ）写真を図４に示す。またこの断面における元素の組成比率を示すＥＤＸプロファイルを図５に示す。

図４に示すように、第３無機絶縁膜４０であるＳｉＯ_２膜の形成後の熱処理により、第１無機絶縁膜２０（ＦｅＯ_ｘ膜）と第３無機絶縁膜４０（ＳｉＯ_２膜）との界面に第２無機絶縁膜３０である金属シリケート膜（ＦｅＳｉＯ_ｘ膜）が形成されていることが確認できる。

図５は３層の無機絶縁膜中に含まれる元素の組成比率を示したＥＤＸラインプロファイルである。この結果をみると、コーティング粒子１００の中心から外側に進むにつれて、無機絶縁膜中に含まれるＦｅの比率が減少していることが分かる。一方、コーティング粒子１００の外側から内側の方向に進むにつれて、無機絶縁膜中に含まれるＳｉの比率が減少していることが分かる。熱処理前は、第１無機絶縁膜（ＦｅＯ_ｘ膜）２０と第３無機絶縁膜（ＳｉＯ_２膜）４０の２層構造であったことから、熱処理により第１無機絶縁膜２０であるＦｅＯ_ｘと第３無機絶縁膜４０であるＳｉＯ_２との界面でミキシング反応が起こり、第２無機絶縁膜３０である金属シリケート膜（ＦｅＳｉＯ_ｘ膜）が形成されたことが確認できる。

また、このコーティング粒子１００の粉末を結着剤と混合して成型、硬化を行い角型の試料を作製した。それからこの試料の上下に、デジタル超高抵抗・微少電流計５４５１（エーディーシー社製）を用いて電圧を印加して、絶縁耐圧を測定した。絶縁耐圧の測定結果を図６に示す。

図６は、第１実施例に係る第１無機絶縁膜２０である自然酸化膜（ＦｅＯ_ｘ膜）、第２無機絶縁膜３０である金属シリケート膜（ＦｅＳｉＯ_ｘ膜）、および第３無機絶縁膜４０であるＳｉＯ_２膜の３層の無機絶縁膜を備えたコーティング粒子１００の粉末を用いた成型体の絶縁耐圧と、比較例として、１層のＳｉＯ_２膜のみを絶縁膜として備えたコーティング粒子粉末を用いて作製した成型体の絶縁耐圧の比を示すグラフである。図６には、比較例（絶縁膜がＳｉＯ_２膜のみである場合）の耐圧性を１とし、当該耐圧性に対する比を示す。

ＳｉＯ_２膜の形成条件は両者とも同一であり、両者とも膜厚は約７０ｎｍである。図６
に示すように、１層のＳｉＯ_２膜を形成した場合と比較して、第１実施例のように３層の無機絶縁膜を形成した場合には、絶縁耐圧が約５倍に上昇していることが分かる。なお、第１実施例に係るＳｉＯ_２膜の膜厚や熱処理の温度を適宜調整することで、絶縁耐圧を調整することができる。これにより、所望のデバイスが要求する絶縁耐圧性能を実現することができる。

本開示に係る、絶縁被覆されたコーティング粒子を含むコーティング粒子粉末によれば、それを用いたデバイスにおいて渦電流の低減と絶縁耐圧の向上を実現できる。加えて、積層され厚膜化された絶縁膜により、軟磁性体粒子の防錆性も向上させることができる。このため、粉砕粉をコーティング粒子の軟磁性体粒子とした場合であっても、コーティング粒子粉末を磁気特性の向上と渦電流の低減による鉄損の低減の両立が求められる軟磁性体デバイスに利用可能である。また、本開示のコーティング粒子粉末の製造方法によれば、少ない工程数で、上記コーティング粒子粉末を製造できる。

１００、２００ コーティング粒子
１００ａ コーティング粒子の前駆体
１０ 軟磁性体粒子
２０ 第１無機絶縁膜
３０ 第２無機絶縁膜
４０ 第３無機絶縁膜

Claims (8)

1. 軟磁性体粒子と、
   前記軟磁性体粒子の表面上に形成された第１無機絶縁膜と、
   前記第１無機絶縁膜の表面上に形成された第２無機絶縁膜と、
   を有するコーティング粒子を含む、コーティング粒子粉末。
2. 前記コーティング粒子は、前記第２無機絶縁膜を覆う第３無機絶縁膜をさらに有する、
   請求項１に記載のコーティング粒子粉末。
3. 前記第３無機絶縁膜が、シリコン酸化膜である、
   請求項２に記載のコーティング粒子粉末。
4. 前記軟磁性体粒子が金属を含み、
   前記第１無機絶縁膜が、前記金属の自然酸化膜または熱酸化膜である、
   請求項１〜３のいずれか一項に記載のコーティング粒子粉末。
5. 前記軟磁性体粒子が金属を含み、
   前記第２無機絶縁膜が、前記金属のシリケート膜である、
   請求項１〜４のいずれか一項に記載のコーティング粒子粉末。
6. 前記軟磁性体粒子の結晶構造が、ナノ結晶構造、非晶質構造、またはナノ結晶構造および非晶質構造の混合構造のいずれかである、
   請求項１〜５のいずれか一項に記載のコーティング軟磁性体粒子粉末。
7. 平均粒子径が０．１μｍ〜１００μｍである、
   請求項１〜６のいずれか一項に記載のコーティング粒子粉末。
8. 表面に第１無機絶縁膜を有する軟磁性体粒子を準備する工程と、
   前記第１無機絶縁膜の表面に第３無機絶縁膜を形成する工程と、
   前記第３無機絶縁膜を形成した粒子を熱処理し、前記第１無機絶縁膜および前記第３無機絶縁膜を反応させ、前記第１無機絶縁膜および前記第３無機絶縁膜の界面に第２無機絶縁膜を形成する工程と、
   を含む、コーティング粒子粉末の製造方法。
   

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