JP2021057227A - 自発光パネル、および、自発光パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】発光層が塗布法で形成される自発光パネルにおいて、隔壁の欠陥に対して堰を形成しても機能層の膜厚ムラを抑止し発光強度のばらつきを抑える。【解決手段】平面視したときに発光素子が行列状に配される表示領域に対して非表示領域が列方向に隣接する自発光パネルであって、前記表示領域において基板の上方に配された複数の画素電極と、前記表示領域において列方向に延伸して画素電極を行方向に区画する複数の隔壁と、２つの隔壁の間の間隙のうち第１間隙に配される塗布膜である第１の発光層と、第１間隙から行方向に離間した第３間隙に配される、第１の発光層と同一の材料からなる塗布膜である第３の発光層と、非表示領域において帯状の外部間隙を区画する外部隔壁と、第１の発光層、第３の発光層の上方に配される対向電極とを備え、第１間隙と第３間隙とが外部間隙を介して連通している。【選択図】図３

Description

本開示は、電界発光現象や量子ドット効果を利用した自発光素子を用いた表示パネル、および、その製造方法に関する。

近年、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ素子、量子ドット効果を利用したＱＬＥＤなどの自発光素子を利用した表示装置が普及しつつある。

自発光素子は、陽極と陰極との間に、少なくとも発光層が挟まれた構造を有している。現在、発光層を含む機能層を効率よく形成する方法として、機能性材料を含むインクをウェットプロセスで塗布して形成することが行われている。ウェットプロセスでは、真空蒸着装置と比較して製造装置を小型化することができ、また、機能性材料を蒸着する際に使用するシャドウマスクを使用する必要がない。そのため、シャドウマスクの位置合わせ等の作業が必要なく、大型パネルの生成や量産性を考慮したパネルサイズを混合したような大型基板の製造も容易となり、効率の良いパネル生成に適した特徴がある。また蒸着法と異なり、ウェットプロセスでは、高価な発光材料等の機能性材料の使用効率が向上することより、パネル製造コストの低減が可能となる。さらにウェットプロセスでは、同一の機能層を含む複数の自発光素子を素子列として一列に配置し、素子列単位で機能層を形成することにより、より効率的に機能層を形成するとともに、素子間の機能層の膜厚のばらつきを抑止することが可能となる（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１０−１９２２１５号公報 特開２０１６−７１９９２号公報

ウェットプロセスでは、機能層を形成するための発光材料や機能性材料を溶解したインクを塗り分け印刷するためにバンクと呼ばれるサブピクセルごとに形成した隔壁が必要となる。一方で、表示パネルの製造過程においてバンクに部分的な決壊が生じる、異物が付着するといった欠陥が発生することがある。このような欠陥が存在したまま機能層を形成すると、欠陥を有する隔壁によって区画されるべき２つの領域に塗布されるインクが混合されて混色等の重大な表示不良を引き起こす可能性がある。そこで、例えば特許文献２に開示されているように、隔壁の欠陥の周囲を囲むように堰を形成し、混色の拡大を抑制するリペア技術が存在する。

しかしながら、堰を形成すると、隔壁によって区画される機能層の形成領域が堰によってさらに細分化される。したがって、特に、機能層の面積が発光素子の面積に対して十分に大きくない場合に、素子間の機能層の膜厚のばらつきを十分に抑止することができず、機能層の膜厚ムラによる発光強度のばらつきが生じることがある。

本開示は、上記課題を鑑みてなされたものであり、発光層が塗布法で形成される自発光パネルであって、隔壁の欠陥に対して堰を形成しても機能層の膜厚ムラを抑止し発光強度のばらつきを抑えた自発光パネル、および、その製造方法を提供することを目的とする。

本開示の一態様に係る自発光パネルは、平面視したときに発光素子が行列状に配される表示領域に対して非表示領域が列方向に隣接する自発光パネルであって、前記表示領域において基板の上方に配された複数の画素電極と、前記表示領域において前記基板の上方に配され、列方向に延伸して複数の前記画素電極を行方向に区画する複数の隔壁と、行方向に隣接する２つの隔壁の間の間隙のうち第１間隙に配される塗布膜である第１の発光層と、前記第１間隙に行方向に隣接する第２間隙に配され、前記第１の発光層と発光色が異なる第２の発光層と、前記第１間隙から行方向に離間した第３間隙に配される、前記第１の発光層と同一の材料からなる塗布膜である第３の発光層と、前記基板の上方に配され、前記非表示領域において帯状の外部間隙を区画する外部隔壁と、前記第１の発光層、前記第２の発光層、前記第３の発光層の上方に配される対向電極とを備え、前記第１間隙と前記第３間隙とが前記外部間隙を介して連通していることを特徴とする。

上記態様の自発光パネルによれば、第１の発光層が形成される第１間隙と第３の発光層が形成される第３間隙とが外部間隙によって連通しているため、第１間隙または第３間隙に堰が形成されても、発光層が形成される面積が小さくならない。したがって、堰の有無に係らず、発光層の膜厚の均一性が高いため、同一色に発光する発光素子間の発光強度のばらつきを抑えることができる。

実施の形態１に係る表示装置１の回路構成を示す模式ブロック図である。 実施の形態１に係る表示パネル１０の各副画素における回路構成を示す模式図である。 実施の形態１に係る表示パネル１０の模式平面図である。 図３におけるＡ０部の拡大平面図である。 列バンクと行バンクを形成した段階における基板の一部分の斜視図である。 図４におけるＡ−Ａの模式断面図である。 列バンクの欠陥部を模式的に示す図である。 （ａ）〜（ｃ）は列バンクの欠陥部を模式的に示す図である。 列バンクの欠陥部において混色が発生していることを模式的に示す図である。 列バンクの補修により形成された堰を模式的に示す図である。 堰の形成により混色領域の範囲が制限されることを模式的に示す図である。 堰の表示領域１０ｐにおける相対的な位置が発光層に与える影響を模式的に示す図であり、（ａ）は堰が表示領域１０ｐと非表示領域１０ｑとの境界から遠い状態、（ｂ）は堰が表示領域１０ｐと非表示領域１０ｑとの境界に近い状態を示す。 堰と、表示領域１０ｐと非表示領域１０ｑとの境界との距離による発光層への影響を模式的に示す図である。 実施の形態１に係る表示パネル１０において堰による発光層への影響を模式的に示す図である。 （ａ）〜（ｃ）は、実施の形態２に係る表示パネル１０の平面模式図である。 実施の形態１に係る表示パネル１０の製造過程を示すフローチャートである。 実施の形態１に係る表示パネルの製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、基材上にＴＦＴ層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、ＴＦＴ層上に層間絶縁層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、層間絶縁層上に画素電極材料層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｄ）は、画素電極材料層がパターニングされて画素電極が形成された状態を示す部分断面図である。 実施の形態１に係る表示パネルの製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、画素電極および層間絶縁層上に列バンク材料層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、列バンクが形成された状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、列バンクの開口部内に正孔注入層の材料インクが塗布され正孔注入層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｄ）は、列バンクの開口部内に正孔輸送層の材料インクが塗布され正孔輸送層が形成された状態を示す部分断面図である。 実施の形態１に係る表示パネルの製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、列バンクの開口部内に発光層の材料インクが塗布され発光層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、列バンク上及び発光層上に電子輸送層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、電子輸送層上に電子注入層が形成された状態を示す部分断面図である。 実施の形態１に係る表示パネルの製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、電子注入層上に対向電極が形成された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、対向電極上に封止層が形成された状態を示す部分断面図である。

≪本開示の一態様に至った経緯≫
塗布方式で機能層を形成する場合、材料を溶解したインクを、隔壁間隙に塗布する。以下、このように塗布方式で形成された機能層を、塗布膜と呼ぶ。上述したように、隔壁は、インクの乗り越えを防いで塗布膜の形成範囲を規定するものであるから、欠陥が生じると、インクの混合による混色等の重大な表示不良を引き起こす可能性がある。より具体的には、図７、図８（ａ）、（ｂ）に示すような異物による欠陥３、図８（ｃ）に示すような隔壁の部分的な決壊による欠陥３が存在すると、欠陥３が存在する隔壁（列バンク）１４Ｙがインクの乗り越えを防ぐことができず、図９に示すような混色領域が生じる。そこで、図１０に示すように、隔壁の欠陥の周囲を囲むように堰５を形成することで、図１１に示すように、混色領域ＳＡを堰５と隔壁１４Ｙに囲まれた狭い領域に限定する補修技術が存在する。

しかしながら、堰５を形成すると、塗布膜の形成範囲である間隙１４ａが、２つの部分領域ＳＢに分割される。図１２（ａ）に示すように、２つの部分領域ＳＢ１、ＳＢ２の面積が発光素子の面積に対して十分に広い場合は堰５の影響は大きくない。しかしながら、図１２（ｂ）に示すように、２つの部分領域ＳＢ１、ＳＢ２の面積のうち少なくとも一方が発光素子の面積に対して十分に広いと言えない場合、面積の狭い部分領域ＳＢ１ではインクの濡れ広がる範囲、乾燥中の流動範囲等の乾燥条件が自発光パネル内の他の部分とは異なるため、部分領域ＳＢ２や行方向に隣接する間隙１４ａに形成される機能層とは膜厚や膜形状が異なる場合がある。したがって、堰５が間隙１４ａの長尺方向の端部に近いほど機能層の膜厚への影響が大きくなり、特に、堰５と間隙１４ａの長尺方向の端部に挟まれた狭い領域において機能層の膜厚ムラによる発光強度のばらつきが生じ、輝度の異なる部分領域ＳＢ１が目立って見える表示異常が生じうる。

発明者は、上記課題に鑑み、隔壁の欠陥に対して堰を形成しても機能層の膜厚ムラを抑止する構成について検討し、本開示に至ったものである。

≪開示の態様≫
本開示の一態様に係る自発光パネルは、平面視したときに発光素子が行列状に配される表示領域に対して非表示領域が列方向に隣接する自発光パネルであって、前記表示領域において基板の上方に配された複数の画素電極と、前記表示領域において前記基板の上方に配され、列方向に延伸して複数の前記画素電極を行方向に区画する複数の隔壁と、行方向に隣接する２つの隔壁の間の間隙のうち第１間隙に配される塗布膜である第１の発光層と、前記第１間隙に行方向に隣接する第２間隙に配され、前記第１の発光層と発光色が異なる第２の発光層と、前記第１間隙から行方向に離間した第３間隙に配される、前記第１の発光層と同一の材料からなる塗布膜である第３の発光層と、前記基板の上方に配され、前記非表示領域において帯状の外部間隙を区画する外部隔壁と、前記第１の発光層、前記第２の発光層、前記第３の発光層の上方に配される対向電極とを備え、前記第１間隙と前記第３間隙とが前記外部間隙を介して連通していることを特徴とする。

また、本開示の一態様に係る自発光パネルの製造方法は、平面視したときに発光素子が行列状に配される表示領域に対して非表示領域が列方向に隣接する自発光パネルの製造方法であって、基板上方のうち前記表示領域に画素電極を行列状に形成し、前記基板上方のうち前記表示領域内に、列方向に延伸して複数の前記画素電極を行方向に区画する複数の隔壁を形成し、行方向に隣接する２つの隔壁によって規定される間隙のうち第１間隙と、前記第１間隙から行方向に離間した第３間隙との双方に連通する外部間隙を区画する外部隔壁を前記非表示領域に形成し、前記第１間隙と前記第３間隙とに、第１の発光層の材料インクを塗布して、第１の発光層と第３の発光層とをそれぞれ形成し、前記第１間隙に行方向に隣接する第２間隙に、前記第１の発光層と発光色が異なる第２の発光層を形成し、前記第１の発光層、前記第２の発光層、前記第３の発光層の上方に対向電極を形成することを特徴とする。

上記態様の自発光パネル、または、上記態様の自発光パネルの製造方法によれば、第１の発光層が形成される第１間隙と第３の発光層が形成される第３間隙とが外部間隙によって連通しているため、第１間隙または第３間隙に堰が形成されても、発光層が形成される面積が小さくならない。したがって、堰の有無に係らず、発光層の膜厚の均一性が高いため、同一色に発光する発光素子間の発光強度のばらつきを抑えることができる。

また、上記態様の自発光パネル、または、上記態様の自発光パネルの製造方法において、以下のようにしてもよい。

前記第１間隙を規定する隔壁と前記第３間隙とを規定する隔壁とが前記外部隔壁を介して連続している、としてもよい。

これにより、第１間隙、外部間隙、第３間隙が継ぎ目なく連通するため、発光層の材料インクが滞ることなく第１間隙と第３間隙との間を流動できるため、発光層の膜厚の均一性を高めることができる。

また、前記外部間隙には前記第１の発光層と前記第３の発光層とのいずれとも同一の材料からなり塗布膜として形成されるダミー発光層が形成され、前記第１の発光層と前記第３の発光層とが前記ダミー発光層を介して連続している、としてもよい。

これにより、第１の発光層の成膜条件と第３の発光層の成膜条件を近づけることができるため、発光層の膜厚の均一性を高めることができる。

また、前記第３間隙に行方向に隣接する第４間隙において前記画素電極の上方に配され、前記第２の発光層と同一の材料からなり塗布膜として形成される第４の発光層と、前記基板の上方に配され、前記非表示領域において帯状の第２外部間隙を区画する第２外部隔壁とをさらに備え、前記第２の発光層は塗布膜として形成され、前記第２間隙を規定する隔壁と前記第４間隙とを規定する隔壁とが前記第２外部隔壁を介して連続していることにより前記第２間隙と前記第４間隙とが前記第２外部間隙を介して連通している、としてもよい。

また、前記第２間隙と、前記第３間隙に行方向に隣接する第４間隙との双方に連通する第２外部間隙を区画する第２外部隔壁を前記非表示領域に形成し、前記第２の発光層の形成において、第２の発光層の材料インクを塗布し、前記第４間隙に、前記第２の発光層の材料インクを塗布して第４の発光層を形成する、としてもよい。

これにより、第２の発光層が形成される第２間隙または第４の発光層が形成される第４間隙に堰が形成された場合においても、同一色に発光する発光素子間の発光強度のばらつきを抑えることができる。

また、前記第１間隙、前記第２間隙、前記第４間隙、前記第３間隙がこの順で行方向に並ぶ、としてもよい。

これにより、第１間隙と第３間隙とを連通させ、かつ、第２間隙と第４間隙とを連通させる構成を容易に実現することができる。

また、前記第３間隙から行方向に離間した第５間隙において前記画素電極の上方に配され、前記第１の発光層と同一の材料からなり塗布膜として形成される第５の発光層と、前記基板の上方に配され、前記非表示領域において帯状の第３外部間隙を区画する第３外部隔壁とをさらに備え、前記第３間隙を規定する隔壁と前記第５間隙とを規定する隔壁とが前記第３外部隔壁を介して連続していることにより前記第３間隙と前記第５間隙とが前記第３外部間隙を介して連通している、としてもよい。

また、前記第３間隙と、前記第３間隙から行方向に離間した第５間隙との双方に連通する第３外部間隙を区画する第３外部隔壁を前記非表示領域に形成し、前記第５間隙に、前記第１の発光層の材料インクを塗布して第５の発光層を形成する、としてもよい。

これにより、第１間隙と第３間隙との間、第３間隙と第５間隙との間の双方で発光層の材料インクの流動が可能になるため、さらに発光層の膜厚のばらつきを抑えることができる。

また、前記第３間隙から行方向に離間した第５間隙において前記画素電極の上方に配され、前記第１の発光層と同一の材料からなり塗布膜として形成される第５の発光層をさらに備え、前記第１間隙と前記第３間隙と前記第５間隙とが前記外部間隙を介して連続している、としてもよい。

また、前記外部隔壁の形成において、前記外部間隙が、前記第１間隙と、前記第３間隙と、前記第３間隙から行方向に離間した第５間隙との全てに連通するように前記外部間隙を形成し、前記第５間隙に、前記第１の発光層の材料インクを塗布して第５の発光層を形成する、としてもよい。

これにより、第１間隙、第３間隙、第５間隙の全てに対して発光層の材料インクの流動が可能になるため、さらに発光層の膜厚のばらつきを抑えることができる。

また、前記第１間隙内に、行方向に延伸し前記第１の発光層を列方向に分断する堰が設けられている、としてもよい。

また、前記堰は、１以上の画素電極の上方に形成され、平面視したときに、当該画素電極が存在する領域に発光素子が存在しない、としてもよい。

また、前記隔壁の欠陥を検出し、欠陥を検出した場合に、欠陥が前記隔壁と堰とによって囲繞されるように堰を形成する、としてもよい。

これにより、隔壁に欠陥が存在する場合においても混色等を抑止するとともに、さらに、発光層の膜厚のばらつきを抑えることができる。

≪実施の形態１≫
１．表示装置の構成
以下、本開示に係る自発光表示パネルとして有機ＥＬ表示パネルを用いた表示装置（以下、単に「表示装置」と称する）の実施の形態について説明する。

（１）表示装置１の回路構成
図１は、表示装置１の回路構成を示すブロック図である。

図１に示すように、表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０（以下、「表示パネル１０」と称する）と、これに接続された駆動制御回路部２００とを有して構成されている。

表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネルであって、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状（行列状）に配列され構成されている。

駆動制御回路部２００は、４つの駆動回路２１０〜２４０と制御回路２５０とにより構成されている。

（２）表示パネル１０の回路構成
表示パネル１０においては、複数の単位画素１００ｅが行列状に配されて表示領域を構成している。各単位画素１００ｅは、３個の有機ＥＬ素子、つまり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に発光する３個の副画素１００ｓｅから構成される。各副画素１００ｓｅの回路構成について、図２を用い説明する。

図２は、表示装置１に用いる表示パネル１０の各副画素１００ｓｅに対応する有機ＥＬ素子１００における回路構成を示す回路図である。

図２に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、各副画素１００ｓｅが２つのトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２と一つのキャパシタＣ、及び発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ１は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ２は、スイッチングトランジスタである。

スイッチングトランジスタＴｒ２のゲートＧ２は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ２は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ２のドレインＤ２は、駆動トランジスタＴｒ１のゲートＧ１に接続されている。

駆動トランジスタＴｒ１のドレインＤ１は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ１は、有機ＥＬ素子部ＥＬの画素電極（アノード）に接続されている。有機ＥＬ素子部ＥＬにおける共通電極（対向電極：カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。

なお、キャパシタＣの第１端は、スイッチングトランジスタＴｒ２のドレインＤ２及び駆動トランジスタＴｒ１のゲートＧ１と接続され、キャパシタＣの第２端は、電源ラインＶａと接続されている。

表示パネル１０においては、隣接する複数の副画素１００ｓｅ（例えば、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）の発光色の３つの副画素１００ｓｅ）を組み合せて１つの単位画素１００ｅを構成し、各単位画素１００ｅが分布するように配されて画素領域を構成している。

そして、各副画素１００ｓｅのゲートＧ２からゲートラインが各々引き出され、表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各副画素１００ｓｅのソースＳ２からソースラインが各々引き出され表示パネル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。

また、各副画素１００ｓｅの電源ラインＶａ及び各副画素１００ｓｅの接地ラインＶｃａｔは集約されて、表示装置１の電源ライン及び接地ラインに接続されている。

なお、各有機ＥＬ素子の駆動回路は、上記のものに限られず、他の構成でも構わない。

（３）表示パネル１０の全体構成
（３−１）表示パネル１０の概要
本実施の形態に係る表示パネル１０について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。

図３は、表示パネル１０の模式平面図である。表示パネル１０は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルであり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が形成された基板１１（ＴＦＴ基板）に、各々が画素を構成する複数の有機ＥＬ素子１００が行列状に配され、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。ここで、本明細書では、図３におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ表示パネル１０における、行方向、列方向、厚み方向とする。

図３に示すように、表示パネル１０は、基板１１上をマトリックス状に区画してＲＧＢ各色の発光単位を規制する列バンク１４Ｙ（隔壁）と行バンク１４Ｘ（画素間規制層）とが配された区画領域１０ａ（Ｘ、Ｙ方向にそれぞれ１０Ｘａ、１０Ｙａ、区別を要しない場合は１０ａとする）と、区画領域１０ａの周囲に非区画領域１０ｂ（Ｘ、Ｙ方向にそれぞれ１０Ｘｂ、１０Ｙｂ、区別を要しない場合は１０ｂとする）とから構成されている。区画領域１０ａの列方向の外周縁は列バンク１４Ｙの列方向の端部に相当する。非区画領域１０ｂには、区画領域１０ａを取り囲む矩形状の封止部材（不図示）が形成されている。区画領域１０ａにおいて、列バンク１４Ｙと行バンク１４Ｘによって区画される各領域のうち、外周部を含む非表示領域１０ｑは表示に寄与せず、非表示領域１０ｑの内側に設けられる表示領域１０ｐに有機ＥＬ素子１００が形成される。

（３−２）有機ＥＬ素子１００の概要
図４は、図３におけるＡ０部の拡大平面図である。

表示パネル１０の表示領域１０ｐには、複数の有機ＥＬ素子１００から構成される単位画素（画素領域）１００ｅが行列状に隙間なく配されている。各単位画素１００ｅには、赤色に発光する自発光素子１００Ｒ、緑色に発光する自発光素子１００Ｇ、青色に発光する自発光素子１００Ｂの３種類の自発光素子が副画素１００ｓｅとして含まれる。すなわち、行方向に並んだ自発光素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが１組となりカラー表示における単位画素１００ｅを構成する。自発光素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは、それぞれ、赤色に発光する自己発光領域１００ａＲ、緑色に発光する自己発光領域１００ａＧ、青色に発光する自己発光領域１００ａＢ（以後、１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢを区別しない場合は、「自己発光領域１００ａ」と略称する）と、非自己発光領域１００ｂとを含む。

なお、自発光素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは、行方向において、自発光素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ、１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ、１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ、１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ、…のように、行方向に隣接する単位画素１００ｅ間で、副画素の行方向の並ぶ順が逆になるように並ぶ。

表示パネル１０には、複数の画素電極１３が基板１１上に行及び列方向にそれぞれ所定の距離だけ離れた状態で行列状に配されている。３つの画素電極１３とその周辺までの領域が単位画素（画素領域）１００ｅに含まれ、画素単位１００ｅと画素単位１００ｅの境界は、列方向（Ｙ方向）に隣接する画素電極１３の間隙をＹ方向に二分する直線、および、行方向（Ｘ方向）に隣接する自発光素子１００Ｂ、１００Ｒの画素電極１３の間隙をＸ方向に二分する直線となる。

画素電極１３とこれに隣接する画素電極１３とは、互いに絶縁されている。隣接する画素電極１３間には、ライン状に延伸する絶縁層が設けられている。

１つの画素電極１３と、これに行方向に隣接する画素電極１３との間に位置する基板１１上の領域上方には、各条が列方向（図３のＹ方向）に延伸する列バンク１４Ｙが複数列並設されている。そのため、自己発光領域１００ａの行方向外縁は、列バンク１４Ｙの行方向外縁により規定される。

一方、１つの画素電極１３と、これに列方向に隣接する画素電極１３との間に位置する基板１１上の領域上方には、各条が行方向（図３のＸ方向）に延伸する行バンク１４Ｘが複数行並設されている。行バンク１４Ｘが形成される領域は、画素電極１３上方の発光層１７において有機電界発光が生じないために非自己発光領域１００ｂとなる。そのため、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１４Ｘの列方向外縁により規定される。

なお、ここでは、画素電極１３は全副画素に対して同一の形状であり、画素電極１３の一部が行バンク１４Ｘ、列バンク１４Ｙによって被覆される構成であるとした。しかしながら、行バンク１４Ｘ、列バンク１４Ｙによって被覆される個所は電極として機能しない部分であるから、行バンク１４Ｘ、または、列バンク１４Ｙによって被覆されるべき部分については画素電極１３を形成しない、としてもよい。

隣り合う列バンク１４Ｙ間を間隙１４ａと定義したとき、間隙１４ａには、自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙１４ａＲ、自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙１４ａＧ、自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙１４ａＢ（以後、間隙１４ａＲ、間隙１４ａＧ、間隙１４ａＢを区別しない場合は、「間隙１４ａ」と称する）が存在し、表示パネル１０は、列バンク１４Ｙと間隙１４ａとが交互に多数並んだ構成を採る。

表示パネル１０では、複数の画素領域１００ｅが、自己発光領域１００ａと非自己発光領域１００ｂとが交互に繰り返されるように、間隙１４ａＲ、間隙１４ａＧ、間隙１４ａＢに沿って列方向に並んで配されている。非自己発光領域１００ｂには、画素電極１３とＴＦＴのソースＳ１とを接続する接続凹部（コンタクトホール、不図示）があり、画素電極１３に対して電気接続するための画素電極１３上のコンタクト領域が設けられている。

１つの副画素１００ｓｅにおいて、列方向に設けられた列バンク１４Ｙと行方向に設けられた行バンク１４Ｘとは直交し、自己発光領域１００ａは、列方向において行バンク１４Ｘと、この行バンク１４Ｘに隣接する行バンク１４Ｘの間に位置している。

図５は、列バンク１４Ｙと行バンク１４Ｘの形成状態を説明するため、上記表示パネル１０の一部の斜視図である。同図に示すように、行バンク１４Ｘの高さが列バンク１４Ｙの高さよりも十分低い構造となっている（ラインバンク方式）。

上記構成により、間隙１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢのそれぞれに吐出されたインクは、その液面が行バンク１４Ｘよりも高くなり、インクが列方向（Ｙ方向）に流動するため、インクの液面が平坦化され膜厚の列方向における変動が少なくなる。

（３−３）表示パネル１０の各部構成
以下、表示パネル１０の各部構成について説明する。図６は、図４のＡ−Ａ断面に相当する断面模式図である。

＜基板＞
基板１１は、絶縁材料である基材１１１と、ＴＦＴ層１１２とを含む。ＴＦＴ層１１２には、副画素ごとに駆動回路が形成されている。基材１１１は、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等を採用することができる。プラスチック材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリサルホン（ＰＳｕ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリウレタン系、等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられる。これらよりプロセス温度に対して耐久性を有するように選択し、１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。

＜層間絶縁層＞
層間絶縁層１２は、基板１１上に形成されている。層間絶縁層１２は、樹脂材料からなり、ＴＦＴ層１１２の上面の段差を平坦化するためのものである。樹脂材料としては、例えば、ポジ型の感光性材料が挙げられる。また、このような感光性材料として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。また、図示していないが、層間絶縁層１２には、副画素ごとにコンタクトホールが形成されている。

＜画素電極＞
画素電極１３は層間絶縁層１２上に形成されている。画素電極１３は、副画素ごとに設けられ、層間絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを通じてＴＦＴ層１１２と電気的に接続されている。

本実施形態においては、画素電極１３は、光反射性の陽極として機能する。

光反射性を具備する金属材料の具体例としては、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＭｏＷ（モリブデンとタングステンの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）などが挙げられる。

画素電極１３は、金属層単独で構成してもよいが、金属層の上に、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）やＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）のような金属酸化物からなる層を積層した積層構造としてもよい。

なお、画素電極１３は、光透過性の陽極として機能してもよい。このとき、画素電極１３は、金属材料で形成された金属層、金属酸化物で形成された金属酸化物層のうち少なくとも一方を含んでいる。金属層の材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｇを主成分とする銀合金、Ａｌ、Ａｌを主成分とするＡｌ合金が挙げられる。Ａｇ合金としては、マグネシウム−銀合金（ＭｇＡｇ）、インジウム−銀合金が挙げられる。Ａｇは、基本的に低抵抗率を有し、Ａｇ合金は、耐熱性、耐腐食性に優れ、長期にわたって良好な電気伝導性を維持できる点で好ましい。Ａｌ合金としては、マグネシウム−アルミニウム合金（ＭｇＡｌ）、リチウム−アルミニウム合金（ＬｉＡｌ）が挙げられる。その他の合金として、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金が挙げられる。透光性を確保するため、金属層の膜厚は１ｎｍ〜５０ｎｍ程度である。金属酸化物層の材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯが挙げられる。この場合も、金属層単独、または、金属酸化物層単独で構成してもよいが、金属層の上に金属酸化物層を積層した積層構造、あるいは金属酸化物層の上に金属層を積層した積層構造としてもよい。さらに、本構成の場合は、基板１１のうち少なくとも画素電極１３の下側に位置する部分が透光性を備える必要がある。

なお、上述の通り、画素電極１３は、列バンク１４Ｙまたは行バンク１４Ｘに被覆される領域の一部または全部に相当する場所が形成されない、としてもよい。但し、画素電極として機能するために、画素電極として機能する部分と、ＴＦＴとが電気的に接続されている必要がある。

＜列バンク１４Ｙ＞
列バンク１４Ｙは、画素電極１３の上面の一部の領域を露出させ、その周辺の領域を被覆した状態で画素電極１３上に形成されている。画素電極１３上面において列バンク１４Ｙで被覆されていない領域（以下、「開口部」という）は、サブピクセルに対応している。すなわち、列バンク１４Ｙは、サブピクセルごとに設けられた間隙１４ａを有する。

列バンク１４Ｙは、画素電極１３が形成されていない部分では、層間絶縁層１２上に形成されている。すなわち、画素電極１３が形成されていない部分では、列バンク１４Ｙの底面は層間絶縁層１２の上面と接している。

列バンク１４Ｙは、正孔注入層１５や正孔輸送層１６、発光層１７を塗布法で形成する際、塗布されたインクが隣接するサブピクセルのインクと接触しないようにするための構造物として機能する。列バンク１４Ｙは、頂部とそれに続く側壁部の上部が撥液部分であり、側壁部のうち撥液部分を除く部分が親液部分である。列バンク１４Ｙは、絶縁性の樹脂材料からなる母材に、フッ素系化合物やシリコーン系化合物などの撥液性の界面活性剤が添加されてなる。絶縁性の樹脂材料である母材としては、例えば、ポジ型の感光性材料を用いることができ、具体的には、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。なお、母材はポジ型の感光性材料に限られず、例えば、ネガ型の感光材料を用いてもよいし、感光性でない材料を用いてもよい。

列バンク１４Ｙは、それぞれ四角錐台状もしくはそれに類似した形状であり、断面は上方を先細りとする順テーパーの台形状もしくは上に凸のお椀状である。

＜行バンク１４Ｘ＞
行バンク１４Ｘは、画素電極１３の上面の一部の領域を露出させ、その周辺の領域を被覆した状態で画素電極１３上に形成されている。行バンク１４Ｘの延伸する方向は、列バンク１４Ｙが延伸する方向と直交している。行バンク１４Ｘのそれぞれは、複数の間隙１４ａにわたって形成されており、間隙１４ａ内において、隣接する画素電極１３を区画している。

本実施の形態において、行バンク１４Ｘは、画素電極１３が形成されていない部分では、層間絶縁層１２上に形成されている。すなわち、画素電極１３が形成されていない部分では、行バンク１４Ｘの底面は層間絶縁層１２の上面と接している。

行バンク１４Ｘは、Ｙ方向に隣接する画素電極１３間を電気的に絶縁するとともに、正孔注入層１５や正孔輸送層１６、発光層１７を塗布法で形成する際、塗布されたインクの列方向（Ｙ方向）への流動を制御するためのものである。行バンク１４Ｘの形状は、四角錐台状もしくはそれに類似した形状であり、断面は上方を先細りとする順テーパーの台形状もしくは上に凸のお椀状である。また、層間絶縁層１２からの行バンク１４Ｘの高さは、層間絶縁層１２からの列バンク１４Ｙの高さよりも低い。行バンク１４Ｘは、樹脂材料からなり、例えば、ポジ型の感光性材料を用いることができる。このような感光性材料として、具体的には、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。なお、樹脂材料はポジ型の感光性材料に限られず、例えば、ネガ型の感光材料を用いてもよいし、感光性でない材料を用いてもよい。

＜正孔注入層＞
正孔注入層１５は、画素電極１３から発光層１７への正孔（ホール）の注入を促進させる目的で、画素電極１３上に設けられている。正孔注入層１５の材料の具体例としては、例えば、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料が挙げられる。正孔注入層１５が導電性ポリマー材料で形成される場合、正孔注入層１５は塗布法などのウェットプロセスにより塗布膜として形成することができる。

なお、正孔注入層１５は、遷移金属の酸化物で形成してもよい。遷移金属の具体例としては、Ａｇ（銀）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｖ（バナジウム）、Ｗ（タングステン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｉｒ（イリジウム）などである。遷移金属は複数の酸化数を取るため、複数の準位を取ることができ、その結果、正孔注入が容易になり、駆動電圧の低減に寄与するからである。この場合、正孔注入層１５は、大きな仕事関数を有することが好ましい。正孔注入層１５が遷移金属の酸化物で形成される場合、正孔注入層１５は真空蒸着法、スパッタリングなどで形成することができる。

なお、正孔注入層１５は、遷移金属の酸化物上に導電性ポリマー材料を積層した積層構造であってもよい。この場合は、遷移金属の酸化物を真空蒸着法、スパッタリングなどで形成し、エッチングなどで成形した後、導電性ポリマー材料を塗布法で成膜することにより正孔注入層１５を形成することができ、導電性ポリマー材料で形成された部分が塗布膜となる。

＜正孔輸送層＞
正孔輸送層１６は、正孔注入層１５から注入された正孔を発光層１７へ輸送する機能を有し、正孔を正孔注入層１５から発光層１７へと効率よく輸送するため、正孔移動度の高い有機材料で形成されている。正孔輸送層１６の形成は、有機材料溶液の塗布および乾燥により行われる。正孔輸送層１６を形成する有機材料としては、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等の高分子化合物を用いることができる。

＜発光層＞
発光層１７は、間隙１４ａ内に形成されている。発光層１７は、正孔と電子の再結合によりＲ、Ｇ、Ｂの各色の光を出射する機能を有する。発光層１７の材料としては、公知の材料を利用することができる。

発光素子１００が有機ＥＬ素子である場合、発光層１７に含まれる有機発光材料としては、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物およびアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質を用いることができる。また、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウムなどの燐光を発光する金属錯体等の公知の燐光物質を用いることができる。また、発光層１７は、ポリフルオレンやその誘導体、ポリフェニレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等の高分子化合物等、もしくは前記低分子化合物と前記高分子化合物の混合物を用いて形成されてもよい。なお、発光素子１００は量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ；Quantum-dot Light Emitting Diode）であってもよく、発光層１７の材料として量子ドット効果を有する材料を使用することができる。

なお、行バンク１４Ｘ上には発光層１７と同一材料からなる塗布膜が形成され、行バンク１４Ｘを跨いで列方向に隣接する２つの副画素間で発光層１７が連続していることが好ましい。

＜電子輸送層＞
電子輸送層１８は、複数の画素に共通して発光層１７および列バンク１４Ｙ上に形成されており、対向電極２０から注入された電子を発光層１７へと輸送する機能を有する。電子輸送層１８は、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。

電子輸送層１８の形成は、例えば、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナンスロリン誘導体などの材料を蒸着法により複数の画素に共通して成膜することでなされる。なお、電子輸送層１８の形成は塗布法であってもよく、この場合、電子輸送層１８は、発光層１７等と同様、画素ごとに形成されてもよい。

＜電子注入層＞
電子注入層１９は、電子輸送層１８上に複数の画素に共通して設けられており、対向電極２０から発光層１７への電子の注入を促進させる機能を有する。

電子注入層１９は、例えば、電子輸送性を有する有機材料に、電子注入性を向上させる金属材料がドープされてなる。ここで、ドープとは、金属材料の金属原子または金属イオンを有機材料中に略均等に分散させることを指し、具体的には、有機材料と微量の金属材料を含む単一の相を形成することを指す。なお、それ以外の相、特に、金属片や金属膜など、金属材料のみからなる相、または、金属材料を主成分とする相は、存在していないことが好ましい。また、有機材料と微量の金属材料を含む単一の相において、金属原子または金属イオンの濃度は均一であることが好ましく、金属原子または金属イオンは凝集していないことが好ましい。金属材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類から選択されることが好ましく、ＢａまたはＬｉがより好ましい。本実施の形態では、Ｂａが選択される。また、電子注入層１９における金属材料のドープ量は５〜４０ｗｔ％が好ましい。本実施の形態では、２０ｗｔ％である。電子輸送性を有する有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。

なお、電子注入層１９は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属から選択される金属のフッ化物、または、アルカリ金属またはアルカリ土類金属から選択される金属のキノリニウム錯体を含む層を発光層１７側に有していてもよい。

電子注入層１９の形成は、例えば、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナンスロリン誘導体などの材料と、金属材料とを共蒸着法により複数の画素に共通して成膜することでなされる。なお、電子注入層１９の形成は塗布法であってもよく、この場合、電子注入層１９は、発光層１７等と同様、画素ごとに形成されてもよい。

＜対向電極＞
対向電極２０は、複数の画素に共通して電子注入層１９上に形成されており、陰極として機能する。

本実施の形態では、対向電極２０は、透光性と導電性とを兼ね備えており、金属材料で形成された金属層、金属酸化物で形成された金属酸化物層のうち少なくとも一方を含んでいる。透光性を確保するため、金属層の膜厚は１ｎｍ〜５０ｎｍ程度である。金属層の材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｇを主成分とする銀合金、Ａｌ、Ａｌを主成分とするＡｌ合金が挙げられる。Ａｇ合金としては、マグネシウム−銀合金（ＭｇＡｇ）、インジウム−銀合金が挙げられる。Ａｇは、基本的に低抵抗率を有し、Ａｇ合金は、耐熱性、耐腐食性に優れ、長期にわたって良好な電気伝導性を維持できる点で好ましい。Ａｌ合金としては、マグネシウム−アルミニウム合金（ＭｇＡｌ）、リチウム−アルミニウム合金（ＬｉＡｌ）が挙げられる。その他の合金として、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金が挙げられる。金属酸化物層の材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯが挙げられる。

陰極は、金属層単独、または、金属酸化物層単独で構成してもよいが、金属層の上に金属酸化物層を積層した積層構造、あるいは金属酸化物層の上に金属層を積層した積層構造としてもよい。

なお、画素電極１３および画素電極１３下の層間絶縁層１２、基板１１が透光性を有する場合は、対向電極２０は光反射性の電極であるとしてもよい。この場合、対向電極２０の材料としては、Ａｇ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｍｏ、ＡＰＣ、ＡＲＡ、ＭｏＣｒ、ＭｏＷ、ＮｉＣｒを用いることができる。

＜封止層＞
対向電極２０の上には、封止層２１が設けられている。封止層２１は、基板１１の反対側から不純物（水、酸素）が対向電極２０、電子注入層１９、電子輸送層１８、発光層１７等へと侵入するのを防ぎ、不純物によるこれらの層の劣化を抑制する機能を有する。封止層２１は、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。

本実施の形態においては、有機ＥＬ表示パネル１０がトップエミッション型であるため、封止層２１は光透過性の材料で形成されることが必要となる。

（３−４）非表示領域１０ｑの概要
図４に示すように、表示パネル１０の非表示領域１０ｑには、外部隔壁１４Ｌ１〜１４Ｌ４（特に区別しない場合は、外部隔壁１４Ｌと表記する）が配され、外部隔壁１４Ｌ１〜１４Ｌ４によって区画された外部間隙１４ＤＲ、１４ＤＧ、１４ＤＢ（特に区別しない場合は、外部間隙１４Ｄと表記する）が存在する。外部隔壁１４Ｌ１〜１４Ｌ４のそれぞれは、列バンク１４Ｙと同じ材料からなり、また、延伸方向に直交する向きの断面形状も同じである。より具体的には、外部隔壁１４Ｌ１〜１４Ｌ４は、列バンク１４Ｙと連続的に形成される。外部隔壁１４Ｌ１と外部隔壁１４Ｌ２は、行方向に隣接する２つの間隙１４ａＲを規定する３つの隔壁１４Ｙと連続的に形成され、外部隔壁１４Ｌ１と外部隔壁１４Ｌ２によって規定されるコの字型の外部間隙１４ＤＲは、２つの間隙１４ａＲと連通している。同様に、外部隔壁１４Ｌ３は、２つの間隙１４ａＧを規定する２つの隔壁１４Ｙと連続的に形成され、外部隔壁１４Ｌ２と外部隔壁１４Ｌ３によって規定されるコの字型の外部間隙１４ＤＧは、２つの間隙１４ａＧと連通している。同様に、外部隔壁１４Ｌ４は、２つの間隙１４ａＢを規定する２つの隔壁１４Ｙと連続的に形成され、外部隔壁１４Ｌ３と外部隔壁１４Ｌ４によって規定されるコの字型の外部間隙１４ＤＢは、２つの間隙１４ａＢと連通している。

これにより、行方向に隣接する２つの間隙１４ａＲは、２つの外部間隙１４ＤＲを介して、ループを形成しており、この２つの間隙１４ａＲに塗布された機能層の材料インクは、外部間隙１４ＤＲを介して相互に流動可能である。同様に、行方向に近接する２つの間隙１４ａＧは、２つの外部間隙１４ＤＧを介して、ループを形成しており、この２つの間隙１４ａＧに塗布された機能層の材料インクは、外部間隙１４ＤＧを介して相互に流動可能である。同様に、行方向に近接する２つの間隙１４ａＢは、２つの外部間隙１４ＤＢを介して、ループを形成しており、この２つの間隙１４ａＢに塗布された機能層の材料インクは、外部間隙１４ＤＢを介して相互に流動可能である。

外部間隙１４ＤＲには間隙１４ａＲと同じ機能層の材料インクが直接的に塗布され、または、間隙１４ａＲを介して間接的に塗布されるため、少なくとも間隙１４ａＲに形成される塗布膜としての機能層と同一材料からなる塗布膜が、間隙１４ａＲと同じ膜厚かつ同じ積層順で形成される。より具体的には、外部間隙１４ＤＲには、正孔注入層１５と同じ材料からなるダミー正孔注入層１５Ｄ、正孔輸送層１６と同じ材料からなるダミー正孔輸送層１６Ｄ、赤色発光層１７Ｒと同じ材料からなるダミー赤色発光層１７ＤＲがこの順で積層されている。同様に、外部間隙１４ＤＧには、正孔注入層１５と同じ材料からなるダミー正孔注入層１５Ｄ、正孔輸送層１６と同じ材料からなるダミー正孔輸送層１６Ｄ、緑色発光層１７Ｇと同じ材料からなるダミー緑色発光層１７ＤＧがこの順で積層されている。外部間隙１４ＤＢには、正孔注入層１５と同じ材料からなるダミー正孔注入層１５Ｄ、正孔輸送層１６と同じ材料からなるダミー正孔輸送層１６Ｄ、青色発光層１７Ｂと同じ材料からなるダミー青色発光層１７ＤＢがこの順で積層されている。

なお、外部間隙１４ＤＲ、１４ＤＧ、１４ＤＢには、さらに、ダミー画素電極１３Ｄ、ダミー電子輸送層１８Ｄが形成されていてもよい。また、電子注入層１９、対向電極２０がダミー赤色発光層１７ＤＲ、ダミー緑色発光層１７ＤＧ、ダミー青色発光層１７ＤＢの上に形成されていてもよい。

２．実施の形態に係る外部間隙１４ＤＲ、１４ＤＧ、１４ＤＢの効果
以下、模式図を用いて、実施の形態に係る外部間隙１４ＤＲ、１４ＤＧ、１４ＤＢの効果について説明する。まず、前提条件となる列バンク１４Ｙの欠陥およびその補修（リペア）について説明し、その後、リペアで形成した堰５と外部間隙１４ＤＲ、１４ＤＧ、１４ＤＢとの関係について説明する。

（１）列バンク１４Ｙの欠陥の概要
列バンク１４Ｙの欠陥部３について、図７、図８の模式図を用いて説明する。図７、図８はいずれも、１つの列バンク１４Ｙが欠陥部３を有する表示パネルの斜視模式図である。

図７に示す例では、１つの列バンク１４Ｙの上に、異物が付着して欠陥部３となっている。このように列バンク１４Ｙ上に異物があった場合に、列バンク１４Ｙを挟んで行方向に隣接する間隙１４ａにインクの塗布を行うと、インクが異物に接触し、異物を介して異なる種類のインク（例えば、赤色発光層の材料インクと緑色発光層の材料インク）とが混ざる危険がある。

図８（ａ）に示す例では、１つの列バンク１４Ｙの中に異物が入り込み、その異物が列バンク１４Ｙの壁面を隣の間隙１４ａまで貫通して欠陥部３となっている。図８（ｂ）に示す例では、１つの列バンク１４Ｙの下に異物が入り込み、その異物が列バンク１４Ｙの壁面を隣の間隙１４ａまで貫通して欠陥部３となっている。このように、異物が列バンク１４Ｙの中や下に存在する場合であっても、異物と列バンク１４Ｙとの密着性が悪いことにより異物と列バンク１４Ｙとの隙間にインクの流通路ができる、異物が繊維片などインクを吸収する素材であることにより異物そのものがインクの流通路となる、など、異物を挟んで隣り合う間隙１４ａ間でインクの交換を抑止できず欠陥が存在する状態となる。

図８（ｃ）に示す例では、列バンク１４Ｙの一部が決壊して欠陥部３となっている。このような列バンク１４Ｙの決壊は、例えば、列バンク１４Ｙの成膜工程における露光プロセスにおいて、列バンク１４Ｙの材料であるポジ型のフォトレジストに対する露光が局所的に過剰である、または、列バンク１４Ｙの材料であるネガ型のフォトレジストに対する露光が局所的に不十分であることにより発生する。このような場合でも、決壊部を介して隣接する間隙１４ａの間でインクの交換を抑止できず欠陥が存在する状態となる。

図９は、欠陥部３を有する列バンク１４Ｙに隣接する一方の間隙１４ａＲに赤色発光層１７Ｒの材料インクを、他方の間隙１４ａＧに緑色発光層１７Ｇの材料インクをそれぞれ塗布した状態を示す平面模式図である。図９に示すように、欠陥部３の周囲において赤色発光層１７Ｒの材料インクと緑色発光層１７Ｇの材料インクとが混ざることによって生じる混色領域は、欠陥部３に隣接する間隙１４ａＲ、間隙１４ａＧのそれぞれにおいて広がる。この混色領域は、列方向に長く伸びることがあり、１ｃｍ程度に達することがある。

このような混色による自発光パネルの品質劣化を低減するため、欠陥部３に対する補修（リペア）を行う。

（２）欠陥部３に対する補修の概要
以下、図面を用いて、欠陥部３に対する補修（リペア）の概要について説明する。図１０は、堰５を用いて欠陥部３に対する補修を行った状態を示す斜視図である。

堰５は、塗布された機能層の材料インクが堰５を越えないようにするための構造物として機能する。堰５の少なくとも表面は、撥液性を有する。実施の形態において、堰５は、列バンク１４Ｙと同様に、四角錐台状もしくはそれに類似した形状であり、断面は上方を先細りとする順テーパーの台形状もしくは上に凸のお椀状である。

堰５は、絶縁性の有機材料からなり、例えば、（メタ）アクロイル基、アリル基、ビニル基、ビニルオキシ基などのエチレン性の二重結合を有する熱硬化性の樹脂と、ＵＶ光を照射することによって重合を開始させる光重合開始剤とからなる。また、例えば、これらの樹脂に対して架橋する架橋剤、例えば、エポキシ化合物、ポリイソシアネート化合物を添加してもよい。また、この樹脂構造の中に、フッ素を含むフッ化ポリマーを導入してもよい。フッ化ポリマーとしては、フッ素化ポリオレフィン系樹脂、フッ素化ポリイミド樹脂、フッ素化ポリアクリル樹脂などのフッ素樹脂を含む感光性レジストが挙げられる。

堰５は、欠陥部３が堰５および欠陥部３以外の列バンク１４Ｙに囲繞されることにより、欠陥部３を含む第１空間ＳＡと、欠陥部３を含まない２つの第２空間ＳＢが堰５によって区画されるように形成される。実施の形態では、欠陥部３に隣接する２つの間隙１４ａのそれぞれについて、欠陥部３より行方向（Ｙ方向）に所定の距離だけ離れた２か所にそれぞれ堰５を設置する。

堰５は、あらかじめ形成されていてよく、このとき、堰５は、ディスペンサ装置を用いて塗布された接着剤ペーストにより、間隙１４ａの底面及び側面に対して隙間なく固定される。これにより、図１１の模式図に示すように、機能層の形成インクを塗布した場合に、混色領域を堰５により囲繞された第１空間ＳＡのみに限定することができ、第２空間ＳＢには発光素子を形成することができる。なお、第１空間ＳＡには発光素子を形成しないとしてもよく、このようにすることで発光異常を防ぐことができる。

なお、ここでは堰５をあらかじめ形成するものとしたが、堰５は、ディスペンサ装置を用いて樹脂ペーストを塗布することにより、間隙１４ａ内に直接的に形成されてもよい。また、堰５の形態は図１０、１１の模式図に示したものに限られず、上述したように、欠陥部３が堰５および欠陥部３以外の列バンク１４Ｙに囲繞されることにより、欠陥部３を含む第１空間ＳＡと、欠陥部３を含まない第２空間ＳＢが堰５によって区画されればよい。例えば、第２空間ＳＢが間隙１４ａごとに１つとなるように、くの字型、コの字型、半円形などの堰が１つずつ各間隙１４ａに配置されてもよい。

（３）欠陥部３及び堰５の位置と膜厚との関係
上述したように、列バンク１４Ｙの欠陥部３に対して堰５を用いて補修することにより、欠陥部３による混色等の重大な表示不良の発生領域を副画素数個分程度の最小限に止めることが可能となる。

しかしながら、欠陥部３が表示領域１０ｐの端部に近い場合において、欠陥部３による影響を逃れたはずの第２空間ＳＢにおいて表示不良が発生する可能性があることを発明者は見出した。

堰５を用いた補修を行った場合、欠陥部３を有する列バンク１４Ｙに隣接する間隙１４ａは、欠陥部３を含む第１空間ＳＡと、欠陥部３を含まない第２空間ＳＢに区画される。特に、堰５が間隙１４ａを列方向に区画するものである場合、間隙１４ａは、欠陥部３を含む第１空間ＳＡと、欠陥部３を含まない２つの第２空間ＳＢに区画される。この場合、２つの第２空間ＳＢの間には２つの堰５と第１空間ＳＡとが存在するため、２つの第２空間ＳＢの間で機能層の材料インクを交換することができないため、第２空間ＳＢそれぞれの範囲が機能層の材料インクの流動範囲となる。この２つの第２空間ＳＢをそれぞれ第２空間ＳＢ１、ＳＢ２としたとき、図１２（ａ）の模式図に示すように、第２空間ＳＢ１、ＳＢ２それぞれの面積が副画素の面積に対して十分に広い場合は堰５による影響は小さい。一方で、図１２（ｂ）の模式図に示すように、堰５の位置が表示領域１０ｐと非表示領域１０ｑとの境界に接近しており、第２空間ＳＢ１の面積が副画素の面積に対して広いといえない場合は、第２空間ＳＢ１の機能層の膜厚に対する影響が発生する。より具体的には、第２空間ＳＢ１の列方向の長さ（Ｙ方向の長さ）が短い場合には、機能層の膜厚が他の間隙１４ａと異なる。この原因としては、機能層の材料インクが流動できる範囲が狭いため乾燥条件が異なる、第２空間ＳＢ２に流出または第２空間ＳＢ２から流入するはずの材料インクが流入出しないため単位面積当たりのインク量が他の間隙１４ａと異なる、などの理由が考えられる。

図１３は、表示領域１０ｐと非表示領域１０ｑとの間にインクの乗り越えを防ぐ隔壁を設け、非表示領域１０ｑに機能層を形成しない場合における、第２空間ＳＢ１の列方向の長さｄと、機能層の膜厚との関係を示す模式図である。図１３に示すように、第２空間ＳＢ１の列方向の長さｄが小さいほど膜厚差が大きくなる。したがって、第２空間ＳＢ１の列方向の長さｄが小さいほど、第２空間ＳＢ１と他の間隙１４ａとの間の輝度差が大きくなる。

（４）外部間隙１４ＤＲ、１４ＤＧ、１４ＤＢの効果
実施の形態に係る構成では、赤色発光素子が形成される２つの間隙１４ａＲが外部間隙１４ＤＲを介して連通している。同様に、緑色発光素子が形成される２つの間隙１４ａＧが外部間隙１４ＤＧを介して連通している。同様に、青色発光素子が形成される２つの間隙１４ａＢが外部間隙１４ＤＢを介して連通している。したがって、図１４の模式図に示すように、表示領域１０ｐと非表示領域１０ｑとの境界の近くに堰５が形成され、間隙１４ａが２つの第２空間ＳＢ１、ＳＢ２に分割された場合においても、第２空間ＳＢ１は外部間隙１４Ｄおよび外部間隙１４Ｄと連通した間隙１４ａと連通している。したがって、第２空間ＳＢ１に塗布された機能層の材料インクは、第２空間ＳＢ１のみならず、外部間隙１４Ｄおよび外部間隙１４Ｄと連通した間隙１４ａにも流入出可能である。すなわち、第２空間ＳＢ１に塗布された機能層の材料インクは、外部間隙１４Ｄおよび外部間隙１４Ｄと連通した間隙１４ａを含む広範囲に流動できるため、堰５が形成されない他の間隙１４ａとの間で成膜条件等が変化しない。したがって、堰５の位置にかかわらず、堰５を有しない間隙１４ａと第２空間ＳＢの間で機能層の膜厚ムラが生じることを抑止することができ、膜厚ムラに起因する輝度異常を抑止することができる。

＜小括＞
以上説明したように、実施の形態に係る構成は、発光層が塗布法で形成される自発光パネルにおいて、欠陥部の補修の有無にかかわらず、発光層を含む機能層の膜厚を均一化して輝度異常を抑止する構成として好適である。

３．有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法
次に、自発光パネルとしての有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法について、図面を用いて説明する。

図１６は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法を示すフローチャートである。図１７から図２０は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す模式断面図であり、図４のＡ−Ａ断面に相当する。

（１）基板１１の作成
まず、基材１１１を準備し（ステップＳ１０）、基材１１１上にＴＦＴ層１１２を成膜して基板１１（ＴＦＴ基板）を作成する（ステップＳ１１、図１７（ａ））。ＴＦＴ層１１２は、公知のＴＦＴの製造方法により成膜することができる。

次に、基板１１上に層間絶縁層１２を形成する（ステップＳ２０）。層間絶縁層１２は、例えば、ポジ型の感光性材料であるアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂を溶媒に溶解させた溶液を、スピンコート法などを用いて一様に塗布し、露光、現像することにより形成される（図１７（ｂ））。

なお、図１７（ｂ）には図示していないが、露光時にコンタクトホールを開設し、その後、コンタクトホール内に接続電極を形成する。

（３）画素電極１３の形成
次に、図１７（ｃ）に示すように、層間絶縁層１２上に画素電極材料層１３０を形成する。画素電極材料層１３０は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成することができる。

そして、図１７（ｄ）に示すように、画素電極材料層１３０をエッチングによりパターニングして、サブピクセルごとに区画された複数の画素電極１３を形成する（ステップＳ３０）。

（４）行バンク１４Ｘの形成
次に、画素電極１３および層間絶縁層１２上に、行バンク１４Ｘの材料である行バンク用樹脂を塗布し、行バンク材料層を形成する（ステップＳ４０）。行バンク用樹脂には、例えば、ポジ型の感光性材料であるフェノール系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂が用いられる。行バンク材料層１４０Ｘは、例えば、フェノール樹脂など行バンク用樹脂を溶媒に溶解させた溶液を画素電極１３上および層間絶縁層１２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。

次に、フォトマスクを用いて行バンク１４Ｘをパターン露光し、現像によって露光部分を取り除き焼成する。これにより、行バンク１４Ｘが形成される。

（５）列バンク１４Ｙおよび外部隔壁１４Ｌの形成
次に、図１８（ａ）に示すように、画素電極１３、層間絶縁層１２、および、行バンク１４Ｘ上に、列バンク１４Ｙおよび外部隔壁１４Ｌの材料である列バンク用樹脂を塗布し、列バンク材料層１４０Ｙを形成する（ステップＳ５０）。列バンク用樹脂には、例えば、ポジ型の感光性材料であるアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂に、撥液性を有する界面活性剤であるフッ素化合物が添加されて用いられる。

次に、フォトマスクを用いて列バンク材料層１４０Ｙをパターン露光し、現像によって露光部分を取り除き焼成することにより、図１８（ｂ）に示すように、列バンク１４Ｙを形成する。なお、図１８（ｂ）には図示していないが、非表示領域１０ｑには、列バンク１４Ｙと連続して外部隔壁１４Ｌが形成される。

なお、ここでは列バンク１４Ｙと外部隔壁１４Ｌとを同じ材料を用いて一度に形成したが、それぞれを個別の成膜処理により形成してもよい。

また、列バンク１４Ｙの形成後、列バンク１４Ｙの欠陥部を検出する工程、および、欠陥部を検出した場合に当該欠陥部を補修する工程を実施してもよい。

（６）正孔注入層の成膜
次に、図１８（ｃ）に示すように、列バンク１４Ｙが規定する間隙１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢのそれぞれに対し、正孔注入層１５の構成材料を含むインクを、塗布装置のノズル４０１０から吐出して間隙１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢ内の画素電極１３上に塗布する。そして、焼成（乾燥）を行って、正孔注入層１５を形成する（ステップＳ６０）。

なお、間隙１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢにおける正孔注入層１５の膜厚を調整するため、外部間隙１４ＤＲ、１４ＤＧ、１４ＤＢのそれぞれに対して正孔注入層１５の構成材料を含むインクを塗布してもよい。

（７）正孔輸送層の成膜
次に、図１８（ｄ）に示すように、列バンク１４Ｙが規定する間隙１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢのそれぞれに対し、正孔輸送層１６の構成材料を含むインクを、塗布装置のノズル４０２０から吐出して間隙１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢ内の正孔輸送層１６上に塗布する。そして、焼成（乾燥）を行って、正孔輸送層１６を形成する（ステップＳ７０）。

なお、間隙１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢにおける正孔輸送層１６の膜厚を調整するため、外部間隙１４ＤＲ、１４ＤＧ、１４ＤＢのそれぞれに対して正孔輸送層１６の構成材料を含むインクを塗布してもよい。

（８）発光層の成膜
次に、図１９（ａ）に示すように、発光層１７Ｒ／Ｇ／Ｂの構成材料を含むインクをそれぞれ、塗布装置のノズル４０３０Ｒ／４０３０Ｇ／４０３０Ｂから吐出して、間隙１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢそれぞれの正孔輸送層１６上に塗布する。そして、焼成（乾燥）を行って、発光層１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂを形成する（ステップＳ８０）。このとき、発光層１７Ｒ／Ｇ／Ｂの構成材料を含むインクは、それぞれ、外部間隙１４ＤＲ、１４ＤＧ、１４ＤＢにも濡れ広がる。

なお、外部間隙１４ＤＲ、１４ＤＧ、１４ＤＢのそれぞれに対して発光層１７Ｒ／Ｇ／Ｂの構成材料を含むインクを塗布してもよい。外部間隙１４ＤＲ、１４ＤＧ、１４ＤＢに対してもインクを塗布することにより、発光層１７Ｒ／Ｇ／Ｂの膜厚の均一化を図ることができる。

（９）電子輸送層の成膜
次に、図１９（ｂ）に示すように、発光層１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂ上および列バンク１４Ｙ上に、電子輸送層１８を構成する材料を真空蒸着法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、電子輸送層１８を形成する（ステップＳ９０）。

（１０）電子注入層の成膜
次に、図１９（ｃ）に示すように、電子輸送層１８上に、電子注入層１９を構成する材料を真空蒸着法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、電子注入層１９を形成する（ステップＳ１００）。

（１１）対向電極の成膜
次に、図２０（ａ）に示すように、電子注入層１９上に、対向電極２０を構成する材料を真空蒸着法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、対向電極２０を形成する（ステップＳ１１０）。

（１２）封止層の成膜
最後に、図２０（ｂ）に示すように、対向電極２０上に、封止層を形成する材料をＣＶＤ法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、封止層２１を形成する（ステップＳ１２０）。

≪実施の形態２≫
実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００では、間隙１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢの全てがそれぞれ外部間隙１４ＤＲ、１４ＤＧ、１４ＤＢを介して他の間隙１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢと連通する構成とした。

しかしながら、すべての発光色について、２つの間隙１４ａを外部間隙１４Ｄを介して連通させる必要はなく、以下のような構成としてもよい。

緑色発光素子では長さｄが長くなっても輝度ムラは目立つが、青色発光素子や赤色発光素子では長さｄが長くなると輝度ムラは目立たなくなる。したがって、第２空間ＳＢ１の列方向の長さｄが所定の長さ以上であるとき、緑色発光素子でのみ輝度ムラが生じる。この理由としては、人の目が緑色の光に対して敏感であることが原因であると考えられる。

以上の点に鑑みて、緑色の発光素子が形成される間隙１４ａＧのみ、外部間隙１４ＤＧを介して他の間隙１４ａＧと連通し、間隙１４ａＲ、間隙１４ａＢについては従来の構成としても、欠陥部の補修の有無にかかわらず、輝度異常を抑止することができる。

図１５（ａ）は、実施の形態２の１つに係る列バンク１４Ｙおよび外部隔壁１４Ｌの形状を示す模式図である。図１５（ａ）に示すように、間隙１４ａＲ、間隙１４ａＢは、非表示領域１０ｑにおいて外部隔壁１４Ｌにより閉じた構成となっている。その一方で、間隙１４ａＧについては、２つの間隙１４ａＧが２つの非表示領域１０ｑそれぞれに設けられた外部間隙１４ＤＧによりループ状に連通した構造となっている。

図１５（ｂ）は、実施の形態２の他の１つに係る列バンク１４Ｙおよび外部隔壁１４Ｌの形状を示す模式図である。図１５（ｂ）に示すように、間隙１４ａＲ、間隙１４ａＢは、非表示領域１０ｑにおいて外部隔壁１４Ｌにより閉じた構成となっている。その一方で、間隙１４ａＧについては、行方向（Ｘ方向）に最近接する２つの間隙１４ａＧが１つの非表示領域１０ｑに設けられた外部間隙１４ＤＧにより連通し、外部間隙１４ＤＧが２つの非表示領域１０ｑに千鳥状に配置されることで、間隙１４ａＧと外部間隙１４ＤＧとが長尺状に繋がった構造となっている。

図１５（ｃ）は、実施の形態２の他の１つに係る列バンク１４Ｙおよび外部隔壁１４Ｌの形状を示す模式図である。図１５（ｃ）に示すように、間隙１４ａＲ、間隙１４ａＢは、非表示領域１０ｑにおいて外部隔壁１４Ｌにより閉じた構成となっている。その一方で、間隙１４ａＧについては、複数の間隙１４ａＧが２つの非表示領域１０ｑに設けられた外部間隙１４ＤＧにより連通することで、複数の間隙１４ａＧが外部間隙１４ＤＧを介して繋がった構造となっている。

上記構成によっても、欠陥部の補修の有無にかかわらず、緑色発光層の膜厚を均一化して輝度異常を抑止することができる。上述したように、赤色発光層の膜厚のムラ、青色発光層の膜厚のムラに対しては輝度異常の視認性は高くないため、上記構成により、すべての色に対して、輝度異常を抑止することができる。

≪実施の形態に係るその他の変形例≫
（１）上記実施の形態１では、行方向に並ぶ間隙１４ａＢ、１４ａＧ、１４ａＲ、１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢについて外部間隙１４ＤＲ、１４ＤＧ、１４ＤＢを用いて２つの間隙１４ａＲ、２つの間隙１４ａＧ、２つの間隙１４ａＢをそれぞれループ状に連通させる場合について説明した。しかしながら、間隙の配置順は任意であってよく、同一色に発光する発光素子が形成される２つの間隙１４ａが外部間隙１４Ｄによって連通していればよい。また、発光素子の種類は３種類に限られず、２種類であってもよいし４種類以上であってもよい。ここで、発光素子の種類とは発光層や機能層の膜厚のバリエーションを指すものであり、同一の発光色であっても発光層や機能層の膜厚が異なる場合は、種類が異なる発光素子として考える。また、種類の異なる２つの間隙１４ａの間に補助電極層やその他の非自己発光領域を設けてもよい。

さらに、２つの間隙１４ａは外部間隙１４Ｄによって連通していればループ状である必要はなく、１つの外部間隙１４Ｄを介してＵ字型に連通していてもよいし、図１５（ｂ）に示す実施の形態２の一態様のように、３以上の間隙１４ａが複数の外部間隙１４Ｄによって長尺状に連通していてもよい。

同様に、実施の形態２においても図１５（ａ）〜（ｃ）に示す形状に限定されず、２つの間隙１４ａＧが外部間隙１４ＤＧによって連通していればよく、１つの外部間隙１４Ｄを介してＵ字型に連通していてもよいし、図１５（ｃ）に示す態様において、外部間隙１４ＤＧは１つの非表示領域１０ｑに形成されてもよい。

さらに、発光色のうち２色以上について実施の形態１のように２つの間隙１４ａが外部間隙１４Ｄによって連通し、１色以上について間隙１４ａそれぞれが独立している、としてもよい。

（２）上記実施の形態においては、有機ＥＬ素子１００において正孔注入層１５、正孔輸送層１６、発光層１７は全て塗布法により形成されるとしたが、少なくとも発光層１７が塗布法で形成されればよく、それ以外の層は他の方法、例えば、蒸着法、スパッタリング法などにより形成されるとしてもよい。

また、正孔注入層１５、正孔輸送層１６、電子輸送層１８、電子注入層１９は必ずしも上記実施の形態の構成である必要はない。いずれか１以上を備えないとしてもよいし、さらにほかの機能層を備えていてもよい。また、例えば、電子輸送層１８と電子注入層１９に替えて、単一の電子注入輸送層を備える、としてもよい。

（３）上記実施の形態においては、有機ＥＬ表示パネルはトップエミッション型であるとして、画素電極が光反射性を有し、対向電極が光透過性を有する場合について説明した。しかしながら、本開示に係る有機ＥＬ表示パネルは、いわゆるボトムエミッション型であるとしてもよい。

（４）以上、本開示に係る自発光パネルおよび自発光型表示装置について、実施の形態および変形例に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で実施の形態および変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。

本発明は、発光層を塗布法で形成する自発光パネルにおいて、隔壁の補修の有無に係らず発光層の膜厚の均一化を容易に行うことにより、表示品質の優れた自発光パネルを製造するのに有用である。

１ 表示装置
１０ 表示パネル（有機ＥＬ表示パネル）
１００ 発光素子（有機ＥＬ素子）
１０ｐ 表示領域
１０ｑ 非表示領域
３ 欠陥（欠陥部）
５ 堰
１１ 基板
１２ 層間絶縁層
１３ 画素電極
１４Ｙ 列バンク（隔壁）
１４ａ 間隙
１４Ｌ 外部隔壁
１４Ｄ 外部間隙
１４Ｘ 行バンク
１５ 正孔注入層
１６ 正孔輸送層
１７ 発光層
１７Ｄ ダミー発光層
１８ 電子輸送層
１９ 電子注入層
２０ 対向電極
２１ 封止層

Claims (14)

1. 平面視したときに発光素子が行列状に配される表示領域に対して非表示領域が列方向に隣接する自発光パネルであって、
   前記表示領域において基板の上方に配された複数の画素電極と、
   前記表示領域において前記基板の上方に配され、列方向に延伸して複数の前記画素電極を行方向に区画する複数の隔壁と、
   行方向に隣接する２つの隔壁の間の間隙のうち第１間隙に配される塗布膜である第１の発光層と、
   前記第１間隙に行方向に隣接する第２間隙に配され、前記第１の発光層と発光色が異なる第２の発光層と、
   前記第１間隙から行方向に離間した第３間隙に配される、前記第１の発光層と同一の材料からなる塗布膜である第３の発光層と、
   前記基板の上方に配され、前記非表示領域において帯状の外部間隙を区画する外部隔壁と、
   前記第１の発光層、前記第２の発光層、前記第３の発光層の上方に配される対向電極と
   を備え、
   前記第１間隙と前記第３間隙とが前記外部間隙を介して連通している
   ことを特徴とする自発光パネル。
2. 前記第１間隙を規定する隔壁と前記第３間隙とを規定する隔壁とが前記外部隔壁を介して連続している
   ことを特徴とする請求項１に記載の自発光パネル。
3. 前記外部間隙には前記第１の発光層と前記第３の発光層とのいずれとも同一の材料からなり塗布膜として形成されるダミー発光層が形成され、前記第１の発光層と前記第３の発光層とが前記ダミー発光層を介して連続している
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の自発光パネル。
4. 前記第３間隙に行方向に隣接する第４間隙において前記画素電極の上方に配され、前記第２の発光層と同一の材料からなり塗布膜として形成される第４の発光層と、
   前記基板の上方に配され、前記非表示領域において帯状の第２外部間隙を区画する第２外部隔壁とをさらに備え、
   前記第２の発光層は塗布膜として形成され、
   前記第２間隙を規定する隔壁と前記第４間隙とを規定する隔壁とが前記第２外部隔壁を介して連続していることにより前記第２間隙と前記第４間隙とが前記第２外部間隙を介して連通している
   ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の自発光パネル。
5. 前記第１間隙、前記第２間隙、前記第４間隙、前記第３間隙がこの順で行方向に並ぶ
   ことを特徴とする請求項４に記載の自発光パネル。
6. 前記第３間隙から行方向に離間した第５間隙において前記画素電極の上方に配され、前記第１の発光層と同一の材料からなり塗布膜として形成される第５の発光層と、
   前記基板の上方に配され、前記非表示領域において帯状の第３外部間隙を区画する第３外部隔壁とをさらに備え、
   前記第３間隙を規定する隔壁と前記第５間隙とを規定する隔壁とが前記第３外部隔壁を介して連続していることにより前記第３間隙と前記第５間隙とが前記第３外部間隙を介して連通している
   ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の自発光パネル。
7. 前記第３間隙から行方向に離間した第５間隙において前記画素電極の上方に配され、前記第１の発光層と同一の材料からなり塗布膜として形成される第５の発光層をさらに備え、
   前記第１間隙と前記第３間隙と前記第５間隙とが前記外部間隙を介して連続している
   ことを特徴とする請求項１または３に記載の自発光パネル。
8. 前記第１間隙内に、行方向に延伸し前記第１の発光層を列方向に分断する堰が設けられている
   ことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の自発光パネル。
9. 前記堰は、１以上の画素電極の上方に形成され、
   平面視したときに、当該画素電極が存在する領域に発光素子が存在しない
   ことを特徴とする請求項８に記載の自発光パネル。
10. 平面視したときに発光素子が行列状に配される表示領域に対して非表示領域が列方向に隣接する自発光パネルの製造方法であって、
    基板上方のうち前記表示領域に画素電極を行列状に形成し、
    前記基板上方のうち前記表示領域内に、列方向に延伸して複数の前記画素電極を行方向に区画する複数の隔壁を形成し、
    行方向に隣接する２つの隔壁によって規定される間隙のうち第１間隙と、前記第１間隙から行方向に離間した第３間隙との双方に連通する外部間隙を区画する外部隔壁を前記非表示領域に形成し、
    前記第１間隙と前記第３間隙とに、第１の発光層の材料インクを塗布して、第１の発光層と第３の発光層とをそれぞれ形成し、
    前記第１間隙に行方向に隣接する第２間隙に、前記第１の発光層と発光色が異なる第２の発光層を形成し、
    前記第１の発光層、前記第２の発光層、前記第３の発光層の上方に対向電極を形成する
    ことを特徴とする自発光パネルの製造方法。
11. 前記第２間隙と、前記第３間隙に行方向に隣接する第４間隙との双方に連通する第２外部間隙を区画する第２外部隔壁を前記非表示領域に形成し、
    前記第２の発光層の形成において、第２の発光層の材料インクを塗布し、
    前記第４間隙に、前記第２の発光層の材料インクを塗布して第４の発光層を形成する
    ことを特徴とする請求項１０に記載の自発光パネルの製造方法。
12. 前記第３間隙と、前記第３間隙から行方向に離間した第５間隙との双方に連通する第３外部間隙を区画する第３外部隔壁を前記非表示領域に形成し、
    前記第５間隙に、前記第１の発光層の材料インクを塗布して第５の発光層を形成する
    ことを特徴とする請求項１０に記載の自発光パネルの製造方法。
13. 前記外部隔壁の形成において、前記外部間隙が、前記第１間隙と、前記第３間隙と、前記第３間隙から行方向に離間した第５間隙との全てに連通するように前記外部間隙を形成し、
    前記第５間隙に、前記第１の発光層の材料インクを塗布して第５の発光層を形成する
    ことを特徴とする請求項１０に記載の自発光パネルの製造方法。
14. 前記隔壁の欠陥を検出し、欠陥を検出した場合に、欠陥が前記隔壁と堰とによって囲繞されるように堰を形成する
    ことを特徴とする請求項１０から１３のいずれか１項に記載の自発光パネルの製造方法。

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