JP2021048194A - エッチング装置およびエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、第1実施形態のエッチング装置の構成を示す断面図である。
5:ロードモジュール、6:トランスファチャンバ、7:ロードロックチャンバ、
10:チャンバ本体、11:ステージ、12:ESD部、
20a:第1イオン源、20b:第2イオン源、20c:レール、
21:イオン発生部、22:イオン照射部、23:ニュートラライザー、
31:ガス供給部、32:ベルジャー、33:高周波電源、
34:アンテナ、35:EM、41:第1グリッド電極、
42:第2グリッド電極、43、第3グリッド電極
Claims (9)
- 基板を保持する保持部と、
第1イオンを発生させ、前記第1イオンが前記基板に第1入射角で入射するように前記基板に前記第1イオンを照射する第1イオン源と、
第2イオンを発生させ、前記第2イオンが前記基板に第2入射角で入射するように前記基板に前記第2イオンを照射する第2イオン源と、
前記第1入射角と前記第2入射角とを制御する制御部と、
を備えるエッチング装置。 - 前記制御部は、前記第1入射角と前記第2入射角とを独立して制御可能である、請求項1に記載のエッチング装置。
- 前記第1または第2イオン源は、前記基板に前記第1または第2イオンを照射するグリッド電極を備える、請求項1または2に記載のエッチング装置。
- 前記制御部は、前記第1入射角と前記第2入射角とを制御することで、前記第1イオンと前記第2イオンにより前記基板をエッチングする、請求項1から3のいずれか1項に記載のエッチング装置。
- 前記第1イオン源と前記第2イオン源は、前記第1イオンと前記第2イオンとして同じ種類のイオンを前記基板に照射する、請求項1から4のいずれか1項に記載のエッチング装置。
- 前記第1または第2入射角は、前記第1または第2イオン源がレール上を移動することで変化する、請求項1から5のいずれか1項に記載のエッチング装置。
- 前記制御部は、前記第1および第2イオン源から前記基板に前記第1および第2イオンを同時に照射する、請求項1から6のいずれか1項に記載のエッチング装置。
- 前記制御部は、前記第1および第2イオン源から前記基板に前記第1および第2イオンを交互に照射する、請求項1から6のいずれか1項に記載のエッチング装置。
- 第1の膜と、前記第1の膜の表面に設けられ第1方向に伸びる複数のマスクと、を有する基板を保持部により保持し、
第1イオン源により第1イオンを発生させ、前記第1イオンが前記基板に第1入射角で入射するように前記第1イオン源から前記基板に前記第1イオンを照射し、
第2イオン源により第2イオンを発生させ、前記第2イオンが前記基板に第2入射角で入射するように前記第2イオン源から前記基板に前記第2イオンを照射し、
前記第1イオンが前記第1方向に平行な方向に入射しているときの前記第1イオンおよび前記第2イオンのそれぞれの単位時間当たりの照射量が、前記第1イオンが前記第1方向とは異なる第2方向に入射しているときの前記第1イオンおよび前記第2イオンのそれぞれの単位時間当たりの照射量より多くなるように制御部により制御し、前記第1の膜をエッチングする、
ことを含むエッチング方法。
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