JP2021040100A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents

Abstract

【課題】ショートの発生を抑制することができる積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】積層セラミックコンデンサ１０は、積層された複数の誘電体層１２と複数の内部電極１３ａ、１３ｂとを含み、第１の主面、第２の主面、第１の側面、第２の側面、第１の端面、第２の端面とを有する積層体と、内部電極と電気的に接続され、第１、第２の端面にそれぞれ設けられた外部電極とを備える。積層体を積層方向に見たときに、各々の内部電極が重なり合う領域を有効領域、有効領域よりも第１の端面側に位置する領域を第１の領域、第２の端面側に位置する領域を第２の領域とすると、有効領域、第１の領域および第２の領域のうち、第１の領域に、誘電体層および内部電極が積層方向に屈曲した屈曲部が存在している。屈曲部において、積層方向における頂点は全て、積層体の有効領域から長さ方向において２５μｍ以上３５μｍ以下の範囲に存在する。【選択図】図４

Description

本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。

従来、積層された複数の誘電体層と複数の内部電極とを含む積層体である積層体の両端面に、内部電極と導通するように外部電極が配設された構造を有する積層セラミックコンデンサが知られている。

特許文献１には、そのような構造を有する積層セラミックコンデンサであって、誘電体層と内部電極層とが交互に積層された素子本体を備え、誘電体層と内部電極層の少なくとも一方には、異相が形成されているとともに、異相には、Ｍｇ元素およびＭｎ元素が含有されている積層セラミックコンデンサが記載されている。特許文献１には、上述の構成とすることにより、ＩＲ温度依存性が低く、優れた平均寿命特性を有する積層セラミックコンデンサが実現できると記載されている。

特開２００６−７３６２３号公報

しかしながら、特許文献１に記載されている積層セラミックコンデンサの構造では、内部電極層の平面面積が誘電体層の平面面積より小さく、内部電極層の周縁部分と誘電体層との間に形成される段差により、内部電極が屈曲し、ショートが発生する可能性がある。

本発明は、上記課題を解決するものであり、ショートの発生を抑制することができる積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。

本発明の積層セラミックコンデンサは、
積層された複数の誘電体層と複数の内部電極とを含み、前記誘電体層と前記内部電極の積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、前記積層方向と直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、前記積層方向および前記幅方向と直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面とを有する積層体と、
前記内部電極と電気的に接続され、前記積層体の前記第１の端面および前記第２の端面にそれぞれ設けられた外部電極と、
を備え、
前記積層体を前記積層方向に見たときに、各々の前記内部電極が重なり合う領域を有効領域、前記有効領域よりも前記第１の端面側に位置する領域を第１の領域、前記有効領域よりも前記第２の端面側に位置する領域を第２の領域とすると、前記有効領域、前記第１の領域、および、前記第２の領域のうち、前記第１の領域に、前記誘電体層および前記内部電極が前記積層方向に屈曲した屈曲部が存在しており、
前記屈曲部において、屈曲している複数の前記誘電体層および前記内部電極の前記積層方向における頂点は全て、前記積層体の前記有効領域から前記長さ方向において２５μｍ以上３５μｍ以下の範囲に存在することを特徴とする。

前記屈曲部は、前記第１の領域の前記長さ方向の寸法をＬ１としたときに、前記第１の端面から０．３×Ｌ１の距離の位置より前記長さ方向の内側に存在していてもよい。

前記外部電極は、
前記第１の端面および前記第２の端面にそれぞれ設けられた第１のＮｉ層と、
前記第１のＮｉ層の上に設けられた第２のＮｉ層と、
前記第２のＮｉ層の上に設けられたＳｎ層と、
を備えていてもよい。

前記第１のＮｉ層は下地電極層であり、前記第２のＮｉ層および前記Ｓｎ層はめっき層であって、
前記第１のＮｉ層の前記幅方向の中央の位置において、前記長さ方向および前記積層方向で規定される断面において、前記積層方向の中央、かつ、前記長さ方向の中央の位置における６μｍ×８μｍの範囲内に、誘電体組成物を２５面積％以上４０面積％以下含んでいてもよい。

前記内部電極の厚みは、０．４０μｍ以下であってもよい。

前記内部電極の厚みは、０．３５μｍ以下であってもよい。

前記誘電体層の厚みは、０．５５μｍ以下であってもよい。

本発明の積層セラミックコンデンサによれば、内部電極が積層方向において重なり合う有効領域よりも第１の端面側に位置する第１の領域に、誘電体層および内部電極が積層方向に屈曲した屈曲部が存在しており、積層方向に隣接する内部電極の距離が近い有効領域には屈曲部が存在しないので、ショートの発生を抑制することができる。

一実施形態における積層セラミックコンデンサの斜視図である。 図１に示す積層セラミックコンデンサのＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。 図１に示す積層セラミックコンデンサのＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。 屈曲部の形状の一例を模式的に示す図である。 走査型電子顕微鏡で観察される積層体の断面を模式的に示す図である。 積層セラミックコンデンサの製造方法について説明するための図であって、（ａ）は、セラミックグリーンシート上に内部電極パターンを形成した状態を示し、（ｂ）は、内部電極パターンの周囲領域にセラミックペーストパターンを形成した状態を示す。 セラミックペーストパターンと内部電極パターンとの間に隙間が生じることを説明するための図である。

以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴を具体的に説明する。

図１は、一実施形態における積層セラミックコンデンサ１０の斜視図である。図２は、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。図３は、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。

図１〜図３に示すように、積層セラミックコンデンサ１０は、全体として直方体形状を有する電子部品であり、積層体１１と、一対の外部電極２０ａ、２０ｂとを有している。一対の外部電極２０ａ、２０ｂは、図１に示すように、対向するように配置されている。

ここでは、一対の外部電極２０ａ、２０ｂが対向する方向を積層セラミックコンデンサ１０の長さ方向Ｌと定義し、後述する誘電体層１２と内部電極１３ａ、１３ｂとが積層されている方向を積層方向Ｔと定義し、長さ方向Ｌおよび積層方向Ｔのいずれの方向にも直交する方向を幅方向Ｗと定義する。

積層体１１は、長さ方向Ｌに相対する第１の端面１５ａおよび第２の端面１５ｂと、積層方向Ｔに相対する第１の主面１６ａおよび第２の主面１６ｂと、幅方向Ｗに相対する第１の側面１７ａおよび第２の側面１７ｂとを有する。

第１の端面１５ａには、第１の外部電極２０ａが設けられており、第２の端面１５ｂには、第２の外部電極２０ｂが設けられている。

積層体１１は、角部および稜線部に丸みを帯びていることが好ましい。ここで、角部は、積層体１１の３面が交わる部分であり、稜線部は、積層体１１の２面が交わる部分である。

図２および図３に示すように、積層体１１は、積層された複数の誘電体層１２と複数の内部電極１３ａ、１３ｂとを含む。内部電極１３ａ、１３ｂには、第１の内部電極１３ａと第２の内部電極１３ｂとが含まれている。より詳細には、積層体１１は、第１の内部電極１３ａと第２の内部電極１３ｂとが積層方向Ｔにおいて、誘電体層１２を介して交互に複数積層された構造を有する。

誘電体層１２は、図２および図３に示すように、積層方向Ｔの最も外側に位置する内部電極１３ａ、１３ｂよりも積層方向Ｔの外側に位置する外層誘電体層１２１と、積層方向Ｔに隣り合う２つの内部電極１３ａ、１３ｂの間に位置する内層誘電体層１２２とを含む。

より詳しく説明すると、外層誘電体層１２１は、積層方向Ｔの最も外側に位置する内部電極１３ａ、１３ｂと、積層体１１の第１の主面１６ａおよび第２の主面１６ｂとの間に位置する層である。また、内層誘電体層１２２は、積層方向Ｔに隣り合う第１の内部電極１３ａと第２の内部電極１３ｂとの間に位置する層である。

誘電体層１２は、例えば、ＢａＴｉＯ₃を主成分とするセラミック材料からなる。

第１の内部電極１３ａは、積層体１１の第１の端面１５ａに引き出されている。また、第２の内部電極１３ｂは、積層体１１の第２の端面１５ｂに引き出されている。

第１の内部電極１３ａは、第２の内部電極１３ｂと対向する部分である対向電極部と、対向電極部から積層体１１の第１の端面１５ａまで引き出された部分である引出電極部とを備えている。また、第２の内部電極１３ｂは、第１の内部電極１３ａと対向する部分である対向電極部と、対向電極部から積層体１１の第２の端面１５ｂまで引き出された部分である引出電極部とを備えている。

第１の内部電極１３ａの対向電極部と、第２の内部電極１３ｂの対向電極部とが誘電体層１２を介して対向することにより容量が形成され、これにより、コンデンサとして機能する。

第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂは、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、およびＡｕなどの金属、またはＡｇとＰｄの合金などを含有している。第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂは、さらに誘電体層１２に含まれるセラミックと同一組成系の誘電体粒子を含んでいてもよい。

ここで、積層体１１を積層方向Ｔに見たときに、各々の第１の内部電極１３ａと対向する第２の内部電極１３ｂとが重なり合う領域を有効領域Ｓａ、有効領域Ｓａよりも第１の端面１５ａ側に位置する領域を第１の領域Ｓｂ、有効領域Ｓａよりも第２の端面１５ｂ側に位置する領域を第２の領域Ｓｃと呼ぶ（図２参照）。

積層体１１の有効領域Ｓａ、第１の領域Ｓｂ、および、第２の領域Ｓｃのうち、第１の領域Ｓｂにのみ、誘電体層１２および第１の内部電極１３ａが積層方向Ｔに屈曲した屈曲部３０が存在する。

なお、積層セラミックコンデンサ１０は、長さ方向Ｌにおいて線対称な構造を有する。したがって、図２に示す配置状態で第２の領域Ｓｃにのみ屈曲部３０が存在するようにみえても、その積層セラミックコンデンサ１０を水平に１８０°回転させれば、第１の領域Ｓｂにのみ屈曲部３０が存在することになる。

図４は、屈曲部３０の形状の一例を模式的に示す図である。屈曲部３０の屈曲している方向は、積層方向Ｔにおける第１の主面１６ａ側であってもよいし、第２の主面１６ｂ側であってもよい。図４は、第２の主面１６ｂ側に屈曲している例を示している。

ここでは、屈曲部３０は以下のように定義される。まず、積層体１１を幅方向Ｗの中央部にて研磨して内部電極１３ａ、１３ｂを露出させ、光学顕微鏡にてそれぞれの内部電極１３ａ、１３ｂを撮像する。ここで、第1の主面１６ａが伸びる方向をＸ軸とし、Ｘ軸に垂直な方向をＹ軸とすると、Ｘ軸とＹ軸上で該内部電極からなる線分を２次関数のグラフと見立てて微分し、微分値の符号が変わる点のうち、もっとも有効領域Ｓａに近い点を屈曲部３０とする。

図４に示すように、屈曲部３０において、屈曲している複数の誘電体層１２の積層方向Ｔにおける頂点、および、第１の内部電極１３ａの積層方向Ｔにおける頂点Ｐ１〜Ｐ５は全て、積層体１１の有効領域Ｓａから長さ方向Ｌにおいて２５μｍ以上３５μｍ以下の範囲に存在する。上記頂点Ｐ１〜Ｐ５は全て、積層体１１の有効領域Ｓａから長さ方向Ｌにおいて１５μｍ以上４５μｍ以下の範囲に存在することが好ましい。

また、屈曲部３０は、第１の領域Ｓｂの長さ方向の寸法をＬ１としたときに、第１の端面１５ａから０．３×Ｌ１の距離の位置より長さ方向Ｌの内側に存在する。なお、長さ方向Ｌの内側とは、第１の端面１５ａ側を外側としたときの内側である。

ここで、有効領域Ｓａは、第１の内部電極１３ａと第２の内部電極１３ｂとが積層方向Ｔにおいて重なり合っているため、積層方向Ｔにおいて隣り合う２つの内部電極１３ａ、１３ｂの距離が近い。したがって、有効領域Ｓａに屈曲部３０が存在すると、隣り合う内部電極１３ａ、１３ｂが接触してショートが発生する可能性がある。

しかしながら、本実施形態における積層セラミックコンデンサ１０では、第２の内部電極１３ｂが存在しない第１の領域Ｓｂにのみ屈曲部３０が存在し、有効領域Ｓａに屈曲部３０は存在しないので、ショートの発生を抑制することができる。

また、本実施形態における積層セラミックコンデンサ１０は、後述する製造方法で詳しく説明するように、従来の積層セラミックコンデンサと比べて、内部電極１３ａ、１３ｂの周縁部分と誘電体層１２との間に段差が生じることを抑制した構成とされている。したがって、段差部分において内部電極が屈曲することを抑制し、ショートの発生を抑制することができる。

第１の外部電極２０ａは、積層体１１の第１の端面１５ａに形成されている。本実施形態では、第１の外部電極２０ａは、積層体１１の第１の端面１５ａの全体に形成されているとともに、第１の端面１５ａから、第１の主面１６ａ、第２の主面１６ｂ、第１の側面１７ａ、および第２の側面１７ｂに回り込むように形成されている。第１の外部電極２０ａは、第１の内部電極１３ａと電気的に接続されている。

第２の外部電極２０ｂは、積層体１１の第２の端面１５ｂに形成されている。本実施形態では、第２の外部電極２０ｂは、積層体１１の第２の端面１５ｂの全体に形成されているとともに、第２の端面１５ｂから、第１の主面１６ａ、第２の主面１６ｂ、第１の側面１７ａ、および第２の側面１７ｂに回り込むように形成されている。第２の外部電極２０ｂは、第２の内部電極１３ｂと電気的に接続されている。

第１の外部電極２０ａは、積層体１１の第１の端面１５ａに設けられた第１のＮｉ層２１ａと、第１のＮｉ層２１ａの上に設けられた第２のＮｉ層２２ａと、第２のＮｉ層２２ａの上に設けられたＳｎ層２３ａとを備える。

第２の外部電極２０ｂは、積層体１１の第２の端面１５ｂに設けられた第１のＮｉ層２１ｂと、第１のＮｉ層２１ｂの上に設けられた第２のＮｉ層２２ｂと、第２のＮｉ層２２ｂの上に設けられたＳｎ層２３ｂとを備える。

第１のＮｉ層２１ａ、２１ｂは、下地電極層であって、例えば、Ｎｉを含む導電ペーストを積層体に塗布して焼き付けることによって形成される焼付け電極層である。第１のＮｉ層２１ａ、２１ｂには、共材としての誘電体組成物が含まれている。誘電体組成物は、例えば、誘電体層１２と同じセラミック材料からなる組成物である。ただし、誘電体組成物の構成材料が誘電体層１２と全く同じセラミック材料である必要はないが、誘電体層１２を構成するセラミック材料に近い成分の材料を用いることが好ましい。

本実施形態の積層セラミックコンデンサ１０では、第１のＮｉ層２１ａ、２１ｂの幅方向Ｗの中央の位置における、長さ方向Ｌおよび積層方向Ｔで規定される断面において、積層方向Ｔの中央、かつ、長さ方向Ｌの中央の位置における６μｍ×８μｍの範囲内に、誘電体組成物を２５面積％以上４０面積％以下含む。第１のＮｉ層２１ａ、２１ｂが誘電体組成物を２５面積％以上４０面積％以下含むことにより、第１のＮｉ層２１ａ、２１ｂと積層体１１との接続性を向上させることができ、第１の外部電極２０ａおよび第２の外部電極２０ｂの剥がれを抑制することができる。

ここで、第１のＮｉ層２１ａ、２１ｂに含まれる誘電体組成物の上記面積率は、波長分析型Ｘ線分析装置（以下、ＷＤＸと呼ぶ）を用いて、以下の方法により測定することができる。

まず、積層セラミックコンデンサ１０の幅方向Ｗの中央の位置において、長さ方向Ｌおよび積層方向Ｔで規定される断面を露出させ、積層体１１の積層方向Ｔの中央、かつ、長さ方向Ｌの中央の位置を１００００倍に拡大する。拡大する領域の視野は、６μｍ×８μｍとする。そして、拡大した領域をＷＤＸによりマッピングし、マッピングによって得られた画像から面積率を測定する。

第２のＮｉ層２２ａ、２２ｂおよびＳｎ層２３ａ、２３ｂは、めっき層である。

積層セラミックコンデンサ１０の各部の寸法は、例えば以下の通りである。
長さ方向Ｌの寸法：０．６±０．０９ｍｍ
幅方向Ｗの寸法：０．３±０．０９ｍｍ以下
積層方向Ｔの寸法：０．３±０．０９ｍｍ以下
誘電体層の厚み：０．５０μｍ以上０．６０μｍ以下であり、より好ましくは０．５５μｍ以下
内部電極の厚み：０．２５μｍ以上０．４０μｍ以下であり、より好ましくは０．３５μｍ以下

本実施形態における積層セラミックコンデンサ１０では、積層方向Ｔにおける内部電極１３ａ、１３ｂの厚みは、０．４０μｍ以下であることが好ましく、０．３５μｍ以下であることがより好ましい。

また、積層方向Ｔにおける誘電体層１２の厚みは、０．５５μｍ以下であることが好ましい。

ここで、誘電体層１２の厚み、および、第１の内部電極１３ａと第２の内部電極１３ｂの各々の厚みは、以下の方法により測定することができる。

まず、積層体１１の積層方向Ｔおよび幅方向Ｗにより規定される面、換言すると、積層体１１の長さ方向Ｌと直交する面を研磨することによって、断面を露出させて、その断面を走査型電子顕微鏡で観察する。図５は、走査型電子顕微鏡で観察される積層体１１の断面を模式的に示す図である。

次に、露出させた断面の中心を通る積層方向Ｔに沿った中心線Ｌｃ、および、この中心線Ｌｃから両側に等間隔に２本ずつ引いた線Ｌａ、Ｌｂ、Ｌｄ、Ｌｅの合計５本の線上における誘電体層１２の厚みＤｃ、Ｄａ、Ｄｂ、Ｄｄ、Ｄｅをそれぞれ測定し、これらの平均値を誘電体層１２の厚みとする。

同様に、第１の内部電極１３ａの厚みは、直線Ｌａ上の厚みＥａ、直線Ｌｂ上の厚みＥｂ、直線Ｌｃ上の厚みＥｃ、直線Ｌｄ上の厚みＥｄ、および、直線Ｌｅ上の厚みＥｅを測定し、これらの平均値を第１の内部電極１３ａの厚みとする。第２の内部電極１３ｂの厚みも同様の方法により求めることができる。

例えば、複数の誘電体層１２の平均厚みを算出する際には、積層方向Ｔの略中央に位置する誘電体層１２とその両側にそれぞれ位置する２層ずつの誘電体層１２とを合わせた５層の誘電体層１２の各々について上記の方法により厚みを測定し、その平均値を複数の誘電体層１２の平均厚みとする。ただし、誘電体層１２の積層数が５層未満である場合には、全ての誘電体層１２について上記の方法により厚みを測定し、その平均値を複数の誘電体層１２の平均厚みとする。複数の内部電極１３ａ、１３ｂの平均厚みについても同様の方法により求めることができる。

（積層セラミックコンデンサの製造方法）
上述した積層セラミックコンデンサ１０の製造方法の一例を以下で説明する。

初めに、セラミックグリーンシート、内部電極用導電性ペースト、および、外部電極用導電性ペーストをそれぞれ用意する。セラミックグリーンシート、および、内部電極用導電性ペーストはそれぞれ、有機バインダおよび有機溶剤を含む公知のものを用いることができる。

続いて、図６（ａ）に示すように、キャリアフィルム６１上に形成されたセラミックグリーンシート６２に、内部電極用導電性ペーストを印刷することによって、内部電極パターン６３を形成する。内部電極用導電性ペーストの印刷は、例えば、スクリーン印刷やグラビア印刷などの印刷方法を用いることができる。

続いて、図６（ｂ）に示すように、内部電極パターン６３の周囲領域に、セラミックペーストを塗工することによって、内部電極パターン６３と、その周囲領域との間の段差を解消するためのセラミックペーストパターン６４を形成する。セラミックペーストは、セラミックグリーンシート６２を作製する際に用いたセラミックペーストを用いてもよいし、異なるものを用いてもよい。ここでは、セラミックペーストパターン６４を形成したシート６５を、段差ゼロシートと呼ぶ。

ここで、セラミックペーストを塗工する際、内部電極パターン６３と、形成されるセラミックペーストパターン６４との間に隙間が生じないように精度良く塗工することは難しく、図７に示すように、隙間７０が生じる。上述した屈曲部３０は、この隙間７０に起因して、後述する積層体のプレス工程で形成されると考えられる。

続いて、内部電極パターン６３が形成されていないセラミックグリーンシートを所定枚数積層し、その上に、段差ゼロシート６５を順次積層し、その上に、内部電極パターン６３が形成されていないセラミックグリーンシートを所定枚数積層して、マザー積層体を作製する。なお、完成後の積層セラミックコンデンサ１０において、第１の内部電極１３ａが第１の端面１５ａに引き出され、第２の内部電極１３ｂが第２の端面１５ｂに引き出される構成となるように、段差ゼロシート６５は、位置をずらしながら積層する。

続いて、マザー積層体を、剛体プレス、静水圧プレスなどの方法により、積層方向にプレスした後、押切り、ダイシング、レーザなどの切断方法により、所定のサイズにカットし、積層チップを得る。この後、バレル研磨などにより、積層チップの角部および稜線部に丸みをつけてもよい。

続いて、積層チップの両端面と、両主面の一部および両側面の一部とに、外部電極用導電性ペーストを塗布する。外部電極用導電性ペーストには、例えばＮｉ粉や有機溶剤などが含まれる。

その後、積層チップを乾燥させた後、焼成する。焼成温度は、用いられるセラミック材料や導電性ペーストの材料にもよるが、例えば９００℃以上１３００℃以下である。これにより、積層体および外部電極の金属層が形成される。

最後に、金属層の表面にめっき層を形成する。めっき層の形成は、例えば、最初にＮｉめっき層を形成した後、Ｓｎめっき層を形成する。

上述した工程により、積層セラミックコンデンサ１０を製造することができる。

本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。

１０ 積層セラミックコンデンサ
１１ 積層体
１２ 誘電体層
１３ａ 第１の内部電極
１３ｂ 第２の内部電極
１５ａ 積層体の第１の端面
１５ｂ 積層体の第２の端面
１６ａ 積層体の第１の主面
１６ｂ 積層体の第２の主面
１７ａ 積層体の第１の側面
１７ｂ 積層体の第２の主面
２０ａ 第１の外部電極
２０ｂ 第２の外部電極
２１ａ、２１ｂ 第１のＮｉ層
２２ａ、２２ｂ 第２のＮｉ層
２３ａ、２３ｂ Ｓｎ層
３０ 屈曲部
６１ キャリアシート
６２ セラミックグリーンシート
６３ 内部電極パターン
６４ セラミックペーストパターン
６５ 段差ゼロシート

Claims (7)

1. 積層された複数の誘電体層と複数の内部電極とを含み、前記誘電体層と前記内部電極の積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、前記積層方向と直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、前記積層方向および前記幅方向と直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面とを有する積層体と、
   前記内部電極と電気的に接続され、前記積層体の前記第１の端面および前記第２の端面にそれぞれ設けられた外部電極と、
   を備え、
   前記積層体を前記積層方向に見たときに、各々の前記内部電極が重なり合う領域を有効領域、前記有効領域よりも前記第１の端面側に位置する領域を第１の領域、前記有効領域よりも前記第２の端面側に位置する領域を第２の領域とすると、前記有効領域、前記第１の領域、および、前記第２の領域のうち、前記第１の領域に、前記誘電体層および前記内部電極が前記積層方向に屈曲した屈曲部が存在しており、
   前記屈曲部において、屈曲している複数の前記誘電体層および前記内部電極の前記積層方向における頂点は全て、前記積層体の前記有効領域から前記長さ方向において２５μｍ以上３５μｍ以下の範囲に存在することを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
2. 前記屈曲部は、前記第１の領域の前記長さ方向の寸法をＬ１としたときに、前記第１の端面から０．３×Ｌ１の距離の位置より前記長さ方向の内側に存在することを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
3. 前記外部電極は、
   前記第１の端面および前記第２の端面にそれぞれ設けられた第１のＮｉ層と、
   前記第１のＮｉ層の上に設けられた第２のＮｉ層と、
   前記第２のＮｉ層の上に設けられたＳｎ層と、
   を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサ。
4. 前記第１のＮｉ層は下地電極層であり、前記第２のＮｉ層および前記Ｓｎ層はめっき層であって、
   前記第１のＮｉ層の前記幅方向の中央の位置における、前記長さ方向および前記積層方向で規定される断面において、前記積層方向の中央、かつ、前記長さ方向の中央の位置における６μｍ×８μｍの範囲内に、誘電体組成物を２５面積％以上４０面積％以下含むことを特徴とする請求項３に記載の積層セラミックコンデンサ。
5. 前記内部電極の厚みは、０．４０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
6. 前記内部電極の厚みは、０．３５μｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載の積層セラミックコンデンサ。
7. 前記誘電体層の厚みは、０．５５μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。

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