JP2021027091A

JP2021027091A - Method for manufacturing semiconductor devices

Info

Publication number: JP2021027091A
Application number: JP2019142116A
Authority: JP
Inventors: 忠知山田; Tadatomo Yamada; 拓根本; Taku Nemoto; 真也田久; Shinya Taku
Original assignee: Lintec Corp
Current assignee: Lintec Corp
Priority date: 2019-08-01
Filing date: 2019-08-01
Publication date: 2021-02-22
Anticipated expiration: 2039-08-01
Also published as: JP7319134B2

Abstract

To provide a method for manufacturing semiconductor devices, which can surely decrease damage to a semiconductor device.SOLUTION: A method for manufacturing semiconductor devices comprises the steps of: performing a process for dividing a semiconductor substrate into a plurality of semiconductor devices on the semiconductor substrate having a surface with a circuit formed thereon and a backside on a side opposite to the surface from the side of the backside; bringing the plurality of semiconductor devices to the state of being separated from each other with a first surface protective sheet stuck to the surface of the plurality of semiconductor devices having the respective circuits formed thereon; forming a resin layer having a first thickness on the first surface protective sheet between the plurality of semiconductor devices; and grinding each backside of the plurality of semiconductor devices, and the resin layer, thereby setting the thickness of the plurality of semiconductor devices and the thickness of the resin layer to a second thickness which is thinner than the first thickness.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、半導体素子の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.

ウエーハ状の半導体基板を個々の半導体素子に個片化する技術としてステルスダイシングがある。ステルスダイシングでは、例えば、レーザ光がウェーハ状の半導体基板の分割ラインに照射され、半導体基板の内部に改質層が予め形成される。次に、改質層を起点として半導体基板が劈開され、半導体基板が個々の半導体素子に個片化される。 Stealth dicing is a technique for individualizing a wafer-shaped semiconductor substrate into individual semiconductor elements. In stealth dicing, for example, laser light is applied to a dividing line of a wafer-shaped semiconductor substrate, and a modified layer is formed in advance inside the semiconductor substrate. Next, the semiconductor substrate is cleaved from the modified layer as a starting point, and the semiconductor substrate is individualized into individual semiconductor elements.

さらに、近年、ステルスダイシングによって半導体基板を個々の半導体素子に分割した後、個々の半導体素子の裏面を研削して改質層を除去するとともに、この裏面研削によって半導体素子の薄型化を図る技術が提供されている（例えば、特許文献１参照）。 Further, in recent years, after dividing a semiconductor substrate into individual semiconductor elements by stealth dicing, the back surface of each semiconductor element is ground to remove a modified layer, and the back surface grinding is used to reduce the thickness of the semiconductor element. It is provided (see, for example, Patent Document 1).

特開２０１２−０８９７３０号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-089730

しかしながら、裏面研削の際、個々の半導体素子を支持するテープとしては、樹脂テープが用いられている。このようなテープは、樹脂製であるため柔軟である。このため、分割された半導体素子を研削している最中には半導体素子がテープ上で動き、隣接する半導体素子同士が接触し、半導体素子の角部にはクラック、半導体素子の側部にはチッピングといった損傷が発生する可能性がある。 However, when grinding the back surface, a resin tape is used as a tape for supporting each semiconductor element. Such tapes are flexible because they are made of resin. Therefore, while grinding the divided semiconductor elements, the semiconductor elements move on the tape, the adjacent semiconductor elements come into contact with each other, cracks occur at the corners of the semiconductor elements, and the sides of the semiconductor elements Damage such as chipping can occur.

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、半導体基板を個々の半導体素子に分割した後に、個々の半導体素子の裏面を研削して半導体素子の薄型化を図る方法において、半導体素子の損傷を確実に低減させる半導体素子の製造方法を提供することにある。 In view of the above circumstances, an object of the present invention is to damage a semiconductor element in a method of dividing a semiconductor substrate into individual semiconductor elements and then grinding the back surface of each semiconductor element to reduce the thickness of the semiconductor element. It is an object of the present invention to provide the manufacturing method of the semiconductor element which surely reduces.

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る半導体素子の製造方法では、回路が形成された表面と、上記表面とは反対側の裏面とを有する半導体基板に対して、上記裏面の側から上記半導体基板を複数の半導体素子に分割するための処理が施される。
上記複数の半導体素子のそれぞれの回路が形成された表面に第１表面保護シートを貼付させた状態で、上記複数の半導体素子が互いに離間した状態が形成される。
上記複数の半導体素子のそれぞれの間における上記第１表面保護シートに、第１厚みを有する樹脂層が形成される。
上記複数の半導体素子のそれぞれの裏面と、上記樹脂層とを研削することにより、上記複数の半導体素子及び上記樹脂層の厚みが上記第１厚みよりも薄い第２厚みに設定される。 In order to achieve the above object, in the method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention, the back surface side of a semiconductor substrate having a front surface on which a circuit is formed and a back surface opposite to the front surface. Therefore, a process for dividing the semiconductor substrate into a plurality of semiconductor elements is performed.
A state in which the plurality of semiconductor elements are separated from each other is formed in a state where the first surface protective sheet is attached to the surface on which the circuits of the plurality of semiconductor elements are formed.
A resin layer having a first thickness is formed on the first surface protective sheet between the plurality of semiconductor elements.
By grinding the back surface of each of the plurality of semiconductor elements and the resin layer, the thicknesses of the plurality of semiconductor elements and the resin layer are set to a second thickness thinner than the first thickness.

このような半導体素子の製造方法によれば、半導体基板を個々の半導体素子に分割した後に、個々の半導体素子の裏面を研削して半導体素子の薄型化を図った場合に、半導体素子の損傷が確実に低減する。 According to such a method for manufacturing a semiconductor element, when the semiconductor substrate is divided into individual semiconductor elements and then the back surface of each semiconductor element is ground to reduce the thickness of the semiconductor element, the semiconductor element is damaged. Definitely reduce.

上記の半導体素子の製造方法においては、
上記半導体基板の上記表面に、上記第１表面保護シートを貼付し、
上記半導体基板の上記裏面にレーザ光を照射することで、上記半導体基板を分割するための改質領域を上記半導体基板の内部に形成し、
上記第１表面保護シートを上記表面保護シートの面内方向において拡張して、上記改質領域を起点として上記半導体基板を分割することにより、上記第１表面保護シートに互いに離間した上記複数の半導体素子を形成してもよい。 In the above method for manufacturing a semiconductor element,
The first surface protective sheet is attached to the surface of the semiconductor substrate.
By irradiating the back surface of the semiconductor substrate with laser light, a modified region for dividing the semiconductor substrate is formed inside the semiconductor substrate.
The plurality of semiconductors separated from each other by the first surface protective sheet by expanding the first surface protective sheet in the in-plane direction of the surface protective sheet and dividing the semiconductor substrate starting from the modified region. The element may be formed.

上記の半導体素子の製造方法においては、
上記半導体基板の上記裏面に、第２表面保護シートを接着し、
上記裏面に上記第２表面保護シートを介してレーザ光を照射することで、上記半導体基板を分割するための改質領域を上記半導体基板の内部に形成し、
上記第２表面保護シートを上記表面保護シートの面内方向において拡張して、上記改質領域を起点として上記半導体基板を分割することにより、上記第２表面保護シートに互いに離間した上記複数の半導体素子を形成し、
上記複数の半導体素子のそれぞれの上記回路が形成された上記表面に上記第１表面保護シートを接着させ、上記第２表面保護シートを上記複数の半導体素子から取り除くことにより、上記第１表面保護シートに互いに離間した上記複数の半導体素子を形成してもよい。 In the above method for manufacturing a semiconductor element,
A second surface protective sheet is adhered to the back surface of the semiconductor substrate,
By irradiating the back surface with a laser beam via the second surface protective sheet, a modified region for dividing the semiconductor substrate is formed inside the semiconductor substrate.
By expanding the second surface protective sheet in the in-plane direction of the surface protective sheet and dividing the semiconductor substrate starting from the modified region, the plurality of semiconductors separated from each other by the second surface protective sheet. Form the element,
The first surface protective sheet is adhered to the surface on which the circuit of each of the plurality of semiconductor elements is formed, and the second surface protective sheet is removed from the plurality of semiconductor elements to remove the first surface protective sheet. The plurality of semiconductor elements separated from each other may be formed.

上記の半導体素子の製造方法においては、上記半導体基板の上記裏面から上記表面にまでダイシングブレードまたはレーザ光を貫通させることにより、上記第１表面保護シートに互いに離間した上記複数の半導体素子を形成してもよい。 In the method for manufacturing a semiconductor element, the dicing blade or the laser beam is penetrated from the back surface to the front surface of the semiconductor substrate to form the plurality of semiconductor elements separated from each other on the first surface protective sheet. You may.

上記の半導体素子の製造方法においては、
上記複数の半導体素子のそれぞれの上記回路が形成された上記表面とは反対側の上記複数の半導体素子のそれぞれの裏面に、保護膜形成用フィルム及び支持シートを有する保護膜形成用複合シートを積層させ、
上記複数の半導体素子から上記第１表面保護シートを取り除き、
上記複数の半導体素子の間に形成された上記樹脂層を個片化し、
上記支持シートから上記複数の半導体素子のいずれかをピックアップすることにより、側面が上記樹脂層で覆われ、裏面が上記保護膜形成用フィルムで覆われた半導体素子を形成してもよい。 In the above method for manufacturing a semiconductor element,
A protective film-forming composite sheet having a protective film-forming film and a support sheet is laminated on the back surface of each of the plurality of semiconductor elements on the side opposite to the front surface on which the circuit of each of the plurality of semiconductor elements is formed. Let me
The first surface protective sheet is removed from the plurality of semiconductor elements, and the first surface protective sheet is removed.
The resin layer formed between the plurality of semiconductor elements is separated into individual pieces.
By picking up any one of the plurality of semiconductor elements from the support sheet, the semiconductor element may be formed in which the side surface is covered with the resin layer and the back surface is covered with the protective film forming film.

上記の半導体素子の製造方法においては、
上記複数の半導体素子のそれぞれの上記回路が形成された上記表面とは反対側の上記複数の半導体素子のそれぞれの裏面に、フィルム状接着剤及び支持シートを有するフィルム状接着剤複合シートを積層させ、
上記複数の半導体素子から上記第１表面保護シートを取り除き、
上記支持シートから上記複数の半導体素子のいずれかをピックアップすることにより、裏面が上記フィルム状接着剤で覆われた半導体素子を形成してもよい。 In the above method for manufacturing a semiconductor element,
A film-like adhesive composite sheet having a film-like adhesive and a support sheet is laminated on the back surface of each of the plurality of semiconductor elements on the side opposite to the front surface on which the circuit of each of the plurality of semiconductor elements is formed. ,
The first surface protective sheet is removed from the plurality of semiconductor elements, and the first surface protective sheet is removed.
By picking up any one of the plurality of semiconductor elements from the support sheet, the semiconductor element whose back surface is covered with the film-like adhesive may be formed.

上記の半導体素子の製造方法においては、上記樹脂層として、エネルギー線硬化性樹脂層を用いてもよい。 In the above-mentioned method for manufacturing a semiconductor element, an energy ray-curable resin layer may be used as the above-mentioned resin layer.

上記の半導体素子の製造方法においては、上記複数の半導体素子が互いに離間する幅は、５μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。 In the method for manufacturing a semiconductor element, the width at which the plurality of semiconductor elements are separated from each other may be 5 μm or more and 500 μm or less.

上記の半導体素子の製造方法においては、上記第２厚みは、５μｍ以上３００μｍ以下であってもよい。 In the method for manufacturing a semiconductor device, the second thickness may be 5 μm or more and 300 μm or less.

以上述べたように、本発明によれば、半導体素子の損傷を低減させる半導体素子の製造方法が提供される。 As described above, according to the present invention, there is provided a method for manufacturing a semiconductor device that reduces damage to the semiconductor device.

本実施形態の半導体素子の製造方法を説明する模式的断面図である。It is a schematic cross-sectional view explaining the manufacturing method of the semiconductor element of this embodiment. 本実施形態の半導体素子の製造方法を説明する模式的断面図である。It is a schematic cross-sectional view explaining the manufacturing method of the semiconductor element of this embodiment. 本実施形態の半導体素子の製造方法を説明する模式的断面図である。It is a schematic cross-sectional view explaining the manufacturing method of the semiconductor element of this embodiment. 本実施形態の半導体素子の製造方法を説明する模式的断面図である。It is a schematic cross-sectional view explaining the manufacturing method of the semiconductor element of this embodiment. 本実施形態の半導体素子の製造方法の変形例１を説明する模式的断面図である。It is a schematic cross-sectional view explaining the modification 1 of the manufacturing method of the semiconductor element of this embodiment. 本実施形態の半導体素子の製造方法の変形例２を説明する模式的断面図である。It is a schematic cross-sectional view explaining the modification 2 of the manufacturing method of the semiconductor element of this embodiment. 本実施形態の半導体素子の製造方法の変形例２を説明する模式的断面図である。It is a schematic cross-sectional view explaining the modification 2 of the manufacturing method of the semiconductor element of this embodiment. 本実施形態の半導体素子の製造方法の変形例３を説明する模式的断面図である。It is a schematic cross-sectional view explaining the modification 3 of the manufacturing method of the semiconductor element of this embodiment.

以下、図面を参照しながら、本実施形態に係る半導体素子の製造方法を説明する。各図面には、ＸＹＺ軸座標が導入される場合がある。また、同一の部材または同一の機能を有する部材には同一の符号を付す場合があり、その部材を説明した後には適宜説明を省略する場合がある。 Hereinafter, a method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. XYZ axis coordinates may be introduced in each drawing. Further, the same member or a member having the same function may be designated by the same reference numeral, and the description may be omitted as appropriate after the description of the member.

［半導体素子の製造方法］ [Manufacturing method of semiconductor device]

図１（ａ）〜図４は、本実施形態の半導体素子の製造方法を説明する模式的断面図である。 1 (a) to 4 are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment.

図１（ａ）に示すように、接着剤面６０ａと、接着剤面６０ａとは反対側の非接着剤面６０ｂとを有するバックグラインドテープ６０（第１表面保護シート）に、半導体基板８が貼付される。この段階での半導体基板８は、個片化される前のウェーハ状の半導体基板である。半導体基板８においては、単結晶のシリコン基板にウェーハプロセスによってどちらか一方の主面に回路素子が形成されている。例えば、半導体基板８は、回路素子が形成された表面８ａと、表面８ａとは反対側であって研削対象となる裏面８ｂとを有する。 As shown in FIG. 1A, the semiconductor substrate 8 is attached to a back grind tape 60 (first surface protective sheet) having an adhesive surface 60a and a non-adhesive surface 60b on the opposite side of the adhesive surface 60a. It will be pasted. The semiconductor substrate 8 at this stage is a wafer-shaped semiconductor substrate before being fragmented. In the semiconductor substrate 8, a circuit element is formed on one of the main surfaces of a single crystal silicon substrate by a wafer process. For example, the semiconductor substrate 8 has a front surface 8a on which a circuit element is formed and a back surface 8b on the opposite side of the front surface 8a to be ground.

回路素子としては、トランジスタ、メモリ等を含むＩＣ（Integrated Circuit）、またはＬＳＩ（Large Scale Integration）等が適用される。半導体基板８の表面８ａには、回路素子に電気的に接続された外部接続端子が設けられてもよい。外部接続端子としては、例えば、電極パッド、バンプ等があげられる。 As a circuit element, an IC (Integrated Circuit) including a transistor, a memory, or the like, an LSI (Large Scale Integration), or the like is applied. The surface 8a of the semiconductor substrate 8 may be provided with an external connection terminal electrically connected to the circuit element. Examples of the external connection terminal include an electrode pad and a bump.

バックグラインドテープ６０の接着剤面６０ａには、半導体基板８の表面８ａが貼付される。また、バックグラインドテープ６０の周縁部には、図示されていないリングフレームが接着されている。 The surface 8a of the semiconductor substrate 8 is attached to the adhesive surface 60a of the back grind tape 60. A ring frame (not shown) is adhered to the peripheral edge of the back grind tape 60.

半導体基板８の表面８ａから裏面８ｂにまで延びる１点破線は、半導体基板８を個々の半導体素子に画定するとともに、半導体基板８を個々の半導体素子に分割する分割ライン８ｄである。例えば、Ｘ軸方向には複数の分割ライン８ｄが延在し、Ｙ軸方向にも複数の分割ライン８ｄ（図示せず）が延在している。Ｚ軸方向から半導体基板８を上面視した場合、分割ライン８ｄは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に延在され、基板面内で格子状に設定される。 The alternate long and short dash line extending from the front surface 8a to the back surface 8b of the semiconductor substrate 8 is a dividing line 8d that defines the semiconductor substrate 8 into individual semiconductor elements and divides the semiconductor substrate 8 into individual semiconductor elements. For example, a plurality of dividing lines 8d extend in the X-axis direction, and a plurality of dividing lines 8d (not shown) extend in the Y-axis direction as well. When the semiconductor substrate 8 is viewed from above in the Z-axis direction, the dividing lines 8d extend in the X-axis direction and the Y-axis direction, and are set in a grid pattern in the substrate surface.

次に、図１（ｂ）に示すように、半導体基板８の裏面８ｂの側から半導体基板８を複数の半導体素子に分割するための処理が施される。 Next, as shown in FIG. 1B, a process for dividing the semiconductor substrate 8 into a plurality of semiconductor elements is performed from the back surface 8b side of the semiconductor substrate 8.

例えば、半導体基板８の表面８ａにバックグラインドテープ６０を貼付した状態で、半導体基板８の裏面８ｂにレーザ光源９０を対向させ、半導体基板８の裏面８ｂの側から分割ライン８ｄの位置にレーザ光９１が照射される。レーザ光９１は、半導体基板８に対して光透過性を有し、分割ライン８ｄに沿って走査される。レーザ光９１は、例えば、ＹＡＧ、ルビー等の固体レーザ、またはアルゴンイオンレーザー等の気体レーザがあげられる。また、レーザ光９１が１つの分割ライン８ｄに走査される回数は、１回でもよく、複数回であってもよい。 For example, with the back grind tape 60 attached to the front surface 8a of the semiconductor substrate 8, the laser light source 90 is opposed to the back surface 8b of the semiconductor substrate 8, and the laser beam is emitted from the back surface 8b side of the semiconductor substrate 8 to the position of the dividing line 8d. 91 is irradiated. The laser beam 91 has light transmission to the semiconductor substrate 8 and is scanned along the dividing line 8d. Examples of the laser beam 91 include a solid-state laser such as YAG and ruby, and a gas laser such as an argon ion laser. Further, the number of times the laser beam 91 is scanned by one dividing line 8d may be once or may be a plurality of times.

これにより、半導体基板８の内部には、分割ライン８ｄの位置に半導体基板８を分割するための改質領域８ｍが形成される。改質領域８ｍは、例えば、半導体基板８の主成分が単結晶シリコンの場合、局所的に溶融、再固化された溶融処理領域である。改質領域８ｍは、改質領域８ｍの周辺部よりも低い強度を有する。 As a result, a modified region 8m for dividing the semiconductor substrate 8 is formed inside the semiconductor substrate 8 at the position of the dividing line 8d. The modified region 8m is, for example, a melting treatment region that is locally melted and resolidified when the main component of the semiconductor substrate 8 is single crystal silicon. The modified region 8 m has lower strength than the peripheral portion of the modified region 8 m.

次に、バックグラインドテープ６０がバックグラインドテープ６０における面内方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）に拡張されて、改質領域８ｍを起点として半導体基板８が劈開される。これにより、分割ライン８ｄを基準に半導体基板８が分割される。改質領域８ｍは、分割ライン８ｄに沿って連続的に形成されている。このため、バックグラインドテープ６０を拡張すると、分割ライン８ｄを境に半導体基板８が容易に劈開される。 Next, the back grind tape 60 is expanded in the in-plane direction (X-axis direction and Y-axis direction) of the back grind tape 60, and the semiconductor substrate 8 is cleaved starting from the modified region 8 m. As a result, the semiconductor substrate 8 is divided based on the division line 8d. The modified region 8m is continuously formed along the dividing line 8d. Therefore, when the back grind tape 60 is expanded, the semiconductor substrate 8 is easily cleaved with the dividing line 8d as a boundary.

これにより、図１（ｃ）に示すように、バックグラインドテープ６０に互いに離間した複数の半導体素子８０が形成される。半導体素子８０をＺ軸方向から上面視した外形は、例えば、矩形である。複数の半導体素子８０が面内方向において互いに離間する幅Ｗ１は、特に限定されず、例えば、５μｍ以上５００μｍ以下であり、好ましくは、１０μｍ以上４５０μｍ以下であり、より好ましくは、５０μｍ以上３５０μｍ以下、さらにより好ましくは、１００μｍ以上３００μｍ以下である。 As a result, as shown in FIG. 1C, a plurality of semiconductor elements 80 separated from each other are formed on the back grind tape 60. The outer shape of the semiconductor element 80 viewed from above in the Z-axis direction is, for example, a rectangle. The width W1 at which the plurality of semiconductor elements 80 are separated from each other in the in-plane direction is not particularly limited, and is, for example, 5 μm or more and 500 μm or less, preferably 10 μm or more and 450 μm or less, and more preferably 50 μm or more and 350 μm or less. Even more preferably, it is 100 μm or more and 300 μm or less.

バックグラインドテープ６０の拡張前後における面内方向での延伸率は、特に限定されず、例えば、２０％以上５００％以下であり、好ましくは、３０％以上４５０％以下より好ましくは、４０％以上４００％以下である。複数の半導体素子８０のそれぞれの回路が形成された表面８０ａには、バックグラインドテープ６０が貼付された状態が維持される。 The stretching ratio in the in-plane direction before and after the expansion of the back grind tape 60 is not particularly limited, and is, for example, 20% or more and 500% or less, preferably 30% or more and 450% or less, more preferably 40% or more and 400. % Or less. The state in which the back grind tape 60 is attached is maintained on the surface 80a on which the circuits of the plurality of semiconductor elements 80 are formed.

次に、図２（ａ）に示すように、複数の半導体素子８０が互いに離間した状態が維持されたまま、複数の半導体素子８０のそれぞれの間のバックグラインドテープ６０に、厚みＤ１（第１厚み）を有する樹脂層５０が形成される。 Next, as shown in FIG. 2A, the back grind tape 60 between the plurality of semiconductor elements 80 is provided with a thickness D1 (first) while the plurality of semiconductor elements 80 are maintained in a state of being separated from each other. A resin layer 50 having a thickness) is formed.

例えば、粘性を有する樹脂層５０が付設された樹脂テープが複数の半導体素子８０のそれぞれの裏面８０ｂに樹脂層５０が接触するように貼付され、樹脂層５０を介して樹脂テープに機械的圧力がかけられることにより、樹脂層５０が複数の半導体素子８０のそれぞれの間、複数の半導体素子８０のそれぞれの裏面８０ｂ、及び複数の半導体素子８０のそれぞれの側面８０ｗに転写される。樹脂テープに機械的圧力をかける際には、樹脂層５０の段差被覆性を高めるために、樹脂テープが適宜加熱されてもよい。この際、複数の半導体素子８０が置かれる雰囲気は、減圧雰囲気でもよい。 For example, a resin tape to which a viscous resin layer 50 is attached is attached so that the resin layer 50 comes into contact with the back surface 80b of each of the plurality of semiconductor elements 80, and mechanical pressure is applied to the resin tape via the resin layer 50. By being applied, the resin layer 50 is transferred between the plurality of semiconductor elements 80, the back surface 80b of each of the plurality of semiconductor elements 80, and the side surfaces 80w of the plurality of semiconductor elements 80. When mechanical pressure is applied to the resin tape, the resin tape may be appropriately heated in order to improve the step covering property of the resin layer 50. At this time, the atmosphere in which the plurality of semiconductor elements 80 are placed may be a reduced pressure atmosphere.

あるいは転写以外の手法として、ラミネート法、ポッティング法、スピンコート法等により、複数の半導体素子８０のそれぞれの間、複数の半導体素子８０のそれぞれの裏面８０ｂ、及び複数の半導体素子８０のそれぞれの側面８０ｗに、液状の樹脂層５０が塗布されてもよい。 Alternatively, as a method other than transfer, a laminating method, a potting method, a spin coating method, or the like is used between the plurality of semiconductor elements 80, the back surface 80b of each of the plurality of semiconductor elements 80, and the side surfaces of the plurality of semiconductor elements 80. The liquid resin layer 50 may be applied to 80w.

また、樹脂層５０を転写または塗布するときの幅Ｗ１については、幅Ｗ１よりも一旦広い幅Ｗ１'に設定して転写または塗布を実行し、転写または塗布が完了した後、幅Ｗ１'を幅Ｗ１に戻してもよい。 Further, the width W1 when the resin layer 50 is transferred or coated is once set to a width W1'wider than the width W1 to execute transfer or coating, and after the transfer or coating is completed, the width W1'is set to the width W1'. You may return to W1.

続けて、加熱、または光照射、電子線照射等のエネルギー線照射によって樹脂層５０が硬化される。樹脂層５０を加熱によって硬化する場合、バックグラインドテープ６０の熱劣化が懸念される場合は、樹脂層５０として、熱硬化性樹脂よりもエネルギー線硬化性樹脂を用いたほうがより好ましい。 Subsequently, the resin layer 50 is cured by heating, or irradiation with energy rays such as light irradiation and electron beam irradiation. When the resin layer 50 is cured by heating and there is a concern about thermal deterioration of the back grind tape 60, it is more preferable to use an energy ray-curable resin as the resin layer 50 rather than a thermosetting resin.

次に、図２（ｂ）に示すように、研削冶具５００を用いて、複数の半導体素子８０のそれぞれの裏面８０ｂと、樹脂層５０とが研削される。例えば、研削冶具５００を複数の半導体素子８０のそれぞれの裏面８０ｂ及び樹脂層５０に当接しながら、研削冶具５００を自転及び面内方向に移動させ、複数の半導体素子８０のそれぞれの裏面８０ｂと、樹脂層５０とが研削される。 Next, as shown in FIG. 2B, the back surface 80b of each of the plurality of semiconductor elements 80 and the resin layer 50 are ground by using the grinding jig 500. For example, while the grinding jig 500 is in contact with the back surface 80b and the resin layer 50 of the plurality of semiconductor elements 80, the grinding jig 500 is rotated and moved in the in-plane direction to obtain the back surface 80b of each of the plurality of semiconductor elements 80. The resin layer 50 and the resin layer 50 are ground.

これにより、複数の半導体素子８０のそれぞれと、樹脂層５０とが研削されて、図２（ｃ）に示すように、半導体素子８０の厚みと、樹脂層５０の厚みとが略同じに構成された構造体が得られる。ここで、複数の半導体素子８０及び樹脂層５０の厚みは、厚みＤ１よりも薄い厚みＤ２（第２厚み）に設定される。厚みＤ２は、特に限定されず、例えば、５μｍ以上３００μｍ以下であり、好ましくは、７μｍ以上２５０μｍ以下であり、より好ましくは、１０μｍ以上２００μｍ以下であり、さらにより好ましくは、１５μｍ以上１５０μｍ以下である。 As a result, each of the plurality of semiconductor elements 80 and the resin layer 50 are ground, and as shown in FIG. 2C, the thickness of the semiconductor element 80 and the thickness of the resin layer 50 are substantially the same. The structure is obtained. Here, the thicknesses of the plurality of semiconductor elements 80 and the resin layer 50 are set to a thickness D2 (second thickness) thinner than the thickness D1. The thickness D2 is not particularly limited, and is, for example, 5 μm or more and 300 μm or less, preferably 7 μm or more and 250 μm or less, more preferably 10 μm or more and 200 μm or less, and even more preferably 15 μm or more and 150 μm or less. ..

次に、図３（ａ）に示すように、複数の半導体素子８０のそれぞれの回路が形成された表面８０ａとは反対側の半導体素子８０の裏面８０ｂに、保護膜形成用複合シート１が貼付される。保護膜形成用複合シート１は、隣接する半導体素子８０間の樹脂層５０にも接着される。 Next, as shown in FIG. 3A, the protective film forming composite sheet 1 is attached to the back surface 80b of the semiconductor element 80 on the side opposite to the front surface 80a on which the circuits of the plurality of semiconductor elements 80 are formed. Will be done. The protective film forming composite sheet 1 is also adhered to the resin layer 50 between the adjacent semiconductor elements 80.

保護膜形成用複合シート１は、ダイシングテープである支持シート１０と、半導体素子８０を保護する保護膜形成用フィルム１３とを有する。さらに、支持シート１０は、基材１１と、粘着剤層１２とを有する。保護膜形成用フィルム１３は、支持シート１０よりも半導体素子８０側に配置される。粘着剤層１２は、基材１１よりも半導体素子８０側に配置される。 The protective film-forming composite sheet 1 includes a support sheet 10 which is a dicing tape, and a protective film-forming film 13 that protects the semiconductor element 80. Further, the support sheet 10 has a base material 11 and an adhesive layer 12. The protective film forming film 13 is arranged closer to the semiconductor element 80 than the support sheet 10. The pressure-sensitive adhesive layer 12 is arranged closer to the semiconductor element 80 than the base material 11.

保護膜形成用複合シート１の複数の半導体素子８０への貼付工程においては、複数の半導体素子８０のそれぞれの裏面８０ｂに、支持シート１０と保護膜形成用フィルム１３とが一体となった保護膜形成用複合シート１が一括で貼付されてもよく、あるいは、複数の半導体素子８０のそれぞれの裏面８０ｂに保護膜形成用フィルム１３が予め積層されて、続いて、支持シート１０が順に積層されてもよい。 In the step of attaching the protective film forming composite sheet 1 to the plurality of semiconductor elements 80, the protective film in which the support sheet 10 and the protective film forming film 13 are integrated on the back surface 80b of each of the plurality of semiconductor elements 80. The forming composite sheet 1 may be attached all at once, or the protective film forming film 13 is preliminarily laminated on the back surface 80b of each of the plurality of semiconductor elements 80, and then the support sheet 10 is laminated in order. May be good.

次に、図３（ｂ）に示すように、バックグラインドテープ６０が複数の半導体素子８０のそれぞれ及び樹脂層５０から剥がされ、バックグラインドテープ６０が複数の半導体素子８０のそれぞれ及び樹脂層５０から取り除かれる。すなわち、バックグラインドテープ６０に代わり、複数の半導体素子８０と樹脂層５０とが一体となった構造体が保護膜形成用複合シート１によって支持される。 Next, as shown in FIG. 3B, the back grind tape 60 is peeled off from each of the plurality of semiconductor elements 80 and the resin layer 50, and the back grind tape 60 is peeled off from each of the plurality of semiconductor elements 80 and the resin layer 50. Will be removed. That is, instead of the back grind tape 60, a structure in which a plurality of semiconductor elements 80 and a resin layer 50 are integrated is supported by the protective film forming composite sheet 1.

次に、図３（ｃ）に示すように、ダイシングライン８０ｄに沿った、ダイシング刃またはレーザ光による切削手法により、複数の半導体素子８０の間に形成された樹脂層５０と、その樹脂層５０下の保護膜形成用フィルム１３とが切断される。これにより、複数の半導体素子８０と樹脂層５０とが一体となった構造体は、側面８０ｗに樹脂層５０が形成され、裏面８０ｂに保護膜形成用フィルム１３が形成された半導体素子８０に個片化される。 Next, as shown in FIG. 3C, a resin layer 50 formed between the plurality of semiconductor elements 80 by a cutting method using a dicing blade or a laser beam along the dicing line 80d, and the resin layer 50 thereof. The lower protective film forming film 13 is cut. As a result, the structure in which the plurality of semiconductor elements 80 and the resin layer 50 are integrated is formed on the semiconductor element 80 in which the resin layer 50 is formed on the side surface 80w and the protective film forming film 13 is formed on the back surface 80b. It will be separated.

次に、図４に示すように、支持シート１０を介して複数の半導体素子８０のいずれかが突上ピン５０１で突き上げられ、突き上げられた半導体素子８０の裏面８０ｂがコレット５０２によって支持される。半導体素子８０が突上ピン５０１で突き上げられる前には、保護膜形成用フィルム１３に対する支持シート１０の粘着力を低下させる処理が施されてもよい。例えば、粘着剤層１２がエネルギー線照射により粘着性が低下する成分を含む場合は、必要に応じて粘着剤層１２にエネルギー線が照射される。 Next, as shown in FIG. 4, one of the plurality of semiconductor elements 80 is pushed up by the protrusion pin 501 via the support sheet 10, and the back surface 80b of the pushed up semiconductor element 80 is supported by the collet 502. Before the semiconductor element 80 is pushed up by the protrusion pin 501, a treatment for reducing the adhesive force of the support sheet 10 to the protective film forming film 13 may be performed. For example, when the pressure-sensitive adhesive layer 12 contains a component whose adhesiveness is lowered by irradiation with energy rays, the pressure-sensitive adhesive layer 12 is irradiated with energy rays as needed.

次に、側面８０ｗが樹脂層５０で覆われ、裏面８０ｂが保護膜形成用フィルム１３で覆われた半導体素子８０が支持シート１０から離れるようにコレット５０２によってピックアップされる。この後、半導体素子８０は、コレット５０２等により所定の場所に搬送され、必要に応じて、半導体素子８０に実装工程等の後工程が施される。 Next, the semiconductor element 80 whose side surface 80w is covered with the resin layer 50 and whose back surface 80b is covered with the protective film forming film 13 is picked up by the collet 502 so as to be separated from the support sheet 10. After that, the semiconductor element 80 is conveyed to a predetermined place by a collet 502 or the like, and if necessary, the semiconductor element 80 is subjected to a post-process such as a mounting process.

［作用効果］ [Action effect]

本実施形態によれば、複数の半導体素子８０のそれぞれの裏面８０ｂを研削する前に、隣接する半導体素子８０間に幅Ｗ１が形成され、隣接する半導体素子８０間に樹脂層５０が形成される（図２（ａ））。従って、バックグランンドテープ６０が樹脂製であって柔軟性を有していても、分割された半導体素子８０を研削する最中には（図２（ｂ））、半導体素子８０がバックグランンドテープ６０上で動きにくくなる。これは、半導体素子８０の側面８０ｗが樹脂層５０によって支持され、バックグランンドテープ６０上で、複数の半導体素子８０のそれぞれが固定されているためである。 According to this embodiment, before grinding the back surface 80b of each of the plurality of semiconductor elements 80, the width W1 is formed between the adjacent semiconductor elements 80, and the resin layer 50 is formed between the adjacent semiconductor elements 80. (Fig. 2 (a)). Therefore, even if the background tape 60 is made of resin and has flexibility, the semiconductor element 80 is backgrown during grinding of the divided semiconductor element 80 (FIG. 2B). It becomes difficult to move on the tape 60. This is because the side surface 80w of the semiconductor element 80 is supported by the resin layer 50, and each of the plurality of semiconductor elements 80 is fixed on the background tape 60.

これにより、隣接する半導体素子８０同士は、研削中に互いに接触することがなく、半導体素子８０の角部にクラックが発生しにくくなる。 As a result, the adjacent semiconductor elements 80 do not come into contact with each other during grinding, and cracks are less likely to occur at the corners of the semiconductor elements 80.

さらに、半導体素子８０は、樹脂層５０の当初の厚みＤ１よりもさらに薄い厚みＤ２にまで研削される。従って、研削初期の段階で、仮に裏面８０ｂ近傍の半導体素子８０の側面８０ｗにチッピンングが発生したとしても、このチッピング部分は、研削によって削り取られる。 Further, the semiconductor element 80 is ground to a thickness D2 which is even thinner than the initial thickness D1 of the resin layer 50. Therefore, even if chipping occurs on the side surface 80w of the semiconductor element 80 near the back surface 80b at the initial stage of grinding, this chipping portion is scraped off by grinding.

このように、本実施形態によれば、半導体基板８を個々の半導体素子８０に分割し、半導体素子８０の裏面８０ｂを研削して半導体素子８０の薄型化を図っても、半導体素子８０には損傷が起きにくくなっている。 As described above, according to the present embodiment, even if the semiconductor substrate 8 is divided into individual semiconductor elements 80 and the back surface 80b of the semiconductor element 80 is ground to reduce the thickness of the semiconductor element 80, the semiconductor element 80 can be used. It is less likely to be damaged.

半導体装置の製造方法は、上記の製造方法に限らず、以下に示される製造方法であってもよい。 The manufacturing method of the semiconductor device is not limited to the above manufacturing method, and may be the manufacturing method shown below.

［変形例１］ [Modification 1]

図５（ａ）〜図５（ｃ）は、本実施形態の半導体素子の製造方法の変形例１を説明する模式的断面図である。 5 (a) to 5 (c) are schematic cross-sectional views illustrating a modification 1 of the method for manufacturing a semiconductor element of the present embodiment.

例えば、図２（ｃ）に示した状態の後、すなわち、半導体素子８０の裏面８０ｂと、樹脂層５０との研削が終了した後、図５（ａ）に示すように、複数の半導体素子８０のそれぞれの裏面８０ｂに、フィルム状接着剤複合シート２が貼付される。フィルム状接着剤複合シート２は、隣接する半導体素子８０間の樹脂層５０にも接着される。 For example, after the state shown in FIG. 2C, that is, after the grinding of the back surface 80b of the semiconductor element 80 and the resin layer 50 is completed, as shown in FIG. 5A, a plurality of semiconductor elements 80 A film-like adhesive composite sheet 2 is attached to each of the back surfaces 80b of the above. The film-like adhesive composite sheet 2 is also adhered to the resin layer 50 between the adjacent semiconductor elements 80.

フィルム状接着剤複合シート２は、支持シート１０と、フィルム状接着剤１４とを有する。フィルム状接着剤１４は、支持シート１０よりも半導体素子８０側に配置される。フィルム状接着剤１４は、硬化性の接着剤であり、加熱、またはエネルギー線照射によって硬化される。 The film-like adhesive composite sheet 2 has a support sheet 10 and a film-like adhesive 14. The film-like adhesive 14 is arranged closer to the semiconductor element 80 than the support sheet 10. The film-like adhesive 14 is a curable adhesive and is cured by heating or irradiation with energy rays.

フィルム状接着剤複合シート２の複数の半導体素子８０への貼付工程においては、複数の半導体素子８０のそれぞれの裏面８０ｂに、支持シート１０とフィルム状接着剤１４とが一体となったフィルム状接着剤複合シート２が一括で貼付されてもよく、複数の半導体素子８０のそれぞれの裏面８０ｂにフィルム状接着剤１４が予め積層されて、続いて、支持シート１０が順に積層されてもよい。 In the process of attaching the film-like adhesive composite sheet 2 to the plurality of semiconductor elements 80, the support sheet 10 and the film-like adhesive 14 are integrally attached to the back surface 80b of each of the plurality of semiconductor elements 80. The agent composite sheet 2 may be attached all at once, or the film-like adhesive 14 may be laminated in advance on the back surface 80b of each of the plurality of semiconductor elements 80, and then the support sheet 10 may be laminated in order.

次に、図５（ｂ）に示すように、バックグラインドテープ６０が複数の半導体素子８０のそれぞれ及び樹脂層５０から取り除かれる。すなわち、バックグラインドテープ６０に代わり、複数の半導体素子８０と樹脂層５０とが一体となった構造体がフィルム状接着剤複合シート２によって支持される。 Next, as shown in FIG. 5B, the back grind tape 60 is removed from each of the plurality of semiconductor elements 80 and the resin layer 50. That is, instead of the back grind tape 60, a structure in which a plurality of semiconductor elements 80 and a resin layer 50 are integrated is supported by the film-like adhesive composite sheet 2.

次に、図５（ｃ）に示すように、支持シート１０を介して複数の半導体素子８０のいずれかが突上ピン５０１を用いて突き上げられる。この際、フィルム状接着剤１４は、突上ピン５０１によって突き上げられるせん断力によって裏面８０ｂに接着した部分が選択的に切断される。さらに、半導体素子８０の側面８０ｗに対する樹脂層５０の密着力は、フィルム状接着剤１４の半導体素子８０の裏面８０ｂに対する樹脂層５０の密着力よりも弱く、突上ピン５０１によるせん断力によって樹脂層５０が半導体素子８０の側面８０ｗから剥離する。 Next, as shown in FIG. 5 (c), any one of the plurality of semiconductor elements 80 is pushed up using the protrusion pin 501 via the support sheet 10. At this time, the portion of the film-like adhesive 14 adhered to the back surface 80b is selectively cut by the shearing force pushed up by the protrusion pin 501. Further, the adhesion of the resin layer 50 to the side surface 80w of the semiconductor element 80 is weaker than the adhesion of the resin layer 50 to the back surface 80b of the semiconductor element 80 of the film-like adhesive 14, and the resin layer is caused by the shearing force of the protrusion pin 501. 50 is peeled off from the side surface 80w of the semiconductor element 80.

これにより、複数の半導体素子８０と樹脂層５０とが一体となった構造体は、裏面８０ｂにフィルム状接着剤１４が形成され、側面８０ｗが露出した半導体素子８０に個片化される。また、突き上げられた半導体素子８０の裏面８０ｂは、コレット５０２によって支持される。 As a result, the structure in which the plurality of semiconductor elements 80 and the resin layer 50 are integrated is separated into the semiconductor element 80 in which the film-like adhesive 14 is formed on the back surface 80b and the side surface 80w is exposed. Further, the back surface 80b of the pushed-up semiconductor element 80 is supported by the collet 502.

次に、裏面８０ｂがフィルム状接着剤１４で覆われた半導体素子８０が支持シート１０から離れるようにコレット５０２によってピックアップされる。この後、半導体素子８０は、コレット５０２等により所定の場所に搬送され、必要に応じて、半導体素子８０に実装工程等の後工程が施される。 Next, the semiconductor element 80 whose back surface 80b is covered with the film-like adhesive 14 is picked up by the collet 502 so as to be separated from the support sheet 10. After that, the semiconductor element 80 is conveyed to a predetermined place by a collet 502 or the like, and if necessary, the semiconductor element 80 is subjected to a post-process such as a mounting process.

［作用効果］ [Action effect]

変形例１においては、上記の作用効果に加えて、さらに次の作用効果を奏する。 In the first modification, in addition to the above-mentioned effects, the following effects are further exerted.

変形例１によれば、上記の作用効果のほか、保護膜形成用複合シート１に代えてフィルム状接着剤複合シート２を用いている。これにより、突上ピン５０１によるせん断力により、フィルム状接着剤１４を切断できる。すなわち、ダイシング刃、レーザ光等によって樹脂層５０及び保護膜形成用フィルム１３を切断する工程を設けることなく、裏面８０ｂにフィルム状接着剤１４が形成された半導体素子８０を形成することができる。 According to the first modification, in addition to the above-mentioned effects, the film-like adhesive composite sheet 2 is used instead of the protective film-forming composite sheet 1. As a result, the film-like adhesive 14 can be cut by the shearing force of the protrusion pin 501. That is, the semiconductor element 80 in which the film-like adhesive 14 is formed on the back surface 80b can be formed without providing the step of cutting the resin layer 50 and the protective film forming film 13 with a dicing blade, laser light, or the like.

［変形例２］ [Modification 2]

図６（ａ）〜図７（ｂ）は、本実施形態の半導体素子の製造方法の変形例２を説明する模式的断面図である。 6 (a) to 7 (b) are schematic cross-sectional views illustrating a second modification of the method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment.

図６（ａ）に示すように、接着剤面６１ａと、接着剤面６１ａとは反対側の非接着剤面６１ｂとを有する保護テープ６１（第２表面保護シート）に、半導体基板８が貼付される。保護テープ６１は、レーザ光等に対して透過性を有する。例えば、保護テープ６１の接着剤面６１ａに、半導体基板８の裏面８ｂが貼付される。また、保護テープ６１の周縁部には、図示されていないリングフレームが接着されている。また、半導体基板８及び保護テープ６１は、図示しない支持台に載置されている。 As shown in FIG. 6A, the semiconductor substrate 8 is attached to a protective tape 61 (second surface protective sheet) having an adhesive surface 61a and a non-adhesive surface 61b on the opposite side of the adhesive surface 61a. Will be done. The protective tape 61 has transparency to laser light and the like. For example, the back surface 8b of the semiconductor substrate 8 is attached to the adhesive surface 61a of the protective tape 61. A ring frame (not shown) is adhered to the peripheral edge of the protective tape 61. Further, the semiconductor substrate 8 and the protective tape 61 are placed on a support base (not shown).

次に、図６（ｂ）に示すように、半導体基板８の裏面８ｂに保護テープ６１を貼付した状態で、半導体基板８の裏面８ｂにレーザ光源９０を対向させる。続いて、保護テープ６１を介して半導体基板８の裏面８ｂの側から分割ライン８ｄの位置にレーザ光９１が照射される。これにより、半導体基板８の内部には、分割ライン８ｄの位置に半導体基板８を分割するための改質領域８ｍが形成される。 Next, as shown in FIG. 6B, the laser light source 90 is opposed to the back surface 8b of the semiconductor substrate 8 with the protective tape 61 attached to the back surface 8b of the semiconductor substrate 8. Subsequently, the laser beam 91 is irradiated from the back surface 8b side of the semiconductor substrate 8 to the position of the dividing line 8d via the protective tape 61. As a result, a modified region 8m for dividing the semiconductor substrate 8 is formed inside the semiconductor substrate 8 at the position of the dividing line 8d.

次に、保護テープ６１が保護テープ６１における面内方向に拡張されて、改質領域８ｍを起点として半導体基板８が劈開される。これにより、分割ライン８ｄを基準に半導体基板８が分割される。 Next, the protective tape 61 is expanded in the in-plane direction of the protective tape 61, and the semiconductor substrate 8 is cleaved starting from the modified region 8 m. As a result, the semiconductor substrate 8 is divided based on the division line 8d.

これにより、図６（ｃ）に示すように、保護テープ６１に互いに離間した複数の半導体素子８０が形成される。複数の半導体素子８０が面内方向において互いに離間する幅は、幅Ｗ１である。 As a result, as shown in FIG. 6C, a plurality of semiconductor elements 80 separated from each other are formed on the protective tape 61. The width at which the plurality of semiconductor elements 80 are separated from each other in the in-plane direction is the width W1.

次に、図７（ａ）に示すように、複数の半導体素子８０のそれぞれの表面８０ａにバックグラインドテープ６０が接着され、続いて、図７（ｂ）に示すように、保護テープ６１が複数の半導体素子８０から取り除かれる。これにより、複数の半導体素子８０は、バックグラインドテープ６０に支持されて、バックグラインドテープ６０に互いに離間した複数の半導体素子８０が形成される。 Next, as shown in FIG. 7 (a), the back grind tape 60 is adhered to each surface 80a of the plurality of semiconductor elements 80, and subsequently, as shown in FIG. 7 (b), a plurality of protective tapes 61 are provided. Is removed from the semiconductor element 80 of. As a result, the plurality of semiconductor elements 80 are supported by the back grind tape 60, and the plurality of semiconductor elements 80 separated from each other are formed on the back grind tape 60.

図７（ｂ）に示す状態からは、例えば、図２（ａ）〜図４までの処理がなされ、または、図５（ａ）〜図５（ｃ）の処理がなされる。 From the state shown in FIG. 7 (b), for example, the processes of FIGS. 2 (a) to 4 or the processes of FIGS. 5 (a) to 5 (c) are performed.

［作用効果］ [Action effect]

変形例２においては、上記の作用効果に加えて、さらに次の作用効果を奏する。 In the second modification, in addition to the above-mentioned effects, the following effects are further exerted.

変形例２においては、半導体基板８を劈開・分割する際に、バックグラインドテープ６０に代えて、保護テープ６１が用いられる。この場合、例えば、バックグラインドテープ６０の材料として剛性が高い材料が選択され、保護テープ６１の材料としては、バックグラインドテープ６０よりも剛性が弱く伸縮性に優れた材料が選択される。 In the second modification, the protective tape 61 is used instead of the back grind tape 60 when the semiconductor substrate 8 is cleaved and divided. In this case, for example, a material having high rigidity is selected as the material of the back grind tape 60, and a material having lower rigidity and excellent elasticity than the back grind tape 60 is selected as the material of the protective tape 61.

つまり、半導体基板８を劈開・分割する工程では、伸縮性に優れた保護テープ６１が適用され、保護層５０のダイシング工程では、バックグラインドテープ６０が適用される。バックグラインドテープ６０は、半導体素子８０及び保護層５０の研削時に優れた剛性を有し、ダイシング性にも優れる。 That is, in the step of opening and splitting the semiconductor substrate 8, the protective tape 61 having excellent elasticity is applied, and in the dicing step of the protective layer 50, the back grind tape 60 is applied. The back grind tape 60 has excellent rigidity when grinding the semiconductor element 80 and the protective layer 50, and is also excellent in dicing property.

このような方法によれば、半導体基板８の分割工程及び保護層５０のダイシング工程のそれぞれに適したテープを選択することにより、それぞれの処理を最適に処理することができる。 According to such a method, each process can be optimally processed by selecting a tape suitable for each of the partitioning process of the semiconductor substrate 8 and the dicing process of the protective layer 50.

［変形例３］ [Modification 3]

図８（ａ）及び図８（ｂ）は、本実施形態の半導体素子の製造方法の変形例３を説明する模式的断面図である。 8 (a) and 8 (b) are schematic cross-sectional views for explaining a modification 3 of the method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment.

半導体基板８の分割は、改質領域８ｍを形成してからのバックグラインドテープ６０を拡張する手法に限らない。例えば、半導体基板８の裏面８ｂから表面８ａにまでダイシングブレードまたはレーザ光を貫通させることにより、バックグラインドテープ６０に互いに離間した複数の半導体素子８０を形成してもよい。 The division of the semiconductor substrate 8 is not limited to the method of expanding the back grind tape 60 after forming the modified region 8 m. For example, a plurality of semiconductor elements 80 separated from each other may be formed on the back grind tape 60 by penetrating the dicing blade or the laser beam from the back surface 8b to the front surface 8a of the semiconductor substrate 8.

例えば、図８（ａ）に示すように、半導体基板８の分割ライン８ｄにダイシングブレード５０３で切り込みを入れ、半導体基板８をダイシングブレード５０３で切断することにより半導体基板８を分割してもよい。 For example, as shown in FIG. 8A, the semiconductor substrate 8 may be divided by making a notch in the dividing line 8d of the semiconductor substrate 8 with the dicing blade 503 and cutting the semiconductor substrate 8 with the dicing blade 503.

あるいは、図８（ｂ）に示すように、レーザ光源５０４から出射されたレーザ光５０５を分割ライン８ｄに沿って照射し、半導体基板８をレーザ光５０５で切断することにより半導体基板８を分割してもよい。 Alternatively, as shown in FIG. 8B, the semiconductor substrate 8 is divided by irradiating the laser beam 505 emitted from the laser light source 504 along the dividing line 8d and cutting the semiconductor substrate 8 with the laser beam 505. You may.

また、必要に応じて、ダイシングブレード５０３またはレーザ光５０５で半導体基板８を切断した後に、バックグラインドテープ６０を拡張し、個々の半導体素子８０間の距離を調整してもよい。 Further, if necessary, after cutting the semiconductor substrate 8 with the dicing blade 503 or the laser beam 505, the back grind tape 60 may be expanded to adjust the distance between the individual semiconductor elements 80.

この後は、図８（ａ）または図８（ｂ）に示す状態からは、例えば、図２（ａ）〜図４までの処理がなされ、または、図５（ａ）〜図５（ｃ）の処理がなされる。 After that, from the state shown in FIG. 8 (a) or FIG. 8 (b), for example, the processes of FIGS. 2 (a) to 4 are performed, or FIGS. 5 (a) to 5 (c) are performed. Is processed.

［作用効果］ [Action effect]

図８（ａ）に示すダイシングブレード５０３を用いた場合は、ダイシングブレード５０３が所定の幅を有するため、ダイシングブレード５０３での切断が終了した後に、劈開工程なしで個々の半導体素子８０間が所定の距離を隔てる。また、レーザ光５０５を用いた場合は、レーザ光５０５の走査により、劈開工程なしで、個々の半導体素子８０間が所定の距離を隔てる。 When the dicing blade 503 shown in FIG. 8A is used, since the dicing blade 503 has a predetermined width, the distance between the individual semiconductor elements 80 is predetermined without the cleavage step after the cutting by the dicing blade 503 is completed. Separate the distance. Further, when the laser beam 505 is used, the individual semiconductor elements 80 are separated by a predetermined distance by scanning the laser beam 505 without a cleavage step.

バックグラインドテープ６０は、伸縮性よりも剛性に優れた材料で構成され、ダイシングブレード５０３またはレーザ光５０５により損傷を受けにくくなっている。これにより、バックグラインドテープ６０上で半導体基板８が確実に研削される。特に、伸縮性よりも剛性を優先させたバックグラインドテープ６０では、ダイシングブレード５０３またはレーザ光５０５による切断中、バックグラインドテープ６０の中央部での垂れ下がりが少なく、半導体基板８を平坦に保持する。 The back grind tape 60 is made of a material having higher rigidity than elasticity, and is less likely to be damaged by the dicing blade 503 or the laser beam 505. As a result, the semiconductor substrate 8 is reliably ground on the back grind tape 60. In particular, in the back grind tape 60 in which rigidity is prioritized over elasticity, the semiconductor substrate 8 is held flat with less sagging at the central portion of the back grind tape 60 during cutting by the dicing blade 503 or the laser beam 505.

このように、伸縮性よりも剛性を優先させたバックグラインドテープ６０を用いる場合に変形例３は有効である。 As described above, the modification 3 is effective when the back grind tape 60 in which the rigidity is prioritized over the elasticity is used.

本実施形態で用いられる各部材の材料は、以下の通りである。 The materials of each member used in this embodiment are as follows.

［樹脂層］ [Resin layer]

樹脂層５０は、重合体成分（Ａ）及び熱硬化性成分（Ｂ）を含有する熱硬化性樹脂組成物等があげられる。 Examples of the resin layer 50 include a thermosetting resin composition containing a polymer component (A) and a thermosetting component (B).

重合体成分（Ａ）としては、例えば、アクリル系樹脂（（メタ）アクリロイル基を有する樹脂）、ポリエステル、ウレタン系樹脂（ウレタン結合を有する樹脂）、アクリルウレタン樹脂、シリコーン系樹脂（シロキサン結合を有する樹脂）、ゴム系樹脂（ゴム構造を有する樹脂）、フェノキシ樹脂、及び熱硬化性ポリイミド等が挙げられ、アクリル系樹脂が好ましい。 Examples of the polymer component (A) include acrylic resin (resin having (meth) acryloyl group), polyester, urethane resin (resin having urethane bond), acrylic urethane resin, and silicone resin (having siloxane bond). Resin), rubber-based resin (resin having a rubber structure), phenoxy resin, thermosetting polyimide and the like, and acrylic resin is preferable.

熱硬化性成分（Ｂ）としては、例えば、エポキシ系熱硬化性樹脂、熱硬化性ポリイミド、ポリウレタン、不飽和ポリエステル、及びシリコーン樹脂等があげられ、エポキシ系熱硬化性樹脂が好ましい。 Examples of the thermosetting component (B) include epoxy-based thermosetting resins, thermosetting polyimides, polyurethanes, unsaturated polyesters, and silicone resins, and epoxy-based thermosetting resins are preferable.

［バックグラインドテープ］ [Backgrind tape]

バックグラインドテープは、基材と、基材の少なくとも一方の面側に設けられた緩衝層と、基材の他方の面側に設けられた粘着剤層とを含む積層体からなる。 The backgrinding tape is composed of a laminate including a base material, a buffer layer provided on at least one surface side of the base material, and an adhesive layer provided on the other surface side of the base material.

基材の材質としては、上記物性を満たすものであれば特に限定されず、種々の樹脂フィルムを用いることができる。ここで、２３℃におけるヤング率が１０００ＭＰａ以上の基材として、たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、全芳香族ポリエステル等のポリエステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、変性ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルケトン、二軸延伸ポリプロピレン等の樹脂フィルムがあげられる。 The material of the base material is not particularly limited as long as it satisfies the above physical characteristics, and various resin films can be used. Here, as a base material having a Young ratio of 1000 MPa or more at 23 ° C., for example, polyesters such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, and total aromatic polyester, polyimide, polyamide, polycarbonate, polyacetal, modified polyphenylene oxide, and polyphenylene sulfide. , Polysulfone, polyether ketone, biaxially stretched polypropylene and other resin films.

緩衝層は、エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物から形成される層、または、ポリオレフィン樹脂フィルムを含む層であることが好ましい。 The buffer layer is preferably a layer formed from a composition for forming a buffer layer containing an energy ray-polymerizable compound, or a layer containing a polyolefin resin film.

粘着剤層の材質は、例えば、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤等から形成されるが、アクリル系粘着剤が好ましい。 The material of the pressure-sensitive adhesive layer is formed of, for example, an acrylic pressure-sensitive adhesive, a urethane-based pressure-sensitive adhesive, a rubber-based pressure-sensitive adhesive, a silicone-based pressure-sensitive adhesive, or the like, and an acrylic-based pressure-sensitive adhesive is preferable.

［保護膜形成用複合シート］ [Composite sheet for forming protective film]

保護膜形成用複合シートは、支持シートと、保護膜形成用フィルムとを有する。支持シートは、基材と、粘着剤層とを有する。 The composite sheet for forming a protective film has a support sheet and a film for forming a protective film. The support sheet has a base material and an adhesive layer.

［基材］ [Base material]

基材は、シート状、またはフィルム状であり、その構成材料としては、例えば、各種樹脂があげられる。 The base material is in the form of a sheet or a film, and examples of the constituent material thereof include various resins.

樹脂としては、以下のものがあげられる。例えば、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）等のポリエチレン；ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ノルボルネン樹脂等のポリエチレン以外のポリオレフィン；エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体、エチレン−ノルボルネン共重合体等のエチレン系共重合体（モノマーとしてエチレンを用いて得られた共重合体）；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂（モノマーとして塩化ビニルを用いて得られた樹脂）；ポリスチレン；ポリシクロオレフィン；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレート、すべての構成単位が芳香族環式基を有する全芳香族ポリエステル等のポリエステル；２種以上のポリエステルの共重合体；ポリ（メタ）アクリル酸エステル；ポリウレタン；ポリウレタンアクリレート；ポリイミド；ポリアミド；ポリカーボネート；フッ素樹脂；ポリアセタール；変性ポリフェニレンオキシド；ポリフェニレンスルフィド；ポリスルホン；ポリエーテルケトン等があげられる。 Examples of the resin include the following. For example, polyethylene such as low density polyethylene (LDPE), linear low density polyethylene (LLDPE), high density polyethylene (HDPE); polymers other than polyethylene such as polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, norbornene resin; ethylene-acetic acid. Obtained from ethylene-based copolymers (obtained using ethylene as a monomer) such as vinyl copolymers, ethylene- (meth) acrylic acid copolymers, ethylene- (meth) acrylic acid ester copolymers, and ethylene-norbornene copolymers. Polymer); Vinyl chloride resin such as polyvinyl chloride and vinyl chloride copolymer (resin obtained by using vinyl chloride as a monomer); Polystyrene; Polycycloolefin; Polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene Polyesters such as terephthalate, polyethylene isophthalate, polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate, all aromatic polyesters in which all constituent units have aromatic cyclic groups; copolymers of two or more polyesters; poly (meth) ) Acrylic acid ester; polyurethane; polyurethane acrylate; polyimide; polyamide; polycarbonate; fluororesin; polyacetal; modified polyphenylene oxide; polyphenylene sulfide; polysulfone; polyether ketone and the like.

また、樹脂としては、例えば、ポリエステルとそれ以外の樹脂との混合物等のポリマーアロイもあげられる。ポリエステルとそれ以外の樹脂とのポリマーアロイは、ポリエステル以外の樹脂の量が比較的少量であるものが好ましい。また、樹脂としては、例えば、ここまでに例示した樹脂の１種または２種以上が架橋した架橋樹脂；ここまでに例示した樹脂の１種または２種以上を用いたアイオノマー等の変性樹脂もあげられる。 Further, examples of the resin include polymer alloys such as a mixture of polyester and other resins. The polymer alloy of the polyester and the resin other than the polyester preferably has a relatively small amount of the resin other than the polyester. Examples of the resin include crosslinked resins in which one or more of the resins exemplified so far are crosslinked; and modified resins such as ionomers using one or more of the resins exemplified so far. Be done.

本明細書において、「（メタ）アクリル酸」とは、「アクリル酸」及び「メタクリル酸」の両方を包含する概念とする。（メタ）アクリル酸と類似の用語についても同様である。 In the present specification, "(meth) acrylic acid" is a concept that includes both "acrylic acid" and "methacrylic acid". The same applies to terms similar to (meth) acrylic acid.

基材を構成する樹脂は、１種のみでもよいし、２種以上でもよい。２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。基材は１層（単層）からなるものでもよいし、２層以上の複数層からなるものでもよい。複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。 The resin constituting the base material may be only one type or two or more types. When there are two or more types, their combinations and ratios can be arbitrarily selected. The base material may be composed of one layer (single layer) or may be composed of two or more layers. When composed of a plurality of layers, the plurality of layers may be the same or different from each other, and the combination of the plurality of layers is not particularly limited.

［粘着剤層］ [Adhesive layer]

粘着剤層は、シート状又はフィルム状であり、粘着剤を含有する。粘着剤としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹脂、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリビニルエーテル、ポリカーボネート、エステル系樹脂等の粘着性樹脂があげられ、アクリル系樹脂が好ましい。 The pressure-sensitive adhesive layer is in the form of a sheet or a film and contains a pressure-sensitive adhesive. Examples of the pressure-sensitive adhesive include adhesive resins such as acrylic resin, urethane resin, rubber resin, silicone resin, epoxy resin, polyvinyl ether, polycarbonate, and ester resin, and acrylic resin is preferable.

「粘着性樹脂」とは、粘着性を有する樹脂と、接着性を有する樹脂と、の両方を含む概念である。例えば、樹脂自体が粘着性を有するものだけでなく、添加剤等のほかの成分との併用により粘着性を示す樹脂や、熱又は水等のトリガーの存在によって接着性を示す樹脂等も含む。 The "adhesive resin" is a concept including both a resin having adhesiveness and a resin having adhesiveness. For example, not only the resin itself has adhesiveness, but also a resin that exhibits adhesiveness when used in combination with other components such as additives, and a resin that exhibits adhesiveness due to the presence of a trigger such as heat or water.

粘着剤層は１層（単層）からなるものでもよいし、２層以上の複数層からなるものでもよい。複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。 The pressure-sensitive adhesive layer may be composed of one layer (single layer) or may be composed of two or more layers. When composed of a plurality of layers, the plurality of layers may be the same or different from each other, and the combination of the plurality of layers is not particularly limited.

粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤を用いて形成されたものでもよいし、非エネルギー線硬化性粘着剤を用いて形成されたものでもよい。エネルギー線硬化性の粘着剤を用いて形成された粘着剤層は、硬化前及び硬化後での物性を、容易に調節できる。 The pressure-sensitive adhesive layer may be formed by using an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive or may be formed by using a non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive. The pressure-sensitive adhesive layer formed by using the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive can easily adjust the physical properties before and after curing.

［保護膜形成用フィルム］ [Film for forming protective film]

保護膜形成用フィルムは、エネルギー線硬化性を有するフィルムである。保護膜形成用フィルムとしては、例えば、エネルギー線硬化性成分（ａ）を含有するものがあげられ、さらに、エネルギー線硬化性基を有しない重合体（ｂ）、及び帯電防止剤（ｊ）を含有するものが好ましい。 The protective film forming film is a film having energy ray curability. Examples of the film for forming a protective film include those containing an energy ray-curable component (a), and further, a polymer (b) having no energy ray-curable group and an antistatic agent (j). Those containing are preferable.

エネルギー線硬化性成分（ａ）としては、例えば、エネルギー線硬化性基を有する、重量平均分子量が８００００〜２００００００の重合体（ａ１）、及びエネルギー線硬化性基を有する、分子量が１００〜８００００の化合物（ａ２）があげられる。重合体（ａ１）は、その少なくとも一部が、後述する架橋剤（ｆ）によって架橋されたものであってもよいし、架橋されていないものであってもよい。 Examples of the energy ray-curable component (a) include a polymer (a1) having an energy ray-curable group and having a weight average molecular weight of 80,000 to 2000000, and an energy ray-curable group having a molecular weight of 100 to 80,000. The compound (a2) can be mentioned. At least a part of the polymer (a1) may be crosslinked by a crosslinking agent (f) described later, or may not be crosslinked.

重合体（ａ１）としては、例えば、他の化合物が有する基と反応可能な官能基を有するアクリル系重合体（ａ１１）と、前記官能基と反応する基、及びエネルギー線硬化性二重結合等のエネルギー線硬化性基を有するエネルギー線硬化性化合物（ａ１２）と、が重合してなるアクリル系樹脂（ａ１−１）があげられる。 Examples of the polymer (a1) include an acrylic polymer (a11) having a functional group capable of reacting with a group of another compound, a group reacting with the functional group, and an energy ray-curable double bond. Examples thereof include an acrylic resin (a1-1) obtained by polymerizing an energy ray-curable compound (a12) having an energy ray-curable group of.

アクリル系重合体（ａ１１）としては、例えば、官能基を有するアクリル系モノマーと、官能基を有しないアクリル系モノマーと、が共重合してなるものがあげられる。これらモノマー以外に、さらにアクリル系モノマー以外のモノマー（非アクリル系モノマー）が共重合したものであってもよい。また、アクリル系重合体（ａ１１）は、ランダム共重合体であってもよいし、ブロック共重合体であってもよい。 Examples of the acrylic polymer (a11) include those obtained by copolymerizing an acrylic monomer having a functional group and an acrylic monomer having no functional group. In addition to these monomers, a monomer other than the acrylic monomer (non-acrylic monomer) may be copolymerized. Further, the acrylic polymer (a11) may be a random copolymer or a block copolymer.

エネルギー線硬化性化合物（ａ１２）は、アクリル系重合体（ａ１１）が有する官能基と反応可能な基として、イソシアネート基、エポキシ基及びカルボキシ基からなる群より選択される１種又は２種以上を有するものが好ましく、前記基としてイソシアネート基を有するものがより好ましい。エネルギー線硬化性化合物（ａ１２）は、例えば、前記基としてイソシアネート基を有する場合、このイソシアネート基が、前記官能基として水酸基を有するアクリル系重合体（ａ１１）のこの水酸基と容易に反応する。 The energy ray-curable compound (a12) is one or more selected from the group consisting of an isocyanate group, an epoxy group and a carboxy group as a group capable of reacting with the functional group of the acrylic polymer (a11). Those having an isocyanate group are preferable, and those having an isocyanate group as the group are more preferable. For example, when the energy ray-curable compound (a12) has an isocyanate group as the group, the isocyanate group easily reacts with the hydroxyl group of the acrylic polymer (a11) having a hydroxyl group as the functional group.

化合物（ａ２）が有するエネルギー線硬化性基としては、エネルギー線硬化性二重結合を含む基があげられる。好ましいものとしては、（メタ）アクリロイル基、ビニル基等があげられる。化合物（ａ２）は、上記の条件を満たすものであれば、特に限定されない。但し、エネルギー線硬化性基を有する低分子量化合物、エネルギー線硬化性基を有するエポキシ樹脂、エネルギー線硬化性基を有するフェノール樹脂等があげられる。 Examples of the energy ray-curable group contained in the compound (a2) include a group containing an energy ray-curable double bond. Preferred are (meth) acryloyl group, vinyl group and the like. The compound (a2) is not particularly limited as long as it satisfies the above conditions. However, examples thereof include low molecular weight compounds having an energy ray-curable group, epoxy resins having an energy ray-curable group, and phenol resins having an energy ray-curable group.

重合体（ｂ）としては、例えば、アクリル系重合体、フェノキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル、ゴム系樹脂、アクリルウレタン樹脂、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ブチラール樹脂、ポリエステルウレタン樹脂等があげられる。 Examples of the polymer (b) include acrylic polymers, phenoxy resins, urethane resins, polyesters, rubber resins, acrylic urethane resins, polyvinyl alcohol (PVA), butyral resins, polyester urethane resins and the like.

帯電防止剤（ｊ）は、保護膜形成フィルムの表面抵抗率を所望の値に調節することができるものであれば良く、特に限定されない。例えば、アニオン系界面活性剤系帯電防止剤、カチオン系界面活性剤系帯電防止剤、ノニオン系界面活性剤系帯電防止剤、両イオン系界面活性剤系帯電防止剤、及び、非イオン系界面活性剤系帯電防止剤からなる群から選択される少なくとも１種などがあげられる。 The antistatic agent (j) is not particularly limited as long as it can adjust the surface resistivity of the protective film-forming film to a desired value. For example, anionic surfactant-based antistatic agents, cationic surfactant-based antistatic agents, nonionic surfactant-based antistatic agents, amphoteric surfactant-based antistatic agents, and nonionic surfactants. At least one selected from the group consisting of agent-based antistatic agents and the like can be mentioned.

保護膜形成用フィルムは、充填材（ｄ）を含有することにより、保護膜形成用フィルムを硬化して得られた保護膜の熱膨張係数の調整が容易となる。その結果、この熱膨張係数を保護膜の形成対象物に対して最適化することで、半導体素子のパッケージの信頼性がより向上する。また、保護膜形成用フィルムが充填材（ｄ）を含有することにより、保護膜の吸湿率を低減したり、放熱性を向上させたりすることもできる。 By containing the filler (d) in the protective film-forming film, it becomes easy to adjust the coefficient of thermal expansion of the protective film obtained by curing the protective film-forming film. As a result, by optimizing this coefficient of thermal expansion for the object to be formed of the protective film, the reliability of the semiconductor device package is further improved. Further, when the protective film forming film contains the filler (d), the hygroscopicity of the protective film can be reduced and the heat dissipation can be improved.

充填材（ｄ）としては、例えば、熱伝導性材料からなるものがあげられる。充填材（ｄ）は、有機充填材及び無機充填材のいずれでもよいが、無機充填材であることが好ましい。好ましい無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化ケイ素、窒化ホウ素等の粉末；これら無機充填材を球形化したビーズ；これら無機充填材の表面改質品；これら無機充填材の単結晶繊維；ガラス繊維等があげられる。 Examples of the filler (d) include those made of a heat conductive material. The filler (d) may be either an organic filler or an inorganic filler, but is preferably an inorganic filler. Preferred inorganic fillers include, for example, powders of silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium white, red iron oxide, silicon carbide, boron nitride and the like; spherical beads of these inorganic fillers; surface modification of these inorganic fillers. Goods; Single crystal fibers of these inorganic fillers; Glass fibers and the like.

［フィルム状接着剤］ [Film-like adhesive]

フィルム状接着剤は、その構成材料を含有した接着剤組成物から形成できる。好ましい接着剤組成物としては、例えば、重合体成分（ａ）及びエポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）を含有する組成物があげられる。 The film-like adhesive can be formed from an adhesive composition containing its constituent materials. Preferred adhesive compositions include, for example, compositions containing a polymer component (a) and an epoxy-based thermosetting resin (b).

重合体成分（ａ）としては、例えば、アクリル系樹脂（例えば、（メタ）アクリロイル基を有する樹脂）、ポリエステル、ウレタン系樹脂（例えば、ウレタン結合を有する樹脂）、アクリルウレタン樹脂、シリコーン系樹脂（例えば、シロキサン結合を有する樹脂）、ゴム系樹脂（例えば、ゴム構造を有する樹脂）、フェノキシ樹脂、熱硬化性ポリイミド等があげられ、アクリル系樹脂が好ましい。 Examples of the polymer component (a) include an acrylic resin (for example, a resin having a (meth) acryloyl group), a polyester, a urethane resin (for example, a resin having a urethane bond), an acrylic urethane resin, and a silicone resin (for example, a resin having a urethane bond). For example, a resin having a siloxane bond), a rubber resin (for example, a resin having a rubber structure), a phenoxy resin, a thermosetting polyimide and the like can be mentioned, and an acrylic resin is preferable.

エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）は、エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）からなる。 The epoxy-based thermosetting resin (b) is composed of an epoxy resin (b1) and a thermosetting agent (b2).

エポキシ樹脂（ｂ１）としては、公知のものがあげられ、例えば、多官能系エポキシ樹脂、ビフェニル化合物、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル及びその水添物、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂等、２官能以上のエポキシ化合物があげられる。 Examples of the epoxy resin (b1) include known ones, such as polyfunctional epoxy resin, biphenyl compound, bisphenol A diglycidyl ether and its hydrogenated product, orthocresol novolac epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, and the like. Biphenyl type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenylene skeleton type epoxy resin, and other bifunctional or higher functional epoxy compounds can be mentioned.

熱硬化剤（ｂ２）としては、例えば、１分子中にエポキシ基と反応し得る官能基を２個以上有する化合物があげられる。前記官能基としては、例えば、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシ基、酸基が無水物化された基等があげられ、フェノール性水酸基、アミノ基、又は酸基が無水物化された基であることが好ましく、フェノール性水酸基又はアミノ基であることがより好ましい。 Examples of the thermosetting agent (b2) include compounds having two or more functional groups capable of reacting with epoxy groups in one molecule. Examples of the functional group include a phenolic hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, an amino group, a carboxy group, a group in which an acid group is anhydrous, and the phenolic hydroxyl group, an amino group, or an acid group is anhydrous. It is preferably a group, more preferably a phenolic hydroxyl group or an amino group.

フィルム状接着剤は、充填材（ｄ）を含有することにより、その熱膨張係数の調整が容易となり、この熱膨張係数をフィルム状接着剤の貼付対象物に対して最適化することで、半導体素子のパッケージの信頼性がより向上する。また、フィルム状接着剤は、充填材（ｄ）を含有することにより、硬化後のフィルム状接着剤の吸湿率を低減したり、放熱性を向上させたりすることもできる。 By containing the filler (d), the film-like adhesive makes it easy to adjust its coefficient of thermal expansion, and by optimizing this coefficient of thermal expansion for the object to which the film-like adhesive is attached, the semiconductor The reliability of the device package is further improved. Further, by containing the filler (d) in the film-like adhesive, it is possible to reduce the hygroscopicity of the film-like adhesive after curing and improve the heat dissipation.

充填材（ｄ）は、有機充填材及び無機充填材のいずれでもよいが、無機充填材であることが好ましい。好ましい無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化ケイ素、窒化ホウ素等の粉末；これら無機充填材を球形化したビーズ；これら無機充填材の表面改質品；これら無機充填材の単結晶繊維；ガラス繊維等があげられる。 The filler (d) may be either an organic filler or an inorganic filler, but is preferably an inorganic filler. Preferred inorganic fillers include, for example, powders of silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium white, red iron oxide, silicon carbide, boron nitride and the like; spherical beads of these inorganic fillers; surface modification of these inorganic fillers. Goods; Single crystal fibers of these inorganic fillers; Glass fibers and the like.

［保護テープ］ [Protective tape]

保護テープ６１は、基材及び粘着剤層からなる。 The protective tape 61 is composed of a base material and an adhesive layer.

基材は、その構成材料は、特に限定はされず、樹脂系の材料を主材とするフィルムから構成される。そのフィルムの具体例として、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）フィルム、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）フィルム、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）フィルム等のポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、エチレン−ノルボルネン共重合体フィルム、ノルボルネン樹脂フィルム等のポリオレフィン系フィルム；ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム等のポリ塩化ビニル系フィルム；ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム；ポリウレタンフィルム；ポリイミドフィルム；アイオノマー樹脂フィルム；エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム等のエチレン系共重合フィルム；ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム；フッ素樹脂フィルム；ならびにこれらの樹脂の水添加物及び変性物を主材とするフィルムなどがあげられる。またこれらの架橋フィルム、共重合体フィルムも用いられる。上記の基材２は１種単独でもよいし、さらにこれらを２種類以上組み合わせた積層フィルムであってもよい。 The constituent material of the base material is not particularly limited, and the base material is composed of a film whose main material is a resin-based material. Specific examples of the film include polyethylene films such as low-density polyethylene (LDPE) film, linear low-density polyethylene (LLDPE) film, and high-density polyethylene (HDPE) film, polypropylene film, polybutene film, polybutadiene film, and polymethylpentene film. Polyvinyl chloride film such as ethylene-norbornene copolymer film and norbornene resin film; polyvinyl chloride film such as polyvinyl chloride film and vinyl chloride copolymer film; polyester film such as polyethylene terephthalate film and polybutylene terephthalate film. Polyurethane film; Polyimide film; Ionomer resin film; Ethylene-vinyl acetate copolymer film, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer film, ethylene- (meth) acrylic acid ester copolymer film, etc. Examples thereof include films; polystyrene films, polycarbonate films; fluororesin films; and films containing water additives and modified products of these resins as main materials. Further, these crosslinked films and copolymer films are also used. The above-mentioned base material 2 may be a single type, or may be a laminated film in which two or more types are combined.

粘着剤層は、アクリル系重合体（Ａ）、エネルギー線重合性化合物（Ｂ）及び粘着付与樹脂（Ｃ）などを含有する粘着剤組成物から形成される。 The pressure-sensitive adhesive layer is formed of a pressure-sensitive adhesive composition containing an acrylic polymer (A), an energy ray-polymerizable compound (B), a pressure-sensitive adhesive resin (C), and the like.

以下、実施例等により本実施形態をさらに具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例等に限定されるものではない。 Hereinafter, the present embodiment will be described in more detail with reference to Examples and the like, but the scope of the present invention is not limited to these Examples and the like.

［実施例１］ [Example 1]

半導体素子は、バックグラインドテープの半導体基板への貼付、改質領域の形成、バックグラインドテープの拡張、樹脂層の形成、樹脂層及び半導体基板の研削、保護膜形成用複合シートの貼付、ダイシング、ピックアップの順で作製した。 Semiconductor elements include back grind tape attachment to semiconductor substrates, formation of modified regions, expansion of back grind tape, formation of resin layers, grinding of resin layers and semiconductor substrates, attachment of composite sheets for forming protective films, dicing, etc. It was made in the order of pickup.

［バックグラインドテープの半導体基板への貼付］ [Attachment of back grind tape to semiconductor substrate]

（バックグラインドテープ（第１表面保護シート）） (Back grind tape (first surface protection sheet))

バックグラインドテープとしては、緩衝層／基材／粘着剤層の積層型のバックグラインドテープを用いた。 As the back grind tape, a laminated back grind tape having a buffer layer / base material / adhesive layer was used.

バックグラインドテープの基材としては、両面易接着層付ＰＥＴフィルム（東洋紡社製コスモシャインＡ４３００、厚み：５０μｍ、２３℃におけるヤング率：２５５０ＭＰａ）を用いた。 As the base material of the back grind tape, a PET film with a double-sided easy-adhesion layer (Cosmo Shine A4300 manufactured by Toyobo Co., Ltd., thickness: 50 μm, Young's modulus at 23 ° C.: 2550 MPa) was used.

緩衝層の調整として、まず、ウレタンアクリレート系オリゴマーの合成を行った。ポリカーボネートジオールと、イソホロンジイソシアネートとを反応させて得られた末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、２−ヒドロキシエチルアクリレートを反応させて、重量平均分子量（Ｍｗ）が約５０００のウレタンアクリレート系オリゴマー（ＵＡ−１）を得た。 To prepare the buffer layer, first, a urethane acrylate-based oligomer was synthesized. A urethane acrylate-based oligomer (UA-1) having a weight average molecular weight (Mw) of about 5000 by reacting 2-hydroxyethyl acrylate with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a polycarbonate diol with isophorone diisocyanate. Got

次に、ウレタンアクリレート系オリゴマー（ＵＡ−１）５０質量部、イソボルニルアクリレート（ＩＢＸＡ）３０質量部、テトラヒドロフルフリルアクリレート（ＴＨＦＡ）４０質量部、及び、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（ＤＰＨＡ）１５質量部を配合し、さらに光重合開始剤としての２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン（ＢＡＳＦジャパン社製、製品名「イルガキュア１１７３」）１．０質量部を配合し、緩衝層を調製した。 Next, 50 parts by mass of urethane acrylate-based oligomer (UA-1), 30 parts by mass of isobornyl acrylate (IBXA), 40 parts by mass of tetrahydrofurfuryl acrylate (THFA), and 15 parts by mass of dipentaerythritol hexaacrylate (DPHA). In addition, 1.0 part by mass of 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propane-1-one (manufactured by BASF Japan, product name "Irgacure 1173") as a photopolymerization initiator is added. , A buffer layer was prepared.

粘着剤層の調整として、まず、ｎ−ブチルアクリレート（ＢＡ）５２質量部、メチルメタクリレート（ＭＭＡ）２０質量部、及び２−ヒドロキシエチルアクリレート（２ＨＥＡ）２８質量部を共重合して得たアクリル系重合体に、アクリル系重合体の全水酸基のうち９０モル％の水酸基に付加するように、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）を反応させて、エネルギー線硬化性のアクリル系樹脂（Ｍｗ：５０万）を得た。 To prepare the pressure-sensitive adhesive layer, first, an acrylic system obtained by copolymerizing 52 parts by mass of n-butyl acrylate (BA), 20 parts by mass of methyl methacrylate (MMA), and 28 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (2HEA). 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI) is reacted with the polymer so as to add 90 mol% of the total hydroxyl groups of the acrylic polymer to an energy ray-curable acrylic resin (Mw: 50). I got).

このエネルギー線硬化性のアクリル系樹脂１００質量部に、エネルギー線硬化性化合物である多官能ウレタンアクリレートを６質量部、イソシアネート系架橋剤（東ソー社製、製品名「コロネートＬ」）を１質量部、光重合開始剤としてビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシドを１質量部配合し、メチルエチルケトンで希釈し、固形分濃度３２質量％の粘着剤組成物の塗工液を調製した。 To 100 parts by mass of this energy ray-curable acrylic resin, 6 parts by mass of polyfunctional urethane acrylate, which is an energy ray-curable compound, and 1 part by mass of an isocyanate-based cross-linking agent (manufactured by Toso Co., Ltd., product name "Coronate L"). , 1 part by mass of bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide as a photopolymerization initiator is blended and diluted with methyl ethyl ketone to prepare a coating liquid for a pressure-sensitive adhesive composition having a solid content concentration of 32% by mass. did.

（粘着テープの作製） (Making adhesive tape)

剥離シート（リンテック社製、商品名「ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１」）の剥離処理面に、上記で得た粘着剤組成物の塗工液を塗工し、加熱乾燥させて、剥離シート上に厚さが３０μｍの粘着剤層を形成した。 The peeling-treated surface of the peeling sheet (manufactured by Lintec Corporation, trade name "SP-PET38131") is coated with the coating liquid of the pressure-sensitive adhesive composition obtained above, and dried by heating to increase the thickness on the peeling sheet. A 30 μm pressure-sensitive adhesive layer was formed.

また、別の剥離シート（リンテック社製、商品名「ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１」）の剥離処理面に、緩衝層形成用組成物を塗布し、塗布膜を形成した。次いで、この塗布膜に対して、紫外線を照射し、塗布膜を半硬化して厚さが５３μｍの緩衝層形成膜を形成した。 Further, the composition for forming a buffer layer was applied to the peeling-treated surface of another peeling sheet (manufactured by Lintec Corporation, trade name "SP-PET38131") to form a coating film. Next, the coating film was irradiated with ultraviolet rays, and the coating film was semi-cured to form a buffer layer forming film having a thickness of 53 μm.

なお、上記の紫外線照射は、ベルトコンベア式紫外線照射装置（アイグラフィックス社製、装置名「ＵＳ２−０８０１」）及び高圧水銀ランプ（アイグラフィックス社製、装置名「Ｈ０８−Ｌ４１」）を使用し、ランプ高さ２３０ｍｍ、出力８０ｍＷ／ｃｍ、光線波長３６５ｎｍの照度９０ｍＷ／ｃｍ^２、照射量５０ｍＪ／ｃｍ^２の照射条件下にて行った。 For the above ultraviolet irradiation, a belt conveyor type ultraviolet irradiation device (manufactured by Eye Graphics, device name "US2-0801") and a high-pressure mercury lamp (manufactured by Eye Graphics, device name "H08-L41") are used. The irradiation was performed under irradiation conditions of a lamp height of 230 mm, an output of 80 mW / cm, a light wavelength of 365 nm, an illuminance of 90 mW / cm ² , and an irradiation amount of 50 mJ / cm ^2.

そして、形成した緩衝層形成膜の表面と、基材とを貼り合わせ、緩衝層形成膜上の剥離シート側から再度紫外線を照射して、当該緩衝層形成膜を完全に硬化させ、厚さ５３μｍの緩衝層を形成した。なお、上記の紫外線照射は、上述の紫外線照射装置及び高圧水銀ランプを使用し、ランプ高さ２２０ｍｍ、換算出力１２０ｍＷ／ｃｍ、光線波長３６５ｎｍの照度１６０ｍＷ／ｃｍ^２、照射量３５０ｍＪ／ｃｍ^２の照射条件下にて行った。 Then, the surface of the formed buffer layer forming film and the base material are bonded to each other, and ultraviolet rays are irradiated again from the release sheet side on the buffer layer forming film to completely cure the buffer layer forming film, and the thickness is 53 μm. A buffer layer was formed. The above-mentioned ultraviolet irradiation uses the above-mentioned ultraviolet irradiation device and high-pressure mercury lamp, and irradiates with a lamp height of 220 mm, a conversion output of 120 mW / cm ^{, an illuminance of 160 mW / cm 2 with} a light wavelength of 365 nm, and an irradiation amount of 350 mJ / cm ² . It was performed under the conditions.

その後、基材の緩衝層が形成された面の反対面に、粘着剤層を貼り合わせ、半導体加工用粘着テープを作製した。 Then, an adhesive layer was attached to the opposite surface of the base material on which the buffer layer was formed to prepare an adhesive tape for semiconductor processing.

（半導体基板） (Semiconductor substrate)

半導体基板として、直径１２インチ、厚み７７５μｍのシリコンウェーハを用いた。このシリコンウェーハにバックグラインドテープをバックグラインド用テープラミネーター（リンテック社製、装置名「ＲＡＤ−３５１０Ｆ／１２」）を用いて、常温（２５℃）及び５０℃に加熱したテーブル上で貼付した。 As the semiconductor substrate, a silicon wafer having a diameter of 12 inches and a thickness of 775 μm was used. A back grind tape was attached to this silicon wafer using a back grind tape laminator (manufactured by Lintec Corporation, device name "RAD-3510F / 12") on a table heated to room temperature (25 ° C.) and 50 ° C.

［改質領域の形成］ [Formation of modified region]

バックグラインドテープをシリコンウェーハに貼付した状態で、シリコンウェーハの裏面にシリコンウェーハの分割ラインに沿って、レーザーソー（ディスコ社製、装置名「ＤＦＬ７３６１」）を用いて、レーザ光を照射した。この照射によって、シリコンウェーハに格子状の改質領域を形成した。 With the back grind tape attached to the silicon wafer, the back surface of the silicon wafer was irradiated with laser light using a laser saw (manufactured by Disco Corporation, device name "DFL7361") along the dividing line of the silicon wafer. By this irradiation, a grid-like modified region was formed on the silicon wafer.

［バックグラインドテープの拡張］ [Expansion of back grind tape]

バックグラインドテープを面内方向に拡張して、改質領域を起点としてシリコンウェーハを劈開・分割した。バックグラインドテープの面内方向での延伸率は、２００％にした。シリコンウェーハが互いに離間した半導体チップ間の幅は、５０μｍとした。 The back grind tape was expanded in the in-plane direction, and the silicon wafer was cleaved and divided starting from the modified region. The stretching ratio of the back grind tape in the in-plane direction was set to 200%. The width between the semiconductor chips in which the silicon wafers were separated from each other was set to 50 μm.

［樹脂層の形成］ [Formation of resin layer]

（樹脂層） (Resin layer)

樹脂層を構成する熱硬化性樹脂組成物の製造に用いた成分を以下に示す。 The components used in the production of the thermosetting resin composition constituting the resin layer are shown below.

重合体成分（Ａ）−１：アクリル酸ブチル（以下、「ＢＡ」と略記する）（５５質量部）、アクリル酸メチル（以下、「ＭＡ」と略記する）（１０質量部）、メタクリル酸グリシジル（以下、「ＧＭＡ」と略記する）（２０質量部）及びアクリル酸−２−ヒドロキシエチル（以下、「ＨＥＡ」と略記する）（１５質量部）を共重合してなるアクリル系樹脂（重量平均分子量８０００００、ガラス転移温度−２８℃）。各成分の配合比を下に示す。 Polymer component (A) -1: butyl acrylate (hereinafter abbreviated as "BA") (55 parts by mass), methyl acrylate (hereinafter abbreviated as "MA") (10 parts by mass), glycidyl methacrylate Acrylic resin (weight average) obtained by copolymerizing (hereinafter abbreviated as "GMA") (20 parts by mass) and -2-hydroxyethyl acrylate (hereinafter abbreviated as "HEA") (15 parts by mass). Molecular weight 800,000, glass transition temperature −28 ° C.). The compounding ratio of each component is shown below.

エポキシ樹脂（Ｂ１）−１：液状ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＬ９８３Ｕ」）；重量平均分子量＝３４０
エポキシ樹脂（Ｂ１）−２：多官能芳香族型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」）；重量平均分子量＝１０００
エポキシ樹脂（Ｂ１）−３：ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＰＩＣＬＯＮＨＰ−７２００」）；重量平均分子量＝６００
熱硬化剤（Ｂ２）−１：ノボラック型フェノール樹脂（昭和電工社製「ＢＲＧ−５５６」）
硬化促進剤（Ｃ）−１：２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業社製「キュアゾール２ＰＨＺ−ＰＷ」）
充填材（Ｄ）−１：エポキシ基で修飾された球状シリカ（アドマテックス社製「アドマナノＹＡ０５０Ｃ−ＭＫＫ」）；０．０５μｍ（平均粒径）；１９質量％（熱硬化性樹脂組成物中の含有率） Epoxy resin (B1) -1: Liquid bisphenol F type epoxy resin ("YL983U" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation); Weight average molecular weight = 340
Epoxy resin (B1) -2: Polyfunctional aromatic epoxy resin ("EPPN-502H" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.); Weight average molecular weight = 1000
Epoxy resin (B1) -3: Dicyclopentadiene type epoxy resin ("EPICLON HP-7200" manufactured by DIC Corporation); Weight average molecular weight = 600
Thermosetting agent (B2) -1: Novolac type phenol resin (Showa Denko "BRG-556")
Curing Accelerator (C) -1: 2-Phenyl-4,5-Dihydroxymethylimidazole ("Curesol 2PHZ-PW" manufactured by Shikoku Chemicals Corporation)
Filler (D) -1: Spherical silica modified with an epoxy group (“Admanano YA050C-MKK” manufactured by Admatex); 0.05 μm (average particle size); 19% by mass (in thermosetting resin composition) Content rate)

熱硬化性樹脂組成物の製造：重合体成分（Ａ）−１、エポキシ樹脂（Ｂ１）−１、エポキシ樹脂（Ｂ１）−２、エポキシ樹脂（Ｂ１）−３、熱硬化剤（Ｂ２）−１、硬化促進剤（Ｃ）−１、及び充填材（Ｄ）−１を、メチルエチルケトンに溶解又は分散させて、２３℃で撹拌することで、熱硬化性樹脂組成物として、固形分濃度が５５質量％である熱硬化性の樹脂組成物（ＩＩＩ−１）を得た。 Production of thermosetting resin composition: Polymer component (A) -1, epoxy resin (B1) -1, epoxy resin (B1) -2, epoxy resin (B1) -3, thermosetting agent (B2) -1 , Curing accelerator (C) -1 and packing material (D) -1 are dissolved or dispersed in methyl ethyl ketone and stirred at 23 ° C. to obtain a thermosetting resin composition having a solid content concentration of 55 mass. A thermosetting resin composition (III-1) of% was obtained.

熱硬化性樹脂組成物が付設された剥離テープ（リンテック社製「ＡｄｗｉｌｌＥ−８１８０ＨＲ」）を用いて、熱硬化性樹脂組成物を互いに離間した半導体チップに貼付した。
次に、９０℃で転写機を用いて、離間した半導体チップの間、離間した半導体チップの裏面に熱硬化性樹脂組成物（ＩＩＩ−１）を転写した。ここで用いた転写機としては、貼付装置（ローラー式ラミネータ、リンテック社製「ＲＡＤ−３５１０Ｆ／１２」）であり、貼付速度２ｍｍ／Ｓ、貼付圧力０．５ＭＰａの条件でテーブルを９０℃に加熱しながら転写を行った。この後、剥離テープを除去した。次いで、熱硬化性樹脂組成物を１３０℃で加熱して、処理圧力０．５ＭＰａ、加熱処理時間が２時間の条件で加熱加圧処理することにより離間した半導体チップの間に熱硬化した樹脂層を形成した。 The thermosetting resin composition was attached to semiconductor chips separated from each other by using a release tape (“Adwill E-8180HR” manufactured by Lintec Corporation) to which the thermosetting resin composition was attached.
Next, the thermosetting resin composition (III-1) was transferred between the separated semiconductor chips to the back surface of the separated semiconductor chips using a transfer machine at 90 ° C. The transfer machine used here is a sticking device (roller type laminator, "RAD-3510 F / 12" manufactured by Lintec Corporation), and the table is set to 90 ° C. under the conditions of a sticking speed of 2 mm / S and a sticking pressure of 0.5 MPa. Transfer was performed while heating. After this, the release tape was removed. Next, the thermosetting resin composition was heated at 130 ° C. and heat-pressurized under the conditions of a treatment pressure of 0.5 MPa and a heat treatment time of 2 hours, so that the thermosetting resin layers were heat-cured between the separated semiconductor chips. Was formed.

［樹脂層及び半導体基板の研削］ [Grinding of resin layer and semiconductor substrate]

裏面研削装置（ディスコ社製、装置名「ＤＧＰ８７６１」）を用いて、半導体チップの裏面から半導体チップ及び樹脂層を厚みが２０μｍになるまで研削した。 Using a back surface grinding device (manufactured by Disco Corporation, device name "DGP8761"), the semiconductor chip and the resin layer were ground from the back surface of the semiconductor chip until the thickness became 20 μm.

［ダイシング］ [Dicing]

（保護膜形成用複合シート） (Composite sheet for forming protective film)

保護膜形成用複合シートとして、保護膜形成用フィルム／支持シートの積層体の保護膜形成用複合シートを用いた。保護膜形成用フィルムとして、リンテック社製「ＡｄｗｉｌｌＬＣ２８５０２２」を使用した。支持シートとして、リンテック社製「ＡｄｗｉｌｌＤ−６８６Ｈ」を使用した。半導体チップ及び樹脂層の研削面とは反対側の面に、この保護膜形成用複合シートをリンテック株式会社製テープマウンター「ＲＡＤ−２７００」を用いて貼付した。次いで、バックグラインドテープを半導体チップ及び樹脂層から剥がした。 As the protective film-forming composite sheet, a protective film-forming composite sheet of a laminate of the protective film-forming film / support sheet was used. As a film for forming a protective film, "Adwill LC285022" manufactured by Lintec Corporation was used. As a support sheet, "Adwill D-686H" manufactured by Lintec Corporation was used. This composite sheet for forming a protective film was attached to the surface of the semiconductor chip and the resin layer opposite to the ground surface using a tape mounter "RAD-2700" manufactured by Lintec Corporation. Then, the back grind tape was peeled off from the semiconductor chip and the resin layer.

次に、半導体チップが保護膜形成用複合シートに貼付された状態で、離間した半導体チップの間の樹脂層をレーザダイシングで切断し、さらにその下の保護膜形成用フィルムを切断した。 Next, with the semiconductor chips attached to the protective film-forming composite sheet, the resin layer between the separated semiconductor chips was cut by laser dicing, and the protective film-forming film underneath was cut.

［ピックアップ］ [pick up]

次に、支持シートを介して離間した半導体チップをピックアップ装置を用いて、８ｍｍ×８ｍｍの大きさのコレットにより、突上げ速度２０ｍｍ／秒、突上げ量２００μｍの条件で突き上げ、個片化された半導体素子を得た。 Next, the semiconductor chips separated via the support sheet were pushed up by a collet having a size of 8 mm × 8 mm under the conditions of a push-up speed of 20 mm / sec and a push-up amount of 200 μm, and were separated into individual pieces. A semiconductor element was obtained.

［実施例２］ [Example 2]

実施例１のバックグラインドテープの半導体基板への貼付から、樹脂層及び半導体基板の研削工程までは同じ処理を行い、その後、保護膜形成用複合シートの貼付及びダイシング工程を経ずに、フィルム状接着剤複合シートを貼付しピックアップを行った。フィルム状接着剤複合シートとしては、接着剤組成物／剥離フィルムの積層型のフィルム状接着剤複合シートを用いた。 The same process is performed from the application of the back grind tape of Example 1 to the semiconductor substrate to the grinding process of the resin layer and the semiconductor substrate, and then the film-like process is performed without the application of the protective film forming composite sheet and the dicing process. An adhesive composite sheet was attached and picked up. As the film-shaped adhesive composite sheet, a laminated film-shaped adhesive composite sheet of an adhesive composition / release film was used.

（接着剤組成物の製造） (Manufacturing of adhesive composition)

重合体成分（ａ）−１（１０．３０質量部）、エポキシ樹脂（ｂ１）−１（２６．４６質量部）、エポキシ樹脂（ｂ１）−２（１６．４５質量部）、熱硬化剤（ｂ２）−１（３６．２１質量部）、硬化促進剤（ｃ）−１（０．２２質量部）、充填材（ｄ）−１（９．３６質量部）、及びシランカップリング剤（ｅ）−１（１．００質量部）をメチルエチルケトンに溶解又は分散させて、２３℃で撹拌することで、接着剤組成物として、固形分濃度が６０質量％である接着剤組成物を得た。接着剤組成物を構成する成分を以下に示す。 Polymer component (a) -1 (10.30 parts by mass), epoxy resin (b1) -1 (26.46 parts by mass), epoxy resin (b1) -2 (16.45 parts by mass), thermosetting agent ( b2) -1 (36.21 parts by mass), curing accelerator (c) -1 (0.22 parts by mass), filler (d) -1 (9.36 parts by mass), and silane coupling agent (e). ) -1 (1.00 parts by mass) was dissolved or dispersed in methyl ethyl ketone and stirred at 23 ° C. to obtain an adhesive composition having a solid content concentration of 60% by mass. The components constituting the adhesive composition are shown below.

重合体成分（ａ）−１：アクリル系樹脂（日本合成化学工業社製「コーポニールＮ−２３５９−６」）
エポキシ樹脂（ｂ１）−１：液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＪＥＲ８３４」、エポキシ当量２５０ｇ／ｅｑ、重量平均分子量４７０）
エポキシ樹脂（ｂ１）−２：多官能芳香族型（トリフェニレン型）エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」、エポキシ当量１６７ｇ／ｅｑ、軟化点５４℃、重量平均分子量１２００）
熱硬化剤（ｂ２）−１ビフェニル型フェノール樹脂（明和化成社製「ＭＥＨ−７８５１−ＳＳ」、軟化点６７°C）
硬化促進剤（ｃ）−１：２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業社製「キュアゾール２ＰＨＺ」）
充填材（ｄ）−１：球状シリカ（アドマテックス社製「ＳＣ２０５０」）
カップリング剤（ｅ）−１：シランカップリング剤、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン（信越シリコーン社製「ＫＢＥ−４０２」） Polymer component (a) -1: Acrylic resin ("Corponil N-2359-6" manufactured by Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd.)
Epoxy resin (b1) -1: Liquid bisphenol A type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation "JER834", epoxy equivalent 250 g / eq, weight average molecular weight 470)
Epoxy resin (b1) -2: Polyfunctional aromatic type (triphenylene type) Epoxy resin ("EPPN-502H" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent 167 g / eq, softening point 54 ° C., weight average molecular weight 1200)
Thermosetting agent (b2) -1 biphenyl type phenol resin ("MEH-7851-SS" manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., softening point 67 ° C)
Curing Accelerator (c) -1: 2-Phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole ("Curesol 2PHZ" manufactured by Shikoku Chemicals Corporation)
Filler (d) -1: Spherical silica ("SC2050" manufactured by Admatex Co., Ltd.)
Coupling agent (e) -1: Silane coupling agent, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane ("KBE-402" manufactured by Shinetsu Silicone Co., Ltd.)

（フィルム状接着剤複合シートの製造） (Manufacturing of film-like adhesive composite sheet)

ポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面が剥離処理された剥離フィルム（リンテック社製「ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１」、厚さ３８μｍ）の剥離処理面に、上記で得られた接着剤組成物を塗布し、１１０℃で３分乾燥させることで、厚さが１０μｍのフィルム状接着剤を形成した。次いで、このフィルム状接着剤の露出面に、支持シート（１）（厚さ３８μｍ）の片面を貼り合わせることにより、フィルム状接着剤複合シートを得た。 The adhesive composition obtained above was applied to the peeled surface of the peeled film (Lintec "SP-PET38 1031", thickness 38 μm) from which one side of the polyethylene terephthalate film was peeled, and at 110 ° C. By drying for 3 minutes, a film-like adhesive having a thickness of 10 μm was formed. Next, one side of the support sheet (1) (thickness 38 μm) was attached to the exposed surface of the film-like adhesive to obtain a film-like adhesive composite sheet.

次に、離間した半導体チップ及び樹脂層の研削面とは反対側の面に、フィルム状接着剤複合シートをリンテック株式会社製テープマウンター「ＲＡＤ−２７００」を用いて貼付した。次いで、バックグラインドテープを半導体チップ及び樹脂層から剥がした。 Next, a film-like adhesive composite sheet was attached to the separated semiconductor chips and the resin layer on the surface opposite to the ground surface using a tape mounter "RAD-2700" manufactured by Lintec Corporation. Then, the back grind tape was peeled off from the semiconductor chip and the resin layer.

［ピックアップ］ [pick up]

次に、半導体チップがフィルム状接着剤複合シートに貼付された状態で、ダイシング工程を経ずに、支持シートを介して離間した半導体チップをピックアップ装置を用いて、８ｍｍ×８ｍｍの大きさのコレットにより、突上げ速度２０ｍｍ／秒、突上げ量２００μｍの条件で突き上げ、個片化した半導体素子を得た。この際、樹脂層の側面と半導体チップの側面とを離し、フィルム状接着剤層が半導体チップに積層された状態で、半導体チップ及びフィルム状接着剤層をピックアップした。 Next, in a state where the semiconductor chips are attached to the film-like adhesive composite sheet, the semiconductor chips separated via the support sheet are picked up using a pickup device without going through the dicing step, and a collet having a size of 8 mm × 8 mm is used. As a result, a semiconductor element was obtained by pushing up under the conditions of a push-up speed of 20 mm / sec and a push-up amount of 200 μm. At this time, the side surface of the resin layer and the side surface of the semiconductor chip were separated, and the semiconductor chip and the film-like adhesive layer were picked up in a state where the film-like adhesive layer was laminated on the semiconductor chip.

（評価）
ＩＲカメラを用いて、半導体チップのクラック発生の有無を観察し、クラックが発生しているか否かの確認をした。実施例１、２とも個片化した後の半導体素子に損傷はなかった。 (Evaluation)
Using an IR camera, the presence or absence of cracks in the semiconductor chip was observed, and it was confirmed whether or not cracks were generated. There was no damage to the semiconductor element after the pieces of Examples 1 and 2 were separated.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。各実施形態は、独立の形態とは限らず、技術的に可能な限り複合することができる。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and it goes without saying that various modifications can be made. Each embodiment is not limited to an independent form and can be combined as technically possible as possible.

１…保護膜形成用複合シート
２…フィルム状接着剤複合シート
８…半導体基板
８ａ…表面
８ｂ…裏面
８ｄ…分割ライン
８ｍ…改質領域
１０…支持シート
１１…基材
１２…粘着剤層
１３…保護膜形成用フィルム
１４…フィルム状接着剤
５０…樹脂層
６０…バックグラインドテープ
６０ａ…接着剤面
６０ｂ…非接着剤面
８０…半導体素子
８０ａ…表面
８０ｂ…裏面
８０ｗ…側面
８０ｄ…ダイシングライン
９０…レーザ光源
９１…レーザ光
５００…研削冶具
５０１…突上ピン
５０２…コレット
５０３…ダイシングブレード
５０４…レーザ光源
５０５…レーザ光 1 ... Composite sheet for forming a protective film 2 ... Film-like adhesive composite sheet 8 ... Semiconductor substrate 8a ... Front surface 8b ... Back surface 8d ... Dividing line 8m ... Modified area 10 ... Support sheet 11 ... Base material 12 ... Adhesive layer 13 ... Protective film forming film 14 ... Film-like adhesive 50 ... Resin layer 60 ... Back grind tape 60a ... Adhesive surface 60b ... Non-adhesive surface 80 ... Semiconductor element 80a ... Front surface 80b ... Back surface 80w ... Side surface 80d ... Dying line 90 ... Laser light source 91 ... Laser light 500 ... Grinding jig 501 ... Rise pin 502 ... Collet 503 ... Dying blade 504 ... Laser light source 505 ... Laser light

Claims

回路が形成された表面と、前記表面とは反対側の裏面とを有する半導体基板に対して、前記裏面の側から前記半導体基板を複数の半導体素子に分割するための処理を施し、
前記複数の半導体素子のそれぞれの回路が形成された表面に第１表面保護シートを貼付させた状態で、前記複数の半導体素子が互いに離間した状態を形成し、
前記複数の半導体素子のそれぞれの間における前記第１表面保護シートに、第１厚みを有する樹脂層を形成し、
前記複数の半導体素子のそれぞれの裏面と、前記樹脂層とを研削することにより、前記複数の半導体素子及び前記樹脂層の厚みを前記第１厚みよりも薄い第２厚みに設定する
半導体素子の製造方法。 A semiconductor substrate having a front surface on which a circuit is formed and a back surface opposite to the front surface is subjected to a process for dividing the semiconductor substrate into a plurality of semiconductor elements from the back surface side.
In a state where the first surface protection sheet is attached to the surface on which the circuits of the plurality of semiconductor elements are formed, the plurality of semiconductor elements are separated from each other.
A resin layer having a first thickness is formed on the first surface protective sheet between the plurality of semiconductor elements.
Manufacture of a semiconductor element in which the thickness of the plurality of semiconductor elements and the resin layer is set to a second thickness thinner than the first thickness by grinding the back surface of each of the plurality of semiconductor elements and the resin layer. Method.

請求項１に記載された半導体素子の製造方法であって、
前記半導体基板の前記表面に、前記第１表面保護シートを貼付し、
前記半導体基板の前記裏面にレーザ光を照射することで、前記半導体基板を分割するための改質領域を前記半導体基板の内部に形成し、
前記第１表面保護シートを前記表面保護シートの面内方向において拡張して、前記改質領域を起点として前記半導体基板を分割することにより、前記第１表面保護シートに互いに離間した前記複数の半導体素子を形成する
半導体素子の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1.
The first surface protective sheet is attached to the surface of the semiconductor substrate.
By irradiating the back surface of the semiconductor substrate with laser light, a modified region for dividing the semiconductor substrate is formed inside the semiconductor substrate.
By expanding the first surface protective sheet in the in-plane direction of the surface protective sheet and dividing the semiconductor substrate starting from the modified region, the plurality of semiconductors separated from each other by the first surface protective sheet. A method for manufacturing a semiconductor device that forms an element.

請求項１に記載された半導体素子の製造方法であって、
前記半導体基板の前記裏面に、第２表面保護シートを接着し、
前記裏面に前記第２表面保護シートを介してレーザ光を照射することで、前記半導体基板を分割するための改質領域を前記半導体基板の内部に形成し、
前記第２表面保護シートを前記表面保護シートの面内方向において拡張して、前記改質領域を起点として前記半導体基板を分割することにより、前記第２表面保護シートに互いに離間した前記複数の半導体素子を形成し、
前記複数の半導体素子のそれぞれの前記回路が形成された前記表面に前記第１表面保護シートを接着させ、前記第２表面保護シートを前記複数の半導体素子から取り除くことにより、前記第１表面保護シートに互いに離間した前記複数の半導体素子を形成する
半導体素子の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1.
A second surface protective sheet is adhered to the back surface of the semiconductor substrate.
By irradiating the back surface with a laser beam via the second surface protective sheet, a modified region for dividing the semiconductor substrate is formed inside the semiconductor substrate.
By expanding the second surface protective sheet in the in-plane direction of the surface protective sheet and dividing the semiconductor substrate starting from the modified region, the plurality of semiconductors separated from each other by the second surface protective sheet. Form the element,
The first surface protective sheet is adhered to the surface on which the circuit of each of the plurality of semiconductor elements is formed, and the second surface protective sheet is removed from the plurality of semiconductor elements. A method for manufacturing a semiconductor element, which forms the plurality of semiconductor elements separated from each other.

請求項１に記載された半導体素子の製造方法であって、
前記半導体基板の前記裏面から前記表面にまでダイシングブレードまたはレーザ光を貫通させることにより、前記第１表面保護シートに互いに離間した前記複数の半導体素子を形成する
半導体素子の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1.
A method for manufacturing a semiconductor element, which forms the plurality of semiconductor elements separated from each other on the first surface protective sheet by penetrating a dicing blade or a laser beam from the back surface to the front surface of the semiconductor substrate.

請求項１〜４のいずれか１つに記載された半導体素子の製造方法であって、
前記複数の半導体素子のそれぞれの前記回路が形成された前記表面とは反対側の前記複数の半導体素子のそれぞれの裏面に、保護膜形成用フィルム及び支持シートを有する保護膜形成用複合シートを積層させ、
前記複数の半導体素子から前記第１表面保護シートを取り除き、
前記複数の半導体素子の間に形成された前記樹脂層を個片化し、
前記支持シートから前記複数の半導体素子のいずれかをピックアップすることにより、側面が前記樹脂層で覆われ、裏面が前記保護膜形成用フィルムで覆われた半導体素子を形成する
半導体素子の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 1 to 4.
A protective film-forming composite sheet having a protective film-forming film and a support sheet is laminated on the back surface of each of the plurality of semiconductor elements on the side opposite to the front surface on which the circuit of each of the plurality of semiconductor elements is formed. Let me
The first surface protective sheet is removed from the plurality of semiconductor elements, and the first surface protective sheet is removed.
The resin layer formed between the plurality of semiconductor elements is separated into individual pieces.
A method for manufacturing a semiconductor element, which forms a semiconductor element whose side surfaces are covered with the resin layer and whose back surface is covered with the protective film-forming film by picking up any one of the plurality of semiconductor elements from the support sheet.

請求項１〜４のいずれか１つに記載された半導体素子の製造方法であって、
前記複数の半導体素子のそれぞれの前記回路が形成された前記表面とは反対側の前記複数の半導体素子のそれぞれの裏面に、フィルム状接着剤及び支持シートを有するフィルム状接着剤複合シートを積層させ、
前記複数の半導体素子から前記第１表面保護シートを取り除き、
前記支持シートから前記複数の半導体素子のいずれかをピックアップすることにより、裏面が前記フィルム状接着剤で覆われた半導体素子を形成する
半導体素子の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 1 to 4.
A film-like adhesive composite sheet having a film-like adhesive and a support sheet is laminated on the back surface of each of the plurality of semiconductor elements on the side opposite to the front surface on which the circuit of each of the plurality of semiconductor elements is formed. ,
The first surface protective sheet is removed from the plurality of semiconductor elements, and the first surface protective sheet is removed.
A method for manufacturing a semiconductor element, which forms a semiconductor element whose back surface is covered with the film-like adhesive by picking up any one of the plurality of semiconductor elements from the support sheet.

請求項１〜６のいずれか１つに記載された半導体素子の製造方法であって、
前記樹脂層として、エネルギー線硬化性樹脂層を用いる
半導体素子の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 1 to 6.
A method for manufacturing a semiconductor device, which uses an energy ray-curable resin layer as the resin layer.

請求項１〜７のいずれか１つに記載された半導体素子の製造方法であって、
前記複数の半導体素子が互いに離間する幅は、５μｍ以上５００μｍ以下である
半導体素子の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 1 to 7.
A method for manufacturing a semiconductor element, wherein the width at which the plurality of semiconductor elements are separated from each other is 5 μm or more and 500 μm or less.

請求項１〜８のいずれか１つに記載された半導体素子の製造方法であって、
前記第２厚みは、５μｍ以上３００μｍ以下である
半導体素子の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 1 to 8.
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the second thickness is 5 μm or more and 300 μm or less.