JP2021022623A

JP2021022623A - 多層基板

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Publication number: JP2021022623A
Application number: JP2019137179A
Authority: JP
Inventors: 長谷川　雄大; Takehiro Hasegawa; 雄大長谷川
Original assignee: Fujikura Ltd
Current assignee: Fujikura Ltd
Priority date: 2019-07-25
Filing date: 2019-07-25
Publication date: 2021-02-18
Anticipated expiration: 2039-07-25
Also published as: JP6917415B2

Abstract

【課題】ビアが形成された多層基板において、導通障害を生じにくくさせること。【解決手段】多層基板（１０）は、第１導体層（導体層１１１）、第１誘電体層（誘電体層１１）、第２導体層（導体層１１２，１２１）、第２誘電体層（誘電体層１２，１３）、及び第３導体層（導体層１３２）を含み、第１誘電体層（誘電体層１１）及び第２誘電体層（誘電体層１２，１３）を貫通する第１ビア（スルービアＴＶ）と、第１誘電体層（誘電体層１１）を貫通する第２ビア（ブラインドビアＢＶ）とが形成されており、第２ビア（ブラインドビアＢＶ）は、第１導体パターン（配線Ｌ１）及び第２導体パターン（パッドＰ２）を短絡している。【選択図】図１

Description

本発明は、多層基板に関する。

近年、広く用いられている多層基板（プリント基板とも呼ばれる）は、複数の誘電体層（例えば液晶ポリマー製）と、各誘電体層の一対の主面の各々に形成されている複数の導体層とを備えている。各導体層は、例えば、信号線や、グランドパターンや、パッドなどとして機能するようにパターニングされており、異なる誘電体層に形成されている導体層同士は、必要に応じてビアを用いて短絡されている。例えば、非特許文献１のＦｉｇ．３に記載されたＰＢＧＡ（Plastic Ball Grid Array）パッケージは、積層された４枚の誘電体層（非特許文献１においてはcore）と、これら４枚の誘電体層を貫通するビア（非特許文献１においてはTH Filling Material）とを備えており、ビアは、積層された４枚の誘電体層の最表面を構成する一対の主面の各々に形成された導体層同士を短絡するように構成されている。

Tsuneo Kobayashi et. al.，2000 Electronic Components and Technology Conference ，p.1658，2000

複数の誘電体層を構成する材料に依存して大小の差はあるものの、非特許文献１に記載された多層基板は、外部環境の温度変化に応じて膨張又は収縮を繰り返す。このような膨張又は収縮に伴い、ビアを構成する導体膜には応力が繰り返し印加され、やがて、ビアを構成する導体膜の一部が破断する。この応力は、複数の誘電体層を構成する材料（例えば液晶ポリマー）と導体膜を構成する材料（例えば銅）との熱膨張係数が異なることに起因して発生する。

本発明の一態様に係る多層基板は、上述した課題に鑑みなされたものであり、その目的は、ビアが形成された多層基板において、従来よりも導通障害を生じにくくさせることである。

上記の課題を解決するために、本発明の第１の態様に係る多層基板は、この順に積層された第１導体層、第１誘電体層、第２導体層、第２誘電体層、及び第３導体層を含む多層基板であって、前記第１導体層、前記第２導体層、及び前記第３導体層の各々は、ぞれぞれ、第１導体パターン、第２導体パターン、及び第３導体パターンを含み、前記第１誘電体層及び前記第２誘電体層を貫通し、かつ、前記第１導体パターン、前記第２導体パターン、及び前記第３導体パターンを短絡する第１ビアと、前記第１誘電体層を貫通し、かつ、前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンを短絡する第２ビアと、が内部に形成されている。

上記の構成によれば、第１誘電体層の熱膨張により第１ビアの第１誘電体層を貫通する部分に破断が生じても、第１の導体パターンと第２の導体パターンとが第２ビアにより短絡されているので、第１導体パターンと第２導体パターンと第３導体パターンとの導通が保たれる。したがって、第１誘電体層の熱膨張に起因する導通障害が生じ難い多層基板を実現することができる。

また、本発明の第２の態様に係る多層基板は、上述した第１の態様において、前記第１誘電体層の材料は、前記第２誘電体層の材料よりも誘電率又は誘電正接が小さく、かつ、前記第２誘電体層の材料よりも熱膨張係数が大きい材料である。

上記の構成によれば、第１誘電体層の熱膨張に起因する導通障害が生じ難く、かつ、電気的な特性の優れた多層基板を実現することができる。

なお、第１誘電体層の材料が熱膨張係数が大きい材料である場合、第１誘電体層の熱膨張量が大きくなり、その結果、第１誘電体層の熱膨張に起因する導通障害が生じる確率が上昇する。しかしながら、上記の構成によれば、第１誘電体層の熱膨張により第１ビアの第１誘電体層を貫通する部分に破断が生じても、第１の導体層と第２の導体層とが第２ビアにより短絡されているので、第１導体層と第２導体層と第３導体層との導通が保たれる。このため、第１誘電体層の熱膨張に起因する導通障害が生じる確率の上昇を抑制することができる。

また、本発明の第３の態様に係る多層基板は、上述した第１の態様又は第２の態様において、前記第２ビアは、前記第１ビアよりも破断しにくくなるように構成されている。

上記の構成によれば、第１誘電体層の熱膨張に起因する導通障害が更に生じ難い多層基板を実現することができる。

また、本発明の第４の態様に係る多層基板は、上述した第１の態様〜第３の態様の何れかにおいて、前記第２ビアと前記第１ビアとの距離は、前記第１ビアを通過する電磁波の最大周波数に対応する波長の１０分の１以下である、ように構成されている。

上記の構成によれば、第２ビアを設けたことにより生じ得る電磁波の反射を低減することができる。

また、本発明の第５の態様に係る多層基板は、上述した第１の態様〜第４の態様の何れかにおいて、前記第１導体層に実装されている集積回路を更に備えている、ように構成されている。

集積回路は、熱源となるため、第１導体層が形成された第１誘電体層の熱膨張量が大きくなり、その結果、第１誘電体層の熱膨張に起因する導通障害が生じる確率が上昇する。しかしながら、上記の構成によれば、第１誘電体層の熱膨張により第１ビアに破断が生じても、第１パターンと第２パターンとが第２ビアにより短絡されているので、第１パターンと第２パターンと第３パターンとの導通が保たれる。このため、第１誘電体層の熱膨張に起因する導通障害が生じる確率の上昇を抑制することができる。

また、本発明の第６の態様に係る多層基板は、上述した第１の態様〜第５の態様の何れかにおいて、前記第１導体パターンは、前記第１ビアから前記第２ビアに向かう方向に沿って延びている、ように構成されている。

上記の構成によれば、第１導体パターンから第３導体パターンへ伝送される電磁波の経路のうち、（１）第１ビアのみを経由する経路、及び、（２）第２ビア及び第１ビアを経由する経路の各々の経路長（すなわち電気長）を等しくする、又は、略等しくすることができる。したがって、（１）の経路を通る電磁波と（２）の経路を通る電磁波との間に生じ得る干渉を低減することができる。また、差動信号を構成する２つの信号や直角位相振幅変調信号を構成する２つの信号（Ｉ信号とＱ信号）がそれぞれ別々の上記構成の第１導体パターンを伝送する場合、一方の上記構成における第１ビアの第１誘電体層を貫通する部分に破断が生じても、２つの信号の時間遅延差の増加を抑制又は低減できるため、差動信号や直角位相振幅変調信号の劣化を抑制又は低減することができる。

本発明の一態様によれば、ビアが形成された多層基板において、従来よりも導通障害を生じにくくさせることができる。

（ａ）及び（ｂ）の各々は、それぞれ、本発明の実施形態に係る多層基板の平面図及び断面図である。図１に示した多層基板の断面図であり、該多層基板の効果を説明する断面図である。

〔多層基板の構成〕
本発明の実施形態に係る多層基板１０について、図１を参照して説明する。図１の（ａ）及び（ｂ）の各々は、それぞれ、多層基板１０の一部の平面図及び断面図である。図１の（ｂ）の断面図は、図１の（ａ）の平面図に示したＡ−Ａ’線（スルービアＴＶの中心軸及びブラインドビアＢＶの中心軸を通る直線）に沿った断面（Ａ−Ａ’断面）における断面図である。なお、多層基板１０は、プリント基板とも呼ばれる。

図１に示すように、多層基板１０は、誘電体層１１，１２，１３と、導体層１１１，１１２，１２１，１２２，１３１，１３２と、樹脂層１４，１５と、スルービアＴＶと、ブラインドビアＢＶと、を備えている。

多層基板１０は、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）などを実装可能な高周波回路基板である。以下において、導体層１１１，１３２のことを多層基板１０の表層とも称し、導体層１１２，１２１，１２２，１３１のことを多層基板１０の内層とも称する。

誘電体層１１，１２，１３は、誘電体製の層状あるいは板状の部材である。誘電体層１１は、第１誘電体層の一例であり、誘電体層１２，１３は、第２誘電体層の一例である。すなわち、本実施形態において、第１誘電体層は、単層の誘電体層１１により構成されており、第２誘電体層は、２層の誘電体層１１，１２により構成されている。なお、第１誘電体層及び第２誘電体層の各々を構成する誘電体層の層数は、限定されるものではなく、単層であってもよいし、複数層であってもよい。言い換えれば、本発明の一態様において、後述するブラインドビアＢＶが貫通する誘電体層が第１誘電体層であり、ブラインドビアＢＶが貫通していない誘電体層が第２誘電体層である。

誘電体層１１，１２，１３を構成する材料である誘電体は、限定されるものではなく、実装するＲＦＩＣの動作帯域における電気的な特性（例えば誘電損失の大きさ）などを考慮して適宜選択することができる。誘電体層１１，１２，１３を構成する材料の一例としては、液晶ポリマー、ポリイミド、ガラスエポキシ及び石英が挙げられる。

誘電体層１１，１２，１３の各々は、全てが同じ材料により構成されていてもよいし、何れかが異なる材料により構成されていてもよい。この場合、誘電体層１１，１２，１３のうち、後述する配線Ｌ１が形成される誘電体層１１は、誘電体層１２，１３の材料よりも誘電率又は誘電正接が小さい材料を用いて構成することが好ましい。

なお、誘電体層１１の材料としては、液晶ポリマーが好適であり、誘電体層１２，１３の材料としては、ポリイミドもしくはガラスエポキシが好適である。液晶ポリマーは、ポリイミドもしくはガラスエポキシと比較して、誘電率及び誘電正接が小さいため高周波特性が優れている。また、液晶ポリマーは、ポリイミドもしくはガラスエポキシと比較して、コストが高く、熱膨張係数が大きい。そのため、誘電体層１１の材料として液晶ポリマーを採用し、誘電体層１２，１３の材料としてポリイミドもしくはガラスエポキシを採用することが好ましい。

導体層１１１，１１２は、誘電体層１１の一対の主面の各々にそれぞれ形成されている層状部材である。導体層１１１，１１２の各々を構成する導体は、限定されるものではないが、電気抵抗率が小さな金属であることが好ましい。導体層１１１，１１２の各々を構成する導体の一例としては、銅及びアルミニウムが挙げられ、本実施形態では、銅を採用している。

導体層１２１，１２２は、誘電体層１２の一対の主面の各々にそれぞれ形成されている点を除けば導体層１１１，１１２と同様に構成されている。また、導体層１３１，１３２は、誘電体層１３の一対の主面の各々にそれぞれ形成されている点を除けば導体層１１１，１１２と同様に構成されている。したがって、ここでは、導体層１２１，１２２，１３１，１３２に関する詳しい説明を省略する。

なお、導体層１１１は、第１導体層の一例であり、誘電体層１１と誘電体層１２との間に介在する導体層１１２，１２１は、第２導体層の一例であり、導体層１３２は、第３導体層の一例である。

導体層１１１，１３２は、多層基板１０の表層を構成し、導体層１１２，１２１，１２２，１３１は、多層基板１０の内層を構成する。なお、多層基板１０において、第２導体層の一例である導体層１１２，１２１のうち何れか一方は、省略されていてもよい。多層基板１０において、導体層１１２を省略する場合、後述するブラインドビアＢＶが導体層１２１に短絡されており、後述するアンチパッドＡＰ２が図１の（ｂ）に示すアンチパッドＡＰ１と同様に形成されていればよい。また、多層基板１０において、導体層１２２，１３１のうち何れか一方又は両方は、省略されていてもよい。

樹脂層１４は、誘電体層１１の導体層１１２と、誘電体層１２の導体層１２１との間に介在するように形成された層状部材である。樹脂層１４を構成する樹脂は、硬化することによって導体層１１２と導体層１２１とを接着することができる樹脂であれば限定されるものではない。また、樹脂層１４を構成する樹脂は、紫外線を照射することによって硬化する樹脂であってもよいし、加熱することによって硬化する樹脂であってもよいし、大気中に所定の時間放置することによって硬化する樹脂であってもよい。樹脂層１４を構成する樹脂の一例としては、エポキシ樹脂が挙げられ、本実施形態ではエポキシ樹脂を採用している。

樹脂層１５は、誘電体層１２の導体層１２２と、誘電体層１３の導体層１３１との間に介在するように形成されている点を除けば樹脂層１４と同様に構成されている。したがって、ここでは、樹脂層１５に関する詳しい説明を省略する。

（配線及びグランドパターン）
多層基板１０の一方の主面を構成する導体層１１１は、まず、誘電体層１１の一方の主面の全体に形成される。その後、導体層１１１の一部を所定の形状に除去する（すなわちパターニングする）ことによって、誘電体層１１の一方の主面には、導体層１１１が残された領域と、導体層が除去された領域とが形成される。導体層１１１が残された領域は、言い換えれば導体パターンであり、その形状に応じて配線として機能したり、グランド層として機能したり、電極として機能したりする。具体的には、図１の（ａ）に示すように、導体層１１１はパターニングされ、配線Ｌ１が形成されている。また、図１の（ａ）には図示していないが、導体層１１１はパターニングされ、グランド層や、電極などが形成されていてもよい。なお、配線Ｌ１は、第１導体パターンの一例である。

なお、図１の（ａ）に示すように、配線Ｌ１は、スルービアＴＶからブラインドビアＢＶに向かう方向に沿って延びていることが好ましい。この構成によれば、配線Ｌ１からパッドＰ３へ伝送される電磁波の経路のうち、（１）スルービアＴＶのみを経由する経路、及び、（２）ブラインドビアＢＶ及びスルービアＴＶを経由する経路の各々の経路長（すなわち電気長）を等しくする、又は、略等しくすることができる。したがって、（１）の経路を通る電磁波と（２）の経路を通る電磁波との間に生じ得る干渉を低減することができる。

多層基板１０の他方の主面を構成する導体層１３２は、導体層１１１と同様に、誘電体層１３の一方の主面の全体に形成され、その後、パターニングされている。その結果、導体層１３２には、パッドＰ３と、グランドパターンＧとが形成されている。パッドＰ３とグランドパターンＧとは、アンチパッドＡＰ５により離間されるとともに絶縁されている。なお、パッドＰ３は、第３導体パターンの一例である。

多層基板１０の表層を構成する導体層１１１，１３２と同様に、多層基板１０の内層を構成する導体層１１２，１２１，１２２，１３１の各々もパターニングされている。導体層１１２，１２１，１２２，１３１の残された領域である導体パターンは、導体層１１１，１３２と同様に、その形状に応じて配線として機能したり、グランド層として機能したり、電極として機能したりする。その結果、導体層１１２はパターニングされ、パッドＰ２と、パッドＰ２の周りを取り囲むグランドパターン（図１において符号は省略）とが形成されている。パッドＰ２と上記グランドパターンとは、アンチパッドＡＰ１により離間されるとともに絶縁されている。また、導体層１２１，１２２，１３１の各々はパターニングされ、それぞれ、パッドと、該パッドの周りを取り囲むグランドパターンとが形成されている。図１の（ｂ）において、上記パッド及び上記グランドの符号は省略している。上記パッドと上記グランドパターンとは、導体層１２１においてはアンチパッドＡＰ２により離間されるとともに絶縁されており、導体層１２２においてはアンチパッドＡＰ３により離間されるとともに絶縁されており、導体層１３１においてはアンチパッドＡＰ４により離間されるとともに絶縁されている。なお、パッドＰ２、及び、導体層１２１に含まれているパッドであってアンチパッドＡＰ２により取り囲まれているパッドは、第２導体パターンの一例である。

（スルービアＴＶ及びブラインドビアＢＶ）
多層基板１０の内部には、スルービアＴＶ及びブラインドビアＢＶが形成されている。スルービアＴＶは、第１ビアの一例であり、ブラインドビアＢＶは、第２ビアの一例である。

スルービアＴＶは、樹脂層１４，１５を用いて接着したあとの誘電体層１１，１２，１３に対してスルーホールＴＨを形成し、スルーホールＴＨの内壁に導体膜を形成することによって得られる。

ブラインドビアＢＶは、樹脂層１４，１５を用いて接着したあとの誘電体層１１，１２，１３に対して、誘電体層１１のみを貫通するブラインドホールＢＨを形成し、ブラインドホールＢＨの内壁に導体膜を形成することによって得られる。言い換えれば、ブラインドビアＢＶは、誘電体層１２，１３を貫通しておらず、かつ、多層基板１０の法線方向に沿ってみた場合に、ブラインドビアＢＶは、パッドＰ３から離間している。なお、多層基板１０において、導体層１１２が省略されている場合、ブラインドビアＢＶは、樹脂層１４，１５を用いて接着したあとの誘電体層１１，１２，１３に対して、誘電体層１１及び樹脂層１４を貫通するブラインドホールＢＨを形成し、ブラインドホールＢＨの内壁に導体膜を形成することによって得られる。

スルービアＴＶ及びブラインドビアＢＶは、導体製の筒状部材である。スルービアＴＶ及びブラインドビアＢＶを構成する導体は、限定されるものではないが、電気抵抗率が小さな金属であることが好ましい。スルービアＴＶ及びブラインドビアＢＶを構成する導体の一例としては、銅及びアルミニウムが挙げられ、本実施形態では、銅を採用している。なお、本実施形態においてスルービアＴＶ及びブラインドビアＢＶは、導体製の筒状部材としたが、それに限らない。スルーホールＴＨ及びブラインドホールＢＨに導体を充填した円柱部材であってもよい。また、スルービアＴＶは非貫通孔を形成した後に形成されるブラインドビアでもよい。

また、ブラインドビアＢＶの全長（中心軸に沿った長さ）は、スルービアＴＶの全長（中心軸に沿った長さ）よりも短い。

スルービアＴＶは、（１）多層基板１０の一方の主面に形成された導体パターンである配線Ｌ１と、（２）導体層１１２をパターニングすることによって得られる導体パターンであるパッドＰ２と、（３）導体層１２１をパターニングすることによって得られる導体パターンであってアンチパッドＡＰ２により取り囲まれているパッドと、（４）多層基板１０の他方の主面に形成された導体パターンであるパッドＰ３と、を直接的に短絡する。なお、図１の（ｂ）に示すように、スルービアＴＶは、多層基板１０の内層に形成された導体パターンのうち、導体層１１２，１２１，１２２，１３１に形成されたアンチパッドＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３，ＡＰ４の外側に位置する導体パターンとは、絶縁されている。

ブラインドビアＢＶは、（１）多層基板１０の一方の主面に形成された導体パターンである配線Ｌ１と、（２）導体層１１２をパターニングすることによって得られる導体パターンであるパッドＰ２と、を直接的に短絡する。なお、図１の（ｂ）に示すように、ブラインドビアＢＶは、多層基板１０の内層に形成された導体パターンのうち、導体層１１２に形成したアンチパッドＡＰ１の外側に位置する導体パターン（パッドＰ２以外の導体パターン）とは、絶縁されている。

また、外部環境の温度変化に応じて多層基板１０が膨張又は収縮を繰り返した場合に、ブラインドビアＢＶは、スルービアＴＶよりも破断しにくくなるように構成されていることが好ましい。ブラインドビアＢＶの全長（中心軸に沿った長さ）は、スルービアＴＶの全長（中心軸に沿った長さ）よりも短いため、スルービアＴＶよりも破断しにくい。さらに、ブラインドビアＢＶをスルービアＴＶよりも破断しにくくするための構成としては、（１）スルービアＴＶの両端部である端部ＴＶａ，ＴＶｂを封止することによって、スルービアＴＶの内部空間を密閉する、（２）ブラインドビアＢＶを構成する導体層の厚みがスルービアＴＶを構成する導体膜の厚みより厚くする、（３）ブラインドビアＢＶの直径がスルービアＴＶの直径より大きくする、が考えられる。本実施形態においては、ブラインドビアＢＶをスルービアＴＶよりもさらに破断しにくくするために、ブラインドビアＢＶを構成する導体層の厚みがスルービアＴＶを構成する導体膜の厚みより厚くし、かつ、ブラインドビアＢＶの直径がスルービアＴＶの直径より大きくしている。

（ブラインドビアＢＶの効果）
外部環境の温度変化に応じて多層基板１０が膨張又は収縮を繰り返した場合、スルービアＴＶ及びブラインドビアＢＶのうち最も破断する可能性が高い箇所は、スルービアＴＶの端部ＴＶａの近傍領域である。以下に、端部ＴＶａの近傍領域が最も破断する可能性が高い箇所となる理由を説明する。なお、図２においては、この最も破断する可能性が高い箇所を平行な２本の破線により図示している。

外部環境の温度変化に応じて多層基板１０が膨張又は収縮を繰り返した場合、スルービアＴＶ及びブラインドビアＢＶを構成する導体膜には応力が繰り返し印加される。ここで、スルービアＴＶの両端部である端部ＴＶａ，ＴＶｂに作用しえる応力は、ブラインドビアＢＶの両端部に作用しえる応力を上回る。これは、スルービアＴＶの全長がブラインドビアＢＶの全長より長いためである。したがって、ブラインドビアＢＶは、スルービアＴＶよりも破断しにくい。なお、端部ＴＶａは、スルービアＴＶの両端部のうち誘電体層１１側の端部であり、端部ＴＶｂは、スルービアＴＶの両端部のうち誘電体層１３側の端部である。

また、本実施形態においては、上述したように、ブラインドビアＢＶをスルービアＴＶよりも破断しにくくする構成を採用しているため、ブラインドビアＢＶは、スルービアＴＶと比較して、大幅に破断しにくい。

また、スルービアＴＶの端部ＴＶａ，ＴＶｂの各々に作用しえる応力に着目した場合、端部ＴＶａに作用しえる応力は、端部ＴＶｂに作用しえる応力を上回る。これは、本実施形態において、誘電体層１１の材料である液晶ポリマーの熱膨張係数が誘電体層１３の材料であるポリイミドの熱膨張係数より大きいためである。

以上のように、外部環境の温度変化に応じて多層基板１０が膨張又は収縮を繰り返した場合に生じ得る応力は、スルービアＴＶ及びブラインドビアＢＶのうち、端部ＴＶａにおいて最も大きくなる場合が多い。したがって、端部ＴＶａの近傍領域が最も破断する可能性が高い箇所となる。

多層基板１０は、外部環境の温度変化に起因して、スルービアＴＶの誘電体層１１を貫通する部分である端部ＴＶａの近傍領域に破断が生じても、配線Ｌ１とパッドＰ２とがブラインドビアＢＶにより短絡されているので、配線Ｌ１と、パッドＰ２と、パッドＰ３との導通が保たれる。図２に示した白抜きの矢印は、配線Ｌ１からパッドＰ３へ流れる電流の経路を示す。したがって、多層基板１０は、誘電体層１１，１２，１３の熱膨張（特には、誘電体層１１の熱膨張）に起因する導通障害が生じ難い多層基板を実現することができる。

また、上述したように、誘電体層１１の材料である液晶ポリマーは、誘電体層１２，１３の材料であるポリイミドよりも高周波特性の良い材料であって、誘電率及び誘電正接が小さい材料であることが好ましい。通常、高周波特性の良い材料は熱膨張係数が大きい。

この構成によれば、誘電体層１１の熱膨張に起因する導通障害が生じ難く、かつ高周波特性の優れた多層基板１０を実現することができる。

なお、誘電体層１１，１２，１３の各々がすべて同じ材料により構成されている場合、端部ＴＶａの近傍領域における破断のしやすさと、端部ＴＶｂの近傍領域における破断のしやすさとは、概ね同じと見做せる。このような場合であっても、ブラインドビアＢＶを備えた多層基板１０は、従来よりも、誘電体層１１，１２，１３の熱膨張に起因する導通障害を生じにくくすることができる。これは、多層基板１０は、端部ＴＶｂの近傍領域において破断が生じた場合には導通障害が生じるものの、端部ＴＶａの近傍領域において破断が生じた場合には導通障害を生じさせないためである。

端部ＴＶａの近傍領域においてのみならず、端部ＴＶｂの近傍領域においても破断を生じさせたくない場合、ブラインドビアＢＶと同様の構造を、誘電体層１３にも形成しておけばよい。

（ＲＦＩＣの実装）
図１の（ａ）及び（ｂ）に示すように、多層基板１０において、導体層１１１側の主面の一部には、集積回路の一例であるＲＦＩＣ１６がバンプを用いて実装されている。

この構成によれば、誘電体層１１の熱膨張に起因する導通障害が生じ難く、ＲＦＩＣ１６が実装された多層基板を実現することができる。

なお、誘電体層１１の導体層１１１側の主面にＲＦＩＣ１６が実装されている場合、ＲＦＩＣ１６は熱源となるため、誘電体層１１の熱膨張量が大きくなり、その結果、誘電体層１１の熱膨張に起因する導通障害が生じる確率が上昇する。しかしながら、この構成によれば、誘電体層１１の熱膨張によりスルービアＴＶの誘電体層１１を貫通する部分（端部ＴＶａの近傍領域）に破断が生じても、配線Ｌ１とパッドＰ２とがブラインドビアＢＶにより短絡されているので、配線Ｌ１とパッドＰ２とパッドＰ３との導通が保たれる。このため、誘電体層１１の熱膨張に起因する導通障害が生じる確率の上昇を抑制することができる。したがって、ブラインドビアＢＶを備えた多層基板１０は、ＲＦＩＣなどを実装可能な高周波回路基板として好適に用いることができる。

導体層１１側にＲＦＩＣ１６が実装されていることが好ましい。そうすることでＲＦＩＣ１６の出力が低誘電もしくは低誘電正接な誘電体層１１に設けられた線路に直接出力されるので、線路において生じ得る損失をより低減することができる。

スルービアＴＶとブラインドビアＢＶの間の中心間距離である距離Ｄ_Ｖ（図１の（ａ）参照）は、配線Ｌ１を伝搬する電磁波の最大周波数に対応する波長の１０分の１以下が好ましい。分岐しているところはインピーダンスが変化しているため、ビア間の距離が長い場合、特に４分の１波長程度になる場合、使用帯域内で反射が増加してしまう。しかし、上述したように距離Ｄ_Ｖが配線Ｌ１を伝搬する電磁波の最大周波数に対応する波長の１０分の１以下である場合、多少線路中のインピーダンスが変化しても影響は小さい。多層基板１０において、距離Ｄ_Ｖの例としては、１ｍｍ以下が挙げられる。誘電体層１１に液晶ポリマーを使用した際、比誘電率を３とすると、距離Ｄ_Ｖが１ｍｍ以下である場合、周波数が１５ＧＨｚ以下の帯域に含まれる電磁波に対して、距離Ｄ_Ｖは、波長の１０分の１以下という条件を満たすことができる。すなわち、周波数が１５ＧＨｚ以下の帯域に含まれる電磁波に対して、距離Ｄ_Ｖが十分短い距離だと見做すことができる。

本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、それぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

１０多層基板
１１，１２，１３誘電体層
１１１，１１２，１２１，１２２，１３１，１３２導体層
１４，１５樹脂層
ＴＨスルーホール
ＴＶスルービア（第１ビア）
ＢＨブラインドホール
ＢＶブラインドビア（第２ビア）
ＡＰ１〜ＡＰ５アンチパッド
Ｌ１配線（第１導体パターン）
Ｐ２，Ｐ３パッド（第２導体パターン，第３導体パターン）

Claims

この順に積層された第１導体層、第１誘電体層、第２導体層、第２誘電体層、及び第３導体層を含む多層基板であって、
前記第１導体層、前記第２導体層、及び前記第３導体層の各々は、ぞれぞれ、第１導体パターン、第２導体パターン、及び第３導体パターンを含み、
前記第１誘電体層及び前記第２誘電体層を貫通し、かつ、前記第１導体パターン、前記第２導体パターン、及び前記第３導体パターンを短絡する第１ビアと、前記第１誘電体層を貫通し、かつ、前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンを短絡する第２ビアと、が内部に形成されている、
ことを特徴とする多層基板。
前記第１誘電体層の材料は、前記第２誘電体層の材料よりも誘電率又は誘電正接が小さく、かつ、前記第２誘電体層の材料よりも熱膨張係数が大きい材料である、
ことを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
前記第２ビアは、前記第１ビアよりも破断しにくくなるように構成されている、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の多層基板。
前記第２ビアと前記第１ビアとの距離は、前記第１ビアを通過する電磁波の最大周波数に対応する波長の１０分の１以下である、
ことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の多層基板。
前記第１導体層に実装されている集積回路を更に備えている、
ことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の多層基板。
前記第１導体パターンは、前記第１ビアから前記第２ビアに向かう方向に沿って延びている、
ことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の多層基板。