JP2021005683A - チップ抵抗器 - Google Patents

Abstract

【課題】絶縁基板の反りに起因する抵抗体の抵抗値変動を低減することができるチップ抵抗器を提供する。【解決手段】本発明のチップ抵抗器１０は、直方体形状の絶縁基板１と、絶縁基板１の表面における長手方向両端部に形成された一対の表電極２と、一対の表電極２間を橋絡する抵抗体３と、抵抗体３を被覆する第１保護層４と、絶縁基板１の裏面における長手方向両端部に形成された一対の裏電極５と、絶縁基板１の長手方向両端面に形成されて対応する表電極２と裏電極５を導通する一対の端面電極６と、第１保護層４を含めて絶縁基板１の表面全体を覆い、かつ、絶縁基板１の端面まで回り込んで端面電極６の一部を覆う第２保護層７と、第２保護層７から露出する端面電極６の残部および裏電極５の表面に形成された半田接続用の外部電極８と、を備えて構成されている。【選択図】図２

Description

本発明は、面実装タイプのチップ抵抗器に関するものである。

一般的にチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、絶縁基板の表面における長手方向両端部に所定間隔を存して対向配置された一対の表電極と、これら一対の表電極どうしを橋絡する抵抗体と、この抵抗体を覆う絶縁性の保護層と、絶縁基板の裏面における長手方向両端部に所定間隔を存して対向配置された一対の裏電極と、対応する表電極と裏電極を
導通するように絶縁基板の長手方向両端面に形成された一対の端面電極と、これら端面電極を覆う外部電極等によって主に構成されており、外部電極はＮｉメッキ層とその表面に形成されたＳｎメッキ層の２層構造となっている。

このように構成されたチップ抵抗器は、回路基板に設けられた配線パターンのランド上に半田ペーストを印刷した後、裏電極を下向きにして外部電極をランド上に搭載し、この状態で半田ペーストを溶融・固化することによって回路基板上に面実装されるが、熱応力に起因して半田接合部の疲労、クラック、破断等が生じやすくなる。

そこで従来より、特許文献１に記載されているように、裏電極を焼成銀からなる内層と樹脂銀からなる外層との２層構造にし、このような２層構造の裏電極を覆う外部電極に対して半田接合を行うようにしたチップ抵抗器が提案されている。かかるチップ抵抗器では、外部電極によって覆われた裏電極の外層が弾性を有する樹脂銀からなるため、半田接合部に作用する熱応力が樹脂銀によって緩和され、熱応力に起因するクラックや破断等の発生を抑制することができる。

特開平８−８４９０５号公報

ところで、特許文献１に記載されたチップ抵抗器では、半田接合部となる外部電極が端面電極だけでなく表電極と裏電極を覆うように形成されているため、製品寸法やランド寸法、半田量などによって決まる半田フィレットの大きさを制限することができず、半田フィレットが絶縁基板の両端面を乗り越えて表面側まで這い上がって形成されることもある。その場合、半田フィレットが凝固する際の応力により、絶縁基板に表面側を伸ばして裏面側を圧縮させる方向の反りが発生するため、絶縁基板の表面側に形成された抵抗体に伸び方向の力が作用し、抵抗体の抵抗値が変化してしまうという問題があった。

本発明は、上記した従来技術の実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、抵抗体の抵抗値変動を低減することができるチップ抵抗器を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明は、直方体形状の絶縁基板と、この絶縁基板の表面における長手方向両端部に形成された一対の表電極と、これら一対の表電極間を橋絡するように形成された抵抗体と、この抵抗体を覆う第１保護層と、前記絶縁基板の裏面における長手方向両端部に形成された一対の裏電極と、前記表電極と前記裏電極を導通するように前記絶縁基板の長手方向両端面に形成された一対の端面電極と、前記第１保護層を含めて前記絶縁基板の表面全体を覆い、かつ、前記絶縁基板の端面まで回り込んで前記端面電極の一部を覆う第２保護層と、この第２保護層から露出する前記端面電極の表面に形成された半田接続用の外部電極と、を備えていることを特徴とする。

このように構成されたチップ抵抗器を回路基板に実装する場合、第２保護層が絶縁基板の端面まで回り込んで形成されていることにより、半田フィレットが絶縁基板の表面側まで這い上がらないように制限されているため、絶縁基板の反りに起因する抵抗体の抵抗値変動を低減することができると共に、半田フィレットが凝固する際の応力によるチップ立ち（マンハッタン現象）を防止することができる。また、一対の外部電極に付着される半田量が第２保護層によって均一に制限されるため、半田量の不均一に起因するチップ立ち（マンハッタン現象）を防止することができると共に、第２保護層によって表電極の硫化を確実に防止することができる。

上記の構成において、第２保護層が、絶縁基板の長手方向両端面の一部だけでなく、絶縁基板の短手方向両側面の一部を覆っていると、絶縁基板の端面だけでなく側面からも水分が入り難くなるため、マイグレーションの発生を抑制することができる。

また、上記の構成において、表電極が絶縁基板の端面に回り込む延長部を有しており、この延長部が絶縁基板の端面を覆う前記第２保護層の先端位置よりも長く形成されていると、端面電極を抵抗値が比較的高い樹脂銀で形成しても、端面電極の抵抗値分が抵抗体の抵抗値に与える影響を小さくなる。

また、上記の構成において、第１保護層上に抵抗器の製品情報を表示する表示要素が形成されており、この表示要素が透明材料からなる第２保護層によって覆われていると、耐摩耗性に優れた表示要素を容易に形成することができる。

また、上記の構成において、第２保護層の絶縁基板の端面側への回り込みは特に限定されないが、第２保護層が絶縁基板の端面高さの１／１０を超えない範囲で絶縁基板の端面側へ回り込んでいると、上記した抵抗体の抵抗値変動やチップ立ち等を防止した上で、固着性を高めるのに必要な半田フィレットを形成することができる。

本発明によれば、絶縁基板の表面側を覆う第２保護層が絶縁基板の端面まで回り込んで形成されているため、絶縁基板の反りに起因する抵抗体の抵抗値変動を低減することができる。

本発明の第１実施形態例に係るチップ抵抗器の平面図である。 図１のII−II線に沿う断面図である。 図１のIII−III線に沿う断面図である。 該チップ抵抗器の製造工程を示す平面図である。 該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。 該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。 該チップ抵抗器を回路基板に実装した状態を示す説明図である。 本発明の第２実施形態例に係るチップ抵抗器の平面図である。 図８のIX−IX線に沿う断面図である。 図８のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。 本発明の第３実施形態例に係るチップ抵抗器の断面図である。 本発明の第４実施形態例に係るチップ抵抗器の平面図である。 図１２のXIII−XIII線に沿う断面図である。 図１２のXIV−XIV線に沿う断面図である。 該チップ抵抗器の製造工程を示す平面図である。 該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。 該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。

以下、発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。図１は本発明の第１実施形態例に係るチップ抵抗器の平面図、図２は図１のII−II線に沿う断面図、図３は図１のIII−III線に沿う断面図である。

図１〜図３に示すように、本発明の第１実施形態例に係るチップ抵抗器１０は、直方体形状の絶縁基板１と、絶縁基板１の表面における長手方向両端部に形成された一対の表電極２と、これら一対の表電極２間を橋絡するように形成された抵抗体３と、この抵抗体３を被覆する第１保護層４と、絶縁基板１の裏面における長手方向両端部に形成された一対の裏電極５と、絶縁基板１の長手方向両端面に形成されて対応する表電極２と裏電極５を導通する一対の端面電極６と、第１保護層４を含めて絶縁基板１の表面全体を覆い、かつ、絶縁基板１の端面まで回り込んで端面電極６の一部を覆う第２保護層７と、第２保護層７から露出する端面電極６の残部および裏電極５の表面に形成された半田接続用の外部電極８とによって主に構成されている。なお、抵抗体３には図示せぬトリミングが形成されており、このトリミング溝によって抵抗体３の抵抗値が調整されている。

絶縁基板１はセラミックス等からなり、この絶縁基板１は後述する大判基板を縦横に延びる一次分割溝と二次分割溝に沿って分割することにより多数個取りされたものである。

表電極２はＰｄ（パラジウム）を１〜５ｗｔ％含有するＡｇ（銀）系ペースト材料をスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。

抵抗体３は酸化ルテニウム等の抵抗ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、この抵抗体３の長手方向の両端部は表電極２に重なっている。

第１保護層４はガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、この第１保護層４の上からレーザ光を照射することで前述したトリミング溝が形成される。なお、第１保護層４をアンダーコート層とオーバーコート層の２層構造としても良く、その場合、ガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させることでアンダーコート層を形成した後、該アンダーコート層の上からエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化（焼付け）させることでオーバーコート層を形成すれば良い。

裏電極５はＡｇペーストやＰｄの含有量が少ないＡｇ−Ｐｄペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。

端面電極６は樹脂銀を塗布して加熱硬化させたものであり、この端面電極６は表電極２と裏電極５の端部を覆うように断面コ字状に形成されている。

第２保護層７は耐湿性の良いエポキシ樹脂ペーストやポリイミドを含有するエポキシ樹脂系ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化（焼付け）させたものであり、この第２保護層７は絶縁基板１の表面全体を覆っているだけでなく、絶縁基板１の端面まで回り込んで端面電極６の一部を覆う位置まで形成されている。ここで、絶縁基板１の端面高さ（板厚寸法）をＨ、絶縁基板１の表面から端面側へ突出する第２保護層７の回り込み量をｈとすると、第２保護層７の回り込み量ｈは絶縁基板１の端面高さＨの１／１０を超えない範囲内に設定されている（０＜ｈ＜Ｈ／１０）。

外部電極８は、電解メッキによって形成されたＮｉメッキ層と、該Ｎｉメッキ層の表面に形成されたＳｎメッキ層との２層構造からなり、この外部電極８は端面電極６と裏電極５の露出面を覆っている。

次に、上記の如く構成されたチップ抵抗器１０の製造方法について、図４〜図６を参照しながら説明する。なお、図４（ａ）〜（ｆ）は大判基板を表面的に見た平面図、図５（ａ）〜（ｆ）は図４（ａ）〜（ｆ）の長手方向中央部に沿った１チップ相当分の断面図、図６（ａ）〜（ｆ）は図４（ａ）〜（ｆ）の短手方向中央部に沿った１チップ相当分の断面図をそれぞれ示している。

まず、絶縁基板１が多数個取りされる大判基板１０Ａを準備する。この大判基板１０Ａには予め１次分割溝と２次分割溝が格子状に設けられており、両分割溝によって区切られたマス目の１つ１つが１個分のチップ領域となる。図４〜図６には１個分のチップ領域に相当する大判基板１０Ａが代表して示されているが、実際は多数個分のチップ領域に相当する大判基板に対して以下に説明する各工程が一括して行われる。

すなわち、図４（ａ）と図５（ａ）および図６（ａ）に示すように、大判基板１０Ａの裏面にＡｇペーストをスクリーン印刷して乾燥することにより、各チップ形成領域の長手方向両端部に所定間隔を存して対向する一対の裏電極５を形成する。次に、大判基板１０Ａの表面にＡｇ−Ｐｄペーストをスクリーン印刷して乾燥することにより、各チップ形成領域の長手方向両端部に所定間隔を存して対向する一対の表電極２を形成する。しかる後、表電極２と裏電極５を約８５０℃の高温で同時に焼成する。なお、これら表電極２と裏電極５は個別に焼成しても良く、その形成順を逆にして裏電極５よりも表電極２を先に形成するようにしても良い。

次に、大判基板１０Ａの表面に酸化ルテニウム等を含有した抵抗ペーストをスクリーン印刷して乾燥することにより、図４（ｂ）と図５（ｂ）および図６（ｂ）に示すように、両端部を表電極２に重ね合わせた抵抗体３を形成した後、これを約８５０℃の高温で焼成する。

次に、抵抗体３を覆う領域にガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥することにより、図４（ｃ）と図５（ｃ）および図６（ｃ）に示すように、抵抗体３と表電極２の端部を被覆する第１保護層４を形成した後、これを約６００℃の温度で焼成する。次に、一対の表電極２に図示せぬプローブを当接させて抵抗体３の抵抗値を測定しながら、第１保護層４の上からトリミング溝を形成して抵抗体３の抵抗値を調整する。なお、トリミング溝の形成後に、第１保護層４の上からエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して約２００℃の温度で加熱硬化（焼付け）することにより、２層構造の第１保護層４を形成するようにしても良い。

次に、大判基板１０Ａを１次分割溝に沿って短冊状基板１０Ｂに１次分割した後、短冊状基板１０Ｂの分割面にＡｇを含有させた樹脂ペーストを塗布して約２００℃の温度で加熱硬化することにより、図４（ｄ）と図５（ｄ）および図６（ｄ）に示すように、対応する表電極２と裏電極５間を接続する断面コ字状の端面電極６を形成する。

次に、短冊状基板１０Ｂの表面全体にエポキシ樹脂ペーストを塗布し、これを約２００℃の温度で加熱硬化することにより、図４（ｅ）と図５（ｅ）および図６（ｅ）に示すように、短冊状基板１０Ｂの表面全体を覆って端面（分割面）まで回り込む第２保護層７を形成する。この第２保護層７により、短冊状基板１０Ｂの表面側に形成された表電極２や第１保護層４だけでなく、短冊状基板１０Ｂの端面に形成された端面電極６の一部（上部）も被覆される。

次に、短冊状基板１０Ｂを２次分割溝に沿って複数のチップ状基板１０Ｃに２次分割し、これらチップ状基板１０Ｃに対して電解メッキを施してＮｉメッキ層とＳｎメッキ層を順次形成する。これらＮｉメッキ層とＳｎメッキ層により、図４（ｆ）と図５（ｆ）および図６（ｆ）に示すように、第２保護層７から露出する端面電極６と裏電極５とを覆う外部電極８が形成され、図１〜図３に示すチップ抵抗器１０が多数個取りされる。

このように構成されたチップ抵抗器１０は、図７に示すように、回路基板１００上に半田付けにより実装されるようになっている。この回路基板１００には所定間隔を存して離間する一対の配線パターン１０１が設けられており、これら配線パターン１０１はレジスト膜１０２から露出するランド１０１ａを有している。そして、各ランド１０１ａ上に半田ペーストを印刷した後、チップ抵抗器１０の両外部電極８をそれぞれランド１０１ａ上に搭載した状態で半田ペーストを溶融・固化すると、半田フィレット１０３がランド１０１ａと外部電極８間に形成されることにより、チップ抵抗器１０は回路基板１００上に面実装される。

ここで、第１実施形態例に係るチップ抵抗器１０では、絶縁基板１の表面全体を覆う第２保護層７が、絶縁基板１の端面側まで回り込んで端面電極６の一部を覆う位置まで形成されているため、半田フィレット１０３は第２保護層７より下方に位置する外部電極８の端面を這い上がって形成される。すなわち、半田ペーストの塗布量やランド寸法などにバラツキがあったとしても、第２保護層７によって半田フィレット１０３の這い上がり量を制限することができるため、半田フィレット１０３が絶縁基板１の表面側まで這い上がることを防止できる。したがって、半田フィレット１０３が凝固する際の応力を受けたとしても、絶縁基板１に反りは発生し難くなり、絶縁基板１の反りに起因する抵抗体３の抵抗値変動を低減することができる。

以上説明したように、第１実施形態例に係るチップ抵抗器１０は、絶縁基板１の表面全体を覆う第２保護層７を備え、この第２保護層７が絶縁基板１の端面側まで回り込んで端面電極６の一部を覆う位置まで形成されているため、回路基板１００への実装時に、半田フィレット１０３が絶縁基板１の表面側まで這い上がらないように制限することができる。これにより、絶縁基板１の反りに起因する抵抗体３の抵抗値変動を低減することができると共に、半田フィレットが凝固する際の応力によるチップ立ち（マンハッタン現象）を防止することができる。また、一対の外部電極８に付着される半田量が第２保護層７によって均一に制限され、一方の外部電極８側に多くの半田量が付着してしまうことがなくなるため、半田量の不均一に起因するチップ立ち（マンハッタン現象）を防止することができる。しかも、抵抗体３に接続する一対の表電極２の全体が第２保護層７によって覆われているため、表電極２の硫化を確実に防止することができる。

また、第１実施形態例に係るチップ抵抗器１０では、絶縁基板１の端面高さ（板厚寸法）をＨ、絶縁基板１の表面から端面側へ突出する第２保護層７の回り込み量をｈとしたとき、第２保護層７の回り込み量ｈが絶縁基板１の端面高さＨの１／１０を超えない範囲内に設定されている（０＜ｈ＜Ｈ／１０）ため、上記した抵抗体３の抵抗値変動やチップ立ち等を防止した上で、固着性を高めるのに必要な半田フィレット１０３を形成することができる。

図８は本発明の第２実施形態例に係るチップ抵抗器２０の平面図、図９は図８のIX−IX線に沿う断面図、図１０は図８のＸ−Ｘ線に沿う断面図であり、図１〜図３に対応する部分には同一符号を付してある。

図８〜図１０に示すチップ抵抗器２０が第１実施形態例に係るチップ抵抗器１０と相違する点は、第２保護層７が、絶縁基板１の長手方向両端面の一部だけでなく、絶縁基板１の短手方向両側面の一部も覆っていることにあり、それ以外の構成は基本的に同様である。

すなわち、この第２実施形態例に係るチップ抵抗器２０は、直方体形状の絶縁基板１と、絶縁基板１の表面における長手方向両端部に形成された一対の表電極２と、これら一対の表電極２間を橋絡するように形成された抵抗体３と、この抵抗体３を被覆する第１保護層４と、絶縁基板１の裏面における長手方向両端部に形成された一対の裏電極５と、絶縁基板１の長手方向両端面に形成されて対応する表電極２と裏電極５を導通する一対の端面電極６と、第１保護層４を含めて絶縁基板１の表面全体を覆い、かつ、絶縁基板１の長手方向両端面（符号１ａ参照）と短手方向両側面（符号１ｂ参照）まで回り込んで端面電極６の一部を覆う第２保護層７と、第２保護層７から露出する端面電極６の残部および裏電極５の表面に形成された半田接続用の外部電極８とによって主に構成されている。

このように構成されたチップ抵抗器２０を製造する場合、第１実施形態例と同様の工程を経て短冊状基板の分割面に端面電極６を形成した後、短冊状基板をチップ状基板に２次分割してから、各チップ状基板にエポキシ樹脂ペーストを塗布・焼付けして第２保護層７を形成するようにすれば、第２保護層７をチップ状基板の１次分割面と２次分割面の両方に回り込まして形成することができる。これにより、絶縁基板１の端面１ａだけでなく側面１ｂからも水分が入り難くなるため、マイグレーションの発生を抑制することができる。

図１１は本発明の第３実施形態例に係るチップ抵抗器３０の断面図であり、図１〜図３に対応する部分には同一符号を付してある。

図１１に示すチップ抵抗器３０が第１実施形態例に係るチップ抵抗器１０と相違する点は、表電極２に絶縁基板１の端面１ａに回り込む延長部２ａが形成されており、この延長部２ａが絶縁基板１の端面１ａに回り込む第２保護層７の先端位置よりも長く形成されていることにあり、それ以外の構成は基本的に同様である。

表電極２の延長部２ａを形成するのには、例えば、大判基板に設けられる１次分割用のＶ溝を広くしてＡｇ系ペーストを入り込ませたり、ダイシングによって１次分割を行い、その際のせん断力でＡｇ系ペーストを下方に伸ばすようにすれば良い。そして、このような延長部２ａが表電極２に形成されていると、端面電極６を抵抗値が比較的高い樹脂銀で形成しても、抵抗値が低い表電極２の延長部２ａが端面１ａに形成されているため、端面電極６の抵抗値分が抵抗体３の抵抗値に与える影響を小さくすることができる。

図１２は本発明の第４実施形態例に係るチップ抵抗器４０の平面図、図１３は図１２のXIII−XIII線に沿う断面図、図１４は図１２のXIV−XIV線に沿う断面図であり、図１〜図３に対応する部分には同一符号を付してある。

図１２〜図１４に示すチップ抵抗器２０が第１実施形態例に係るチップ抵抗器１０と相違する点は、第１保護層４上に抵抗器の製品情報を表示する表示要素９が形成されており、この表示要素９が透明材料からなる第２保護層７によって覆われていることにあり、それ以外の構成は基本的に同様である。

すなわち、この第４実施形態例に係るチップ抵抗器４０は、直方体形状の絶縁基板１と、絶縁基板１の表面における長手方向両端部に形成された一対の表電極２と、これら一対の表電極２間を橋絡するように形成された抵抗体３と、この抵抗体３を被覆する２層構造の第１保護層４と、第１保護層４上に形成された表示要素９と、絶縁基板１の裏面における長手方向両端部に形成された一対の裏電極５と、絶縁基板１の長手方向両端面に形成されて対応する表電極２と裏電極５を導通する一対の端面電極６と、第１保護層４上の表示要素９を含めて絶縁基板１の表面全体を覆い、かつ、絶縁基板１の端面まで回り込んで端面電極６の一部を覆う第２保護層７と、第２保護層７から露出する端面電極６の残部および裏電極５の表面に形成された半田接続用の外部電極８とによって主に構成されている。

第１保護層４は、抵抗体３を覆うように形成されたアンダーコート層４ａと、アンダーコート層４ａを覆うように形成されたオーバーコート層４ｂとの２層構造からなる。アンダーコート層４ａはガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、オーバーコート層４ｂはエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化（焼付け）させたものである。オーバーコート層４ｂには黒色などの着色が施されており、このオーバーコート層４ｂの表面に表示要素９が形成されている。表示要素９はエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものであり、表示要素９にはオーバーコート層４ｂとのコントラストが強く出るように白色などの着色が施されている。第２保護層７はエポキシ樹脂系ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものであり、この第２保護層７は表示要素９を目視できるように透明な材料で形成されている。

次に、上記の如く構成されたチップ抵抗器４０の製造方法について、図１５〜図１７を参照しながら説明する。なお、図１５（ａ）〜（ｆ）は大判基板を表面的に見た平面図、図１６（ａ）〜（ｆ）は図１５（ａ）〜（ｆ）の長手方向中央部に沿った１チップ相当分の断面図、図１７（ａ）〜（ｆ）は図１５（ａ）〜（ｆ）の短手方向中央部に沿った１チップ相当分の断面図をそれぞれ示している。

このチップ抵抗器４０の製造方法において、抵抗体３を形成するまでの工程は第１実施形態例に係るチップ抵抗器１０の製造方法と同一であり、図１５〜図１７は、それ以降の工程を示している。

すなわち、大判基板１０Ａの表面に形成された抵抗体３を覆う領域にガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥することにより、図１５（ａ）と図１６（ａ）および図１７（ａ）に示すように、抵抗体３と表電極２の端部を被覆するアンダーコート層４ａを形成した後、これを約６００℃の温度で焼成する。次に、一対の表電極２に図示せぬプローブを当接させて抵抗体３の抵抗値を測定しながら、アンダーコート層４ａの上から不図示のトリミング溝を形成して抵抗体３の抵抗値を調整する。

次に、アンダーコート層４ａの上からエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して約２００℃の温度で加熱硬化（焼付け）することにより、図１５（ｂ）と図１６（ｂ）および図１７（ｂ）に示すように、アンダーコート層４ａを覆うオーバーコート層４ｂを形成する。なお、これらアンダーコート層４ａとオーバーコート層４ｂとにより２層構造の第１保護層４が形成される。

次に、オーバーコート層４ｂ上にエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して約２００℃の温度で加熱硬化することにより、図１５（ｃ）と図１６（ｃ）および図１７（ｃ）に示すように、オーバーコート層４ｂの表面に表示要素９を形成する。表示要素９は、製品情報を表す数字や文字などであり、背景となるオーバーコート層４ｂとコントラストが強く出るように、表示要素９には白色などの着色が施されている。

次に、大判基板１０Ａを１次分割溝に沿って短冊状基板１０Ｂに１次分割した後、短冊状基板１０Ｂの分割面にＡｇを含有させた樹脂ペーストを塗布して約２００℃の温度で加熱硬化することにより、図１５（ｄ）と図１６（ｄ）および図１７（ｄ）に示すように、対応する表電極２と裏電極５間を接続する断面コ字状の端面電極６を形成する。

次に、短冊状基板１０Ｂの表面全体にエポキシ樹脂ペーストを塗布し、これを約２００℃の温度で加熱硬化することにより、図１５（ｅ）と図１６（ｅ）および図１７（ｅ）に示すように、短冊状基板１０Ｂの表面全体を覆って端面（分割面）まで回り込む第２保護層７を形成する。第２保護層７は内部の表示要素９を目視できるように透明な材料で形成されており、この第２保護層７により、短冊状基板１０Ｂの表面側に形成された表電極２や第１保護層４だけでなく、短冊状基板１０Ｂの端面に形成された端面電極６の一部（上部）も被覆される。

次に、短冊状基板１０Ｂを２次分割溝に沿って複数のチップ状基板１０Ｃに２次分割し、これらチップ状基板１０Ｃに対して電解メッキを施してＮｉメッキ層とＳｎメッキ層を順次形成する。これらＮｉメッキ層とＳｎメッキ層により、図１５（ｆ）と図１６（ｆ）および図１７（ｆ）に示すように、第２保護層７から露出する端面電極６と裏電極５とを覆う外部電極８が形成され、図１２〜図１４に示すチップ抵抗器４０が多数個取りされる。

以上説明したように、第４実施形態例に係るチップ抵抗器４０は、抵抗体３を覆う第１保護層４のオーバーコート層４ｂ上に抵抗器の製品情報を表示する表示要素９が形成されており、この表示要素９が透明材料からなる第２保護層７によって覆われているため、表示要素９が摩耗して見えにくくなることはなくなり、第１実施形態例と同様の効果に加えて、耐摩耗性に優れた表示要素９を容易に形成することができるという効果を奏する。

１０，２０，３０，４０ チップ抵抗器
１ 絶縁基板
２ 表電極
２ａ 延長部
３ 抵抗体
４ 第１保護層
４ａ アンダーコート層
４ｂ オーバーコート層
５ 裏電極
６ 端面電極
７ 第２保護層
８ 外部電極
９ 表示要素
１０Ａ 大判基板
１０Ｂ 短冊状基板
１０Ｃ チップ状基板
１００ 回路基板
１０１ 配線パターン
１０１ａ ランド
１０３ 半田フィレット

Claims (5)

1. 直方体形状の絶縁基板と、この絶縁基板の表面における長手方向両端部に形成された一対の表電極と、これら一対の表電極間を橋絡するように形成された抵抗体と、この抵抗体を覆う第１保護層と、前記絶縁基板の裏面における長手方向両端部に形成された一対の裏電極と、前記表電極と前記裏電極を導通するように前記絶縁基板の長手方向両端面に形成された一対の端面電極と、前記第１保護層を含めて前記絶縁基板の表面全体を覆い、かつ、前記絶縁基板の端面まで回り込んで前記端面電極の一部を覆う第２保護層と、この第２保護層から露出する前記端面電極の表面に形成された半田接続用の外部電極と、を備えていることを特徴とするチップ抵抗器。
2. 請求項１の記載において、前記第２保護層が前記絶縁基板の短手方向両側面の一部を覆っていることを特徴とするチップ抵抗器。
3. 請求項１の記載において、前記表電極が前記絶縁基板の端面に回り込む延長部を有しており、この延長部が前記絶縁基板の端面を覆う前記第２保護層の先端位置よりも長く形成されていることを特徴とするチップ抵抗器。
4. 請求項１の記載において、前記第１保護層上に抵抗器の製品情報を表示する表示要素が形成されており、この表示要素が透明材料からなる前記第２保護層によって覆われていることを特徴とするチップ抵抗器。
5. 請求項１の記載において、前記第２保護層は、前記絶縁基板の端面高さの１／１０を超えない範囲で前記絶縁基板の端面側へ回り込んでいることを特徴とするチップ抵抗器。