JP2021002574A - 構造体、光デバイス、光デバイスの製造方法、および構造体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
{11−23}面、または{11−23}面からのオフ角が10°以内である面を第1主面とするIII族窒化物半導体の基板と、
前記基板の、前記第1主面上または、前記第1主面とは反対側の第2主面上に積層された、III族窒化物半導体からなる多層構造とを備え、
前記多層構造はInGaN層およびGaN層の交互積層構造からなる量子井戸構造を含み、
前記量子井戸構造における前記InGaN層の厚さは3nm以下である構造体が提供される。
上記の構造体と、
前記多層構造に電気的に接続された第1の電極および第2の電極を備える光デバイスが提供される。
上記の構造体に、前記多層構造に電気的に接続された第1の電極および第2の電極を形成する光デバイスの製造方法が提供される。
{11−23}面、または{11−23}面からのオフ角が10°以内である面を第1主面とするIII族窒化物半導体の基板の、前記第1主面上または、前記第1主面とは反対側の第2主面上に、III族窒化物半導体を成長させて多層構造を形成する形成工程を含み、
前記多層構造はInGaN層およびGaN層の交互積層構造からなる量子井戸構造を含み、
前記量子井戸構造における前記InGaN層の厚さは3nm以下である構造体の製造方法が提供される。
図1は、第1の実施形態に係る構造体10の構造を例示する図である。本実施形態に係る構造体10は、基板100、および多層構造200を備える。基板100は、{11−23}面、または{11−23}面からのオフ角が10°以内である面を第1主面101とするIII族窒化物半導体の基板である。多層構造200は、基板100の、第1主面101上または第2主面102上に積層された、III族窒化物半導体からなる構造である。ここで、第2主面102は、基板100の第1主面101とは反対側の主面である。また、多層構造200はInGaN層224およびGaN層222の交互積層構造からなる量子井戸構造220を含む。そして、量子井戸構造220におけるInGaN層224の厚さは3nm以下である。以下に詳しく説明する。
図3は、第2の実施形態に係る構造体10の構成を例示する図である。本実施形態に係る構造体10は、多層構造200が、量子井戸構造220に加え、ガイド層、クラッド層、電子ブロック層、およびコンタクト層の少なくともいずれかを備える点を除いて第1の実施形態に係る構造体10と同じである。
実施例1として、単一量子井戸構造を有する構造体を作製し、評価した。
厚さ:408μm
CL暗点密度:1.53×106cm−2
XRC(112)ω半値幅:m軸入射測定138arcsec.、c投影軸入射測定66.4arcsec.
{11−23}面からの各軸方向のオフ角:m軸方向−0.06°、c投影軸方向0.16°({11−23}面と測定対象の主面とのなす角が10°以内であることが確認された。)
曲率半径:m軸方向−2.69m、c軸方向+8.79m
なお、曲率半径の+は測定対象の主面において凸方向に結晶軸の曲率半径を有していることを、−は凹方向に結晶軸の曲率半径を有していることを示す。
InGaN層およびcap−GaN層の成長温度を755℃とし、In/III比を0.7とした以外は実施例1と同様にして構造体を作製した。
実施例3として、多重量子井戸構造を有する構造体を作製し、評価した。
比較例では、InGaN層の成長を5nmの膜厚を想定して行った点、InGaN層およびcap−GaN層の成長温度を900℃とした点、およびInGaNの成長時のIn/III比を0.7とした点以外は実施例3と同様にして構造体を作製した。
30 光デバイス
100 基板
101 第1主面
102 第2主面
200 多層構造
220 量子井戸構造
222 GaN層
224 InGaN層
231 InGaNガイド層
233 n−GaNガイド層
234 p−GaNガイド層
240 電子ブロック層
251 n型クラッド層
252 p型クラッド層
260 p型コンタクト層
310 第1の電極
320 第2の電極
Claims (14)
- {11−23}面、または{11−23}面からのオフ角が10°以内である面を第1主面とするIII族窒化物半導体の基板と、
前記基板の、前記第1主面上または、前記第1主面とは反対側の第2主面上に積層された、III族窒化物半導体からなる多層構造とを備え、
前記多層構造はInGaN層およびGaN層の交互積層構造からなる量子井戸構造を含み、
前記量子井戸構造における前記InGaN層の厚さは3nm以下である構造体。 - 請求項1に記載の構造体において、
前記InGaN層の組成はInxGa(1−x)Nで表され、
0.28≦x≦0.5が成り立つ構造体。 - 請求項1または2に記載の構造体において、
励起波長を325nmとした当該構造体のフォトルミネッセンススペクトルは、ピーク波長を500nm以上560nm以下とする第1のピークを有する構造体。 - 請求項3に記載の構造体において、
前記第1のピークの半値幅は100nm以下である構造体。 - 請求項3または4に記載の構造体において、
前記第1のピークのピーク強度は、励起波長を325nmとした当該構造体のフォトルミネッセンススペクトルに現れる第2のピークのピーク強度の1倍以上であり、
前記第2のピークは、350nm以上400nm以下の波長範囲において最大のピーク強度を有するピークである構造体。 - 請求項1から5のいずれか一項に記載の構造体において、
前記多層構造はAlyGa(1−y)Nで表される組成のAlGaNからなるクラッド層を含み、
yは0.1以上である構造体。 - 請求項1から6のいずれか一項に記載の構造体と、
前記多層構造に電気的に接続された第1の電極および第2の電極を備える光デバイス。 - 請求項7に記載の光デバイスにおいて、
レーザーである光デバイス。 - 請求項1から6のいずれか一項に記載の構造体に、前記多層構造に電気的に接続された第1の電極および第2の電極を形成する光デバイスの製造方法。
- {11−23}面、または{11−23}面からのオフ角が10°以内である面を第1主面とするIII族窒化物半導体の基板の、前記第1主面上または、前記第1主面とは反対側の第2主面上に、III族窒化物半導体を成長させて多層構造を形成する形成工程を含み、
前記多層構造はInGaN層およびGaN層の交互積層構造からなる量子井戸構造を含み、
前記量子井戸構造における前記InGaN層の厚さは3nm以下である構造体の製造方法。 - 請求項10に記載の構造体の製造方法において、
前記形成工程における成長温度は500℃以上1000℃以下である構造体の製造方法。 - 請求項10または11に記載の構造体の製造方法において、
前記形成工程は、少なくとも一の層間において成長を中断させる工程を含む構造体の製造方法。 - 請求項10または11に記載の構造体の製造方法において、
前記形成工程は、層と層の少なくとも一の境界部を形成する時に、水素を供給する工程を含む構造体の製造方法。 - 請求項10から13のいずれか一項に記載の構造体の製造方法において、
前記形成工程において、原料ガスによる、V族原子の供給数は、III族原子の供給数の5000倍以上20000倍以下である構造体の製造方法。
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