JP2021001398A5 - - Google Patents
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Description
上記目的を達成するために、本発明はミクロ粗面化電着銅箔を提供する。前記ミクロ粗面化電着銅箔は、複数の銅ノジュール非配置領域、及び複数の銅ノジュール配置領域を有するミクロ粗面であって、前記銅ノジュール非配置領域の一部は前記複数の銅ノジュール配置領域間に分散している、ミクロ粗面、及び、前記ミクロ粗面上に形成し、前記銅ノジュール配置領域に設置した複数の銅ノジュールであって、前記銅ノジュールは前記銅ノジュール非配置領域に設置しておらず、各銅ノジュール配置領域に前記銅ノジュールを配置し、前記ミクロ粗面上の一つの方向に沿って形成する、銅ノジュール、から成り、ここでは、120平方マイクロメートル(μm2)のミクロ粗面において、前記銅ノジュール非配置領域の数は5個以上であり、各銅ノジュール非配置領域のサイズは62,500平方ナノメートル(nm2)以上であり、各銅ノジュール配置領域の長さは300ナノメートル(nm)〜2,500nmであり、各銅ノジュール配置領域内の銅ノジュールの平均幅は10nm〜300nmであり、各銅ノジュール配置領域内の銅ノジュールの数は3〜50個である。
本発明によれば、各銅ノジュール配置領域の銅ノジュールをミクロ粗面上の一つの方向に沿って配置及び形成する。具体的には、各銅ノジュール配置領域の銅ノジュールは場合により、並べて配置し、ミクロ粗面上の前記方向に沿って形成する。換言すれば、一実施形態では、各銅ノジュール配置領域内の銅ノジュールを並べて配置してミクロ粗面上の前記方向に沿って形成する場合、複数の銅ノジュールは互いに密接に隣接して配置し、ミクロ粗面上の前記方向に沿って形成する。また、別の実施形態で、各銅ノジュール配置領域の銅ノジュールを並べて配置しないがミクロ粗面上の前記方向に沿って形成する場合は、銅ノジュールは間隔をあけて配置し、ミクロ粗面上の前記方向に沿って形成する。いくつかの実施形態では、銅ノジュール配置領域の一部分の銅ノジュールは並べて配置し、ミクロ粗面上の前記方向に沿って形成し、また、銅ノジュール配置領域の別の部分の銅ノジュールは並べて配置しないがミクロ粗面上の前記方向に沿って形成する。いくつかの実施形態では、銅ノジュール配置領域の銅ノジュールの一部は並べて配置し、ミクロ粗面上の前記方向に沿って形成し、また、銅ノジュール配置領域の銅ノジュールの別の部分は並べて配置しないがミクロ粗面上の前記方向に沿って形成する。
本発明のミクロ粗面化電着銅箔は、制御したRlr又はSdr値に加えて、上述した表面形状も有する。ミクロ粗面化電着銅箔のミクロ粗面はまた、複数の銅ノジュール非配置領域及び複数の銅ノジュール配置領域を有し、銅ノジュール非配置領域の一部は複数の銅ノジュール配置領域の間に分散し、複数の銅ノジュールはミクロ粗面上に形成し、銅ノジュール配置領域に設置し、銅ノジュール非配置領域には設置せず、各銅ノジュール配置領域における銅ノジュールはミクロ粗面上の一つの方向に沿って配置及び形成する。また、120μm2のミクロ粗面において、前記銅ノジュール非配置領域の数は5個以上であり、各銅ノジュール非配置領域のサイズは62,500nm2以上であり、各銅ノジュール配置領域の長さは300nm〜2,500nmであり、各銅ノジュール配置領域の銅ノジュールの平均幅は10nm〜300nmであり、各銅ノジュール配置領域の銅ノジュールの数は3〜50個である。
図1A〜1C(実施例1)、図2A〜2C(実施例2)、及び図3A〜3C(実施例3)に示すように、実施例1〜3のミクロ粗面化電着銅箔はミクロ粗面及び複数の銅ノジュールを有していた。当該ミクロ粗面は複数の銅ノジュール配置領域及び複数の銅ノジュール非配置領域を有しており、銅ノジュール非配置領域の一部は複数の銅ノジュール配置領域間に分散し、銅ノジュール非配置領域は銅ノジュール配置領域と隣接して配置した。銅ノジュールはミクロ粗面上に形成し、銅ノジュール配置領域に設置し、銅ノジュールは銅ノジュール非配置領域には設置せず(即ち、各銅ノジュール非配置領域にはほとんど銅ノジュールが無い)、各銅ノジュール配置領域内の銅ノジュールはミクロ粗面上の一つの方向に沿って配置及び形成し、配列した銅ノジュールの方向は銅ノジュール配置領域の延設長の方向とほぼ一致した。
Claims (8)
- ミクロ粗面化電着銅箔であって、
複数の銅ノジュール非配置領域、及び複数の銅ノジュール配置領域を有するミクロ粗面であって、前記銅ノジュール非配置領域の一部は前記複数の銅ノジュール配置領域間に分散しているミクロ粗面、及び、
前記ミクロ粗面上に形成し、前記銅ノジュール配置領域に設置した複数の銅ノジュールであって、前記銅ノジュールは前記銅ノジュール非配置領域に設置しておらず、銅ノジュール配置領域の一部に前記銅ノジュールを並べて配置し、前記ミクロ粗面上の一つの方向に沿って形成する、複数の銅ノジュール、から成り、
120μm2の前記ミクロ粗面において、前記銅ノジュール非配置領域の数は10〜50個であり、
各銅ノジュール非配置領域のサイズは500nm×250nmであり、
前記銅ノジュール配置領域の一部の長さは300nm〜2,500nmであり、
前記銅ノジュール配置領域の一部内の前記銅ノジュールの平均幅は10nm〜300nmであり、
前記銅ノジュール配置領域の一部内の前記銅ノジュールの数は3〜50個である、ことを特徴とする、
ミクロ粗面化電着銅箔。 - 前記銅ノジュール配置領域の一部内の前記銅ノジュールの平均幅は10nm〜200nmである、請求項1に記載の前記ミクロ粗面化電着銅箔。
- 前記銅ノジュール配置領域の一部内の前記銅ノジュールの数は3〜10個である、請求項1又は2に記載の前記ミクロ粗面化電着銅箔。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載の前記ミクロ粗面化電着銅箔及び基板から成る銅張積層板であって、
前記基板及び前記ミクロ粗面化電着銅箔は積層することを特徴とする、
銅張積層板。 - 前記銅張積層板の4GHzでの挿入損失は−0.26dB/in〜−0.32dB/inである、請求項4に記載の前記銅張積層板。
- 前記銅張積層板の8GHzでの挿入損失は−0.41dB/in〜−0.51dB/inである、請求項4又は5に記載の前記銅張積層板。
- 前記銅張積層板の12.89GHzでの挿入損失は−0.57dB/in〜−0.73dB/inである、請求項4〜6のいずれか一項に記載の前記銅張積層板。
- 前記銅張積層板の16GHzでの挿入損失は−0.67dB/in〜−0.83dB/inである、請求項4〜7のいずれか一項に記載の前記銅張積層板。
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