JP2020508491A - 基板および透明導電層を含む電気デバイスおよびその形成プロセス - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、透明基板100に隣接する層のスタックを形成した後の部分的に製造された電気デバイスの断面図の説明図を含み、層は透明導電層および透明導電層間に配置されたエレクトロクロミックデバイス層を含む。特定の実施形態では、層のスタック内の層は基板上に堆積される。一実施形態では、基板100は、ガラス基板、サファイア基板、酸窒化アルミニウム基板、またはスピネル基板を含むことができる。別の実施形態では、基板は、ポリアクリル系化合物、ポリアルケン、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエーテル、ポリエチレン、ポリイミド、ポリスルホン、ポリスルフィド、ポリウレタン、ポリビニルアセテート、別の適切な透明ポリマー、または前述のコポリマーなどの透明ポリマーを含むことができる。基材は可撓性であってもなくてもよい。特定の実施形態では、基板100はフロートガラスまたはホウケイ酸ガラスとすることができ、0.5mmから4mmの範囲の厚さを有することができる。別の特定の実施形態では、基板100は、50ミクロン〜300ミクロンの範囲の厚さを有する鉱物ガラスである超薄ガラスを含むことができる。特定の実施形態では、基板100は、形成されている多くの異なるエレクトロクロミックデバイスに使用することができ、マザーボードと呼ぶことができる。
パターン化作業を延期することは、製造における柔軟性を提供するために有利である。製造が行われている間に、注文が出される可能性があり、他の注文がキャンセルされる可能性があり、またはデザインが変更される可能性がある。製造開始時に基板100から形成される製品の混合は、製造プロセスフローの後半で基板100から形成される製品の混合とは異なる場合がある。可能な限りパターン化を延期することで、製品の生産を注文により近く合わせることができるため、キャンセルされたカスタム注文の在庫および無駄を減らすことができる。
処理は、所望の位置でスタック120内の1つ以上の層の一部を選択的に除去することで継続することができる。選択的なバスバーの除去および形成に関するいくつかの動作を実行する順序は、提示されているものとは異なる順序で実行されてもよい。したがって、本明細書を読んだ後、当業者は、施設内の特定の用途または装置構成に対するニーズまたは要望を満たすために、どのような順序で動作を実行するかを決定することができる。
その後形成されるバスバーは両方とも、下部透明導電層122と接触してもよい。下部透明導電層122は、間隔を空けて配置されたバスバー間に高抵抗領域を形成するようにパターン化することができる。一実施形態では、高抵抗領域は、バスバーが互いに電気的に短絡すること、またはバスバー間に許容できないほど高い漏れ電流を有することを防止するために、バスバーが後に形成される場所に隣接する。本明細書で後述するように、代替実施形態では、高抵抗領域を両方のバスバーから著しく離間させることができる。プロセスのこの時点で、下部透明導電層122は埋め込み層であるため、下部透明部分を高抵抗領域にする際には注意が必要である。高抵抗領域は、透明導電層、またはそのような透明導電層と電極層などの隣接層との組み合わせのみを含み得る。高抵抗領域の形成は、様々な方法を用いて達成することができ、そのうちの1つを以下に記載し、他は本明細書において後述する。そのような方法は単なる例示であり、添付の特許請求の範囲に記載されるように、本発明の範囲を限定することを意味しない。
切断レーン900は、スタック120を個々のエレクトロクロミックデバイスに対応する別々の部分に分離する。例えば、図2を参照すると、切断レーン900は、図2において破線が見られる場所に形成される。特定の実施形態では、図9および図10に示されているスタックの一部は、図2の領域204に対応する。鋸、レーザなどのツールを切断レーン900内で使用して、切断レーン900によって画定されたスタック120の異なる部分を含む基板100を切断して、基板100を個々のエレクトロクロミックデバイスに対応する様々な部品に分離することができる。切断レーン900の幅は、ツールがスタック120に接触することなく、ツールが基板100を切断することを可能にするのに十分である。図示の実施形態では、切断レーン900はスタック120の全ての層を貫通する。別の実施形態(図示せず)では、切断レーン900は、透明導電層122または130のうちの一方を貫通するが、導電層122および130のうちの他方へは貫通しない。切断レーン900は、穴300に関して前述した技術のいずれかを使用して画定することができる。切断レーン900を画定するために使用される技術は、穴300を画定するためにスタック120をパターン化することと比較して、同じでも異なってもよい。
開口部922および930は、バスバーが後に形成される領域に対応する。開口部922、930は下部透明導電層122まで延びている。別の実施形態では、開口部922および930は下部透明導電層122を貫通し、その後に形成されるバスバーは下部透明導電層122の側壁に接触することができる。さらなる実施形態では、開口部922および930は異なる層を貫通してもよい。さらに他の実施形態では、上部透明導電層130への接触がその露出された上部露出面に沿って行われるので、開口部930は形成されなくてもよい。少なくとも開口部922の幅は、下部透明導電層122への低い接触抵抗を可能にするのに十分である。一実施形態では、開口部922および930の幅は実質的に同じであり、開口部922および930の深さは実質的に同じである。そのような実施形態では、バスバーのその後の形成は、異なる幅または異なる深さを有する開口部922および930と比較して、互いにより類似する。例えば、開口部922および930内では、単位距離当たりのバスバー用の材料の分配速度は実質的に同じであり得る。図9を参照すると、開口部922および930は、図9の左側および右側の近くで切断レーン900まで完全に延びることができるか、またはそのような切断レーンに到達する前に停止する長さを有する。開口部922および930は、穴300に関して前述した技法のうちのいずれかを使用して画定することができるが、基板100を通過するレーザビームを使用する場合、レーザビームの波長は、パターン化されている層によって吸収され、パターン化されていないスタック120の層の部分に著しく悪影響を及ぼすべきではない。透明導電層122および130が同じ組成を有し、透明導電層122が開口部922および930の底部に沿って残ることになる場合、基板100を通過するレーザビームは使用されなくてもよい。開口部922および930を画定するために使用される技術は、穴300、切断レーン900、またはその両方を画定することと比較して同じでも異なっていてもよい。
開口部942は、高抵抗領域600と同様の機能を提供する。開口部942は、開口部922内に続いて形成されるバスバーが、エレクトロクロミックデバイスの制御に使用される上部透明導電層130の一部に電気的に接続されるのを防ぐ。したがって、開口部942は少なくとも上部透明導電層130を貫通する。図示の実施形態では、開口部942は、上部透明導電層130および上部電極128を貫通する。別の実施形態(図示せず)では、開口部942は、イオン導電層126を貫通してもよく、またはさらに下部電極層124を貫通してもよい。図9を参照すると、開口部942は、図9の左側および右側の近くで切断レーン900まで完全に延びることができるか、またはそのような切断レーンに到達する前に停止する長さを有する。開口部942は、穴300に関して前述した技法のうちのいずれかを使用して画定することができるが、基板100を通過するレーザビームを使用する場合、レーザビームの波長は、パターン化されている層によって吸収され、パターン化されていないスタック120の層に著しく悪影響を及ぼすべきではない。透明導電層122および130が同じ組成を有する場合、基板100を通過するレーザビームは使用されなくてもよい。開口部942を画定するために使用される技術は、穴300、切断レーン900、開口部922および930、またはそれらの任意の組み合わせを画定するのと比較して同じでも異なっていてもよい。
図11、12、および13は、バスバー1122および1130を形成した後の加工物の上面図および断面図を含む。図12は、図11の切断線12−12に沿った穴300のうちの1つを通る断面図を含み、図13は、図11の切断線13−13に沿った2つの穴300間の断面図を含む。図11を参照すると、バスバー1122、1130はそれぞれ長さを有する。一実施形態では、バスバー1122および1130の長さは互いに実質的に平行である。本明細書で使用されるとき、実質的に平行とは、長さが、互いに平行である9°以内であることを意味することを意図する。開口部942および高抵抗領域600はそれぞれ長さを有する。バスバーの長さの一方または両方は、開口部942の長さと実質的に平行である。バスバーの長さの一方または両方は、高抵抗領域600の長さと実質的に平行である。さらに、高抵抗領域600の長さは、バスバー1122および1130の一方または両方の長さの少なくとも2%延び、図示の実施形態では、高抵抗領域600の長さは、バスバー1122および1130の一方または両方の長さの少なくとも50%、少なくとも80%、少なくとも90%または少なくとも95%である。高抵抗領域600の長さがバスバー1130の長さの90%以上である場合、このような長さは、下部透明導電層122を介したバスバー1122とバスバー1130との間の漏れ電流を十分に小さく維持するのに役立つ。
基板100はパネルに切断され、各パネルは透明導電層122および130の一部と、電極層124および128およびイオン導電層126の一部を含むエレクトロクロミックデバイスとを含む。図2を参照すると、切断は、領域201〜204、211、および212を個々のパネルに分離するために実行され得る。切断は、レーザまたはスクライブホイールもしくは鋸などの機械的デバイスによって行うことができる。
セクション1〜6の操作を実行した後に製造された加工物は、絶縁ガラスユニット(IGU)を形成する際に使用されるなどの他の透明基板に積層することができる。図14は、基板100およびスタック120を含むIGU1400の断面図を含む。スタック120ならびにバスバー1122および1130の個々の層は、IGU1400内の構成要素の理解を簡単にするために、図14に別に示されていない。図2および図14を参照すると、基板100とスタック120との組み合わせは、基板100の領域204に対応する。IGU1400は、外側基板1420と、スタック120と外側基板1420との間に配置された太陽光制御フィルム1412とをさらに含む。シール1422が、基板100と外側基板1420との間およびスタック120の周囲に配置されている。シール1422は、ポリイソブチレンなどのポリマーを含むことができる。外側基板1420は窓ガラス1430に結合されている。外側基板1420および窓ガラス1430のそれぞれは、強化ガラスとすることができ、2mm〜9mmの範囲の厚さを有することができる。低放射率層1432を窓ガラス1430の内面に沿って配置することができる。外側基板1420および窓ガラス1430は、基板100およびスタック120を囲むスペーサバー1442によって離間させることができる。スペーサバー1442は、シール1442を介して外側基板1420および窓ガラス1430に結合されている。シール1442は、ポリイソブチレンなどのポリマーとすることができる。シール1442は、シール1422と比較して同じまたは異なる組成を有することができる。接着接合部1450は、外側基板1420と窓ガラス1430とを一緒に保持するように設計されており、外側基板1420と窓ガラス1430の縁の全周に沿って設けられている。IGU1400の内部空間1460は、希ガスまたは乾燥空気などの比較的不活性なガスを含み得る。別の実施形態では、内部空間1460を真空にすることができる。特定の用途のために必要とされるかまたは望まれる場合、IGUのための他の設計が使用され得る。
1.高抵抗領域形成時の圧力
高抵抗領域が形成されている間に、スタック120に圧力を加えることができる。圧力は、スタック120が圧力の印加によって実質的に損傷を受けないように印加される。したがって、上部透明導電層128は、圧力が印加された後も導電性を保ち、無傷のままである。図15の実施形態では、下部透明導電層122(図15には個別に示されていない)の一部が高抵抗領域を有するスタック1520へ変換されるときに、圧力(図の中央付近の矢印で示される)がスタック120の一部に加えられる。スタック1520は、高抵抗領域600を形成した後のスタック120と同様であり得、スタック内の1つまたは複数の層が高抵抗領域に変換されるのに対して、スタック内の他の層は変換によって大きな影響を受けない。図示の実施形態では、加圧機構1500は、レーザビーム1562の上の領域でスタックに下向きの圧力を加えるローラ1522を含む。一実施形態では、加工物は、図の右側付近の矢印で示される方向に移動することができる。別の実施形態では、加工物は静止していてもよく、圧力機構1520およびレーザ1562を動かしてもよい。必要または所望である場合、フィルム1542をローラ1522とスタックとの間に配置して、ローラ1522によるスタックの損傷または汚染を減らすことができる。フィルムは、供給リール1544からローラ1522とスタックとの間を通過し、巻き取りリール1546によって巻き取ることができる。代替の実施形態では、フィルム1542とリール1544および1546は使用されなくてもよい。
図17は、材料のシートまたはストリップ1740がスタック上に配置または形成されている実施形態を示す。したがって、材料1740は、下にあるスタックもしくは基板100の端部、または基板100の切断部分を超えて延びることができる(切断が前に行われた場合)。材料1740は、実質的に全てのスタック120の上に配置されてもよく、または高抵抗領域を含むスタック1520が形成される場所に局所化されてもよい。図17に示す実施形態では、レーザビーム1562が図の左側から右側へ移動する。別の実施形態では、レーザビーム1562は静止していてもよく、加工物を移動させることができる。高抵抗領域を有するスタック1520を得るためにスタック120内に高抵抗領域を形成するプロセスは、高抵抗領域600に関して前述した技術を使用することができる。したがって、スタック1520内の高抵抗領域の形成は、図17に示す実施形態に限定されない。
熱勾配は、スタック1520を得るために、スタック120内に高抵抗領域を形成することと関連して使用されてもよい。図18は、熱伝導性であり、スタックと接触している温度変更機構1842を含む。温度変更機構1842は、必要に応じて、それに連結されたライン1844および1846を含み得る。一実施形態では、温度変更機構1842はヒートシンクを含むことができ、ライン1844および1846はヒートシンクに結合された冷却流体ラインを含むことができる。別の実施形態では、冷却ラインはヒートシンクに結合されていなくてもよく、またはヒートシンクが高抵抗領域と接触している場合には非活性であってもよい。さらなる実施形態では、温度変更機構1842は加熱器を含むことができ、線1844および1846はワイヤを含んでもよく、電流が加熱器を通って流れることを可能にすることができる。別の実施形態では、冷却用または加熱用の流体は、ヒートシンクまたは加熱器なしでスタックの表面に向けられてもよい。例えば、流体は、加熱または冷却された乾燥空気、N2、またはCO2などの超臨界流体を含んでもよく、スタックの表面上を流れてもよい。そのスタックの温度は、高抵抗領域の形成前、形成中、または形成後に温度変更機構1842または流体によって修正することができる。他の実施形態では、温度変更機構1842にはラインが接続されていなくてもよい。温度変更機構1842は、高抵抗領域が形成されているときに、温度を比較的一定に保つのを助けるのに十分な質量を有することができる。特定の実施形態では、温度変更機構1842は、高抵抗領域が形成されるときに加工物へまたは加工物から熱エネルギーを伝達するのを助けるためにフィン(図示せず)を有することができる。
スタック内に高抵抗領域を形成する方法は、本明細書に記載の実施形態に限定されない。本明細書に開示される方法の変形の他の方法によれば、非限定的な例示的実施形態である。
高抵抗領域を有するスタックを得るためにスタック120内に高抵抗領域を形成するプロセスは、高抵抗領域600に関して前述したいくつかまたは全部の技術を使用することができる。穴300は、代替の実施形態で説明または例示したように、実施形態では形成されてもされなくてもよい。したがって、スタック内の高抵抗領域の形成は、図15〜図18に示す実施形態に限定されない。
図19を参照すると、図9〜13に示すように、開口部942と同様の位置で、下部透明導電層122に高抵抗領域600を形成する前もしくは後、または上部透明導電層130に高抵抗領域を形成する前もしくは後に、別の基板1900が基板100、スタック120、またはその両方に積層されてもよい。他の基板1900は、対向基板とすることができ、基板100よりも厚くすることができる。特定の実施形態では、他の基板1900は、基板100に関して説明したような組成のいずれかを有することができる。他の基板1900は、基板100と比較して同じまたは異なる組成を有してもよい。基板1900は、熱強化または化学強化されていてもいなくてもよい。特定の実施形態では、基板は、2mm〜9mmの範囲の厚さを有することができるが、この範囲外の厚さを使用することもできる。
高抵抗領域は、以前に開示されたものと比較して、バスバーからさらに離れて形成することができる。一実施形態では、一部がより広いスペクトルの可視光を通過させることができ、別の部分がその透過率を変えてもよいように、パネルを形成することができる。そのような実施形態は、室内または他の制御された空間内でより良いカラーバランスを維持するために有用であり得る。図20を参照して、高抵抗領域2060は、高抵抗領域600と比較して、領域204に対応するパネルの中央にかなり近く形成することができる。高抵抗領域2060は、高抵抗領域600および1520を形成するための前述の技術の多くを使用して形成することができる。図20に示すように、図の上部に近いスタック120の部分2022は、互いに電気的に短絡された透明導電層122および130を有し、したがって、部分2022はそのより高い透過率(漂白された)状態のままであり得る。図の底部により近いスタック120の部分2024は、可視光に対するその透過率を変えることができる。スタック120の部分2024が低透過状態(着色された)にある場合、青色光はそのような部分を通過することができるが、他の色は部分2024を通る透過率がより低い可能性がある。スタック120の部分2022は、室内または他の制御された空間内の対象物がそれほど青く見えないように、より広いスペクトルの光を提供するのを助けることができる。
高抵抗領域は多くの異なる形状を有することができる。図21は、高抵抗領域2160が蛇行パターンを有する図を含む。高抵抗領域は、のこぎり歯パターン、ジグザグパターン、方形波パターン、または他のパターンなどの他の形状を有することができる。したがって、パターンは特定の用途に合わせて調整することができ、または特定の外観を提供することができる。
実施形態は、エレクトロクロミックデバイス用の従来の設計およびプロセスと比較して利点を提供することができる。スタック内のいずれかの層がパターン化される前に、層のスタックを基板上に堆積することができる。基板とスタックとの組み合わせは、一週間または一ヶ月を超えるような長期間にわたって製造および保管することができ、あるいはさらなる製造が行われる前に遠隔地に出荷することができる。最終製品が顧客に出荷される日に近づくまで不可逆的なパターン化を遅らせることによって、特定のサイズの在庫が多すぎることや、製造開始後にキャンセルされたカスタム注文の窓を廃棄しなければならない可能性を大幅に減らすことができる。さらに、後続の体積層を形成する前にスタック内の下層をパターン化する必要がないので、スタックの層間に粒子を導入する可能性を実質的に低減することができる。
第1透明導電層は、第1基板とエレクトロクロミックデバイスとの間に配置され、かつ第2電極層よりも第1電極層に近く、
エレクトロクロミックデバイスは、第1および第2透明導電層の間に配置され、第2透明導電層は、第1電極層よりも第2電極層に近く、混合領域は、第1透明導電層および第1電極層からの材料の混合物を含み、第2透明導電層は、無傷で混合領域の上または下にある部分を含む、電気デバイス。
第1基板と、第1基板に隣接する層のスタックとを提供することであって、層のスタックが第1透明導電層と、エレクトロクロミック層およびイオン貯蔵層のうちの一方である第1電極層と、エレクトロクロミック層およびイオン貯蔵層の他方である第2電極層と、第2透明導電層とを含み、第1電極層は、第1透明導電層と第2透明導電層との間に配置され、第2電極層は、第1電極層と第2透明導電層との間に配置される、ことと、第1電気デバイスの第1レイアウトを決定することと、第1レイアウトを決定した後、第1透明導電層の第1部分を第1電気デバイスの第1レイアウト内の第1高抵抗領域に変換することと、第2電気デバイスの第2レイアウトを決定することと、第2レイアウトを決定した後、第1透明導電層の第2部分を第2電気デバイスの第2レイアウト内の第2高抵抗領域に変換することとを含む、プロセス。
スタックの側面に沿って、スタックの少なくとも一部の熱勾配を変化させることと、
スタックの対向側面に沿って、スタックの少なくとも一部の熱勾配を変化させる間またはその後に、第1透明導電層の一部を第1高抵抗領域に変換することとを含む、プロセス。
Claims (15)
- 第1基板と、
第1透明導電層と、
第2透明導電層であって、前記第1透明導電層が、前記第1基板と前記第2透明導電層との間に配置されている、第2透明導電層と
を含み、
前記第1透明導電層が第1高抵抗領域を含み、
第1穴が少なくとも前記第2透明導電層を貫通し、上面視において、前記第1穴は前記第1高抵抗領域まで延びる、電気デバイス。 - エレクトロクロミックデバイスであって、
エレクトロクロミック層およびイオン貯蔵層のうちの一方である第1電極層と、
前記エレクトロクロミック層および前記イオン貯蔵層の他方である第2電極層と
を含む、エレクトロクロミックデバイスをさらに含み、
前記第1透明導電層は、前記第1基板と前記エレクトロクロミックデバイスとの間に配置され、前記第2電極層よりも前記第1電極層に近く、
前記エレクトロクロミックデバイスは、前記第1および第2透明導電層の間に配置され、
前記第2透明導電層は、前記第1電極層よりも前記第2電極層に近く、
混合領域は、前記第1透明導電層および前記第1電極層からの材料の混合物を含み、
前記第2透明導電層は、無傷で前記混合領域の上または下にある部分を含む、請求項1に記載の電気デバイス。 - 前記混合領域は、前記第1高抵抗領域の少なくとも一部である、請求項2に記載の電気デバイス。
- 第1基板と、
第1透明導電層と、
エレクトロクロミックデバイスであって、
エレクトロクロミック層およびイオン貯蔵層のうちの一方である第1電極層と、
前記エレクトロクロミック層および前記イオン貯蔵層の他方である第2電極層とを含む、エレクトロクロミックデバイスと、
第2透明導電層であって、前記第1透明導電層が前記第1基板と第2導電性透明層との間に配置される、第2透明導電層と、
前記第1透明導電層に電気的に接続されている第1バスバーと、
前記第2透明導電層に電気的に接続された第2バスバーと
をさらに含み、
(1)第1透明導電層は、前記第1バスバーと前記第2バスバーとが互いに電気的に接続されないように、第1高抵抗領域を含み、前記電気デバイスは、
上面視において、前記第1高抵抗領域が前記第1バスバーおよび前記第2バスバーから離間しており、
前記第1バスバーは長さを有し、前記第1高抵抗領域は前記第1バスバーの前記長さの少なくとも2%の長さを有するか、または
それらの任意の組み合わせを含む特徴を有し、
(2)前記電気デバイスはさらに材料のストリップを含み、前記第1高抵抗領域は前記第1基板と前記材料のストリップとの間に配置されている、請求項1に記載の電気デバイス。 - 第2穴は、前記第1穴から間隔を空けて配置され、少なくとも前記第2透明導電層を貫通し、上面視において、前記第1高抵抗領域の上または下にあり、
空隙は、前記第1穴と前記第2穴との間の空間から除去された前記第1透明導電層、前記第1電極層、またはその両方の特定の部分に対応し、
前記第2透明導電層、前記第2電極層、またはその両方の一部は、前記空間内でかつ前記空隙の上にある、請求項1から4のいずれか一項に記載の電気デバイス。 - 前記第1穴は、最大900ミクロンまたは最大50ミクロンの幅を有する、請求項5に記載の電気デバイス。
- 第1基板と、
第1高抵抗領域を含む第1透明導電層と、
材料のストリップであって、前記第1高抵抗領域が前記第1基板と前記材料のストリップとの間に配置されている、材料のストリップと
を含む、電気デバイス。 - 電気デバイスを形成するプロセスであって、
第1基板と、前記第1基板に隣接する層のスタックとを提供することであって、前記層のスタックが、
第1透明導電層と、
エレクトロクロミック層およびイオン貯蔵層のうちの一方である第1電極層と、
前記エレクトロクロミック層および前記イオン貯蔵層の他方である第2電極層とを含む、エレクトロクロミックデバイスと、
第2透明導電層と
を含み、
前記第1電極層は前記第1透明導電層と前記第2透明導電層との間に配置され、前記第2電極層は前記第1電極層と前記第2透明導電層との間に配置される、ことと、
少なくとも前記第2透明導電層を貫通する第1穴を画定するように前記スタックをパターン化することと、
前記第1穴を画定するように前記スタックをパターン化した後に、前記第1透明導電層の一部を第1高抵抗領域に変換することと
を含む、プロセス。 - 前記第1透明導電層の前記一部を前記第1高抵抗領域に変換することは、
前記スタックに圧力を加えて、前記第1透明導電層の前記一部を第1高抵抗領域に変換することを含む、請求項8に記載のプロセス。 - 前記第1透明導電層の前記一部を前記第1高抵抗領域に変換することは、
スタックの側面に沿って、スタックの少なくとも一部の熱勾配を変化させることと、
前記スタックの対向側面に沿って、前記スタックの少なくとも一部の前記熱勾配を変化させる間またはその後に、前記第1透明導電層の前記一部を前記第1高抵抗領域に変換することと
を含む、請求項8に記載のプロセス。 - 前記第1基板と、第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置された前記層のスタックとを含む積層を形成することをさらに含み、前記第1透明導電層の前記一部を前記第1高抵抗領域に変換することが、前記第2基板を通してエネルギーを導入することによって行われる、請求項8に記載のプロセス。
- 前記第1透明導電層の前記一部を変換することが、前記第1穴の上または下を通過する第1レーザを使用して実行される、請求項8から11のいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記スタックをパターン化することが、第2レーザを使用して実行される、請求項12に記載のプロセス。
- 前記第1透明導電層の前記一部を変換することは、第1レーザエネルギー密度で行われ、前記スタックをパターン化することは、前記第1レーザエネルギー密度より大きい第2レーザエネルギー密度で行われる、請求項13に記載のプロセス。
- 第1電気デバイスおよび第2電気デバイスを形成するプロセスであって、
第1基板と、前記第1基板に隣接する層のスタックとを提供することであって、前記層のスタックが、
第1透明導電層と、
エレクトロクロミック層およびイオン貯蔵層のうちの一方である第1電極層と、
前記エレクトロクロミック層および前記イオン貯蔵層の他方である第2電極層とを含む、エレクトロクロミックデバイスと、
第2透明導電層と
を含み、
前記第1電極層は前記第1透明導電層と前記第2透明導電層との間に配置され、前記第2電極層は前記第1電極層と前記第2透明導電層との間に配置される、ことと、
前記第1電気デバイスの第1レイアウトを決定することと、
前記第1レイアウトを決定した後、前記第1透明導電層の第1部分を前記第1電気デバイスの前記第1レイアウト内の第1高抵抗領域に変換することと、
前記第2電気デバイスの第2レイアウトを決定することと、
前記第2レイアウトを決定した後に、前記第1透明導電層の第2部分を前記第2電気デバイスの第2レイアウト内の第2高抵抗領域に変換することと
を含む、プロセス。
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