JP2020502771A - マイクロ波印加方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
物質に対して照射を行うためのマイクロ波エネルギー印加装置であって、このマイクロ波エネルギー印加装置が、マイクロ波エネルギーを発生させるように構成される少なくとも1つのマイクロ波エネルギー源と、照射される物質の方にマイクロ波エネルギーを誘導するための誘電共振器又は低速波マイクロ波アプリケータを備えるマイクロ波エネルギー放射面を有する少なくとも1つのマイクロ波アプリケータと、処理される物質に印加するために、マイクロ波エネルギー源からマイクロ波アプリケータにマイクロ波エネルギーを結合する導波管と、を備える、マイクロ波エネルギー印加装置。
Description
本発明は、例えばクロッピング・システムのための雑草除去装置として使用されるための、マイクロ波印加方法及び装置に関する。
既存の手法では、ホーン・アンテナが、雑草を除去するためにマイクロ波エネルギーを誘導するのに使用される。米国特許第6,401,637号が、例えば、雑草を除去するためにマイクロ波エネルギーを用いる照射により土壌及び土壌の地下を処理するための装置を開示している。装置はトラックに取り付けられて、処理される土壌の上を牽引される。
米国特許第7,560,673号が、一方で、土壌の層を地面からコンベア上まで採取するコンベアタイプの装置を開示しており、コンベアがマイクロ波エネルギー印加領域を通過させられる。
米国特許出願第2012/0091123(A1)号が、マイクロ波エネルギーを土壌まで誘導するための4ホーン導波管を使用するマイクロ波システムを開示している。マイクロ波システムは車両に搭載され得る。
Brodie G.,et al.,Microwave Technologies as Part of an Integrated Weed Management Strategy:A Review,International Journal of Agronomy,Volume 2012年が、ホーン・アンテナなどにより雑草に印加されるマイクロ波の効果の研究を説明している。
Brodie G.,et al.,Microwave Technologies as Part of an Integrated Weed Management Strategy:A Review,International Journal of Agronomy,Volume 2012年
Verbitskii(1980)
Mentzer and Peters(1976)
Brodie2008
第1の広い態様によると、本発明が、物質に対して照射を行うためのマイクロ波エネルギー印加装置を提供し、マイクロ波エネルギー印加装置が、マイクロ波エネルギーを発生させるように構成される少なくとも1つのマイクロ波エネルギー源と、照射される物質の方にマイクロ波エネルギーを誘導するための誘電共振器を備えるマイクロ波放射面を有する少なくとも1つのマイクロ波アプリケータと、処理される物質に印加するために、マイクロ波エネルギー源からマイクロ波アプリケータにマイクロ波エネルギーを結合する導波管と、を備える。
誘電共振器が、例えば、セラミック、ガラス、Teflon、又は他の低損失誘電体材料を含むことができる。
第2の広い態様によると、本発明が、物質に対して照射を行うためのマイクロ波エネルギー印加装置を提供し、マイクロ波エネルギー印加装置が、マイクロ波エネルギーを発生させるように構成される少なくとも1つのマイクロ波エネルギー源と、マイクロ波エネルギーの伝播方向を横切って平行に配置される溝を有する低速波マイクロ波アプリケータを備えるマイクロ波エネルギー放射面を有する少なくとも1つのマイクロ波アプリケータと、処理される物質に印加するために、マイクロ波エネルギー源からマイクロ波アプリケータにマイクロ波エネルギーを結合する導波管と、を備える。
溝が6mmから26mmの間の深さを有することができる。好適な実施例では、溝が6mmから13mmの間の深さを有する。別の好適な実施例では、溝が13mmから26mmの間の深さを有する。
一実施例では、溝がマイクロ波エネルギーの伝播方向に対して垂直である。実施例では、溝が相互に実質的に等距離に離間される。
第3の広い態様によると、本発明が、物質に対して照射を行うためのマイクロ波エネルギー印加装置を提供し、マイクロ波エネルギー印加装置が、マイクロ波エネルギーを発生させるように構成される少なくとも1つのマイクロ波エネルギー源と、マイクロ波エネルギーを放射するためのマイクロ波エネルギー放射面を有する少なくとも1つのマイクロ波アプリケータと、処理される物質に印加するために、マイクロ波エネルギー源からマイクロ波アプリケータにマイクロ波エネルギーを結合する導波管と、を備え、導波管からマイクロ波アプリケータにマイクロ波エネルギーが入るときの方向に対して実質的に垂直な方向においてマイクロ波エネルギーがマイクロ波アプリケータから放射される。
実施例では、マイクロ波エネルギー源が、約2.45GHzの周波数を有するマイクロ波エネルギーを出力するように構成される。
別の実施例では、マイクロ波エネルギー源が、約860MHz乃至960MHzの間の周波数を有するマイクロ波エネルギーを出力するように構成される。
別の実施例では、マイクロ波エネルギー源が、約5.8GHzの周波数を有するマイクロ波エネルギーを出力するように構成される。
任意選択で、マイクロ波エネルギー放射面が平面である。
実施例では、マイクロ波エネルギー印加装置が、マイクロ波エネルギー放射面から放射されるマイクロ波エネルギーを反射するように位置するリフレクタをさらに備え、その結果、物質がリフレクタとマイクロ波エネルギー放出面との間を移動する。
第4の広い態様によると、本発明が、第1の態様の1つ又は複数のマイクロ波エネルギー印加装置を備える、雑草、寄生生物、バクテリア、胞子、菌類、又はシードの除去デバイスを提供する。
第5の広い態様によると、本発明が、第1の態様の1つ又は複数のマイクロ波エネルギー印加装置を備える、土壌殺菌デバイス、土壌コンディショニング・デバイス、又は土壌硝化デバイスを提供する。
第6の広い態様によると、本発明が、第1の態様の1つ又は複数のマイクロ波エネルギー印加装置を備える、乾燥デバイスを提供する。
第7の広い態様によると、本発明が、マイクロ波エネルギー印加方法を提供し、この方法が、
少なくとも1つのマイクロ波エネルギー源を用いてマイクロ波エネルギーを提供するステップと、
少なくとも1つのマイクロ波アプリケータを用いてマイクロ波エネルギー源からマイクロ波エネルギーを受け取るステップと、
マイクロ波アプリケータを用いて、処理される物質にマイクロ波エネルギーを印加するステップと、
を含み、
マイクロ波アプリケータが、誘電共振器、及びマイクロ波エネルギーの伝播方向を横切って平行に配置される溝を有する低速波マイクロ波アプリケータ、のうちの1つを備える。
少なくとも1つのマイクロ波エネルギー源を用いてマイクロ波エネルギーを提供するステップと、
少なくとも1つのマイクロ波アプリケータを用いてマイクロ波エネルギー源からマイクロ波エネルギーを受け取るステップと、
マイクロ波アプリケータを用いて、処理される物質にマイクロ波エネルギーを印加するステップと、
を含み、
マイクロ波アプリケータが、誘電共振器、及びマイクロ波エネルギーの伝播方向を横切って平行に配置される溝を有する低速波マイクロ波アプリケータ、のうちの1つを備える。
第8の広い態様によると、本発明が、マイクロ波エネルギー印加方法を提供し、この方法が、少なくとも1つのマイクロ波エネルギー源を用いてマイクロ波エネルギーを提供するステップと、少なくとも1つのマイクロ波アプリケータを用いてマイクロ波エネルギー源からマイクロ波エネルギーを受け取るステップと、マイクロ波アプリケータを用いて、処理される物質にマイクロ波エネルギーを印加するステップとを含み、導波管からマイクロ波アプリケータにマイクロ波エネルギーが入るときの方向に対して実質的に垂直な方向においてマイクロ波エネルギーがマイクロ波アプリケータから放射される。
処理される物質が、例えば、雑草、寄生生物、バクテリア、胞子、シード、菌類、又は土壌を含むことができる。
本発明の各々の上記の態様の種々の個別の特徴のうちの任意の特徴、及び特許請求の範囲を含めた本明細書で説明される実施例の種々の個別の特徴のうちの任意の特徴が、適切に且つ所望される通りに組み合わされ得ることに留意されたい。
本発明をより明瞭に確認することができるようにするために、例として添付図面を参照して実施例を説明する。
本発明の実施例によると、図1において10で概略的に示されるマイクロ波エネルギー印加装置が提供される。マイクロ波エネルギー印加装置10の意図される主要な用途はクロッピング・システムのための雑草除去装置であり、これが、雑草及び/又は雑草シードを加熱してそれにより除去するか又はその生存能力を破壊することにより動作する。マイクロ波エネルギー印加装置10が、加えて又は別法として、例えば、土壌の状態を調整すること、硝化を促進すること、及び/又は土壌の細菌負荷を低減すること、に使用され得ることを認識されたい。一部の試験で、例えば、土壌の細菌負荷の合計を約90%低減することが可能であることが分かった。マイクロ波エネルギー印加装置10、又はその代替的実施例が、寄生生物を除去すること、及び土壌中の栄養物の利用可能性を高めることを目的として、園芸において、燻蒸(ガラス室の中での、又は市販のカーゴ又は土壌の、など)の代わりとしての用途も有する。
マイクロ波エネルギー印加装置10が、トラクタ又は他の農業機械などの車両によって引っ張られる車輪付きプラットフォームに設置されるように適合され、したがって、この実施例では、突き詰めると、その車両から動力を得る。これは、例えば、車両のアクスル、ホイール、又は動力取出装置(PTO:Power Take Off)に動作可能に係合されることによるものであってよい。したがって、図1を参照すると、マイクロ波エネルギー・アプリケータ10が、車両のアクスル、ホイール、又はPTOに係合し、それにより駆動され得る発電機12(非常に概略的な形で示される)と、発電機12の電気出力によって動力供給されるマイクロ波エネルギー源14(やはり非常に概略的な形で示される)と、マイクロ波導波管16と、下向きのマイクロ波エネルギー放射面19を備える低速波マイクロ波アプリケータ18の形態のマイクロ波アプリケータとを有する。
マイクロ波エネルギー源14がこの実施例では2.45GHzでマイクロ波エネルギーを発生させ、マイクロ波導波管16及び低速波マイクロ波アプリケータ18がこれに従ってサイズ決定される。しかし、他の実施例では、860MHzから960MHz、又は5.8GHzなどの、他の波長でマイクロ波エネルギーを発生させるマイクロ波エネルギー源が採用されてもよい。周波数の選択は例えば利便性によって決定され得、市販のマイクロ波エネルギー源は、一般に、上で言及した周波数のマイクロ波エネルギーを出力するように適合され、したがって上で言及した周波数は容易に且つ経済的に利用可能である。しかし、意図される用途に応じて他の基準も企図され得る。例えば、マイクロ波を印加する土壌の成分及び/又は湿気が動作周波数の選択に影響を与えることができる。
導波管16が、マイクロ波エネルギー源14のマイクロ波エネルギー出力をマイクロ波アプリケータ18まで案内するように配置され、マイクロ波アプリケータ18がその出力を所望される通りに誘導するように構成され、この実例ではこれが地面の方への下向きである(使用時に車両に設置されるとき)。
この実施例では、低速波マイクロ波アプリケータ18が、クロッピング・システムのための雑草除去装置として使用されるように適合される。低速波マイクロ波アプリケータが、電磁場分布を閉じ込める非放射の開いた伝送路を備える低速波構造を備え、その結果、電磁場が低速波構造の表面の非常に近くにある状態を維持し、低速波構造の表面から離れるにつれて指数関数的に減衰し、それにより土壌又は植物の処理の有効性又は効率を向上させる。
図2Aが導波管16及びマイクロ波アプリケータ18の正投影図であり、対して図2Bが、2.45GHzのマイクロ波と共に使用されるように適合される本発明の別の実施例によるマイクロ波エネルギー印加装置のマイクロ波導波管16’及び低速波マイクロ波アプリケータ18’の別の正投影図である(概して下方から)。図2Bでは、低速波構造20’(この実施例ではマイクロ波エネルギーの伝播方向に対して垂直である、等距離に離間される平行な溝を有する)が描かれている。溝の正確な長さが使用されるマイクロ波の周波数に応じて異なることに留意されたい。
示されるように、低速波マイクロ波アプリケータ18が、実質的に平坦な面からマイクロ波エネルギーを放射する。見られ得るように、導波管16が、低速波マイクロ波アプリケータ18からマイクロ波エネルギーが放射されるときの方向に対して実質的に垂直な角度で低速波マイクロ波アプリケータ18の中までマイクロ波エネルギーを誘導する。
加えて、溝がマイクロ波エネルギーの伝播方向に対して垂直である必要がないことも考えられる。垂直面からの逸脱によりマイクロ波場に乱れが生じる可能性があるが、さらなる有用な実施例も可能であり、これは特には、マイクロ波エネルギーの伝播方向に対しての垂直面であることからの溝の小さい逸脱を用いるものである、ということが考えられる。垂直面からの逸脱の許容程度は単純なトライアル・アンド・エラーによって容易に確認され、これは特には、低速波構造20、20’によって放射されるマイクロ波エネルギーの測定を介する。
図2C及び2Dは、860MHzから960MHzのマイクロ波で使用されるように適合される、本発明の別の実施例による図2Bの実施例のマイクロ波導波管16’及び低速波マイクロ波アプリケータ18’の、それぞれ、上面正投影図及び立面図である。
図3Aから3Fは、トラクタ24によって引っ張られるトレーラ22内に配備されるマイクロ波エネルギー印加装置10の複数の実例の図である。図3Aから3Cが組立体全体の側面図、上面正投影図、及び平面図であり、対して図3Dから3Fが、トレーラ22の背面図、正投影図、及び側面図である。
図3Gがトレーラ22の変形形態の特定の構成要素の図である。図3Gを参照すると、この変形形態(トレーラ22の場合)では、トレーラが、トレーラ・デッキ26と、PTO発電機28(トラクタ24のPTO(図示せず)に結合される)を含む。図3がさらに、個別のモードを切り換えられるマイクロ波電源30と、マイクロ波マグネトロン・ヘッド32と、それぞれの装置10のオートチューナ34とを描いている。しかし、図3Aから3Fのトレーラ22とは異なり、この変形形態のトレーラは、それぞれのマイクロ波導波管16及び低速波マイクロ波アプリケータ18を支持するための、それぞれの支持トラス36及びドリー・ホイール37をさらに有する。この変形形態では、装置10の各々が、マイクロ波導波管16とオートチューナ34との間にある短いセクションの可撓性導波管38を有し、支持トラス36がトレーラ・デッキ26に枢動可能に設置され、その結果、ドリー・ホイール37により、それぞれの低速波マイクロ波アプリケータ18が、地面の上方の実質的に一定の高さのところで相互に独立して支持される。
櫛状の低速波構造20の基本形態が図4の下側レジスタの中で断面図として概略的に示されており、低速波構造20によって出力されるエネルギー強度が図の上側レジスタに示される。
低速波構造20の効果が以下のように分析され得る。最初に
ここでは、λ0が自由空間内の波長(m)であり、fが周波数(Hz)であり、cが自由空間内での光の速度(ms−1)であり、
ω=2πf
ここでは、ωが角速度(rad s−1)である。
ここでは、λ0が自由空間内の波長(m)であり、fが周波数(Hz)であり、cが自由空間内での光の速度(ms−1)であり、
ω=2πf
ここでは、ωが角速度(rad s−1)である。
及び
ここでは、gが構造の隙間幅(m)であり、Tが構造の周期(m)である。
一様な伝送路が、図5に概略的に示されるように、「分布回路」として描かれ得る。分布回路は、微小長さdzの等しいセルのカスケードとして説明され得る。伝送路内で使用される導体が、いくらかの直列のインダクタンス及び抵抗を所有する。加えて、ワイヤを絶縁する媒体が完全な絶縁体ではない場合、導体とさらには分路コンダクタンスとの間に分路キャパシタンスが存在する。多くの事例で、図6に概略的に示されるように、伝送路内での抵抗効果を無視することが可能である。
この分析から次のことが分かる。
V(z)+dV(z)−V(z)=−jωL・dz・l(z)
したがって、
図7に概略的に示されるように、分路要素を考慮しなければならない。この要素のコンデンサ内を流れる電流が、
dl(z)=−jωC・dz・[V(z)+dV]=−jωC・dz・V(z)−jωC・dz・dV
である。極限limdz→0dz・dV=0であることから、
zに関して式(A1)の導関数をとり、式(A2)に置き換えると以下のようになる。
V(z)+dV(z)−V(z)=−jωL・dz・l(z)
したがって、
図7に概略的に示されるように、分路要素を考慮しなければならない。この要素のコンデンサ内を流れる電流が、
dl(z)=−jωC・dz・[V(z)+dV]=−jωC・dz・V(z)−jωC・dz・dV
である。極限limdz→0dz・dV=0であることから、
zに関して式(A1)の導関数をとり、式(A2)に置き換えると以下のようになる。
これは波動方程式であり、その解が
この事例では、一般解が+z方向及び−z方向の両方に伝播する波を表しており、ここでは波数が
であり、速度が
である。
低速波構造が伝送路のように振る舞い、したがって分散LCネットワークとみなされ得る(等価のLC回路を描いている図8を参照)。低速波構造20の歯の間の隙間が、短くされた伝送路とみなされ得る。短絡伝送路が、その位相定数(kd)が90°未満である場合に誘導性を有し、位相定数が90°に等しい場合に回路を開け、移送定数が90°より大きい場合に容量性を有する。低速波構造20の事例では、溝の短い長さが、誘導性の櫛の開いた端部のところで入力インピーダンスを維持する。
長さd及び単位幅(dy)の装荷伝送路の入力インピーダンスが以下のように与えられる。
この事例では、
したがって、
これが操作されて以下のようになることができる。
又は
ここでは、(ejkd+e−jkd)=2Cos(kd)、(ejkd−e−jkd)=2jSin(kd)であり、したがって、
短くされた伝送路の事例では、ZL=0であり、したがって、
この入力インピーダンスのための等価インダクタンスが、
XL=jωL=jZ0Tan(kd)
である。
したがって、
。
XL=jωL=jZ0Tan(kd)
である。
したがって、
短絡伝送路の幅(つまり、低速波構造内の溝)を跨る全インダクタンスが、
又は
。
したがって、
、
ここでは、Wがy方向における構造の幅(m)である。
又は
したがって、
ここでは、Wがy方向における構造の幅(m)である。
キャパシタンスが以下のように定義される。
ここでは、Aが伝導板の表面積であり、dが従来のコンデンサ内の板の間の距離である。
電場が導電性表面の上に存在するような事例では、表面の単位長さ当たりのキャパシタンスが、
ここでは、δが、板の上方の空間内の場の場侵入深さであり、Wが板の幅である。
低速波構造のこの具体的な事例では、x方向における場の侵入深さが
であり、したがって、構造の単位長さ当たりのキャパシタンスが
C0=ε0к’Wτ
である。
インダクタンス及びキャパシタンスを
に代入して
が得られる。
これを簡単にすると
τ=kк’tan(kd) ...(A3)
となる。
に代入して
が得られる。
これを簡単にすると
τ=kк’tan(kd) ...(A3)
となる。
低速波の位相速度が以下のように決定され得る。
β2=k2к’+τ2 ...(A4)
β2=k2к’+τ2 ...(A4)
図9に概略的に描かれるように、低速波構造20に隣接して2つの異なる媒質が存在し得る。図9を参照すると、この実例では、低速波構造20に隣接して誘電体板40が存在し、誘電体板40に対して土壌42が隣接する。
この事例では、境界に跨って波の連続性を維持するために、2つの媒質(40、42)の境界のところでの位相速度が等しい。第1の媒質(例えば、誘電体板40)内の位相速度が
であり、
第2の媒質(例えば、土壌42)内の位相速度が
である。
であり、
第2の媒質(例えば、土壌42)内の位相速度が
である。
式(A6)から式(A5)を引くと以下のようになる。
整理すると以下のようになる。
又は
構造のための減速ファクタがVerbitskii(1980)を使用して決定され得る。
及び
ここでは、低速ファクタが以下のように定義される。
ここでは、p=[(1−θ)1−θ(1+θ)1+θ]−2b
φ(b)=ψ(1+b)+ψ(1−b)+2γ
γ=オイラー定数=0.5772...
はディガンマ関数である。
長手方向の電場が以下のように定義される。
注釈:y方向におけるつまり低速波構造に跨る方向におけるE場の変化はない。
を使用する。この際、電場に自由電荷がないとする。
を使用する。
別個の座標方向で解析する。
コルゲート・ホーン・アンテナ:Hx=0のMentzer及びPeters(1976)の研究から、
これにより以下のようになる。
ポインティングの定理から
場の合計の動力が、
したがって
注釈:導波管内の場が、
ここでは、a及びbが導波管の寸法(m)である。
ここでは、a及びbが導波管の寸法(m)である。
したがって、
低速波構造内の場と導波管内の場との比が、
損失性材料では、さらに、誘電媒体での長手方向場吸収(Brodie2008)が存在する。
ここでは、
ここでの、損失性材料内での温度上昇が、
又は
ここでは、ρが材料密度(kg m−3)であり、Cが材料の熱容量(J kg−1 K−1)である。
システムが移動する場合、式(A12)が修正されて以下のようになることができる。
ここでは
であり、これはシステムの長手方向の速度であり、したがって、
又は
ここでは、Laがアプリケータの長さである。したがって、
これは以下のようにも書くことができる。
実例
図1から3を参照して上で説明した実施例による、2.45GHzで動作する2つの低速波アプリケータを試験のために設計及び製造した。一方の低速波アプリケータがd=6mmの溝深さを有する櫛構造を有し、もう一方の低速波アプリケータがd=13mmの溝深さを有する。d=6mmのバージョンが13mmのバージョンより小さい離散定数を有し、それにより前者の得られるマイクロ波場が構造の表面からさらに延びることが可能となる。これが、例えば、土壌の、さらには土壌の表面の上方まで成長した任意の植物の、頂部層を加熱するのに有用となり得ることが考えられる。d=13mmのバージョンは構造の表面の非常に近くでマイクロ波場を閉じ込めなければならず、それにより、土壌の中への場浸入をほぼなしにして例えば育成植物を迅速に処理するのにより良好に適し得るようになる。別の実施例(図示せず)では、d=26mmの溝深さが利用される。
図1から3を参照して上で説明した実施例による、2.45GHzで動作する2つの低速波アプリケータを試験のために設計及び製造した。一方の低速波アプリケータがd=6mmの溝深さを有する櫛構造を有し、もう一方の低速波アプリケータがd=13mmの溝深さを有する。d=6mmのバージョンが13mmのバージョンより小さい離散定数を有し、それにより前者の得られるマイクロ波場が構造の表面からさらに延びることが可能となる。これが、例えば、土壌の、さらには土壌の表面の上方まで成長した任意の植物の、頂部層を加熱するのに有用となり得ることが考えられる。d=13mmのバージョンは構造の表面の非常に近くでマイクロ波場を閉じ込めなければならず、それにより、土壌の中への場浸入をほぼなしにして例えば育成植物を迅速に処理するのにより良好に適し得るようになる。別の実施例(図示せず)では、d=26mmの溝深さが利用される。
図10A及び10Bが、背景技術(図10A)のホーン・アンテナと、この実施例(図10B)による低速波アプリケータとの温度上昇の計算分布を比較し、ここでは、55.5kJのマイクロ波エネルギーが供給され、これは、雑草シードを除去するのに十分となるように、適度な量の土壌を処理するための低速波アプリケータのために十分であると予測される。これらの図では、垂直方向軸が土壌深さDs(mm)である。図10Aでは、水平方向軸がホーンの中心線からの距離Dx(mm)及びDy(mm)である。図10Bでは、水平方向軸がそれぞれアプリケータに沿った距離Dx(mm)及びアプリケータを跨る距離Dy(mm)である。
ホーン・アンテナを通しての55.5kJのマイクロ波エネルギーの供給が、シードの生存能力に影響しないと予測される30℃から33℃の間まで土壌温度を上昇させる、ことが分かるであろう。実際には、低速波アプリケータを用いて達成される等しいレベルの土壌処理を実現するには及び雑草シードを除去するのに十分となるには、ホーン・アンテナから240kJのマイクロ波エネルギーが必要となることが計算により分かっている。したがって、低速波アプリケータが、ホーン・アンテナ構成と比較して、マイクロ波の土壌処理有効性を約4倍向上させる。
低速波アプリケータの興味深い特徴は、良好な雑草制御を達成するための総所要エネルギーである。例えば、1年生ライグラス・プラントを除去するのに必要である500Jcm−2の所要エネルギー密度を供給するのに、700Wのマイクロ波源を使用する20秒の処理が必要となり、対して、ホーン・アンテナ・システムは、地表面に等しいエネルギー密度を供給するためには2kWのマイクロ波源から120秒を必要とした。
これらの実験で試験した他の種類(野ダイコン、野生オートムギ、1年生ライグラス、ペレニアル・ライグラス、バーンヤード・グラス、ノミヨケ草、フェザートップ、バーンヤード・グラス、ブロム・グラスを含む)でも同程度の総エネルギーの節約が明らかとなった。マイクロ波の総所要エネルギーに関して、低速波アプリケータは雑草プラントを処理するのにより効果的であり、ホーン・アンテナ・システムで必要となる総エネルギーのわずかに約2〜6%しか必要としない。
したがって、これらの実例の低速波アプリケータは、農業及び環境システムのための実行可能なマイクロ波雑草除去装置のための有用な選択肢を提供すると考えられ、ここではマイクロ波土壌・植物処理の有効性がそれぞれ約4倍及び17倍で向上する。
図11から12は、軽量にするために主としてアルミニウムから構築されるが、これらの要素の種々の部分を一体に固定する鋼製のナット及びボルトを有する、本発明の2つの実施例によるマイクロ波導波管及び低速波マイクロ波アプリケータの、図3と比較され得る、概略図である。必要とされる通りにマイクロ波導管として機能することができることを前提として、アルミニウムの代わりに他の金属(ステンレス鋼又は真鍮など)が採用されてもよい。より重い材料が採用される場合、マイクロ波エネルギー印加装置10には、低速波マイクロ波アプリケータ18の遠位端のところにある、クレードル又はジョッキー・ホイールなどの、追加の支持体が配備されてよいか又は設けられてよい。
図11は、d=6の溝深さを有する、図1から3の実施例のマイクロ波導波管16及び低速波マイクロ波アプリケータ18の概略図であり、対して、図12は、同様の実施例であるがd=13mmの溝深さを有する、マイクロ波導波管16を備える低速波マイクロ波アプリケータ18’の概略図である。
図13の立面図で概略的に示されるように(低速波構造20が省略されている)、低速波マイクロ波アプリケータ18、18’の各々が、アプリケータ・ハウジング52と、角度付き移行マイクロ波導管54とを備え、角度付き移行マイクロ波導管54が、低速波マイクロ波アプリケータ18、18’をマイクロ波導波管16に取り付けるためのフランジ56を装備する。
図14から16が、それぞれ、底面図、上面正投影図、及び底面正投影図である、低速波マイクロ波アプリケータ18、18’の別の図である(やはり、低速波構造20が省略されている)。図17はアプリケータ・ハウジング52の概略底面正投影図である。
図18Aから18Cが、低速波マイクロ波アプリケータ18、18’の移行部分60の、それぞれ、上面図、断面図、及び底面図であり、この部分60は、角度付き移行マイクロ波導管54とアプリケータ・ハウジング52/低速波構造20との間の移行の重要な部分である。移行部分60が、マイクロ波の電場を、移行マイクロ波導管54の遠位部分内の実質的に垂直の向きから、低速波構造20の実質的に水平の向きへと変換する。この位相ベクトルの変換は、低速波構造20の最初のテーパ・セクションを用いて行われる。図18A及び18Cで見ることができる3つの突起物62がこの変換の急激な変化を低減し、この場方位の変化中に起こるインピーダンス不整合を低減し、インピーダンス不整合はそれ以外では反射を引き起こし、反射が移送マイクロ波導管54から低速波構造20までのエネルギー伝達を低減するように適合される。
図19Aは、低速波構造20をアプリケータ・ハウジング52に固定するための溝68及び孔70を有する低速波マイクロ波アプリケータ18(つまり、d=6mmの溝深さを有する)の低速波構造20の概略立面図であり、対して図19Bが、低速波構造20’をアプリケータ・ハウジング52に固定するための溝68’及び孔70’を有する低速波マイクロ波アプリケータ18’(つまり、d=13mmの溝深さを有する)のアプリケータ20’の概略立面図である。これらの図では、低速波構造20の右側端部が、組み立てられた低速波マイクロ波アプリケータ18、18’の中で、アプリケータ・ハウジング52の近位端に位置する。この実施例の低速波構造20の全長が約356mmであり、その幅が100mmであり、その高さが16mmである。長さはある程度変化してよく、例えば、効率の損失を小さくして短くされてよい(低速波構造の遠位端の前にマイクロ波エネルギーの大部分が吸収されるから)。しかし、低速波構造20の幅はマイクロ波放射の波長の約半分となるように選択され、その結果、より臨界的な寸法となる。しかし、半波長からの幅のいくらかのずれが、それでも、実行可能な実施例を作ると予測される。例えば、幅がわずかに増大してもうまくいくが、マイクロ波モードが、アプリケータに跨って、エネルギーの1つのピークのみではなく、2つのピークを存在させるように、変化することができる。
図20Aが低速波マイクロ波アプリケータ18の低速波構造20の底部正投影図であり、対して、図20Bが低速波アプリケータ18’の低速波構造20’の底部正投影図である。
マイクロ波導波管16がマイクロ波エネルギー源14に結合可能である湾曲セクションを備え、移行セクションが湾曲セクションに結合され且つ低速波マイクロ波アプリケータ18、18’に結合可能である。図21Aが湾曲セクション80の底面正投影図であり、対して図21Bが湾曲セクション80の概略立面図である。湾曲セクション80が、湾曲セクション80をマイクロ波エネルギー源14に結合するための第1のフランジ82と、湾曲セクション80を移行セクション90に結合するための第2のフランジ84とを有する。
図22Aが移行セクション90の正投影図であり、図22Bが移行セクション90の概略平面図である。移行セクション90が、移行セクション90を湾曲セクション80に結合するための第1のフランジ92と、移行セクション92をマイクロ波アプリケータ18、18’に結合するための第2のフランジ94とを有する。
使用時、マイクロ波エネルギー印加装置10が照射される物質(例えば、土壌)の近くに配置されるが、ホーン・アンテナ・デバイスに対してのマイクロ波エネルギー印加装置10の利点として、2から3cmの侵入深さを有し、長い距離にわたって有意な強度で放射しない、という利点がある。したがって、オペレータが、上述の種類の典型的な適用において10cmの範囲内で使用されるときに低速波構造20に安全に接近することができ(可能性として、不注意に)、対して約10cmの侵入深さにおいて約2mの範囲で使用されるときに同等のホーン・アンテナ・デバイスに対しては一般に安全ではない状態で接近することになる。
また、マイクロ波エネルギー印加装置10が最も一般的な気象条件で使用可能でなければならず、それでも湿潤土壌ではその侵入深さが低減されることになる。この効果は、いくつかの事例では、エネルギー出力を増大させることにより、補償され得る。
一般的な用途では、出力電力、及び処理される物質(例えば、土壌、カーゴなど)の上を通過する速度の適切な組み合わせが、ワン・パスで所望の効果を達成するように確立されることになると考えられる。任意選択で、処理される物質の温度が、その物質の上昇温度を監視することにより、監視され得る。次いで、所望の温度が達成されるまで、出力電力及び/又は速度を変化させるための根拠として、温度が使用され得る。これが、デジタル温度計(例えば、物質に接触しているか、又は物質によって放射される赤外線に対しての感度を有する)の出力を、マイクロ波エネルギー源14に対して、及び/又はマイクロ波エネルギー印加装置10及び物質の互いに対して移動するときの速度を制御する駆動装置に対して、結び付けることにより行われ得、その結果、フィードバックは、処理される物質内で所望の温度が迅速にもたらされることにつながる。
変形形態(図示せず)では、低速波マイクロ波アプリケータ18、18’が、使用中に低速波マイクロ波アプリケータ18、18’を土壌によるダメージから機械的に保護するために、セラミック、ガラス、又は他の材料によって覆われる。加えて、このようなカバーは、土壌に対しての、低速波マイクロ波アプリケータ18、18’のより良好なインピーダンス整合を実現することができる。
本発明の別の実施例によると、図23において100で概略的に示される(しかし、簡潔さのため、その発電機及びマイクロ波エネルギー源が省略される)、マイクロ波エネルギー印加装置が提供される。マイクロ波エネルギー印加装置100が、ほとんどの点に関して、図1のマイクロ波エネルギー印加装置10に等しく、やはり雑草などを除去することを主として意図される。しかし、これはまた、その中でのマイクロ波エネルギー印加装置10及びその変形形態の配備の多様な方式において採用され得る。
したがって、マイクロ波エネルギー印加装置100が、マイクロ波導波管116及びマイクロ波アプリケータ118を有する。マイクロ波アプリケータ118が、アプリケータ・ハウジング152と、角度付き移行マイクロ波導管154とを有し、角度付き移行マイクロ波導管154が、マイクロ波アプリケータ118をマイクロ波導波管116に取り付けるためのフランジ156を装備する。しかし、この実施例では、マイクロ波アプリケータ118が、アルミナ・ベースのセラミック・ブロック120を備える誘電共振器を有する(9の誘電率、及び0.0006の損失正接)。このセラミック又は他のセラミックの代わりに、ガラス(例えば、溶融石英ガラス)、Teflon(商標)、又はマイカなどの他の材料が、適切な誘電共振器として機能することができることを前提として、別法として採用されてもよい。実際には、正接損失をアルミナ(ポリエチレン、ポリプロピレン、CPE、ポリスチレン、窒化ホウ素、サファイア、酸化マグネシウム、酸化ベリリウム、及び架橋ポリスチレン)の正接損失以下の誘電体材料が適すると考えられる。
また、材料は、好適には、(このような用途を意図される場合)場の中での周りとの衝突に耐えることなどを目的とする、十分な物理的弾力性を有するべきである。
示されるように、低速波マイクロ波アプリケータ18を備える実施例と同様に、この実施例が実質的に平坦な面からマイクロ波エネルギーを放射する。見られ得るように、導波管116が、誘電共振器からマイクロ波エネルギーが放射されるときの方向に対して実質的に垂直な角度で誘電共振器の中へマイクロ波エネルギーを誘導する。
図24Aから24Cが、図23のマイクロ波エネルギー印加装置100のセラミック・ブロック120の、それぞれ、立面図、平面図、及び等角図である。セラミック・ブロック120が、図1の装置10のアプリケータ・ハウジング52によって収容され得るように、サイズ決定されるが、これは便宜的なものであり、他の寸法も可能である。
マイクロ波アプリケータ118が、セラミック・ブロック120により、マイクロ波場をさらに提供し、マイクロ波場が、その下向きのマイクロ波エネルギー放射面119から離れる方向に指数関数的に減衰する。これが誘電共振器として機能することによって行われ、ここでは、一過性のマイクロ波場が内部反射するマイクロ波場によって作られ、したがって漏れ全内部反射マイクロ波アプリケータとして説明され得る。
一過性の場がアプリケータの長さ及び幅の大部分にわたって延在し、アプリケータ表面つまりマイクロ波エネルギー放射面119の下方に指数関数的に減衰する。これが土壌の中に入るマイクロ波加熱の深さを最小にし、それにより、この実施例では雑草を加熱して除去するための所要エネルギーを低減する。これが処理効率を最大にする。
理論によって拘束されるわけではないが、最も良好に理解される、誘電体材料に基づく実施例の動作が以下の通りである。図25を参照すると、電気密度の高い誘電体材料に沿って波が伝達され、その結果、場がそれより電気密度の低い材料を有するインターフェース上に入射する。場の一部分が反射され、場の一部分が伝達される。
この事例では、伝達される場が以下のように説明され得る。
第2の媒質では、
ここでは、
及び
ここでは、n1及びn2が2つの媒質の屈折率である。
n1>>n2である事例では、伝達される波が存在しないことが可能である
臨界入射角(θc)が以下の場合に現れる。
臨界入射角(θc)が以下の場合に現れる。
空気とアルミナ誘電ブロックとの間のインターフェースの事例では、誘電率n2が約9.8である。空気の誘電率n1が1.0である。したがって、
。
したがって、マイクロ波場が18.6°より大きい入射角で媒質(セラミック・ブロックなど)に沿って移動する場合、場の全体の内部反射が存在することになり、セラミック・ブロックが場のための誘電共振器として機能することになる。
したがって、マイクロ波場が18.6°より大きい入射角で媒質(セラミック・ブロックなど)に沿って移動する場合、場の全体の内部反射が存在することになり、セラミック・ブロックが場のための誘電共振器として機能することになる。
sin θt>1.0も可能であり、この事例では式(B3)が以下のようになる。
式(B1)に代入すると、
これが以下のように整理され得る。
この式は、z方向に指数関数的に減衰する場を説明しており、これが、波動方程式
に従って、x方向においてインターフェース表面に沿って伝播する。
この事例では、
ここでは、ωが波の角周波数(s−1)であり、cが光の速度(ms−1)である。
ここでは、ωが波の角周波数(s−1)であり、cが光の速度(ms−1)である。
式(B4)及び(B9)を使用して、式(B8が)以下のように書き直され得る。
ここでは、
非磁性材料では、材料の屈折率が以下の通りである。
誘電共振器の事例では、セラミック・ブロックの内部に発生する定在波が存在することになる。したがって、場が以下のように説明され得る。
ここでは、l、m、及びnが整数であり、a、b、及びcが、セラミック共振器の横方向、垂直方向、及び長さ寸法における、誘電ブロックの寸法(m)である。
上述した実施例のアルミナ・ベースのセラミック・ブロックが、к=9.8、a=140mm、b=13mm、及びc=355mmを有し、その共振中に複数の場モードを維持するのに電気的に十分に大きい。例えば、図26が、TE308(l=3、m=0、及びn=8)モードと、TE108(l=1、m=0、及びn=6)モードとの組み合わせにおける、左側から右側へ(図23の図中で)マイクロ波エネルギーがブロックの中に供給されるときのセラミック・ブロック120内の電場分布のための等高線図である。これが、好都合には、プライウッドを加熱するのにアプリケータが使用される場合の観察される温度分布と比較されるが、プライウッドの実験では、マイクロ波場が右側から左側へとセラミック・ブロック12の中に供給されたこと、及び高い可能性として2つ以上のモードを同時に維持することに留意されたい。
図25のインターフェースの反射係数が以下の通りである。
結果として以下のようになる。
非磁性の不導体
を考慮すると、以下のようになる
を考慮すると、以下のようになる
n1及びn2の相対値に応じて、反射波の符号が正又は負となり得る。符号の変化が、入射波と反射波との間のπの相変化に対応する。伝達される波は入射波と常に同相である。
スネルの法則
から、式(B14)が以下のように書き直され得る。
スネルの法則
から、式(B14)が以下のように書き直され得る。
n1=n2の場合にのみ式(B13)の分子がゼロになることが可能であるが、tan(θl+θτ)=∞である場合も式がゼロとみなされ得、これが
のときに起きる。この条件により、材料インターフェースに跨って入射偏向波が全透過することになり、入射角はブルースター角(θB)と称される。ブルースター角は
を使用して決定され得る。
のときに起きる。この条件により、材料インターフェースに跨って入射偏向波が全透過することになり、入射角はブルースター角(θB)と称される。ブルースター角は
を使用して決定され得る。
空気とアルミナ誘電ブロックとの間のインターフェースの事例では、誘電率n2が約9.8である。空気の誘電率n1が1.0である。したがって、
。
したがって、セラミック・ブロック120の入射面122内の72°の斜角が、アプリケータの中への最適なエネルギー伝達を実現する。
したがって、セラミック・ブロック120の入射面122内の72°の斜角が、アプリケータの中への最適なエネルギー伝達を実現する。
実例
図23の実施例のマイクロ波アプリケータ118に従って構成されるマイクロ波アプリケータのマイクロ波加熱効果を試験するために熱画像が得られた。最初に、マイクロ波アプリケータ118が、その通常のマイクロ波場分布を決定するために、一片のプライウッドの上方30mmのところに配置された。図27が、マイクロ波アプリケータ118を使用して加熱されたときのプライウッドの熱画像である。熱画像の輪郭分析により加熱パターンがより明瞭に分かる。図28が、図27の熱画像の熱輪郭マップである。この実験はアプリケータの最も起こり得る振る舞いを表している。その理由は、プライウッドが乾燥しており、滑らかな表面を有していたからである。
図23の実施例のマイクロ波アプリケータ118に従って構成されるマイクロ波アプリケータのマイクロ波加熱効果を試験するために熱画像が得られた。最初に、マイクロ波アプリケータ118が、その通常のマイクロ波場分布を決定するために、一片のプライウッドの上方30mmのところに配置された。図27が、マイクロ波アプリケータ118を使用して加熱されたときのプライウッドの熱画像である。熱画像の輪郭分析により加熱パターンがより明瞭に分かる。図28が、図27の熱画像の熱輪郭マップである。この実験はアプリケータの最も起こり得る振る舞いを表している。その理由は、プライウッドが乾燥しており、滑らかな表面を有していたからである。
マイクロ波アプリケータ118が地面の上の空中で停止する場合、加熱パターンが図27に示される加熱パターンにある程度類似することが分かった。このシナリオを調べるために行われた実験では、ライグラスのプランタ・トレーが試験として使用され、アプリケータがトレー内の土壌の表面の上方約30mmのところに配置された。図29が、マイクロ波アプリケータ118を使用して加熱されたときの土壌の得られた加熱パターンの熱画像であり、加熱パターンが、熱画像(図29)及び対応する熱輪郭分析(thermal contour analysis)(図30を参照)の両方で示されるように、比較的一様である。
マイクロ波アプリケータ118が地面の表面の上に配置されるとき(雑草を処理することなどを目的として)、一時的な場が吸収され、その結果、加熱パターンが修正される。この試験の結果が、図31の得られた加熱パターンの熱画像及び対応する熱輪郭分析(図32を参照)に示されている。
すべての事例において、土壌温度が50〜65℃に達した。これは土壌の表面層の中のプラント及び一部のシードを除去するのに十分である。マイクロ波エネルギーと、加熱された土壌及び雑草からの吸収エネルギーとの組み合わせが、セラミック・ブロック120もわずかに加熱する。約40分の動作後のセラミック・ブロック120(図33)の得られた加熱パターンの熱画像と、対応する熱輪郭分析(図34)を参照されたい。これがさらに、土壌に対してのわずかな赤外線加熱に寄与し、これが雑草除去などを補助する。
図35に示されるような、実施例では、マイクロ波エネルギー印加装置10が、マイクロ波アプリケータ18又は118(例えば、低速波マイクロ波アプリケータ18、又は誘電共振器118)から放射されるマイクロ波放射を反射することなどを目的として位置決めされるリフレクタ61を有する。この図は低速波マイクロ波アプリケータ18を有するマイクロ波エネルギー印加装置10を示す。リフレクタ61がマイクロ波アプリケータ18の放射開口部の反対側に位置し、照射されている領域を通って移動することなどを目的として構成される(例えば、土壌を通る)。リフレクタ61とマイクロ波アプリケータ18との間の間隔が、必要な深さ(例えば、土壌)の照射を可能にするのに十分である。
922MHzの周波数の実施例の実例では、マイクロ波エネルギーが土壌の深いところまで侵入し(最大120mm)、ここでは土壌の頂部30mmが印加エネルギーの約43〜52%を吸収する。リフレクタ61が吸収されなかったエネルギーを反射するように機能し、ここでは土壌が反射エネルギーの一部を吸収する。したがって、リフレクタ61が、有利には、土壌によるマイクロ波エネルギー吸収の効率を向上させることができる。
上述の実施例では、マイクロ波エネルギー印加装置10が、一般的には、例えば車両などの可動プラットフォーム上に設置されるポータブルとして説明される。他の用途では、別の可動プラットフォームが、移動可能な台又は台車などに適し得る。他の用途では、処理される物質が、コンベア・ベルト上などで、マイクロ波エネルギー印加装置10を通過するように移動させられ得る。
本発明の範囲から逸脱することなく多くの修正形態が作られ得ることが当業者には理解されよう。例えば、本明細書で説明される実施例に対しての変形形態で、マイクロ波アプリケータが、金属片、チェーン、又はワイヤブラシ(或いは、他の材料)、金属繊維を含む織物による、カーテンによって囲まれ、それによりマイクロ波の漏出を低減する。
以下の特許請求の範囲、及び上記の本発明の説明では、文脈が他の形で言葉又は必要な意味合いを表現するのを必要とする場合を除いて、「comprise」という単語、又は「comprises」又は「comprising」などの語尾変化が包括的な意味で使用され、つまり、言及した特徴の存在を明記することを目的としており、本発明の種々の実施例において別の特徴の存在又は追加を排除することを目的としていない。
本明細書において任意の従来技術を参照することは、その従来技術が任意の国での共通する一般的な知識の一部を形成するものである、ということを認めるものではなく、またそれをいかなる形でも提案するものとである解釈されるべきではない、ことを理解されたい。
Claims (20)
- 物質に対して照射を行うためのマイクロ波エネルギー印加装置であって、
マイクロ波エネルギーを発生させるように構成される少なくとも1つのマイクロ波エネルギー源と、
照射される前記物質の方にマイクロ波エネルギーを誘導するための誘電共振器を備えるマイクロ波エネルギー放射面を有する少なくとも1つのマイクロ波アプリケータと、
処理される物質に印加するために、前記マイクロ波エネルギー源から前記マイクロ波アプリケータにマイクロ波エネルギーを結合する導波管と
を備える
マイクロ波エネルギー印加装置。 - 前記誘導共振器が、セラミック、ガラス、又はTeflonを含む、請求項1に記載のマイクロ波エネルギー印加装置。
- 物質に対して照射を行うためのマイクロ波エネルギー印加装置であって、前記マイクロ波エネルギー印加装置が、
マイクロ波エネルギーを発生させるように構成される少なくとも1つのマイクロ波エネルギー源と、
マイクロ波エネルギーの伝播方向を横切って平行に配置される溝を有する低速波マイクロ波アプリケータを備えるマイクロ波エネルギー放射面を有する少なくとも1つのマイクロ波アプリケータと、
処理される物質に印加するために、前記マイクロ波エネルギー源から前記マイクロ波アプリケータにマイクロ波エネルギーを結合する導波管と
を備える、マイクロ波エネルギー印加装置。 - 前記溝が6mmから26mmの間の深さを有する、請求項3に記載のマイクロ波エネルギー印加装置。
- 前記溝が6mmから13mmの間の深さを有する、請求項4に記載のマイクロ波エネルギー印加装置。
- 前記溝が13mmから26mmの間の深さを有する、請求項4に記載のマイクロ波エネルギー印加装置。
- 前記溝が前記マイクロ波エネルギーの伝播方向に対して垂直である、請求項3から6までのいずれか一項に記載のマイクロ波エネルギー印加装置。
- 前記溝が相互に実質的に等距離に離間される、請求項3から7までのいずれか一項に記載のマイクロ波エネルギー印加装置。
- 物質に対して照射を行うためのマイクロ波エネルギー印加装置であって、
マイクロ波エネルギーを発生させるように構成される少なくとも1つのマイクロ波エネルギー源と、
マイクロ波エネルギーを放射するためのマイクロ波エネルギー放射面を有する少なくとも1つのマイクロ波アプリケータと、
処理される物質に印加するために、前記マイクロ波エネルギー源から前記マイクロ波アプリケータにマイクロ波エネルギーを結合する導波管と
を備え、
前記導波管から前記マイクロ波アプリケータに前記マイクロ波エネルギーが入るときの方向に対して実質的に垂直な方向において前記マイクロ波エネルギーが前記マイクロ波アプリケータから放射される、
マイクロ波エネルギー印加装置。 - 前記マイクロ波エネルギー源が、約2.45GHzの周波数を有するマイクロ波エネルギーを出力するように構成される、請求項1から9までのいずれか一項に記載のマイクロ波エネルギー印加装置。
- 前記マイクロ波エネルギー源が、約860MHzから960MHzの周波数を有するマイクロ波エネルギーを出力するように構成される、請求項1から10までのいずれか一項に記載のマイクロ波エネルギー印加装置。
- 前記マイクロ波エネルギー源が約5.8GHzの周波数を有するマイクロ波エネルギーを出力するように構成される、請求項1から10までのいずれか一項に記載のマイクロ波エネルギー印加装置。
- 前記マイクロ波エネルギー放射面が平坦である、請求項1から12までのいずれか一項に記載のマイクロ波エネルギー印加装置。
- 前記マイクロ波エネルギー放射面から放射されるマイクロ波エネルギーを反射するように位置するリフレクタをさらに備え、その結果、前記物質が前記リフレクタと前記マイクロ波エネルギー放射面との間で移動する、請求項1から13までのいずれか一項に記載のマイクロ波エネルギー印加装置。
- 請求項1から14までのいずれか一項に記載の1つ又は複数のマイクロ波エネルギー印加装置を備える、雑草、寄生生物、バクテリア、菌類、胞子、又はシードの除去デバイス。
- 請求項1から14までのいずれか一項に記載の1つ又は複数のマイクロ波エネルギー印加装置を備える、土壌殺菌デバイス、土壌コンディショニング・デバイス、又は土壌硝化デバイス。
- 請求項1から14までのいずれか一項に記載の1つ又は複数のマイクロ波エネルギー印加装置を備える、乾燥デバイス。
- マイクロ波エネルギー印加方法であって、
少なくとも1つのマイクロ波エネルギー源を用いてマイクロ波エネルギーを提供するステップと、
少なくとも1つのマイクロ波アプリケータを用いて前記マイクロ波エネルギー源から前記マイクロ波エネルギーを受け取るステップと、
前記マイクロ波アプリケータを用いて、処理される物質に前記マイクロ波エネルギーを印加するステップと
を含み
前記マイクロ波アプリケータが、誘電共振器、及び前記マイクロ波エネルギーの伝播方向を横切って平行に配置される溝を有する低速波マイクロ波アプリケータ、のうちの1つを備える
マイクロ波エネルギー印加方法。 - マイクロ波エネルギー印加方法であって、
少なくとも1つのマイクロ波エネルギー源を用いてマイクロ波エネルギーを提供するステップと、
少なくとも1つのマイクロ波アプリケータを用いて前記マイクロ波エネルギー源から前記マイクロ波エネルギーを受け取るステップと、
前記マイクロ波アプリケータを用いて、処理される物質に前記マイクロ波エネルギーを印加するステップと
を含み、
前記導波管から前記マイクロ波アプリケータに前記マイクロ波エネルギーが入るときの方向に対して実質的に垂直な方向において前記マイクロ波エネルギーが前記マイクロ波アプリケータから放射される
マイクロ波エネルギー印加方法。 - 処理される前記物質が、雑草、寄生生物、バクテリア、菌類、胞子、シード、又は土壌を含む、請求項18又は19に記載の方法。
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