JP2020188267A - 撮像装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の第1実施形態による撮像装置について、図1乃至図6を用いて説明する。図1は、本実施形態による撮像装置の構成例を示すブロック図である。図2は、本実施形態による撮像装置の画素回路の一例を示す図である。図3は、本実施形態による撮像装置の画素の構成例を示す図である。図4は、撮像光学系の出射瞳と画素に入射する光との関係を説明する図である。図5は、画素への入射光に対する光電変換部の感度の入射角特性を示すグラフである。図6は、画素への入射光量と光電変換部からの出力との関係を示すグラフである。
φ3<φ2≦φ1
T3≦T1,W3>W1,W3>W2
P<L3<L2,P<L1<L2
φ3<φ2≦φ1 …(1)
φ3<φ2=φ1 …(2)
本発明の第2実施形態による撮像装置について、図7を用いて説明する。図7は、本実施形態による撮像装置の画素の構成例を示す図である。図1乃至図6に示す第1実施形態による撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。
φ3<φ2≦φ1
T3≦T1,W3>W1,W3>W2
本発明の第3実施形態による撮像装置について、図8を用いて説明する。図8は、本実施形態による撮像装置の画素の構成例を示す図である。図1乃至図7に示す第1及び第2実施形態による撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明の第4実施形態による撮像装置について、図9を用いて説明する。図9は、本実施形態による撮像装置の画素の構成例を示す図である。図1乃至図8に示す第1乃至第3実施形態による撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明の第5実施形態による撮像装置について、図10を用いて説明する。図10は、本実施形態による撮像装置の画素の構成例を示す図である。図1乃至図9に示す第1乃至第4実施形態による撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明の第6実施形態による撮像装置について、図11を用いて説明する。図1乃至図10に示す第1乃至第5実施形態による撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明の第7実施形態による撮像装置について、図12を用いて説明する。図1乃至図11に示す第1乃至第6実施形態による撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明の第8実施形態による撮像システムについて、図13を用いて説明する。図13は、本実施形態による撮像システムの概略構成を示すブロック図である。図1乃至図12に示す撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明は、上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記第1及び第2実施形態では、分離部214,210,212の信号電荷に対するポテンシャル障壁の高さをそれぞれφ1,φ2,φ3として、これらがφ3<φ2≦φ1の関係を有することが望ましいことを示した。しかしながら、例えば隣接する画素との間隔が十分にある場合など、隣接する画素への電荷の流出を無視できるような場合には、分離部214のポテンシャル障壁の高さφ1と分離部212のポテンシャル障壁の高さφ3の関係だけを考慮するようにしてもよい。この場合、φ3<φ1となる。
12…画素
14…制御信号線
16A,16B…垂直信号線
20…垂直走査回路
30A,30B…読み出し回路
40A,40B…水平走査回路
50A,50B…出力アンプ
60…制御回路
100…撮像装置
200…半導体基板
202,216…p型半導体領域
204A,204B,206A,206B,206…n型半導体領域
210,212,214…分離部
240…マイクロレンズ
Claims (20)
- 2次元状に配された複数の画素を有する撮像装置であって、
前記複数の画素のうちの少なくとも一部の画素は、
半導体基板に設けられ、光電変換により生じた信号電荷を蓄積する第1導電型の第1の半導体領域をそれぞれが含む第1及び第2の光電変換部と、
前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部との間の前記半導体基板に設けられ、前記第1の半導体領域の信号電荷に対して第1のポテンシャル障壁を形成する第2の半導体領域からなる第1の分離部と、
前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部との間の前記半導体基板に設けられ、前記第1の半導体領域の信号電荷に対して前記第1のポテンシャル障壁よりも高い第2のポテンシャル障壁を形成するトレンチ分離からなる第2の分離部と、を有する
ことを特徴とする撮像装置。 - 前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部とは、平面視において、第1の方向に隣接して配置されており、
前記第1の分離部と前記第2の分離部とは、平面視において、前記第1の方向と交差する第2の方向に隣接して配置されている
ことを特徴とする請求項1記載の撮像装置。 - 前記少なくとも一部の画素は、2つの前記第2の分離部を含み、
2つの前記第2の分離部は、前記第2の方向に沿って前記第1の分離部を挟むように配置されている
ことを特徴とする請求項2記載の撮像装置。 - 前記第1の分離部は、平面視において、前記画素の中心部に配置されている
ことを特徴とする請求項2又は3記載の撮像装置。 - 前記第1の分離部は、画素領域における前記画素の場所に応じて、前記画素内における場所が定められている
ことを特徴とする請求項2又は3記載の撮像装置。 - 平面視における前記第1の分離部の長さは、平面視における前記第2の分離部の長さ以下である
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 平面視における前記第2の分離部の幅は、平面視における前記第1の分離部の幅よりも狭い
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記少なくとも一部の画素は、隣接する他の画素と前記第1の光電変換部及び前記第2の光電変換部との間に設けられた第3の分離部を更に有し、
前記第3の分離部の、前記第1の半導体領域の信号電荷に対するポテンシャル障壁は、前記第1のポテンシャル障壁よりも高い
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 平面視における前記第3の分離部の幅は、平面視における前記第1の分離部の幅よりも広い
ことを特徴とする請求項8記載の撮像装置。 - 前記第3の分離部の少なくとも一部は、トレンチ分離により構成されている
ことを特徴とする請求項8又は9記載の撮像装置。 - 前記第3の分離部は、前記半導体基板の第1の表面から、前記第1の半導体領域、前記第1の分離部及び前記第2の分離部が設けられた深さよりも深くに渡って設けられている
ことを特徴とする請求項8乃至10のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記第2の半導体領域は、第2導電型であり、
前記第3の分離部は、前記第2の半導体領域よりもキャリア濃度の高い前記第2導電型の第3の半導体領域を有する
ことを特徴とする請求項8乃至10のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記第2の半導体領域は、前記第1導電型であり、
前記第2の半導体領域のキャリア濃度は、前記第1の半導体領域のキャリア濃度よりも低い
ことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記第2の分離部の周囲に、前記第2の半導体領域よりもキャリア濃度の高い第2導電型の第4の半導体領域を更に有する
ことを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記第2の分離部は、前記半導体基板に設けられたトレンチに、前記半導体基板とは屈折率の異なる材料又は金属材料が埋め込まれてなる
ことを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記第1の分離部及び前記第2の分離部は、前記半導体基板の第1の表面から、前記第1の半導体領域が設けられた深さよりも深くに渡って設けられている
ことを特徴とする請求項1乃至15のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記半導体基板は、第1の表面及び第2の表面を含み、
前記第1の分離部は、前記半導体基板の前記第1の表面から前記第2の表面に渡って設けられており、
前記第2の分離部は、前記半導体基板の前記第1の表面から前記第2の表面に渡る領域のうちの前記第1の表面側の一部分に設けられている
ことを特徴とする請求項1乃至15のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記少なくとも一部の画素は、前記半導体基板の前記第1の表面側に、前記第1の光電変換部及び前記第2の光電変換部に光を集光する1つのマイクロレンズを更に有する
ことを特徴とする請求項16又は17記載の撮像装置。 - 請求項1乃至18のいずれか1項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置から出力された信号を処理する信号処理部と、を有し、
前記信号処理部は、前記第1の光電変換部で生成された信号電荷に基づく第1の信号と、前記第2の光電変換部で生成された信号電荷に基づく第2の信号とに基づき、デフォーカス量を算出する
ことを特徴とする撮像システム。 - 前記信号処理部は、前記第1の光電変換部及び前記第2の光電変換部で生成された信号電荷に基づく第3の信号に基づき、画像を生成する
ことを特徴とする請求項19記載の撮像システム。
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