JP2020188135A - Substrate processing apparatus - Google Patents
Substrate processing apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020188135A JP2020188135A JP2019091865A JP2019091865A JP2020188135A JP 2020188135 A JP2020188135 A JP 2020188135A JP 2019091865 A JP2019091865 A JP 2019091865A JP 2019091865 A JP2019091865 A JP 2019091865A JP 2020188135 A JP2020188135 A JP 2020188135A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- substrate
- substrate processing
- processing apparatus
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 237
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 108
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 108
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 91
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 144
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本願は、基板処理装置に関する。 The present application relates to a substrate processing apparatus.
従来から、基板をエッチングするエッチング装置として、薬液を基板に供給する装置が提案されている。エッチング装置が薬液を基板に供給すると、薬液が基板に作用してエッチング対象膜をエッチングすることができる。しかしながら、基板のパターンが微細化すると、薬液がその狭所領域に十分に入り込むことができなくなる。この結果、エッチングが不十分となるという問題がある。 Conventionally, as an etching apparatus for etching a substrate, an apparatus for supplying a chemical solution to the substrate has been proposed. When the etching apparatus supplies the chemical solution to the substrate, the chemical solution acts on the substrate to etch the film to be etched. However, when the pattern of the substrate becomes finer, the chemical solution cannot sufficiently enter the narrow region. As a result, there is a problem that etching becomes insufficient.
そこで、薬液を用いない気相エッチング装置が提案されている(例えば特許文献1)。この気相エッチング装置は処理ガスを用いて基板をエッチングする。気相エッチング装置は、チャンバーと、ガス輸送装置とを含んでいる。チャンバー内には、エッチングの対象となる基板が載置される。ガス輸送装置は、チャンバー内の上側から基板へと処理ガスを供給する。処理ガスは基板に作用して、基板に対してエッチングを行う。処理ガスは気体であるので、基板の狭所領域に入り込むことができる。 Therefore, a gas phase etching apparatus that does not use a chemical solution has been proposed (for example, Patent Document 1). This vapor phase etching device uses a processing gas to etch the substrate. The gas phase etching apparatus includes a chamber and a gas transport apparatus. A substrate to be etched is placed in the chamber. The gas transport device supplies the processing gas from the upper side in the chamber to the substrate. The processing gas acts on the substrate to etch the substrate. Since the processing gas is a gas, it can enter a narrow region of the substrate.
また、この気相エッチング装置では、プラズマが利用されないので、製造コストを低減することができる。 Further, since plasma is not used in this vapor phase etching apparatus, the manufacturing cost can be reduced.
特許文献1の気相エッチング装置において、基板を加熱することが考えられる。これにより、処理ガス(以下、エッチングガスと呼ぶ)による基板のエッチングを促進することができる。 In the gas phase etching apparatus of Patent Document 1, it is conceivable to heat the substrate. Thereby, the etching of the substrate by the processing gas (hereinafter referred to as etching gas) can be promoted.
しかしながら、基板を加熱することにより、基板の温度はチャンバーの内周面の温度よりも高くなる。ガスは対流により温度が低い方に流れやすいので、基板の周縁部の近傍の気体はチャンバーの内周面に流れやすい。これにより、基板の周縁部においてエッチング量が減少する。つまり、基板の面内エッチングの均一性が低下する。 However, by heating the substrate, the temperature of the substrate becomes higher than the temperature of the inner peripheral surface of the chamber. Since the gas tends to flow to a lower temperature due to convection, the gas near the peripheral edge of the substrate tends to flow to the inner peripheral surface of the chamber. As a result, the amount of etching is reduced at the peripheral edge of the substrate. That is, the uniformity of in-plane etching of the substrate is reduced.
そこで、本願は、基板の面内エッチングの均一性を向上することができる基板処理装置を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present application is to provide a substrate processing apparatus capable of improving the uniformity of in-plane etching of a substrate.
基板処理装置の第1の態様は、基板の表面を気相でエッチングする基板処理装置であって、チャンバーと、前記チャンバー内において、前記基板を加熱しつつ載置する加熱載置部と、前記チャンバー内において前記基板と対向する位置に設けられた導入口を有し、前記導入口から前記チャンバー内にエッチングガスを導入するガス導入部と、前記チャンバーに形成された第1排気口を介して前記チャンバー内の気体を外部に排出する排気部と、前記チャンバーに取り付けられた第1加熱部とを備える。 The first aspect of the substrate processing apparatus is a substrate processing apparatus that etches the surface of a substrate with a gas phase, and comprises a chamber, a heating mounting portion for mounting the substrate while heating in the chamber, and the above. It has an introduction port provided at a position facing the substrate in the chamber, and passes through a gas introduction portion for introducing etching gas into the chamber from the introduction port and a first exhaust port formed in the chamber. It includes an exhaust unit for discharging the gas in the chamber to the outside, and a first heating unit attached to the chamber.
基板処理装置の第2の態様は、第1の態様にかかる基板処理装置であって、前記第1加熱部は、前記チャンバーの内周面の温度を前記基板の表面の温度以上に昇温させる。 The second aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to the first aspect, in which the first heating unit raises the temperature of the inner peripheral surface of the chamber to a temperature higher than the temperature of the surface of the substrate. ..
基板処理装置の第3の態様は、第2の態様にかかる基板処理装置であって、前記第1加熱部は、前記チャンバーの内周面の温度を前記基板の表面の温度よりも30度以上高い値に昇温させる、前記チャンバーを加熱する。 A third aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to the second aspect, wherein the temperature of the inner peripheral surface of the chamber is 30 degrees or more higher than the temperature of the surface of the substrate. The chamber is heated to raise the temperature to a high value.
基板処理装置の第4の態様は、第1から第3のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記加熱載置部は、前記基板の温度を50度以上200度以下に昇温させ、前記第1加熱部は、前記チャンバーの内周面の温度を80度以上230度以下に昇温させる。 The fourth aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects, and the heating mounting unit raises the temperature of the substrate to 50 ° C. or higher and 200 ° C. or lower. The first heating unit raises the temperature of the inner peripheral surface of the chamber to 80 ° C. or higher and 230 ° C. or lower.
基板処理装置の第5の態様は、第1から第4のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記第1加熱部は、前記チャンバーの側壁のうち、少なくとも、水平方向において前記基板と対向する領域に取り付けられる。 A fifth aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to any one of the first to fourth aspects, wherein the first heating unit is the side wall of the chamber, at least in the horizontal direction. It is attached to the area facing the board.
基板処理装置の第6の態様は、第1から第5のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記チャンバーを囲むアウターチャンバーと、前記アウターチャンバーに取り付けられた第2加熱部とを更に備え、前記チャンバーの前記第1排気口は、前記チャンバーの内部空間、および、前記チャンバーと前記アウターチャンバーとの間の外側空間を互いに繋げ、前記アウターチャンバーには、第2排気口が形成され、前記排気部は、前記第2排気口を介して前記アウターチャンバー内の気体を外部に排出する。 A sixth aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to any one of the first to fifth aspects, wherein an outer chamber surrounding the chamber and a second heating unit attached to the outer chamber are used. The first exhaust port of the chamber connects the internal space of the chamber and the outer space between the chamber and the outer chamber to each other, and a second exhaust port is formed in the outer chamber. Then, the exhaust unit discharges the gas in the outer chamber to the outside through the second exhaust port.
基板処理装置の第7の態様は、第6の態様にかかる基板処理装置であって、前記第2加熱部は、前記アウターチャンバーの内周面の温度を前記チャンバーの内周面の温度以上に昇温させる。 A seventh aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to the sixth aspect, wherein the second heating unit sets the temperature of the inner peripheral surface of the outer chamber to be equal to or higher than the temperature of the inner peripheral surface of the chamber. Raise the temperature.
基板処理装置の第8の態様は、第6または第7の態様にかかる基板処理装置であって、前記第2加熱部は、前記アウターチャンバーの内周面の温度を100度以上に昇温させる。 The eighth aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to the sixth or seventh aspect, and the second heating unit raises the temperature of the inner peripheral surface of the outer chamber to 100 degrees or more. ..
基板処理装置の第9の態様は、第6から第8のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記チャンバー内に設けられる第1圧力センサと、前記チャンバーと前記アウターチャンバーとの間に設けられる第2圧力センサと、前記第1圧力センサおよび前記第2圧力センサの測定値に基づいて、前記排気部による排気流量を制御する制御部とを備える。 A ninth aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to any one of the sixth to eighth aspects, wherein a first pressure sensor provided in the chamber, the chamber, and the outer chamber are provided. It includes a second pressure sensor provided between them, and a control unit that controls the exhaust flow rate by the exhaust unit based on the measured values of the first pressure sensor and the second pressure sensor.
基板処理装置の第10の態様は、第1から第9のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記導入口と前記基板との間に設けられ、前記導入口から導入される前記エッチングガスを整流する整流部を更に備える。 The tenth aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to any one of the first to ninth aspects, which is provided between the introduction port and the substrate and is introduced from the introduction port. A rectifying unit that rectifies the etching gas is further provided.
基板処理装置の第11の態様は、第1から第10のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記第1排気口は複数設けられており、当該複数の第1排気口は、前記基板の周方向において略等間隔に形成されている。 The eleventh aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to any one of the first to tenth aspects, wherein a plurality of the first exhaust ports are provided, and the plurality of first exhaust ports are provided. , The substrates are formed at substantially equal intervals in the circumferential direction.
基板処理装置の第1の態様によれば、第1加熱部がチャンバーを加熱できるので、チャンバーの内周面の温度を高めることができる。よって、エッチングガスが対流によってチャンバーの内周面へ向かって流れることを抑制できる。これにより、基板に対してより均一にエッチングガスを供給することができ、基板の面内エッチングの均一性を向上できる。 According to the first aspect of the substrate processing apparatus, since the first heating unit can heat the chamber, the temperature of the inner peripheral surface of the chamber can be raised. Therefore, it is possible to suppress the etching gas from flowing toward the inner peripheral surface of the chamber due to convection. As a result, the etching gas can be supplied more uniformly to the substrate, and the uniformity of in-plane etching of the substrate can be improved.
基板処理装置の第2の態様によれば、エッチングガスが対流によりチャンバーの内周面に向かって流れることを更に抑制できる。 According to the second aspect of the substrate processing apparatus, it is possible to further suppress the etching gas from flowing toward the inner peripheral surface of the chamber due to convection.
基板処理装置の第3および第4の態様によれば、エッチングガスが基板に向かって流れやすくなるので、基板に作用するエッチングガスを増大できる。よって、スループットを向上できる。 According to the third and fourth aspects of the substrate processing apparatus, the etching gas easily flows toward the substrate, so that the etching gas acting on the substrate can be increased. Therefore, the throughput can be improved.
基板処理装置の第5の態様によれば、インナーチャンバーのうち基板と水平方向において対向する領域を効率的に加熱することができる。よって、対流によるエッチングガスの側壁22の内周面への流れを、効率的に基板W1側に変化させることができる。
According to the fifth aspect of the substrate processing apparatus, the region of the inner chamber facing the substrate in the horizontal direction can be efficiently heated. Therefore, the flow of the etching gas due to convection to the inner peripheral surface of the
基板処理装置の第6の態様によれば、アウターチャンバーの内周面においてエッチングガスが液化する可能性を低減できる。 According to the sixth aspect of the substrate processing apparatus, the possibility that the etching gas is liquefied on the inner peripheral surface of the outer chamber can be reduced.
基板処理装置の第7の態様によれば、エッチングガスの液化を更に抑制できる。 According to the seventh aspect of the substrate processing apparatus, the liquefaction of the etching gas can be further suppressed.
基板処理装置の第8の態様によれば、エッチングガスの液化をより確実に抑制できる。 According to the eighth aspect of the substrate processing apparatus, the liquefaction of the etching gas can be suppressed more reliably.
基板処理装置の第9の態様によれば、チャンバー内の圧力およびアウターチャンバー内の圧力を精度よく制御できる。 According to the ninth aspect of the substrate processing apparatus, the pressure in the chamber and the pressure in the outer chamber can be controlled with high accuracy.
基板処理装置の第10の態様によれば、エッチングガスを整流するので、基板の面内エッチングの均一性を更に向上できる。 According to the tenth aspect of the substrate processing apparatus, since the etching gas is rectified, the uniformity of in-plane etching of the substrate can be further improved.
基板処理装置の第11の態様によれば、チャンバー内の気体の流れをより均一にすることができる。 According to the eleventh aspect of the substrate processing apparatus, the flow of gas in the chamber can be made more uniform.
本願明細書に開示される技術に関する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、更に明白となる。 The technical objectives, features, aspects, and advantages disclosed herein will be further clarified by the detailed description and accompanying drawings set forth below.
以下、図面を参照しながら、実施形態について説明する。図面では同様な構成および機能を有する部分に同じ符号が付され、下記説明では重複説明が省略される。なお、以下の実施形態は一例であり、技術的範囲を限定する事例ではない。また、図面においては、理解容易のため、各部の寸法および数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings. In the drawings, parts having the same structure and function are designated by the same reference numerals, and duplicate description is omitted in the following description. The following embodiment is an example and does not limit the technical scope. Further, in the drawings, the dimensions and numbers of each part may be exaggerated or simplified for easy understanding.
第1の実施の形態.
<基板処理装置の構成>
図1は、基板処理装置1の構成の一例を概略的に示す図である。この基板処理装置1は、基板W1の表面に対して気相でエッチング処理を行う気相エッチング装置である。基板処理装置1はプラズマを利用せずに基板W1に対してエッチング処理を行うので、プラズマに起因した基板W1のダメージを回避することができる。また、プラズマを発生させる機構が不要となるので、基板処理装置1の製造コストを低減することができる。
The first embodiment.
<Configuration of board processing equipment>
FIG. 1 is a diagram schematically showing an example of the configuration of the substrate processing apparatus 1. The substrate processing device 1 is a gas phase etching device that performs etching processing on the surface of the substrate W1 in the gas phase. Since the substrate processing apparatus 1 performs etching processing on the substrate W1 without using plasma, damage to the substrate W1 caused by plasma can be avoided. Further, since the mechanism for generating plasma is not required, the manufacturing cost of the substrate processing apparatus 1 can be reduced.
図1に例示するように、基板処理装置1は、インナーチャンバー(チャンバー)10と、アウターチャンバー20と、加熱載置部30と、ガス導入部40と、排気部50と、加熱部60と、制御部70とを含んでいる。
As illustrated in FIG. 1, the substrate processing device 1 includes an inner chamber (chamber) 10, an
インナーチャンバー10は、処理空間V1を形成する密閉筐体である。インナーチャンバー10は例えば金属によって形成される。図1に例示するように、インナーチャンバー10は、上板11と、側壁12と、下板13とを有している。上板11および下板13は鉛直方向において間隔を空けて互いに対向している。側壁12は上板11の周縁および下板13の周縁を連結する。側壁12は例えば略円筒形状を有する。この場合、上板11および下板13は平面視において(つまり鉛直方向に沿って見て)、略円形状を有する。上板11、側壁12および下板13によって囲まれたインナーチャンバー10の内部空間が処理空間V1に相当する。
The
アウターチャンバー20は、インナーチャンバー10を囲む外側の密閉筐体である。アウターチャンバー20は例えば金属によって形成される。図1に例示するように、アウターチャンバー20は、上板21と、側壁22と、下板23とを有している。下板23は環状の形状を有し、その内周縁がインナーチャンバー10の下板13の外周縁に連結される。下板13および下板23は一体に形成されていてもよい。アウターチャンバー20の上板21はインナーチャンバー10の上板11よりも上側に位置しており、間隔を空けて上板11と対向している。アウターチャンバー20の上板21は平面視において、インナーチャンバー10の上板11の周縁よりも外側に広がっている。
The
アウターチャンバー20の側壁22は上板21の周縁と下板23の外周縁とを連結しており、インナーチャンバー10の側壁12を外側から囲んでいる。アウターチャンバー20の側壁22は例えばインナーチャンバー10の側壁12と同心の略円筒形状を有する。この場合、平面視において、アウターチャンバー20の上板21はインナーチャンバー10の上板11と同心の略円形状を有し、アウターチャンバー20の下板23はインナーチャンバー10の下板13と同心の略円環形状を有する。
The
以上のように、図1の例では、基板処理装置1は、インナーチャンバー10およびアウターチャンバー20による二重構造を有している。以下では、インナーチャンバー10およびアウターチャンバー20によって挟まれる空間を外側空間V2とも呼ぶ。
As described above, in the example of FIG. 1, the substrate processing device 1 has a double structure consisting of an
インナーチャンバー10には、インナー排気口12aが形成されている。図1の例では、インナー排気口12aはインナーチャンバー10の側壁12に形成されている。インナー排気口12aは側壁12をその厚み方向に貫通しており、インナーチャンバー10内の処理空間V1、および、インナーチャンバー10とアウターチャンバー20との間の外側空間V2を互いに繋げる。図1の例では、インナー排気口12aは側壁12の下部に形成されている。処理空間V1内の気体はインナー排気口12aを介して外側空間V2に排出される。
An
インナー排気口12aは複数設けられてもよい。図2は、インナーチャンバー10の構成の一例を概略的に示す図である。図2では、インナーチャンバー10の水平断面図が示されている。図2の例では、インナーチャンバー10には、4つのインナー排気口12aが形成されている。4つのインナー排気口12aは側壁12の周方向に沿って略等間隔に形成されている。これによれば、処理空間V1内の気体は平面視においてより均等に排出される。これにより、処理空間V1を流れる気体の流れをより均一にすることができる。なお、インナー排気口12aの個数は適宜に変更でき、より好ましくは3つ以上形成される。インナー排気口12aが3つ以上形成されていれば、気体の流れを適切に均一化できる。
A plurality of
図1を再び参照して、アウターチャンバー20には、アウター排気口23aが形成されている。排気部50はインナーチャンバー10とアウターチャンバー20との間の外側空間V2の気体を、アウター排気口23aを介して吸引して外部に排出する。これにより、処理空間V1内の気体もインナー排気口12aおよびアウター排気口23aを介して排気部50に排出される。よって、アウターチャンバー20内(処理空間V1および外側空間V2)の圧力は低下する。
With reference to FIG. 1 again, an
図1の例では、アウター排気口23aはアウターチャンバー20の下板23に形成されており、下板23をその厚み方向に貫通する。また図1の例では、アウター排気口23aは複数(ここでは2つ)形成されている。複数のアウター排気口23aは周方向に略等間隔に形成されてもよい。これにより、処理空間V1内の気体はより均等にインナー排気口12aから排出される。
In the example of FIG. 1, the
図1の例では、排気部50は、排気管51と、排気バルブ52と、真空ポンプ53とを含んでいる。排気管51はアウターチャンバー20のアウター排気口23aに接続されている。図1の例では、複数のアウター排気口23aが形成されているので、複数の排気管51が設けられている。図1の例では、複数の排気管51は合流し、共通して真空ポンプ53に接続される。
In the example of FIG. 1, the
真空ポンプ53は排気管51内の気体を吸引して外部に排出する。真空ポンプ53は制御部70によって制御される。排気バルブ52は排気管51の途中に設けられており、排気管51内の流路の開度を調整する。排気バルブ52の開度は制御部70によって制御される。制御部70は、例えば処理空間V1内の圧力が所定のプロセス圧となるように、排気バルブ52および真空ポンプ53を制御する。
The
インナーチャンバー10およびアウターチャンバー20には、基板W1を搬出入するための搬出入口(不図示)が形成される。例えば、インナーチャンバー10の側壁12およびアウターチャンバー20の側壁22のそれぞれにおいて、搬出入口が形成される。また、この搬出入口には、シャッター(不図示)がそれぞれ設けられる。このシャッターが閉じることにより搬出入口を気密に閉じることができ、シャッターが開くことにより、搬出入口が開口する。シャッターの開閉は制御部70によって制御される。
The
加熱載置部30はインナーチャンバー10内に設けられており、基板W1を加熱しつつ載置する。加熱載置部30は載置台31と加熱部32とを含んでいる。載置台31の上には、基板W1が載置される。基板W1は略水平姿勢で載置台31の上に載置される。換言すれば、基板W1はその厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で載置台31の上に載置される。
The
基板W1は例えば半導体基板である。基板W1が半導体基板である場合には、基板W1は略円板形状を有する。基板W1の上面には、基板処理装置1の搬入前の工程によってエッチング対象膜が形成されている。エッチング対象膜は特に限定されないものの、例えば酸化膜または窒化膜である。ここでは一例として、基板W1の上面には、CVD(化学気相成長法)、ALD(原子層体積法)または熱酸化等により酸化膜が形成されているものとする。 The substrate W1 is, for example, a semiconductor substrate. When the substrate W1 is a semiconductor substrate, the substrate W1 has a substantially disk shape. An etching target film is formed on the upper surface of the substrate W1 by a process before the substrate processing apparatus 1 is carried in. The film to be etched is not particularly limited, but is, for example, an oxide film or a nitride film. Here, as an example, it is assumed that an oxide film is formed on the upper surface of the substrate W1 by CVD (chemical vapor deposition method), ALD (atomic layer volume method), thermal oxidation, or the like.
載置台31には、基板W1を保持するチャック機構が設けられてもよい。例えば載置台31は、基板W1の下面と対向する上面を有しており、当該上面には、複数のチャックピン(不図示)が設けられてもよい。複数のチャックピンは基板W1の周縁に沿って略等間隔に設けられ、基板W1の周縁を保持する。なお、チャック機構としてはチャックピン以外の種々の機構(例えば吸引チャックなど)を採用してよい。ここでは一例として、載置台31はチャック機構を含んでいるものとする。載置台31のチャック機構は制御部70によって制御される。
The mounting table 31 may be provided with a chuck mechanism for holding the substrate W1. For example, the mounting table 31 has an upper surface facing the lower surface of the substrate W1, and a plurality of chuck pins (not shown) may be provided on the upper surface. A plurality of chuck pins are provided at substantially equal intervals along the peripheral edge of the substrate W1 to hold the peripheral edge of the substrate W1. As the chuck mechanism, various mechanisms other than the chuck pin (for example, a suction chuck) may be adopted. Here, as an example, it is assumed that the mounting table 31 includes a chuck mechanism. The chuck mechanism of the mounting table 31 is controlled by the
加熱部32は、載置台31の上に載置された基板W1を加熱する。加熱部32は基板W1よりも下側に設けられており、例えば、ジュール熱を発生させる抵抗線を含む。抵抗線は適宜に絶縁膜によって覆われる。より具体的な一例として、加熱部32は載置台31に内蔵されていてもよい。例えば、抵抗線は平面視において2次元的に配策される。載置台31は、内蔵された加熱部32によって加熱される。加熱部32は制御部70によって制御される。
The
図1の例では、加熱載置部30は回転機構33を含んでいる。回転機構33は、基板W1の中心を通り鉛直方向に沿う回転軸の周りで、基板W1を回転させる。例えば、回転機構33はモータ(不図示)とシャフト(不図示)とを含む。シャフトの一端は載置台31の下面に連結され、他端はモータに連結される。シャフトはモータの回転力を載置台31に伝達して、載置台31を当該回転軸の周りで回転させる。これにより、載置台31に保持された基板W1を回転させることができる。回転機構33は制御部70によって制御される。
In the example of FIG. 1, the
ガス導入部40は、インナーチャンバー10内に設けられたガス導入口41aを有し、ガス導入口41aから処理空間V1にエッチングガスを導入する。ガス導入口41aは基板W1の表面(図1では上面)に対向する位置に設けられている。図1の例では、ガス導入口41aは、載置台31に保持された基板W1よりも上側に位置している。ガス導入部40はガス導入口41aから基板W1の上面に向けてエッチングガスを吐出する。図1の例では、処理空間V1内においてエッチングガスが流れる方向を模式的に破線の矢印で示している。
The
エッチングガスは基板W1の上面に作用して、その上面のエッチング対象膜をエッチングする。このエッチングガスは、フッ酸ガスまたはフッ素ガスなどの反応性ガスを含む。また、エッチングガスは、水蒸気またはアルコールガスなどの水酸基(OH基)を有する添加ガスを更に含んでもよい。また、エッチングガスは、アルゴン、ヘリウムまたは窒素などの不活性ガスを更に含んでもよい。ここでいう不活性ガスとは、基板W1との反応性が低いガスである。 The etching gas acts on the upper surface of the substrate W1 to etch the etching target film on the upper surface thereof. This etching gas includes a reactive gas such as hydrofluoric acid gas or fluorine gas. Further, the etching gas may further contain an additive gas having a hydroxyl group (OH group) such as water vapor or alcohol gas. Further, the etching gas may further contain an inert gas such as argon, helium or nitrogen. The inert gas referred to here is a gas having low reactivity with the substrate W1.
図1の例では、ガス導入部40は、導入管41と、導入バルブ42と、ガス供給源43とを含んでいる。導入管41はインナーチャンバー10およびアウターチャンバー20を貫通しており、その一端はインナーチャンバー10内の処理空間V1において基板W1よりも上側に位置している。導入管41の一端にはガス導入口41aが形成される。図1の例では、導入管41はアウターチャンバー20内において鉛直方向に沿って延在しており、インナーチャンバー10の上板11およびアウターチャンバー20の上板21をその厚み方向に貫通している。導入管41とインナーチャンバー10との間は所定の封止部(例えばオーリング)によって気密に封止され、導入管41とアウターチャンバー20との間も所定の封止部(例えばオーリング)によって気密に封止される。
In the example of FIG. 1, the
導入管41の他端には、ガス供給源43が接続されている。ガス供給源43はエッチングガスを導入管41に供給する。なお図1の例では、簡易的に一つのガス供給源43のみが示されているものの、上述のようにエッチングガスは複数種の気体を含み得るので、その複数種の気体に対応した複数のガス供給源43が設けられ得る。この場合、導入管41は複数に分岐して、その分岐端がそれぞれガス供給源43に接続される。
A
導入バルブ42は導入管41の途中に設けられている。複数のガス供給源43が設けられて、導入管41が複数に分岐する場合には、その分岐管のそれぞれに導入バルブ42が設けられる。導入バルブ42は制御部70によって制御される。導入バルブ42は、導入管41の内部を流れる気体の流量を調整可能なバルブであってもよい。
The
導入バルブ42が開くことにより、エッチングガスがガス供給源43から導入管41の内部を流れてガス導入口41aから吐出される。ガス導入口41aから処理空間V1内に導入されたエッチングガスは下側に向かって流れる。図1の例では、後述する整流部80が設けられており、エッチングガスは整流部80を通過することにより整流される。整流部80を通過したエッチングガスは、基板W1の上面に流れ、上面のエッチング対象膜を気相分解してエッチングする。
When the
インナー排気口12aは載置台31上の基板W1よりも下側に位置しているので、気相分解により生じたガスは、基板W1の周縁から下側に向かって流れ、インナー排気口12aおよびアウター排気口23aを介して排気部50に排出される。また、エッチングに寄与しなかったエッチングガスもインナー排気口12aおよびアウター排気口23aを介して排気部50に排出される。
Since the
整流部80はガス導入部40のガス導入口41aと加熱載置部30との間に設けられている。整流部80は通気性を有しており、ガス導入部40から処理空間V1内に導入されたエッチングガスが整流部80を通過することにより、エッチングガスが整流する。整流部80を通過したエッチングガスは更に下側に流れて基板W1の上面に供給される。整流部80と基板W1との間の距離は、例えば10[mm]程度以下に設定される。整流部80と基板W1との間の距離が長い場合には、整流部80によって整流されたエッチングガスが基板W1の上面付近において再び乱れる可能性があるものの、当該距離が10[mm]程度以下であれば、そのような乱れは生じにくい。
The rectifying
図3は、整流部80の構成の一例を概略的に示す平面図である。図3の例では、整流部80はパンチングプレートである。整流部80は板状形状を有しており、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で設けられる。整流部80は平面視において略円形状を有しており、その周縁がインナーチャンバー10の側壁22の内周面に固定される。図3の例では、整流部80には、複数の貫通孔80aが形成されている。各貫通孔80aは平面視において例えば略円形状を有しており、その径は例えば0.1〜2[mm]程度に設定される。複数の貫通孔80aは平面視において2次元的に分散して配置されており、図3の例では、略マトリクス状に配置される。複数の貫通孔80aの大きさおよび個数は適宜に変更され得る。
FIG. 3 is a plan view schematically showing an example of the configuration of the rectifying
なお、図1の例では、1つの整流部80が設けられているものの、複数の整流部80が設けられてもよい。複数の整流部80はガス導入口41aと基板W1との間で、鉛直方向において間隔を空けて設けられる。貫通孔80aの位置は、鉛直方向において隣り合う整流部80の間でずれていてもよい。例えば第1の整流部80および第2の整流部80が設けられる場合について概説する。第1の整流部80の貫通孔80aは鉛直方向において第2の整流部80の貫通孔80aとは対向しておらず、貫通孔80aが形成されていない領域と対向する。逆に、第2の整流部80の貫通孔80aも第1の整流部80のうち貫通孔80aが設けられていない領域と対向する。これによれば、気体が複数の整流部80を通過することにより、更に整流される。
In the example of FIG. 1, although one rectifying
また、整流部80はメッシュ状の形状を有していてもよい。例えば整流部80は、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)などのフッ素系樹脂をコーティングさせたメッシュ構造を有していてもよい。
Further, the rectifying
加熱部60はインナーチャンバー10に取り付けられており、インナーチャンバー10を加熱する。加熱部60は制御部70によって制御され、インナーチャンバー10の内周面の温度を、載置台31に保持された基板W1の温度以上の温度に昇温させる。
The
図1に例示するように、加熱部60はインナーチャンバー10の外周面に設けられていてもよい。図1の例では、加熱部60はインナーチャンバー10の側壁12の外周面に設けられている。この加熱部60は、側壁12を囲う筒状形状を有していてもよい。また、加熱部60はインナーチャンバー10の外周面に密着しているとよい。これによれば、加熱部60はより効率的にインナーチャンバー10を加熱できる。加熱部60は、側壁12のうち、少なくとも、基板W1と水平方向で対向する位置を含む領域に設けられる。
As illustrated in FIG. 1, the
加熱部60は、例えばジュール熱を発生させる抵抗線(不図示)を有していてもよい。抵抗線は適宜に絶縁膜によって覆われる。この抵抗線がインナーチャンバー10の外周面に沿って配策されることで、インナーチャンバー10を加熱してもよい。なお、加熱部60は、抵抗線を内蔵して、インナーチャンバー10の外周面に密着する伝熱部材(例えば金属)を含んでいてもよい。
The
あるいは、加熱部60は熱媒体配管(不図示)を有していてもよい。熱媒体配管はインナーチャンバー10の側壁12の外周面に沿って配策される。例えば熱媒体配管は螺旋状に配策されて側壁12を囲う。熱媒体配管の内部には、高温の熱媒体(冷媒とも呼ばれる)が流れる。この熱媒体とインナーチャンバー10との間の熱交換により、インナーチャンバー10を加熱することができる。熱媒体配管の両端は、加熱部(不図示)に接続されている。インナーチャンバー10へ放熱して低温となった熱媒体が熱媒体配管の一端から加熱部に流入すると、当該加熱部は当該熱媒体を加熱し、高温の熱媒体を熱媒体配管の他端へと供給する。これにより、高温の熱媒体は再び熱媒体配管を流れてインナーチャンバー10を加熱する。以上のように、熱媒体は熱媒体配管を循環する。なお、加熱部60は、熱媒体配管を内蔵して、インナーチャンバー10の外周面に密着する伝熱部材(例えば金属)を含んでいてもよい。
Alternatively, the
また、加熱部60は必ずしもインナーチャンバー10の外周面に設けられている必要はない。例えば加熱部60はインナーチャンバー10自体に埋設されてもよいし、インナーチャンバー10の内周面に設けられてもよい。加熱部60がインナーチャンバー10の外周面に設けられる場合には、加熱部60がインナーチャンバー10に埋設される場合に比して、加熱部60の設置が容易である。また、加熱部60がインナーチャンバー10内の処理空間V1に露出しないので、加熱部60自体に起因してパーティクル等が発生したとしても、そのパーティクルは基板W1に付着しにくい。
Further, the
制御部70は、基板処理装置1を統括的に制御する。制御部70は、例えば、各種演算処理を行うCPU(Central Processing Unit)、プログラム等を記憶するROM(Read Only Memory)、演算処理の作業領域となるRAM(Random Access Memory)、プログラムや各種のデータファイルなどを記憶するハードディスク、LAN(Local Area Network)等を介したデータ通信機能を有するデータ通信部等がバスラインなどにより互いに接続された、一般的なFA(Factory Automation)コンピュータにより構成される。また、制御部70は、各種表示を行うディスプレイ、キーボードおよびマウスなどで構成される入力部等と接続されている。なお、制御部70が実行する機能の一部または全部は専用のハードウェア回路によって実現されてもよい。
The
<基板処理装置の動作の概要>
まず、制御部70はインナーチャンバー10のシャッターおよびアウターチャンバー20のシャッターを制御して、両シャッターを開く。これにより、基板処理装置1の搬出入口が開口する。不図示の基板搬送装置は当該搬出入口を介して基板W1を基板処理装置1内に搬入し、加熱載置部30に載置する。基板搬送装置による搬入動作が終了すると、制御部70は両シャッターを制御して、両シャッターを閉じる。
<Outline of operation of board processing equipment>
First, the
制御部70は排気部50を制御して、インナーチャンバー10内の処理空間V1の圧力を所定プロセス圧まで減圧させる。所定プロセス圧は、例えば1〜300[Torr]程度の範囲内に設定される。制御部70はエッチング処理中において処理空間V1の圧力が所定の圧力範囲内に維持されるように、排気部50を制御するとよい。
The
また、制御部70は加熱部32および加熱部60を制御して、それぞれ基板W1およびインナーチャンバー10を加熱する。加熱部32は基板W1を加熱して、基板W1の上面の温度を例えば50度以上かつ200度以下の範囲内に昇温させる。
Further, the
加熱部60は、インナーチャンバー10の内周面の温度が基板W1の上面の温度以上となるように、インナーチャンバー10を加熱する。より具体的には、加熱部60は、側壁12の内周面のうち、少なくとも基板W1と水平方向において対向する領域の温度が、基板W1の上面の温度以上となるようにインナーチャンバー10を加熱する。インナーチャンバー10の内周面の温度は例えば80度以上かつ230度以下の範囲内の温度に設定され、例えば基板W1の上面の温度よりも30度以上高い温度に設定される。
The
制御部70はエッチング処理中において、基板W1およびインナーチャンバー10の温度がそれぞれの温度範囲内で維持されるように、加熱部32および加熱部60を制御するとよい。
The
次に、制御部70は回転機構33を制御して、基板W1を回転させる。制御部70はエッチング処理中において、基板W1の回転速度が所定の速度範囲内で維持されるように、回転機構33を制御する。
Next, the
次に、制御部70はガス導入部40を制御して、エッチングガスをインナーチャンバー10内の処理空間V1内に導入する。例えば、反応性ガスの流量は100〜3000[sccm]程度に設定され、不活性ガスの流量は100〜15000[sccm]程度に設定され、添加ガスの流量は0〜3000[sccm]に設定される。
Next, the
ガス導入口41aから吐出されたエッチングガスは整流部80によって整流され、整流されたエッチングガスが基板W1の上面のエッチング対象膜を気相分解してエッチングする。気相分解によって生じたガスおよび気相分解に寄与しなかったエッチングガスは、インナー排気口12aおよびアウター排気口23aを経由して排気部50へと排出される。
The etching gas discharged from the
エッチングガスの導入開始から、エッチング処理に必要な処理期間が経過したときに、制御部70は基板処理装置1の各種の構成要素を制御して各動作を停止させる。これにより、基板W1に対するエッチング処理が終了する。
When the processing period required for the etching process elapses from the start of introducing the etching gas, the
以上のように、基板処理装置1には、加熱部60が設けられており、加熱部60はエッチング処理中においてインナーチャンバー10を加熱する。ここで、比較のために、加熱部60が設けられていない場合について説明する。この場合、基板W1の上面の温度はインナーチャンバー10の側壁12の内周面の温度よりも高くなる。よって、基板W1の上側から基板W1の上面の周縁部に向かって下側に流れるエッチングガスは、対流によってインナーチャンバー10の側壁12の内周面へ向かって流れやすい。これによれば、基板W1の上面の周縁部に向かって流れるエッチングガスが低減する。
As described above, the substrate processing apparatus 1 is provided with a
また部材の温度が低いほどエッチングガスは当該部材に吸着するので、インナーチャンバー10の内周面の温度が低い場合には、インナーチャンバー10の内周面におけるエッチングガスの吸着量が増大する。これによっても、基板W1の上面の周縁部に向かって流れるエッチングガスが減少する。
Further, as the temperature of the member is lower, the etching gas is adsorbed on the member. Therefore, when the temperature of the inner peripheral surface of the
以上のように、基板W1の上面の周縁に向かって流れるエッチングガスが減少すれば、基板W1の上面の中央部のエッチング量と周縁部のエッチング量との差が増大する。つまり、基板W1の面内エッチングの均一性が低下する。 As described above, if the etching gas flowing toward the peripheral edge of the upper surface of the substrate W1 is reduced, the difference between the etching amount of the central portion of the upper surface of the substrate W1 and the etching amount of the peripheral edge portion increases. That is, the uniformity of in-plane etching of the substrate W1 is reduced.
これに対して、加熱部60はインナーチャンバー10の内周面の温度を基板W1の上面の温度以上に昇温させる。よって、エッチングガスが対流によってインナーチャンバー10の内周面に向かって流れることを抑制できる。またインナーチャンバー10の内周面に吸着するエッチングガスの量も低減できる。
On the other hand, the
これにより、エッチングガスが基板W1の上面の周縁部にも適切に供給され、基板W1の上面に対してより均等に作用する。したがって、基板W1の面内エッチングの均一性を向上することができる。 As a result, the etching gas is appropriately supplied to the peripheral edge of the upper surface of the substrate W1 and acts more evenly on the upper surface of the substrate W1. Therefore, the uniformity of in-plane etching of the substrate W1 can be improved.
また、インナーチャンバー10の側壁12の内周面の温度が基板W1の上面の温度よりも高い場合には、基板W1よりも外周側を下側に向かって流れるエッチングガスが基板W1の上面に向かって流れやすい。これによれば、基板W1の上面に作用するエッチングガスの量を増大できる。よって、スループットを向上できる。
Further, when the temperature of the inner peripheral surface of the
しかも、インナーチャンバー10の内周面の温度が高いので、エッチングガスがインナーチャンバー10の内周面に吸着および液化する可能性を低減することができる。これによれば、エッチングガスの液化に起因したインナーチャンバー10の腐食の可能性を低減することができる。例えば添加ガスとして水蒸気を採用した場合、処理空間V1の圧力が100[Torr]程度であれば、温度が50度程度であるときに水蒸気が液化する。インナーチャンバー10に液体の水が付着すると、例えばインナーチャンバー10が腐食し得る。加熱部60がインナーチャンバー10を加熱して、インナーチャンバー10の内周面の温度を50度よりも高い温度に昇温させることにより、このような腐食を抑制または回避することができる。また反応性ガスは、例えば、温度が20度程度であるときに液化し得る。加熱部60がインナーチャンバー10を加熱することにより、反応性ガスの液化もより確実に抑制できる。
Moreover, since the temperature of the inner peripheral surface of the
ただし、インナーチャンバー10の内周面の温度が高すぎると、インナーチャンバー10の側壁12からの輻射熱により、基板W1の周縁部が加熱され得る。これにより、基板W1の上面の周縁部の温度が基板W1の中央部の温度よりも高くなる可能性がある。このような基板W1の温度のばらつきは、面内エッチングの均一性という観点では望ましくない。そこで、インナーチャンバー10の内周面の温度は、基板W1の温度ばらつきが所定範囲内となるように制御されることが望ましい。
However, if the temperature of the inner peripheral surface of the
また、上述の例では、加熱部60は、インナーチャンバー10の側壁12のうち、少なくとも、基板W1と水平方向において対向する領域に取り付けられている。これによれば、加熱部60は側壁12のうち当該領域を効率的に加熱することができる。したがって、対流によるエッチングガスの側壁22の内周面への流れを、効率的に基板W1側に変化させることができる。
Further, in the above example, the
また、上述の例では、回転機構33はエッチング処理中に基板W1を回転させる。これにより、エッチングガスが基板W1の上面に対してより均等に作用する。よって、面内エッチングの均一性を更に向上することができる。
Further, in the above example, the
なお、上述の例では、基板処理装置1は整流部80を含んでいるものの、整流部80は設けられていなくてもよい。なぜなら、加熱部60によるインナーチャンバー10の加熱により、基板W1の面内エッチングの均一性を向上できるからである。もちろん、面内エッチングの均一性の更なる向上のためには、整流部80が設けられていることが望ましい。同様に、回転機構33も必ずしも設けられる必要はないが、面内エッチングの均一性の更なる向上のためには、回転機構33は設けられていることが望ましい。
In the above example, although the substrate processing device 1 includes the rectifying
また上述の例では、加熱部60はインナーチャンバー10の側壁12に設けられているものの、必ずしもこれに限らない。加熱部60は上板11に設けられてもよく、下板13に設けられてもよい。要するに、加熱部60は上板11、側壁12および下板13の少なくともいずれ一つに設けられていればよく、インナーチャンバー10の内周面(少なくとも基板W1と水平方向において対向する領域)の温度を基板W1の上面の温度以上に昇温できればよい。
Further, in the above example, although the
第2の実施の形態.
図4は、基板処理装置1Aの構成の一例を概略的に示す図である。基板処理装置1Aは、加熱部61の有無を除いて、基板処理装置1と同様の構成を有している。加熱部61はアウターチャンバー20に取り付けられており、アウターチャンバー20を加熱する。加熱部61の構成の一例は加熱部60と同様である。加熱部61は制御部70によって制御される。
The second embodiment.
FIG. 4 is a diagram schematically showing an example of the configuration of the
図4に例示するように、加熱部61はアウターチャンバー20の外周面に設けられていてもよい。例えば、加熱部61は、アウターチャンバー20の側壁22の外周面を周方向に囲う筒状形状を有する。加熱部61はアウターチャンバー20の外周面に密着しているとよい。これにより、加熱部61はより効率的にアウターチャンバー20を加熱できる。
As illustrated in FIG. 4, the
加熱部61はアウターチャンバー20の内周面の温度がエッチング処理中において所定の温度範囲を維持するように、アウターチャンバー20を加熱する。所定の温度範囲としては、エッチングガスの液化を抑制することができる温度範囲を採用する。具体的には、エッチングガスの沸点(プロセス圧における沸点)よりも高い温度範囲を採用する。これにより、エッチングガスがアウターチャンバー20の内周面において液化する可能性を低減することができる。具体的な一例として、加熱部61はアウターチャンバー20の内周面を100度以上に昇温させてもよい。これによれば、例えば添加ガスとして水蒸気が含まれていたとしても、その水蒸気がアウターチャンバー20の内周面において液化することを回避することができる。
The
基板処理装置1Aにおいて、アウターチャンバー20の内周側にはインナーチャンバー10が設けられているので、アウターチャンバー20の温度が高くても、アウターチャンバー20からの熱線はインナーチャンバー10によって遮られ、基板W1に対して直接照射されない。したがって、アウターチャンバー20の内周面の温度が高くても、アウターチャンバー20による輻射熱は基板W1の温度分布に影響を与えにくい。言い換えれば、アウターチャンバー20の内周面の温度は、インナーチャンバー10に比して、基板W1の温度分布に影響を与えにくい。よって、アウターチャンバー20の内周面の温度が高くても、基板W1の面内エッチングの均一性は低下しにくい。
In the
そこで、加熱部61はアウターチャンバー20を加熱して、アウターチャンバー20の内周面の温度をインナーチャンバー10の内周面の温度以上に昇温させてもよい。これによれば、アウターチャンバー20の内周面の温度がインナーチャンバー10の内周面の温度よりも低い場合に比べて、アウターチャンバー20の内周面においてエッチングガスが液化する可能性をより低減することができる。これにより、アウターチャンバー20の腐食の可能性を更に低減できる。
Therefore, the
なお、上述の例では、加熱部61はアウターチャンバー20の側壁22に取り付けられているものの、上板21、側壁22および下板23の少なくともいずれか1つに設けられていればよい。また、上述の例では、加熱部61はアウターチャンバー20の外周面に取り付けられているものの、アウターチャンバー20に埋設されていてもよく、あるいは、アウターチャンバー20の内周面に取り付けられてもよい。
In the above example, although the
第3の実施の形態.
図5は、基板処理装置1Bの構成の一例を概略的に示す図である。基板処理装置1Bは、整流部81の有無を除いて、基板処理装置1Aと同様の構成を有している。
A third embodiment.
FIG. 5 is a diagram schematically showing an example of the configuration of the substrate processing apparatus 1B. The substrate processing apparatus 1B has the same configuration as the
整流部81はインナーチャンバー10内に設けられており、処理空間V1内のエッチングガスの流れにおいて、基板W1よりも下流側に位置している。より具体的には、整流部81の上面が基板W1の上面と同じ、または当該上面よりも下側の高さ位置となるように、整流部81が設けられている。整流部81は略円環状の板状形状を有しており、その厚み方向が鉛直方向に沿うように設けられている。図5に例示するように、整流部81は、基板W1または加熱載置部30を囲むように設けられている。整流部81の外周縁はインナーチャンバー10の内周面に固定されていてもよい。
The rectifying
整流部81は通気性を有しており、エッチングガスを整流する。具体的には、整流部81には、自身を厚み方向に沿って貫通する複数の貫通孔(不図示)が形成される。整流部81に形成された貫通孔は、整流部80に形成される貫通孔80aと同様の大きさを有しており、貫通孔80aと同様に、平面視において分散して配置される。整流部81は整流部80と同様にパンチングプレートであってもよく、メッシュ構造を有していてもよい。
The rectifying
整流部81は基板W1よりも下流側においてエッチングガスの流れを整流することができる。エッチングガスは処理空間V1において連続して流れるので、下流側におけるエッチングガスの流れを整流することにより、より基板W1の上側のエッチングガスの流れも整流することができる。これにより、基板W1の面内エッチングの均一性を更に向上することができる。
The rectifying
整流部81は整流部80と同様に複数設けられてもよい。複数の整流部81は基板W1よりも下流側において、鉛直方向において間隔を空けて設けられる。隣り合う整流部81の貫通孔は平面視において互いにずれて形成される。これによれば、基板W1よりも下流側において気体の流れを更に整流することができる。
A plurality of rectifying
なお、上述の例では、基板処理装置1Aに対して整流部81を設けているものの、基板処理装置1に対して整流部81を設けてもよい。
In the above example, although the rectifying
第4の実施の形態.
図6は、基板処理装置1Cの構成の一例を概略的に示す図である。基板処理装置1Cは、圧力センサ91および圧力センサ92の有無を除いて、基板処理装置1Bと同様の構成を有している。
Fourth embodiment.
FIG. 6 is a diagram schematically showing an example of the configuration of the substrate processing device 1C. The substrate processing device 1C has the same configuration as the substrate processing device 1B except for the presence / absence of the
圧力センサ91はインナーチャンバー10内に設けられている。圧力センサ91は処理空間V1の圧力を測定し、その測定値を制御部70に出力する。圧力センサ91の処理空間V1内における位置は特に制限されないものの、図6の例では、圧力センサ91は整流部80と基板W1との間の高さ位置に設けられている。また圧力センサ91は平面視において基板W1よりも外側に設けられている。
The
圧力センサ92はインナーチャンバー10とアウターチャンバー20との間の外側空間V2に設けられている。圧力センサ92は外側空間V2の圧力を測定し、その測定値を制御部70に出力する。圧力センサ92の外側空間V2内における位置も特に制限されない。
The
制御部70は圧力センサ91および圧力センサ92から入力された測定値に基づいて、処理空間V1の圧力および外側空間V2の圧力が所定の圧力範囲内となるように、排気部50による気体の排気流量を制御する。
Based on the measured values input from the
これによれば、インナーチャンバー10内の処理空間V1の圧力、および、インナーチャンバー10とアウターチャンバー20との間の外側空間V2の圧力を、精度よく制御することができる。
According to this, the pressure of the processing space V1 in the
なお、処理空間V1には、ガス導入部40からエッチングガスが導入されるので、処理空間V1の圧力を外側空間V2の圧力よりも高くすることができる。よって、外側空間V2から処理空間V1に気体が流入することを抑制できる。したがって、処理空間V1内にパーティクル等の異物が混入する可能性を低減できる。
Since the etching gas is introduced into the processing space V1 from the
また、上述の例では、基板処理装置1Bに対して圧力センサ91および圧力センサ92が設けられているものの、基板処理装置1または基板処理装置1Aに対して圧力センサ91および圧力センサ92を設けてもよい。
Further, in the above example, although the
以上、実施の形態が説明されたが、この基板処理装置1はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。本実施の形態は、その開示の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。 Although the embodiment has been described above, the substrate processing apparatus 1 can make various changes other than those described above as long as it does not deviate from the purpose. Within the scope of the disclosure, the present embodiment can be freely combined with each embodiment, modified any component of each embodiment, or can omit any component in each embodiment. is there.
1,1A〜1C 基板処理装置
10 チャンバー(インナーチャンバー)
12a 第1排気口(インナー排気口)
20 アウターチャンバー
23a 第2排気口(アウター排気口)
30 加熱載置部
40 ガス導入部
41a 導入口(ガス導入口)
50 排気部
60 第1加熱部(加熱部)
61 第2加熱部(加熱部)
80 整流部
91 第1圧力センサ(圧力センサ)
92 第2圧力センサ(圧力センサ)
1,1A to 1C
12a 1st exhaust port (inner exhaust port)
20
30
50
61 Second heating section (heating section)
80
92 Second pressure sensor (pressure sensor)
Claims (11)
チャンバーと、
前記チャンバー内において、前記基板を加熱しつつ載置する加熱載置部と、
前記チャンバー内において前記基板と対向する位置に設けられた導入口を有し、前記導入口から前記チャンバー内にエッチングガスを導入するガス導入部と、
前記チャンバーに形成された第1排気口を介して前記チャンバー内の気体を外部に排出する排気部と、
前記チャンバーに取り付けられた第1加熱部と
を備える、基板処理装置。 A substrate processing device that etches the surface of a substrate with a gas phase.
With the chamber
In the chamber, a heating mounting portion for mounting the substrate while heating it,
A gas introduction unit having an introduction port provided at a position facing the substrate in the chamber and introducing an etching gas into the chamber from the introduction port.
An exhaust unit that discharges gas in the chamber to the outside through a first exhaust port formed in the chamber,
A substrate processing apparatus including a first heating unit attached to the chamber.
前記第1加熱部は、前記チャンバーの内周面の温度を前記基板の表面の温度以上に昇温させる、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1.
The first heating unit is a substrate processing device that raises the temperature of the inner peripheral surface of the chamber to a temperature equal to or higher than the temperature of the surface of the substrate.
前記第1加熱部は、前記チャンバーの内周面の温度を前記基板の表面の温度よりも30度以上高い値に昇温させる、前記チャンバーを加熱する、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2.
The first heating unit is a substrate processing device for heating the chamber, which raises the temperature of the inner peripheral surface of the chamber to a value 30 degrees or more higher than the temperature of the surface of the substrate.
前記加熱載置部は、前記基板の温度を50度以上200度以下に昇温させ、
前記第1加熱部は、前記チャンバーの内周面の温度を80度以上230度以下に昇温させる、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3.
The heating mounting portion raises the temperature of the substrate to 50 ° C. or higher and 200 ° C. or lower.
The first heating unit is a substrate processing device that raises the temperature of the inner peripheral surface of the chamber to 80 ° C. or higher and 230 ° C. or lower.
前記第1加熱部は、前記チャンバーの側壁のうち、少なくとも、水平方向において前記基板と対向する領域に取り付けられる、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4.
The first heating unit is a substrate processing device attached to at least a region of the side wall of the chamber facing the substrate in the horizontal direction.
前記チャンバーを囲むアウターチャンバーと、
前記アウターチャンバーに取り付けられた第2加熱部と
を更に備え、
前記チャンバーの前記第1排気口は、前記チャンバーの内部空間、および、前記チャンバーと前記アウターチャンバーとの間の外側空間を互いに繋げ、
前記アウターチャンバーには、第2排気口が形成され、
前記排気部は、前記第2排気口を介して前記アウターチャンバー内の気体を外部に排出する、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5.
The outer chamber surrounding the chamber and
Further provided with a second heating unit attached to the outer chamber,
The first exhaust port of the chamber connects the internal space of the chamber and the outer space between the chamber and the outer chamber to each other.
A second exhaust port is formed in the outer chamber.
The exhaust unit is a substrate processing device that discharges the gas in the outer chamber to the outside through the second exhaust port.
前記第2加熱部は、前記アウターチャンバーの内周面の温度を前記チャンバーの内周面の温度以上に昇温させる、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 6.
The second heating unit is a substrate processing device that raises the temperature of the inner peripheral surface of the outer chamber to a temperature equal to or higher than the temperature of the inner peripheral surface of the chamber.
前記第2加熱部は、前記アウターチャンバーの内周面の温度を100度以上に昇温させる、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 6 or 7.
The second heating unit is a substrate processing device that raises the temperature of the inner peripheral surface of the outer chamber to 100 degrees or more.
前記チャンバー内に設けられる第1圧力センサと、
前記チャンバーと前記アウターチャンバーとの間に設けられる第2圧力センサと、
前記第1圧力センサおよび前記第2圧力センサの測定値に基づいて、前記排気部による排気流量を制御する制御部と
を備える、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 6 to 8.
The first pressure sensor provided in the chamber and
A second pressure sensor provided between the chamber and the outer chamber,
A substrate processing device including a control unit that controls an exhaust flow rate by the exhaust unit based on the measured values of the first pressure sensor and the second pressure sensor.
前記導入口と前記基板との間に設けられ、前記導入口から導入される前記エッチングガスを整流する整流部を更に備える、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 9.
A substrate processing apparatus further provided with a rectifying unit provided between the introduction port and the substrate and rectifying the etching gas introduced from the introduction port.
前記第1排気口は複数設けられており、
当該複数の第1排気口は、前記基板の周方向において略等間隔に形成されている、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 10.
A plurality of the first exhaust ports are provided, and the first exhaust port is provided.
A substrate processing apparatus in which the plurality of first exhaust ports are formed at substantially equal intervals in the circumferential direction of the substrate.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019091865A JP7373302B2 (en) | 2019-05-15 | 2019-05-15 | Substrate processing equipment |
TW109111116A TWI754913B (en) | 2019-05-15 | 2020-04-01 | Substrate processing apparatus |
CN202010396665.4A CN111952217A (en) | 2019-05-15 | 2020-05-12 | Substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019091865A JP7373302B2 (en) | 2019-05-15 | 2019-05-15 | Substrate processing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020188135A true JP2020188135A (en) | 2020-11-19 |
JP7373302B2 JP7373302B2 (en) | 2023-11-02 |
Family
ID=73220959
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019091865A Active JP7373302B2 (en) | 2019-05-15 | 2019-05-15 | Substrate processing equipment |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7373302B2 (en) |
CN (1) | CN111952217A (en) |
TW (1) | TWI754913B (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115323358A (en) * | 2021-05-10 | 2022-11-11 | 皮考逊公司 | Substrate processing apparatus and method |
KR20220160143A (en) * | 2021-05-26 | 2022-12-06 | 세메스 주식회사 | Apparatus and method for exhausting in treating substrate apparatus |
WO2022255215A1 (en) * | 2021-06-04 | 2022-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus |
JP7482746B2 (en) | 2020-10-19 | 2024-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, AND MAINTENANCE METHOD |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022064042A (en) * | 2020-10-13 | 2022-04-25 | 株式会社Kelk | Substrate processing device |
JP2022119452A (en) * | 2021-02-04 | 2022-08-17 | 住友重機械工業株式会社 | Processing unit |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05144776A (en) * | 1991-11-19 | 1993-06-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | Dry process apparatus |
JPH08255783A (en) * | 1995-03-16 | 1996-10-01 | Hitachi Ltd | Plasma treating apparatus and plasma treating method |
JP2007194361A (en) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Tokyo Electron Ltd | Plasma treatment equipment and controlling method of the same |
JP2009532860A (en) * | 2006-03-31 | 2009-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | Sequential oxide removal using fluorine and hydrogen |
JP2010109335A (en) * | 2008-09-30 | 2010-05-13 | Tokyo Electron Ltd | Removing method and processing device for silicon oxide film |
JP2012204777A (en) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
WO2018064983A1 (en) * | 2016-10-08 | 2018-04-12 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Gas phase etching apparatus and gas phase etching equipment |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050218114A1 (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-06 | Tokyo Electron Limited | Method and system for performing a chemical oxide removal process |
US8876024B2 (en) * | 2008-01-10 | 2014-11-04 | Applied Materials, Inc. | Heated showerhead assembly |
KR101495288B1 (en) * | 2012-06-04 | 2015-02-24 | 피에스케이 주식회사 | An apparatus and a method for treating a substrate |
JP6258656B2 (en) * | 2013-10-17 | 2018-01-10 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
CN108198748B (en) * | 2014-02-27 | 2022-04-29 | 斯克林集团公司 | Substrate processing apparatus |
US9508561B2 (en) * | 2014-03-11 | 2016-11-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming interconnection structures in an integrated cluster system for semicondcutor applications |
JP5960758B2 (en) * | 2014-07-24 | 2016-08-02 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing system and substrate processing apparatus |
KR102478902B1 (en) * | 2016-03-17 | 2022-12-20 | 주성엔지니어링(주) | Substrate disposition apparatus |
JP2018046185A (en) * | 2016-09-15 | 2018-03-22 | 東京エレクトロン株式会社 | Method for etching silicon oxide and silicon nitride mutually and selectively |
US11031252B2 (en) * | 2016-11-30 | 2021-06-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Compant, Ltd. | Heat shield for chamber door and devices manufactured using same |
US10844484B2 (en) * | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
-
2019
- 2019-05-15 JP JP2019091865A patent/JP7373302B2/en active Active
-
2020
- 2020-04-01 TW TW109111116A patent/TWI754913B/en active
- 2020-05-12 CN CN202010396665.4A patent/CN111952217A/en active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05144776A (en) * | 1991-11-19 | 1993-06-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | Dry process apparatus |
JPH08255783A (en) * | 1995-03-16 | 1996-10-01 | Hitachi Ltd | Plasma treating apparatus and plasma treating method |
JP2007194361A (en) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Tokyo Electron Ltd | Plasma treatment equipment and controlling method of the same |
JP2009532860A (en) * | 2006-03-31 | 2009-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | Sequential oxide removal using fluorine and hydrogen |
JP2010109335A (en) * | 2008-09-30 | 2010-05-13 | Tokyo Electron Ltd | Removing method and processing device for silicon oxide film |
JP2012204777A (en) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
WO2018064983A1 (en) * | 2016-10-08 | 2018-04-12 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Gas phase etching apparatus and gas phase etching equipment |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7482746B2 (en) | 2020-10-19 | 2024-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, AND MAINTENANCE METHOD |
CN115323358A (en) * | 2021-05-10 | 2022-11-11 | 皮考逊公司 | Substrate processing apparatus and method |
JP2022174008A (en) * | 2021-05-10 | 2022-11-22 | ピコサン オーワイ | Substrate processing apparatus and method |
JP7269410B2 (en) | 2021-05-10 | 2023-05-08 | ピコサン オーワイ | Substrate processing apparatus and method |
TWI822027B (en) * | 2021-05-10 | 2023-11-11 | 芬蘭商皮寇桑公司 | Substrate processing apparatus and method |
KR20220160143A (en) * | 2021-05-26 | 2022-12-06 | 세메스 주식회사 | Apparatus and method for exhausting in treating substrate apparatus |
KR102583557B1 (en) * | 2021-05-26 | 2023-10-10 | 세메스 주식회사 | Apparatus and method for exhausting in treating substrate apparatus |
WO2022255215A1 (en) * | 2021-06-04 | 2022-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI754913B (en) | 2022-02-11 |
TW202044397A (en) | 2020-12-01 |
JP7373302B2 (en) | 2023-11-02 |
CN111952217A (en) | 2020-11-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7373302B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP5764246B1 (en) | Substrate processing apparatus, gas introduction shaft and gas supply plate | |
US10590534B2 (en) | Film deposition method and film deposition apparatus | |
US8057602B2 (en) | Apparatus and method for supporting, positioning and rotating a substrate in a processing chamber | |
TW201943075A (en) | Method to fabricate thermally stable low k-FinFET spacer | |
US11427912B2 (en) | High temperature rotation module for a processing chamber | |
JP2016036011A (en) | Low volume showerhead with porous baffle | |
JP6602922B2 (en) | Apparatus and method for backside passivation | |
JP2014518452A (en) | Process gas diffuser assembly for vapor deposition systems. | |
US10685832B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
US11658028B2 (en) | Film forming method and film forming apparatus | |
TW202117067A (en) | Dithering or dynamic offsets for improved uniformity | |
JP6321509B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate mounting unit manufacturing method | |
US10910243B2 (en) | Thermal management system | |
US11913115B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
TWI754180B (en) | Processing chamber and method of forming film | |
TWI754179B (en) | Spatial wafer processing with improved temperature uniformity | |
JPH07115063A (en) | Vacuum device | |
US20220130712A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
TW202121574A (en) | Pumping liner for improved flow uniformity | |
CN117581346A (en) | Selective oxidation of Rapid Thermal Processing (RTP) chambers with active vapor generation | |
Porter et al. | Fast-ramp rapid vertical processor for 300-mm Si wafer processing |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211223 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221031 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230516 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230712 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231003 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231023 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7373302 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |