JP2020188090A - コバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
(A−1)グルタミン酸、
(A−2)ヒスチジン、
(A−3)システイン、
(B)無機酸およびこの塩からなる群より選択される少なくとも1種
また、本発明に係る半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物の前記以外の一態様は、前記(A−1)成分と、前記(A−2)成分および前記(A−3)成分からなら群より選択される少なくとも1種と、がペプチド結合した構造部位を有する化合物を含有し、かつ前記(B)成分を含有するコバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物である。
本発明の一実施形態に係るコバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物は、下記(A−1)成分を含有し、下記(A−2)成分および下記(A−3)成分からなら群より選択される少なくとも1種を含有し、かつ下記(B)成分を含有する半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物である。
(A−1)グルタミン酸、
(A−2)ヒスチジン、
(A−3)システイン、
(B)無機酸およびこの塩からなる群より選択される少なくとも1種
また、本発明の一実施形態に係る前記以外のコバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物は、前記(A−1)成分と、前記(A−2)成分および前記(A−3)成分からなら群より選択される少なくとも1種と、がペプチド結合した構造部位を有する化合物を含有し、かつ前記(B)成分を含有するコバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物である。
本発明の一実施形態に係るコバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物は、(A−1)グルタミン酸(以下、「(A−1)成分」ともいう。)を含有する。(A−1)成分は、コバルトを含む基板に与えるダメージを抑制する機能を有する。
本発明の一実施形態に係るコバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物は、(A−2)ヒスチジンおよび(A−3)システイン(以下、それぞれ「(A−2)成分」および「(A−3)成分」ともいう。)からなる群より選択される少なくとも1種を含有する。(A−2)成分および(A−3)成分は、コバルトを含む基板に与えるダメージを抑制する機能を有する。
本発明の一実施形態に係るコバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物は、(A−4)グリシン(以下、「(A−4)成分」ともいう。)を含有しても良い。(A−4)成分は、コバルトを含む基板に与えるダメージを抑制する機能を有する場合がある。
本発明の一実施形態に係るコバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物は、前記(A−1)成分と、前記(A−2)成分および前記(A−3)成分からなら群より選択される少なくとも1種と、がペプチド結合した構造部位を有する化合物(以下、「ペプチド成分」ともいう。)を含有する。ペプチド成分は、前述の(A−1)成分〜(A−3)成分の機能を有するため、コバルトを含む基板に与えるダメージを抑制する機能を有する。
ペプチド成分の含有量の下限値は、コバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物の全質量に対して、好ましくは0.001質量%であり、より好ましくは0.005質量%であり、特に好ましくは0.01質量%である。一方、ペプチド成分の含有量の上限値は、好ましくは1.50質量%であり、より好ましくは1.00質量%であり、特に好ましくは0.50質量%である。コバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物中のペプチド成分の含有量が前記範囲にあると、洗浄や研磨等の処理に用いたときに、コバルトを含む基板に与えるダメージをより抑制できる場合がある。
本発明の一実施形態に係るコバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物は、(B)無機酸およびこの塩からなる群より選択される少なくとも1種を含有する。(B)成分は、コバルトを含む基板の表面状態を制御しやすくし、その結果としてコバルトを含む基板に与えるダメージを抑制する機能を有する。
前記(B)成分としては、特に制限されないが、例えば、リン酸、ホスホン酸、硫酸、塩酸、硝酸、およびこれらの塩等が挙げられる。これらの中でも、コバルトを含む基板に与えるダメージをより抑制することができるため、リン酸、ホスホン酸、硝酸、およびこれらの塩が好ましく、リン酸、ホスホン酸、およびこれらの塩がより好ましい。このような(B)成分は1種単独で用いてもよいし、2種以上組み合わせて用いてもよい。
本発明の一実施形態に係るコバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物は、(C)アニモニアおよびアンモニウム塩からなる群より選択される少なくとも1種(以下、「(C)成分」ともいう。)を含有してもよい。本実施形態に係るコバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物が(C)成分を含有することにより、コバルトを含む基板に与えるダメージを抑制する機能を有する場合がある。
前記(C)成分としては、特に制限されないが、例えば、アンモニア、硫酸アンモニウム、塩化アンモニウム、硝酸アンモニウム、リン酸一アンモニウム、リン酸二アンモニウム、および有機酸アンモニウム、詳細にはセバシン酸アンモニウム、アジピン酸アンモニウム、安息香酸アンモニウム、蟻酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、プロピオン酸アンモニウム、酪酸アンモニウム、乳酸アンモニウム、コハク酸アンモニウム、マロン酸アンモニウム、マレイン酸アンモニウム、フマル酸アンモニウム、キナルジン酸アンモニウム、およびキノリン酸アンモニウム等を挙げることができる。これらの中でも、コバルトを含む基板に与えるダメージをより抑制することができるため、アンモニアが好ましい。このような(C)成分は1種単独で用いてもよいし、2種以上組み合わせて用いてもよい。
本発明の一実施形態に係るコバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物は、前記(B)成分以外の(D)酸化剤(以下、「(D)成分」ともいう。)を含有してもよい。本実施形態に係るコバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物が(D)成分を含有することにより、半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物のハンドリング性を向上させるが機能を有する場合がある。
前記(D)成分としては、特に制限されないが、例えば、過酸化水素、過酢酸、過安息香酸、tert−ブチルハイドロパーオキサイド等の有機過酸化物、過マンガン酸カリウムなどの過マンガン酸化合物、重クロム酸カリウム等の重クロム酸化合物、ヨウ素酸カリウムなどのハロゲン酸化物、硝酸鉄等の硝酸化合物、過塩素酸などの過ハロゲン酸化物、過硫酸アンモニウムなどの過硫酸塩、およびヘテロポリ酸などが挙げられる。これらの酸化剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本実施形態に係るコバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物は、主要な液状媒体である水の他に、必要に応じて、砥粒、界面活性剤、およびpH調整剤等を含有してもよい。これらの成分は、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
<水>
本実施形態に係るコバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物は、主要な液状媒体として水を含有する。水としては、特に制限されるものではないが、純水が好ましい。水は、上述したコバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物の構成材料の残部として配合されていればよく、水の含有量については特に制限はない。
<砥粒>
本実施形態に係るコバルトを含む基板を処理するための化学機械研磨用組成物は、必要に応じてさらにコバルトを含む基板等を研磨するための砥粒を含有してもよい。砥粒としては、公知の材料を使用することができるが、無機酸化物粒子や有機粒子が好ましい。
無機酸化物粒子としては、例えば、シリカ、セリア、アルミナ、ジルコニア、チタニア等の無機酸化物粒子が挙げられる。また、コバルトを含む基板等のスクラッチの発生を抑制する観点から、コロイダルシリカがより好ましい。
本実施形態に係るコバルトを含む基板を処理するための化学機械研磨用組成物が砥粒を含有する場合、砥粒の含有量は特に限定されないが、コバルトを含む基板を処理するための化学機械研磨用組成物の全質量に対して、0.2〜10質量%が好ましく、0.3〜5質量%がより好ましい。
<界面活性剤>
本実施形態に係るコバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物は、必要に応じて界面活性剤を含有してもよい。界面活性剤としては、アニオン性界面活性剤及びノニオン性界面活性剤が挙げられる。
アニオン性界面活性剤としては、例えば、ドデシルベンゼンスルホン酸等のアルキルベンゼンスルホン酸;アルキルナフタレンスルホン酸;ラウリル硫酸等のアルキル硫酸エステル;ポリオキシエチレンラウリル硫酸等のポリオキシエチレンアルキルエーテルの硫酸エステル;ナフタレンスルホン酸縮合物;リグニンスルホン酸等を挙げることができる。これらのアニオン性界面活性剤は、塩の形態で使用してもよい。
ノニオン性界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル;ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアリールエーテル;ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル;ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルなどを挙げることができる。
これらの界面活性剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。前記界面活性剤を用いることにより、本実施形態に係るコバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物を用いてコバルトを含む基板を含む面を処理する際に、基板表面に残存している汚染物質を液中へ分散させて除去することができ、コバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物の所期の効果をより効果的に発揮できる場合がある。
<pH調整剤>
本実施形態に係るコバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物は、必要に応じてpH調整剤を含有してもよい。pH調整剤としては、例えばクエン酸、マレイン酸、リンゴ酸、酒石酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸等の前記(A−1)成分〜前記(A−4)成分、およびペプチド成分以外の有機酸;水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ルビジウム、水酸化セシウム等のアルカリ金属の水酸化物等が挙げられる。これらのpH調整剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本実施形態にコバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物のpH値は、特に制限されない。ただし、コバルトは酸性環境下で軟質な表面を形成しやすいことから、研磨速度を高めたCMPの達成には、低pH領域に調整することが望ましい場面が存在する。さらに、そのようなCMP後のコバルトを含む基板表面の残渣を除去する際も、低pH領域に調整して洗浄することが望ましい場面も存在する。この点、本実施形態にコバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物は6以下の低いpH値領域でも高い効果を発揮し、1以上5以下の低いpH領域でも、同様に高い効果を発揮する場合がある。
本発明の一実施形態に係る半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物を用いたコバルトを含む基板の処理方法は、水中に、前記(A−1)成分、ならびに前記(A−2)成分および前記(A−3)成分からなら群より選択される少なくとも1種、もしくは前記ペプチド成分と、前記(B)成分と、必要に応じて前記(C)成分と、を溶解又は分散させる第1の工程と、前記第1の工程後の溶液又は分散液中に、必要に応じて前記(D)成分を溶解又は分散させる第2の工程と、前記第2の工程後の溶液又は分散液を用いて、コバルトを含む基板表面を処理する第3の工程と、を備える。
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。なお、本実施例における「部」および「%」は、特に断らない限り質量基準である。
ポリエチレン製容器に、イオン交換水および(B)成分、(C)成分を投入し、(A−1)〜(A−4)成分の欄に記載されている成分を投入して15分間撹拌した。その後、(D)成分を投入し、各半導体洗浄用組成物を得た。
3.2.1.エッチングレート(ER)の算出
コバルト(Co)をスパッタ法で表面に成膜した12インチのシリコンウエハ(膜厚2000Åのコバルト膜が積層された12インチ熱酸化膜付きシリコン基板)を1cm×3cmにカットし金属ウエハ試験片とした。この試験片について、エヌピイエス社製 MODEL Σ―5を用いて予め膜厚を測定しておいた。次に、ポリエチレン容器に実施例1〜8および比較例1〜5の半導体洗浄用組成物を30mL入れ、25℃に保ち、各半導体表面処理用組成物にコバルトを成膜した金属ウエハ試験片を15分間浸漬処理した。その後、流水で10秒間洗浄し乾燥した。浸漬処理後の両方の金属ウエハ試験片を再度膜厚測定し、減少した膜厚量を浸漬時間の15分間で割ることでエッチングレート(ER,単位:Å/min.)を算出した。その結果を表1に併せて示す。
上表1の各成分の数値は質量%を表す。各実施例および各比較例において、各成分の合計量は100質量%となり、残部はイオン交換水である。また、上表1における下記の成分について補足する。
<(A−1)〜(A−4)成分>
(A−1)L-グルタミン酸:日理化学株式会社製
(A−2)L−ヒスチジン:日理化学株式会社製
(A−3)L−システイン:日理化学株式会社製
(A―4)グリシン:扶桑化学工業株式会社製
<ペプチド成分>
・グルタチオン:協和発酵バイオ株式会社製
<(B)成分>
・リン酸:ラサ工業株式会社製
・硝酸:関東化学株式会社製
<(C)成分>
・アンモニア:三菱ガス化学株式会社製
・水酸化カリウム:関東化学株式会社製
<(D)成分>
・過酸化水素:富士フイルム和光純薬株式会社製
表1から明らかなように、各実施例に係る半導体洗浄用組成物を用いた場合には、いずれも半導体表面の腐食状態が抑制されており、コバルトを含む基板に与えるダメージを抑制できた。
Claims (7)
- コバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物であって、下記(A−1)成分を含有し、下記(A−2)成分および下記(A−3)成分からなら群より選択される少なくとも1種を含有し、かつ下記(B)成分を含有する半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物。
(A−1)グルタミン酸、
(A−2)ヒスチジン、
(A−3)システイン、
(B)無機酸およびこの塩からなる群より選択される少なくとも1種 - 前記(A−1)成分、前記(A−2)成分、および前記(A−3)成分を含有する、請求項1に記載の半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物。
- 前記(A−1)成分と、前記(A−2)成分および前記(A−3)成分からなら群より選択される少なくとも1種と、がペプチド結合した構造部位を有する化合物を含有し、かつ前記(B)成分を含有するコバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物。
- さらに、(C)アンモニアおよびアンモニウム塩からなる群より選択される少なくとも1種を含有する、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物。
- 前記(B)成分が、リン酸、ホスホン酸、およびこれらの塩からなる群より選択される少なくとも1種を含有する(B)成分である、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物。
- pHが6以下である、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物。
- さらに、(D)酸化剤を含有する、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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