JP2020181229A - 電子部品、電子機器及び移動体 - Google Patents
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Abstract
【課題】集積回路の内部のクロック源が動作していない状態やクロック源が未実装の状態でも、外部装置からメモリーに対するアクセスが可能な電子部品を提供する。【解決手段】電子部品1は、集積回路100とメモリー140を備える。集積回路は、クロック信号SCLが入力される第1クロック端子T1、第1シリアルデータ信号SDAが入出力される第1データ端子T2、メモリーにクロック信号SCLMを出力する第2クロック端子T3、メモリーとの間で第2シリアルデータ信号SDAMが入出力される第2データ端子T4、及び、第1データ端子に入力される第1シリアルデータ信号を第2シリアルデータ信号として第2データ端子から出力する第1通信状態、又は、第2データ端子に入力される第2シリアルデータ信号を第1シリアルデータ信号として第1データ端子から出力する第2通信状態に制御する制御回路111を含む第1インターフェース回路110を有する。【選択図】図1
Description
本発明は、電子部品、電子機器及び移動体に関する。
特許文献1には、半導体メモリーと、ホストインターフェースを介してホスト機器から転送されたコマンドを処理し、半導体メモリーにおけるデータの書き込み、読み出し、及び消去の動作を制御する処理回路を有する集積回路と、を備えたメモリーカードが記載されている。
特許文献1に記載のメモリーカードのように、メモリーと集積回路とを備えた従来の電子部品では、電子部品の外部装置からメモリーに対するデータの書き込みや読み出しを行うためには、集積回路の内部のクロック源が動作している必要がある。そのため、従来の電子部品では、クロック源が動作していない状態やクロック源が未実装の状態では、外部装置からメモリーに対するアクセスができないという問題がある。
本発明に係る電子部品の一態様は、
集積回路と、
メモリーと、を備え、
前記集積回路は、
クロック信号が入力される第1クロック端子と、
第1シリアルデータ信号が入出力される第1データ端子と、
前記メモリーに前記クロック信号を出力する第2クロック端子と、
前記メモリーとの間で第2シリアルデータ信号が入出力される第2データ端子と、
前記クロック信号及び前記第1シリアルデータ信号に基づいて、前記第1データ端子に入力される前記第1シリアルデータ信号を前記第2シリアルデータ信号として前記第2データ端子から出力する第1通信状態、又は、前記第2データ端子に入力される前記第2シリアルデータ信号を前記第1シリアルデータ信号として前記第1データ端子から出力する第2通信状態に、前記集積回路の通信状態を制御する制御回路を含む第1インターフェース回路と、を有する。
集積回路と、
メモリーと、を備え、
前記集積回路は、
クロック信号が入力される第1クロック端子と、
第1シリアルデータ信号が入出力される第1データ端子と、
前記メモリーに前記クロック信号を出力する第2クロック端子と、
前記メモリーとの間で第2シリアルデータ信号が入出力される第2データ端子と、
前記クロック信号及び前記第1シリアルデータ信号に基づいて、前記第1データ端子に入力される前記第1シリアルデータ信号を前記第2シリアルデータ信号として前記第2データ端子から出力する第1通信状態、又は、前記第2データ端子に入力される前記第2シリアルデータ信号を前記第1シリアルデータ信号として前記第1データ端子から出力する第2通信状態に、前記集積回路の通信状態を制御する制御回路を含む第1インターフェース回路と、を有する。
前記電子部品の一態様において、
前記制御回路は、
前記クロック信号のパルス数に基づいて、前記第1通信状態と前記第2通信状態とを切り替えてもよい。
前記制御回路は、
前記クロック信号のパルス数に基づいて、前記第1通信状態と前記第2通信状態とを切り替えてもよい。
前記電子部品の一態様において、
前記第1クロック端子及び前記第1データ端子を介して前記第1インターフェース回路が行う通信の方式は、前記第2クロック端子及び前記第2データ端子を介して前記第1インターフェース回路と前記メモリーとの間で行われる通信の方式と同じであってもよい。
前記第1クロック端子及び前記第1データ端子を介して前記第1インターフェース回路が行う通信の方式は、前記第2クロック端子及び前記第2データ端子を介して前記第1インターフェース回路と前記メモリーとの間で行われる通信の方式と同じであってもよい。
前記電子部品の一態様において、
前記集積回路は、
記憶部と、
前記クロック信号及び前記第1シリアルデータ信号に基づいて、前記記憶部に対するデータの書き込み及び読み出しを制御する第2インターフェース回路と、を有してもよい。
前記集積回路は、
記憶部と、
前記クロック信号及び前記第1シリアルデータ信号に基づいて、前記記憶部に対するデータの書き込み及び読み出しを制御する第2インターフェース回路と、を有してもよい。
前記電子部品の一態様において、
前記第2インターフェース回路は、
前記クロック信号及び前記第1シリアルデータ信号に基づいて、前記集積回路の動作モードを、前記第1インターフェース回路を介した前記メモリーに対するアクセスを許可しない第1モードから、前記第1インターフェース回路を介した前記メモリーに対するアクセスを許可する第2モードに切り替え、
前記第1インターフェース回路は、
前記第2モードにおいて、前記制御回路が前記集積回路の通信状態を前記第1通信状態又は前記第2通信状態に制御することにより、前記メモリーに対するデータの書き込み及び読み出しを制御してもよい。
前記第2インターフェース回路は、
前記クロック信号及び前記第1シリアルデータ信号に基づいて、前記集積回路の動作モードを、前記第1インターフェース回路を介した前記メモリーに対するアクセスを許可しない第1モードから、前記第1インターフェース回路を介した前記メモリーに対するアクセスを許可する第2モードに切り替え、
前記第1インターフェース回路は、
前記第2モードにおいて、前記制御回路が前記集積回路の通信状態を前記第1通信状態又は前記第2通信状態に制御することにより、前記メモリーに対するデータの書き込み及び読み出しを制御してもよい。
前記電子部品の一態様において、
前記第1インターフェース回路は、
前記第1シリアルデータ信号に含まれるスレーブアドレスが前記メモリーに割り当てられた第1のアドレス値である場合に、前記制御回路が前記集積回路の通信状態を前記第1通信状態又は前記第2通信状態に制御することにより、前記メモリーに対するデータの書き込み及び読み出しを制御し、
前記第2インターフェース回路は、
前記スレーブアドレスが、前記集積回路に割り当てられた第2のアドレス値である場合に、前記記憶部に対するデータの書き込み及び読み出しを制御してもよい。
前記第1インターフェース回路は、
前記第1シリアルデータ信号に含まれるスレーブアドレスが前記メモリーに割り当てられた第1のアドレス値である場合に、前記制御回路が前記集積回路の通信状態を前記第1通信状態又は前記第2通信状態に制御することにより、前記メモリーに対するデータの書き込み及び読み出しを制御し、
前記第2インターフェース回路は、
前記スレーブアドレスが、前記集積回路に割り当てられた第2のアドレス値である場合に、前記記憶部に対するデータの書き込み及び読み出しを制御してもよい。
本発明に係る電子機器の一態様は、
前記電子部品の一態様と、
前記第1クロック端子に前記クロック信号を出力し、前記第1データ端子との間で前記第1シリアルデータ信号を入出力する処理回路と、を備えている。
前記電子部品の一態様と、
前記第1クロック端子に前記クロック信号を出力し、前記第1データ端子との間で前記第1シリアルデータ信号を入出力する処理回路と、を備えている。
本発明に係る移動体の一態様は、
前記電子部品の一態様と、
前記第1クロック端子に前記クロック信号を出力し、前記第1データ端子との間で前記第1シリアルデータ信号を入出力する処理回路と、を備えている。
前記電子部品の一態様と、
前記第1クロック端子に前記クロック信号を出力し、前記第1データ端子との間で前記第1シリアルデータ信号を入出力する処理回路と、を備えている。
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
1.電子部品
1−1.第1実施形態
図1は、第1実施形態の電子部品の構成例を示す図である。図1に示すように、第1実施形態の電子部品1は、集積回路100と、メモリー140とを備える。また、電子部品1は、抵抗素子151,152,161,162を備えてもよい。
1−1.第1実施形態
図1は、第1実施形態の電子部品の構成例を示す図である。図1に示すように、第1実施形態の電子部品1は、集積回路100と、メモリー140とを備える。また、電子部品1は、抵抗素子151,152,161,162を備えてもよい。
集積回路100は、第1クロック端子T1と、第1データ端子T2と、第2クロック端子T3と、第2データ端子T4とを有する。
第1クロック端子T1は、電子部品1の外部装置2からクロック信号SCLが入力される端子である。第1データ端子T2は、外部装置2との間で第1シリアルデータ信号SDAが入出力される端子である。第2クロック端子T3は、クロック信号SCLをクロック信号SCLMとしてメモリー140に出力する端子である。第2データ端子T4は、メモリー140との間で第2シリアルデータ信号SDAMが入出力される端子である。
また、集積回路100は、第1インターフェース回路110を有する。第1インターフェース回路110は、外部装置2からのメモリー140に対するデータの書き込み及び読み出しを制御する。
第1インターフェース回路110は、制御回路111を含む。制御回路111は、クロック信号SCL及び第1シリアルデータ信号SDAに基づいて、集積回路100の通信状態を第1通信状態又は第2通信状態に制御する。第1通信状態は、外部装置2から第1データ端子T2に入力される第1シリアルデータ信号SDAを、第2シリアルデータ信号SDAMとして第2データ端子T4からメモリー140に出力する状態である。第2通信状態は、メモリー140から第2データ端子T4に入力される第2シリアルデータ信号SDAMを、第1シリアルデータ信号SDAとして第1データ端子T2から外部装置2に出力する状態である。
本実施形態では、第1クロック端子T1及び第1データ端子T2を介して第1インターフェース回路110が行う通信の方式は、第2クロック端子T3及び第2データ端子T4を介して第1インターフェース回路110とメモリー140との間で行われる通信の方式と同じである。換言すると、外部装置2と第1インターフェース回路110との間におけるクロック信号SCL及び第1シリアルデータ信号SDAに基づく通信の方式は、第1インターフェース回路110とメモリー140との間におけるクロック信号SCLM及び第2シリアルデータ信号SDAMに基づく通信の方式と同じである。具体的には、本実施形態では、外部装置2と第1インターフェース回路110との間の通信方式と、第1インターフェース回路110とメモリー140との間の通信方式は、ともにI2C(Inter-Integrated Circuit)である。
また、第1インターフェース回路110は、バッファー112,113,114を含む。
バッファー112は、クロック信号SCLが入力され、イネーブル信号EN1の論理レベル及びクロック信号SCLの論理レベルに応じて、ローレベルの信号を出力するか、出力がハイインピーダンスとなるバッファーである。具体的には、バッファー112は、イネーブル信号EN1がローレベルのときは出力がハイインピーダンスとなり、イネーブル信号EN1がハイレベルのときは、クロック信号SCLがローレベルであればローレベルの信号を出力し、クロック信号SCLがハイレベルであれば出力がハイインピーダンスとなる。
バッファー113は、第1シリアルデータ信号SDAが入力され、イネーブル信号EN2の論理レベル及び第1シリアルデータ信号SDAの論理レベルに応じて、ローレベルの信号を出力するか、出力がハイインピーダンスとなるバッファーである。具体的には、バッファー113は、イネーブル信号EN2がローレベルのときは出力がハイインピーダンスとなり、イネーブル信号EN2がハイレベルのときは、第1シリアルデータ信号SDAがローレベルであればローレベルの信号を出力し、第1シリアルデータ信号SDAがハイレベルであれば出力がハイインピーダンスとなる。
バッファー114は、第2シリアルデータ信号SDAMが入力され、イネーブル信号EN3の論理レベル及び第2シリアルデータ信号SDAMの論理レベルに応じて、ローレベルの信号を出力するか、出力がハイインピーダンスとなるバッファーである。具体的には、バッファー114は、イネーブル信号EN3がローレベルのときは出力がハイインピーダンスとなり、イネーブル信号EN3がハイレベルのときは、第2シリアルデータ信号SDAMがローレベルであればローレベルの信号を出力し、第2シリアルデータ信号SDAMがハイレベルであれば出力がハイインピーダンスとなる。
また、集積回路100は、第2インターフェース回路120と、記憶部130とを有する。
記憶部130は、例えば、各回路の動作を制御するための各種のデータが記憶されるレジスターや、集積回路100あるいは電子部品1の制御用のレジスター等の各種のレジスターを有する。
第2インターフェース回路120は、クロック信号SCL及び第1シリアルデータ信号SDAに基づいて、外部装置2からの記憶部130に対するデータの書き込み及び読み出しを制御する。本実施形態では、外部装置2と第2インターフェース回路120との間の通信方式は、外部装置2と第1インターフェース回路110との間の通信方式及び第1インターフェース回路110とメモリー140との間の通信方式と同じく、I2Cである。
抵抗素子151は、電源と第1クロック端子T1との間に電気的に接続されている。また、抵抗素子152は、電源と第1データ端子T2との間に電気的に接続されている。抵抗素子151,152は、外部装置2と第1インターフェース回路110あるいは第2インターフェース回路120との間のI2Cによる通信を実現するためのプルアップ抵抗として機能する。したがって、外部装置2からクロック信号SCLが出力されないときは、抵抗素子151によりプルアップされて、クロック信号SCLがハイレベルとなる。また、バッファー114の出力がハイインピーダンスのときは、抵抗素子152によりプルアップされて、第1シリアルデータ信号SDAがハイレベルとなる。
抵抗素子161は、電源と第2クロック端子T3との間に電気的に接続されている。また、抵抗素子162は、電源と第2データ端子T4との間に電気的に接続されている。抵抗素子161,162は、第1インターフェース回路110あるいは第2インターフェース回路120とメモリー140との間のI2Cによる通信を実現するためのプルアップ抵抗として機能する。したがって、バッファー112の出力がハイインピーダンスのときは、抵抗素子161によりプルアップされて、クロック信号SCLMがハイレベルとなる。また、バッファー113の出力がハイインピーダンスのときは、抵抗素子162によりプルアップされて、第2シリアルデータ信号SDAMがハイレベルとなる。なお、抵抗素子151、152,161、162は集積回路100に内蔵されてもよい。
本実施形態では、集積回路100は、動作モードとして、第1インターフェース回路110を介したメモリー140に対するアクセスを許可しない第1モードと、第1インターフェース回路110を介したメモリー140に対するアクセスを許可する第2モードとを有する。
本実施形態では、電子部品1に電源が投入されると、集積回路100の動作モードが第1モードに初期化され、第2インターフェース回路120は、メモリー140へのアクセスを禁止する信号を、第1インターフェース回路110の制御回路111に出力する。これにより、制御回路111は、第1モードにおいて、イネーブル信号EN1,EN2,EN3をすべてローレベルにして、バッファー112,113,114の出力をすべてハイインピーダンスにする。
そして、第2インターフェース回路120は、メモリー140に記憶されている各種のデータを読み出すためのクロック信号SCLM及び第2シリアルデータ信号SDAMを生成し、メモリー140から読み出した各種のデータを記憶部130の各種のレジスターにロードする。これにより、集積回路100の各回路が所望の状態に設定される。
また、第2インターフェース回路120は、第1モードにおいて、第1クロック端子T1及び第1データ端子T2を介して、外部装置2と通信を行う。
本実施形態では、第2インターフェース回路120は、クロック信号SCL及び第1シリアルデータ信号SDAに基づいて、集積回路100の動作モードを第1モードから第2モードに切り替える。そして、第1インターフェース回路110は、第2モードにおいて、制御回路111が集積回路100の通信状態を第1通信状態又は第2通信状態に制御することにより、メモリー140に対するデータの書き込み及び読み出しを制御する。
本実施形態では、メモリー140には第1のアドレス値が割り当てられており、集積回路100には第1のアドレス値とは異なる第2のアドレス値が割り当てられている。第1モードにおいて、外部装置2から送信される第1シリアルデータ信号SDAに含まれるスレーブアドレスが第2のアドレス値と一致した場合に、集積回路100に対するデータの書き込み及び読み出しが許可される。そして、第1モードにおいて、第2インターフェース回路120は、外部装置2からメモリー140に対するアクセスを要求するメモリーアクセス要求コマンドを受信すると、メモリー140へのアクセスを許可する信号を、第1インターフェース回路110の制御回路111に出力する。これにより、集積回路100の動作モードが第1モードから第2モードに切り替わり、第2モードにおいて、外部装置2から送信される第1シリアルデータ信号SDAに含まれるスレーブアドレスが第1のアドレス値と一致した場合に、メモリー140に対するデータの書き込み及び読み出しが許可される。第2モードにおいて、制御回路111は、クロック信号SCL及び第1シリアルデータ信号SDAに基づいて、集積回路100の通信状態を第1通信状態又は第2通信状態に制御する。
本実施形態では、第1モードから第2モードに切り替わると、制御回路111は、まず集積回路100の通信状態を第1通信状態に制御する。具体的には、制御回路111は、イネーブル信号EN1,EN2をともにハイレベルに設定し、イネーブル信号EN3をローレベルに設定する。これにより、バッファー112は、クロック信号SCLの論理レベルに応じてローレベルの信号を出力するか、出力がハイインピーダンスになり、クロック信号SCLMがクロック信号SCLと同じ論理レベルとなる。また、バッファー113は、第1シリアルデータ信号SDAの論理レベルに応じてローレベルの信号を出力するか、出力がハイインピーダンスになり、第2シリアルデータ信号SDAMが第1シリアルデータ信号SDAと同じ論理レベルとなる。また、バッファー114は、出力がハイインピーダンスになる。このようにして、制御回路111は、集積回路100の通信状態を第1通信状態に制御する。
本実施形態では、制御回路111は、所定の通信方式に従い、クロック信号SCLのパルス数が所定数に到達した場合に、集積回路100の通信状態を第1通信状態から第2通信状態に切り替える。具体的には、制御回路111は、クロック信号SCLのパルス数が所定数に到達した場合に、イネーブル信号EN1をハイレベルに維持し、イネーブル信号EN2をハイレベルからローレベルに変更し、イネーブル信号EN3をローレベルからハイレベルに変更する。これにより、バッファー112は、クロック信号SCLの論理レベルに応じてローレベルの信号を出力するか、出力がハイインピーダンスになり、クロック信号SCLMがクロック信号SCLと同じ論理レベルとなる。また、バッファー113は、出力がハイインピーダンスになる。また、バッファー114は、第2シリアルデータ信号SDAMの論理レベルに応じてローレベルの信号を出力するか、出力がハイインピーダンスになり、第1シリアルデータ信号SDAが第2シリアルデータ信号SDAMと同じ論理レベルとなる。このようにして、制御回路111は、集積回路100の通信状態を第2通信状態に制御する。
その後も、制御回路111は、通信が終了するまで、所定の通信方式に従い、クロック信号SCLのパルス数に基づいて、集積回路100の通信状態を第1通信状態又は第2通信状態に制御する。このように、制御回路111は、クロック信号SCLのパルス数に基づいて、第1通信状態と第2通信状態とを切り替える。
なお、第2モードにおいて、第2インターフェース回路120は、外部装置2から記憶部130に対するアクセスを要求する記憶部アクセス要求コマンドを受信すると、メモリー140へのアクセスを禁止する信号を、第1インターフェース回路110の制御回路111に出力する。これにより、集積回路100の動作モードが第2モードから第1モードに切り替わる。
メモリー140は、集積回路100が有する不図示の各回路の動作を制御するための各種のデータが記憶される。メモリー140は、例えば、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)等の複数回の書き換えが可能な不揮発性メモリーである。
外部装置2は、例えば、電子部品1あるいは集積回路100を検査する検査装置であってもよい。検査装置である外部装置2は、第1インターフェース回路110を介して、各種のデータをメモリー140に書き込む。さらに、外部装置2は、集積回路100にリロードコマンドを送信し、第2インターフェース回路120はリロードコマンドを受信し、メモリー140に書き込まれた各種のデータを記憶部130が有する各レジスターにロードする。この状態で、外部装置2は、電子部品1あるいは集積回路100の動作を検査し、検査結果が良好でなければ、外部装置2は微調整された各種のデータのメモリー140への書き込み及び再検査を行う。そして、外部装置2は、検査結果が良好となるまで、微調整された各種のデータのメモリー140への書き込み及び再検査を繰り返す。
また、外部装置2は、例えば、電子部品1あるいは集積回路100の動作を制御するホスト装置であってもよい。ホスト装置である外部装置2は、第2インターフェース回路120を介して、各種のデータを記憶部130に書き込み、集積回路100は記憶部130に書き込まれた各種のデータに応じた動作を行う。また、外部装置2は、電子部品1の動作が異常である場合等に、第1インターフェース回路110を介して、各種のデータをメモリー140から読み出して不具合の原因を解析してもよい。
図2は、外部装置2がI2Cによる通信を行ってメモリー140にデータを書き込むときの各種信号の波形の一例を示すタイミングチャート図である。
図2において、時刻t1よりも前に、集積回路100の動作モードが第1モードから第2モードに切り替わっている。第2モードにおいて、制御回路111は、まず、イネーブル信号EN1,EN2をともにハイレベルに設定し、イネーブル信号EN3をローレベルに設定することにより、集積回路100の通信状態を第1通信状態に制御する。
時刻t1において、外部装置2が、ハイレベルのクロック信号SCLを出力し、かつ、ハイレベルからローレベルに変化する第1シリアルデータ信号SDAを出力し、制御回路111は、スタートコンディションを検出する。また、イネーブル信号EN1,EN2がともにハイレベルであるので、クロック信号SCLMはクロック信号SCLと同じ論理レベルとなり、第2シリアルデータ信号SDAMは第1シリアルデータ信号SDAと同じ論理レベルとなり、メモリー140は、スタートコンディションを検出する。これにより、外部装置2とメモリー140との間の通信が開始する。
時刻t2から時刻t3までの期間において、外部装置2が、7個のパルスを含むクロック信号SCL及び7ビットのスレーブアドレスを含む第1シリアルデータ信号SDAを出力する。イネーブル信号EN1,EN2がともにハイレベルであるので、クロック信号SCLMはクロック信号SCLと同じ論理レベルとなり、第2シリアルデータ信号SDAMは第1シリアルデータ信号SDAと同じ論理レベルとなり、メモリー140は、クロック信号SCLMに含まれる7個のパルスの立ち上がりに同期して、第2シリアルデータ信号SDAMに含まれる7ビットのスレーブアドレスを受信する。
時刻t3から時刻t4までの期間において、外部装置2が、1つのパルスを含むクロック信号SCL及びメモリー140へのデータの書き込みを要求するローレベルのライトビットを含む第1シリアルデータ信号SDAを出力する。イネーブル信号EN1,EN2がともにハイレベルであるので、クロック信号SCLMはクロック信号SCLと同じ論理レベルとなり、第2シリアルデータ信号SDAMは第1シリアルデータ信号SDAと同じ論理レベルとなり、メモリー140は、クロック信号SCLMに含まれるパルスの立ち上がりに同期して、第2シリアルデータ信号SDAMに含まれるライトビットを受信する。
制御回路111は、クロック信号SCLに含まれる時刻t4の直前のパルスの立ち下がりに同期して、時刻t4において、イネーブル信号EN2をハイレベルからローレベルに変更し、イネーブル信号EN3をローレベルからハイレベルに変更することにより、第1通信状態から第2通信状態に切り替える。すなわち、図2の例では、制御回路111は、時刻t1においてスタートコンディションを検出してから、クロック信号SCLのパルス数が8に到達した場合に、第1通信状態から第2通信状態に切り替える。
また、図2の例では、時刻t2から時刻t3までの期間においてメモリー140が受信した7ビットのスレーブアドレスはメモリー140に割り当てられた第1のアドレス値と一致しており、メモリー140は、クロック信号SCLMに含まれる時刻t4の直前のパルスの立ち下がりに同期して、ローレベルのアクノリッジビットを含む第2シリアルデータ信号SDAMを出力する。
時刻t4から時刻t5までの期間において、外部装置2が、1つのパルスを含むクロック信号SCLを出力する。イネーブル信号EN3がハイレベルであるので、第1シリアルデータ信号SDAは第2シリアルデータ信号SDAMと同じ論理レベルとなり、外部装置2は、クロック信号SCLに含まれるパルスの立ち上がりに同期して、第1シリアルデータ信号SDAに含まれるアクノリッジビットを受信する。また、イネーブル信号EN1がハイレベルであるので、クロック信号SCLMはクロック信号SCLと同じ論理レベルとなり、メモリー140は、クロック信号SCLMに含まれるパルスの立ち下がりに同期してアクノリッジビットの出力を停止する。
制御回路111は、クロック信号SCLに含まれる時刻t5の直前のパルスの立ち下がりに同期して、時刻t5において、イネーブル信号EN2をローレベルからハイレベルに変更し、イネーブル信号EN3をハイレベルからローレベルに変更することにより、第2通信状態から第1通信状態に切り替える。すなわち、図2の例では、制御回路111は、時刻t1においてスタートコンディションを検出してから、クロック信号SCLのパルス数が9に到達した場合に、第2通信状態から第1通信状態に切り替える。
時刻t5から時刻t6までの期間において、外部装置2が、8個のパルスを含むクロック信号SCL及び8ビットのワードアドレスを含む第1シリアルデータ信号SDAを出力する。イネーブル信号EN1,EN2がともにハイレベルであるので、クロック信号SCLMはクロック信号SCLと同じ論理レベルとなり、第2シリアルデータ信号SDAMは第1シリアルデータ信号SDAと同じ論理レベルとなり、メモリー140は、クロック信号SCLMに含まれる8個のパルスの立ち上がりに同期して、第2シリアルデータ信号SDAMに含まれる8ビットのワードアドレスを受信する。
制御回路111は、クロック信号SCLに含まれる時刻t6の直前のパルスの立ち下がりに同期して、時刻t6において、イネーブル信号EN2をハイレベルからローレベルに変更し、イネーブル信号EN3をローレベルからハイレベルに変更することにより、第1通信状態から第2通信状態に切り替える。すなわち、図2の例では、制御回路111は、時刻t1においてスタートコンディションを検出してから、クロック信号SCLのパルス数が17に到達した場合に、第1通信状態から第2通信状態に切り替える。また、メモリー140は、クロック信号SCLMに含まれる時刻t6の直前のパルスの立ち下がりに同期して、ローレベルのアクノリッジビットを含む第2シリアルデータ信号SDAMを出力する。
時刻t6から時刻t7までの期間において、外部装置2が、1つのパルスを含むクロック信号SCLを出力する。イネーブル信号EN3がハイレベルであるので、第1シリアルデータ信号SDAは第2シリアルデータ信号SDAMと同じ論理レベルとなり、外部装置2は、クロック信号SCLに含まれるパルスの立ち上がりに同期して、第1シリアルデータ信号SDAに含まれるアクノリッジビットを受信する。また、イネーブル信号EN1がハイレベルであるので、クロック信号SCLMはクロック信号SCLと同じ論理レベルとなり、メモリー140は、クロック信号SCLMに含まれるパルスの立ち下がりに同期してアクノリッジビットの出力を停止する。
制御回路111は、クロック信号SCLに含まれる時刻t7の直前のパルスの立ち下がりに同期して、時刻t7において、イネーブル信号EN2をローレベルからハイレベルに変更し、イネーブル信号EN3をハイレベルからローレベルに変更することにより、第2通信状態から第1通信状態に切り替える。すなわち、図2の例では、制御回路111は、時刻t1においてスタートコンディションを検出してから、クロック信号SCLのパルス数が18に到達した場合に、第2通信状態から第1通信状態に切り替える。
時刻t7から時刻t8までの期間において、外部装置2が、8個のパルスを含むクロック信号SCL及び8ビットのデータを含む第1シリアルデータ信号SDAを出力する。イネーブル信号EN1,EN2がともにハイレベルであるので、クロック信号SCLMはクロック信号SCLと同じ論理レベルとなり、第2シリアルデータ信号SDAMは第1シリアルデータ信号SDAと同じ論理レベルとなり、メモリー140は、クロック信号SCLMに含まれる8個のパルスの立ち上がりに同期して、第2シリアルデータ信号SDAMに含まれる8ビットのデータを受信する。そして、メモリー140において、時刻t5から時刻t6までの期間において受信した8ビットのワードアドレスに、時刻t7から時刻t8までの期間において受信した8ビットのデータが書き込まれる。
制御回路111は、クロック信号SCLに含まれる時刻t8の直前のパルスの立ち下がりに同期して、時刻t8において、イネーブル信号EN2をハイレベルからローレベルに変更し、イネーブル信号EN3をローレベルからハイレベルに変更することにより、第1通信状態から第2通信状態に切り替える。すなわち、図2の例では、制御回路111は、時刻t1においてスタートコンディションを検出してから、クロック信号SCLのパルス数が26に到達した場合に、第1通信状態から第2通信状態に切り替える。また、メモリー140は、クロック信号SCLMに含まれる時刻t8の直前のパルスの立ち下がりに同期して、ローレベルのアクノリッジビットを含む第2シリアルデータ信号SDAMを出力する。
時刻t8から時刻t9までの期間において、外部装置2が、1つのパルスを含むクロック信号SCLを出力する。イネーブル信号EN3がハイレベルであるので、第1シリアルデータ信号SDAは第2シリアルデータ信号SDAMと同じ論理レベルとなり、外部装置2は、クロック信号SCLに含まれるパルスの立ち上がりに同期して、第1シリアルデータ信号SDAに含まれるアクノリッジビットを受信する。
時刻t10において、外部装置2が、ハイレベルのクロック信号SCLを出力し、かつ、ローレベルからハイレベルに変化する第1シリアルデータ信号SDAを出力し、制御回路111は、ストップコンディションを検出する。また、イネーブル信号EN1,EN2がともにハイレベルであるので、クロック信号SCLMはクロック信号SCLと同じ論理レベルとなり、第2シリアルデータ信号SDAMは第1シリアルデータ信号SDAと同じ論理レベルとなり、メモリー140は、ストップコンディションを検出する。これにより、外部装置2とメモリー140との間の通信が終了する。
図3は、外部装置2がI2Cによる通信を行ってメモリー140からデータを読み出すときの各種信号の波形の一例を示すタイミングチャート図である。
図3において、時刻t1からt7までの各信号の波形は図2と同じであるため、その説明を省略する。
図3の例では、時刻t8において、外部装置2が、ハイレベルのクロック信号SCLを出力し、かつ、ハイレベルからローレベルに変化する第1シリアルデータ信号SDAを出力する。イネーブル信号EN1,EN2がともにハイレベルであるので、クロック信号SCLMはクロック信号SCLと同じ論理レベルとなり、第2シリアルデータ信号SDAMは第1シリアルデータ信号SDAと同じ論理レベルとなり、メモリー140は、スタートコンディションを検出する。
時刻t9から時刻t10までの期間において、外部装置2が、7個のパルスを含むクロック信号SCL及び7ビットのスレーブアドレスを含む第1シリアルデータ信号SDAを出力する。イネーブル信号EN1,EN2がともにハイレベルであるので、クロック信号SCLMはクロック信号SCLと同じ論理レベルとなり、第2シリアルデータ信号SDAMは第1シリアルデータ信号SDAと同じ論理レベルとなり、メモリー140は、クロック信号SCLMに含まれる7個のパルスの立ち上がりに同期して、第2シリアルデータ信号SDAMに含まれる7ビットのスレーブアドレスを受信する。
時刻t10から時刻t11までの期間において、外部装置2が、1つのパルスを含むクロック信号SCL及びメモリー140からのデータの読み出しを要求するハイレベルのリードビットを含む第1シリアルデータ信号SDAを出力する。イネーブル信号EN1,EN2がともにハイレベルであるので、クロック信号SCLMはクロック信号SCLと同じ論理レベルとなり、第2シリアルデータ信号SDAMは第1シリアルデータ信号SDAと同じ論理レベルとなり、メモリー140は、クロック信号SCLMに含まれるパルスの立ち上がりに同期して、第2シリアルデータ信号SDAMに含まれるリードビットを受信する。
制御回路111は、クロック信号SCLに含まれる時刻t11の直前のパルスの立ち下がりに同期して、時刻t11において、イネーブル信号EN2をハイレベルからローレベルに変更し、イネーブル信号EN3をローレベルからハイレベルに変更することにより、第1通信状態から第2通信状態に切り替える。すなわち、図3の例では、制御回路111は、時刻t8においてスタートコンディションを検出してから、クロック信号SCLのパルス数が8に到達した場合に、第1通信状態から第2通信状態に切り替える。
また、図3の例では、時刻t9から時刻t10までの期間においてメモリー140が受信した7ビットのスレーブアドレスはメモリー140に割り当てられた第1のアドレス値と一致しており、メモリー140は、クロック信号SCLMに含まれる時刻t11の直前のパルスの立ち下がりに同期して、ローレベルのアクノリッジビットを含む第2シリアルデータ信号SDAMを出力する。
時刻t11から時刻t12までの期間において、外部装置2が、1つのパルスを含むクロック信号SCLを出力する。イネーブル信号EN3がハイレベルであるので、第1シリアルデータ信号SDAは第2シリアルデータ信号SDAMと同じ論理レベルとなり、外部装置2は、クロック信号SCLに含まれるパルスの立ち上がりに同期して、第1シリアルデータ信号SDAに含まれるアクノリッジビットを受信する。また、イネーブル信号EN1がハイレベルであるので、クロック信号SCLMはクロック信号SCLと同じ論理レベルとなる。
時刻t12から時刻t13までの期間において、外部装置2が、8個のパルスを含むクロック信号SCLを出力する。イネーブル信号EN1がハイレベルであるので、クロック信号SCLMはクロック信号SCLと同じ論理レベルとなる。メモリー140は、クロック信号SCLMに含まれる時刻t12の直前のパルスの立ち下がり及び時刻t12から時刻t13までの期間における最初の7個のパルスの立ち下がりに同期して、時刻t5から時刻t6までの期間において受信した8ビットのワードアドレスに記憶されている8ビットのデータを含む第2シリアルデータ信号SDAMを出力する。イネーブル信号EN3がハイレベルであるので、第1シリアルデータ信号SDAは第2シリアルデータ信号SDAMと同じ論理レベルとなり、外部装置2は、クロック信号SCLに含まれる8個のパルスの立ち上がりに同期して、第1シリアルデータ信号SDAに含まれる8ビットのデータを受信する。また、メモリー140は、クロック信号SCLMに含まれる時刻t12から時刻t13までの期間における最後のパルスの立ち下がりに同期して、ハイレベルのノンアクノリッジビットを含む第2シリアルデータ信号SDAMを出力する。
時刻t13から時刻t14までの期間において、外部装置2が、1つのパルスを含むクロック信号SCLを出力する。イネーブル信号EN3がハイレベルであるので、第1シリアルデータ信号SDAは第2シリアルデータ信号SDAMと同じ論理レベルとなり、外部装置2は、クロック信号SCLに含まれるパルスの立ち上がりに同期して、第1シリアルデータ信号SDAに含まれるノンアクノリッジビットを受信する。また、イネーブル信号EN1がハイレベルであるので、クロック信号SCLMはクロック信号SCLと同じ論理レベルとなり、メモリー140は、クロック信号SCLMに含まれるパルスの立ち下がりに同期してノンアクノリッジビットの出力を停止し、ローレベルの第2シリアルデータ信号SDAMを出力する。
制御回路111は、クロック信号SCLに含まれる時刻t14の直前のパルスの立ち下がりに同期して、時刻t14において、イネーブル信号EN2をローレベルからハイレベルに変更し、イネーブル信号EN3をハイレベルからローレベルに変更することにより、第2通信状態から第1通信状態に切り替える。すなわち、図3の例では、制御回路111は、時刻t8においてスタートコンディションを検出してから、クロック信号SCLのパルス数が18に到達した場合に、第2通信状態から第1通信状態に切り替える。
時刻t15において、外部装置2が、ハイレベルのクロック信号SCLを出力し、かつ、ローレベルからハイレベルに変化する第1シリアルデータ信号SDAを出力し、制御回路111は、ストップコンディションを検出する。また、イネーブル信号EN1,EN2がともにハイレベルであるので、クロック信号SCLMはクロック信号SCLと同じ論理レベルとなり、第2シリアルデータ信号SDAMは第1シリアルデータ信号SDAと同じ論理レベルとなり、メモリー140は、ストップコンディションを検出する。これにより、外部装置2とメモリー140との間の通信が終了する。
図4は、電子部品1の処理の手順の一例を示すフローチャート図である。
図4の例では、まず、電子部品1は、第1シリアルデータ信号SDAに含まれるスレーブアドレスが第1のアドレス値と一致しているか否かを判断する(ステップS1)。
電子部品1は、スレーブアドレスが第1のアドレス値と一致している場合において(ステップS1のY)、集積回路100の動作モードが第2モードであれば(ステップS2のY)、データの書き込み要求を受けた場合(ステップS3のY)、メモリー140へのデータの書き込みを行う(ステップS4)。そして、電子部品1は、ステップS1以降の処理を再び行う。
また、電子部品1は、外部装置2からデータの書き込み要求を受けず(ステップS3のN)、データの読み出し要求を受けた場合(ステップS5のY)、メモリー140からのデータの読み出しを行う(ステップS6)。そして、電子部品1は、ステップS1以降の処理を再び行う。
電子部品1は、スレーブアドレスが第1のアドレス値と一致している場合において(ステップS1のY)、集積回路100の動作モードが第1モードであれば(ステップS2のN)、ステップS3〜S6の処理を行わない。
また、電子部品1は、スレーブアドレスが第1のアドレス値と一致していない場合(ステップS1のN)、スレーブアドレスが第2のアドレス値と一致しているか否かを判断する(ステップS7)。
電子部品1は、スレーブアドレスが第2のアドレス値と一致している場合において(ステップS7のY)、集積回路100の動作モードが第2モードであれば(ステップS8のN)、外部装置2から記憶部アクセス要求コマンドを受信した場合(ステップS9のY)、集積回路100の動作モードを第2モードから第1モードに切り替える(ステップS10)。そして、電子部品1は、ステップS1以降の処理を再び行う。
電子部品1は、外部装置2から記憶部アクセス要求コマンドを受信しなかった場合(ステップS9のN)、ステップS10の処理を行わない。
また、電子部品1は、スレーブアドレスが第2のアドレス値と一致している場合において(ステップS7のY)、集積回路100の動作モードが第1モードであれば(ステップS8のY)、外部装置2からメモリーアクセス要求コマンドを受信した場合(ステップS11のY)、集積回路100の動作モードを第1モードから第2モードに切り替える(ステップS12)。そして、電子部品1は、ステップS1以降の処理を再び行う。
電子部品1は、外部装置2からメモリーアクセス要求コマンドを受信せず(ステップS11のN)、データの書き込み要求を受けた場合(ステップS13のY)、記憶部130へのデータの書き込みを行う(ステップS14)。そして、電子部品1は、ステップS1以降の処理を再び行う。
また、電子部品1は、外部装置2からデータの書き込み要求を受けず(ステップS13のN)、データの読み出し要求を受けた場合(ステップS15のY)、記憶部130からのデータの読み出しを行う(ステップS16)。そして、電子部品1は、ステップS1以降の処理を再び行う。
また、電子部品1は、データの書き込み要求を受けず(ステップS13のN)、データの読み出し要求を受けなかった場合(ステップS15のN)、ステップS1以降の処理を再び行う。
また、電子部品1は、スレーブアドレスが第1のアドレス値と一致せず(ステップS1のN)、スレーブアドレスが第2のアドレス値と一致していない場合(ステップS7のN)、ステップS1以降の処理を再び行う。
以上に説明したように、第1実施形態の電子部品1は、集積回路100と、メモリー140と、を備え、集積回路100は、クロック信号SCLが入力される第1クロック端子T1と、第1シリアルデータ信号SDAが入出力される第1データ端子T2と、クロック信号SCLをクロック信号SCLMとしてメモリー140に出力する第2クロック端子T3と、メモリー140との間で第2シリアルデータ信号SDAMが入出力される第2データ端子T4と、を有する。さらに、集積回路100は、クロック信号SCL及び第1シリアルデータ信号SDAに基づいて、第1データ端子T2に入力される第1シリアルデータ信号SDAを第2シリアルデータ信号SDAMとして第2データ端子T4から出力する第1通信状態、又は、第2データ端子T4に入力される第2シリアルデータ信号SDAMを第1シリアルデータ信号SDAとして第1データ端子T2から出力する第2通信状態に、集積回路100の通信状態を制御する制御回路111を含む第1インターフェース回路110を有する。そのため、第1インターフェース回路110は、第1通信状態において、外部装置2から供給されるクロック信号SCL及び第1シリアルデータ信号SDAをそれぞれクロック信号SCLM及び第2シリアルデータ信号SDAMとしてメモリー140に出力し、第2通信状態において、外部装置2から供給されるクロック信号SCLをクロック信号SCLMとしてメモリー140に出力するとともに、外部装置2から供給される第1シリアルデータ信号SDAを第2シリアルデータ信号SDAMとしてメモリー140に出力することにより、外部装置2がメモリー140に対して直接アクセスすることができる。したがって、第1実施形態の電子部品1によれば、第1インターフェース回路110は内部クロック信号を必要としないので、集積回路100の内部のクロック源が動作していない状態やクロック源が未実装の状態でも、外部装置2からメモリー140に対するアクセスが可能である。
また、第1実施形態の電子部品1では、制御回路111は、クロック信号SCLのパルス数が所定数に到達した場合に、第1通信状態から第2通信状態に切り替える。したがって、第1実施形態の電子部品1によれば、外部装置2は、第1インターフェース回路110を介して、メモリー140からのアクノリッジビットやメモリー140から読み出されたデータを受信することができる。
また、第1実施形態の電子部品1では、外部装置2と第1インターフェース回路110との間におけるクロック信号SCL及び第1シリアルデータ信号SDAに基づく通信の方式は、第1インターフェース回路110とメモリー140との間におけるクロック信号SCLM及び第2シリアルデータ信号SDAMに基づく通信の方式と同じである。したがって、第1実施形態の電子部品1によれば、第1インターフェース回路110において、第1シリアルデータ信号SDAと第2シリアルデータ信号SDAMとの間でのデータフォーマットの変換が不要である。
また、第1実施形態の電子部品1では、集積回路100は、記憶部130と、クロック信号SCL及び第1シリアルデータ信号SDAに基づいて、記憶部130に対するデータの書き込み及び読み出しを制御する第2インターフェース回路120と、を有する。したがって、第1実施形態の電子部品1によれば、外部装置2は、第2インターフェース回路120を介して、記憶部130に対するデータの書き込みや読み出しを行うことができる。
また、第1実施形態の電子部品1では、第2インターフェース回路120は、クロック信号SCL及び第1シリアルデータ信号SDAに基づいて、集積回路100の動作モードを、第1インターフェース回路110を介したメモリー140に対するアクセスを許可しない第1モードから、第1インターフェース回路110を介したメモリー140に対するアクセスを許可する第2モードに切り替え、第1インターフェース回路110は、第2モードにおいて、制御回路111が集積回路100の通信状態を第1通信状態又は前記第2通信状態に制御することにより、メモリー140に対するデータの書き込み及び読み出しを制御する。したがって、第1実施形態の電子部品1によれば、外部装置2は、第2モードにおいて、第1インターフェース回路110を介して、メモリー140に対するデータの書き込みや読み出しを行うことができるとともに、第1モードにおいて、第2インターフェース回路120を介して、記憶部130に対するデータの書き込みや読み出しを行うことができる。
1−2.第2実施形態
以下、第2実施形態の電子部品1について、第1実施形態と同様の構成については同じ符号を付し、第1実施形態と同様の説明は省略又は簡略し、主として第1実施形態と異なる内容について説明する。
以下、第2実施形態の電子部品1について、第1実施形態と同様の構成については同じ符号を付し、第1実施形態と同様の説明は省略又は簡略し、主として第1実施形態と異なる内容について説明する。
図5は、第2実施形態の電子部品の構成例を示す図である。図5に示すように、第2実施形態の電子部品1は、第1実施形態の電子部品1と同様、電子部品1は、集積回路100と、メモリー140とを備え、抵抗素子151,152,161,162を備えてもよい。メモリー140及び抵抗素子151,152,161,162の各機能は、第1実施形態と同様であるため、その説明を省略する。
また、第1実施形態の電子部品1と同様、集積回路100は、第1クロック端子T1と、第1データ端子T2と、第2クロック端子T3と、第2データ端子T4と、第1インターフェース回路110と、第2インターフェース回路120と、記憶部130と、を有する。記憶部130の機能は、第1実施形態と同様であるため、その説明を省略する。
また、第1実施形態の電子部品1と同様、第1インターフェース回路110は、制御回路111と、バッファー112,113,114とを含む。さらに、第2実施形態の電子部品1では、第1インターフェース回路110は、セレクター115を含む。バッファー112,113の各機能は、第1実施形態と同様であるため、その説明を省略する。
セレクター115は、第2シリアルデータ信号SDAM及び第3シリアルデータ信号SDARが入力され、選択信号SELの論理レベルに応じて、第2シリアルデータ信号SDAM又は第3シリアルデータ信号SDARを選択して出力する。具体的には、セレクター115は、選択信号SELがローレベルのときは第2シリアルデータ信号SDAMを選択して出力し、選択信号SELがハイレベルのときは第3シリアルデータ信号SDARを選択して出力する。
第2実施形態でも、第1実施形態と同様、制御回路111は、クロック信号SCL及び第1シリアルデータ信号SDAに基づいて、集積回路100の通信状態を前述の第1通信状態又は第2通信状態に制御する。
また、第1クロック端子T1及び第1データ端子T2を介して第1インターフェース回路110が行う通信の方式は、第2クロック端子T3及び第2データ端子T4を介して第1インターフェース回路110とメモリー140との間で行われる通信の方式と同じである。換言すると、外部装置2と第1インターフェース回路110との間におけるクロック信号SCL及び第1シリアルデータ信号SDAに基づく通信の方式は、第1インターフェース回路110とメモリー140との間におけるクロック信号SCLM及び第2シリアルデータ信号SDAMに基づく通信の方式と同じである。具体的には、第2実施形態でも、第1実施形態と同様、外部装置2と第1インターフェース回路110との間の通信方式と、第1インターフェース回路110とメモリー140との間の通信方式は、ともにI2Cである。
また、第2インターフェース回路120は、クロック信号SCL及び第1シリアルデータ信号SDAに基づいて、外部装置2からの記憶部130に対するデータの書き込み及び読み出しを制御する。第2実施形態でも、第1実施形態と同様、外部装置2と第2インターフェース回路120との間の通信方式は、外部装置2と第1インターフェース回路110との間の通信方式及び第1インターフェース回路110とメモリー140との間の通信方式と同じく、I2Cである。
電子部品1に電源が投入されると、第2インターフェース回路120は、メモリー140に記憶されている各種のデータを読み出すためのクロック信号SCLM及び第2シリアルデータ信号SDAMを生成し、メモリー140から読み出した各種のデータを記憶部130の各種のレジスターにロードする。これにより、集積回路100の各回路が所望の状態に設定される。
第2実施形態でも、第1実施形態と同様、メモリー140には第1のアドレス値が割り当てられており、集積回路100には第1のアドレス値とは異なる第2のアドレス値が割り当てられている。そして、第2インターフェース回路120は、第1シリアルデータ信号SDAに含まれるスレーブアドレスが第1のアドレス値である場合は、ローレベルの選択信号SELを出力し、当該スレーブアドレスが第2のアドレス値である場合は、ハイレベルの選択信号SELを出力する。
バッファー114は、セレクター115の出力信号が入力され、イネーブル信号EN3の論理レベル及びセレクター115の出力信号の論理レベルに応じて、ローレベルの信号を出力するか、出力がハイインピーダンスとなるバッファーである。具体的には、バッファー114は、イネーブル信号EN3がローレベルのときは出力がハイインピーダンスとなり、イネーブル信号EN3がハイレベルのときは、セレクター115の出力信号がローレベルであればローレベルの信号を出力し、セレクター115の出力信号がハイレベルであれば出力がハイインピーダンスとなる。
第1インターフェース回路110は、第1シリアルデータ信号SDAに含まれるスレーブアドレスが第1のアドレス値である場合に、制御回路111が集積回路100の通信状態を第1通信状態又は前記第2通信状態に制御することにより、外部装置2によるメモリー140に対するデータの書き込み及び読み出しを制御する。また、第2インターフェース回路120は、第1シリアルデータ信号SDAに含まれるスレーブアドレスが、第2のアドレス値である場合に、外部装置2による記憶部130に対するデータの書き込み及び読み出しを制御する。
本実施形態では、電源投入後、制御回路111は、まず、集積回路100の通信状態を第1通信状態に制御する。具体的には、制御回路111は、イネーブル信号EN1,EN2をともにハイレベルに設定し、イネーブル信号EN3をローレベルに設定する。これにより、バッファー112は、クロック信号SCLの論理レベルに応じてローレベルの信号を出力するか、出力がハイインピーダンスになり、クロック信号SCLMがクロック信号SCLと同じ論理レベルとなる。また、バッファー113は、第1シリアルデータ信号SDAの論理レベルに応じてローレベルの信号を出力するか、出力がハイインピーダンスになり、第2シリアルデータ信号SDAMが第1シリアルデータ信号SDAと同じ論理レベルとなる。また、バッファー114は、出力がハイインピーダンスになる。このようにして、制御回路111は、集積回路100の通信状態を第1通信状態に制御する。
第2実施形態でも、第1実施形態と同様、制御回路111は、所定の通信方式に従い、クロック信号SCLのパルス数が所定数に到達した場合に、第1通信状態から第2通信状態に切り替える。具体的には、制御回路111は、クロック信号SCLのパルス数が所定数に到達した場合に、イネーブル信号EN1をハイレベルに維持し、イネーブル信号EN2をハイレベルからローレベルに変更し、イネーブル信号EN3をローレベルからハイレベルに変更する。これにより、バッファー112は、クロック信号SCLの論理レベルに応じてローレベルの信号を出力するか、出力がハイインピーダンスになり、クロック信号SCLMがクロック信号SCLと同じ論理レベルとなる。また、バッファー113は、出力がハイインピーダンスになる。また、バッファー114は、セレクター115の出力信号の論理レベルに応じてローレベルの信号を出力するか、出力がハイインピーダンスになり、第1シリアルデータ信号SDAがセレクター115の出力信号と同じ論理レベルとなる。このようにして、制御回路111は、集積回路100の通信状態を第2通信状態に制御する。
その後も、制御回路111は、通信が終了するまで、所定の通信方式に従い、クロック信号SCLのパルス数に基づいて、集積回路100の通信状態を第1通信状態又は第2通信状態に制御する。このように、制御回路111は、クロック信号SCLのパルス数に基づいて、第1通信状態と第2通信状態とを切り替える。
なお、本実施形態でも、外部装置2がI2Cによる通信を行ってメモリー140にデータを書き込むときの各種信号の波形の一例は図2と同様であるため、その図示及び説明を省略する。また、外部装置2がI2Cによる通信を行ってメモリー140からデータを読み出すときの各種信号の波形の一例は図3と同様であるため、その図示及び説明を省略する。
図6は、第2実施形態における電子部品1の処理の手順の一例を示すフローチャート図である。
図6の例では、まず、電子部品1は、第1シリアルデータ信号SDAに含まれるスレーブアドレスが第1のアドレス値と一致しているか否かを判断する(ステップS21)。
電子部品1は、スレーブアドレスが第1のアドレス値と一致している場合において(ステップS21のY)、外部装置2からデータの書き込み要求を受けた場合(ステップS22のY)、メモリー140へのデータの書き込みを行う(ステップS23)。そして、電子部品1は、ステップS21以降の処理を再び行う。
また、電子部品1は、外部装置2からデータの書き込み要求を受けず(ステップS22のN)、データの読み出し要求を受けた場合(ステップS24のY)、メモリー140からのデータの読み出しを行う(ステップS25)。そして、電子部品1は、ステップS21以降の処理を再び行う。
また、電子部品1は、外部装置2からデータの書き込み要求を受けず(ステップS22のN)、データの読み出し要求を受けなかった場合(ステップS24のN)、ステップS21以降の処理を再び行う。
また、電子部品1は、スレーブアドレスが第1のアドレス値と一致していない場合(ステップS21のN)、スレーブアドレスが第2のアドレス値と一致しているか否かを判断する(ステップS26)。
電子部品1は、スレーブアドレスが第2のアドレス値と一致している場合において(ステップS26のY)、外部装置2からデータの書き込み要求を受けた場合(ステップS27のY)、記憶部130へのデータの書き込みを行う(ステップS28)。そして、電子部品1は、ステップS21以降の処理を再び行う。
また、電子部品1は、外部装置2からデータの書き込み要求を受けず(ステップS27のN)、データの読み出し要求を受けた場合(ステップS29のY)、記憶部130からのデータの読み出しを行う(ステップS30)。そして、電子部品1は、ステップS21以降の処理を再び行う。
また、電子部品1は、外部装置2からデータの書き込み要求を受けず(ステップS27のN)、データの読み出し要求を受けなかった場合(ステップS29のN)、ステップS21以降の処理を再び行う。
また、電子部品1は、スレーブアドレスが第1のアドレス値と一致せず(ステップS21のN)、スレーブアドレスが第2のアドレス値と一致していない場合(ステップS26のN)、ステップS21以降の処理を再び行う。
以上に説明したように、第2実施形態の電子部品1では、第1インターフェース回路110は、第1シリアルデータ信号SDAに含まれるスレーブアドレスがメモリー140に割り当てられた第1のアドレス値である場合に、制御回路111が集積回路100の通信状態を第1通信状態又は第2通信状態に制御することにより、メモリー140に対するデータの書き込み及び読み出しを制御し、第2インターフェース回路120は、当該スレーブアドレスが、集積回路100に割り当てられた第2のアドレス値である場合に、記憶部130に対するデータの書き込み及び読み出しを制御する。したがって、第2実施形態の電子部品1によれば、外部装置2は、スレーブアドレスに応じて、第1インターフェース回路110を介して、メモリー140に対するデータの書き込みや読み出しを行うか、第2インターフェース回路120を介して、記憶部130に対するデータの書き込みや読み出しを行うかを選択することができる。
また、第2実施形態の電子部品1によれば、第1実施形態の電子部品1のように、外部装置2からのメモリー140に対するアクセスを可能とするために、第2インターフェース回路120が、クロック信号SCL及び第1シリアルデータ信号SDAに基づいて、集積回路100の動作モードを第1モードから第2モードに切り替える必要がないので、第1実施形態の電子部品1よりも、外部装置2からメモリー140に対するアクセスが容易であるとともに、集積回路100のサイズを低減させることができる。
その他、第2実施形態の電子部品1によれば、第1実施形態の電子部品1と同様の効果を奏することができる。
1−3.具体例
図7及び図8は、本実施形態の電子部品1の一例である発振器1Aの構造を示す図である。図7は発振器1Aの平面図であり、図8は図7に示すA−A線の断面図である。また、図9及び図10は、発振器1Aを構成する容器40の概略構成図である。図9は発振器1Aを構成する容器40の平面図であり、図10は図9に示すB−B線の断面図である。なお、図7及び図9において、発振器1Aと容器40の内部の構成を説明する便宜上、カバー64と蓋部材44を取り外した状態を図示している。また、説明の便宜上、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸およびZ軸を図示している。更に、説明の便宜上、Y軸方向から視たときの平面視において、+Y軸方向の面を上面、−Y軸方向の面を下面として説明する。なお、ベース基板62の上面に形成された配線パターンや電極パッド、容器40の外面に形成された接続端子および容器40の内部に形成された配線パターンや電極パッドは図示を省略してある。
図7及び図8は、本実施形態の電子部品1の一例である発振器1Aの構造を示す図である。図7は発振器1Aの平面図であり、図8は図7に示すA−A線の断面図である。また、図9及び図10は、発振器1Aを構成する容器40の概略構成図である。図9は発振器1Aを構成する容器40の平面図であり、図10は図9に示すB−B線の断面図である。なお、図7及び図9において、発振器1Aと容器40の内部の構成を説明する便宜上、カバー64と蓋部材44を取り外した状態を図示している。また、説明の便宜上、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸およびZ軸を図示している。更に、説明の便宜上、Y軸方向から視たときの平面視において、+Y軸方向の面を上面、−Y軸方向の面を下面として説明する。なお、ベース基板62の上面に形成された配線パターンや電極パッド、容器40の外面に形成された接続端子および容器40の内部に形成された配線パターンや電極パッドは図示を省略してある。
発振器1Aは、図7及び図8に示すように、振動素子200、発振回路を含む集積回路100A及び温度調整素子を含む集積回路101を内部に収納する容器40と、容器40の外部でベース基板62の上面に配置された回路素子16と、を含む。振動素子200は、例えば、SCカット水晶振動素子であってもよい。SCカット水晶振動素子は、外部応力感度が小さいため、周波数安定性に優れている。
また、発振器1Aのベース基板62の上面には、リードフレーム66を介して容器40がベース基板62と遊離して配置され、複数の容量や抵抗等の回路部品20,22,24が配置されている。更に、容器40や回路素子16は、カバー64で覆われ、容器60の内部に収納されている。なお、容器60の内部は真空等の減圧雰囲気、又は窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性気体雰囲気に気密封止されている。
振動素子200又は集積回路100Aに含まれる発振回路等を調整するための回路素子16や回路部品20,22,24が集積回路101を収納した容器40の外部に配置されている。そのため、集積回路101に含まれる温度調整素子の熱によって、回路素子16を構成する樹脂部材や回路素子16や回路部品20,22,24と容器40との接続部材である半田や導電性接着剤等からガスを発生することがなくなる。また、例えガスが発生したとしても振動素子200が容器40に収納されているため、ガスの影響を受けることなく、振動素子200の安定な周波数特性を維持し、高い周波数安定性を有する発振器1Aを得ることができる。
容器40の内部には、図9及び図10に示すように、集積回路100A、集積回路101および集積回路101の上面に配置された振動素子200が収納されている。なお、容器40の内部は真空等の減圧雰囲気、又は窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性気体雰囲気に気密封止されている。
容器40は、パッケージ本体42と蓋部材44とで構成されている。パッケージ本体42は、図10に示すように、第1の基板46、第2の基板48、第3の基板50、第4の基板52および第5の基板54を積層して形成されている。第2の基板48、第3の基板50、第4の基板52および第5の基板54は中央部が除去された環状体であり、第5の基板54の上面の周縁にシールリングや低融点ガラス等の封止部材56が形成されている。
第2の基板48と第3の基板50とにより、集積回路100Aを収容する凹部が形成され、第4の基板52と第5の基板54とにより、集積回路101と振動素子200を収容する凹部が形成されている。
第1の基板46の上面の所定の位置には接合部材36により集積回路100Aが接合され、集積回路100Aはボンディングワイヤー30により第2の基板48の上面に配置された不図示の電極パッドと電気的に接続されている。
第3の基板50の上面の所定の位置には接合部材34により集積回路101が接合され、集積回路101の上面である能動面15に形成された電極パッド26はボンディングワイヤー30により第4の基板52の上面に配置された不図示の電極パッドと電気的に接続されている。
したがって、集積回路100Aと集積回路101とは容器40の内部で離間して配置されているため、振動素子200を加熱する集積回路101の熱が、集積回路100Aへ直接伝わり難い。そのため、加熱し過ぎによる、集積回路100Aに含まれる発振回路の特性劣化を制御することができる。
振動素子200は、集積回路101の能動面15に配置されている。また、振動素子200は、能動面15に形成された電極パッド26と、振動素子200の下面に形成された不図示の電極パッドと、を金属性バンプや導電性接着剤等の接合部材32を介して集積回路101に接合されている。これにより、振動素子200は、集積回路101によって支持されている。なお、振動素子200の上下面に形成された不図示の励振電極と、振動素子200の下面に形成された不図示の電極パッドとはそれぞれ電気的に接続されている。なお、振動素子200と集積回路101とは、集積回路101で発生した熱が振動素子200に伝わるように接続されていれば良い。そのため、例えば、振動素子200と集積回路101とが非導電性の接合部材で接続され、振動素子200と集積回路101又はパッケージ本体42とがボンディングワイヤー等の導電性部材を用いて電気的に接続されていても良い。
したがって、振動素子200が集積回路101上に配置されているため、集積回路101の熱を損失することなく振動素子200へ伝えることができ、低消費で振動素子200の温度制御をより安定化させることができる。
なお、図7では、振動素子200は、Y軸方向から視たときの平面視において矩形状であるが、振動素子200の形状は矩形状に限定されず、例えば円形状であっても良い。また、振動素子200は、SCカット水晶振動素子に限定されず、ATカット水晶振動素子でも良いし、音叉型水晶振動素子、弾性表面波共振片その他の圧電振動素子やMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)共振素子でも構わない。なお、振動素子200としてATカット水晶振動素子を用いた場合には、Bモード抑圧回路が不要となるため、発振器1Aの小型化が図れる。
図11は、発振器1Aの機能ブロック図である。図11に示すように、発振器1Aは、振動素子200と、集積回路100Aと、集積回路101とを含む。
集積回路101は、温度調整素子260と、温度センサー270とを含む。
温度調整素子260は、振動素子200の温度を調整する素子であり、例えば、発熱素子である。温度調整素子260が発生させる熱は、集積回路100Aから供給される温度制御信号VHCに応じて制御される。前述の通り、振動素子200は集積回路101に接合されているため、温度調整素子260が発生させる熱が振動素子200に伝わり、振動素子200の温度が所望の一定温度に近づくように調整される。
温度センサー270は、温度を検出し、検出した温度に応じた電圧レベルを有する第1の温度検出信号VT1を出力する。前述の通り、振動素子200は集積回路101に接合されており、温度センサー270は、振動素子200の近傍に位置するため、振動素子200の周囲の温度を検出することになる。また、温度センサー270は、温度調整素子260の近傍に位置するため、温度調整素子260の温度を検出するともいえる。温度センサー270から出力される第1の温度検出信号VT1は、集積回路100Aに供給される。
前述の集積回路100の一例である集積回路100Aは、第1インターフェース回路110、第2インターフェース回路120、記憶部130、温度制御回路210、温度補償回路220、D/A変換回路222、発振回路230、PLL(Phase Locked Loop)回路231、分周回路232、出力バッファー233、温度センサー240、レベルシフター241、セレクター242、A/D変換回路243、ローパスフィルター244及びレギュレーター250を含む。
前述の通り、第1インターフェース回路110は、発振器1Aの外部装置2からのメモリー140に対するデータの書き込み及び読み出しを制御する。例えば、第1インターフェース回路110は、図1又は図5に示される回路で実現される。
前述の通り、第2インターフェース回路120は、外部装置2からの記憶部130に対するデータの書き込み及び読み出しを制御する。また、第2インターフェース回路120は、電子部品1に電源が投入されると、あるいは外部装置2からリロードコマンドを受信すると、メモリー140に書き込まれた各種のデータを記憶部130が有する各レジスターにロードする。これにより、集積回路100Aの各回路が所望の状態に初期化される。
外部装置2と第1インターフェース回路110との間の通信方式と、第1インターフェース回路110とメモリー140との間の通信方式は、ともにI2Cである。なお、図11では、図1又は図5に示される抵抗素子151,152,161,162の図示が省略されている。
前述の通り、記憶部130は、例えば、集積回路100Aの各回路の動作を制御するための各種のデータが記憶されるレジスターや、集積回路100Aあるいは発振器1Aのテスト用のレジスター等の各種のレジスターを有する。発振器1Aの製造時の検査工程において、検査装置である外部装置2は、第1インターフェース回路110を介して、発振器1Aが有する各回路の動作を制御するための各種のデータをメモリー140に書き込んで各回路を調整する。発振器1Aに電源が投入されると、メモリー140に記憶されている各種のデータは、第2インターフェース回路120を介してレジスター群に含まれる各種のレジスターに転送されて保持され、当該各種のレジスターに保持された各種のデータが各回路に供給される。
レギュレーター250は、集積回路100Aの外部から供給される電源電圧に基づいて、集積回路100Aが有する各回路の電源電圧や基準電圧を生成する。
温度センサー240は、温度を検出し、検出した温度に応じた電圧レベルを有する第2の温度検出信号VT2を出力する。前述の通り、集積回路100Aは第1の基板46の上面に接合されており、温度センサー240は、温度センサー270よりも振動素子200や温度調整素子260から離れた位置に設けられている。そのため、温度センサー270は、振動素子200や温度調整素子260から離れた位置における容器40の内部温度を検出することになる。また、外気の熱はリードフレーム66を介して容器40に伝わる。したがって、温度は発振器1Aの外気温度が所定の範囲で変化した場合、温度調整素子260の近傍に設けられている温度センサー270が検出する温度はほとんど変化しないのに対して、温度センサー240が検出する温度は所定の範囲で変化する。
レベルシフター241は、発振器1Aの外部から供給される周波数制御信号VCを所望の電圧レベルに変換する。
セレクター242は、レベルシフター241から出力される周波数制御信号VCと、温度センサー240から出力される第2の温度検出信号VT2のいずれか一方を選択して出力する。例えば、セレクター242は、周波数制御信号VCと第2の温度検出信号VT2とを時分割に選択して出力する。ただし、例えば、発振器1Aの製造時の検査工程において、発振器1Aの仕様に応じて、周波数制御信号VCと第2の温度検出信号VT2のいずれか一方を選択するための選択値がメモリー140に記憶され、発振器1Aに電源が投入されると、当該選択値がメモリー140から第2インターフェース回路120を介して記憶部130に含まれる不図示の所定のレジスターに転送されて保持され、当該レジスターに保持された選択値がセレクター242に供給されてもよい。
A/D変換回路243は、セレクター242から時分割に出力されるアナログ信号である周波数制御信号VC及び第2の温度検出信号VT2を、それぞれデジタル信号である周波数制御値DVC及び第2の温度検出値DT2に変換する。
ローパスフィルター244は、A/D変換回路243から時分割に出力される周波数制御値DVC及び第2の温度検出値DT2に対してローパス処理を行い、高周波ノイズ信号の強度を低減させるデジタルフィルターである。
温度制御回路210は、振動素子200の温度設定値DTS、第1の温度検出信号VT1及び第2の温度検出値DT2に基づいて、温度調整素子260を制御する温度制御信号VHCを生成する。温度設定値DTSは、振動素子200の目標温度の設定値であり、メモリー140に記憶されている。例えば、発振器1Aの製造時の検査工程において、温度変化に対する周波数変化が最も小さくなる温度設定値DTSが生成され、メモリー140に記憶される。そして、発振器1Aの電源が投入されると、温度設定値DTSは、メモリー140から第2インターフェース回路120を介して記憶部130に含まれる不図示の所定のレジスターに転送されて保持され、当該レジスターに保持された温度設定値DTSが温度制御回路210に供給される。
温度補償回路220は、第2の温度検出値DT2に基づいて発振回路230の周波数を温度補償する。具体的には、温度補償回路220は、第2の温度検出値DT2に基づいて、発振回路230の周波数が周波数制御値DVCに応じた所望の周波数になるように温度補償するためのデジタル信号である温度補償値を生成する。例えば、発振器1Aの製造時の検査工程において、温度補償回路220が、振動素子200の周波数温度特性に対して概ね逆の特性となる温度補償値を生成するための温度補償データが生成され、メモリー140に記憶される。そして、発振器1Aに電源が投入されると、当該温度補償データは、メモリー140から第2インターフェース回路120を介して記憶部130に含まれる不図示の所定のレジスターに転送されて保持され、温度補償回路220は、当該レジスターに保持された温度補償データ、第2の温度検出値DT2及び周波数制御値DVCに基づいて、温度補償値を生成する。
D/A変換回路222は、温度補償回路220が生成した温度補償値をアナログ信号である温度補償電圧に変換し、発振回路230に供給する。
発振回路230は、振動素子200の両端と電気的に接続されており、振動素子200の出力信号を増幅して振動素子200にフィードバックすることにより、振動素子200を発振させる回路である。例えば、発振回路230は、増幅素子としてインバーターを用いた発振回路であってもよいし、増幅素子としてバイポーラトランジスターを用いた発振回路であってもよい。発振回路230は、D/A変換回路222から供給される温度補償電圧に応じた周波数で振動素子200を発振させる。具体的には、発振回路230は、振動素子200の負荷容量となる不図示の可変容量素子を有し、当該可変容量素子に温度補償電圧が印加されて当該温度補償電圧に応じた負荷容量値となることにより、発振回路230から出力される発振信号の周波数が温度補償される。
PLL回路231は、発振回路230から出力される発振信号の周波数を逓倍する。
分周回路232は、PLL回路231から出力される発振信号を分周する。
出力バッファー233は、分周回路232から出力される発振信号をバッファリングし、発振信号CKOとして集積回路100Aの外部に出力する。この発振信号CKOは、発振器1Aの出力信号となる。
発振信号CKOの周波数偏差を最小にするためには、発振器1Aの製造時の検査工程において、特に、メモリー140に記憶される温度設定値DTSや温度補償データを最適値に調整する必要がある。例えば、検査工程において、発振信号CKOの周波数偏差が所望の範囲に収まるように温度設定値DTSや温度補償データが粗調整されてメモリー140に書き込まれる。さらに、この状態で発振信号CKOの周波数偏差が最小になるように温度設定値DTSや温度補償データが最適値に微調整されてメモリー140に上書きされる。その際、温度設定値DTSが最適値に微調整されたことで発振信号CKOの周波数偏差が最小ではなくなった場合は、温度補償データが最適値に再度微調整されてメモリー140に上書きされる。同様に、温度補償データが最適値に微調整されたことで発振信号CKOの周波数偏差が最小ではなくなった場合は、温度設定値DTSが最適値に再度微調整されてメモリー140に上書きされる。
このように、発振器1Aでは、メモリー140の同じアドレスに対して複数回の書き込みが行われるため、メモリー140は、複数回の書き込みが可能な不揮発性メモリー、例えば、EEPROMである。このような複数回の書き込みが可能な不揮発性メモリーはサイズが大きいため、集積回路100Aに実装することが難しく、集積回路100Aとは別体としてメモリー140が設けられている。
発振器1Aでは、振動素子200が実装されていない状態や、発振回路230が発振を停止している状態では、集積回路100Aにおいて内部クロック信号が発生しないが、第1インターフェース回路110は内部クロック信号を必要としない。したがって、発振器1Aによれば、外部装置2は、第1インターフェース回路110を介してメモリー140に対するデータの書き込みや読み出しを行うことができる。
1−4.変形例
上記の各実施形態では、外部装置2と第1インターフェース回路110との間の通信方式、及び第1インターフェース回路110とメモリー140との間の通信方式は、ともに2線式のI2Cであるが、3線式であってもよい。3線式の通信方式で用いられる信号は、例えば、クロック信号、シリアルデータ及びチップセレクト信号であってもよい。3線式の通信方式としては、例えば、SPI(Serial Peripheral Interface)が挙げられる。
上記の各実施形態では、外部装置2と第1インターフェース回路110との間の通信方式、及び第1インターフェース回路110とメモリー140との間の通信方式は、ともに2線式のI2Cであるが、3線式であってもよい。3線式の通信方式で用いられる信号は、例えば、クロック信号、シリアルデータ及びチップセレクト信号であってもよい。3線式の通信方式としては、例えば、SPI(Serial Peripheral Interface)が挙げられる。
また、上記の各実施形態では、バッファー112,113,114は、ローレベルの信号を出力するか、出力がハイインピーダンスとなるバッファーであるが、スリーステートバッファーであってもよい。具体的には、スリーステートバッファーであるバッファー112は、イネーブル信号EN1がローレベルのときは出力がハイインピーダンスとなり、イネーブル信号EN1がハイレベルのときは、クロック信号SCLがローレベルであればローレベルの信号を出力し、クロック信号SCLがハイレベルであればハイレベルの信号を出力する。また、スリーステートバッファーであるバッファー113は、イネーブル信号EN2がローレベルのときは出力がハイインピーダンスとなり、イネーブル信号EN2がハイレベルのときは、第1シリアルデータ信号SDAがローレベルであればローレベルの信号を出力し、第1シリアルデータ信号SDAがハイレベルであればハイレベルの信号を出力する。また、スリーステートバッファーであるバッファー114は、イネーブル信号EN3がローレベルのときは出力がハイインピーダンスとなり、イネーブル信号EN3がハイレベルのときは、第2シリアルデータ信号SDAMがローレベルであればローレベルの信号を出力し、第2シリアルデータ信号SDAMがハイレベルであればハイレベルの信号を出力する。
また、電子部品1の具体例として、振動素子200の温度を目標温度付近に調整する温度制御機能以外に、第2の温度検出値DT2に基づく温度補償機能及び周波数制御値DVCに基づく周波数制御機能を有する発振器1Aを挙げたが、電子部品1は、温度補償機能及び周波数制御機能の少なくとも一方を有さない発振器であってもよい。また、電子部品1は、発振器以外であってもよく、例えば、角速度センサーや加速度センサー等の慣性センサーであってもよい。
2.電子機器
図12は、本実施形態の電子機器の構成の一例を示す機能ブロック図である。
図12は、本実施形態の電子機器の構成の一例を示す機能ブロック図である。
本実施形態の電子機器300は、電子部品310、処理回路320、操作部330、ROM(Read Only Memory)340、RAM(Random Access Memory)350、通信部360、表示部370を含む。なお、本実施形態の電子機器は、図12の構成要素の一部を省略又は変更し、あるいは、他の構成要素を付加した構成としてもよい。
電子部品310は、集積回路312とメモリー313とを備えている。集積回路312は、メモリー313に記憶されているデータに基づいて動作し、所望の信号を処理回路320に出力する。例えば、電子部品310が発振器であれば、電子部品310は発振信号を発生させて処理回路320に出力する。
処理回路320は、電子部品310からの出力信号に基づいて動作する。例えば、処理回路320は、ROM340等に記憶されているプログラムに従い、電子部品310から入力される発振信号をクロック信号として各種の計算処理や制御処理を行う。具体的には、処理回路320は、操作部330からの操作信号に応じた各種の処理、外部装置とデータ通信を行うために通信部360を制御する処理、表示部370に各種の情報を表示させるための表示信号を送信する処理等を行う。
操作部330は、操作キーやボタンスイッチ等により構成される入力装置であり、ユーザーによる操作に応じた操作信号を処理回路320に出力する。
ROM340は、処理回路320が各種の計算処理や制御処理を行うためのプログラムやデータ等を記憶する記憶部である。
RAM350は、処理回路320の作業領域として用いられ、ROM340から読み出されたプログラムやデータ、操作部330から入力されたデータ、処理回路320が各種プログラムに従って実行した演算結果等を一時的に記憶する記憶部である。
通信部360は、処理回路320と外部装置との間のデータ通信を成立させるための各種制御を行う。
表示部370は、LCD(Liquid Crystal Display)等により構成される表示装置であり、処理回路320から入力される表示信号に基づいて各種の情報を表示する。表示部370には操作部330として機能するタッチパネルが設けられていてもよい。
集積回路312は、不図示の第1クロック端子と、第2クロック端子と、第1データ端子と、第2データ端子と、第1インターフェース回路とを有している。第1クロック端子は、処理回路320からクロック信号が入力され、第2クロック端子は、メモリー313に当該クロック信号を出力する。第1データ端子は、処理回路320との間で第1シリアルデータ信号が入出力され、第2データ端子は、メモリー313との間で第2シリアルデータ信号が入出力される。第1インターフェース回路は、クロック信号及び第1シリアルデータ信号に基づいて、第1データ端子に入力される第1シリアルデータ信号を第2シリアルデータ信号として第2データ端子からメモリー313に出力する第1通信状態、又は、第2データ端子に入力される第2シリアルデータ信号を第1シリアルデータ信号として第1データ端子から処理回路320に出力する第2通信状態に、集積回路312の通信状態を制御する不図示の制御回路を含む。
処理回路320は、集積回路312の第1クロック端子にクロック信号を出力し、集積回路312の第1データ端子との間で第1シリアルデータ信号を入出力する。これにより、処理回路320は、集積回路312において内部クロックが発生していない状態でも、集積回路312の第1インターフェース回路を介して、メモリー313に対するデータの書き込みや読み出しを行うことができる。したがって、例えば、電子部品310に不具合が生じた場合に、集積回路312の内部のクロック源が動作していない状態でも、処理回路320はメモリー313に記憶されているデータを読み出して電子部品310の不具合の原因を解析し、不具合の原因に応じた処理を行うことができる。
電子部品310として例えば上述した各実施形態の電子部品1を適用することにより、例えば、信頼性の高い電子機器を実現することができる。なお、集積回路312及びメモリー313は、上述した各実施形態の集積回路100及びメモリー140にそれぞれ対応する。また、処理回路320は、上述した各実施形態の外部装置2に対応する。
このような電子機器300としては種々の電子機器が考えられ、例えば、モバイル型、ラップトップ型、タブレット型などのパーソナルコンピューター、スマートフォンや携帯電話機などの移動体端末、ディジタルカメラ、インクジェットプリンターなどのインクジェット式吐出装置、ルーターやスイッチなどのストレージエリアネットワーク機器、ローカルエリアネットワーク機器、移動体端末基地局用機器、テレビ、ビデオカメラ、ビデオレコーダー、カーナビゲーション装置、リアルタイムクロック装置、ページャー、電子手帳、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ゲーム用コントローラー、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡等の医療機器、魚群探知機、各種測定機器、車両、航空機、船舶等の計器類、フライトシミュレーター、ヘッドマウントディスプレイ、モーショントレース、モーショントラッキング、モーションコントローラー、歩行者自立航法(PDR:Pedestrian Dead Reckoning)装置等が挙げられる。
図13は、電子機器300の一例であるスマートフォンの外観の一例を示す図である。電子機器300であるスマートフォンは、操作部330としてボタンを、表示部370としてLCDを備えている。そして、電子機器300であるスマートフォンは、電子部品310として、例えば上述した各実施形態の電子部品1を適用することにより、高い信頼性を実現することができる。
3.移動体
図14は、本実施形態の移動体の一例を示す図である。図14に示す移動体400は、電子部品410、処理回路420,430,440、バッテリー450、バックアップ用バッテリー460を含む。なお、本実施形態の移動体は、図14の構成要素の一部を省略し、あるいは、他の構成要素を付加した構成としてもよい。
図14は、本実施形態の移動体の一例を示す図である。図14に示す移動体400は、電子部品410、処理回路420,430,440、バッテリー450、バックアップ用バッテリー460を含む。なお、本実施形態の移動体は、図14の構成要素の一部を省略し、あるいは、他の構成要素を付加した構成としてもよい。
電子部品410は、不図示の集積回路とメモリーとを備えており、集積回路はメモリーに記憶されているデータに基づいて動作し、所望の信号を発生させる。例えば、電子部品410が発振器であれば、電子部品410は発振信号を発生させて処理回路420,430,440に出力、当該発振信号は、例えばクロック信号として用いられる。
処理回路420,430,440は、電子部品410からの出力信号に基づいて動作し、エンジンシステム、ブレーキシステム、キーレスエントリーシステム等の各種の制御処理を行う。
バッテリー450は、電子部品410及び処理回路420,430,440に電力を供給する。バックアップ用バッテリー460は、バッテリー450の出力電圧が閾値よりも低下した時、電子部品410及び処理回路420,430,440に電力を供給する。
電子部品410の集積回路は、不図示の第1クロック端子と、第2クロック端子と、第1データ端子と、第2データ端子と、第1インターフェース回路とを有している。第1クロック端子は、処理回路420からクロック信号が入力され、第2クロック端子は、電子部品410のメモリーに当該クロック信号を出力する。第1データ端子は、処理回路420との間で第1シリアルデータ信号が入出力され、第2データ端子は、電子部品410のメモリーとの間で第2シリアルデータ信号が入出力される。第1インターフェース回路は、クロック信号及び第1シリアルデータ信号に基づいて、第1データ端子に入力される第1シリアルデータ信号を第2シリアルデータ信号として第2データ端子からメモリーに出力する第1通信状態、又は、第2データ端子に入力される第2シリアルデータ信号を第1シリアルデータ信号として第1データ端子から処理回路420に出力する第2通信状態に、集積回路の通信状態を制御する不図示の制御回路を含む。
処理回路420は、集積回路の第1クロック端子にクロック信号を出力し、集積回路の第1データ端子との間で第1シリアルデータ信号を入出力する。これにより、処理回路420は、集積回路において内部クロックが発生していない状態でも、集積回路の第1インターフェース回路を介して、メモリーに対するデータの書き込みや読み出しを行うことができる。したがって、例えば、電子部品410に不具合が生じた場合に、集積回路の内部のクロック源が動作していない状態でも、処理回路420はメモリーに記憶されているデータを読み出して電子部品410の不具合の原因を解析し、不具合の原因に応じた処理を行うことができる。
電子部品410として例えば上述した各実施形態の電子部品1を適用することにより、例えば、信頼性の高い移動体を実現することができる。なお、電子部品410が有する集積回路及びメモリーは、上述した各実施形態の集積回路100及びメモリー140にそれぞれ対応する。また、処理回路420は、上述した各実施形態の外部装置2に対応する。
このような移動体400としては種々の移動体が考えられ、例えば、電気自動車等の自動車、ジェット機やヘリコプター等の航空機、船舶、ロケット、人工衛星等が挙げられる。
本発明は本実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成、例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
1…電子部品、1A…発振器、2…外部装置、15…能動面、20,22,24…回路部品、26,28…電極パッド、30…ボンディングワイヤー、32,34,36…接合部材、38…スペーサー、40…容器、42…パッケージ本体、44…蓋部材、46…第1の基板、48…第2の基板、50…第3の基板、52…第4の基板、54…第5の基板、56…封止部材、60…容器、62…ベース基板、64…カバー、66…リードフレーム、100…集積回路、100A…集積回路、101…集積回路、110…第1インターフェース回路、111…制御回路、112…バッファー、113…バッファー、114…バッファー、115…セレクター、120…第2インターフェース回路、130…記憶部、140…メモリー、151…抵抗素子、152…抵抗素子、161…抵抗素子、162…抵抗素子、200…振動素子、210…温度制御回路、211…温度制御補正値生成部、212…加算部、213…D/A変換部、214…比較部、215…利得設定部、220…温度補償回路、222…D/A変換回路、230…発振回路、231…PLL回路、232…分周回路、233…出力バッファー、240…温度センサー、241…レベルシフター、242…セレクター、243…A/D変換回路、244…ローパスフィルター、250…レギュレーター、260…温度調整素子、270…温度センサー、300…電子機器、310…電子部品、312…集積回路、313…メモリー、320…処理回路、330…操作部、340…ROM、350…RAM、360…通信部、370…表示部、400…移動体、410…電子部品、420,430,440…処理回路、450…バッテリー、460…バックアップ用バッテリー
Claims (8)
- 集積回路と、
メモリーと、を備え、
前記集積回路は、
クロック信号が入力される第1クロック端子と、
第1シリアルデータ信号が入出力される第1データ端子と、
前記メモリーに前記クロック信号を出力する第2クロック端子と、
前記メモリーとの間で第2シリアルデータ信号が入出力される第2データ端子と、
前記クロック信号及び前記第1シリアルデータ信号に基づいて、前記第1データ端子に入力される前記第1シリアルデータ信号を前記第2シリアルデータ信号として前記第2データ端子から出力する第1通信状態、又は、前記第2データ端子に入力される前記第2シリアルデータ信号を前記第1シリアルデータ信号として前記第1データ端子から出力する第2通信状態に、前記集積回路の通信状態を制御する制御回路を含む第1インターフェース回路と、を有する、電子部品。 - 前記制御回路は、
前記クロック信号のパルス数に基づいて、前記第1通信状態と前記第2通信状態とを切り替える、請求項1に記載の電子部品。 - 前記第1クロック端子及び前記第1データ端子を介して前記第1インターフェース回路が行う通信の方式は、前記第2クロック端子及び前記第2データ端子を介して前記第1インターフェース回路と前記メモリーとの間で行われる通信の方式と同じである、請求項1又は2に記載の電子部品。
- 前記集積回路は、
記憶部と、
前記クロック信号及び前記第1シリアルデータ信号に基づいて、前記記憶部に対するデータの書き込み及び読み出しを制御する第2インターフェース回路と、を有する、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電子部品。 - 前記第2インターフェース回路は、
前記クロック信号及び前記第1シリアルデータ信号に基づいて、前記集積回路の動作モードを、前記第1インターフェース回路を介した前記メモリーに対するアクセスを許可しない第1モードから、前記第1インターフェース回路を介した前記メモリーに対するアクセスを許可する第2モードに切り替え、
前記第1インターフェース回路は、
前記第2モードにおいて、前記制御回路が前記集積回路の通信状態を前記第1通信状態又は前記第2通信状態に制御することにより、前記メモリーに対するデータの書き込み及び読み出しを制御する、請求項4に記載の電子部品。 - 前記第1インターフェース回路は、
前記第1シリアルデータ信号に含まれるスレーブアドレスが前記メモリーに割り当てられた第1のアドレス値である場合に、前記制御回路が前記集積回路の通信状態を前記第1通信状態又は前記第2通信状態に制御することにより、前記メモリーに対するデータの書き込み及び読み出しを制御し、
前記第2インターフェース回路は、
前記スレーブアドレスが、前記集積回路に割り当てられた第2のアドレス値である場合に、前記記憶部に対するデータの書き込み及び読み出しを制御する、請求項4に記載の電子部品。 - 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の電子部品と、
前記第1クロック端子に前記クロック信号を出力し、前記第1データ端子との間で前記第1シリアルデータ信号を入出力する処理回路と、を備えた、電子機器。 - 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の電子部品と、
前記第1クロック端子に前記クロック信号を出力し、前記第1データ端子との間で前記第1シリアルデータ信号を入出力する処理回路と、を備えた、移動体。
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