JP2020154171A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性の高い表示装置を提供する。【解決手段】第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有する基板と、前記基板の前記第１面の複数の画素が設けられた画素領域と、前記画素領域上に設けられた第１光学フィルムと、前記画素領域に対応する前記第２面上に設けられた第２光学フィルムと、前記基板の前記第１面の前記第１光学フィルムから露出する周辺領域に実装された集積回路と、前記集積回路を覆うように前記周辺領域に設けられた第１樹脂層と、前記周辺領域に対応する前記第２面上に設けられ、前記第２光学フィルムから露出する領域に設けられた第２樹脂層と、を有し、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とは、実質的に同一の収縮率を有する、表示装置。【選択図】図４

Description

本発明の一実施形態は、表示装置に関する。

画像を表示する表示装置として、液晶を用いた液晶表示装置や、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）が開発されている。

最近では、フレキシブル基板を用いたフレキシブルディスプレイが液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置に適用されている。例えば、特許文献１には、配線等の不良を低減できる、フレキシブル液晶表示装置が開示されている。

特開２００５−０９９４１０号公報

フレキシブルディスプレイを用いた表示装置では、駆動ＩＣなどの実装回路周辺のフレキシブル基板上に樹脂を塗布し、剛性を上げることによって、変形による配線へのダメージを防止する。樹脂が塗布されている側の面とは反対側の面上には、表示装置が液晶表示装置である場合は偏光板が設けられ、表示装置が有機ＥＬ表示装置である場合は支持フィルムが配置される。これらの表示装置に熱サイクル試験を行うと、偏光板や支持フィルムの収縮率が、実装回路周辺に塗布された樹脂の収縮率とは異なる場合、偏光板や支持フィルムが変形する。このとき、偏光板や支持フィルムとともにフレキシブル基板や該フレキシブル基板上に設けられた配線層が変形し、配線がダメージを受けたり、実装回路と配線との接触不良が生じる場合がある。このような不良が生じると、表示装置において表示異常が発生するという問題がある。

このような課題に鑑み、本発明は、基板の変形を抑制し、配線不良や接触不良が防止された表示装置を提供することを目的の一つとする。

本発明の一実施形態の表示装置は、第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有する基板と、前記基板の前記第１面の複数の画素が設けられた画素領域と、前記画素領域上に設けられた第１光学フィルムと、前記画素領域に対応する前記第２面上に設けられた第２光学フィルムと、前記基板の前記第１面の前記第１光学フィルムから露出する周辺領域に実装された集積回路と、前記集積回路を覆うように前記周辺領域に設けられた第１樹脂層と、前記周辺領域に対応する前記第２面上に設けられ、前記第２光学フィルムから露出する領域に設けられた第２樹脂層と、を有し、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とは、実質的に同一の収縮率を有する。

本発明の一実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す模式的な平面図である。 図１におけるＡ−Ａ線に沿った断面図である。 図１におけるＢ−Ｂ線に沿った断面図である。 図１におけるＣ−Ｃ線に沿った断面図である。 第１樹脂層及び第２樹脂層における圧縮応力を説明するための概念図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造工程を示す概略図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造工程を示す概略図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造工程を示す概略図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造工程を示す概略図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造工程を示す概略図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造工程を示す概略図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造工程を示す概略図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造工程を示す概略図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造工程を示す概略図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造工程を示す概略図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造工程を示す概略図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造工程を示す概略図である。

以下、本発明の実施形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の構成等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。さらに、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号（または数字の後にＡ、Ｂなどを付した符号）を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。なお、各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。

以下の発明の詳細な説明において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。なお、以下の説明では、特に断りのない限り、断面視においては、第１基板に対して第２基板が配置される側を「上」又は「上方」といい、その逆を「下」又は「下方」として説明する。

＜表示装置の構成＞
本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する。本発明の一実施形態に係る表示装置は、一例として、液晶表示装置である。

図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す模式的な平面図である。図２は、図１におけるＡ−Ａ線に沿った断面図である。図３は、図１におけるＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図４は、図１におけるＣ−Ｃ線に沿った断面図である。

図１〜図３を参照すると、表示装置１００は、第１光学フィルム１０９、第１基板１０１、第１配向膜２３１、液晶層２３３、第２配向膜２３５、第２基板１０２、第２光学フィルム１１９、第１樹脂層３０１、第２樹脂層３０２、走査線駆動回路１１１、駆動ＩＣ１１３、端子１１５及びフレキシブルプリント回路（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔ Ｃｉｒｃｕｉｔ：ＦＰＣ）基板１１７を有する。

第１基板１０１は、可撓性を有するフレキシブル基板である。第１基板１０１は、例えば、ポリイミド等の樹脂材料から構成される。第１基板１０１は、第１面１０１ａ、及び第１面１０１ａとは反対側の第２面１０１ｂを有する。

第１基板１０１には、複数の画素１０７が設けられた画素領域１０３と画素領域１０３の周囲を取り囲む周辺領域１０５とが設けられる。周辺領域１０５には、走査線駆動回路１１１、駆動ＩＣ１１３、端子１１５及びＦＰＣ基板１１７が設けられる。駆動ＩＣ１１３には、画像信号線駆動回路が設けられる。また、駆動ＩＣ１１３には、電源回路等が設けられてもよい。尚、電源回路は、外部に設けられていてもよい。走査線駆動回路１１１及び駆動ＩＣ１１３は、各画素１０７の駆動を制御する。駆動ＩＣ１１３は、端子１１５を介してＦＰＣ基板１１７に設けられた信号制御回路などから画像信号を受信してもよい。

画素領域１０３は、画像が表示される表示部である。画素領域１０３に設けられる複数の画素１０７は、それぞれ異なる色を呈する画素１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃを含む。各画素１０７は、後述する第１電極２２９、第２電極２２５、液晶層２３３、及びカラーフィルタ層２３９を含む。以下、図２を参照して、画素領域１０３における表示装置１００の構成を説明する。

画素領域１０３に対応する第１基板１０１の第１面上１０１ａ上には、アレイ層２０２が設けられる。アレイ層２０２は、第１絶縁層２０５、第２絶縁層２０９、半導体層２１１、第３絶縁層２１３、ゲート電極２１５、第４絶縁層２１７、ドレイン電極２１９、ソース電極、第５絶縁層２２３、第２電極２２５、第６絶縁層２２７及び第１電極２２９を含む。

第１絶縁層２０５は、第１基板１０１の第１面１０１ａ上に設けられる。第１絶縁層２０５は、絶縁性を有する材料を含む。第１絶縁層２０５は、例えば、酸化シリコンや窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機化合物で構成される。

第１絶縁層２０５上には、第２絶縁層２０９が設けられる。第２絶縁層２０９は、絶縁性を有する材料を含む。第２絶縁層２０９は、例えば、酸化シリコンや窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機化合物によって形成されてもよい。尚、第１絶縁層２０５と第２絶縁層２０９との間には、遮光層２０７が設けられてもよい。遮光層２０７は、非透光性の樹脂材料を含む。例えば、遮光層２０７には、黒色の樹脂材料が用いられる。

第２絶縁層２０９上には、半導体層２１１が設けられる。半導体層２１１は、例えば、ポリシリコン、アモルファスシリコン又は酸化物半導体によって形成されることができる。また、第２絶縁層２０９上には、第３絶縁層２１３が設けられる。第３絶縁層２１３は、半導体層２１１を覆う。第３絶縁層２１３は、絶縁性を有する材料を含む。第３絶縁層２１３は、例えば、酸化シリコンや窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機化合物によって形成されてもよい。

第３絶縁層２１３上には、ゲート電極２１５が設けられる。ゲート電極２１５は、銅、モリブデン、タンタル、タングステン、アルミニウム、チタンなどの金属材料で構成される。また、第３絶縁層２１３上には、第４絶縁層２１７が設けられる。第４絶縁層２１７は、ゲート電極２１５を覆う。第４絶縁層２１７は、ゲート絶縁膜として機能する。第４絶縁層２１７は、酸化シリコン又は窒化シリコン等から形成されることができる。

第４絶縁層２１７上には、ドレイン電極２１９及びソース電極２２１が設けられる。ドレイン電極２１９及びソース電極２２１は、それぞれ銅、チタン、モリブデン、アルミニウム等の金属材料で構成される。ドレイン電極２１９及びソース電極２２１は、第３絶縁層２１３及び第４絶縁層２１７に設けられたコンタクトホールを介して半導体層２１１と電気的に接続される。

第４絶縁層２１７上には、第５絶縁層２２３が設けられる。第５絶縁層２２３は、ドレイン電極２９１及びソース電極２２１を覆う。第５絶縁層２２３は、絶縁性を有する材料を含む。第５絶縁層２２３は、例えば、酸化シリコンや窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機化合物で構成される。

第５絶縁層２２３上には、第２電極（共通電極）２２５が設けられる。第２電極２２５は、酸化インジウム系透明導電材料（例えばＩＴＯ）や酸化亜鉛系透明導電材料（例えばＩＺＯ、ＺｎＯ）で構成される。第５絶縁層２２３及び第２電極２２５には、ドレイン電極２１９を露出するビアホールが設けられる。

第２電極２２５上には、第６絶縁層２２７が設けられる。第６絶縁層２２７は、絶縁性を有する材料を含む。第６絶縁層２２７は、例えば、酸化シリコンや窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機化合物で構成される。第６絶縁層２２７は、第５絶縁層２２３及び第２電極２２５に設けられたビアホールの側壁を覆う。

第６絶縁層２２７上には、第１電極（画素電極）２２９が設けられる。第１電極２２９は、酸化インジウム系透明導電材料（例えばＩＴＯ）や酸化亜鉛系透明導電材料（例えばＩＺＯ、ＺｎＯ）で構成される。第１電極２２９は、第５絶縁層２２３及び第２電極２２５に設けられたビアホールを介してドレイン電極２１９と電気的に接続する。

アレイ層２０２上には、液晶層２３３が設けられる。液晶層２３３は、互いに対向する２つの配向膜２３１、２３５（第１配向膜２３１、第２配向膜２３５）に挟持される。液晶層２３３は、周辺領域１０との境に設けられたシール材２３６によって封止される。第１配向膜２３１は、第６絶縁層２２７上及び第１電極２２９上に設けられる。第２配向膜２３５は第２基板１０２上に設けられる。

第２基板１０２は、第１基板１０１の第１面１０１ａに対向するように設けられる。第２基板１０２は、可撓性を有するフレキシブル基板である。第１基板１０１は、例えば、ポリイミド等の樹脂材料から構成される。第２基板１０２は、第１基板１０１の第１面１０１ａに対向する第１面１０２ａと、第１面１０２ａとは反対側の第２面１０２ｂとを有する。

第２基板１０２の第１面１０２ａ上には、第７絶縁層２４３が設けられる。第７絶縁層２４３は、絶縁性を有する材料を含む。第７絶縁層２４３は、例えば、酸化シリコンや窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機化合物で構成される。

第７絶縁層２４３上には、ブラックマトリクス２４１が設けられる。また、第７絶縁層２４３上には、カラーフィルタ層２３９が設けられる。カラーフィルタ層２３９は、赤色カラーフィルタ層、緑色カラーフィルタ層、及び青色カラーフィルタ層を含む。

カラーフィルタ層２３９上には、オーバーコート層２３７が設けられる。オーバーコート層２３７は、絶縁性を有する材料を含む。オーバーコート層２３７は、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等で構成される。オーバーコート層２３７上には、第２配向膜２３５が設けられる。

第１基板１０１の第２面１０１ｂ上には、第１光学フィルム１０９が設けられる。第１光学フィルム１０９は、接着層２０３を介して第１基板１０１の第２面１０１ｂ上に設けられる。第１光学フィルム１０９は、偏光フィルムであってもよい。

第２基板１０２の第２面１０２ｂ上には、第２光学フィルム１１９が設けられる。第２光学フィルム１１９は、接着層２４５を介して第２基板１０２の第２面１０２ｂ上に設けられる。第２光学フィルム１１９は、偏光フィルムであってもよい。

次に、図４を参照して、周辺領域１０５における駆動ＩＣ１１３が設けられた領域の構成を説明する。尚、図１〜図３を参照して説明した構成と同一の構成については、重複する説明を省略する。

第１基板１０１上に設けられた第１絶縁層２０５上に第１配線層２０８が設けられる。第１配線層２０８は、画素領域１０３における遮光層２０７と同層に設けられてもよい。第１配線層２０８は、銅、モリブデン、タンタル、タングステン、アルミニウム、チタンなどの金属材料で構成される。第１配線層２０８は、単層に限らず、複数の層が積層された積層構造を有してもよい。例えば、第１配線層２０８は、ＭＡＭ（Ｍ：モリブデン，Ａ：アルミニウム，Ｍ：モリブデンの積層構造）であってもよい。

第１配線層２０８上には、第２絶縁層２０９及び第３絶縁層２１３が設けられる。第２絶縁層２０９及び第３絶縁層２１３には、第１配線層２０８を露出するビアホールが設けられる。

第３絶縁層２１３上には、第２配線層２１６が設けられる。第２配線層２１６は、第２絶縁層２０９及び第３絶縁層２１３に設けられたビアホール上に設けられ、該ビアホールを介して第１配線層２０８と電気的に接続される。第２配線層２１６は、銅、モリブデン、タンタル、タングステン、アルミニウム、チタンなどの金属材料で構成される。第２配線層２１６は、単層に限らず、複数の層が積層された積層構造を有してもよい。例えば、第２配線層２１６は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ（Ｔｉ：チタン，Ａｌ：アルミニウム，Ｔｉ：チタン）の積層構造を有してもよい。

第２配線層２１６上には、電極層２１８が設けられる。電極層２１８は、第２配線層２１６と電気的に接続される。電極層２１８は、導電性の材料から構成される。電極層２１８は、酸化インジウム系透明導電材料（例えばＩＴＯ）や酸化亜鉛系透明導電材料（例えばＩＺＯ、ＺｎＯ）で構成されてもよい。

第３絶縁層２１３上には、第４絶縁層２１７が設けられる。第４絶縁層２１７は、電極層２１８の少なくとも一部を露出する開口部２２０が設けられる。第４絶縁層２１７上には、駆動ＩＣ１１３及びＦＰＣ基板１１７が設けられる。

駆動ＩＣ１１３及びＦＰＣ基板１１７と、第４絶縁層２１７との間には、異方性導電膜（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ；ＡＦＣ）２２６、２３２が設けられる。駆動ＩＣ１１３は、端子２２４及び異方性導電膜２２６を介して、電極層２１８と電気的に接続される。同様に、ＦＰＣ基板１１７は、端子１１５及び異方性導電膜２３２を介して電極層２１８と電気的に接続される。

駆動ＩＣ１１３は、第１樹脂層３０１によって覆われる。第１樹脂層３０１は、絶縁性樹脂から構成される。また、第１基板１０１の第２面１０１ｂ上には、第２樹脂層３０２が設けられる。第１樹脂層３０１及び第２樹脂層３０２は、実質的に同一の熱収縮率を有する。ここで、熱収縮率が実質的に同一とは、熱収縮率が同一、又は熱収縮率の差が±２％であることを意味する。図５は、第１樹脂層３０１及び第２樹脂層３０２の圧縮応力を説明するための概念図である。図５に示すように、第１樹脂層３０１及び第２樹脂層３０２が実質的に同一の熱収縮率を有するため、第１樹脂層３０１の熱収縮の割合と第２樹脂層３０２の熱収縮の割合とが実質的に同一となる。そのため、熱収縮の割合のズレによる圧縮応力の違いが原因となって生じる第１基板１０１の変形が抑制される。その結果、第１基板１０１上に設けられた駆動ＩＣ１１３の浮き上がりや、第１配線層２０８への損傷が防止され、表示装置１００の信頼性が向上される。

第１樹脂層３０１及び第２樹脂層３０２は実質的に同一の熱収縮率を有すればよく、材料は特に限定されない。第１樹脂層３０１及び第２樹脂層３０２は、同一の材料で構成され、実質的に同一の厚みを有してもよい。例えば、第１樹脂層３０１及び第２樹脂層３０２は、１２０μｍ程度の厚みを有してもよい。また、第１樹脂層３０１及び第２樹脂層３０２は、実質的に同一の熱収縮率を有する異なる材料から構成され、実質的に同一の厚みを有してもよい。また、第１樹脂層３０１及び第２樹脂層３０２は、互いに異なる熱収縮率を有する異なる材料から構成されてもよい。第１樹脂層３０１及び第２樹脂層３０２は、互いに異なる熱収縮率を有する異なる材料から構成される場合、第１樹脂層３０１及び第２樹脂層３０２が同一の熱収縮率を有するように、第１樹脂層３０１の厚さ及び第２樹脂層３０２の厚さをそれぞれ調整する。第１樹脂層３０１及び第２樹脂層３０２は、例えば、ＴＢ３０２７Ｇ（株式会社スリーボンド製）、ＴＦ−４２００ＥＢ−７５（日立化成株式会社製）などの紫外線硬化性樹脂から構成することができる。

以上に述べたように、表示装置１００は、周辺領域１０３において第１基板１０１の第１面１０１ａ上及び第２面１０１ｂ上に、実質的に同一の熱収縮率を有する第１樹脂層３０１及び第２樹脂層３０２を有する。これにより、第１樹脂層３０１及び第２樹脂層３０２の熱収縮率の割合が略一致するため、第１樹脂層３０１及び第２樹脂層３０２の圧縮応力も略同一となる。この結果、第１基板１０１の反りが防止され、第１基板１０１上に設けられた第１配線層２０８と駆動ＩＣ１１３との電気的接続が保証され、配線不良や接触不良が防止された信頼性の高い表示装置１００を提供することができる。

本実施形態では、表示装置１００がＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ−Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードの液晶表示装置である場合を説明したが、表示装置１００はこれに限定されるわけではない。表示装置１００は、ＴＮモード、ＶＡモード、ＩＰＳモードの液晶表示装置であってもよい。

また、本実施形態では、表示装置１００が液晶表示装置である場合を説明したが、表示装置１００は、液晶表示装置に限定されず、有機ＥＬ表示装置であってもよい。表示装置が有機ＥＬ表示装置の場合、第１光学フィルム１０９及び第２光学フィルム１１９の代わりに支持フィルムがそれぞれ設けられる。

＜表示装置の製造方法＞
以下では、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法について説明する。

図６Ａ及び図６Ｂに示すように、画素領域１０３及び周辺領域１０５において、可撓性を有する絶縁基板である第１基板１０１の第１面１０１ａ上に、第１絶縁層２０５を形成する。第１絶縁層２０５は、酸化シリコンや窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機化合物で形成される。第１絶縁層２０５は、化学気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法等によって形成することができる。

次いで、図６Ａに示すように、画素領域１０３において、第１絶縁層２０５上に遮光層２０７を形成する。遮光層２０７には、黒色の樹脂材料が用いることができる。遮光層２０７は、カーボンブラック、無機顔料、有機顔料等を樹脂中に分散させた遮光材料を第１絶縁層２０５上に塗布し、フォトリソグラフィによりパターニングして形成してもよい。

一方、図６Ｂに示すように、周辺領域１０５において、第１絶縁層２０５上に第１配線層２０８を形成する。まず、銅、モリブデン、タンタル、タングステン、アルミニウム、チタンなどの金属材料を用いて化学気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法等によって第１絶縁層２０５上に金属層を形成し、形成された金属層をフォトリソグラフィによりパターニングすることにより、第１配線層２０８を形成することができる。尚、第１配線層２０８は、複数の金属層が積層した積層構造を有してもよい。

次いで、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、画素領域１０３及び周辺領域１０５において、第１絶縁層２０５上に第２絶縁層２０９を形成する。画素領域１０３において、第２絶縁層２０９は、遮光層２０７を覆うように形成される。第２絶縁層２０９は、酸化シリコンや窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機化合物を用いて化学気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法等によって形成することができる。

次いで、図６Ａに示すように、画素領域１０３において、第２絶縁層２０９上に半導体層２１１が形成される。半導体層２１１は、例えば、ポリシリコン、アモルファスシリコン又は酸化物半導体によって形成される。半導体層２１１は、半導体層２１１がシリコンを含む場合、半導体層２１１は、シランガスなどを原料として用い、ＣＶＤ法によって形成することができる。これによって得られるアモルファスシリコンに対して加熱処理、あるいはレーザなどの光を照射することで結晶化してもよい。半導体層２１１が酸化物半導体を含む場合、半導体層２１１は、スパッタリング法等によって形成することができる。

次いで、図６Ａおよび図６Ｂに示すように、画素領域１０３及び周辺領域１０５において、第２絶縁層２０９上に第３絶縁層２１３が形成される。画素領域１０３において、第３絶縁層２１３は、半導体層２１１を覆うように形成される。第３絶縁層２１３は、酸化シリコンや窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機化合物を用いて化学気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法等によって形成することができる。

次に、図７Ａに示すように、画素領域１０３において、第３絶縁層２１３上にゲート電極２１５を形成する。ゲート電極２１５は、銅、モリブデン、タンタル、タングステン、アルミニウム、チタンなどの金属材料を用いてスパッタリング法やＣＶＤ法を用いて形成することができる。

一方、図７Ｂに示すように、周辺領域１０５において、第２絶縁層２０９及び第３絶縁層２１３に第１配線層２０８を露出させるビアホールをエッチングによって形成し、該ビアホールを埋める第２配線層２１６を形成する。第２配線層２１６は、銅、モリブデン、タンタル、タングステン、アルミニウム、チタンなどの金属材料を用いてスパッタリング法等によって形成することができる。また、めっきによって上記金属を含む金属層を形成し、形成された金属層をフォトリソグラフィでパターニングすることにより第２配線層２１６が形成されてもよい。第２配線層２１６は、第１配線層２０８と接触する。

次いで、周辺領域１０５において、第２配線層２１６上に電極層２１８を形成する。電極層２１８は、酸化インジウム系透明導電材料（例えばＩＴＯ）や酸化亜鉛系透明導電材料（例えばＩＺＯ、ＺｎＯ）を用いて、スパッタリング法等によって形成する。電極層２１８は、第２配線層２１６に接触する。

次いで、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、画素領域１０３及び周辺領域１０５において、第３絶縁層２１３上に第４絶縁層２１７を形成する。第４絶縁層２１７は、酸化シリコン又は窒化シリコン等を用いて、化学気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法等によって形成することができる。

図７Ａに示すように、画素領域１０３において、第３絶縁層２１３及び第４絶縁層２１７に半導体層２１１を露出するためのコンタクトホールをエッチングによって形成する。次いで、該コンタクトホールを埋める電極層を銅、チタン、モリブデン、アルミニウム等の金属材料を用いて化学気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法等によって形成する。形成した電極層をフォトリソグラフィによってパターニングしてドレイン電極２１９及びソース電極２２１を形成する。

一方、図７Ｂに示すように、周辺領域１０５において、第４絶縁層２１７に電極層２１８の少なくとも一部を露出するためのビアホールをエッチングによって形成する。

次に、図８に示すように、画素領域１０３において、第４絶縁層２１７上に第５絶縁層２２３を形成する。第５絶縁層２２３は、酸化シリコンや窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機化合物を用いて、化学気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法等によって形成することができる。また、第５絶縁層２２３にドレイン電極２１９の少なくとも一部を露出するビアホールをエッチングによって形成する。

次いで、図８に示すように、第５絶縁層２２３上に第２電極２２５を形成する。第２電極２２５は、酸化インジウム系透明導電材料（例えばＩＴＯ）や酸化亜鉛系透明導電材料（例えばＩＺＯ、ＺｎＯ）を用いてスパッタリング法等によって形成することができる。尚、第２電極２２５には、ドレイン電極２１９の少なくとも一部を露出するビアホールをエッチングによって形成する。

次いで、図８に示すように、第２電極２２５上に第６絶縁層２２７を形成する。第６絶縁層２２７は、酸化シリコンや窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機化合物を用いて、化学気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法等によって形成することができる。第６絶縁層２２７は、第５絶縁層２２３及び画素電極２２５に設けられたビアホールの側壁を覆う。

次に、図９に示すように、第６絶縁層上２２７上に第１電極２２９を形成する。第１電極２２９は、酸化インジウム系透明導電材料（例えばＩＴＯ）や酸化亜鉛系透明導電材料（例えばＩＺＯ、ＺｎＯ）を用いてスパッタリング法等によって電極層を形成し、該電極層をエッチングによってパターニングすることによって形成することができる。第１電極２２９は、第５絶縁層２２３及び画素電極２２５に設けられたビアホールを介してドレイン電極２１９と接触する。

以上により、第１基板１０１の第１面１０１ａ上の画素領域１０３にアレイ層２０２が形成される。

次に図１０を参照して、第２基板１０２側に設けられたカラーフィルタ層２３９の形成方法について説明する。

図１０に示すように、画素領域１０３において、可撓性を有する絶縁基板である第２基板１０２の第１面１０２ａ上に、第７絶縁層２４３を形成する。第７絶縁層２０５は、酸化シリコンや窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機化合物で形成される。第７絶縁層２４３は、化学気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法等によって形成することができる。

次に、第７絶縁層２４３上にブラックマトリクス２４１を形成する。ブラックマトリクス２４１には、黒色の樹脂材料が用いることができる。ブラックマトリクス２４１は、カーボンブラック、無機顔料、有機顔料等を樹脂中に分散させた遮光材料を第７絶縁層２４３上に塗布し、フォトリソグラフィによりパターニングして形成することができる。

次いで、第７絶縁層２４３上にカラーフィルタ層２３９を形成する。カラーフィルタ層２３９は顔料を含むカラーレジストを第７絶縁層２４３上に塗布し、フォトリソグラフィによりパターニングして形成することができる。

次いで、カラーフィルタ層２３９上にオーバーコート層２３７を形成する。オーバーコート層２３７は、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等を塗布することにより形成することができる。

次に、図１１に示すように、第１基板１０１に形成されたアレイ層２０２上に第１配向膜２３１を形成し、同様に第２基板１０２に形成されたオーバーコート層２３７上に第２配向膜２３５を形成する。第１配向膜２３１は、アレイ層２０２上に、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等を塗布し、ラビング処理することにより形成することができる。第２配向膜２３５も同様の方法で形成することができる。

次に、図１２に示すように、液晶層２３３を形成し、第１基板１０１及び第２基板１０２を張り合わせる。具体的には、第２基板１０２上に形成された第２配向膜２３５上に液晶材料を滴下し、画素領域１０３の周囲にシール材２３６を塗布する。その後、第２配向膜２３５と第１配向膜２３１とを向き合わせて張り合わせシール材２３６を硬化させる。尚、液晶層２３３の形成方法はこれに限定されるわけではない。液晶層２３３は、画素領域１０３にスペーサを形成し、画素領域１０３の周囲にシール材２３６を塗布して、第２配向膜２３５と第１配向膜２３１とを向き合わせて張り合わせてシール材２３６を硬化させた後、シール材２３６の開口部から液晶材料を注入することにより、液晶層２３３を形成してもよい。

次に、図１３に示すように、第１基板１０１の第２面１０１ｂ上に接着剤を塗布して接着層２０３を形成し、接着層２０３上に第１光学フィルム１０９を貼り付ける。同様に、第２基板１０２の第２面１０２ｂ上に接着剤を塗布して接着層２４５を形成し、接着層２４５上に第２光学フィルム１１９を貼り付ける。

次に、図１４に示すように、周辺領域１０５において、第４絶縁膜２１７上に駆動ＩＣ１１３及びＦＰＣ基板１１７を実装する。具体的には、第４絶縁膜２１７と、駆動ＩＣ１１３及びＦＰＣ基板１１７との間に異方性導電フィルムを配置し、熱圧着する。これにより、駆動ＩＣ１１３及びＦＰＣ基板１１７を第１基板１０１上に実装すると同時に、駆動ＩＣ１１３の端子２２４と電極層２１８とを電気的に接続する異方性導電膜２２６、及びＦＰＣ基板１１７の端子１１５と電極層２１８とを電気的に接続する異方性導電膜２３２が形成される。

次に、図１５に示すように、周辺領域１０５において、駆動ＩＣ１３３を封止する第１樹脂層３０１を形成する。第１樹脂層３０１は、紫外線硬化性樹脂等を用いてモールド成形等により形成することができる。同様に、第２基板１０２の第２面１０２ｂ上に第２樹脂層３０２を形成する。具体的には、基板１０２の第２面１０２ｂ上に設けられた接着層２０３上に紫外線硬化性樹脂等を用いてモールド成形等により第２樹脂層３０２を形成する。ここで、第１樹脂層３０１と第２樹脂層３０２とが実質的に同一の熱収縮率を有するように、第１樹脂層３０１及び第２樹脂層３０２の材料及び／又は厚さを適宜調整する。

以上に述べた製造方法により、本実施形態に係る表示装置１００を製造することができる。尚、表示装置１００の製造方法は、これに限定されるわけではなく、上記の製造工程に加え、プリズムシート、拡散版、導光板やバックライトの設置などの工程が含まれてもよい。

尚、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

１００…表示装置、１０１…第１基板、１０２…第２基板、１０３…画素領域、１０５…周辺領域、１０７…画素、１０９…第１光学フィルム、１１１…走査線駆動回路、１１３…駆動ＩＣ、１１５…端子、１１７…ＦＰＣ基板、１１９・・・第２光学フィルム、２０３…接着層、２０５…第１絶縁層。２０７…遮光層、２０８…第１配線層、２０９…第２絶縁層、２１１…半導体層、２１３…第３絶縁層、２１５…ゲート電極、２１６…第２配線層、２１７…第４絶縁層、２１８…電極層、２１９…ドレイン電極、２２１…ソース電極、２２３…第５絶縁層、２２４…端子、２２５…第２電極、２２６…異方性導電膜、２２７…第６絶縁層、２２９…第１電極、２３１…第１配向膜、２３２…異方性導電膜、２３３…液晶層、２３５…第２配向膜、２３７…オーバーコート層、２３９…カラーフィルタ層、２４１…ブラックマトリクス、２４３…第７絶縁層、２４５…接着層、３０１…第１樹脂層、３０２…第２樹脂層

Claims (7)

1. 第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有する基板と、
   前記基板の前記第１面の複数の画素が設けられた画素領域と、
   前記画素領域上に設けられた第１光学フィルムと、
   前記画素領域に対応する前記第２面上に設けられた第２光学フィルムと、
   前記基板の前記第１面の前記第１光学フィルムから露出する周辺領域に実装された集積回路と、
   前記集積回路を覆うように前記周辺領域に設けられた第１樹脂層と、
   前記周辺領域に対応する前記第２面上に設けられ、前記第２光学フィルムから露出する領域に設けられた第２樹脂層と、
   を有し、
   前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とは、実質的に同一の収縮率を有する、表示装置。
2. 前記第１樹脂層を構成する材料と前記第２樹脂層を構成する材料とは、同一である、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とは、実質的に同一の厚さを有する、請求項２に記載の表示装置。
4. 前記基板は、可撓性を有するフレキシブル基板である、請求項１乃至３の何れか一項に記載の表示装置。
5. 前記画素領域に対応する第１面上に設けられた液晶層をさらに備え、
   前記第１光学フィルム及び前記第２光学フィルムは、偏光フィルムである、請求項１乃至４の何れか一項に記載の表示装置。
6. 前記画素領域に対応する第１面上に設けられた有機発光層をさらに備え、
   前記第１光学フィルム及び前記第２光学フィルムは、支持フィルムである、請求項１乃至４の何れか一項に記載の表示装置。
7. 前記基板の前記第１面上に設けられた配線層を有し、
   前記配線層は、前記集積回路に電気的に接続される、請求項１乃至６の何れか一項に記載の表示装置。

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