JP2020149737A5 - - Google Patents
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Description
第１磁性層２５ａは、磁極３０と第１シールド３１との間に設けられる。第１導電層２１は、第１シールド３１と第１磁性層２５ａとの間に設けられる。第１導電層２１は、第１元素を含む。第１元素は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ及びＡｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１導電層２１は、例えば、Ｃｕ層である。
第２磁性層２５ｂは、第１磁性層２５ａと第２導電層２２との間に設けられる。第３磁性層２５ｃは、第１磁性層２５ａと第２磁性層２５ｂとの間に設けられる。
第２回路３０Ｄがコイル３０ｃに上記の記録電流Ｉｗを供給しつつ、電流経路３５に第２電流Ｉ２が流れたときに、電流経路３５は、第２電気抵抗Ｒ２を有する。第２電流Ｉ２は、第１電流Ｉ１よりも大きい。第２電流Ｉ２の向きは、第１電流Ｉ１の向きと同じである。第２電気抵抗Ｒ２は、第１電気抵抗Ｒ１よりも低い。第２電気抵抗Ｒ２は、発振しているので、時間的に変化する。従って、図２（ｃ）においては、第２電気抵抗Ｒ２の時間的な平均値が示されている。
第２回路３０Ｄがコイル３０ｃに上記の記録電流Ｉｗを供給しつつ、電流経路３５に第３電流Ｉ３が流れたときに、電流経路３５は、第３電気抵抗Ｒ３を有する。第３電流Ｉ３は、第１電流Ｉ１よりも小さい。第３電流Ｉ３の向きは、第１電流Ｉ１の向きと同じである。第３電気抵抗Ｒ３は、第２電気抵抗Ｒ２よりも低い。
例えば、第２回路３０Ｄがコイル３０ｃに記録電流Ｉｗを供給しつつ、第１電流Ｉ１が電流経路３５に流れたときの電気抵抗Ｒｃの第１電流の変化に対する変化率を第１変化率とする。第３電流Ｉ３が電流経路３５に流れたときの電気抵抗Ｒｃの第３電流Ｉ３の変化に対する変化率を第３変化率とする。第１変化率は、例えば、第１電流範囲ｉｒ１における電気抵抗Ｒｃの変化率である。第３変化率は、例えば、第３電流範囲ｉｒ３における電気抵抗Ｒｃの変化率である。第３電流範囲ｉｒ３は、第１電流範囲ｉｒ１よりも小さい。第３電流Ｉ３の大きさは、第１電流Ｉ１の大きさよりも小さい。第３変化率は、第１変化率とは異なる。例えば、第１変化率は、第３変化率よりも高い。
実施形態において、例えば、上記の第１状態ＳＴ１を利用した磁気記録動作が行われる。実施形態において、上記の第２状態ＳＴ２を利用した磁気記録動作が行われても良い。これらの動作が切り替えて実施されても良い。このような動作は、第１回路２０Ｄにより行うことができる。上記の第１回路２０Ｄ及び第２回路３０Ｄは、磁気記録装置１５０に含まれる。
図９は、第２実施形態に係る磁気ヘッド及び磁気記録装置を例示する模式的断面図である。
図９に示すように、第２実施形態に係る磁気ヘッド１２０も、磁極３０、第１シールド３１及び積層体２０を含む。磁気ヘッド１２０は、コイル３０ｃ（図１（ａ）参照）、第１端子Ｔ１（図１（ａ）参照）、及び、第２端子Ｔ２（図１（ａ）参照）をさらに含んでも良い。磁気記録装置１５０は、磁気ヘッド１２０を含む。磁気記録装置１５０は、磁気記録媒体８０、第１回路２０Ｄ（図１（ａ）参照）、及び、第２回路３０Ｄ（図１（ａ）参照）をさらに含んでも良い。
図９に示すように、第２実施形態に係る磁気ヘッド１２０も、磁極３０、第１シールド３１及び積層体２０を含む。磁気ヘッド１２０は、コイル３０ｃ（図１（ａ）参照）、第１端子Ｔ１（図１（ａ）参照）、及び、第２端子Ｔ２（図１（ａ）参照）をさらに含んでも良い。磁気記録装置１５０は、磁気ヘッド１２０を含む。磁気記録装置１５０は、磁気記録媒体８０、第１回路２０Ｄ（図１（ａ）参照）、及び、第２回路３０Ｄ（図１（ａ）参照）をさらに含んでも良い。
図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、磁気ヘッド１２３及び１２３ａにおいては、第４導電層２４は、第５領域２４ｅ及び第６領域２４ｆを含む。第６領域２４ｆは、第５領域２４ｅと第２磁性層２５ｂとの間に設けられる（図１２（ａ）参照）。または、第６領域２４ｆは、第５領域２４ｅと第３磁性層２５ｃとの間に設けられる（図１２（ｂ）参照）。第５領域２４ｅは、上記の第４元素を含む。例えば、第５領域２４ｅは、例えば、Ｔａを含む。第６領域２４ｆは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｇ及びＶよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。例えば、第６領域２４ｆは、Ｃｕを含む。
図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、磁気ヘッド１２３及び１２３ａにおいては、第４導電層２４は、第５領域２４ｅ及び第６領域２４ｆを含む。第６領域２４ｆは、第５領域２４ｅと第２磁性層２５ｂとの間に設けられる（図１２（ａ）参照）。または、第６領域２４ｆは、第５領域２４ｅと第３磁性層２５ｃとの間に設けられる（図１２（ｂ）参照）。第５領域２４ｅは、上記の第４元素を含む。例えば、第５領域２４ｅは、例えば、Ｔａを含む。第６領域２４ｆは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｇ及びＶよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。例えば、第６領域２４ｆは、Ｃｕを含む。
第１実施形態及び第２実施形態において、第１〜第３磁性層２５ａ〜２５ｃの少なくともいずれかは、例えば、Ｆｅ及びＣｏを含む。第１〜第３磁性層２５ａ〜２５ｃの少なくともいずれかは、例えば、Ｆｅ及びＮｉを含んでも良い。
第１実施形態または第２実施形態に係る磁気ヘッドは、上記の磁気ヘッドのいずれかの構成またはその変形の構成を有する。図１（ａ）に示すように、磁気ヘッドは、例えば、磁極３０と、第１シールド３１と、磁極３０と第１シールド３１との間に設けられた積層体２０と、磁極３０と電気的に接続された第１端子Ｔ１と、第１シールド３１と電気的に接続された第２端子Ｔ２と、を含む。第１端子Ｔ１と第２端子Ｔ２との間の電流経路３５に第１電流Ｉ１が流れたときの第１電流Ｉ１の変動に対する電流経路３５の電気抵抗Ｒｃの第１変化率は、電流経路３５に第２電流Ｉ２が流れたときの第２電流Ｉ２の変動に対する電流経路３５の電気抵抗Ｒｃの第２変化率とは異なる。第１変化率は、電流経路３５に第３電流Ｉ３が流れたときの第３電流Ｉ３の変動に対する電流経路３５の電気抵抗Ｒｃの第３変化率とは異なる。図２（ｄ）に示すように、第１電流Ｉ１の大きさは、第１電流範囲ｉｒ１にある。第２電流Ｉ２の大きさは、第１電流範囲ｉｒ１よりも大きい第２電流範囲ｉｒ２にある。第３電流Ｉ３の大きさは、第１電流範囲ｉｒ１よりも小さい第３電流範囲ｉｒ３にある。例えば、第１変化率は、第３変化率よりも高い。
第１実施形態または第２実施形態に係る磁気ヘッドは、磁気ヘッド１１０、１１１、１１２、１１２ａ、１１３、１１３ａ、１２０、１２１、１２２、１２２ａ、１２３及び１２３ａの少なくともいずれかの構成、または、それらの変形の構成を有しても良い。
本実施形態に係る磁気記録装置１５０は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気ヘッドと、可動部と、位置制御部と、信号処理部と、を含む。可動部は、磁気記録媒体と磁気ヘッドとを離間させ、または、接触させた状態で相対的に移動可能とする。位置制御部は、磁気ヘッドを磁気記録媒体の所定記録位置に位置合わせする。信号処理部は、磁気ヘッドを用いた磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。
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