JP4406633B2 - 磁気検出装置 - Google Patents
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Description
前記可変抵抗素子と前記参照抵抗素子との少なくとも一方に、抵抗調整部が直列に接続されており、前記抵抗調整部には、互いに平行に延びる複数の抵抗層が設けられ、前記抵抗層どうしが複数箇所において前記抵抗層よりも比抵抗の低い導電層によって接続されて、前記導電層と前記導電層と間に前記抵抗層の一部が並列に接続された並列部が形成され、複数の前記並列部で前記導電層と前記導電層の間隔が相違し、前記並列部どうしで合成抵抗値が相違しており、
いずれかの前記並列部で前記抵抗層が分断されて、前記抵抗調整部の合成抵抗値の合計値が調整されていることを特徴とするものである。
いずれかの前記並列部で、前記導電層どうしが連続して形成されて、前記抵抗調整部の合成抵抗値の合計値が調整されているものである。
2 基板
3 第1の抵抗調整部
4 第1の参照抵抗素子
5 第1の可変抵抗素子
6 第2の可変抵抗素子
7 第2の参照抵抗素子
8 第2の抵抗調整部
11 電源端子
12a,12b リード層
13 接地端子
14 第1の出力端子
15 第2の出力端子
21 半強磁性層
22 固定磁性層
23 非磁性導電層
24 自由磁性層
25 保護層
31 第1の抵抗層
32 第2の抵抗層
33a,33b,33c,33d,33e,33f 導電層
R1,R2,R3,R4,R5,R6 抵抗素子
Claims (5)
- 外部磁界で電気抵抗が変化する可変抵抗素子と、外部磁界で電気抵抗が変化しない参照抵抗素子とが直列に接続され、直列の前記可変抵抗素子と前記参照抵抗素子に直流電圧が印加されるとともに、前記可変抵抗素子と前記参照抵抗素子との中間の電位が検出される磁気検出装置において、
前記可変抵抗素子と前記参照抵抗素子との少なくとも一方に、抵抗調整部が直列に接続されており、前記抵抗調整部には、互いに平行に延びる複数の抵抗層が設けられ、前記抵抗層どうしが複数箇所において前記抵抗層よりも比抵抗の低い導電層によって接続されて、前記導電層と前記導電層と間に前記抵抗層の一部が並列に接続された並列部が形成され、複数の前記並列部で前記導電層と前記導電層の間隔が相違し、前記並列部どうしで合成抵抗値が相違しており、
いずれかの前記並列部で前記抵抗層が分断されて、前記抵抗調整部の合成抵抗値の合計値が調整されていることを特徴とする磁気検出装置。 - いずれかの前記並列部で前記抵抗層が分断されることに代えて、
いずれかの前記並列部で、前記導電層どうしが連続して形成されて、前記抵抗調整部の合成抵抗値の合計値が調整されている請求項1記載の磁気検出装置。 - 前記可変抵抗素子は磁気抵抗効果素子であり、前記抵抗調整部を構成する前記抵抗層は、前記磁気抵抗効果素子と同じ膜材料で形成され、外部磁界で抵抗値が変化しないように膜の積層順位が決められている請求項1または2記載の磁気検出装置。
- それぞれの並列部では、複数の前記抵抗層の抵抗値が互いに同じであり、前記並列部の合成抵抗値は、抵抗調整部の直列方向に向けて、段階的に増加するように構成されている請求項1ないし3のいずれかに記載の磁気検出装置。
- 直列方向に向けて隣接する並列部の一方の合成抵抗値が他方の合成抵抗値の2倍である請求項4記載の磁気検出装置。
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