JP2020149047A - フォトマスクの修正方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスク、及び表示装置の製造方法 - Google Patents
フォトマスクの修正方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスク、及び表示装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020149047A JP2020149047A JP2020020499A JP2020020499A JP2020149047A JP 2020149047 A JP2020149047 A JP 2020149047A JP 2020020499 A JP2020020499 A JP 2020020499A JP 2020020499 A JP2020020499 A JP 2020020499A JP 2020149047 A JP2020149047 A JP 2020149047A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- photomask
- defect
- film
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012937 correction Methods 0.000 title claims abstract description 162
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 91
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 209
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 201
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims abstract description 23
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 230000009471 action Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 46
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 28
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 18
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 17
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 203
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 18
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 15
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 13
- 238000013461 design Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000002715 modification method Methods 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000013041 optical simulation Methods 0.000 description 7
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 6
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- FQNHWXHRAUXLFU-UHFFFAOYSA-N carbon monoxide;tungsten Chemical compound [W].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-] FQNHWXHRAUXLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
前記転写用パターンは、露光装置を用いた露光によって被転写体上に所望のCD値を持つホールパターンを形成するものであって、
透光部からなる主パターンと、
前記主パターンの近傍に配置され、前記露光装置によって解像されない幅を持つ補助パターンと、
前記主パターンと前記補助パターンを除いた領域に形成される低透光部と、を含み、
前記補助パターンは、露光光に含まれる代表波長の光に対する透過率T1(%)を有するとともに、
前記補助パターンの透過光は、前記主パターンの透過光に対して、前記代表波長の光に対する略180度の位相差を有し、
前記低透光部は、前記代表波長の光に対する透過率T2(%)(ただしT2<T1)を持ち、
前記補助パターンに欠陥が生じたとき、前記主パターンのCD値を増減することにより、前記露光装置により露光した場合に、被転写体上に前記所望のCD値を持つ前記ホールパターンを形成するような、修正転写用パターンの形状を特定する特定工程と、
前記特定工程で得られた形状に基づいて、前記主パターンのCD値を増減する修正加工を施す修正工程と、を有する。
前記転写用パターンは、露光装置を用いた露光によって被転写体上にX−CDがXp1(μm)、Y−CDがYp1(μm)であるホールパターンを形成するものであって、
X−CDがXm1(μm)、Y−CDがYm1(μm)である透光部からなる、主パターンと、
前記主パターンの近傍に配置され、前記露光装置によって解像されない幅d(μm)を持つ補助パターンと、
前記主パターンと前記補助パターンを除いた領域に形成される低透光部と、を含み、
前記補助パターンは、露光光に含まれる代表波長の光に対する透過率T1(%)を有するとともに、
前記補助パターンの透過光は、前記主パターンの透過光に対して、前記代表波長の光に対する略180度の位相差を有し、
前記低透光部は、前記代表波長の光に対する透過率T2(%)(ただしT2<T1)を持ち、
前記補助パターンに欠陥が生じたとき、前記主パターンのX−CD及びY−CDの少なくとも一方を増減して、X−CDがXm2(μm)、Y−CDがYm2(μm)であるような主パターンを持つ修正転写用パターンであって、該修正転写用パターンを前記露光装置により露光した場合に、被転写体上にX−CDがXp1に等しく、Y−CDがYp1に等しいホールパターンを形成する修正転写用パターンの形状を特定する、特定工程と、
前記特定工程で得られた形状に基づいて、前記主パターンのX−CD及びY−CDの少なくとも一方を増減する修正加工を施す修正工程と、を有するものとすることができる。
前記特定工程では、前記複数の欠陥類型から、前記欠陥に対応する欠陥類型を選定し、選定した前記欠陥類型に対応づけられたXm2とYm2の組合せに基づき、前記修正転写用パターンの形状を特定してもよい。
0.9Xp1≦Xp2≦1.1Xp1
0.9Yp1≦Yp2≦1.1Yp1
30≦Tf≦80(%)であるとともに、φ1が略180(度)であってもよい。
0.8 ≦ Xm1 ≦ 4.0
0.8 ≦ Ym1 ≦ 4.0
0.8 ≦ Xp1 ≦ 4.0
0.8 ≦ Yp1 ≦ 4.0
1.0<P≦5.0
i線、h線、及びg線の少なくとも一つを含む露光光を前記修正転写用パターンに照射して、前記被転写体上にパターン転写を行なうことを含む。
前記転写用パターンは、露光装置を用いた露光によって被転写体上にX−CDがXp1(μm)、Y−CDがYp1(μm)であるホールパターンを形成するものであって、
X−CDがXm1(μm)、Y−CDがYm1(μm)である透光部からなる、主パターンと、
前記主パターンの近傍に配置され、前記露光装置によって解像されない幅d(μm)を持つ補助パターンと、
前記主パターンと前記補助パターンを除いた領域に形成される低透光部と、を含み、
前記補助パターンは、露光光に含まれる代表波長の光に対する透過率T1(%)を有するとともに、
前記補助パターンの透過光は、前記主パターンの透過光に対して、前記代表波長の光に対する位相差が略180度であり、
前記低透光部は、前記透明基板上に、前記代表波長の光に対する透過率T2(%)(ただしT2<T1)を持ち、
前記修正転写用パターンに含まれる修正主パターンは、前記転写用パターンの主パターンが低透光性の補充膜によって加工されることにより、X−CDがXm2(μm)、YCDがYm2(μm)(ただし、Xm1=Xm2かつYm1=Ym2である場合を除く)である透光部からなり、
前記修正転写用パターンに含まれる修正補助パターンは、前記修正主パターンを、前記低透光部を介して囲む正多角形帯又は円形帯の一部の領域を構成するとともに、前記正多角形帯又は円形帯の前記一部を除く領域には、低透光膜、又は前記低透光膜と素材が異なる低透光性の補充膜が形成され、
前記修正転写用パターンは、露光装置を用いた露光によって被転写体上にX−CDがXp2(μm)、Y−CDがYp2(μm)であるホールパターンを形成するものであり、下記の式を両方とも満たす。
0.9Xp1≦Xp2≦1.1Xp1
0.9Yp1≦Yp2≦1.1Yp1
しかしながら、修正を施さないまま転写を行なえば、被転写体上に形成されるパターンは設計仕様を満たさず、得ようとする表示装置の動作不良を招く等のリスクが生じる。
そこで、ここでは、図1及び図2に示す転写用パターンを持つフォトマスク(以下、それぞれ第1フォトマスク、及び第2フォトマスク)に欠陥が生じたとき、これを修正する場合について例示する。
以下に、本発明の第1フォトマスクを例示する。第1フォトマスクは、液晶や有機ELに代表される表示装置を製造するためのフォトマスクである。なお、本願でいう表示装置とは、表示装置を構成するためのデバイスを含む。そして第1フォトマスクは、表示装置製造用の露光装置によって露光し、その転写用パターンを、被転写体上に転写するものとする。被転写体は、例えば、表示デバイス製造用の基板等に加工対象となる薄膜が形成され、最上層にレジスト膜を形成したものが挙げられる。レジスト膜としては、ポジ型のフォトレジストが好適に使用できる。
0.8≦Xm1≦4.0 ・・・式(1)
0.8≦Ym1≦4.0 ・・・式(2)
d ≧ 0.7 ・・・式(6)
より好ましくは、以下の式(7)が成り立つことが好ましい。
d ≧ 0.8 ・・・式(7)
さらに好ましくは、以下の式(8)が成り立つことが好ましい。
1.0≦d≦1.5 ・・・式(8)
すなわち、
160+360M≦φ1≦200+360M(度)(Mは負でない整数)・・・式(9)
とも表わせる。半透光膜の位相シフト特性としては、好ましくは180±10度の範囲内であり、より好ましくは180±5度の範囲内である。
30≦T1≦100 ・・・式(10)
とすることが好ましい。ここで、T1は、透明基板の透過率を基準(100%)としたときの数値であり、以下同様である。
また、補助パターン12の透過率T1(%)について、
30≦T1≦80 ・・・式(11)
を満たすとより好ましく、さらに好ましくは、
40≦T1≦70 ・・・式(12)
を満たすとよい。
30≦Tf≦80 ・・・式(13)
であることが好ましい。より好ましくは、
40≦Tf≦70 ・・・式(14)
である。
1.0<P≦5.0 ・・・式(15)
の関係が成り立つことが好ましい。
より好ましくは、間隔Pは、
1.5<P≦4.5 ・・・式(16)
とすることができる。このとき、上述の、補助パターン12の透過光と、主パターン11の透過光との相互作用がより有利に制御できる。そして、被転写体上に形成するホールパターン形成のための光学像(光強度分布)をより有利な形状として、上記転写性能の向上効果が得られる。
0.6≦Xp1≦3.0 ・・・式(17)
0.6≦Yp1≦3.0 ・・・式(18)
0.6≦Xp1≦2.5 ・・・式(19)
0.6≦Yp1≦2.5 ・・・式(20)
図2(a)は、第2フォトマスクの転写用パターン2の一部を示す。図2(b)は、図2(a)のB−B矢視断面図である。第2フォトマスクも表示装置製造用のフォトマスクである。第2フォトマスクの転写用パターン2は、第1フォトマスクの転写用パターン1と異なり、補助パターン22が透明基板表面を所定深さに掘り込み形成されている。本願では、このように掘り込みを伴う転写用パターン2が、透明基板の一主表面に形成されている形態を含め、「透明基板上に転写用パターンを備える」フォトマスクと表現する。第2フォトマスクにおいても、第1フォトマスクと同様に、補助パターンの透過光は、主パターンの透過光に対して、前記代表波長の光に対する略180度の位相差を有する。
以下、第1フォトマスクに欠陥が生じた場合を例として説明するが、第2フォトマスクに欠陥が生じた場合についても同様である。図3は、第1フォトマスクの補助パターン12に黒欠陥14が生じた状態を示す。黒欠陥14により、補助パターン12の作用が少なくとも部分的に損なわれる。このため、このような欠陥転写用パターン3を露光すると、被転写体上には設計どおりの光強度分布が形成されない。すなわち、被転写体の構成要素であるレジスト膜を露光後に現像して得られるレジストパターンのボトムCDがX方向、又はY方向において設計値どおりに形成されないおそれがある。レジストパターンのボトムCDは、該レジストパターンをエッチングマスクとして、エッチング加工されるパターンのCDを決定する。よって、レジストパターンのボトムCDが設計値どおりに形成されないと、電子デバイス内のパターンのCDが設計値どおりに形成されないリスクが生じる。
特定工程30の一手法である、修正主パターンのCD値を算出する算出工程について説明する。算出工程では光学シミュレーションを使用するとよい。シミュレーション条件として、例えば、以下の情報を使用する。
(1)フォトマスクの露光に適用する露光条件(投影露光装置の光学系が持つ開口数NA、コヒレンスファクタσ、露光波長など)
(2)修正対象とするフォトマスクに関する設定条件(転写用パターンの設計デザインや膜の光学物性、補助パターンに生じた欠陥の位置や欠陥面積など)
(3)被転写体表面に用いるフォトレジスト膜の素材や特性及び膜厚
修正工程40について説明する。第1フォトマスクについて、上記シミュレーションによって修正転写用パターンの形状が特定されたら、該形状に基づいて欠陥転写用パターンの主パターンに対して修正を施し、上記のX−CDがXm2、Y−CDがYm2となるように主パターンを形成する。
0.9Xp1≦Xp2≦1.1Xp1 ・・・式(21)
0.9Yp1≦Yp2≦1.1Yp1 ・・・式(22)
を満たせば、本発明の作用効果が十分に得られる。すなわち、上記範囲のXp2及びYp2により、表示装置製造において実質的な問題は生じない。
上記の修正方法により、欠陥を生じた補助パターンに対する直接的な修正を行うことなく、フォトマスクの性能を回復することができる。
。図9の欠陥例3は、実施例2にて説明した修正方法で特定した修正転写用パターンに関するものである。
30≦T4≦80 ・・・式(23)
であることが好ましく、より好ましくは、
40≦T4≦70 ・・・式(24)
であるとよい。
140≦φ2<220 ・・・式(25)
であることが好ましい。この修正膜542は、
φ2<160 ・・・式(26)
あるいは、
φ2>200 ・・・式(27)
である場合がある。
本発明は、上記修正方法を含む、フォトマスクの製造方法を含む。例えば、第1フォトマスクは、透明基板上に半透光膜及び低透光膜をこの順に積層し、レジスト膜を塗布したフォトマスクブランクを用意し、それぞれの膜に対して描画、現像、エッチングを適用したフォトリソグラフィを適用することにより、製造することができる。描画に際しては、例えば、レーザ描画装置を用いることができる。
また、本発明は、上記修正方法によって修正を施したフォトマスクを用意し、これをi線、h線、及びg線の少なくとも一つを含む露光光を用意したフォトマスクに照射して、被転写体上にパターン転写を行なうことを含む、表示装置の製造方法である。i線、h線及びg線の全てを含むブロードな波長の露光光を用いて転写を行なってもよい。
さらに、本発明は上記修正方法によって修正を施したフォトマスクを含む。すなわち、例えば第1フォトマスク又は第2フォトマスクが有する修正転写用パターンは、主パターンに修正が施された結果として、その透光部(低透光膜に形成された開口)のエッジに、少なくとも部分的に上記補充膜の断面を有するものである。すなわち、修正転写用パターンは、レーザザッピング断面又はイオンビームエッチング断面を持つことができる。
3、5 :欠陥転写用パターン
4、6 :修正転写用パターン
11、51 :(修正前の)主パターン
12、22、52 :補助パターン
13 :低透光部
14、54 :黒欠陥
15 :透明基板
16 :半透光膜
17 :低透光膜
18、58 :補充膜
30 :特定工程
40 :修正工程
50 :予備加工
60 :予備修正
81、82 :欠陥類型
91、92 :予備修正類型
111、511、512 :(修正後の)主パターン
541 :白欠陥
542、911、912 :修正膜
Claims (27)
- 透明基板上に、転写用パターンを備えるフォトマスクの、前記転写用パターンに生じた欠陥を修正するフォトマスクの修正方法であって、
前記転写用パターンは、露光装置を用いた露光によって被転写体上に所望のCD値を持つホールパターンを形成するものであって、
透光部からなる主パターンと、
前記主パターンの近傍に配置され、前記露光装置によって解像されない幅を持つ補助パターンと、
前記主パターンと前記補助パターンを除いた領域に形成される低透光部と、を含み、
前記補助パターンは、露光光に含まれる代表波長の光に対する透過率T1(%)を有するとともに、
前記補助パターンの透過光は、前記主パターンの透過光に対して、前記代表波長の光に対する略180度の位相差を有し、
前記低透光部は、前記代表波長の光に対する透過率T2(%)(ただし、T2<T1)を持ち、
前記補助パターンに欠陥が生じたとき、前記主パターンのCD値を増減することにより、前記露光装置により露光した場合に、被転写体上に前記所望のCD値を持つ前記ホールパターンを形成するような、修正転写用パターンの形状を特定する特定工程と、
前記特定工程で得られた形状に基づいて、前記主パターンのCD値を増減する修正加工を施す修正工程と、を有することを特徴とする、フォトマスクの修正方法。 - 透明基板上に、転写用パターンを備えるフォトマスクの、前記転写用パターンに生じた欠陥を修正するフォトマスクの修正方法であって、
前記転写用パターンは、露光装置を用いた露光によって被転写体上にX−CDがXp1(μm)、Y−CDがYp1(μm)であるホールパターンを形成するものであって、
X−CDがXm1(μm)、Y−CDがYm1(μm)である透光部からなる、主パターンと、
前記主パターンの近傍に配置され、前記露光装置によって解像されない幅d(μm)を持つ補助パターンと、
前記主パターンと前記補助パターンを除いた領域に形成される低透光部と、を含み、
前記補助パターンは、露光光に含まれる代表波長の光に対する透過率T1(%)を有するとともに、
前記補助パターンの透過光は、前記主パターンの透過光に対して、前記代表波長の光に対する略180度の位相差を有し、
前記低透光部は、前記代表波長の光に対する透過率T2(%)(ただし、T2<T1)を持ち、
前記補助パターンに欠陥が生じたとき、前記主パターンのX−CD及びY−CDの少なくとも一方を増減して、X−CDがXm2(μm)、Y−CDがYm2(μm)であるような主パターンを持つ修正転写用パターンであって、該修正転写用パターンを前記露光装置により露光した場合に、被転写体上にX−CDがXp1に等しく、Y−CDがYp1に等しいホールパターンを形成する修正転写用パターンの形状を特定する、特定工程と、
前記特定工程で得られた形状に基づいて、前記主パターンのX−CD及びY−CDの少なくとも一方を増減する修正加工を施す、修正工程と、を有することを特徴とする、フォトマスクの修正方法。 - 前記特定工程は、前記修正転写用パターンを前記露光装置により露光した場合に、被転写体上にX−CDがXp1に等しく、Y−CDがYp1に等しいホールパターンを形成するための、Xm2とYm2の組合せを算出する、算出工程を含むことを特徴とする、請求項2に記載のフォトマスクの修正方法。
- 前記特定工程に先立ち、前記補助パターンに対する複数の欠陥類型と、該欠陥類型の各々に対して予め算出され、対応づけられたXm2とYm2の組合せを参照する、類型参照工程を有し、
前記特定工程では、前記複数の欠陥類型から、前記欠陥に対応する欠陥類型を選定し、選定した前記欠陥類型に対応づけられたXm2とYm2の組合せに基づき、前記修正転写用パターンの形状を特定することを特徴とする、請求項2に記載のフォトマスクの修正方法。 - 前記補助パターンは、前記主パターンの透過光に対して、前記代表波長の光に対する略180度の位相シフト作用をもつ半透光膜が、前記透明基板上に形成されてなることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載のフォトマスクの修正方法。
- 前記低透光部は、前記露光光を実質的に透過しないことを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載のフォトマスクの修正方法。
- 前記修正工程に先立ち、前記欠陥を生じた前記補助パターンに対して、低透光性の補充膜を用いた予備加工を行なって、残存する前記補助パターンの形状を整えることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載のフォトマスクの修正方法。
- 前記欠陥を生じた前記補助パターンに対し、位相シフト作用をもつ修正膜を用いる修正を施さないことを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載のフォトマスクの修正方法。
- 前記欠陥を生じた前記補助パターンに、半透光性の修正膜による予備修正を施すことを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載のフォトマスクの修正方法。
- 前記修正工程に先立ち、透光部からなる前記主パターンの領域全体に低透光性の補充膜を形成することを特徴とする、請求項1〜9のいずれか一項に記載のフォトマスクの修正方法。
- 前記欠陥は、黒欠陥であることを特徴とする、請求項1〜10のいずれか一項に記載のフォトマスクの修正方法。
- 前記欠陥は、白欠陥であり、前記特定工程後、前記修正工程に先立ち、欠陥を生じた前記補助パターンに対して、半透光性の修正膜による予備修正を施すことを特徴とする、請求項1〜10のいずれか一項に記載のフォトマスクの修正方法。
- 前記欠陥は黒欠陥であり、かつ、前記黒欠陥は、前記転写用パターンの前記補助パターンに生じた白欠陥に対し、低透光性の補充膜を形成して生成した黒欠陥であることを特徴とする、請求項1〜10のいずれか一項に記載のフォトマスクの修正方法。
- 前記修正工程では、前記露光装置を用いた露光によって被転写体上にX−CDがXp2(μm)、かつY−CDがYp2(μm)であるホールパターンを形成する、修正転写用パターンを形成し、
前記修正転写用パターンは、下記の式を両方とも満たすことを特徴とする、請求項2〜13のいずれか一項に記載のフォトマスクの修正方法。
0.9Xp1≦Xp2≦1.1Xp1
0.9Yp1≦Yp2≦1.1Yp1 - 前記転写用パターンにおいて、
前記主パターンは、前記透明基板の表面が露出してなり、
前記補助パターンは、前記透明基板上に、前記代表波長に対する透過率Tf(%)を持つ半透光膜が形成されてなるとともに、前記半透光膜は、前記代表波長に対する位相シフト量φ1(度)を有し、
30≦Tf≦80(%)であるとともに、φ1が略180(度)であることを特徴とする、請求項1〜14のいずれか一項に記載のフォトマスクの修正方法。 - 前記転写用パターンにおいて、前記補助パターンは、前記主パターンの近傍に前記低透光部を介して配置されることを特徴とする、請求項1〜15のいずれか一項に記載のフォトマスクの修正方法。
- 前記転写用パターンにおいて、前記補助パターンは、前記主パターンの周囲を、前記低透光部を介して囲む、正多角形帯又は円形帯であることを特徴とする、請求項1〜16のいずれか一項に記載のフォトマスクの修正方法。
- 下記の式を両方とも満たすことを特徴とする、請求項2〜17のいずれか一項に記載のフォトマスクの修正方法。
0.8 ≦ Xm1 ≦ 4.0
0.8 ≦ Ym1 ≦ 4.0 - 前記転写用パターンにおいて、前記補助パターンは、前記主パターンの周囲を、前記低透光部を介して囲む、幅dのパターンとして形成されるとともに、下記の式を満たすことを特徴とする、請求項1〜18のいずれか一項に記載のフォトマスクの修正方法。
- 下記の式を両方とも満たすことを特徴とする、請求項2〜18のいずれか一項に記載のフォトマスクの修正方法。
0.8 ≦ Xp1 ≦ 4.0
0.8 ≦ Yp1 ≦ 4.0 - 前記転写用パターンにおいて、前記補助パターンは、前記主パターンの周囲を、前記低透光部を介して囲む、幅dのパターンとして形成され、前記主パターンの幅方向の中心と、前記補助パターンの幅方向の中心との間隔をP(μm)とするとき、
下記の式を満たすことを特徴とする、請求項1〜21のいずれか一項に記載のフォトマスクの修正方法。
1.0<P≦5.0 - 前記転写用パターンにおいて、前記補助パターンは、前記主パターンの周囲を、前記低透光部を介して囲む、幅dのパターンとして形成され、前記補助パターンの形状は、前記主パターンの形状の重心位置に重心を持つ多角形帯であることを特徴とする、請求項1〜21のいずれか一項に記載のフォトマスクの修正方法。
- 前記ホールパターンは、孤立ホールパターンであることを特徴とする、請求項1〜22のいずれか一項に記載のフォトマスクの修正方法。
- 請求項1〜23のいずれか一項に記載のフォトマスクの修正方法を含む、フォトマスクの製造方法。
- 請求項24に記載の製造方法により得られたフォトマスクを用意する工程と、
i線、h線、及びg線の少なくとも一つを含む露光光を前記修正転写用パターンに照射して、前記被転写体上にパターン転写を行なうことを含む、表示装置の製造方法。 - 透明基板上に、ホールパターンを形成するための転写用パターン、及び、前記転写用パターンに生じた欠陥に修正が施された修正転写用パターンを含む修正フォトマスクであって、
前記転写用パターンは、露光装置を用いた露光によって被転写体上にX−CDがXp1(μm)、Y−CDがYp1(μm)であるホールパターンを形成するものであって、
X−CDがXm1(μm)、Y−CDがYm1(μm)である透光部からなる、主パターンと、
前記主パターンの近傍に配置され、前記露光装置によって解像されない幅d(μm)を持つ補助パターンと、
前記主パターンと前記補助パターンを除いた領域に形成される低透光部と、を含み、
前記補助パターンは、露光光に含まれる代表波長の光に対する透過率T1(%)を有するとともに、
前記補助パターンの透過光は、前記主パターンの透過光に対して、前記代表波長の光に対する略180度の位相差を有し、
前記低透光部は、前記代表波長の光に対する透過率T2(%)(ただし、T2<T1)を持ち、
前記修正転写用パターンに含まれる修正主パターンは、前記転写用パターンの主パターンが低透光性の補充膜によって加工されることにより、X−CDがXm2(μm)、YCDがYm2(μm)(ただし、Xm1=Xm2かつYm1=Ym2である場合を除く)である透光部からなり、
前記修正転写用パターンに含まれる修正補助パターンは、前記修正主パターンを、前記低透光部を介して囲む正多角形帯又は円形帯の一部の領域を構成するとともに、前記正多角形帯又は円形帯の前記一部を除く領域には、低透光膜、又は前記低透光膜と素材が異なる低透光性の補充膜が形成され、
前記修正転写用パターンは、露光装置を用いた露光によって被転写体上にX−CDがXp2(μm)、Y−CDがYp2(μm)であるホールパターンを形成するものであり、
下記の式を両方とも満たすことを特徴とする、修正フォトマスク。
0.9Xp1≦Xp2≦1.1Xp1
0.9Yp1≦Yp2≦1.1Yp1 - 前記修正補助パターンは、前記正多角形帯又は円形帯の前記一部を除く領域に、半透光性の修正膜による修正半透光部を有することを特徴とする、請求項26に記載の修正フォトマスク。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019041557 | 2019-03-07 | ||
JP2019041557 | 2019-03-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020149047A true JP2020149047A (ja) | 2020-09-17 |
JP7437959B2 JP7437959B2 (ja) | 2024-02-26 |
Family
ID=72382591
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020020499A Active JP7437959B2 (ja) | 2019-03-07 | 2020-02-10 | 修正フォトマスク、及び表示装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7437959B2 (ja) |
KR (1) | KR102349891B1 (ja) |
CN (1) | CN111665680B (ja) |
TW (1) | TWI755683B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114564908A (zh) * | 2022-01-25 | 2022-05-31 | 深圳晶源信息技术有限公司 | 一种设计版图缺陷修复方法、存储介质及设备 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009186841A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Fujitsu Microelectronics Ltd | フォトマスクの製造方法、フォトマスク製造装置及びフォトマスク |
JP2011221499A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-11-04 | Nuflare Technology Inc | 欠陥推定装置および欠陥推定方法並びに検査装置および検査方法 |
JP2016071059A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | Hoya株式会社 | フォトマスク及び表示装置の製造方法 |
JP2019032520A (ja) * | 2017-08-07 | 2019-02-28 | Hoya株式会社 | フォトマスクの修正方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスク及び表示装置の製造方法 |
JP2019053288A (ja) * | 2017-09-12 | 2019-04-04 | Hoya株式会社 | フォトマスクの修正方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスク及び表示装置の製造方法 |
JP2020046484A (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-26 | キオクシア株式会社 | 修正パターン生成装置、パターン欠陥修正システム、修正パターン生成方法、及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4354166B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2009-10-28 | 大日本印刷株式会社 | マスクの製造におけるクリチカル寸法の露呈後の修正方法 |
JP3993125B2 (ja) * | 2003-04-01 | 2007-10-17 | Hoya株式会社 | グレートーンマスクの欠陥修正方法 |
JP5037262B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2012-09-26 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | 多階調フォトマスクの欠陥修正方法及び欠陥が修正された多階調フォトマスク |
JP2012073553A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-12 | Hoya Corp | フォトマスクの欠陥修正方法、フォトマスクの製造方法、及びフォトマスク、並びにパターン転写方法 |
JP5900773B2 (ja) * | 2010-11-05 | 2016-04-06 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
JP6167568B2 (ja) * | 2013-03-07 | 2017-07-26 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクの欠陥修正方法、及びフォトマスクの製造方法 |
KR102398583B1 (ko) * | 2015-11-06 | 2022-05-17 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
-
2020
- 2020-02-10 JP JP2020020499A patent/JP7437959B2/ja active Active
- 2020-02-14 TW TW109104655A patent/TWI755683B/zh active
- 2020-02-28 KR KR1020200025189A patent/KR102349891B1/ko active IP Right Grant
- 2020-03-04 CN CN202010141996.3A patent/CN111665680B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009186841A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Fujitsu Microelectronics Ltd | フォトマスクの製造方法、フォトマスク製造装置及びフォトマスク |
JP2011221499A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-11-04 | Nuflare Technology Inc | 欠陥推定装置および欠陥推定方法並びに検査装置および検査方法 |
JP2016071059A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | Hoya株式会社 | フォトマスク及び表示装置の製造方法 |
JP2019032520A (ja) * | 2017-08-07 | 2019-02-28 | Hoya株式会社 | フォトマスクの修正方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスク及び表示装置の製造方法 |
JP2019053288A (ja) * | 2017-09-12 | 2019-04-04 | Hoya株式会社 | フォトマスクの修正方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスク及び表示装置の製造方法 |
JP2020046484A (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-26 | キオクシア株式会社 | 修正パターン生成装置、パターン欠陥修正システム、修正パターン生成方法、及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111665680B (zh) | 2023-11-28 |
KR20200107811A (ko) | 2020-09-16 |
CN111665680A (zh) | 2020-09-15 |
KR102349891B1 (ko) | 2022-01-10 |
JP7437959B2 (ja) | 2024-02-26 |
TWI755683B (zh) | 2022-02-21 |
TW202036154A (zh) | 2020-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1832926B1 (en) | Photomask blank and photomask making method | |
TWI655670B (zh) | 顯示裝置製造用相偏移光罩基底、顯示裝置製造用相偏移光罩及其製造方法、以及顯示裝置之製造方法 | |
US8417018B2 (en) | Method for inspecting and judging photomask blank or intermediate thereof | |
CN109491193B (zh) | 光掩模及其修正方法、制造方法、显示装置的制造方法 | |
JP2566048B2 (ja) | 光露光用マスク及びその製造方法 | |
JP6642493B2 (ja) | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク | |
JP6524614B2 (ja) | マスクブランクス、ネガ型レジスト膜付きマスクブランクス、位相シフトマスク、およびそれを用いるパターン形成体の製造方法 | |
WO2007074806A1 (ja) | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 | |
JP2011215226A (ja) | 多階調フォトマスク、多階調フォトマスクの製造方法、多階調フォトマスク用ブランク及びパターン転写方法 | |
JPH08272071A (ja) | 位相シフトマスクとその製造方法、ならびにマスクブランク | |
JP7123679B2 (ja) | フォトマスクの修正方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスク及び表示装置の製造方法 | |
JP3993005B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法、並びにパターン転写方法 | |
JP2017033004A (ja) | 表示装置製造用フォトマスク、該フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法 | |
KR20170123610A (ko) | 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크, 위상 시프트 마스크의 제조방법 및 반도체 디바이스의 제조방법 | |
US11022875B2 (en) | Mask blank, phase shift mask, and method of manufacturing semiconductor device | |
US11314161B2 (en) | Mask blank, phase shift mask, and method of manufacturing semiconductor device | |
JP2020024406A (ja) | フォトマスク修正方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスク、及び表示装置用デバイスの製造方法 | |
JP2011027878A (ja) | 多階調フォトマスク、多階調フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法 | |
JP7437959B2 (ja) | 修正フォトマスク、及び表示装置の製造方法 | |
JP2004004791A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク | |
TWI827878B (zh) | 光罩基底、相偏移光罩及半導體裝置之製造方法 | |
TWI465838B (zh) | 多色調光罩、光罩基底及圖案轉印方法 | |
JP7154572B2 (ja) | マスクブランク、転写用マスク、及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP5362388B2 (ja) | フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法 | |
KR20090016113A (ko) | 하프톤 블랭크마스크, 이를 이용한 하프톤 슬릿 마스크 및그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7426 Effective date: 20200306 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20200306 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220902 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230518 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230609 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230802 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231011 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231122 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240213 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7437959 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |