JP2019032520A - フォトマスクの修正方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスク及び表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
透明基板上に、遮光膜及び半透光膜がそれぞれパターニングされて形成された、透光部、遮光部、及び幅d1(μm)の半透光部を有する転写用パターンを備えたフォトマスクの修正方法であって、
前記半透光部に生じた欠陥を特定する工程と、
特定された前記欠陥の位置に修正膜を形成して、幅d2(μm)をもつ修正半透光部を形成する、修正膜形成工程と、を有する修正方法において、
d1<3.0であり、
前記半透光膜は、露光光に含まれる代表波長に対して透過率T1(%)を有するとともに、前記代表波長の光の位相を、略180度シフトする位相シフト特性をもち、
前記修正膜は、前記代表波長に対して、透過率T2(%)を有するとともに、前記代表波長の光の位相を略180度シフトする位相シフト特性をもち、
T2>T1かつd2<d1であるか、又は、
T2<T1かつd2>d1であることを特徴とする、フォトマスクの修正方法である。
(第2の態様)
本発明の第2の態様は、
d1およびd2は、前記フォトマスクを露光する露光装置が解像しない寸法であることを特徴とする、上記第1の態様に記載のフォトマスクの修正方法である。
(第3の態様)
本発明の第3の態様は、
前記半透光部は、前記透光部の近傍に、前記遮光部を介して配置されたものであることを特徴とする、上記第1又は第2の態様に記載のフォトマスクの修正方法である。
(第4の態様)
本発明の第4の態様は、
T2>T1であり、T1とT2の差は、2〜45の範囲であることを特徴とする、上記第1〜第3の態様のいずれか1つに記載のフォトマスクの修正方法である。
(第5の態様)
本発明の第5の態様は、
d2<d1であり、d1とd2の差は、0.05〜2.0であることを特徴とする、上記第1〜第4の態様のいずれか1つに記載のフォトマスクの修正方法である。
(第6の態様)
本発明の第6の態様は、
前記修正膜形成工程の前または後に、前記修正半透光部に隣接する位置に、遮光性の補充膜を形成することを特徴とする、上記第1〜第5の態様のいずれか1つに記載のフォトマスクの修正方法である。
(第7の態様)
本発明の第7の態様は、
前記半透光部は、前記透光部の近傍に前記遮光部を介して配置され、前記透光部を透過する前記露光光が被転写体上に形成する光強度分布を変化させることにより、焦点深度を増加させるための補助パターンを構成することを特徴とする、上記第1〜第6の態様のいずれか1つに記載のフォトマスクの修正方法である。
(第8の態様)
本発明の第8の態様は、
前記修正方法を適用する前記転写用パターンは、被転写体上にホールパターンを形成するためのものであり、
前記透光部からなる、径W1(μm)の主パターンと、
前記主パターンの近傍に、前記遮光部を介して配置された、前記半透光部からなる、幅d1(μm)の補助パターンと、
前記主パターン及び前記補助パターンを除いた領域にあって、前記主パターン及び前記補助パターンを囲む遮光部を含むことを特徴とする、上記第1〜第7の態様のいずれか1つに記載のフォトマスクの修正方法である。
(第9の態様)
本発明の第9の態様は、
前記補助パターンは、前記遮光部を介して主パターンの周囲を囲む、多角形帯又は円形帯の領域であることを特徴とする、上記第8の態様に記載のフォトマスクの修正方法である。
(第10の態様)
本発明の第10の態様は、
前記主パターンの幅中心と前記補助パターンの幅中心との距離を距離P1とし、前記主パターンの幅中心と、前記修正半透光部からなる修正補助パターンの幅中心との距離をP2とするとき、P1=P2であることを特徴とする、上記第8又は第9の態様に記載のフォトマスクの修正方法である。
(第11の態様)
本発明の第11の態様は、
前記転写用パターンは、表示装置製造用のパターンである、上記第1〜第10の態様のいずれか1つに記載のフォトマスクの修正方法である。
(第12の態様)
本発明の第12の態様は、
上記第1〜第11の態様のいずれか1つに記載のフォトマスクの修正方法を含む、フォトマスクの製造方法である。
(第13の態様)
本発明の第13の態様は、
透明基板上に透光部、遮光部、及び半透光部を含む転写用パターンを有するフォトマスクにおいて、
前記転写用パターンは、
前記透明基板が露出する前記透光部と、
前記透明基板上に、幅d1(μm)の半透光膜が形成されてなる前記半透光部と、
前記透光部と前記半透光部を除いた領域にある前記遮光部を含むとともに、
前記透明基板上に、前記半透光膜と異なる材料を含む、幅d2(μm)の修正膜が形成されてなる、修正半透光部を含み、
d1<3.0であり、
前記半透光膜は、露光光に含まれる代表波長に対して透過率T1(%)を有するとともに、前記代表波長の光の位相を、略180度シフトする位相シフト特性をもち、
前記修正膜は、前記代表波長に対して、透過率T2(%)を有するとともに、前記代表波長の光の位相を略180度シフトする位相シフト特性をもち、
T2>T1かつd2<d1であるか、又は、
T2<T1かつd2>d1であることを特徴とする、フォトマスクである。
(第14の態様)
本発明の第14の態様は、
透明基板上に透光部、遮光部、及び半透光部を含む転写用パターンを有するフォトマスクであって、
前記転写用パターンは、正常な転写用パターンと、修正された転写用パターンとを有し、
前記正常な転写用パターンは、
前記透明基板が露出する前記透光部と、
前記透明基板上に半透光膜が形成されてなり、前記透光部の近傍に、前記遮光部を介して配置された、幅d1(μm)をもつ前記半透光部と、
前記透光部と前記半透光部を除いた領域にある前記遮光部を含み、
前記修正された転写用パターンは、
前記透明基板が露出する前記透光部と、
前記透明基板上に、前記半透光膜と異なる材料を含む修正膜が形成されてなり、前記透光部の近傍に、前記遮光部又は補充遮光部を介して配置された、幅d2(μm)をもつ修正半透光部と、
前記透光部と前記修正半透光部を除いた領域にある前記遮光部を含み、
d1<3.0であり、
前記半透光膜は、露光光に含まれる代表波長に対して透過率T1(%)を有するとともに、前記代表波長の光の位相を、略180度シフトする位相シフト特性をもち、
前記修正膜は、前記代表波長に対して、透過率T2(%)を有するとともに、前記代表波長の光の位相を、略180度シフトする位相シフト特性をもち、
T2>T1かつd2<d1であるか、又は、
T2<T1かつd2>d1であることを特徴とする、フォトマスクである。
(第15の態様)
本発明の第15の態様は、
透明基板上に透光部、遮光部、及び半透光部を含む転写用パターンを有するフォトマスクであって、
前記転写用パターンは、
前記透光部からなる、径W1(μm)の主パターンと、
前記透明基板上に半透光膜が形成されてなり、前記主パターンの近傍に、前記遮光部を介して配置された、前記半透光部からなる、幅d1(μm)の補助パターンと、
前記主パターンと補助パターンを除いた領域にある、前記遮光部を含むとともに、
前記透明基板上に、前記半透光膜と異なる材料を含む修正膜が形成されてなり、前記主パターンの近傍に、前記遮光部を介して配置された、修正半透光部からなる幅d2(μm)の修正補助パターンを含み、
d1<3.0であり、
前記半透光膜は、露光光に含まれる代表波長に対して透過率T1(%)を有するとともに、前記代表波長の光の位相を、略180度シフトする位相シフト特性をもち、
前記修正膜は、前記代表波長に対して、透過率T2(%)を有するとともに、前記代表波長の光の位相を、略180度シフトする位相シフト特性をもち、
T2>T1かつd2<d1であるか、又は、
T2<T1かつd2>d1であることを特徴とする、フォトマスクである。
(第16の態様)
本発明の第16の態様は、
透明基板上に透光部、遮光部、及び半透光部を含む転写用パターンを有するフォトマスクであって、
前記転写用パターンは、正常な転写用パターンと、修正された転写用パターンとを有し、
前記正常な転写用パターンは、
前記透光部からなる、径W1(μm)の主パターンと、
前記透明基板上に半透光膜が形成されてなり、前記主パターンの近傍に、前記遮光部を介して配置された、前記半透光部からなる、幅d1(μm)の補助パターンと、
前記主パターンと補助パターンを除いた領域にある、前記遮光部を含み、
前記修正された転写用パターンは、
前記透光部からなる、径W1(μm)の主パターンと、
前記透明基板上に、前記半透光膜と異なる材料を含む修正膜が形成されてなり、前記主パターンの近傍に、前記遮光部又は補充遮光部を介して配置された、修正半透光部からなる、幅d2(μm)の修正補助パターンと、
前記主パターンと前記修正補助パターンを除いた領域にある、前記遮光部を含み、
d1<3.0であり、
前記半透光膜は、露光光に含まれる代表波長に対して透過率T1(%)を有するとともに、前記代表波長の光の位相を、略180度シフトする位相シフト特性をもち、
前記修正膜は、前記代表波長に対して、透過率T2(%)を有するとともに、前記代表波長の光の位相を、略180度シフトする位相シフト特性をもち、
T2>T1かつd2<d1であるか、又は、
T2<T1かつd2>d1であることを特徴とする、フォトマスクである。
(第17の態様)
本発明の第17の態様は、
前記主パターンの幅中心と前記補助パターンの幅中心との距離を距離P1とし、前記主パターンの幅中心と、前記修正補助パターンの幅中心との距離をP2とするとき、P1=P2であることを特徴とする、上記第15又は第16の態様に記載のフォトマスクである。
(第18の態様)
本発明の第18の態様は、
前記補助パターンは、前記遮光部を介して主パターンの周囲を囲む、多角形帯又は円形帯の領域に含まれる形状をもつことを特徴とする、上記第15〜第17の態様のいずれか1つに記載のフォトマスクである。
(第19の態様)
本発明の第19の態様は、
前記幅d1(μm)の補助パターンは、前記遮光部を介して主パターンの周囲を囲む、八角形帯の領域の一部を構成し、前記修正補助パターンは、前記八角形帯の領域に含まれる形状をもつ、上記第15の態様に記載のフォトマスクである。
(第20の態様)
本発明の第20の態様は、
前記半透光部は、前記透光部の近傍に、前記遮光部を介して配置され、前記透光部を透過する前記露光光が被転写体上に形成する転写像に対して、焦点深度を増加させるための補助パターンであることを特徴とする、上記第13〜第19の態様のいずれか1つに記載のフォトマスクである。
(第21の態様)
本発明の第21の態様は、
d1およびd2は、前記フォトマスクを露光する露光装置が解像しない寸法であることを特徴とする、上記第13〜第20の態様のいずれか1つに記載のフォトマスクである。
(第22の態様)
本発明の第22の態様は、
前記転写用パターンは、前記修正半透光部に隣接する位置に、遮光性の補充膜からなる補充遮光部を有することを特徴とする、上記第13〜第21の態様のいずれか1つに記載のフォトマスクである。
(第23の態様)
本発明の第23の態様は、
T2>T1であり、T1とT2の差は、2〜45の範囲であることを特徴とする、上記第13〜第22の態様のいずれか1つに記載のフォトマスクである。
(第24の態様)
本発明の第24の態様は、
d2<d1であり、d1とd2の差は、0.05〜2.0であることを特徴とする、上記第13〜第23の態様のいずれか1つに記載のフォトマスクである。
(第25の態様)
本発明の第25の態様は、
前記転写用パターンは、被転写体上にホールパターンを形成するためのものである、上記第13〜第24の態様のいずれか1つに記載のフォトマスクである。
(第26の態様)
本発明の第26の態様は、
上記第13〜第25の態様のいずれか1つに記載のフォトマスクを用い、i線、h線、g線のいずれかを含む露光光を前記転写用パターンに照射して、被転写体上にパターン転写を行なうことを含む、表示装置の製造方法である。
図1(a)、(b)には、本発明の修正方法を適用する一態様としてのフォトマスク(以下、フォトマスクI)を例示する。なお、符号は初出のもののみに付し、以降は省略する。
ここで、前記主パターン及び前記補助パターンを囲む遮光部とは、図1に示すように、前記主パターンに隣接してそれを囲む領域、及び前記補助パターンに隣接してそれを囲む領域とを含む遮光部である。すなわち、フォトマスクIでは、主パターン及び補助パターンが形成された領域以外の領域からなる遮光部が形成されている。
尚、ここでいう、転写用パターンは、設計上上記形状を有する転写用パターンを意味し、欠陥が生じることによって、上記形状が一部変化したもの(例えば、主パターンを囲む遮光部が一部途切れた場合など)を除外するものではない。
多くの位相シフトマスクにおいては、半透光部と透光部とが隣接する境界において、逆位相の透過光を干渉させてコントラストの向上等の効果を得るのに対し、フォトマスクIは、半透光部と透光部の間に遮光部を介在させて離間させ、双方の透過光の光強度分布における外縁側(振幅の正負が反転する)の干渉を用い、上記のメリットを得るものである。
0.8≦W1≦4.0 ・・・(1)
の関係となるようにすると本発明の効果がより有利に得られる。これは、径が0.8μm未満になると、被転写体上での解像が困難になること、及び、径が4.0μmを超えると、既存のフォトマスクによって比較的解像性が得やすいことに関係する。
0.6≦W2≦3.0
とすることができる。
1.0≦W1≦3.0
とすることができ、更には、
1.0≦W1<2.5
とすることができる。
そして、より微細な表示装置用転写用パターンを得る為に、
0.6≦W2<2.5
更には、
0.6≦W2<2.0
とすることも、可能である。
尚、径W1と径W2との関係を、W1=W2とすることもできるが、好ましくは、W1>W2とする。すなわち、β(μm)をバイアス値とするとき、
β=W1−W2>0(μm)
であるとき、
0.2≦β≦1.0、
より好ましくは、
0.2≦β≦0.8
とすることができる。フォトマスクIをこのように設計するとき、被転写体上における、レジストパターン残膜厚の損失を低減するなどの、有利な効果が得られる。
2≦T1≦95
このような半透光部透過率は、後述の、転写用パターンの光学像の制御を可能とする。
好ましくは、
20≦T1≦80
とする。
より好ましくは、
30≦T1≦70
更に好ましくは、
35≦T1≦65
である。尚、透過率T1(%)は、透明基板の透過率を基準としたときの、半透光膜における上記代表波長の透過率とする。この透過率は、後述のd1(補助パターンの幅)の設定と協調して、補助パターンを透過した、主パターンの透過光とは反転位相の光の光量を制御し、主パターンの透過光との干渉により、転写性を向上させる(例えばDOFを高める)作用に寄与するために、良好な範囲である。
0.5≦√(T1/100)×d1≦1.5 ・・・(2)
が成り立つときに、フォトマスクIの転写性に優れた効果が得られる。このとき、主パターンの幅の中心と、補助パターンの幅方向の中心の距離を距離P1(μm)とし、距離P1は、
1.0<P1≦5.0
の関係が成り立つことが好ましい。
より好ましくは、距離P1は、
1.5<P1≦4.5
更に好ましくは、
2.5<P1≦4.5
とすることができる。このような距離P1を選択することにより、補助パターンの透過光と、主パターンの透過光との干渉が良好に相互作用を及ぼし、これによってDOFなどの優れた作用か得られる。
d1<3.0
であり、好ましくは、
d1<2.5、
より好ましくは、
d1<2.0
更に好ましくは
d1<1.5
である。
d1≧0.7
より好ましくは、
d1≧0.8
とすることが好ましい。
また、d1<W1であることが好ましく、d1<W2であることがより好ましい。
そして、このような場合に、フォトマスクIの転写性が良好であるとともに、後述の修正工程が好適に用いられる。
0.7≦√(T1/100)×d1≦1.2 ・・・(2)−1
0.75≦√(T1/100)×d1≦1.0 ・・・(2)−2
すなわち、補助パターンを透過する反転位相の光量は、T1とd1のバランスが上記を充足するときに、優れた効果を奏する。
参考例1のフォトマスクは、上記フォトマスクIと同様の構成をもつフォトマスクである。ここで透光部からなる主パターンは、一辺(径)(すなわちW1)が2.0(μm)の正方形とし、半透光部からなる補助パターンの幅d1が1.3(μm)の八角形帯とし、主パターン中心と、補助パターンの幅中心との距離である距離P1は、3.25(μm)とした。
図2に示すように、参考例2のフォトマスクは、透明基板上に形成した遮光膜パターンからなる、いわゆるバイナリマスクのパターンを有する。このフォトマスクは、透明基板が露出する透光部からなる正方形の主パターンが、遮光部に囲まれている。主パターンの径W1(正方形の一辺)は2.0(μm)である。
例えば、径の小さい微細な透光パターンを転写するには、フォトマスク透過後の露光光が、被転写体上に形成する空間像による、透過光強度曲線のプロファイルが良くなければならない。具体的には、透過光強度のピークを形成する傾斜が鋭く、垂直に近い立ち上がり方をしていること、及び、ピークの光強度の絶対値が高いこと(周囲にサブピークが形成される場合には、その強度に対し相対的に、十分に高いこと)などが肝要である。
(1)焦点深度(Depths of Focus:DOF)
目標CDに対し、変動幅が所定範囲内(ここでは±15%の範囲内)となるための焦点深度の大きさ。DOFの数値が高ければ、被転写体(例えば表示装置用のパネル基板)の平坦度の影響を受けにくく、確実に微細なパターンが形成でき、そのCDばらつきが抑えられる。
(2)露光余裕度(EL:Exposure Latitude)
目標CDに対し、変動幅が所定範囲内(ここでは±15%の範囲内)となるための、露光光強度の余裕度。
以上をふまえ、シミュレーション対象の各サンプルの性能を評価すると、図3に示すとおり、参考例1のフォトマスクは、焦点深度(DOF)が、参考例2に比べて非常に優れている点で、パターンの安定した転写性を示す。
更に、参考例1のフォトマスクの露光に必要なDose値が参考例2に対して相当に小さい。このことは、実施例1のフォトマスクの場合には、大面積の表示装置製造にあっても、露光時間が増大しない、又は短縮できるメリットを示している。
以下、本発明の修正方法につき、上記フォトマスクIの補助パターン(半透光部)に生じた欠陥が検出された場合に、これを修正(リペア)する工程を例として説明する。
T2>T1かつd2<d1
又は、
T2<T1かつd2>d1
とすることができる。
但し、d2>d1の場合においても、幅d2は幅d1と同様に、フォトマスクを露光する露光装置の解像限界より小さい寸法であることが望ましい。具体的な寸法は、上記d1について述べたものと同様である。
以上の検証結果を元に、フォトマスクの修正方法を行なう工程の具体例を説明する。
上記参考例Iのフォトマスクの半透光部からなる補助パターンに黒欠陥が生じた場合について説明する。例えば、フォトマスクIが有する八角形帯の半透光部を、図6に示すように区画A〜Hに区分したとき、区画Aに黒欠陥が生じたことを検出した場合を想定する。すなわち、欠陥の種類と位置をここで特定する。
フォトマスクIの補助パターンに、白欠陥が生じた場合を、図8(a)に例示する。例えば、フォトマスクIが有する八角形帯の半透光部を、図6に示すように区画A〜Hに区分したとき、区画Aに白欠陥が生じたことを検出した場合を想定する。すなわち、欠陥の位置と種類がここで特定される。
初めに、図8(a)に示すように、必要に応じて、白欠陥の近傍の膜を除去することにより白欠陥の形状を調整してもよい。白欠陥の近傍の膜除去を行った部分の符号は19とする。また、生じた黒欠陥の余剰物を除去して形成された白欠陥を、本態様の修正対象とすることもできる。
そして、欠陥を含む領域に、補充膜16を形成し、人工的に黒欠陥を形成する(図8(b))。この後は、上記黒欠陥の修正方法(図7(a)(b)、(c))と同様に修正を行なう。
図9(a)には、図1(a)のパターンが同一面状に複数配置された転写用パターンにおいて、1つの主パターンに対する補助パターンが完全に欠落した黒欠陥を示す。また、この黒欠陥は、生じた黒欠陥の形状を整えて補充膜によって形成した黒欠陥であってもよく、また、生じた白欠陥を含む領域に補充膜を形成して得た黒欠陥であってもよい。
本発明は、上記の修正を施したフォトマスク(フォトマスクIIとする)を含む。
この転写用パターンは、
透明基板が露出した透光部と、
透明基板上に半透光膜が形成されてなり、幅d1(μm)をもつ半透光部と、
透光部と半透光部を除いた領域にある遮光部を含む。
半透光部は、透光部の近傍に、遮光部を介して配置されている。すなわち、半透光部と透光部の間には、遮光部が挟まれている。ここで、近傍とは、両者の透過光が互いに相互作用を生じて、光学像のプロファイルを変化させることができる距離にあることをいう。
図7(c)、図9(b)に示す転写用パターンでは、透光部が主パターン、半透光部が補助パターンを構成している。
好ましくは、φ2は、φ1±10、より好ましくはφ1±5の範囲内とすることができる。
T2>T1かつd2<d1であるか、又は、
T2<T1かつd2>d1
であるが、T2>T1かつd2<d1が好ましい。この場合に、膜厚の安定したCVD膜が得られやすい。
ここで言う「正常な転写用パターン」とは、1つのフォトマスク内において複数存在する図1(a)のパターンのうち黒欠陥や白欠陥が存在せず修正が行われなかったもの(例えば図9(b)下図)を指す。そして「修正された転写用パターン」とは、例えば図9(b)上図のように1つの主パターンに対する補助パターンが完全に欠落した状態のものに対する修正が行われたパターンを指す。
つまり、フォトマスクIIには、正常な転写用パターンと、上記のように補助パターンが完全に欠落した状態のものが修正された転写用パターンとが共に存在するようにしてもよい。
例えば、フォトマスクIIの製造方法とすることができる。
2…補助パターン
3…遮光部
4…透光部
5…半透光部
10…透明基板
11…半透光膜
12…遮光膜
12p…遮光膜パターン
13…第1フォトレジスト膜
13p…第1レジストパターン
14…第2フォトレジスト膜
14p…第2レジストパターン
15…修正膜
16…補充膜
17…黒欠陥の形状を補充膜で整えた部分
18…膜除去を行った部分
19…白欠陥の近傍の膜除去を行った部分
Claims (26)
- 透明基板上に、遮光膜及び半透光膜がそれぞれパターニングされて形成された、透光部、遮光部、及び幅d1(μm)の半透光部を有する転写用パターンを備えたフォトマスクの修正方法であって、
前記半透光部に生じた欠陥を特定する工程と、
特定された前記欠陥の位置に修正膜を形成して、幅d2(μm)をもつ修正半透光部を形成する、修正膜形成工程と、を有する修正方法において、
d1<3.0であり、
前記半透光膜は、露光光に含まれる代表波長に対して透過率T1(%)を有するとともに、前記代表波長の光の位相を、略180度シフトする位相シフト特性をもち、
前記修正膜は、前記代表波長に対して、透過率T2(%)を有するとともに、前記代表波長の光の位相を略180度シフトする位相シフト特性をもち、
T2>T1かつd2<d1であるか、又は、
T2<T1かつd2>d1であることを特徴とする、フォトマスクの修正方法。 - d1およびd2は、前記フォトマスクを露光する露光装置が解像しない寸法であることを特徴とする、請求項1に記載のフォトマスクの修正方法。
- 前記半透光部は、前記透光部の近傍に、前記遮光部を介して配置されたものであることを特徴とする、請求項1又は2に記載のフォトマスクの修正方法。
- T2>T1であり、T1とT2の差は、2〜45の範囲であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載のフォトマスクの修正方法。
- d2<d1であり、d1とd2の差は、0.05〜2.0であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のフォトマスクの修正方法。
- 前記修正膜形成工程の前または後に、前記修正半透光部に隣接する位置に、遮光性の補充膜を形成することを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載のフォトマスクの修正方法。
- 前記半透光部は、前記透光部の近傍に前記遮光部を介して配置され、前記透光部を透過する前記露光光が被転写体上に形成する光強度分布を変化させることにより、焦点深度を増加させるための補助パターンを構成することを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載のフォトマスクの修正方法。
- 前記修正方法を適用する前記転写用パターンは、被転写体上にホールパターンを形成するためのものであり、
前記透光部からなる、径W1(μm)の主パターンと、
前記主パターンの近傍に、前記遮光部を介して配置された、前記半透光部からなる、幅d1(μm)の補助パターンと、
前記主パターン及び前記補助パターンを除いた領域にあって、前記主パターン及び前記補助パターンを囲む遮光部を含むことを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載のフォトマスクの修正方法。 - 前記補助パターンは、前記遮光部を介して主パターンの周囲を囲む、多角形帯又は円形帯の領域であることを特徴とする、請求項8に記載のフォトマスクの修正方法。
- 前記主パターンの幅中心と前記補助パターンの幅中心との距離を距離P1とし、前記主パターンの幅中心と、前記修正半透光部からなる修正補助パターンの幅中心との距離をP2とするとき、P1=P2であることを特徴とする、請求項8又は9に記載のフォトマスクの修正方法。
- 前記転写用パターンは、表示装置製造用のパターンである、請求項1〜10のいずれか1項に記載のフォトマスクの修正方法。
- 請求項1〜11のいずれか1項に記載のフォトマスクの修正方法を含む、フォトマスクの製造方法。
- 透明基板上に透光部、遮光部、及び半透光部を含む転写用パターンを有するフォトマスクにおいて、
前記転写用パターンは、
前記透明基板が露出する前記透光部と、
前記透明基板上に、幅d1(μm)の半透光膜が形成されてなる前記半透光部と、
前記透光部と前記半透光部を除いた領域にある前記遮光部を含むとともに、
前記透明基板上に、前記半透光膜と異なる材料を含む、幅d2(μm)の修正膜が形成されてなる、修正半透光部を含み、
d1<3.0であり、
前記半透光膜は、露光光に含まれる代表波長に対して透過率T1(%)を有するとともに、前記代表波長の光の位相を、略180度シフトする位相シフト特性をもち、
前記修正膜は、前記代表波長に対して、透過率T2(%)を有するとともに、前記代表波長の光の位相を略180度シフトする位相シフト特性をもち、
T2>T1かつd2<d1であるか、又は、
T2<T1かつd2>d1であることを特徴とする、フォトマスク。 - 透明基板上に透光部、遮光部、及び半透光部を含む転写用パターンを有するフォトマスクであって、
前記転写用パターンは、正常な転写用パターンと、修正された転写用パターンとを有し、
前記正常な転写用パターンは、
前記透明基板が露出する前記透光部と、
前記透明基板上に半透光膜が形成されてなり、前記透光部の近傍に、前記遮光部を介して配置された、幅d1(μm)をもつ前記半透光部と、
前記透光部と前記半透光部を除いた領域にある前記遮光部を含み、
前記修正された転写用パターンは、
前記透明基板が露出する前記透光部と、
前記透明基板上に、前記半透光膜と異なる材料を含む修正膜が形成されてなり、前記透光部の近傍に、前記遮光部又は補充遮光部を介して配置された、幅d2(μm)をもつ修正半透光部と、
前記透光部と前記修正半透光部を除いた領域にある前記遮光部を含み、
d1<3.0であり、
前記半透光膜は、露光光に含まれる代表波長に対して透過率T1(%)を有するとともに、前記代表波長の光の位相を、略180度シフトする位相シフト特性をもち、
前記修正膜は、前記代表波長に対して、透過率T2(%)を有するとともに、前記代表波長の光の位相を、略180度シフトする位相シフト特性をもち、
T2>T1かつd2<d1であるか、又は、
T2<T1かつd2>d1であることを特徴とする、フォトマスク。 - 透明基板上に透光部、遮光部、及び半透光部を含む転写用パターンを有するフォトマスクであって、
前記転写用パターンは、
前記透光部からなる、径W1(μm)の主パターンと、
前記透明基板上に半透光膜が形成されてなり、前記主パターンの近傍に、前記遮光部を介して配置された、前記半透光部からなる、幅d1(μm)の補助パターンと、
前記主パターンと補助パターンを除いた領域にある、前記遮光部を含むとともに、
前記透明基板上に、前記半透光膜と異なる材料を含む修正膜が形成されてなり、前記主パターンの近傍に、前記遮光部を介して配置された、修正半透光部からなる幅d2(μm)の修正補助パターンを含み、
d1<3.0であり、
前記半透光膜は、露光光に含まれる代表波長に対して透過率T1(%)を有するとともに、前記代表波長の光の位相を、略180度シフトする位相シフト特性をもち、
前記修正膜は、前記代表波長に対して、透過率T2(%)を有するとともに、前記代表波長の光の位相を、略180度シフトする位相シフト特性をもち、
T2>T1かつd2<d1であるか、又は、
T2<T1かつd2>d1であることを特徴とする、フォトマスク。 - 透明基板上に透光部、遮光部、及び半透光部を含む転写用パターンを有するフォトマスクであって、
前記転写用パターンは、正常な転写用パターンと、修正された転写用パターンとを有し、
前記正常な転写用パターンは、
前記透光部からなる、径W1(μm)の主パターンと、
前記透明基板上に半透光膜が形成されてなり、前記主パターンの近傍に、前記遮光部を介して配置された、前記半透光部からなる、幅d1(μm)の補助パターンと、
前記主パターンと補助パターンを除いた領域にある、前記遮光部を含み、
前記修正された転写用パターンは、
前記透光部からなる、径W1(μm)の主パターンと、
前記透明基板上に、前記半透光膜と異なる材料を含む修正膜が形成されてなり、前記主パターンの近傍に、前記遮光部又は補充遮光部を介して配置された、修正半透光部からなる、幅d2(μm)の修正補助パターンと、
前記主パターンと前記修正補助パターンを除いた領域にある、前記遮光部を含み、
d1<3.0であり、
前記半透光膜は、露光光に含まれる代表波長に対して透過率T1(%)を有するとともに、前記代表波長の光の位相を、略180度シフトする位相シフト特性をもち、
前記修正膜は、前記代表波長に対して、透過率T2(%)を有するとともに、前記代表波長の光の位相を、略180度シフトする位相シフト特性をもち、
T2>T1かつd2<d1であるか、又は、
T2<T1かつd2>d1であることを特徴とする、フォトマスク。 - 前記主パターンの幅中心と前記補助パターンの幅中心との距離を距離P1とし、前記主パターンの幅中心と、前記修正補助パターンの幅中心との距離をP2とするとき、P1=P2であることを特徴とする、請求項15又は16に記載のフォトマスク。
- 前記補助パターンは、前記遮光部を介して主パターンの周囲を囲む、多角形帯又は円形帯の領域に含まれる形状をもつことを特徴とする、請求項15〜17のいずれか1項に記載のフォトマスク。
- 前記幅d1(μm)の補助パターンは、前記遮光部を介して主パターンの周囲を囲む、八角形帯の領域の一部を構成し、前記修正補助パターンは、前記八角形帯の領域に含まれる形状をもつ、請求項15に記載のフォトマスク。
- 前記半透光部は、前記透光部の近傍に、前記遮光部を介して配置され、前記透光部を透過する前記露光光が被転写体上に形成する転写像に対して、焦点深度を増加させるための補助パターンであることを特徴とする、請求項13〜19のいずれか1項に記載のフォトマスク。
- d1およびd2は、前記フォトマスクを露光する露光装置が解像しない寸法であることを特徴とする、請求項13〜20のいずれか1項に記載のフォトマスク。
- 前記転写用パターンは、前記修正半透光部に隣接する位置に、遮光性の補充膜からなる補充遮光部を有することを特徴とする、請求項13〜21のいずれか1項に記載のフォトマスク。
- T2>T1であり、T1とT2の差は、2〜45の範囲であることを特徴とする、請求項13〜22のいずれか1項に記載のフォトマスク。
- d2<d1であり、d1とd2の差は、0.05〜2.0であることを特徴とする、請求項13〜23のいずれか1項に記載のフォトマスク。
- 前記転写用パターンは、被転写体上にホールパターンを形成するためのものである、請求項13〜24のいずれか1項に記載のフォトマスク。
- 請求項13〜25のいずれか1項に記載のフォトマスクを用い、i線、h線、g線のいずれかを含む露光光を前記転写用パターンに照射して、被転写体上にパターン転写を行なうことを含む、表示装置の製造方法。
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