JP2020145413A

JP2020145413A - 拡散接合により接合された基体を含む、部品を静電的に保持するための保持装置、およびその製造方法

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Publication number: JP2020145413A
Application number: JP2020008768A
Authority: JP
Inventors: ホーシェラー，シュテファン; Hoescheler Stefan; キーフェン，ダーフィト; David Kieven; ツィーマン，マルセル; Ziemann Marcel; パムプッフ，カーステン; Pampuch Carsten
Original assignee: Berliner Glas KGaA Herbert Kubatz GmbH and Co
Current assignee: Berliner Glas KGaA Herbert Kubatz GmbH and Co
Priority date: 2019-01-23
Filing date: 2020-01-22
Publication date: 2020-09-10
Also published as: US20200234992A1; GB2581267A; GB2581267B; GB202000854D0; DE102019101657A1; US11201075B2

Abstract

【課題】半導体ウェハを静電的に保持するたもの保持装置において、幾何学的および熱的安定性を向上させる。【解決手段】特にウェハを静電的に保持するように適合された保持装置１００であって、接合接続を介して平面的に互いに接続された第１のペアの基体プレート１１、１２を含む電気絶縁基体１０と、静電保持力を生成し、接合接続に沿って基体プレート１１、１２の延伸部と平行に延びるように配置された、少なくとも１つの電極層２１を備えた電極装置２０を含む。接合接続は、拡散接合接続１３を含む。少なくとも１つの電極層２１は、それぞれ隣接する基体プレート１１、１２に平面的に接続され、少なくとも１つの電極層２１の電気的接触のために配置された接触部２２を有する。【選択図】図１

Description

本発明は、部品、特に半導体ウェハを静電的に保持する保持装置に関する。本発明は、保持装置の製造方法にも関する。本発明の用途は、静電力で部品を保持するための、例えばシリコンウェハ等の、特に半導体ウェハを保持するための機器またはツールの提供において利用可能である。

本明細書では、本発明の技術的背景を表す以下の先行技術を参照する：

米国特許第７０９２２３１Ｂ２号明細書米国特許第６８６４９５７Ｂ２号明細書米国特許出願公開第２０１５／０３４８８１６Ａ１号明細書米国特許第５９９８０４９Ａ号明細書米国特許出願公開第２０１１／０２８８６４８Ａ１号明細書米国特許出願公開第２０１１／０２８８６４８Ａ１号明細書欧州特許第７６４６７Ｂ１号明細書

O. M. Akselsenin "J. of Material Science" 27 (1992), 569 - 579. Dunbar P. Birne IIIin "J. of the American Ceram. S." C-33 - C-35 (2) (1986). Thomas J. Moore in "Material Science and Engineering" B 176. 60 - 64 (2011). Michael C. Halbig et al. Presentation "Diffusion Bonding of Silicon Carbide Ceramics Using Titanium Intermediate layer" NASA, 22.01.2006 (http://ntrs.nasa.gov/archive/nasa/casi.ntrs.nasa.gov/20060051742.pdf)

静電クランプ装置、静電クランプ（ＥＳＣ）または静電チャックとも呼ばれる静電保持装置は、一般に、部品を保持するための板状の基体と、静電保持力、または範囲に関しては静電クランプ圧力を生成するための電極装置と、を備えている（特許文献１，２参照）。基体は、例えば、プレートから一体的に、または複数の基体プレートによる複数層で構築することができる。電極装置は、例えば、基体プレートの間に埋め込まれ、絶縁領域によって互いに分離された、２つの薄い半円形の電極層を含むことができる。電極層に電圧が印加されると、クーロンの法則により、基体上の部品が引き付けられ、所定の位置に保持される。

例えば、半導体ウェハ、特にシリコンウェハを、例えばリソグラフィ露光、３Ｄウェハ接合、光学検査および／または他の製造ステップ等のチップ製造のさまざまな処理ステップ中に位置決めするために、静電クランプが使用されている。この用途では、基体には通常、少なくとも１つの表面に突出したバールが設けられ、その端面は、保持された部品の支持面（バール支持面）に広がる。

半導体ウェハを処理する場合、半導体ウェハの位置決めの精度に極めて厳しい要求が課せられる。半導体ウェハのリソグラフィ露光では、１０ｎｍまたは数１０ｎｍの線幅が生成される。その場合、必要な位置決め精度は数ｎｍである。別の課題は、２つ以上のウェハが接着され接触される、３Ｄウェハ接合である。Ｃｕベース等の金属はんだが、接触に使用される。はんだ接点間には非常に小さな距離が必要である。高い位置決め精度に加えて、ウェハ間で接点をはんだ付けできるようにするため、通常は２５０℃〜５００℃の範囲の高温安定性も要求される。

特に上記の要件により、高い幾何学的および熱的安定性を備えた静電クランプに関心がある。したがって、基体プレートは、典型的には、例えば窒化ケイ素、窒化アルミニウム、または酸化アルミニウム等のセラミック材料で作られている。これらは、特に良好な電気的特性、特に高耐電力、高比電気抵抗、高誘電率と、好ましい熱的および機械的特性とを兼ね備えている。熱特性とは、温度変動の場合でも半導体ウェハを横方向に保持する際に高い精度が保証されるよう、可能な限り高くする必要がある熱伝導率と、可能な限り低くする必要がある熱膨張と、である。機械的特性は、曲げ強度、硬度、破壊靭性である。

しかし、セラミック材料の使用は、クランプの製造と操作とにおいて困難な場合がある。いくつかの基体プレートを備えた多層静電クランプを製造し、特に基体プレートを相互にまた電極装置に接続するために、接合方法は、接着接合（例えば、特許文献３参照）、陽極接合、または導電層と非導電層との接合焼結が使用される。

接着接合は、硬化後も接着剤が重合し続けると、限られた範囲でのみ永久的な幾何学的安定性を保証するので、不利になる可能性がある。さらに、接着クランプの熱安定性には限界がある。したがって、接着クランプは、ウェハを保持する多くのアプリケーションに対し、限定的な適合性しか有さない。

陽極接合の欠点は、プロセスの熱処理条件と適切な材料の数とが限られていることに起因する可能性がある。接合パートナー間のガラス層は通常陽極接合に使用されるが、熱的に絶縁されているため、装置内の必要な熱流を大きく損なう。さらに、ガラスが比較的柔らかくて半導体ウェハによる摩耗にあまり耐性がないため、デバイスの精度が経年劣化し、電極として使用する場合、導電性ガラスはセラミック材料と比較して問題がある。

例えば、導電性層と非導電性層とを一緒に焼結する場合、タングステンまたはモリブデン製の金網をセラミックに焼結するか、または、例えば、導電性にするために、窒化ケイ素をケイ化モリブデンまたは窒化チタンでドープする（特許文献４参照）。次に、導電性および非導電性の窒化ケイ素の異なる層からクランプが作成される。これらの部品はホットプレスでドープパウダーと非ドープパウダーとを組み合わせて製造されるが、焼結中に事前に決定できない収縮が発生するため、クランプの製造精度は厳しく制限される。この欠点は、金網を備えた装置でも同じである。

複数の基体プレートを備えた従来のクランプの多層構造では、生産での再処理と長い引渡時間とのため、高コスト、制限された歩留まり、高い消費量、および高コストの、長くてほぼ完全に連続したプロセスチェーンになる。バールが柔らかい誘電材料（ガラス等）でできている場合、セラミックバールよりも耐摩耗性が低くなる。この場合、摩耗保護層を追加して適用すると製造の労力が増加し、定期的なサイクルでの更新が必要になる。

言及された問題は、半導体ウェハを保持するための保持装置だけでなく、他の適用、例えば、ガラスプレートを保持するための保持装置でも起こりうる。

高強度接合を生成するための一般的に知られているもう１つの接合方法は、拡散接合であり、この接合では、プレート、ディスク、または他のセラミック部品が圧力と熱との元で一軸ホットプレスで互いに接続される（例えば、特許文献５、非特許文献１参照）。材料の拡散率に応じて、異なる表面品質、温度、圧力を使用できる。固有拡散が低い材料の拡散接合（非特許文献３参照）は、中間層（拡散接合層）でサポートすることができる（例えば、特許文献６、特許文献７、非特許文献３、非特許文献４参照）。これまで、拡散接合の適用は、非常に高い平面性を備えた単純な非構造化表面と接合パートナーとの接続に限定されていた。

本発明の目的は、従来技術の欠点が回避された、部品、特に半導体ウェハを静電的に保持するための改良された保持装置を提供することである。特に、保持装置は、単純化された方法を使用して製造でき、幾何学的および熱的安定性が向上し、特に３５０℃以上の高温において、部品を高精度で保持および／または使用に耐えることができる必要がある。さらに、本発明の目的は、従来の技術の欠点が回避される静電保持装置を製造するための改善された方法を提供することである。特に、この方法は、クランプ設計の高精度、再現性、および安定性を可能にする保持装置の単純化された製造によって、および／または高温への非感受性によって特徴付けられる。

これらの目的は、独立請求項の特徴を備えた静電保持装置および静電保持装置の製造方法によって達成される。本発明の有利な実施形態および用途は、従属請求項から生じる。

本発明の第１の一般的な態様によれば、上記の目的は、部品、特に、例えばシリコンウェハ等の半導体ウェハの部品を静電的に保持する静電保持装置によって達成され、静電保持装置は、電気絶縁性の多層基体と電極装置とを含む。基体は、少なくとも２つの電気絶縁基体プレート（基体プレートの第１のペア）を備え、これらは、接合接続によって表面上で互いに接続される。基体プレートは、主平面に延在する２つの部品であり、好ましくは、少なくとも互いに面する側に平坦な表面を有する。主平面に平行な延長線に沿った方向は、横方向とも呼ばれ、それに垂直な方向は厚さ方向とも呼ばれる。基体プレートは、ディスク、層、またはシートとも呼ばれる。それらはそれぞれ、単一の材料または複数の材料から単一部品に作成できる。さらに、基体プレートは、同じまたは異なる材料で作られ、同じまたは異なる厚さを有することができる。特に、基体プレートの１つは他の基体プレートよりも厚く、キャリアプレート（またはベースプレート）を形成できるが、他の基体プレートはそれに応じてより薄い厚さでもよく、保持装置の誘電特性を設定するために誘電体を形成できる。互いに反対側を向く面において、基体プレートは同様に平面表面または代替的に構造化された表面を有することができる。構造化表面は、例えば端面がバール支持面にまたがる突出したバール、または、例えば冷却チャネル等の、焼戻し線を形成するためのくぼみ、を含む。

電極装置は、少なくとも１つの、特に単層または多層の電極層を備え、これは、静電保持力を生成するように構成され、基体プレートの好ましくは平面延伸部に平行である、つまり、接合接続の横延伸部に沿って、基体プレートの主面に平行に延びることが好ましい。少なくとも１つの電極層は、好ましくは、導電材料、特に、接地電位、電極層のさらなる電位および／または保持装置によって支持される部品の電位に対する電圧が電極層に印加されると、保持力の遅延のない生成が可能になるような、高い導電率を有する導電材料で作られた、少なくとも１つの平面連続（中断なし）層である。基体プレートおよび場合により電極層間の横方向の少なくとも１つの絶縁領域の比電気抵抗（以下を参照）は、好ましくは１０^３Ωｃｍより大きく、特に好ましくは１０^１２Ωｃｍより大きく、特に１０^１５Ωｃｍ以上であり、同時に、少なくとも１つの電極層の比電気抵抗は、好ましくは１０Ωｃｍ未満であり、特に好ましくは０．１Ωｃｍ未満、特に０．０１Ωｃｍ以下である。少なくとも１つの電極層の厚さは、好ましくは３０ｎｍ〜３０００ｎｍの範囲、特に好ましくは１００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲で選択される。少なくとも１つの電極層は、基体プレートの接続面全体にわたって、または接合接続の表面の一部（接続面）にわたって横方向に延びる。後者の場合、少なくとも１つの電極層は、例えば接続面の端までの距離を持つことができる。接合された基体に電極層がない、基体プレート間の部分は、絶縁領域とも呼ばれる。

本発明によれば、接合接続は拡散接合接続であり、少なくとも１つの電極層は隣接する基体プレートに平面的に接続されている。少なくとも１つの電極層が基体プレート間に絶縁領域を存在するように形成される場合、基体プレートは、好ましくは、直接または拡散接合接続を介して絶縁領域の絶縁中間層を介して互いに接続される。両方の基体プレートは、拡散接合接続を介して表面全体にわたって中断することなく互いに接続されることが好ましい。拡散接合接続は接合接続であり、接合パートナーの１つから、つまり、少なくとも１つの電極層、基体プレート、および／または絶縁中間層からの物質は、それぞれの他の接合パートナー中に、つまり、少なくとも１つの電極層および／または絶縁中間層等の、隣接する基体プレート中に拡散される。拡散は、接合パートナーの融点より低い温度での物質輸送を含む。隣接する接合パートナーの物質の拡散プロファイルは、拡散接合によって形成された接合接続の横延伸部に垂直に提供される。接合パートナーは、特にそれらと接合パートナーとの間の原子間力によって拡散した物質によって互いにしっかりと接続されている。

さらに、本発明によれば、少なくとも１つの電極層はそれぞれ、少なくとも１つの電極層と電気的に接触するように構成された少なくとも１つの接触部を有する。接触部は、導電性材料、好ましくは電極層の材料の、少なくとも１つの層を備え、接合接続の横延伸部に沿って基体プレートの延伸部と平行に延びる。

有利には、接触部を提供するために異なる変形形態が可能であり、それは個別にまたは組み合わせて実装することができる。すべての場合において、接続線との接触は、例えば、はんだ付けおよび／または導電性銀または導電性接着剤の使用により得られる。

第１の変形によれば、少なくとも１つの電極層の電気的接触のための接触部は、基体プレートの外縁に配置することができる。この場合、接触部は、好ましくは、接続線（ケーブル、ワイヤ）を接続する為に、一方で平面電極層に接続され、他方で基体プレートの端縁部で界面を形成する、導体ストリップ（導体経路）の形状を有する。接触部は、電極層から基体プレートの端縁部まで絶縁領域を通って延びている。代替的に、少なくとも１つの平面電極層は、基体プレートの端縁部まで延びることができる。この場合、電極層の端縁部分が接触部を形成できる。基体の端縁部の接触部は、横方向に露出していることが好ましく、それにより、電圧源に接続するための接続線を横方向に接続することができる。

第２の変形例によれば、基体プレートの少なくとも１つは、端縁部に凹部または穴を形成することができる。この場合、特に基体プレートの端縁部から距離を置いた、穴または凹部の領域内の電極層部は、接触部を形成することができる。接触は、基体の横方向に垂直な穴または凹部を通して行われる。

第３の変形例によれば、電極層を担持する基体プレートの１つは、少なくとも部分的に他の基体プレート上に突出することができる。突出領域では、電極層の一部が接触用の接触部として露出している。

本発明の第２の一般的な態様によれば、上記目的は、部品、特に半導体ウェハを静電的に保持するよう適合された保持装置を製造する方法によって達成される。好ましくは、この方法は、本発明の上記の第１の一般的な態様に従って保持装置を製造するために使用される。本発明による方法は、２つの基体プレートを提供するステップと、少なくとも１つの基体プレートに少なくとも１つの接触部を有する少なくとも１つの電極層を形成するための少なくとも１つの導電性材料の少なくとも１つの層を製造するステップと、拡散接合により基体プレートの間に配置された少なくとも１つの電極層を有する基体プレートを接合するステップ、とを含む。本発明によれば、接合接続は、接触部を有する少なくとも１つの電極層が基体プレートの間に位置し、接触部が基体プレートの端縁部に配置される、相互配置で基体プレートをプレスすることにより生成される。接合接続は拡散接合接続であり、少なくとも、接触部を備えた少なくとも１つの電極層は、それぞれ隣接する基体プレートと平面的に接続されている。基体プレートが接合された後、少なくとも１つの電極層に属する接触部を電圧源に接続するための接続線に接続することにより、少なくとも１つの電極層に接触することが好ましい。

基体プレートは、基体プレートが溶融または軟化せず、変形を発生せず、一方の結合パートナーから他方の結合パートナーに物質拡散するように選択された温度および圧力で結合パートナーに押し付けられる。通常、プレスは室温より高い温度で行われるため、ホットプレスとも呼ばれる。温度と圧力とは、接合パートナーの材料特性に応じて選択される。ホットプレス中の温度は、好ましくは２７０℃〜２０００℃の範囲、特に好ましくは１１００℃〜１５００℃の範囲であり、一方、プレス圧力は好ましくは５０バール〜２０００バール、特に好ましくは１５０バール〜５００バールである。

有利には、本発明により、少なくとも１つの結合電極を備えた多層静電クランプが作成される。この装置は、好ましくは、半導体部品、特にマイクロチップ、の製造、例えばリソグラフィプロセスまたはウェハ接合プロセスにおける、半導体ウェハの静電位置決めに使用される。拡散接合接続の提供は、保持装置が幾何学的、機械的および熱的に極めて安定な構造を有し、少なくとも１つの電極層がしっかりと一体化されるという特別な利点を有す。緊密な結合は、接合パートナーの基体プレートと電極層から形成され、少なくとも１つの電極層は、電極と拡散接合層（拡散支持層、相互拡散層）との両方としての二重の機能を有利に果たす。セラミックの拡散接合に拡散接合層を使用すること自体は知られている。しかしながら、本発明者らは、驚くべきことに、拡散接合層は導電性であり得、さらに、接合された静電クランプの電極として使用され得ることを発見した。

本発明の別の利点は、本発明の特定の用途に応じて、電極装置の異なる変形が利用可能であることである。したがって、電極装置は、単一の電極層を備えた単極電極装置として、または２つの電極層を備えた二極電極装置として、または３つ以上の電極層を備えた多極電極装置として構築することができる。

本発明の特に好ましい実施形態によれば、電極装置は、接合接続の横延伸部に沿って基体プレートの延伸部に平行に延伸し、少なくとも１つの絶縁領域によって互いに離れて配置される、少なくとも２つの電極層を含む。電極層はそれぞれ、それぞれの電極層に接触するように配置された少なくとも１つの接触部を有する。少なくとも１つの絶縁領域において、基体プレートは、直接または絶縁中間層を介して拡散接合接続を有する。横方向における電極層間の距離（絶縁領域の幅）は、好ましくは、０．５ｍｍ〜５ｍｍの範囲で選択される。少なくとも１つの絶縁領域内の拡散接合接続は、有利には、電気絶縁材料複合体を形成し、その結果、たとえ高電圧、例えば、３ｋＶがそれらに印加されても、電極層間の漏れ電流は抑制できる。

方法に関して、この実施形態の少なくとも２つの電極層は、基体プレートの少なくとも１つに製造され、接合された基体の少なくとも２つの電極層の間に少なくとも１つの絶縁領域が配置されるよう、配置される。すべての電極層は、電極層が電極装置の所望の電極配置を形成するように、基体プレートの１つに製造するか、電極層が互いに整列するように両方の基体プレートに製造することができる。ホットプレス中、基体プレートは、特に少なくとも１つの絶縁領域において、基体プレートが直接または絶縁中間層を介して接続されるように、拡散接合により接合される。

二極または多極電極装置では、保持された部品の望ましくない帯電を有利に回避することができる。さらに、驚くべきことに、異なる材料、例えば電極層／基体プレート、および基体プレート／基体プレート、および任意に基体プレート／中間層、などが接合接続部に沿って横方向に交互になる、異種の接合パートナーの場合にも、安定した拡散接合接続を生成できることがわかった。

少なくとも１つの絶縁領域内の絶縁中間層は、接合パートナーの相互に面する表面の平面性を改善するために有利であり得る。絶縁領域では、絶縁中間層は、隣接する電極層との高さの差を補正できる。絶縁中間層は、例えばＳｉＯ_２から、酸化または酸窒化ガラス、窒化ケイ素、酸化ケイ素窒化アルミニウム（ＳｉＡｌＯＮ）、酸化イットリウム、酸化アルミニウム、希土類酸化物（Ｌａ_２Ｏ_３からＬｕ_２Ｏ_３）、第２主族の酸化物（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ）または上記の混合物から成る。絶縁性中間層の厚さは、電極層を形成するための導電性材料の横方向に隣接する層の厚さと等しいことが好ましい。絶縁中間層は、例えば、特にマスクを使用したリソグラフィプロセス、スパッタリングにより、製造することができる。

代替的に、少なくとも１つの絶縁領域の中間層は必ずしも必要ではない。さらに特定の利点として、本発明者らは、電極層が、その厚さの一部だけまたはその厚さ分全て、それぞれの基体プレートの表面上に突き出ていても、安定した拡散接合接続も作成できることを発見し、したがって、接合パートナーの相互に面する表面に小さなステップを導入した。この場合も、電極層のない領域でも、接合結果は熱的、機械的、電気的に安定している。

基体プレート間の少なくとも２つの電極層は、好ましくは共通の平面に配置される。第１の変形形態によれば、少なくとも２つの電極層は、少なくとも１つの基体プレート上の少なくとも１つの平面前駆体層から製造される。第１のステップにおいて、少なくとも１つの前駆体層が析出プロセスによって析出され、さらなるステップにおいて、少なくとも１つの平面前駆体層が構造化され、少なくとも２つの電極層および絶縁領域が形成される。構造化は、リソグラフィプロセスを使用して、特にマスク、例えばフォトレジスト、写真フィルム、またはハードマスクを使用して、例えば真空蒸着または電解蒸着によって実行されることが好ましい。マスクを使用することにより、電極経路構造と導体経路構造とを構築できる。リソグラフィプロセスにおいて、絶縁領域は、露出後、エッチング工程を介して生成されることが好ましい。第２の変形によれば、少なくとも２つの電極層は、物理的または化学的析出プロセスによって構造化された方法で適用される。

本発明のさらに好ましい実施形態によれば、基体プレートはそれぞれセラミック材料を含む。セラミック材料は、拡散接合接続の形成に特に有利であることが証明されている。これにより、結合パートナーの、平らで、場合によっては研磨された表面と、外来原子の効果的な拡散を実現できる。同時に、静電保持装置で使用するための優れた電気的および機械的特性を備えている。特に好ましくは、基体プレートはそれぞれ、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化アルミニウム窒化ケイ素（ＳｉＡｌＯＮ）、酸化アルミニウム、酸窒化物ガラス、窒化アルミニウム、ケイ酸塩、アルミノケイ酸塩、またはこれらのセラミック材料の少なくとも２つの混合物の少なくとも１つを含む。基体プレートの少なくとも１つのセラミック材料は、例えばZerodur（商標名）などの、ガラスセラミックであってもよい。

電極層はそれぞれ、金属、金属合金、半導体材料、または導電性セラミックを含むことが好ましい。特に好ましい例は、クロム、銀、金、白金、ニッケル、コバルト、鉄、バナジウム、タンタル、アルミニウム、チタン、タングステン、モリブデン、マンガン、これらの材料の少なくとも２つの合金、またはこれらの金属またはそれらの合金の２つ以上の層の積層、例えば、IncusilまたはTicusil（商標名）等の、例えばＡｇＣｕＴｉ合金、モリブデン‐マンガン合金、スズ‐金合金、共晶金‐シリコン合金、例えば、Ａｕ９４Ｓｉ６、シリコン、金属窒化物、特に窒化チタン（ＴｉＮ、Ｔｉ_２Ｎ、Ｔｉ_３Ｎ_４）、窒化クロム（ＣｒＮ）、金属炭化物、金属ケイ化物、特にケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ_２）、または窒素（Ｎ）をドープした炭化ケイ素、などである。チタンは、Ｔｉ_３Ｓｉ_５とＳｉベースのセラミックとの強固な結合を形成するなど、有利な相互拡散特性を有利に有するため、特に好ましい。

有利には、少なくとも１つの基体プレート上に少なくとも１つの電極層を配置するための様々な可能性がある。第１の変形例によれば、少なくとも１つの電極層は、基体プレート間の接合接続部に沿って接合された基体プレートに配置される。少なくとも１つの電極層の原子は、２つの隣接する基体プレートに拡散して配置され、基体プレートの原子は、少なくとも１つの電極層に拡散して配置される。この実施形態では、その方法については、基体プレートの一方または両方に少なくとも１つの電極層用の層を析出させ、その後、ホットプレスで拡散接合接続が形成される。この実施形態の利点は、少なくとも１つの電極層の製造のための簡略化された手順である。

第２の代替変形例によれば、少なくとも１つの電極層は、基体プレートの１つによって形成された界面の接合接続部に沿って埋め込まれる。少なくとも１つの電極層の原子は、拡散接合接続が行われるそれぞれ隣接する基体プレート内に拡散して配置される。この実施形態では、少なくとも１つの電極層の層を一方またはそれぞれ両方の基体プレートの一部に析出した後、析出した原子を関連する基体プレートに注入するために熱拡散プロセスが実行される。続いて、拡散接合による接合の前に、少なくとも１つの電極層が基体プレートの１つに埋め込まれるように、析出層の突出領域が除去されることが好ましい。

保持装置は、２層の基体を有する構成に限定されない。半導体ウェハの保持に使用するのに特に好ましい本発明の実施形態によれば、基体は少なくとも２つのさらなる基体プレート（基体プレートの第２のペア）を含み、その間に、電極装置の少なくとも１つのさらなる電極層が配置され、基体プレートの第１のペアのような接合接続を有する。また、上記の変形の１つによれば、少なくとも１つのさらなる電極層は、少なくとも１つのさらなる電極棒層と電気的に接触するために基体の端縁部に配置される接触部を有する。基体プレートの第１のペアおよび基体プレートの第２のペアは、平面的に互いに接続されている。接合接続は、拡散接合接続または別のタイプの接続を含むこともできる。完成した保持装置では、第１および第２のペアの基体プレートは、しっかりと接合されたプレートスタックを形成する。

少なくとも４つの基体プレートを備えたこの実施形態は、部品を静電的に保持する基体プレートの第１のペアと、保持装置を機械のツールキャリアに静電的に保持する基体プレートの第２のペアを提供することにより、保持装置を使用する際に利点を提供する。２対の基体プレート内の電極は、部品を位置決めまたは解放するため、またはツールキャリアに保持装置を固定または解放するために、互いに独立して電圧をかけることができる。有利には、温度制御コンジット、特に冷却回路が、相互接続された基体プレートの第１のペアおよび第２のペアの少なくとも一方に設けられることができる。

本発明のさらなる詳細および利点は、添付の図面を参照して以下に説明される。
本発明による保持装置の実施形態の概略図である。本発明による保持装置の実施形態の概略図である。本発明による保持装置の実施形態の概略図である。本発明の一実施形態による静電保持装置の基体の写真断面図である。本発明による保持装置の別の実施形態の概略図である。

本発明の好ましい実施形態は、模式的に示されている（縮尺通りではない）シリコンウェハ用の静電保持装置の特徴を参照して、例として以下に説明される。本発明の実施は、この用途および保持装置の例示的な特徴に限定されない。例えば、金属コーティングを施したガラス板、または露出マスクを保持する場合等に、保持装置のその他の適用が可能である。基体の設計、特に電極、保持装置およびその部品の材料および寸法は、特にそれぞれの用途の特定の要件に適合させることができる。ほとんどの例では、接触部は基体の端縁部に示されている。代替的に、上記のように、端縁部から距離を置いて配置することもできる。図から逸脱し、基体は、さらなる機能を果たすさらなる基体プレートを有することができる。保持装置の実用的な適用、例えば半導体ウェハの取り扱いでは、図５で本体表面の１つに例示されているように、通常、基体の片側または両側にバールを備える。基体プレートの接合接続に沿った電極の特定の形状および制御の詳細は、それらが従来の保持装置からそれ自体知られており、保持装置の特定のタスクに応じて選択できるため、説明されない。最後に、図は保持装置の縮尺図を示していないが、特に、基体の基体プレート間の接合部に沿った電極装置の提供を示している。

保持装置の基体の構造は、従来の保持装置（静電クランプ）からそれ自体知られているように選択することができる。保持装置は、例えば、単極（図１または２）または二極保持装置（図３または５）として構成される事が出来る。保持装置の温度制御および静電保持力を生成するための電気電圧の適用の詳細は、これらがそれ自体従来の保持装置から知られているため、説明されていない。保持装置は、それ自体が従来の静電クランプから知られているように、さらなる構成要素を備えることができる。

図１は、保持装置１００（単極クランプ）の第１の実施形態を、厚さ方向に垂直な断面図（図１Ａ）および保持装置１００の横延伸部に垂直な断面図（図１Ｂ）に示す。保持装置１００は、例えば窒化ケイ素製の、一対の基体プレート１１，１２を備えた基体１０を備えている。単極を備えた電極装置２０は、基体プレート１１，１２の間に配置される。この実施形態では、電極装置２０は、拡散接合接続１３に沿って基体プレートの延伸部と平行に延びる接触部２２を備えた単一の円形電極層２１からなる。基部プレート１１，１２は、拡散接合接続１３によって平面的に互いに接続されている。保持装置１００は、図３の実施形態を参照して以下に説明するように、製造される。

実際の応用では、上部基体プレート１１は、例えば、４ｍｍの厚さを有し、下部基体プレート１２は４ｍｍの厚さを有する。円形の基体プレート１１，１２の直径は、一般に１５０ｍｍから４００ｍｍの範囲で選択され、例えば示されている実施形態では３３０ｍｍまたは４００ｍｍである。接触部２２を備えた電極層２１は、例えばチタンから成り、厚さは例えば５００ｎｍである。電極層２１の直径（例えば、３００ｍｍ）は、基体プレート１１，１２の直径よりも小さいため、その端縁部には環状の絶縁領域１４が形成される。図４は、上部および下部基体プレート１１，１２およびそれらの間の電極層２１を備えた基体の例の写真断面図を示す。

接触部２２は、電極層２１から基体プレート１１，１２の端縁部への絶縁領域１４の遮断として導体経路として延在する。接触部２２が接続線の接続のための端縁部に配置されていることを明確にするために、接触部２２は、基体プレート１１，１２の端縁部を越えて突出するように図１に示される。実際には、突出部は絶対に必要なわけではないが、接触するための他の形態の露出が可能である。特に、代替的に、電極層２１の一部を接触部２２Ａとして使用することが可能であり、この電極層２１の一部は、基体プレート１２の穴１２Ａを介して、例えば、導電性銀または導電性接着剤および／またはワイヤ接続で接触される。

部品（図示せず）を保持するための保持装置１００の適用により、例えば上部基体プレート１１等の基体プレートの１つは、部品を受け取る為に設けられ、例えば下部基体プレート１２等の他の基体プレートは、ツールキャリア（図示せず）にしっかりと接続されている。電極層２１は、接触部２２および接続線（図示せず）を介して、電極層２１に保持電圧を印加するための切り替え可能な電圧源に接続されている。

図２は、図１の実施形態の変形例を示しており、単極クランプの形態の保持装置１００は、接触部２２Ａを備えた円形電極層２１Ａと、さらに、接触部２２Ｂを備えた環状電極層２１Ｂとを有する。図２は、図１Ｂと同様に、保持装置１００の横延伸部に垂直で、基体プレート間の拡散接合接続に沿った基体の断面図であるため、基体プレート１１の１つのみが示されている。環状電極層２１Ｂは、接地電位に接続するために配置され、電界遮蔽に使用される。これは、円形電極層２１Ａの接触部２２Ａが基体プレートの外縁に向かって延びる中断を除いて、円形電極層２１Ａを取り囲む環状電極を形成する。環状電極層２１Ｂおよび円形電極層２１Ａは、絶縁領域１４によって互いに電気的に絶縁されている。さらに、図２の保持装置１００は、その他の図を参照して上記に説明したように構成することができる。

図２による保持装置１００の基体プレートは、拡散接合接続によって平面的に互いに接続されている。拡散接合接続は、接触部２２Ａ，２２Ｂを有する電極層２１Ａ，２１Ｂと、隣接する基体プレートとの間、および基体プレート間の絶縁領域１４に直接存在する。保持装置１００は、図３の実施形態を参照して以下に説明するように製造される。

図３は、本発明のさらなる実施形態を示し、二極クランプの形態の保持装置１００は、それぞれ接触部２２Ａ，２２Ｂを有する２つの半円形電極層２１Ａ，２１Ｂ、およびさらにそれぞれ接触部２２Ｃ，２２Ｄを有する２つの半環状電極層２１Ｃ，２１Ｄを備えている。図３Ａは、保持装置１００の横延伸部に垂直な基体１０の断面図であり、図３Ｂは、その厚さ方向に垂直で基体プレート１１，１２間の拡散接合接続に沿った基体１０の断面図を示す。図３Ｂは、保持装置１００によって運ばれる半導体ウェハ１をさらに示している。二極クランプの変形例では、２つの半円形電極層２１Ａ，２１Ｂの代わりに、３つ以上の電極層、例えば、それぞれが円のセグメントの形であり、それぞれ接触部を備える、および／または外側の環状電極層を省くことができる。

図３によれば、半円形電極層２１Ａ，２１Ｂはそれぞれ、接触部２２Ａ，２２Ｂの１つを介して切り替え可能な電圧源３０に接続されている。図示の例では、電圧源３０はＤＣ電圧源であり、半導体ウェハ１の静電定着の為に、ＤＣ電圧の正および負の電位を半円形電極層２１Ａ，２１Ｂに印加することができる。半環状電極層２１Ｃ，２１Ｄは、接地電位に接続するための電界遮蔽のために配置される。それらは、基体プレート１１，１２の外縁に向かって接触部２２Ａ，２２Ｂを実施するための中断を除いて、半円形電極層２１Ａ，２１Ｂを取り囲んでいる。さらに、図３の保持装置１００は、その他の図を参照して上記に説明したように構成することができる。

保持装置１００は、次のようにして製造される。まず、拡散接合接続の形成を目的として各プレートの表面が研磨されている、２つの平面セラミックプレートが製造される。それぞれの場合のもう一方の表面も、研磨面、または、バールまたは焼戻し媒体コンジットを形成するための構造を設けることもできる（図５を参照）。セラミックプレートは、それ自体知られている方法、例えば、ホットプレス、または冷間静水圧または一軸加圧成形などの事前に行われた成形、続いて焼結、ガス圧焼結、および随意的に続いて熱間静水圧後圧縮、または気相からのセラミック材料の析出（ＣＶＤ、化学蒸着）で生成される。ガラスセラミック材料では、溶融、核生成、結晶化も使用できる。

続いて、電極層の所望の形状を有する研磨面の１つに導電性材料の層の構造化された析出が続く。析出ステップは、それ自体既知のリソグラフィプロセスを使用して実行されることが好ましい。例えば、最初のサブステップでは、セラミックプレートの１つの研磨面を電極層の望ましい形状でマスクし、２番目のサブステップでは、セラミックプレートを、例えば真空蒸着によって、金属層でコーティングする。さらなるサブステップでマスクを構築した後、導電材料の構造化層が、例えば図３による電極層と接触部の形状で得られる。記載されたリソグラフィ構造化の代替として、導電性材料の層は、最初に基体プレートの１つに平面的に塗布され、続いてフォトレジストでコーティングされる。フォトレジストは露光され、電極層の所望の形状で構築される。その後のエッチングにより、導電材料の層が横方向に所望の構造になる。

絶縁中間層が電極層の間の横方向に拡散支持および／または平坦化層として形成される場合、マスキング、析出および構築のステップが絶縁中間層の材料で繰り返される。

拡散接合接続は、互いに面し、接触する研磨面を備えており、その一方には導電性材料の構造化層があるセラミックプレートを、一軸ホットプレスに配置し、所定の温度で所定のプレス圧力をかけることにより生成される。代替的に、いわゆる放電プラズマ支援ホットプレスを使用することができ、これは非常に迅速な加熱を有利に可能にする。拡散接合からそれ自体が知られているように、温度とプレス圧力とは、使用される材料を考慮して選択される。温度およびプレス圧力は、好ましくは下記の範囲で選択される。ホットプレスのプレス時間は、典型的には、加熱段階、保持時間、および冷却段階を含み、例えば、０．５時間から３０時間、好ましくは８時間から１２時間である。

ホットプレス中に、導電性材料の層の原子、または絶縁領域では基体プレートの１つの原子が、隣接する基体プレートに拡散する。絶縁中間層が絶縁領域に形成される場合、それらの原子は隣接する基体プレートに拡散する。隣接する結合パートナーの原子は拡散プロファイルを作成するため、結合パートナーは互いにしっかりと結合される。上記の例では、チタン原子の拡散プロファイルが、隣接する基体プレートの隣接するセラミックに生成される。

最後に、基体プレートの複合体は、保持される部品のキャリアとして提供される基体プレートの１つを薄化し、接触部を介して２つの電極層に接触すること、を含む後処理にかけられる。基体プレートの１つを薄化することは、基体プレートによって誘電体層を形成するのに役立つ。保持装置の静電クランプ圧力は、特に電圧、バール支持面からの電極の距離、およびこの距離での材料組成の誘電特性に依存する。したがって、保持装置の保持力は、誘電体層の厚さによって設定される。薄化は、例えば、研削、ラッピング、研磨のようなそれ自体既知の除去方法で行われる。結果として、保持装置は、電気絶縁領域によって分離および接触された一体化された導電層を備えた部品として得られる。

随意的に、記載された方法の変化形において、横方向に構造化された導電性材料の層の形成後、および拡散接合接続の形成前に、熱拡散により導電性材料を支持基体プレートに埋め込むことができる。導電性材料の構造化された層を備えた基体プレートは、導電性材料の融解温度より低い温度、例えば、５００℃〜１４００℃の範囲で、できれば１０００℃まで加熱される。導電性材料の原子が関連する基体プレートに埋め込まれ、析出された導電性材料が少なくとも部分的に基体プレートに埋め込まれる。次いで、基体プレートの表面を越えて突出する析出された導電性材料の残留物を除去することができる。

特定の例において、保持装置は、以下に記載される方法を使用して製造される。φ＝１００ｍｍ×５．１ｍｍのサイズの２つの窒化ケイ素ディスクは、１０μｍのグローバル平坦度にラッピングされる。次に、表面は、ダイヤモンド懸濁液を使用して、通常、粒径は１μｍ〜３μｍで、平坦度は数μｍ〜１μｍ未満、粗さ（ＲＭＳ）は１５ｎｍ未満まで研磨される。その後、部品がクリーニングされる。マスク（接着フィルム）を使用して、２つの三日月型のチタン層（厚さ５００ｎｍ）をコーティングする（図３を参照）。２つのパーツは、次のパラメーターでホットプレスで拡散接合される：加熱速度：１０Ｋ／分、温度：１３５０℃、プレス圧力：４００バール、保持時間３時間、空気：窒素。ホットプレス後、ディスクの１つを０．３ｍｍの厚さに薄化し、電極に接触させる。

このようにして製造された保持装置の静電効果は、保持装置上にテスト部品を配置し、干渉法で測定することによりテストされた。テスト部品は、バール構造の２インチシリコンウェハで構成されている。バールは直径５００μｍ、高さ１０μｍである。間隔は７ｍｍである。ウェハの初期厚さは２７５μｍである。電極の電圧が徐々に２０００Ｖに増加される間、クランプ圧力の測定値としてシリコンウェハの曲率を干渉法で測定した。クランプ圧力は電圧とともに増加し、テスト例では約８０ｍバールに達する。

図５は、２ペアの基体プレート１１，１２および１５，１６からなる基体１０を備えた本発明による保持装置１００の実施形態を示している。基体プレート１１，１２および１５，１６の第１および第２のペアはそれぞれ、図１から３を参照して上述したように、拡散接合接続により接合され、組み立てられる。接触部２２Ａ，２２Ｂおよび２４Ａ，２４Ｂを有する電極層２１Ａ，２１Ｂおよび２３Ａ，２３Ｂはそれぞれ、拡散接合接続の横延伸部に沿った基体プレート１１，１２および１５，１６間に配置される。接触部２２Ａ，２２Ｂおよび２４Ａ，２４Ｂは、それぞれ別個に切り替え可能な電圧源（図示せず）に接続されている。

基体プレート１１，１２の第１のペアは、電極層２１Ａ，２１Ｂによって生成される静電保持力の作用下で保持される部品１を受け入れるために設けられている。基体プレート１５，１６の第２のペアにより、保持装置１００は、電極層２４Ａ，２４Ｂで生成される静電保持力の影響下で、概略的に示されるツールキャリア４０に固定される。基体プレートの１つ（例えば、１２）には、温度制御媒体を受けるため、好ましくは保持装置１００を冷却するための、温度制御コンジット１７が設けられている。

上記の説明、図面、および特許請求の範囲で開示された本発明の特徴は、その様々な構成での本発明の実施のため、個々に、および組み合わせまたは部分的組み合わせの両方で重要となり得る。

Claims

部品（１）、特にウェハを静電的に保持するように適合された保持装置（１００）であって、
‐接合接続を介して平面的に互いに接続された基体プレート（１１，１２）の第１のペアを含む電気絶縁基体（１０）、と、
‐静電保持力を生成し、接合接続に沿って前記基体プレート（１１，１２）の延伸部と平行に延びるように配置された、少なくとも１つの電極層（２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）を備えた電極装置（２０）、
を含み、
‐前記接合接続は、拡散接合接続（１３）を含み、前記少なくとも１つの電極層（２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）は、それぞれ隣接する前記基体プレート（１１，１２）に平面的に接続され、および、
‐前記少なくとも１つの電極層（２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）は、前記少なくとも１つの電極層（２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）の電気的接触のために配置された接触部（２２，２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄ）を有することを特徴とする、保持装置（１００）。
‐前記電極装置（２０）は、前記拡散接合接続（１３）に沿って前記基体プレート（１１，１２）の延伸部と平行に延び、少なくとも１つの絶縁領域（１４）によって互いに分離して配置される、少なくとも２つの電極層（２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）を含み、
および、
‐前記基体プレート（１１，１２）は、直接または絶縁中間層を介して、前記拡散接合接続によって前記少なくとも１つの絶縁領域（１４）で接続される、
請求項１に記載の保持装置（１００）。
‐前記基体プレート（１１，１２）はそれぞれセラミック材料を含む、
請求項１または請求項２のいずれか一項に記載の保持装置。
‐前記基体プレート（１１，１２）はそれぞれ、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化アルミニウム窒化ケイ素（ＳｉＡｌＯＮ）、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、酸窒化物ガラス、窒化アルミニウム、サファイア、アルミン酸塩、特にＹＡＧ（イットリウム・アルミナ・ガーネット）、ケイ酸塩、アルミノケイ酸塩、特にコージライト、およびガラスセラミック、またはそれらの複合物の少なくとも１つを含む、
請求項３に記載の保持装置。
‐前記電極層（２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）はそれぞれ、金属、金属合金、半導体材料、または導電性セラミックを含む、
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の保持装置。
‐前記電極層（２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）は、クロム、アルミニウム、チタン、タングステン、モリブデン、シリコン、マンガン、バナジウム、コバルト、ニッケル、金、銀、ＡｇＣｕＴｉ合金、モリブデン−マンガン合金、スズ金合金、共晶金シリコン合金、金属窒化物、窒化チタン、特にＴｉＮ、Ｔｉ_２Ｎ、Ｔｉ_３Ｎ_４、窒化クロム、金属ケイ化物、特にケイ化モリブデン、および窒素（Ｎ）をドープした炭化ケイ素などの炭化物、の少なくとも１つを含む、
請求項５に記載の保持装置。
‐前記少なくとも１つの電極層（２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）が前記基体プレート（１１，１２）の間に配置され、前記少なくとも１つの電極層（２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）の原子が２つの隣接する前記基体プレート（１１，１２）に拡散配置される、
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の保持装置。
‐前記少なくとも１つの電極層（２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）が、前記基体プレート（１１，１２）の１つに埋め込まれ、前記少なくとも１つの電極層（２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）の原子は、前記拡散接合接続（１３）が行われるそれぞれの隣接する前記基体プレート（１１，１２）に拡散して配置される、
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の保持装置。
‐すべての電極層（２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）が一方の前記基体プレート（１１，１２）に埋め込まれ、前記すべての電極層（２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）の原子が他方の前記基体プレート（１１、１２）に拡散して配置される、
請求項８に記載の保持装置。
‐前記基体（１０）は、基体プレート（１５，１６）の第２のペアを含み、その間に前記電極装置（２０）の少なくとも１つのさらなる電極層（２３）が配置され、前記基体プレート（１１，１２）の第１のペアと同様に接合接続を有し、
‐前記少なくとも１つのさらなる電極層（２３）は、前記少なくとも１つのさらなる電極層（２３）と電気的に接触するように配置された接触部（２４）を有し、
および、
‐前記基体プレート（１１，１２）の第１のペアおよび前記基体プレート（１５，１６）の第２のペアは、拡散接合接続を介して平面的に互いに接続され、プレートスタックを形成する、
請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の保持装置。
‐前記第１のペアおよび前記第２のペアの基体プレート（１１，１２，１５，１６）の相互接続された基体プレートの少なくとも１つには、温度制御コンジット（１７）が設けられている、
請求項１０に記載の保持装置。
部品（１）、特に半導体ウェハを静電的に保持するように適合された保持装置（１００）を製造するための方法であって、以下のステップ：
‐２つの基体プレート（１１，１２）の提供、
‐前記基体プレート（１１，１２）の少なくとも１つに、少なくとも１つの電極層（２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）を提供し、前記少なくとも１つの電極層（２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）は接触部（２２，２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄ）を有し、
‐前記基体プレート（１１，１２）を相互配置でプレスし、その際、前記接触部（２２，２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄ）を備えた前記少なくとも１つの電極層（２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）が前記基体プレート（１１，１２）の間に配置され、前記少なくとも１つの電極層（２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）および前記接触部（２２，２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄ）が隣接する基体プレート（１１，１２）に平面的に接続される拡散接合接続（１３）を含む接合接続が形成される、
を含む、方法。
‐少なくとも２つの電極層（２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）が前記基体プレート（１１，１２）の少なくとも１つに提供され、前記少なくとも２つの電極層（２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）が少なくとも１つの絶縁領域（１４）によって互いに分離して配置され、
‐前記基体プレート（１１，１２）は、直接または絶縁中間層を介して、前記拡散接合接続（１３）によって前記少なくとも１つの絶縁領域（１４）で接続される、
請求項１２に記載の方法。
前記基体プレート（１１，１２）の少なくとも１つに、少なくとも２つの電極層（２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）を設けることは、以下：
‐少なくとも１つの前記基体プレート（１１，１２）上での少なくとも１つの平面前駆体層の生成、
および、
‐前記少なくとも２つの電極層（２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）および前記絶縁領域（１４）を形成するための、前記少なくとも１つの平面前駆体層の構造化、
を含む、請求項１３に記載の方法。
さらなるステップ、
‐熱拡散による前記少なくとも１つの電極層（２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）の少なくとも１つの前記基体プレート（１１，１２）への埋め込み、および、
‐前記少なくとも１つの電極層（２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）の突出領域の除去、
を有する、請求項１４に記載の方法。
さらなるステップ、
‐関連する接触部（２２，２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄ）を接続線に接続することによる、前記少なくとも１つの電極層（２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）への接触、
を有する、請求項１２から請求項１５のいずれか一項に記載の方法。