JP2008124265A - 低熱膨張セラミックス部材及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】各種の低熱膨張セラミックス材料であっても広く適用可能であり、また、低熱膨張セラミックスの誘電体部表面に形成した内部電極を長期間安定させることができ、更に、誘電体部にもダメージを与え難い構造とすることで静電チャックとしての性能を長期間安定させることを可能ならしめる低熱膨張セラミックス部材及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】低熱膨張セラミックス基体と、前記低熱膨張セラミックス基体上に設けられた電極と、前記電極を覆う低熱膨張セラミックス誘電体部と、が設けられている。前記電極の構造は、周期律表IVa属元素の窒化物若しくは複合窒化物、周期律表Va属元素の窒化物若しくは複合窒化物、又は周期律表VIa属元素の窒化物若しくは複合窒化物からなる第1の層と、周期律表IVa、Va又はVIa属元素からなる第2の層と、の積層構造で
ある。
【選択図】図1
【解決手段】低熱膨張セラミックス基体と、前記低熱膨張セラミックス基体上に設けられた電極と、前記電極を覆う低熱膨張セラミックス誘電体部と、が設けられている。前記電極の構造は、周期律表IVa属元素の窒化物若しくは複合窒化物、周期律表Va属元素の窒化物若しくは複合窒化物、又は周期律表VIa属元素の窒化物若しくは複合窒化物からなる第1の層と、周期律表IVa、Va又はVIa属元素からなる第2の層と、の積層構造で
ある。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置の製造装置に使用される半導体基板保持用の静電チャック又はヒーター等に好適な低熱膨張セラミックス部材に関する。
従来、半導体装置の製造工程において、ウエハ支持治具等の部材に、アルミナ、窒化珪素、炭化珪素等のセラミックスが広く用いられていた。
ところが、半導体装置の微細化に伴い、露光装置に0.01μm未満の位置決め精度が要求され始めると、アルミナ、窒化珪素、炭化珪素等の熱膨張係数が高いセラミックスでは対処しきれなくなってきている。これは、温度の影響が大きく、このような極めて微細な位置決めが困難だからである。
このため、上記の要求を満足させるために、近年、0.6ppm/K以下という低い熱膨張率のセラミックを用いた静電チャックの開発が盛んになってきている。このような技術は、例えば特許文献1〜3に記載されている。
特許文献1には、低熱膨張セラミックスの例として、コーディエライト質が記載され、電極の例として、W及びMo等の耐熱性金属の板が記載されている。また、電極の例として、W、Mo及びTiN等の導電性粉体とコーディエライト粉末とからなるスラリーを印刷して導電層を形成してもよい旨の記載もある。
特許文献2には、低熱膨張セラミックスの例として、負の熱膨張係数の化合物(例えば、β―ユークリプタイト及びコーディエライト等)と正の熱膨張係数の化合物(例えば、炭化珪素及び窒化珪素等)との複合体が記載され、電極の例として、Wメッシュが記載されている。
特許文献3には、低熱膨張セラミックの平均粒径を6μm以下とすると共に、低熱膨張セラミックとの熱膨張差が少ない金属であるW及びMoの箔又はメッシュ状シートを用いて内部電極を形成することが記載されている。
特許文献1又は2に記載されている技術のように、内部電極として金属板又はメッシュ電極等の電極材を用いて、低熱膨張セラミックスと同時焼成により静電チャック構造を得る方法としては、一般的に次の2つが挙げられる。一方は、低熱膨張セラミックス板に、電極材を埋め込むための溝を掘るという方法である。もう一方は、静電チャックの厚み分のセラミックス原料粉により、電極材を挟み込んで焼結するという方法である。
但し、溝を掘るという方法では、溝が電極材の厚さよりも深くなると、電圧を印加されて静電チャックとして機能する部分(以下、誘電体部と記す)と電極材との間に隙間が生じてしまい、誘電体部が印加電圧通りに駆動しない虞がある。このため、溝を電極材の厚さよりも浅めに形成し、誘電体部の内部に、誘電体部よりも熱膨張の大きな電極材を押し付けている。しかしながら、本発明者らの検討によると、誘電体部に残留応力が作用しているために、焼結直後は問題がないように見えても、長時間(例えば200時間程度)の使用により、割れが起こるという問題があることがわかった。
また、特許文献3に記載されている技術は、電極材を起因とする割れをセラミックスの粒径を限定させることで抑制しようとしたものであるため、各種の低熱膨張セラミックスに広く適用することはできない。また、セラミックスの粒径制御が必要なため、製造条件が制限され、製造コストが高くなることが懸念される。
本発明は、各種の低熱膨張セラミックス材料に広く適用可能であり、また、低熱膨張セラミックスの誘電体部表面に形成した内部電極を長期間安定した構造とすることができ、更に、誘電体部にも製造起因の残留応力を与え難い構造とすることで静電チャックとしての性能を長期間安定させることを可能とした低熱膨張セラミックス部材及びその製造方法を提供することを目的とする。
本願発明者は、上記課題を解決すべく、鋭意検討を重ねた結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
(1) 低熱膨張セラミックス基体と、前記低熱膨張セラミックス基体上に設けられた電極と、前記電極を覆う低熱膨張セラミックス誘電体部と、を有し、前記電極の構造は、周期律表IVa属元素の窒化物若しくは複合窒化物、周期律表Va属元素の窒化物若しくは複合窒化物、又は周期律表VIa属元素の窒化物若しくは複合窒化物からなる第1の層と、周期律表IVa、Va又はVIa属元素からなる第2の層と、の積層構造であることを特
徴とする低熱膨張セラミックス部材。
徴とする低熱膨張セラミックス部材。
(2) 前記第1の層は、Tiの窒化物又は複合窒化物からなり、前記第2の層は、Tiからなることを特徴とする(1)に記載の低熱膨張セラミックス部材。
(3) 前記第1の層は、Crの窒化物又は複合窒化物からなり、前記第2の層は、Crからなることを特徴とする(1)に記載の低熱膨張セラミックス部材。
(4) 前記電極の厚さは、3μm以上であることを特徴とする(1)〜(3)のいずれかに記載の低熱膨張セラミックス部材。
(5) 前記低熱膨張セラミックス誘電体部及び低熱膨張セラミックス基体は、MgO:8〜17.2質量%、Al2O3:22〜38質量%、SiO2:49.5〜70質量%、及びLi2O:0.1〜2.5質量%、を含有することを特徴とする(1)〜(4)のいずれかに記載の低熱膨張セラミックス部材。
(6) 前記低熱膨張セラミックス誘電体部及び低熱膨張セラミックス基体は、更に、Tiを除く遷移金属の1種又は2種以上の化合物(酸化物換算):0.1〜2質量%を含有し、SiO2の質量を[SiO2]、LiO2の質量を[LiO2]、MgOの質量を[MgO]、Al2O3の質量を[Al2O3]と表したとき、([SiO2]−8×[Li2O])/[MgO]≧3の関係、及び([SiO2]−8×[Li2O])/[Al2O3]≧1.2の関係が満たされていることを特徴とする(5)に記載の低熱膨張セラミックス部材。
(7) 前記低熱膨張セラミックス誘電体部及び低熱膨張セラミックス基体は、更に、希土類元素の1種又は2種以上の化合物(酸化物換算):10質量%以下を含有することを特徴とする(5)又は(6)に記載の低熱膨張セラミックス部材。
(8) 前記低熱膨張セラミックス誘電体部及び低熱膨張セラミックス基体は、更に、Ti化合物(TiO2換算):1質量%以下、及びC:5質量%以下からなる群から選択された少なくとも1種類を含有することを特徴とする(5)〜(7)のいずれかに記載の低熱膨張セラミックス部材。
(9) 第1の低熱膨張セラミックス材上に電極を形成する工程と、前記第1の低熱膨張セラミックス材に第2の低熱膨張セラミックス材を接合することにより、前記第1及び第2の低熱膨張セラミックス材との間に前記電極を挟み込む工程と、を有し、前記電極として、周期律表IVa属元素の窒化物若しくは複合窒化物、周期律表Va属元素の窒化物若しくは複合窒化物、又は周期律表VIa属元素の窒化物若しくは複合窒化物からなる第1の層と、周期律表IVa、Va又はVIa属元素からなる第2の層と、の積層構造を有するものを形成することを特徴とする低熱膨張セラミックス部材の製造方法。
(10) 前記第1の層として、Tiの窒化物又は複合窒化物からなるものを形成し、前記第2の層として、Tiからなるものを形成することを特徴とする(9)に記載の低熱膨張セラミックス部材の製造方法。
(11) 前記第1の層として、Crの窒化物又は複合窒化物からなるものを形成し、前記第2の層として、Crからなるものを形成することを特徴とする(9)に記載の低熱膨張セラミックス部材の製造方法。
(12) 前記電極の厚さを、3μm以上とすることを特徴とする(9)〜(11)のいずれかに記載の低熱膨張セラミックス部材の製造方法。
(13) 前記第1及び第2の低熱膨張セラミックス材として、MgO:8〜17.2質量%、Al2O3:22〜38質量%、SiO2:49.5〜70質量%、及びLi2O:0.1〜2.5質量%、を含有するものを使用することを特徴とする(9)〜(12)のいずれかに記載の低熱膨張セラミックス部材の製造方法。
(14) 前記第1及び第2の低熱膨張セラミックス材として、更に、Tiを除く遷移金属の1種又は2種以上の化合物(酸化物換算):0.1〜2質量%を含有し、SiO2の質量を[SiO2]、LiO2の質量を[LiO2]、MgOの質量を[MgO]、Al2O3の質量を[Al2O3]と表したとき、([SiO2]−8×[Li2O])/[MgO]≧3の関係、及び([SiO2]−8×[Li2O])/[Al2O3]≧1.2の関係が満たされているものを使用することを特徴とする(13)に記載の低熱膨張セラミックス部材の製造方法。
(15) 前記第1及び第2の低熱膨張セラミックス材として、更に、希土類元素の1種又は2種以上の化合物(酸化物換算):10質量%以下を含有するものを使用することを特徴とする(13)又は(14)に記載の低熱膨張セラミックス部材の製造方法。
(16) 前記第1及び第2の低熱膨張セラミックス材として、更に、Ti化合物(TiO2換算):1質量%以下、及びC:5質量%以下からなる群から選択された少なくとも1種類を含有するものを使用することを特徴とする(13)〜(15)のいずれかに記載の低熱膨張セラミックス部材の製造方法。
(17) 前記第1及び第2の層を物理蒸着法により形成することを特徴とする(9)〜(16)のいずれかに記載の低熱膨張セラミックス部材の製造方法。
本発明によれば、電極を長期間安定して使用することができ、また誘電体部にも製造起因の残留応力を与え難い構造となっており、静電チャックとしての吸着特性を長期間安定して発揮することができる。
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。図1は、本発明の実施形態に係る低熱膨張セラミックス部材を示す断面図である。
本実施形態では、図1に示すように、低熱膨張セラミックス基体2の表面に溝4が形成され、その内部に電極3が埋め込まれている。そして、これらの上に、低熱膨張セラミックスからなる誘電体部1が配置されている。
誘電体部1及び低熱膨張セラミックス基体2は、いずれも低熱膨張セラミックスで構成されている。低熱膨張セラミックスの材料は、熱膨張率が小さければ特に規定するものではないが、工業的な要求から、0.6ppm/K以下のものを使用することが好ましい。この熱膨張率を満たす低熱膨張セラミックとしては、例えば、コーディエライト、ユークリプタイト、スポンジューメン、リン酸ジルコニル等を主成分としたものを用いることができる。
電極3は、(A)少なくとも1つの「周期律表IVa、Va又はVIa属元素の窒化物又は複合窒化物」からなる層(第1の層)と、(B)少なくとも1つの「周期律表IVa、Va又はVIa属元素」からなる層(第2の層)とが互いに積層されて構成されている。つまり、第1の層は、周期律表IVa属元素の窒化物若しくは複合窒化物、周期律表Va属元素の窒化物若しくは複合窒化物、又は周期律表VIa属元素の窒化物若しくは複合窒化物から構成されている。例えば、「周期律表IVa、Va又はVIa属元素の窒化物又は複合窒化物」の層である金属窒化物層又は複合窒化物層と、「周期律表IVa、Va又はVIa属元素」の層である金属層と、金属窒化物層又は複合窒化物層とがこの順で積層されている。
電極3は、誘電体部1と基体2との間に固定して配置されているため、電極3が金属窒化物層又は複合窒化物層のみからなる場合、長期間の安定性を確保するために電極3を厚くすると、密着性が低下したり、変形に対する耐性が低下したりする。これは、電極3を構成する金属窒化物層又は複合窒化物層の内部応力が高くなるからである。一方、内部応力を抑制するために電極3を薄くすると、長期間の安定性を確保できなくなる。
これらの点を両立させるべく、本願発明者等が鋭意検討を行ったところ、電極3の構造を、上述のような積層構造とすることにより、金属層を応力緩和層として機能させ、電極3の内部応力を低減することができ、この結果、電極3を厚くしても密着性の低下及び変形耐性の低下を防止できることを見出した。
また、電極3が金属窒化物層又は複合窒化物層のみからなる場合には、その抵抗が高いため、長時間の使用時に抵抗による発熱が起こり、熱変形に起因すると思われるひび割れが電極3に起こる可能性がある。これに対し、本実施形態では、金属窒化物層又は複合窒化物層において熱が発生しても、この熱は、熱伝導率が高い金属層を通って抜熱されるため、熱変形を抑制することが可能である。つまり、発熱が生じても、その熱は金属層を介して電極3の全体に拡散し、局所的な温度上昇を抑制し、熱変形を抑制することができるのである。この点からも、本実施形態によれば、電極3の安定性が向上するといえる。
なお、「金属窒化物層又は複合窒化物層」を構成する金属元素としては、低熱膨張セラミックスである誘電体部1及び基体2と反応し難く、かつ熱膨張による変形にも強く、低熱膨張セラミックスとの密着性が高いという性質を具えている必要がある。この点から、周期律表IVa、Va又はVIa属元素である必要がある。ここで、周期律表IVa、Va又はVIa属元素としては、特に規定するものではないが、夫々Ti、Ta、Crが挙げられる。
また、「金属層」を構成する金属元素としては、「金属窒化物層又は複合窒化物層」と同一の金属元素を用いることが好ましい。複合窒化物層が用いられている場合には、複合金属層とするか、複合窒化物の主成分である金属の層とすることが好ましい。例えばTiAlN層が用いられている場合には、TiAl層又はTi層とすることが好ましい。このように、金属窒化物層等と同一の金属元素を用いることにより、後述の物理蒸着法(PVD法)によってこれらの層を形成する場合に、ターゲットを付け替えることなく雰囲気ガスを置換するのみでよくなるため、好適であるといえる。
また、TiN若しくはCrN等の導電性の金属窒化物層又はTiAlN等の複合窒化物層は、低熱膨張セラミックス基体2と反応し難く、PVD法で成膜しやすい。また、これらの層の低熱膨張セラミック基体2との密着性も良好である。従って、TiN若しくはCrN等の導電性の金属窒化物層又はTiAlN等の複合窒化物層は好適である。
また、電極3の厚さは、3μm以上とすることが好ましい。電極3の厚さが3μm未満の場合、長時間使用しているうちに電極3の抵抗により発熱し、熱変形に起因すると思われるひび割れが電極3に起こり易くなる。この結果、電極3の抵抗が上昇し、使用時に更に発熱する虞がある。また、更に使用を継続すると亀裂が進展し、電極3で導通し難くなる虞もある。
また、電極3の厚さの上限は、特に規定するものではないが、例えば80μmとすることが好ましい。電極3は厚い方が電極の安定性という観点からは好ましいが、工業的に製造を考慮した場合、後述のPVD法で80μmよりも厚く形成しようとすると時間が掛かり過ぎ、また、ターゲット材が損傷して膜の均一性が損なわれ易くなる。従って、電極3の厚さは、例えば80μm以下とすることが好ましい。
また、電極3を構成する金属層の厚さは、特に規定するものではないが、0.01μm〜0.06μmとすることが好ましい。金属層の厚さが0.01μm未満であると、内部応力が緩和されにくくなり、このため、実験的知見による内部応力の許容値である2GPaを超える虞がある。また、低熱膨張セラミックス基体2との密着性が悪くなり、変形に対しても弱くなりやすくなることが懸念される。一方、金属層の厚さが0.06μmを超えると、これを挟んで金属窒化物層又は複合窒化物層を形成する場合、これらの層の構造(柱状晶)が連続しにくくなり、応力を緩和することは可能であるものの、熱膨張による変形に対して金属層と金属窒化物又は複合窒化物層との界面の部分から剥がれやすくなる。従って、応力の緩和及び密着性の向上を両立させるためには、金属層の厚さを0.01μm〜0.06μmとすることが好ましい。
また、複数の金属層を用いる場合には、これらの間に、厚さが1.5μm〜4.5μmの金属窒化物層又は複合窒化物層を挟み込むことが好ましい。つまり、金属層同士の間隔を1.5μm〜4.5μmとすることが好ましい。金属層同士の間隔が1.5μm未満であるか又は4.5μmを超えていると、内部応力の大きさが2GPaを超え、低熱膨張セラミックス基体2との密着性が低下しやすく、耐変形性も弱くなりやすい。従って、金属層の間隔は1.5μm〜4.5μmとすることが好ましい。なお、内部応力は、例えばX線回折により求めることができる。
また、誘電体部1及び低熱膨張セラミックス基体2を構成する低熱膨張セラミックスとしては、熱膨張率が0.6ppm/K以下のものを用いることが好ましい。但し、この低熱膨張セラミックス部材を半導体装置の製造装置用の部材として用いる場合には、半導体装置の製造装置のスループットを向上させるために、軽量化及び共振周波数の高周波化を満たすことが好ましい。従って、熱膨張率が0.6ppm/K以下とするだけでなく、高い剛性を得ることが好ましい。
そこで、この観点に基づいて本発明者らは種々の試験及び検討を行った。この結果、低熱膨張セラミックスとして、化学組成が、MgO:8〜17.2質量%、Al2O3:22〜38質量%、SiO2:49.5〜70質量%、Li2O:0.1〜2.5質量%の範囲内にあるものが、高剛性の材料として安定して製造できることが見出された。例えば、100GPa以上の高いヤング率、及び0.02ppm/K程度の十分に低い熱膨張係数を併せ持ち、ポア及びマイクロクラックが少なく、高い面精度が得られる。ここで、これらの成分の範囲をはずれると、熱膨張率が大きくなってしまったり、剛性が低下したりする。
更に、この低熱膨張セラミックス部材を、半導体装置を製造する際の露光又は特性の測定等を行う際の部材として用いる場合には、光の乱反射を回避するために、本部材を黒色化しておくことが好ましい。この観点に基づいて本発明者らが種々の試験及び検討を行ったところ、上記組成に、更に、Tiを除く遷移金属の1種又は2種以上の化合物(酸化物換算):0.1〜2質量%が追加され、且つ、化学組成の質量比に関し、([SiO2]−8×[Li2O])/[MgO]≧3の関係、及び([SiO2]−8×[Li2O])/[Al2O3]≧1.2の関係が満たされる場合に、十分な黒色色調を得ることができることが見出された。ここで、[SiO2]はSiO2の質量を表し、[LiO2]はLiO2の質量を表し、[MgO]はMgOの質量を表し、[Al2O3]はAl2O3の質量を表している。なお、Tiを除く遷移金属としては、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu等の第1遷移金属を用いることが好ましい。また、これらの化合物としては、酸化物、窒化物、炭化物等が挙げられ、上記の0.1〜2質量%という値は、これらを全て酸化物に換算した場合の値である。
ここで、上記の関係「([SiO2]−8×[Li2O])/[MgO]≧3」、及び「([SiO2]−8×[Li2O])/[Al2O3]≧1.2」は、低熱膨張セラミックスの主成分であるMgO−Al2O3−SiO2においては、SiO2が少なくなると黒色発色が薄くなるため、黒色化を良好に発揮させるためのSiO2の量をMgO及びAl2O3の量に対する比率で定めたものである。この関係は実験的に導き出したものであるが、LiO2は焼結途中でLiO2−Al2O3−SiO2焼結体としてSiO2を固定するため、このことを考慮して、その分のSiO2を差し引いている。
更に、高い剛性が要求とされる場合には、上記組成に、更に、希土類元素の1種又は2種以上の化合物(酸化物換算):10質量%以下が追加されていることが好ましいことも本願発明者らにより見出された。なお、希土類元素としては、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLu等が挙げられる。また、これらの化合物としては、酸化物、窒化物、炭化物等が挙げられる。上記の10質量%以下という値は、これらを全て酸化物に換算した場合の値である。これらの希土類元素の中でも、Yが容易に入手でき安価な点で好ましい。なお、希土類元素の添加量の下限値は特に規定するものではなく、添加されていれば剛性が向上する。
また、静電チャックに用いられる場合等、誘電体部1の電荷の移動の高速化が要求される場合には、誘電体部1を低抵抗化することが好ましい。この観点に基づいて本発明者らが種々の試験及び検討を行ったところ、上記組成に、更に、Ti化合物(TiO2換算):1質量%以下、C:5質量%以下の少なくともいずれかが追加されている場合に、誘電体部1の抵抗を下げることができることが見出された。ここで、Ti化合物としては、酸化チタン、窒化チタン、炭化チタン等が挙げられる。また、上記の1質量%以下という値は、これらを全て酸化チタンに換算した場合の値である。なお、Ti化合物(TiO2換算)の添加量の下限値は特に規定するものではなく、添加されていれば低抵抗化及び電荷の移動の高速化が可能である。また、Cについても、その添加量の下限値は特に規定するものではなく、添加されていれば低抵抗化及び電荷の移動の高速化が可能である。
このような本実施形態に係る低熱膨張セラミックス部材は、上述のように、100GPa以上の高いヤング率、及び0.02ppm/K程度の十分に低い熱膨張係数を併せ持ち、ポア及びマイクロクラックが少なく、高い面精度が得られる。また、希土類元素が添加され、遷移金属が添加され、且つTi又はCが添加されている場合には、熱膨張率は0.6ppm/K程度となるが、120GPa以上の高いヤング率を示し、黒色を呈すると共に、体積抵抗率が1×1010Ωcm以上1×1012Ωcm未満となる。この結果、光の乱反射が抑制され、低電圧で駆動することが可能となり、応答時間が短縮されるため、静電吸着を行う静電チャックに好適な部材といえる。
ここで、ヤング率はJIS−R1602により、超音波パルス法にて常温で測定可能である。熱膨張係数はJIS−R3251に基づき、二重光路マイケルソン型レーザー干渉計方式の熱膨張測定器にて常温(25℃)の値を測定可能である。体積抵抗率はハイレジスタンスメータ4339B(アジレントテクノロジー製)を用いて測定可能である。
次に、本発明の実施形態に係る低熱膨張セラミックス部材の製造方法の概要について説明する。
この方法では、先ず、誘電体部1用の低熱膨張セラミックス材の表面に、上記の積層構造の電極3を形成する。電極3としては、例えば所定のパターンのものを形成する。次に、電極3のパターンに沿う溝4が形成された低熱膨張セラミックス基体2に、前記の誘電体部1用の低熱膨張セラミックス材を接合させる。この結果、電極3が内部電極となる。このような方法により、低熱膨張セラミックス部材を製造することができる。
次に、上記の方法における各処理の詳細について説明する。
誘電体部1用の低熱膨張セラミックス材の表面に電極3を形成する方法としては、例えば、ペーストの焼付け、気相法等が挙げられる。また、気相法としては、蒸着法、スパッタ法、及びイオンプレーティング法(IP法)等の物理蒸着法(PVD法)、化学蒸着法(CVD法)、並びに溶射法等が挙げられる。
電極3(内部電極)を長期安定化させるためには、電極3の面方向での均一性のみならず、厚さ方向での均一性も重要である。なぜなら、電極3の均一性が低く空隙が存在する場合、空隙が存在する部分では他の部分より抵抗が高くなるため、使用時にその部分において他の部分より発熱が大きくなり、熱膨張の影響により電極3内に亀裂を生じる可能性が高いためである。従って、長期間安定な電極3(内部電極)を形成するためには、面方向及び厚さ方向の両方について良好な均一性を得ることが重要であり、この観点からはPVD法が最も好ましい。
上述のように、電極3の厚さは3μm以上とすることが好ましい。これは、電極3の厚さが3μm未満であると、使用時に発熱により変形が生じた場合の耐性が低く、変形による影響を受けやすくなるからである。そして、このような厚さの電極3を形成するためには、スパッタ法又はイオンプレーティング法等のPVD法を適用することが好ましい。特に、イオンプレーティング法は、数十μm程度の厚い膜を形成する場合には、成膜速度がスパッタ法よりも速いことから、工業的観点からより好ましい方法と考えられる(例えば、「表面改質技術」精密工学会表面改質に関する調査研究分科会編を参照)。
電極3の形成に際しては、予め誘電体部1用の低熱膨張セラミックス材の電極パターンを形成する予定の領域以外を覆うマスクを形成しておく。そして、PVD法により、この電極パターンに対応させて、金属窒化物層又は複合窒化物層、金属層、金属窒化物層又は複合窒化物層を順次形成する。なお、PVD法によりこれらの層を形成する場合には、同一元素のターゲットを用いることが可能である。この場合には、金属窒化物層又は複合窒化物層を形成する際には雰囲気ガスを窒素とし、金属層を形成する際には雰囲気ガスをアルゴンとすればよい。このように雰囲気ガスを変更するのみで、ターゲットを交換することなく、2種類の層を簡便に作り分けることが可能である。敢えてターゲットに用いる元素を変更することも可能ではあるが、その場合には、チャンバ内の真空を一旦解除してターゲットを付け替える作業が必要となり、工業的な生産を考慮すると効率がよいとはいえない。従って、同一元素のターゲットを用いてガス種のみを変更する方法が好ましい。
誘電体部1用の低熱膨張セラミックス材と、溝4が形成された低熱膨張セラミックス基体2との接合では、例えば、これらの位置合わせを行った上で、ホットプレス(HP)又は熱間静水圧プレス(HIP)等の加圧熱処理を行えばよい。なお、この加圧熱処理の際に、誘電体部1用の低熱膨張セラミックス材と低熱膨張セラミックス基体2との間に、これらと同一の材料からなるセラミックスの粉末を介在させ、加圧熱処理の際に焼結させることが好ましい。
なお、低熱膨張セラミックス基体2に、電極パターンに倣う溝4を形成する方法としては、電極パターンに対応する部分を除いた部分をマスキングしてブラスト処理を施すという方法、及び精密機械加工にて溝加工を施すという方法等が挙げられ、特に限定されるものではない。
また、誘電体部1用の低熱膨張セラミックス材及び低熱膨張セラミックス基体2を構成する低熱膨張セラミックスとして、更に、黒色、高剛性、低抵抗のものを用いる要求がある場合には、前述の元素を所定の含有量となるように各原料を配合すればよい。特に、高剛性の低熱膨張セラミックスを用いた場合には、加圧熱処理の際に固相拡散接合を行うこともでき、接合面に空隙等のない均質な静電チャックを得ることができる。具体的には、誘電体部1用の低熱膨張セラミックス材及び低熱膨張セラミックス基体2は、これらを面合わせして加圧熱処理するだけでも十分に接合できるが、高剛性の低熱膨張セラミックスを用いた場合には、位置合わせ後に重しを乗せて熱処理を行うのみでも十分に接合することができる。従って、加圧処理設備を備えていない加熱炉を使用しての接合も十分なものとすることができる。
また、誘電体部1用の低熱膨張セラミックス材及び低熱膨張セラミックス基体2は、各酸化物原料を混合し、得られた混合粉を成形し、焼結することにより得ることができる。なお、必要に応じて、原料粉の仮焼及び/又は造粒等を更に行ってもよい。
なお、低熱膨張セラミックスの面出しが容易な場合には、電極3を誘電体部1用の低熱膨張セラミックス材上ではなく、溝4内に形成してもよい。この場合には、低熱膨張セラミックス基体2の電極パターンに倣う溝4内に電極3を形成した後に、低熱膨張セラミックス基体2と電極3との面出しを行い、その後、誘電体部1用の低熱膨張セラミックス材と低熱膨張セラミックス基体2と接合させればよい。この方法によっても、電極3が内部電極となる。
以下、実施例に基づいて、本発明について更に説明する。
(実施例1)
実施例1では、先ず、MgO:13質量%、Al2O3:32質量%、SiO2:54質量%、Li2O:0.6質量%、TiN(TiO2換算):0.1質量%、Fe2O3:0.2質量%、C:0.1質量%、となる配合の低熱膨張セラミックス焼結体を50mm×50mm×0.5mmの直方体に加工し、これを誘電体部1用の低熱膨張セラミックス材11とした。次に、50mm×50mmの面の表面に、図2に示すような30mm×30mmとなる櫛型状の電極パターン12を形成する予定の領域以外を覆うマスクを形成し、神港精機社製のイオンプレーティング装置AIF−1675SBT内に載置した。次いで、装置のチャンバ内を10-6Torrまで真空到達させ、その後、雰囲気ガスを8×10-4Torrまで導入し、ヒーター加熱により低熱膨張セラミックス材11に密着させたヒーターの基板温度を350℃程度まで昇温させた。そして、TiN層及びTi層が繰り返し積層されて構成された櫛型状の電極パターン12を形成した。続いて、マスキングに用いたマスクを除去した。
実施例1では、先ず、MgO:13質量%、Al2O3:32質量%、SiO2:54質量%、Li2O:0.6質量%、TiN(TiO2換算):0.1質量%、Fe2O3:0.2質量%、C:0.1質量%、となる配合の低熱膨張セラミックス焼結体を50mm×50mm×0.5mmの直方体に加工し、これを誘電体部1用の低熱膨張セラミックス材11とした。次に、50mm×50mmの面の表面に、図2に示すような30mm×30mmとなる櫛型状の電極パターン12を形成する予定の領域以外を覆うマスクを形成し、神港精機社製のイオンプレーティング装置AIF−1675SBT内に載置した。次いで、装置のチャンバ内を10-6Torrまで真空到達させ、その後、雰囲気ガスを8×10-4Torrまで導入し、ヒーター加熱により低熱膨張セラミックス材11に密着させたヒーターの基板温度を350℃程度まで昇温させた。そして、TiN層及びTi層が繰り返し積層されて構成された櫛型状の電極パターン12を形成した。続いて、マスキングに用いたマスクを除去した。
なお、TiN層及びTi層の形成に当たっては、Tiターゲットを用い、窒素ガス中で45分間の成膜を行うことにより、厚さが3μmのTiN層を形成した後、Arガス中で70秒間の成膜を行うことにより、厚さが0.05μmのTi層を成膜した。そして、このようなTiN層及びTi層の形成を4回繰り返した後、TiN層のみを形成し、電極パターン12の全体の厚さを約15μmとした。
また、低熱膨張セラミックス材11と同じ成分の低熱膨張セラミックス焼結体を50mm×50mm×5mmの直方体に加工し、電極パターン12を逆転写した。次に、電極パターン12が逆転写された部分を除いた部分をマスクによりマスキングし、ブラスト処理により深さが16μmの溝4を形成した後、マスクを除去した。このようにして、深さが16μmの溝4を有する低熱膨張セラミックス基体2を作成した。
そして、電極パターン12が溝4内に入り込むようにして熱膨張セラミックス材11と低熱膨張セラミックス基体2とを貼り合わせ、ホットプレスにより接合処理を行い、内部電極(電極パターン12)を有する低熱膨張セラミックス部材として静電チャックを製造した。なお、ホットプレスの条件は、図3に示すように、温度:1350℃、圧力:20MPa、時間:1時間とした。また、ホットプレスの際には、カーボン治具を使用し、雰囲気をAr雰囲気とした。
次に、内部電極に低熱膨張セラミックス基体2に空けた端子取り出し部を介して端子を接続し、静電チャックに100Vの電圧を印加したところ、図4に示すように、初期の静電吸着力が55kPaとなり、漏れ電流が0.8μAとなった。更に、この静電チャックに100Vの電圧のON/OFFを繰り返し、200時間経過毎に吸着力及び漏れ電流を測定した。この結果、通算使用時間が1000時間となった時でも、静電吸着力が53kPaとなり、漏れ電流が0.9μAとなった。つまり、1000時間もの使用によっても、特性がほとんど劣化していなかった。また、後述する従来の静電チャックである比較例2と比較して、約5倍以上の長寿命が見込めることも確認できた。
(実施例2〜4)
実施例2〜4では、図3に示すように、実施例1とは、電極パターン12を構成するTiN層及びTi層の厚さ及び/又は層数を異ならせた。また、実施例3では、接合方法も異ならせた。そして、実施例1と同様の試験を行った。この結果、図4に示すように、いずれの実施例においても特性の劣化はほとんどなく、測定誤差範囲内程度のものであった。
実施例2〜4では、図3に示すように、実施例1とは、電極パターン12を構成するTiN層及びTi層の厚さ及び/又は層数を異ならせた。また、実施例3では、接合方法も異ならせた。そして、実施例1と同様の試験を行った。この結果、図4に示すように、いずれの実施例においても特性の劣化はほとんどなく、測定誤差範囲内程度のものであった。
(実施例5)
実施例5では、実施例1とは、電極パターン12を構成する層の組成、厚さ及び数を異ならせた。組成については、イオンプレーティングのターゲットをTiからCrに変更し、CrN層及びCr層を形成した。また、図3に示すように、接合を実施例3と同様に熱間静水圧プレスにより行った。そして、実施例1と同様の試験を行った。この結果、図4に示すように、特性の劣化はほとんどなく、測定誤差範囲内程度のものであった。
実施例5では、実施例1とは、電極パターン12を構成する層の組成、厚さ及び数を異ならせた。組成については、イオンプレーティングのターゲットをTiからCrに変更し、CrN層及びCr層を形成した。また、図3に示すように、接合を実施例3と同様に熱間静水圧プレスにより行った。そして、実施例1と同様の試験を行った。この結果、図4に示すように、特性の劣化はほとんどなく、測定誤差範囲内程度のものであった。
(実施例6)
実施例6では、実施例4とは、電極パターン12を構成する層、厚さ及び数の組成を異ならせた。組成については、イオンプレーティングのターゲットをTiからTaに変更し、TaN層及びTa層を形成した。また、図3に示すように、接合を実施例3と同様に熱間静水圧プレスにより行った。そして、実施例1と同様の試験を行った。この結果、図4に示すように、特性の劣化はほとんどなく、測定誤差範囲内程度のものであった。
実施例6では、実施例4とは、電極パターン12を構成する層、厚さ及び数の組成を異ならせた。組成については、イオンプレーティングのターゲットをTiからTaに変更し、TaN層及びTa層を形成した。また、図3に示すように、接合を実施例3と同様に熱間静水圧プレスにより行った。そして、実施例1と同様の試験を行った。この結果、図4に示すように、特性の劣化はほとんどなく、測定誤差範囲内程度のものであった。
(実施例7)
実施例7では、電極パターン12をスパッタ法により形成した。先ず、実施例1と同様に低熱膨張セラミックス材11にマスキングを行った後、ANELVA社製高周波スパッタリング装置SP−430HS内に載置し、チャンバ内を5×10-6Torrまで真空到達させた。その後、雰囲気ガスを3×10-3Torrまで導入し、TiN層及びTi層が繰り返し積層されて構成された櫛型の電極パターン12を形成した。続いて、マスキングに用いたマスクを除去した。
実施例7では、電極パターン12をスパッタ法により形成した。先ず、実施例1と同様に低熱膨張セラミックス材11にマスキングを行った後、ANELVA社製高周波スパッタリング装置SP−430HS内に載置し、チャンバ内を5×10-6Torrまで真空到達させた。その後、雰囲気ガスを3×10-3Torrまで導入し、TiN層及びTi層が繰り返し積層されて構成された櫛型の電極パターン12を形成した。続いて、マスキングに用いたマスクを除去した。
なお、TiN層及びTi層の形成に当たっては、Tiターゲットを用い、窒素ガス中で90分間の成膜を行うことにより、厚さが1.66μmのTiN層を形成した後、Arガス中で5分間の成膜を行うことにより、厚さが0.01μmのTi層を形成した。そして、このようなTiN層及びTi層の形成を2回繰り返した後、TiN層のみを形成し、電極パターン12の全体の厚さを約5μmとした。
また、低熱膨張セラミックス基体2には、深さが6μmの溝を形成した。
そして、電極パターン12が溝4内に入り込むようにして熱膨張セラミックス材11と低熱膨張セラミックス基体2とを貼り合わせ、熱間静水圧プレスにより接合処理を行い、内部電極(電極パターン12)を有する低熱膨張セラミックス部材として静電チャックを製造した。なお、熱間静水圧プレスの条件は、図3に示すように、温度:1360℃、Arガス加圧:100MPa、時間:2時間とした。上記の実施例3、5及び6の条件も同様である。
そして、実施例1と同様の試験を行った。この結果、図4に示すように、特性の劣化はほとんどなく、測定誤差範囲内程度のものであった。
(実施例8)
実施例8では、実施例7とは、電極パターン12を構成するTiN層の厚さ及び層数、並びにTi層の層数を異ならせた。そして、実施例1と同様の試験を行った。この結果、800時間程度まで問題なく使用することができた。即ち、従来の4倍以上も問題なく使用することができた。
実施例8では、実施例7とは、電極パターン12を構成するTiN層の厚さ及び層数、並びにTi層の層数を異ならせた。そして、実施例1と同様の試験を行った。この結果、800時間程度まで問題なく使用することができた。即ち、従来の4倍以上も問題なく使用することができた。
(実施例9)
実施例9では、低熱膨張セラミックス基体2の溝4内に電極パターン12を形成した後に、この上に、低熱膨張セラミックス材11を接合した。具体的には、深さが6μmの溝4のパターンを形成した後、その周囲にマスクを形成し、溝4内に厚さが約6μmになるように、厚さが2.5μmのTiN層、厚さが0.01μmのTi層、厚さが3.5μmのTiN層を順次形成した。その後、低熱膨張セラミックス基体2の表面を研磨することにより、マスクを除去すると共に、最表面のTiN層を1mm削り取ることにより、厚さが約5μmの電極パターン12を得た。そして、低熱膨張セラミックス材11と低熱膨張セラミックス基体2との接合を行った。但し、低熱膨張セラミックス材11及び低熱膨張セラミックス基体2の材料としては、MgO:13質量%、Al2O3:32.2質量%、SiO2:54.2質量%、Li2O:0.6質量%、となる配合の低熱膨張セラミックスを用いた。
実施例9では、低熱膨張セラミックス基体2の溝4内に電極パターン12を形成した後に、この上に、低熱膨張セラミックス材11を接合した。具体的には、深さが6μmの溝4のパターンを形成した後、その周囲にマスクを形成し、溝4内に厚さが約6μmになるように、厚さが2.5μmのTiN層、厚さが0.01μmのTi層、厚さが3.5μmのTiN層を順次形成した。その後、低熱膨張セラミックス基体2の表面を研磨することにより、マスクを除去すると共に、最表面のTiN層を1mm削り取ることにより、厚さが約5μmの電極パターン12を得た。そして、低熱膨張セラミックス材11と低熱膨張セラミックス基体2との接合を行った。但し、低熱膨張セラミックス材11及び低熱膨張セラミックス基体2の材料としては、MgO:13質量%、Al2O3:32.2質量%、SiO2:54.2質量%、Li2O:0.6質量%、となる配合の低熱膨張セラミックスを用いた。
そして、実施例1と同様の試験を行った。この結果、図4に示すように、特性の劣化はほとんどなく、測定誤差範囲内程度のものであった。
(実施例10)
実施例10では、実施例1とは、低熱膨張セラミックスの組成等を異ならせた。具体的には、MgO:13質量%、Al2O3:32.1質量%、SiO2:54.1質量%、Li2O:0.6質量%、Fe2O3:0.2質量%、となる配合の低熱膨張セラミックスを用いた。
実施例10では、実施例1とは、低熱膨張セラミックスの組成等を異ならせた。具体的には、MgO:13質量%、Al2O3:32.1質量%、SiO2:54.1質量%、Li2O:0.6質量%、Fe2O3:0.2質量%、となる配合の低熱膨張セラミックスを用いた。
そして、実施例1と同様の試験を行った。この結果、図4に示すように、特性の劣化はほとんどなく、測定誤差範囲内程度のものであった。
(実施例11)
実施例11では、実施例1とは、低熱膨張セラミックスの組成等を異ならせた。具体的には、MgO:12.0質量%、Al2O3:31.1質量%、SiO2:53.1質量%、Li2O:0.6質量%、Y2O3:3.0質量%、Cr2O3:0.2質量%、となる配合の低熱膨張セラミックスを用いた。
実施例11では、実施例1とは、低熱膨張セラミックスの組成等を異ならせた。具体的には、MgO:12.0質量%、Al2O3:31.1質量%、SiO2:53.1質量%、Li2O:0.6質量%、Y2O3:3.0質量%、Cr2O3:0.2質量%、となる配合の低熱膨張セラミックスを用いた。
そして、実施例1と同様の試験を行った。この結果、図4に示すように、特性の劣化はほとんどなく、測定誤差範囲内程度のものであった。
(実施例12)
実施例11では、実施例1とは、低熱膨張セラミックスの組成等を異ならせた。具体的には、MgO:12.9質量%、Al2O3:32質量%、SiO2:54質量%、Li2O:0.6質量%、TiO2:0.3質量%、Fe2O3:0.2質量%、となる配合の低熱膨張セラミックスを用いた。
実施例11では、実施例1とは、低熱膨張セラミックスの組成等を異ならせた。具体的には、MgO:12.9質量%、Al2O3:32質量%、SiO2:54質量%、Li2O:0.6質量%、TiO2:0.3質量%、Fe2O3:0.2質量%、となる配合の低熱膨張セラミックスを用いた。
そして、実施例1と同様の試験を行った。この結果、図4に示すように、特性の劣化はほとんどなく、測定誤差範囲内程度のものであった。
(比較例1)
比較例1では、低熱膨張セラミックス材11の表面に、実施例1と同様の方法により、TiN層のみからなる電極を形成した。その後、電極を形成する際に用いたマスクを剥がそうとしたところ、この際に、電極も剥がれてしまった。これは、TiN層の内部応力が十分に緩和されていないために、低熱膨張セラミックス材11との間の密着力が不足したためである。このように電極が剥がれてしまったため、実施例1と同様の静電吸着力及び漏れ電流の測定を実施することはできなかった。
比較例1では、低熱膨張セラミックス材11の表面に、実施例1と同様の方法により、TiN層のみからなる電極を形成した。その後、電極を形成する際に用いたマスクを剥がそうとしたところ、この際に、電極も剥がれてしまった。これは、TiN層の内部応力が十分に緩和されていないために、低熱膨張セラミックス材11との間の密着力が不足したためである。このように電極が剥がれてしまったため、実施例1と同様の静電吸着力及び漏れ電流の測定を実施することはできなかった。
(比較例2)
比較例2では、低熱膨張セラミックス基体2の電極を形成しようとする部分に深さが45μmの溝を掘り、その内部に、電極形状に加工した50μmのWメッシュシートを入れた。そして、実施例1と同様のホットプレスにより低熱膨張セラミックス11と低熱膨張セラミックス基体2とを接合した。
比較例2では、低熱膨張セラミックス基体2の電極を形成しようとする部分に深さが45μmの溝を掘り、その内部に、電極形状に加工した50μmのWメッシュシートを入れた。そして、実施例1と同様のホットプレスにより低熱膨張セラミックス11と低熱膨張セラミックス基体2とを接合した。
そして、実施例1と同様の試験を行った。この結果、図4に示すように、実施例1〜12とは異なり、静電チャックの初期特性は良好であり、200時間までは安定して使用可能であったものの、400時間まで使用した際に、誘電体部にクラックの発生が認められた。更に、漏れ電流が多くなったため、測定を中止した。
1:誘電体部
2:低熱膨張セラミックス基体
3:電極
4:溝
11:低熱膨張セラミックス材
12:電極パターン
2:低熱膨張セラミックス基体
3:電極
4:溝
11:低熱膨張セラミックス材
12:電極パターン
Claims (17)
- 低熱膨張セラミックス基体と、
前記低熱膨張セラミックス基体上に設けられた電極と、
前記電極を覆う低熱膨張セラミックス誘電体部と、
を有し、
前記電極の構造は、
周期律表IVa属元素の窒化物若しくは複合窒化物、周期律表Va属元素の窒化物若しくは複合窒化物、又は周期律表VIa属元素の窒化物若しくは複合窒化物からなる第1の層と、
周期律表IVa、Va又はVIa属元素からなる第2の層と、
の積層構造であることを特徴とする低熱膨張セラミックス部材。 - 前記第1の層は、Tiの窒化物又は複合窒化物からなり、
前記第2の層は、Tiからなることを特徴とする請求項1に記載の低熱膨張セラミックス部材。 - 前記第1の層は、Crの窒化物又は複合窒化物からなり、
前記第2の層は、Crからなることを特徴とする請求項1に記載の低熱膨張セラミックス部材。 - 前記電極の厚さは、3μm以上であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の低熱膨張セラミックス部材。
- 前記低熱膨張セラミックス誘電体部及び低熱膨張セラミックス基体は、
MgO:8〜17.2質量%、
Al2O3:22〜38質量%、
SiO2:49.5〜70質量%、及び
Li2O:0.1〜2.5質量%、
を含有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の低熱膨張セラミックス部材。 - 前記低熱膨張セラミックス誘電体部及び低熱膨張セラミックス基体は、更に、Tiを除く遷移金属の1種又は2種以上の化合物(酸化物換算):0.1〜2質量%を含有し、
SiO2の質量を[SiO2]、
LiO2の質量を[LiO2]、
MgOの質量を[MgO]、
Al2O3の質量を[Al2O3]
と表したとき、
([SiO2]−8×[Li2O])/[MgO]≧3の関係、及び
([SiO2]−8×[Li2O])/[Al2O3]≧1.2の関係
が満たされていることを特徴とする請求項5に記載の低熱膨張セラミックス部材。 - 前記低熱膨張セラミックス誘電体部及び低熱膨張セラミックス基体は、更に、希土類元素の1種又は2種以上の化合物(酸化物換算):10質量%以下を含有することを特徴とする請求項5又は6に記載の低熱膨張セラミックス部材。
- 前記低熱膨張セラミックス誘電体部及び低熱膨張セラミックス基体は、更に、
Ti化合物(TiO2換算):1質量%以下、及び
C:5質量%以下
からなる群から選択された少なくとも1種類を含有することを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項に記載の低熱膨張セラミックス部材。 - 第1の低熱膨張セラミックス材上に電極を形成する工程と、
前記第1の低熱膨張セラミックス材に第2の低熱膨張セラミックス材を接合することにより、前記第1及び第2の低熱膨張セラミックス材との間に前記電極を挟み込む工程と、
を有し、
前記電極として、
周期律表IVa属元素の窒化物若しくは複合窒化物、周期律表Va属元素の窒化物若しくは複合窒化物、又は周期律表VIa属元素の窒化物若しくは複合窒化物からなる第1の層と、
周期律表IVa、Va又はVIa属元素からなる第2の層と、
の積層構造を有するものを形成することを特徴とする低熱膨張セラミックス部材の製造方法。 - 前記第1の層として、Tiの窒化物又は複合窒化物からなるものを形成し、
前記第2の層として、Tiからなるものを形成することを特徴とする請求項9に記載の低熱膨張セラミックス部材の製造方法。 - 前記第1の層として、Crの窒化物又は複合窒化物からなるものを形成し、
前記第2の層として、Crからなるものを形成することを特徴とする請求項9に記載の低熱膨張セラミックス部材の製造方法。 - 前記電極の厚さを、3μm以上とすることを特徴とする請求項9乃至11のいずれか1項に記載の低熱膨張セラミックス部材の製造方法。
- 前記第1及び第2の低熱膨張セラミックス材として、
MgO:8〜17.2質量%、
Al2O3:22〜38質量%、
SiO2:49.5〜70質量%、及び
Li2O:0.1〜2.5質量%、
を含有するものを使用することを特徴とする請求項9乃至12のいずれか1項に記載の低熱膨張セラミックス部材の製造方法。 - 前記第1及び第2の低熱膨張セラミックス材として、
更に、Tiを除く遷移金属の1種又は2種以上の化合物(酸化物換算):0.1〜2質量%を含有し、
SiO2の質量を[SiO2]、
LiO2の質量を[LiO2]、
MgOの質量を[MgO]、
Al2O3の質量を[Al2O3]
と表したとき、
([SiO2]−8×[Li2O])/[MgO]≧3の関係、及び
([SiO2]−8×[Li2O])/[Al2O3]≧1.2の関係
が満たされているものを使用することを特徴とする請求項13に記載の低熱膨張セラミックス部材の製造方法。 - 前記第1及び第2の低熱膨張セラミックス材として、更に、希土類元素の1種又は2種以上の化合物(酸化物換算):10質量%以下を含有するものを使用することを特徴とする請求項13又は14に記載の低熱膨張セラミックス部材の製造方法。
- 前記第1及び第2の低熱膨張セラミックス材として、更に、
Ti化合物(TiO2換算):1質量%以下、及び
C:5質量%以下
からなる群から選択された少なくとも1種類を含有するものを使用することを特徴とする請求項13乃至15のいずれか1項に記載の低熱膨張セラミックス部材の製造方法。 - 前記第1及び第2の層を物理蒸着法により形成することを特徴とする請求項9乃至16のいずれか1項に記載の低熱膨張セラミックス部材の製造方法。
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