JP2020141140A - 剥離方法 - Google Patents
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Abstract
Description
ュファクチャ、又は組成物(コンポジション・オブ・マター)に関する。本発明の一態様
は、半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、照明装置又はそれらの作製方法に関す
る。特に、本発明の一態様は、有機エレクトロルミネッセンス(Electrolumi
nescence、以下ELとも記す)現象を利用した発光装置とその作製方法に関する
。特に、本発明の一態様は、剥離方法や、剥離工程を有する装置の作製方法に関する。ま
た、本発明の一態様は、該装置の作製方法に用いることができるレーザ照射システムに関
する。
光素子などの機能素子が設けられたフレキシブルデバイスの開発が進められている。フレ
キシブルデバイスの代表的な例としては、照明装置、画像表示装置の他、トランジスタな
どの半導体素子を有する種々の半導体回路などが挙げられる。
薄膜トランジスタや有機EL素子などの機能素子を作製したのち、可撓性基板に該機能素
子を転置する技術が開発されている。この方法では、作製基板から機能素子を含む層を剥
離する工程(剥離工程とも記す)が必要である。
、基板上に非晶質シリコンなどからなる分離層を設け、分離層上に薄膜素子からなる被剥
離層を設け、被剥離層を接着層により転写体に接着させる。そして、レーザ光の照射によ
り分離層をアブレーションさせることで、分離層に剥離を生じさせている。
文献2では、基板と酸化物層との間に金属層を形成し、酸化物層と金属層との界面の結合
が弱いことを利用して、酸化物層と金属層との界面で剥離を生じさせることで、被剥離層
と基板とを分離している。
該機能素子を破壊してしまう場合がある。
の装置の作製工程における歩留まりを向上することを目的の一とする。特に、軽量である
、薄型である、もしくは可撓性を有する半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、又
は照明装置の作製工程における歩留まりを向上することを目的の一とする。
とする。また、本発明の一態様は、装置の作製工程における不純物の混入を抑制すること
を目的の一とする。また、本発明の一態様は、装置の作製工程における基板の貼り合わせ
の位置合わせ精度を高めることを目的の一とする。また、本発明の一態様は、信頼性の高
い発光装置を提供することを目的の一とする。また、本発明の一態様は、新規な剥離方法
や装置の作製方法を提供することを目的の一とする。
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
層と接する第1の層を含む被剥離層を形成する第2の工程と、剥離層及び被剥離層と重ね
て接着層を硬化する第3の工程と、剥離層及び接着層と重なる第1の層の一部を除去し、
剥離の起点を形成する第4の工程と、剥離層と被剥離層とを分離する第5の工程と、を有
する剥離方法である。
ましい。
層と接着層とを重ねることが好ましい。
しい。
ましい。
することが好ましい。
層と接する第1の層を含む被剥離層を形成する第2の工程と、剥離層及び被剥離層と重ね
て枠状の隔壁と、枠状の隔壁の内側の接着層と、を硬化する第3の工程と、剥離層及び枠
状の隔壁と重なる第1の層の一部を除去し、剥離の起点を形成する第4の工程と、剥離層
と被剥離層とを分離する第5の工程と、を有する剥離方法である。
子機器、又は照明装置の作製方法である。
光素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム、もしくはTCP(Tape Carr
ier Package)が取り付けられたモジュール、TCPの先にプリント配線板が
設けられたモジュール、又は発光素子にCOG(Chip On Glass)方式によ
りIC(集積回路)が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。さら
に、照明器具等に用いられる発光装置も含むものとする。
明の一態様では、半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、又は照明装置の作製工程
における歩留まりを向上させることができる。特に、軽量である、薄型である、もしくは
可撓性を有する半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、又は照明装置の作製工程に
おける歩留まりを向上させることができる。
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。
一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の
機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必
ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
基板に転置することができる。この方法によれば、例えば、耐熱性の高い作製基板上で形
成した被剥離層を、耐熱性の低い基板に転置することができ、被剥離層の作製温度が、耐
熱性の低い基板によって制限されない。作製基板に比べて軽い、薄い、又は可撓性が高い
基板等に被剥離層を転置することで、半導体装置、発光装置、表示装置等の各種装置の軽
量化、薄型化、フレキシブル化を実現できる。
えば、トランジスタ等の半導体素子や、発光ダイオード、無機EL素子、有機EL素子等
の発光素子、液晶素子等の表示素子が挙げられる。例えば、トランジスタを封入した半導
体装置、発光素子を封入した発光装置(ここでは、トランジスタ及び発光素子を封入した
表示装置を含む)等も本発明を適用して作製できる装置の一例である。
膜をガラス基板上に高温で形成し、可撓性を有する有機樹脂基板に転置することができる
。有機樹脂基板に転置された保護膜上に有機EL素子を形成することで、該有機樹脂基板
の耐熱性や防水性が低くても、信頼性の高いフレキシブルな発光装置を作製できる。
法に関する。実施の形態1では、本発明の一態様の剥離方法について説明する。実施の形
態2では、本発明の一態様を適用して作製できる装置の構成例として、有機EL素子を用
いたフレキシブルな発光装置について説明し、該発光装置の作製方法を例示する。実施の
形態3では、本発明の一態様を適用して作製できる装置を用いた電子機器や照明装置につ
いて説明する。実施の形態4では、本発明の一態様の剥離方法に用いることができるレー
ザ照射システムについて説明する。最後に、本発明の一態様の剥離方法に係る実施例を示
す。
本実施の形態では、本発明の一態様の剥離方法について図1〜図10を用いて説明する。
層上に、剥離層と接する第1の層を含む被剥離層を形成する第2の工程と、剥離層及び被
剥離層と重ねて接着層を硬化する第3の工程と、剥離層及び接着層と重なる第1の層の一
部を除去し、剥離の起点を形成する第4の工程と、剥離層と被剥離層とを分離する第5の
工程と、を有する剥離方法である。
第1の層(被剥離層に含まれる、剥離層と接する層)の一部を除去し、剥離の起点を形成
する。上記領域に剥離の起点を形成することで、剥離の歩留まりを向上させることができ
る。
離層が重なる領域において、第1の層の一部を除去し、剥離の起点を形成してもよい。接
着層と重ならない位置に剥離の起点を形成する場合、剥離層と被剥離層とを確実に分離で
きるため、剥離の起点の形成位置は、接着層からの距離が近いほど好ましく、具体的には
、接着層の端部からの距離が1mm以内に剥離の起点を形成することが好ましい。
ましい。レーザ光を用いることで、剥離の起点を形成するために第1の基板の切断等をす
る必要がなく、ゴミ等の発生を抑制でき、好ましい。
層と接着層とを重ねることが好ましい。接着層が剥離層と重ならない領域を有すると、そ
の領域の広さや、接着層と接する層との密着性の程度によって、剥離不良が生じやすくな
る場合がある。したがって、接着層は剥離層の外側に位置しないように形成することが好
ましい。なお、接着層の端部と剥離層の端部が揃っていてもよい。
しい。接着層を囲う枠状の隔壁を設けることで、接着層が広がっても、隔壁でせき止める
ことができる。したがって、接着層が、剥離層の端部よりも外側に位置することを抑制で
きるため、好ましい。
ましい。枠状の隔壁の端部が剥離層の端部よりも内側に位置することで、接着層の端部も
剥離層の端部よりも内側に位置することができる。なお、隔壁の端部と剥離層の端部が揃
っていてもよい。
することが好ましい。剥離の起点を接着層と重ねて形成する場合、隔壁が硬化状態である
と、硬化された隔壁の面積や、隔壁と接する層との密着性の程度によって、剥離不良が生
じやすくなる場合がある。隔壁に粘度の高い材料を用いることで、半硬化状態又は未硬化
状態であっても、大気中の水分等の不純物が被剥離層に混入することを抑制する効果を高
めることができる。
層と接する第1の層を含む被剥離層を形成する第2の工程と、剥離層及び被剥離層と重ね
て枠状の隔壁と、枠状の隔壁の内側の接着層と、を硬化する第3の工程と、剥離層及び枠
状の隔壁と重なる第1の層の一部を除去し、剥離の起点を形成する第4の工程と、剥離層
と被剥離層とを分離する第5の工程と、を有する剥離方法である。
第1の層の一部を除去し、剥離の起点を形成することが好ましい。上記領域に剥離の起点
を形成することで、剥離の歩留まりを向上させることができる。また、接着層と隔壁の双
方で被剥離層を封止することができ、作製する装置の信頼性を高めることができる。
はじめに、作製基板101上に剥離層103を形成し、剥離層103上に被剥離層105
を形成する(図1(A))。ここでは、島状の剥離層を形成する例を示したがこれに限ら
れない。また、被剥離層105を島状に形成してもよい。この工程では、作製基板101
から被剥離層105を剥離する際に、作製基板101と剥離層103の界面、剥離層10
3と被剥離層105の界面、又は剥離層103中で剥離が生じるような材料を選択する。
本実施の形態では、被剥離層105と剥離層103の界面で剥離が生じる場合を例示する
が、剥離層103や被剥離層105に用いる材料の組み合わせによってはこれに限られな
い。なお、被剥離層105が積層構造である場合、剥離層103と接する層を特に第1の
層と記す。
タングステン膜と酸化タングステン膜との界面(又は界面近傍)で剥離が生じることで、
被剥離層105側に剥離層103の一部(ここでは酸化タングステン膜)が残ってもよい
。また被剥離層105側に残った剥離層103は、その後除去してもよい。
用いる。作製基板101としては、例えばガラス基板、石英基板、サファイア基板、半導
体基板、セラミック基板、金属基板、樹脂基板、プラスチック基板などを用いることがで
きる。
好ましい。例えば、第3世代(550mm×650mm)、第3.5世代(600mm×
720mm、または620mm×750mm)、第4世代(680mm×880mm、ま
たは730mm×920mm)、第5世代(1100mm×1300mm)、第6世代(
1500mm×1850mm)、第7世代(1870mm×2200mm)、第8世代(
2200mm×2400mm)、第9世代(2400mm×2800mm、2450mm
×3050mm)、第10世代(2950mm×3400mm)等のガラス基板、又はこ
れよりも大型のガラス基板を用いることができる。
地膜として、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン
膜等の絶縁膜を形成すると、ガラス基板からの汚染を防止でき、好ましい。
バルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジ
ウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料、又は該元素を含む化合物材
料等を用いて形成できる。シリコンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のい
ずれでもよい。また、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛、二酸化チタン、酸化
インジウム、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、In−Ga−Zn酸化物等
の金属酸化物を用いてもよい。剥離層103に、タングステン、チタン、モリブデンなど
の高融点金属材料を用いると、被剥離層105の形成工程の自由度が高まるため好ましい
。
ング法、液滴吐出法、ディスペンス法等を含む)、印刷法等により形成できる。剥離層1
03の厚さは例えば10nm以上200nm以下、好ましくは20nm以上100nm以
下とする。
リブデンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もし
くは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタング
ステンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。な
お、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金
に相当する。
層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される
絶縁膜を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を
含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸
化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素(N2O)プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の
強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラ
ズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスと
の混合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層103
の表面状態を変えることにより、剥離層103と後に形成される絶縁層との密着性を制御
することが可能である。
例えば、作製基板としてガラス基板を用い、ガラス基板に接してポリイミド、ポリエステ
ル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、又はアクリル等の有機樹脂を形成
し、有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。この場合、有機樹脂を、レーザ光
等を用いて局所的に加熱することにより、作製基板と有機樹脂の界面で剥離することがで
きる。または、作製基板と有機樹脂の間に金属層を設け、該金属層に電流を流すことで該
金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。このとき、有機樹脂を
発光装置等の装置の基板として用いることができる。また、有機樹脂と他の基板を接着剤
により貼り合わせてもよい。
として、剥離層103上に剥離層103と接する絶縁層を作製する。さらに、絶縁層上に
機能素子を作製してもよい。被剥離層105として形成する層の具体例は、実施の形態2
も参照できる。
は窒化酸化シリコン膜等を用いて、単層又は多層で形成することが好ましい。
ことが可能であり、例えば、プラズマCVD法によって成膜温度を250℃以上400℃
以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。なお、絶
縁層の厚さは10nm以上3000nm以下、さらには200nm以上1500nm以下
が好ましい。
を硬化させる(図1(B))。ここで、図1(B)は図3(A)における一点鎖線D1−
D2間の断面図に相当する。なお、図3(A)は、基板109(図示しない)側から見た
平面図である。
て、図3(A)に示すように、接着層107の端部は、剥離層103の端部よりも外側に
位置しないことが好ましい。接着層107が剥離層103と重ならない領域を有すると、
その領域の広さや、接着層107と接する層との密着性の程度によって、剥離不良が生じ
やすくなる場合がある。したがって、接着層107は剥離層103の内側に位置する、も
しくは、接着層107の端部と剥離層103の端部とが揃っていることが好ましい。
面図における一点鎖線A1−A2間の断面図を示す(平面図にて基板109は図示しない
)。図2(A)の断面図に示す点線で囲った領域のように、剥離層103と重ならずに、
作製基板101及び基板109が接着層107によって貼り合わされている領域がある場
合、作製基板101と基板109の密着性(または、接着層107と接する、作製基板1
01上の層及び基板109上の層の密着性)の程度により、後の剥離工程の歩留まりが低
下することがある。
111を設け、隔壁111に囲まれた内部に接着層107を充填することが好ましい。こ
れにより、剥離層103の外側に接着層107が広がること、さらには、剥離工程の歩留
まりが低下することを抑制できる。そして、剥離工程の歩留まりを向上させることができ
る。
い。枠状の隔壁111の端部が剥離層103の端部よりも内側に位置することで、接着層
107の端部も剥離層103の端部よりも内側に位置することができる。なお、隔壁11
1の端部と剥離層103の端部が揃っていてもよい。
接着層107を形成した後、塗布法等を用いて隔壁111を形成してもよい。または、塗
布法等を用いて隔壁111を形成した後、ODF(One Drop Fill)方式の
装置等を用いて接着層107を形成してもよい。
ら見た平面図と、該平面図における一点鎖線B1−B2間の断面図を示す(平面図にて基
板109は図示しない)。図2(B)に示すように、接着層107の流動性が低いなどの
理由で、接着層107が剥離層103の外側に広がらない(広がりにくい)場合は、隔壁
111を設けなくてよい。
けてもよい。図2(C)には、基板109側から見た平面図と、該平面図における一点鎖
線C1−C2間の断面図を示す(平面図にて基板109は図示しない)。樹脂層113を
設けることで、作製工程中に大気雰囲気に露出しても、被剥離層105に水分等の不純物
が混入することを抑制できる。
壁111は接していなくてもよい。被剥離層105と基板109を貼り合わせる際に、接
着層107及び隔壁111の一方又は双方が押し潰されて広がることで、図3(A)に示
す状態のように接着層107及び隔壁111の一方又は双方を変形させてもよい。
に気泡が残る場合がある。気泡が含まれている部分は機械的強度が弱く、クラックが発生
しやすいことがある。したがって、図33(B)、(C)等に示すように、基板の角部近
傍に隔壁111を有さない部分を設け、気泡が隔壁111の外側に抜けやすくなるように
してもよい。なお、被剥離層105と基板109を貼り合わせた後の接着層107及び隔
壁111の形状は図3(A)に限られず、図33(D)に示すように、隔壁111が一つ
につながっていなくてもよい。
接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤とし
てはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂
、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透
湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。
カルシウムや酸化バリウム等)のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いる
ことができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸
着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、大気中の水分の侵入による機能素
子の劣化を抑制でき、装置の信頼性が向上するため好ましい。
らの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼ
オライト、ジルコニウム等を用いることができる。
せることが可能であるもののように、必要時に基板109と被剥離層105とを化学的も
しくは物理的に分離することが可能な接着剤を用いてもよい。例えば、水溶性樹脂を用い
てもよい。
、フィルム等のような可撓性基板を用いてもよい。
を適用できる。
化状態、半硬化状態、未硬化状態のいずれであってもよい。隔壁111が硬化状態である
と、剥離後に、接着層107とともに被剥離層105を封止する層として用いることがで
き、大気中の水分の侵入による機能素子の劣化を抑制することができる。なお、隔壁11
1を硬化状態とするときは、剥離工程の歩留まりの低下を防ぐため、隔壁111の端部が
剥離層103の端部よりも外側に位置しないようにすることが好ましい。
により、後の剥離工程の歩留まりが低下する場合がある。したがって、樹脂層113の少
なくとも一部を、半硬化状態又は未硬化状態とすることが好ましい。樹脂層113に粘度
の高い材料を用いることで、半硬化状態又は未硬化状態であっても、大気中の水分等の不
純物が被剥離層105に混入することを抑制する効果を高めることができる。
脂層113の一部を硬化状態としてもよい。一部を硬化状態とすることで、その後の作製
工程中に、減圧雰囲気から大気圧雰囲気に作製中の装置を移動した場合でも、作製基板1
01及び基板109の間隔及び位置を一定に保つことができ、好ましい。
剥離層103とが重なる領域に対して照射する。隔壁111が硬化状態である場合、隔壁
111と、被剥離層105と、剥離層103とが重なる領域に対してレーザ光を照射する
ことが好ましい。
、硬化状態の接着層107にレーザ光を照射する(図1(B)の矢印P1参照)。レーザ
光は、どちらの基板側から照射してもよいが、散乱した光が機能素子等に照射されること
を抑制するため、剥離層103が設けられた作製基板101側から照射することが好まし
い。なお、レーザ光を照射する側の基板は、該レーザ光を透過する材料を用いる。
を入れる(膜割れやひびを生じさせる)ことで、第1の層の一部を除去し、剥離の起点を
形成できる(図1(C)の点線で囲った領域参照)。このとき、第1の層だけでなく、被
剥離層105の他の層や、剥離層103、接着層107の一部を除去してもよい。レーザ
光の照射によって、膜の一部を溶解、蒸発、又は熱的に破壊することができる。
拡大図では、レーザ光の照射領域115を例示している。
115の例を図3(B−1)〜(B−5)に示す。これらはすべて、硬化状態の接着層1
07と剥離層103とが重なる領域に対してレーザ光を照射する例である。なお、隔壁1
11を設けない場合にも、同様の位置にレーザ光を照射することができる。
図3(B−6)〜(B−8)に示す。これらはすべて、硬化状態の隔壁111と剥離層1
03とが重なる領域に対してレーザ光を照射する例である。
が好ましいため、硬化状態の接着層107や隔壁111の中央部よりも端部近傍に剥離の
起点を形成することが好ましい。特に、端部近傍の中でも、辺部近傍に比べて、角部近傍
に剥離の起点を形成することが好ましい。例えば、図3(B−1)、(B−3)に示すよ
うに、レーザ光の照射領域115が硬化状態の接着層107と剥離層103とが重なる領
域のみに位置してもよい。または、図3(B−2)、(B−4)、(B−5)に示すよう
に、レーザ光の照射領域115が硬化状態の接着層107と剥離層103とが重なる領域
だけでなく、硬化状態でない隔壁111と剥離層103とが重なる領域に位置してもよい
。または、図3(B−6)〜(B−8)に示すように、硬化状態の隔壁111と剥離層1
03とが重なる領域のみに位置してもよい。なお、図3(B−5)、(B−8)に示すよ
うに、レーザ光を接着層107の辺や隔壁111の辺に接して照射することも、硬化状態
の接着層107や隔壁111と剥離層103とが重なる領域にレーザ光を照射する態様の
一つである。
7又は隔壁111の端部近傍に断続的にレーザ光を照射することで、破線状に剥離の起点
を形成すると、剥離が容易となるため好ましい。
レーザ光を照射することで、実線状もしくは破線状の剥離の起点を枠状に形成してもよい
。図3(C)では、実線状の剥離の起点を形成する例を示している。具体的には、図3(
C)において、剥離層103、被剥離層105、及び接着層107が除去され、作製基板
101が露出した枠状の部分が剥離の起点である。
ーザやパルス発振型のレーザを用いることができる。レーザ光の照射条件(周波数、パワ
ー密度、エネルギー密度、ビームプロファイル等)は、作製基板101や剥離層103の
厚さ、材料等を考慮して適宜制御する。
(D)、(E))。これにより、被剥離層105を作製基板101から基板109に転置
することができる。このとき、一方の基板を吸着ステージ等に固定することが好ましい。
例えば、作製基板101を吸着ステージに固定し、作製基板101から被剥離層105を
剥離してもよい。また、基板109を吸着ステージに固定し、基板109から作製基板1
01を剥離してもよい。
ラーを回転させながら分離する処理等)によって被剥離層105と作製基板101とを分
離すればよい。
1と被剥離層105とを分離してもよい。毛細管現象により液体が剥離層103と被剥離
層105の間にしみこむことで、容易に分離することができる。また、剥離時に生じる静
電気が、被剥離層105に含まれる機能素子に悪影響を及ぼすこと(半導体素子が静電気
により破壊されるなど)を抑制できる。
寄与していない接着層107、隔壁111、又は樹脂層113等を除去してもよい。除去
することで、後の工程で機能素子に悪影響を及ぼすこと(不純物の混入など)を抑制でき
好ましい。例えば、ふき取り、洗浄等によって、不要な樹脂を除去することができる。
、剥離層103と被剥離層105とを剥離しやすい状態にしてから、剥離を行う。これに
より、剥離工程の歩留まりを向上させることができる。
まず、剥離方法1と同様に、作製基板101上に剥離層103を形成し、剥離層103上
に被剥離層105を形成する(図1(A))。そして、被剥離層105と基板109とを
接着層107を用いて貼り合わせ、接着層107を硬化させる(図4(A))。
。
、接着層107もしくは隔壁111、及び被剥離層105に切り込みを入れてもよい(図
4(A)の矢印P2参照)。これにより、第1の層の一部を除去することができ、剥離の
起点を形成できる(図4(B)の点線で囲った領域参照)。ここでは、硬化状態の隔壁1
11と剥離層103とが重なる領域に枠状に切り込みを入れることで、実線状に剥離の起
点を形成する例を示すが、これに限られない。なお、剥離層103にも切り込みが入って
いてもよい。
(C)、(D))。これにより、被剥離層105を作製基板101から基板109に転置
することができる。
剥離層103と被剥離層105とを剥離しやすい状態にしてから、剥離を行う。これによ
り、剥離工程の歩留まりを向上させることができる。また、硬化状態の隔壁111と剥離
層103が重なる領域で剥離を始めることで、被剥離層105を接着層107及び隔壁1
11で2重に封止することができる。したがって、被剥離層105中に水分等により劣化
しやすい有機EL素子等を形成した場合でも、信頼性の高い発光装置を作製できる。
まず、作製基板201上に剥離層203を形成し、剥離層203上に被剥離層205を形
成する(図5(A))。また、作製基板221上に剥離層223を形成し、剥離層223
上に被剥離層225を形成する(図5(B))。
するように、接着層207を用いて貼り合わせ、接着層207を硬化させる(図5(C)
)。ここでは、被剥離層225上に枠状の隔壁211と、隔壁211の内側の接着層20
7とを設けた後、作製基板201と作製基板221とを、対向させ、貼り合わせる。
い。
被剥離層225)上に形成し、作製基板201と作製基板221とを、減圧雰囲気下で貼
り合わせる。すると、図34(B)に示すように、隔壁211が押し潰され、紙面横方向
に広がる。ここで、横方向への広がりが小さく、接着層207と隔壁211の膜厚(紙面
縦方向の長さ)に差があると、図34(B)の点線で囲った部分のように、段差ができる
場合がある。
領域を有する場合、減圧雰囲気下で基板どうしを貼り合わせた作製中の装置を大気圧下に
曝すことで、接着層207又は隔壁211のいずれか一方又は双方が中空領域に広がる。
例えば、図34(C)に示すように、中空領域に接着層207が広がり、接着層207の
膜厚が小さくなることで、さらに接着層207と隔壁211の膜厚の差が広がり、大きな
段差となる場合もある。
膜厚とが異なるという特徴を有する。例えば、図34(C)に示すように、装置の端部付
近の膜厚が、中央部の膜厚よりも厚くてもよく、図34(D)に示すように、装置の端部
付近の膜厚が、中央部の膜厚よりも薄くてもよい。
構成する層の膜剥がれなどが起こりやすく、剥離の歩留まりの低減、装置の信頼性の低下
につながる場合がある。また、表示領域において装置の厚さに差があると、干渉縞が生じ
るなど、表示品質が低下する場合がある。
中央部の膜厚とが概略等しいことが好ましい。このとき、表示部の端部付近の膜厚と、該
表示部の端部よりも外側の、装置の端部付近の膜厚と、が異なっていてもよい。また、本
発明の一態様の装置は、干渉縞から装置の端部までの距離が短いことが好ましい。例えば
、30mm以内、20mm以内、10mm以内等とすればよい。干渉縞から装置の端部ま
での距離を短くすることで、装置において表示領域に用いることができる領域を広げるこ
とができ、好ましい。
(例えば、表示部の中央部の膜厚や、表示部の端部付近の膜厚)とが概略等しいことが好
ましい。
、接着層207と隔壁211の界面付近において、装置の厚さに差が生じることを抑制で
きる。
、図5(D)に示すように、同じ大きさの剥離層を用いてもよい。
なるように配置する。そして、接着層207の端部は、剥離層203又は剥離層223の
少なくとも一方(先に剥離したい方)の端部よりも内側に位置することが好ましい。これ
により、作製基板201と作製基板221が強く密着することを抑制でき、後の剥離工程
の歩留まりが低下することを抑制できる。
位置し、他方の端部より外側に位置することが好ましい。例えば、図9(A)では、接着
層207が剥離層203の端部よりも内側に位置し、剥離層223の端部より外側に位置
する。さらに、隔壁211が剥離層203と重なり、かつ剥離層223と重ならない構成
である。これにより、例えば、剥離層203及び剥離層223の双方が遮光膜であっても
、隔壁211に光を照射することが可能であるため、隔壁211に光硬化性の接着剤を用
いることができる。なお、剥離層203又は剥離層223を介して接着層207や隔壁2
11に光を照射できる場合は上記の構成に限らず、接着層207や隔壁211に光硬化性
の接着剤を用いることができる。
なる場合、大きい剥離層を形成した基板から剥離してもよいし、小さい剥離層を形成した
基板から剥離してもよい。一方の基板上にのみ半導体素子、発光素子、表示素子等の素子
を作製した場合、素子を形成した側の基板から剥離してもよいし、他方の基板から剥離し
てもよい。ここでは、作製基板201を先に剥離する例を示す。
剥離層203とが重なる領域に対して照射する。ここでは、接着層207が硬化状態であ
り、隔壁211が硬化状態でない場合を例に示し、硬化状態の接着層207にレーザ光を
照射する(図6(A)の矢印P3参照)。
領域参照)。このとき、第1の層だけでなく、被剥離層205の他の層や、剥離層203
、接着層207の一部を除去してもよい。
203と剥離層223が重なる領域にレーザ光の照射をする場合は、被剥離層205及び
被剥離層225のうち被剥離層205のみにクラックを入れることで、選択的に作製基板
201及び剥離層203を剥離することができる(図6(B)の点線で囲った領域参照)
。
被剥離層205と剥離層223側の被剥離層225の両方に剥離の起点を形成してしまう
と、一方の作製基板を選択的に剥離することが難しくなる恐れがある。したがって、一方
の被剥離層のみにクラックを入れられるよう、レーザ光の照射条件が制限される場合があ
る。
層203のみにレーザ光を照射することができ、剥離層203と剥離層223の両方に剥
離の起点が形成されることを防止できる(図9(B)、(C))。したがって、レーザ光
の照射条件の制限が少なくなり好ましい。このときレーザ光は、どちらの基板側から照射
してもよいが、散乱した光が機能素子等に照射されることを抑制するため、剥離層203
が設けられた作製基板201側から照射することが好ましい。
(C)、(D))。これにより、被剥離層205を作製基板201から作製基板221に
転置することができる。
着層233を硬化させる(図7(A))。ここでは、被剥離層225上に枠状の隔壁23
5と、隔壁235の内側の接着層233と、を設け、被剥離層225と基板231とを貼
り合わせる。
剥離層223と、が重なる領域に対して照射する。ここでは、接着層233が硬化状態で
あり、隔壁235が硬化状態でない場合を例に示し、硬化状態の接着層233にレーザ光
を照射する(図7(B)の矢印P4参照)。第1の層の一部を除去することで、剥離の起
点を形成できる(図7(C)の点線で囲った領域参照)。このとき、第1の層だけでなく
、被剥離層225の他の層や、剥離層223、接着層233の一部を除去してもよい。
(D))。これにより、被剥離層205及び被剥離層225を基板231に転置すること
ができる。
一対の作製基板を貼り合わせた後、レーザ光の照射により剥離の起点を形成し、それぞれ
の剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、剥離を行う。これにより、剥離工
程の歩留まりを向上させることができる。
離をし、作製したい装置を構成する基板に該被剥離層を転置することができる。したがっ
て、被剥離層の貼り合わせの際に、可撓性が低い作製基板どうしを貼り合わせることがで
き、可撓性基板どうしを貼り合わせた際よりも貼り合わせの位置合わせ精度を向上させる
ことができる。
剥離方法4は、1回目の剥離工程までは剥離方法3と同様に行う。以降では、図6(D)
の後の工程を詳述する。
接着層233を用いて貼り合わせ、接着層233を硬化させる(図8(A))。
。
、接着層233、及び被剥離層225に切り込みを入れてもよい(図8(B)の矢印P5
参照)。これにより、第1の層の一部を除去し、剥離の起点を形成できる(図8(C)の
点線で囲った領域参照)。
231が接着層233によって貼り合わされている領域がある場合、作製基板221と基
板231の密着性の程度により、後の剥離工程の歩留まりが低下することがある。したが
って、硬化状態の接着層233と剥離層223とが重なる領域に枠状に切り込みを入れ、
実線状に剥離の起点を形成することが好ましい。これにより、剥離工程の歩留まりを高め
ることができる。
(D))。これにより、被剥離層225を作製基板221から基板231に転置すること
ができる。
剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、剥離を行う。これにより、剥離工程
の歩留まりを向上させることができる。
離をし、作製したい装置を構成する基板に該被剥離層を転置することができる。したがっ
て、被剥離層の貼り合わせの際に、可撓性が低い作製基板どうしを貼り合わせることがで
き、可撓性基板どうしを貼り合わせた際よりも貼り合わせの位置合わせ精度を向上させる
ことができる。
本発明の一態様で用いる剥離層の平面形状は特に限定されない。剥離層の平面形状の例を
図10(A)〜(F)に示す。図10(A)〜(F)では、それぞれ剥離開始領域117
を示している。剥離工程時、剥離の起点に、被剥離層と剥離層を引き離す力が集中するこ
とが好ましいため、剥離層の中央部や辺部に比べて、角部近傍に剥離の起点を形成するこ
とが好ましい。なお、図10(A)〜(F)に示す剥離開始領域117以外から剥離を開
始してもよい。
03の角部が作製基板101の角部に位置するような平面形状とすればよい。図10(B
)、(D)〜(F)に示すように、作製基板101の辺部から剥離を始めたい場合は、剥
離層103の角部が作製基板101の辺部に位置するような平面形状とすればよい。図1
0(C)に示すように、剥離層103の角部は、丸い角を有していてもよい。
る。図10(G)に示すように、剥離したい被剥離層105の端部は、剥離層103の端
部よりも内側に位置するよう形成する。剥離したい被剥離層105が複数ある場合、図1
0(H)に示すように、被剥離層105ごとに剥離層103を設けてもよいし、図10(
I)に示すように、1つの剥離層103上に複数の被剥離層105を設けてもよい。
本実施の形態では、本発明の一態様を適用して作製できるフレキシブルな発光装置と、該
発光装置の作製方法について、図11〜図25を用いて説明する。
示す。
図11(A)に発光装置の平面図を示し、図11(B)に、図11(A)の一点鎖線X1
−Y1間及び一点鎖線V1−W1間の断面図を示す。図11(A)、(B)に示す発光装
置はボトムエミッション型の発光装置である。
層406、導電層416、絶縁層405、有機EL素子450(第1の電極401、EL
層402、及び第2の電極403)、接着層407、及び可撓性基板428を有する。第
1の電極401、絶縁層424、接着層422、及び可撓性基板419は可視光を透過す
る。
設けられている。可撓性基板419、接着層407、及び可撓性基板428によって、有
機EL素子450は封止されている。有機EL素子450は、第1の電極401と、第1
の電極401上のEL層402と、EL層402上の第2の電極403とを有する。第2
の電極403は可視光を反射することが好ましい。
導電層406は第1の電極401と電気的に接続し、導電層416は第2の電極403と
電気的に接続する。第1の電極401を介して絶縁層405に覆われた導電層406は、
補助配線として機能し、第1の電極401と電気的に接続する。有機EL素子の電極と電
気的に接続する補助配線を有すると、電極の抵抗に起因する電圧降下を抑制できるため、
好ましい。導電層406は、第1の電極401上に設けられていてもよい。また、絶縁層
405上等に、第2の電極403と電気的に接続する補助配線を有していてもよい。
を有することが好ましい。図11(B)では、発光素子からの光を取り出す側に位置する
可撓性基板419が光取り出し構造を兼ねている例を示す。なお、可撓性基板419と重
ねて、光を拡散させる機能を有するシートなどの光取り出し構造や、タッチセンサを配置
してもよい。また、偏光板や位相差板を配置してもよい。図11(C)では、可撓性基板
419と重ねて拡散板411及びタッチセンサ413を配置した場合の例を示す。
図12(A)に発光装置の平面図を示し、図12(B)に、図12(A)の一点鎖線X2
−Y2間の断面図を示す。図12(A)、(B)に示す発光装置はトップエミッション型
の発光装置である。
層408、絶縁層405、有機EL素子450(第1の電極401、EL層402、及び
第2の電極403)、導電層410、接着層407、可撓性基板428、及び光取出し構
造409を有する。第2の電極403、接着層407、可撓性基板428、及び光取出し
構造409は可視光を透過する。
設けられている。可撓性基板420、接着層407、及び可撓性基板428によって、有
機EL素子450は封止されている。有機EL素子450は、第1の電極401と、第1
の電極401上のEL層402と、EL層402上の第2の電極403とを有する。第1
の電極401は可視光を反射することが好ましい。可撓性基板428の表面には光取り出
し構造409が貼り合わされている。なお、可撓性基板428と重ねて、光を拡散させる
機能を有するシートなどの光取り出し構造や、タッチセンサを配置してもよい。また、偏
光板や位相差板を配置してもよい。図12(C)では、可撓性基板428と重ねて拡散板
411(光取り出し構造の一態様である)及びタッチセンサ413を配置した場合の例を
示す。
第1の電極401と同一の工程、同一の材料で形成することができ、第2の電極403と
電気的に接続する。
接続する。導電層408は、第2の電極403上に設けられていてもよい。また、構成例
1と同様に、第1の電極401と電気的に接続する補助配線を有していてもよい。
図13(A)に発光装置の平面図を示し、図13(B)に、図13(A)の一点鎖線X3
−Y3間の断面図を示す。図13(B)に示す発光装置は塗り分け方式を用いたトップエ
ミッション型の発光装置である。
ble Printed Circuit)495を有する。発光部491及び駆動回路
部493に含まれる有機EL素子やトランジスタは可撓性基板420、可撓性基板428
、及び接着層407によって封止されている。
ンジスタ455、絶縁層463、絶縁層465、絶縁層405、有機EL素子450(第
1の電極401、EL層402、及び第2の電極403)、接着層407、可撓性基板4
28、及び導電層457を有する。可撓性基板428、接着層407、及び第2の電極4
03は可視光を透過する。
て可撓性基板420上にトランジスタ455及び有機EL素子450が設けられている。
有機EL素子450は、絶縁層465上の第1の電極401と、第1の電極401上のE
L層402と、EL層402上の第2の電極403とを有する。第1の電極401は、ト
ランジスタ455のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続している。第1の電極4
01は可視光を反射することが好ましい。第1の電極401の端部は絶縁層405で覆わ
れている。
が有するトランジスタのうち、1つのトランジスタを示している。
ート信号、又はリセット信号等)や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。こ
こでは、外部入力端子としてFPC495を設ける例を示している。
一の材料、同一の工程で作製することが好ましい。ここでは、導電層457を、第1の電
極403と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。
る。また、絶縁層465は、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を
有する絶縁膜を選択することが好適である。
い。タッチセンサは、導電層441、導電層442、絶縁層443を有している。なお、
導電層441と導電層442は、可視光を透過することが望ましい。そのため、例えば、
酸化インジウム、インジウム錫酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)、
インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成するこ
とができる。なお、導電層441と導電層442の少なくとも一部に可視光を透過しない
材料を用いてもよい。例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、
クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又はこれら
金属材料を含む合金を用いることができる。導電層441は、異方性導電膜を介して、F
PC445と接続されている。
、これに限定されない。図30(B)に示すように、可撓性基板428の上に可撓性基板
444を設けて、その上にタッチセンサを設けてもよい。なお、タッチセンサは、可撓性
基板428と可撓性基板444との間に設けてもよい。
図13(A)に発光装置の平面図を示し、図13(C)に、図13(A)の一点鎖線X3
−Y3間の断面図を示す。図13(C)に示す発光装置はカラーフィルタ方式を用いたボ
トムエミッション型の発光装置である。
ンジスタ454、トランジスタ455、絶縁層463、着色層432、絶縁層465、導
電層435、絶縁層467、絶縁層405、有機EL素子450(第1の電極401、E
L層402、及び第2の電極403)、接着層407、可撓性基板428、及び導電層4
57を有する。可撓性基板420、接着層422、絶縁層424、絶縁層463、絶縁層
465、絶縁層467、及び第1の電極401は可視光を透過する。
て可撓性基板420上にスイッチング用のトランジスタ454、電流制御用のトランジス
タ455、及び有機EL素子450が設けられている。有機EL素子450は、絶縁層4
67上の第1の電極401と、第1の電極401上のEL層402と、EL層402上の
第2の電極403とを有する。第1の電極401は、導電層435を介してトランジスタ
455のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続している。第1の電極401の端部
は絶縁層405で覆われている。第2の電極403は可視光を反射することが好ましい。
また、発光装置は、絶縁層463上に有機EL素子450と重なる着色層432を有する
。
が有するトランジスタのうち、2つのトランジスタを示している。
気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてFPC495を設ける例を示している。
また、ここでは、導電層457を、導電層435と同一の材料、同一の工程で作製した例
を示す。
る。また、絶縁層465及び絶縁層467は、トランジスタや配線起因の表面凹凸を低減
するために平坦化機能を有する絶縁膜を選択することが好適である。
い。タッチセンサは、導電層441、導電層442、絶縁層443を有している。また、
図31(B)に示すように、可撓性基板420とタッチセンサの間に、可撓性基板444
を設けてもよい。なお、タッチセンサは、可撓性基板420と可撓性基板444との間に
設けてもよい。
図13(A)に発光装置の平面図を示し、図14(A)に、図13(A)の一点鎖線X3
−Y3間の断面図を示す。図14(A)に示す発光装置はカラーフィルタ方式を用いたト
ップエミッション型の発光装置である。
ンジスタ455、絶縁層463、絶縁層465、絶縁層405、有機EL素子450(第
1の電極401、EL層402、及び第2の電極403)、接着層407、遮光層431
、着色層432、絶縁層226、接着層426、可撓性基板428、及び導電層457を
有する。可撓性基板428、接着層426、絶縁層226、接着層407、及び第2の電
極403は可視光を透過する。
て可撓性基板420上にトランジスタ455及び有機EL素子450が設けられている。
有機EL素子450は、絶縁層465上の第1の電極401と、第1の電極401上のE
L層402と、EL層402上の第2の電極403とを有する。第1の電極401は、ト
ランジスタ455のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続している。第1の電極4
01の端部は絶縁層405で覆われている。第1の電極401は可視光を反射することが
好ましい。また、発光装置は、接着層407を介して有機EL素子450と重なる着色層
432を有し、接着層407を介して絶縁層405と重なる遮光層431を有する。
が有するトランジスタのうち、1つのトランジスタを示している。
気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてFPC495を設ける例を示している。
また、ここでは、導電層457を、トランジスタ455のソース電極及びドレイン電極と
同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。絶縁層226上の接続体497は、絶縁層
226、接着層407、絶縁層465、及び絶縁層463に設けられた開口を介して導電
層457と接続している。また、接続体497はFPC495に接続している。接続体4
97を介してFPC495と導電層457は電気的に接続する。
けてもよい。
図14(B)に発光装置の平面図を示し、図14(C)に、図14(B)の一点鎖線X4
−Y4間の断面図を示す。図14(C)に示す発光装置はカラーフィルタ方式を用いたト
ップエミッション型の発光装置である。
構成例5と異なる。導電層457と可撓性基板428とが重なる場合には、可撓性基板4
28を開口する(又は開口部を有する可撓性基板を用いる)ことで、導電層457、接続
体497、及びFPC495を電気的に接続させる。
なる。その他の構成は、構成例5の記載を参照することができる。
さらに設けてもよい。
次に、発光装置に用いることができる材料の一例を示す。
可撓性基板には、可撓性を有する材料を用いる。例えば、有機樹脂や可撓性を有する程度
の厚さのガラスを用いることができる。さらに、発光装置における発光を取り出す側の基
板には、可視光を透過する材料を用いる。可撓性基板が可視光を透過しなくてもよい場合
、金属基板等も用いることができる。
ラスを用いる場合に比べて発光装置を軽量化でき、好ましい。
)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル
樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂
、ポリエーテルスルホン(PES)樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリ
スチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨
張率の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹
脂、PET等を好適に用いることができる。また、繊維体に樹脂を含浸した基板(プリプ
レグともいう)や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張率を下げた基板を使用するこ
ともできる。
無機化合物の高強度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率又はヤング率
の高い繊維のことをいい、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル
系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレン
ベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、又は炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維とし
ては、Eガラス、Sガラス、Dガラス、Qガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。こ
れらは、織布又は不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させ樹脂を硬化させた構
造物を可撓性基板として用いてもよい。可撓性基板として、繊維体と樹脂からなる構造物
を用いると、曲げや局所的押圧による破壊に対する信頼性が向上するため、好ましい。
ましい。例えば、有機樹脂に屈折率の高い無機フィラーを分散させることで、該有機樹脂
のみからなる基板よりも屈折率の高い基板を実現できる。特に粒子径40nm以下の小さ
な無機フィラーを使用すると、光学的な透明性を失わないため、好ましい。
くは20μm以上50μm以下であることが好ましい。金属基板は熱伝導性が高いため、
発光素子の発光に伴う発熱を効果的に放熱することができる。
ケル、又は、アルミニウム合金もしくはステンレス等の金属の合金などを好適に用いるこ
とができる。
ート層(例えば、窒化シリコン層など)や、押圧を分散可能な材質の層(例えば、アラミ
ド樹脂層など)等と積層されて構成されていてもよい。また、水分等による機能素子(特
に有機EL素子等)の寿命の低下を抑制するために、後述の透水性の低い絶縁膜を備えて
いてもよい。
すると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い発光装置とすることができ
る。
基板を用いることができる。当該ガラス層の厚さとしては20μm以上200μm以下、
好ましくは25μm以上100μm以下とする。このような厚さのガラス層は、水や酸素
に対する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとしては、
10μm以上200μm以下、好ましくは20μm以上50μm以下とする。このような
有機樹脂層をガラス層よりも外側に設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制
し、機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料
を基板に適用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルな発光装置とすることが
できる。
接着層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌
気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキ
シ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂
、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、EVA(
エチレンビニルアセテート)樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い
材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いて
もよい。
カルシウムや酸化バリウム等)のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いる
ことができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸
着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が機能素子に侵
入することを抑制でき、発光装置の信頼性が向上するため好ましい。
らの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼ
オライト、ジルコニウム等を用いることができる。
絶縁層424や絶縁層226には、透水性(又は透湿性)の低い絶縁膜を用いることが好
ましい。また、接着層407と第2の電極403の間に、透水性の低い絶縁膜が形成され
ていてもよい。
む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸
化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
、好ましくは1×10−6[g/m2・day]以下、より好ましくは1×10−7[g
/m2・day]以下、さらに好ましくは1×10−8[g/m2・day]以下とする
。
ム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層465や絶縁層467として
は、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテ
ン系樹脂等の有機材料を用いることができる。また、低誘電率材料(low−k材料)等
を用いることができる。また、絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層465や絶縁層4
67を形成してもよい。
、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ
樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に感光性の樹脂材料を用い、第1
の電極401上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される
傾斜面となるように形成することが好ましい。
蒸着法、液滴吐出法(インクジェット法等)、印刷法(スクリーン印刷、オフセット印刷
等)等を用いればよい。
本発明の一態様の発光装置に用いるトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、ス
タガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、
トップゲート型又はボトムゲート型のトランジスタのいずれのトランジスタ構造としても
よい。また、トランジスタに用いる材料についても特に限定されない。例えば、シリコン
やゲルマニウム、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを適用すること
ができる。半導体の結晶性については特に限定されず、非晶質半導体、又は結晶性を有す
る半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体)のいずれ
を用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化が抑制され
るため好ましい。シリコンとしては、非晶質シリコン、単結晶シリコン、多結晶シリコン
等を用いることができ、酸化物半導体としては、In−Ga−Zn−O系金属酸化物等を
用いることができる。
酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機
絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法、
プラズマCVD法、塗布法、印刷法等を用いて形成できる。なお、下地膜は、必要で無け
れば設けなくてもよい。上記各構成例では、絶縁層424がトランジスタの下地膜を兼ね
ることができる。
本発明の一態様の発光装置に用いる有機EL素子の構造は特に限定されない。トップエミ
ッション構造の有機EL素子を用いてもよいし、ボトムエミッション構造の有機EL素子
を用いてもよいし、デュアルエミッション構造の有機EL素子を用いてもよい。
側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はEL層4
02において再結合し、EL層402に含まれる発光物質が発光する。
また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい
。
酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、
銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト
、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれ
ら金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等も、透光性を有する程度に薄く形成するこ
とで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電膜として用いることができる。
例えば、銀とマグネシウムの合金とITOの積層膜などを用いると、導電性を高めること
ができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。
テン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又は
これら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタ
ン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタ
ンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミニ
ウムを含む合金(アルミニウム合金)や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、銀
とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む合
金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金属
酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属
膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可
視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とITOの
積層膜、銀とマグネシウムの合金とITOの積層膜などを用いることができる。
クジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成
することができる。
孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質
、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質(電子輸送性及び正孔輸送性が高い物
質)等を含む層をさらに有していてもよい。
化合物を含んでいてもよい。EL層402を構成する層は、それぞれ、蒸着法(真空蒸着
法を含む)、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができ
る。
着色層は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の光を透
過する赤色(R)のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色(G)のカラー
フィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色(B)のカラーフィルタなどを用いること
ができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグ
ラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。
光を遮光し、隣接する有機EL素子間における混色を抑制する。ここで、着色層の端部を
、遮光層と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層とし
ては、有機EL素子からの発光を遮光する材料を用いることができ、例えば、金属材料や
顔料や染料を含む樹脂材料を用いてブラックマトリクスを形成すればよい。なお、遮光層
は、駆動回路部などの発光部以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れ
を抑制できるため好ましい。
ことで、着色層に含有された不純物等の有機EL素子への拡散を防止することができる。
オーバーコートは、有機EL素子からの発光を透過する材料から構成され、例えば窒化シ
リコン膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜や、アクリル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁膜
を用いることができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。
コートの材料として接着層407の材料に対してぬれ性の高い材料を用いることが好まし
い。例えば、オーバーコート453(図14(C)参照)として、ITO膜などの酸化物
導電膜や、透光性を有する程度に薄いAg膜等の金属膜を用いることが好ましい。
トランジスタの電極や配線、又は有機EL素子の補助配線等として機能する導電層は、例
えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオ
ジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を用いて、単層で又は
積層して形成することができる。また、導電層は、導電性の金属酸化物を用いて形成して
もよい。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム(In2O3等)、酸化スズ(Sn
O2等)、酸化亜鉛(ZnO)、ITO、インジウム亜鉛酸化物(In2O3−ZnO等
)又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
くは、0.1μm以上0.5μm以下である。
状になって凝集する。そのため、補助配線の表面が粗く隙間の多い構成となる。例えば、
図12(B)、(C)に示すように、絶縁層405上に補助配線として機能する導電層4
08を形成すると、EL層402が導電層408を完全に覆うことが難しく、上部電極(
第2の電極403)と補助配線(導電層408)との電気的な接続をとることが容易にな
り好ましい。
光取り出し構造としては、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、凹凸構造が施されたフィ
ルム、光拡散フィルム等を用いることができる。例えば、基板上に上記レンズやフィルム
を、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接着剤等を用いて接
着することで、光取り出し構造を形成することができる。
接続体497としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート
状の、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子として
は、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、2種類以上の金属が層状となった粒子
を用いることが好ましい。
以下では、本発明の一態様の剥離方法を用いて、図13(A)、(C)に示すカラーフィ
ルタ方式を用いたボトムエミッション構造の発光装置(上記構成例4)を作製する例を示
す。図15(A)以降では、上記構成例4の駆動回路部493を省略して示す。
。
ランジスタ、絶縁層463、絶縁層465、着色層432、導電層435、絶縁層467
をこの順で形成する。ここで、導電層435と同一の工程、同一の材料で、導電層457
も形成する。次に、トランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する第1
の電極401を形成する。そして、第1の電極401の端部を覆う絶縁層405を形成す
る。ここで、絶縁層424から絶縁層405までが被剥離層に相当する。
9の内側の剥離用接着剤297と、を形成する。このとき、剥離用接着剤297には、仮
支持基板291と被剥離層とを化学的もしくは物理的に分離することが可能な接着剤を用
いる。なお、被剥離層上に、枠状の隔壁299と、隔壁299の内側の剥離用接着剤29
7を形成してもよい。
離用接着剤297を硬化させる。そして、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する
(図15(C))。少なくとも絶縁層424の一部を除去することで剥離の起点を形成で
きる。ここでは、絶縁層424及び剥離層203の一部を除去する例を示す。なお、剥離
の起点を形成する工程を示す各図において、剥離の起点が形成される領域は点線で囲って
示す。剥離の起点を形成する際の詳細については、実施の形態1を参照できる。
着層422により貼り合わせる(図16(B))。
して、被剥離層(ここでは絶縁層405など)が露出するように剥離用接着剤297を水
や溶媒などで除去する(図16(C))。
。
03を形成し、有機EL素子450と可撓性基板428とを接着層407により接着する
。最後に、異方性導電材で入出力端子部の各電極にFPC495を貼り付ける。必要があ
ればICチップなどを実装させてもよい。なお、可撓性基板がたわみやすいと、FPCや
TCPを取り付ける際に、貼り合わせの精度が低下する場合がある。したがって、FPC
やTCPを取り付ける際に、作製した装置をガラスやシリコーンゴム等で支持してもよい
。これによりFPC又はTCPと、機能素子との電気的な接続を確実にすることができる
。
以下では、本発明の一態様の剥離方法を用いて、図13(A)、図14(A)に示すカラ
ーフィルタ方式を用いたトップエミッション構造の発光装置(上記構成例5)を作製する
例を示す。
光装置を作製する場合の作製方法についても説明する。具体的には、剥離層を発光装置ご
とに設ける場合(図10(H)の被剥離層105及び剥離層103を参照できる)と1つ
の剥離層上に複数の発光装置を設ける場合(図10(I)の被剥離層105及び剥離層1
03を参照できる)と、の2通りを説明する。
ランジスタ455、絶縁層463、絶縁層465をこの順で形成する。そして、絶縁層4
63、絶縁層465の一部を開口し、トランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気
的に接続する第1の電極401を形成する。なお、トランジスタのソース電極及びドレイ
ン電極と同一の工程、同一の材料で、導電層457も形成する。
1及び絶縁層405上にEL層402を形成し、EL層402上に第2の電極403を形
成する。なお、事前に絶縁層463及び絶縁層465の導電層457と重なる領域に開口
部を設け、該開口部に、EL層402と同一の工程、同一の材料で、EL層482を形成
し、第2の電極403と同一の工程、同一の材料で、導電層483を形成する。EL層4
82や導電層483は必ずしも設けなくてもよい。ここで、絶縁層424から第2の電極
403(又は導電層483)までが被剥離層に相当する。
この順で形成する。次に、絶縁層226上に遮光層431及び着色層432を形成する。
次に、絶縁層226上に枠状の隔壁211と、隔壁211の内側の接着層407と、を形
成する。
7を硬化させる。そして、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する(図17(C)
)。ここでは、絶縁層424及び剥離層203の一部を除去する例を示す。剥離の起点を
形成する際の詳細については、実施の形態1を参照できる。
を発光装置ごとに設ける場合では、作製基板201に設けられている剥離層203の数以
上(言い換えると発光装置の数以上)、剥離の起点を設ける。図19(A)では、作製す
る発光装置の数だけ、剥離の起点を設ける例を示す。一方、図10(I)に示す1つの剥
離層上に発光装置を複数設ける場合では、図19(B)に示すように、少なくとも1か所
に剥離の起点を設ければよい。
被剥離層が作製基板201から作製基板221に転置される(図18(A))。一枚の基
板上に複数の発光装置を作製する例は、図20(A)、(B)を参照できる。
着層422により接着する。次にレーザ光の照射により剥離の起点を形成する(図18(
B))。
と、を形成する。一枚の基板上に複数の発光装置を作製する例は、図21(A)、(B)
を参照できる。
た後に、剥離をし、可撓性基板に該被剥離層を転置することができる。したがって、被剥
離層の貼り合わせの際に、可撓性が低い作製基板どうしを貼り合わせることができ、可撓
性基板どうしを貼り合わせた際よりも貼り合わせの位置合わせ精度を向上させることがで
きる。したがって、有機EL素子とカラーフィルタの貼り合わせの位置合わせ精度が高い
作製方法であるといえる。
(C))。一枚の基板上に複数の発光装置を作製する例は、図22(A)、(B)を参照
できる。
置することができる。
426を用いて貼り合わせる工程と、を行う。どちらの工程を先に行ってもよい。
カッターなどの刃物で傷つけてもよいし、レーザ光を照射してもよい。絶縁層226だけ
でなく、接着層407や導電層483、EL層482の一部を除去してもよい。
接着層407、EL層482、及び導電層483を除去する(図23(B))。例えば、
粘着性のローラーを絶縁層226に押し付け、ローラーを回転させながら相対的に移動さ
せる。または、粘着性のテープを絶縁層226に貼り付け、剥してもよい。EL層482
と導電層483の密着性や、EL層482を構成する層どうしの密着性が低いため、EL
層482と導電層483の界面、又はEL層482中で分離が生じる。これにより、絶縁
層226、接着層407、EL層482、又は導電層483の導電層457と重なる領域
を選択的に除去することができる。なお、導電層457上にEL層482等が残存した場
合は、有機溶剤等により除去すればよい。
ば、導電層457と重なる層を除去する方法は問わない。必要が無ければEL層482や
導電層483を導電層457に重ねて形成しなくてもよい。例えば、EL層482中で分
離が生じる場合は導電層483を設けなくてもよい。また、用いる材料によっては、EL
層482と接着層407が接することで、2層の材料が混合する、層の界面が不明確にな
る等の不具合が生じる場合がある。このようなときには、発光装置の信頼性の低下を抑制
するため、EL層482と接着層407の間に導電層483を設けることが好ましい。
23(C))。
ればよい。
。
を用いて貼り合わせる。次に、図24(B)に点線で囲って示すように、可撓性基板42
8、接着層426、及び絶縁層226の一部を除去する。接着層407や導電層483、
EL層482の一部を除去してもよい。また、可撓性基板428に点状もしくは線状の切
り込みを枠状に入れることが好ましい(図24(B)に点線で囲って示す)。切り込みの
深さは、可撓性基板428の膜厚の半分以上であることが好ましい。可撓性基板428だ
けでなく、接着層426や絶縁層226等にまで切り込みを入れてもよい。
板428、接着層426、絶縁層226、接着層407、EL層482、及び導電層48
3を除去する(図25)。各層を除去する方法の一例は上述の通りである。
ればよい。
被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、剥離を行う。これにより、剥離工程の歩留ま
りを向上させることができる。したがって、歩留まりよく発光装置を作製できる。
本実施の形態では、本発明の一態様の剥離方法を適用して作製できる電子機器及び照明装
置について、図26を用いて説明する。
の一態様の剥離方法を適用して作製することで、歩留まりよく作製できる。また、本発明
の一態様の剥離方法を適用することで、生産性高く、フレキシブルな電子機器や照明装置
を作製できる。
う)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタル
フォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯型ゲーム機、携
帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
やビルの内壁もしくは外壁、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むこ
とも可能である。
に組み込まれた表示部7402のほか、操作ボタン7403、外部接続ポート7404、
スピーカ7405、マイク7406などを備えている。なお、携帯電話機7400は、本
発明の一態様の剥離方法を適用して作製された表示装置を表示部7402に用いることに
より作製される。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯
電話機を歩留まりよく提供できる。
報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる
操作は、指などで表示部7402に触れることにより行うことができる。
表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メイン
メニュー画面に切り替えることができる。
00は、筐体7101、表示部7102、操作ボタン7103、及び送受信装置7104
を備える。
映像を表示部7102に表示することができる。また、音声信号を他の受信機器に送信す
ることもできる。
、又は音声のボリュームの調整などを行うことができる。
が組み込まれている。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い
携帯表示装置を歩留まりよく提供できる。
210、及び照明装置7220は、それぞれ、操作スイッチ7203を備える台部720
1と、台部7201に支持される発光部を有する。
。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置7210を中心に全
方位を照らすことができる。
がって、発光部7222からの発光を、照明装置7220の前面に集光するため、特定の
範囲を明るく照らす場合に適している。
はフレキシブル性を有しているため、発光部を可塑性の部材や可動なフレームなどの部材
で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。
備える筐体を天井に固定する、又は天井からつり下げるように用いることもできる。発光
面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明るく
照らす、又は発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。
込まれている。本発明の一態様により、湾曲した発光部を備え、且つ信頼性の高い照明装
置を歩留まりよく提供できる。
301、表示部7302、操作ボタン7303、引き出し部材7304、制御部7305
を備える。
7302を備える。
を表示部7302に表示することができる。また、制御部7305にはバッテリをそなえ
る。また、制御部7305にコネクターを接続する端子部を備え、映像信号や電力を有線
により外部から直接供給する構成としてもよい。
等を行うことができる。
装置7300を示す。この状態で表示部7302に映像を表示することができる。また、
筐体7301の表面に配置された操作ボタン7303によって、片手で容易に操作するこ
とができる。また、図26(F)のように操作ボタン7303を筐体7301の中央でな
く片側に寄せて配置することで、片手で容易に操作することができる。
定するため、表示部7302の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
て音声を出力する構成としてもよい。
まれている。本発明の一態様により、軽量で、且つ信頼性の高い表示装置を歩留まりよく
提供できる。
本実施の形態では、本発明の一態様の剥離方法に用いることができるレーザ照射システム
について、図27を用いて説明する。
505、表示装置507、カメラ509、レーザ装置511、位置合わせ機構513、及
び光源515を有する。
A)に示す構成が挙げられる。
09で検出された光は、処理部505で処理され、画像として表示装置507に表示され
る。
である。
13、及び光源515と接続されている。本実施の形態のレーザ照射システムは、処理部
505を有するため、カメラ509の観察結果等に応じて、自動で、位置合わせ機構51
3やレーザ装置511、光源515を動作させる設定とすることができる。また、表示装
置507に出力されるカメラの観察結果等に応じて、実施者が適宜、位置合わせ機構51
3やレーザ装置511、光源515を動作させることもできる。
によって設定した場合を例に挙げて説明する。なお、カメラ509によって、直接レーザ
光照射位置593を検出してもよい。
によって光を検出する。光源515からの光535は、ハーフミラー517及び集光レン
ズ523を介して試料501に照射される。試料501からの反射光533が集光レンズ
523及びハーフミラー517を介してカメラ509に照射される。これによって、試料
501におけるマーカ位置591を特定する。このとき、シャッター521は閉じている
。
メラ509でレーザ光照射位置593を直接特定しなくても、所定の位置にレーザ光を照
射することができる。これにより、カメラ509や光源515にレーザ光が照射されるこ
とを抑制でき、好ましい。なお、カメラ509や光源515と重なるシャッターを設けて
もよい。
レーザ光531は、ミラー519、集光レンズ523を介して、試料501におけるレー
ザ光照射位置593(マーカ位置591から所定の距離に位置する)に照射される。これ
により、剥離の起点を試料501に形成することができる。なお、レーザ光531が透過
する集光レンズと、光535及び反射光533が透過する集光レンズとは、同一であって
もよいし、それぞれ異なるレンズであってもよい。
射した光(反射光533)を用いて、マーカ位置591、さらにはレーザ光照射位置59
3を特定できる。したがって、透光性の低い試料(剥離層に遮光膜を用いた試料等)であ
っても、レーザ光を照射する位置を容易に特定できる。
によって光を検出する。光源515からの光535は、試料501及び集光レンズ523
aを介してカメラ509に照射される。これによって、試料501におけるマーカ位置5
91を特定する。このとき、シャッター521は閉じている。
レーザ光531は、ミラー519、集光レンズ523bを介して、試料501におけるレ
ーザ光照射位置593に照射される。これにより、剥離の起点を試料501に形成するこ
とができる。
537(透過光)を用いて、マーカ位置591、さらにはレーザ光照射位置593を特定
できる。
591やレーザ光照射位置593を確認しなくても、処理部505を用いて所定の位置に
剥離の起点を形成できる。
た画像とを重ねあわせることにより、マーカ位置591を特定してもよい。
の境界に相当する位置を特定すればよい。このとき、接着層及び隔壁に異なる材料を用い
ることで、位置の特定が容易となり好ましい。例えば、一方の材料に、ゼオライト等の粒
子を含むことで、接着層及び隔壁の境界を明瞭にできる。
ザ照射システムについて図32を用いて説明する。
ことで、試料501に光源515からの光535、又はレーザ光531を照射することが
できる。
動かしながら、カメラ509によって光を検出する。光源515からの光535は、シャ
ッター521cが開くと、ハーフミラー517及び集光レンズ523を介して試料501
に照射される。試料501からの反射光533が集光レンズ523及びハーフミラー51
7を介してカメラ509に照射される。これによって、試料501におけるレーザ光照射
位置593を特定する。このとき、シャッター521bは閉じている。
521bを開いて、レーザ装置511からレーザ光531を発振する。レーザ光531は
、ミラー519、集光レンズ523を介して、試料501におけるレーザ光照射位置59
3に照射される。これにより、剥離の起点を試料501に形成することができる。
において、剥離の起点を形成することができたか否かについて確認する方法の一例を示す
。
窒化シリコン膜を形成した。次に、下地膜653上に膜厚30nmのタングステン膜65
5を形成した。次に、亜酸化窒素(N2O)プラズマ処理を行い、タングステン膜の表面
に酸化タングステン膜657を形成した。ここで、タングステン膜655及び酸化タング
ステン膜657は剥離層に相当する。次に、被剥離層659として5層の絶縁層を形成し
た。具体的には、膜厚600nmの酸化窒化シリコン膜、膜厚200nmの窒化シリコン
膜、膜厚200nmの酸化窒化シリコン膜、膜厚140nmの窒化酸化シリコン膜、及び
膜厚100nmの酸化窒化シリコン膜をこの順で形成した。そして、エポキシ樹脂661
を用いて該絶縁層と対向基板であるガラス基板663とを貼り合わせた(図29(C)、
(D)参照)。
nmのパルスレーザを用い、パルス幅を10ナノ秒(ns)とした。レーザ光を照射する
領域は約150μm×約150μmである。
で観察した結果を示す。また、図28(B)に、エネルギー0.045mJの条件でレー
ザ光を照射した比較試料を光学顕微鏡で観察した結果を示す。なお、観察には透過光を用
いた。
(C)に示す。また、図28(B)の写真の模式図を図29(B)に示し、その予想され
る断面模式図を図29(D)に示す。
は、エポキシ樹脂が設けられていない領域である。レーザ光照射領域605は、領域60
1及び領域602にわたって位置し、領域601に含まれるレーザ光照射領域606と、
領域602に含まれるレーザ光照射領域607とからなる。レーザ光照射領域606では
、一部が光を透過しており、レーザ光照射領域607では、ほぼ全体が光を透過している
。
グステン膜655、酸化タングステン膜657、及び被剥離層659が除去され、エポキ
シ樹脂661が残存していることが示唆される。また、レーザ光照射領域607は、タン
グステン膜655、酸化タングステン膜657、及び被剥離層659だけでなく、エポキ
シ樹脂661も存在しない。そして、領域604は、タングステン膜655と酸化タング
ステン膜657との間に空間が形成された領域である。レーザ光の照射により、タングス
テン膜655や酸化タングステン膜657の温度が上昇し、熱応力や、層内に残存した気
体の放出等の原因で、密着性の低いタングステン膜655と酸化タングステン膜657の
界面、もしくは酸化タングステン膜657中に空間が形成されたと考えられる。
テン膜655と酸化タングステン膜657との界面で分離した。
は、エポキシ樹脂が設けられていない領域である。レーザ光照射領域615は、領域61
1及び領域612にわたって位置する。レーザ光照射領域615には、光を完全に透過す
る領域がないため、レーザ光の照射によって、タングステン膜655が完全に除去された
場所がないことが示唆される。
657との間に空間が形成され、エポキシ樹脂661が残存していない領域である。領域
614は、タングステン膜655と酸化タングステン膜657との間に空間が形成され、
エポキシ樹脂661が存在している領域である。レーザ光の照射により、タングステン膜
655や酸化タングステン膜657の温度が上昇し、熱応力や、層内に残存した気体の放
出等の原因で、密着性の低いタングステン膜655と酸化タングステン膜657の界面、
もしくは酸化タングステン膜657中に空間が形成されたと考えられる。
樹脂661と被剥離層659の界面、もしくはエポキシ樹脂661中で分離し、被剥離層
659を剥離し、ガラス基板651からガラス基板663側に転置することはできなかっ
た。
離層と接する層を損傷させればよい。ここで、遮光膜を剥離層に用いた場合には、該剥離
層も損傷させることで、剥離の起点の形成前後で、損傷箇所(剥離の起点の形成箇所)の
可視光の透過率が変化する。これにより、剥離の起点を形成できたか否かを、容易に判断
することができるため好ましい。本実施例の方法を適用して、確実に剥離の起点を形成で
きたことを確認した後、剥離を行うことで、歩留まりを向上させることができる。
103 剥離層
105 被剥離層
107 接着層
109 基板
111 隔壁
113 樹脂層
115 照射領域
117 剥離開始領域
201 作製基板
203 剥離層
205 被剥離層
207 接着層
211 隔壁
221 作製基板
223 剥離層
225 被剥離層
226 絶縁層
231 基板
233 接着層
235 隔壁
291 仮支持基板
297 剥離用接着剤
299 隔壁
401 電極
402 EL層
403 電極
405 絶縁層
406 導電層
407 接着層
408 導電層
409 構造
410 導電層
411 拡散板
413 タッチセンサ
416 導電層
419 可撓性基板
420 可撓性基板
422 接着層
424 絶縁層
426 接着層
428 可撓性基板
431 遮光層
432 着色層
435 導電層
441 導電層
442 導電層
443 絶縁層
444 可撓性基板
445 FPC
450 有機EL素子
453 オーバーコート
454 トランジスタ
455 トランジスタ
457 導電層
463 絶縁層
465 絶縁層
467 絶縁層
482 EL層
483 導電層
491 発光部
493 駆動回路部
495 FPC
497 接続体
501 試料
503 ステージ
505 処理部
507 表示装置
509 カメラ
511 レーザ装置
513 位置合わせ機構
515 光源
517 ハーフミラー
519 ミラー
521 シャッター
521a シャッター
521b シャッター
521c シャッター
523 集光レンズ
523a 集光レンズ
523b 集光レンズ
531 レーザ光
533 反射光
535 光
537 光
591 マーカ位置
593 レーザ光照射位置
601 領域
602 領域
604 領域
605 レーザ光照射領域
606 レーザ光照射領域
607 レーザ光照射領域
611 領域
612 領域
613 領域
614 領域
615 レーザ光照射領域
651 ガラス基板
653 下地膜
655 タングステン膜
657 酸化タングステン膜
659 被剥離層
661 エポキシ樹脂
663 ガラス基板
7100 携帯表示装置
7101 筐体
7102 表示部
7103 操作ボタン
7104 送受信装置
7200 照明装置
7201 台部
7202 発光部
7203 操作スイッチ
7210 照明装置
7212 発光部
7220 照明装置
7222 発光部
7300 表示装置
7301 筐体
7302 表示部
7303 操作ボタン
7304 部材
7305 制御部
7400 携帯電話機
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク
Claims (3)
- 第1の基板上に、剥離層を形成し、
前記剥離層上に、被剥離層を形成し、
前記被剥離層上に、接着層及び前記接着層を囲む枠状の隔壁を形成し、
前記被剥離層上に、前記隔壁を囲む枠状の樹脂層を形成し、
前記枠状の隔壁の端部は、前記剥離層の端部よりも内側に位置し、
前記接着層及び前記枠状の隔壁を間に挟んで前記第1の基板と第2の基板とを貼り合わせ、
前記第1の基板と前記第2の基板とを貼り合わせた後に、前記剥離層の一部と前記被剥離層の一部とを除去し、
前記剥離層の前記一部と前記被剥離層の前記一部とは、前記隔壁と重なり、
前記第1の基板と前記第2の基板とを、前記剥離層において分離する剥離方法。 - 請求項1において、
レーザ光を照射することにより、前記剥離層の前記一部と前記被剥離層の前記一部とを除去する剥離方法。 - 請求項1及び2のいずれか一において、
前記接着層は、シート状の接着剤で形成されている剥離方法。
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