JP2020139968A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】画像配線の信号鈍りを軽減する。【解決手段】表示装置１０は、長手状の画素電極１２と、画素電極１２に接続されるスイッチング素子１１と、画素電極１２の長手方向に沿って延在しスイッチング素子１１に接続されてスイッチング素子１１を駆動する信号を伝送する走査配線１３と、画素電極１２の短手方向に沿って延在しスイッチング素子１１に接続されて画素電極１２を充電する信号を伝送する画像配線１４と、液晶分子を含む液晶層１０Ｃと、液晶層１０Ｃに電圧が印加されたときの液晶分子の配向方向が異なる複数のドメインＰＸＤと、複数のドメインＰＸＤの境界に位置する配向境界部２５と、液晶分子を配向させる配向膜１０Ｅと、短手方向に沿って延在していて画素電極１２に対して絶縁膜２２，２３を介して重畳し且つ配向境界部２５の少なくとも一部に対して重畳するよう配される容量配線２６と、を備える。【選択図】図２

Description

本発明は、表示装置に関する。

従来の液晶表示装置の一例として下記特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１に記載された液晶表示装置は、垂直配向型の液晶層、第１基板および第２基板と、第１基板の液晶層側に設けられた第１電極および第２基板の液晶層側に設けられた第２電極と、液晶層に接するように設けられた少なくとも１つの配向膜とを有する。画素領域は、電圧が印加されたときの液晶層の層面内および厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向が予め決められた第１方向である第１液晶ドメインを有し、第１液晶ドメインは第１電極のエッジの少なくとも一部と近接し、少なくとも一部は、それに直交し第１電極の内側に向かう方位角方向が第１方向と９０°超の角をなす第１エッジ部を含み、第１基板または第２基板は遮光部材を有し、遮光部材は第１エッジ部の少なくとも一部を選択的に遮光する第１遮光部を含む。

国際公開第２００６／１３２３６９号公報

上記した特許文献１に記載された液晶表示装置には、画素電極との間で補助容量を形成するＣＳバスラインが記載されており、このＣＳバスラインは、ゲートバスラインに平行する形で延在しており、ソースバスラインに対して交差する関係となっている。ところで、近年では、ソースバスラインの設置数を削減すべく、長手状をなす画素電極の長手方向に沿ってゲートバスラインを延在させ、画素電極の短手方向に沿ってソースバスラインを延在させる構成が採られる場合がある。このような構成では、ゲートバスラインの設置数が多くなる傾向にあることから、ソースバスラインにおけるゲートバスラインとの交差箇所数が多くなるため、ゲートバスラインとの間に生じる寄生容量によってソースバスラインの負荷が大きくなる問題があった。このような構成において、上記した特許文献１に記載されたようにゲートバスラインに平行する形でＣＳバスラインを延在させると、ソースバスラインにはゲートバスラインに加えてＣＳバスラインが交差することになるため、ソースバスラインの負荷がさらに大きくなって信号鈍りの発生が懸念されていた。

本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、画像配線の信号鈍りを軽減することを目的とする。

（１）本発明の一実施形態は、長手状の画素電極と、前記画素電極に接続されるスイッチング素子と、前記画素電極の長手方向に沿って延在し前記スイッチング素子に接続されて前記スイッチング素子を駆動する信号を伝送する走査配線と、前記画素電極の短手方向に沿って延在し前記スイッチング素子に接続されて前記画素電極を充電する信号を伝送する画像配線と、液晶分子を含む液晶層と、前記液晶層に電圧が印加されたときの前記液晶分子の配向方向が異なる複数のドメインと、前記複数のドメインの境界に位置する配向境界部と、前記液晶分子を配向させる配向膜と、前記短手方向に沿って延在していて前記画素電極に対して絶縁膜を介して重畳し且つ前記配向境界部の少なくとも一部に対して重畳するよう配される容量配線と、を備える表示装置である。

（２）また、本発明のある実施形態は、上記（１）の構成に加え、前記配向膜には、前記液晶分子の配向方向を異ならせる複数の配向処理が為されており、前記複数の配向処理が為された部分の境界が、前記配向境界部に対応する表示装置である。

（３）また、本発明のある実施形態は、上記（１）または上記（２）の構成に加え、前記配向境界部は、前記短手方向に沿って延在していて前記容量配線に対して重畳する第１配向境界部と、前記長手方向に沿って延在する第２配向境界部と、を含むよう構成されており、前記長手方向に沿って延在し前記第２配向境界部に対して重畳するよう配される遮光部を備える表示装置である。

（４）また、本発明のある実施形態は、上記（３）の構成に加え、前記遮光部は、前記容量配線に電気的に接続されている表示装置である。

（５）また、本発明のある実施形態は、上記（４）の構成に加え、前記遮光部は、前記容量配線と同じ導電膜により構成されていて前記容量配線に連ねられる表示装置である。

（６）また、本発明のある実施形態は、上記（３）から上記（５）のいずれか１つの構成に加え、前記スイッチング素子は、前記走査配線に接続されるゲート電極と、前記画像配線に接続されるソース電極と、前記画素電極に接続されるドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極とに接続されるチャネル部と、を有しており、前記ドレイン電極は、前記第２配向境界部に対して重畳するとともに前記画素電極の一部に対して絶縁膜を介して重畳していて前記絶縁膜に開口形成されたコンタクトホールを通して前記画素電極に接続される画素接続部を有する表示装置である。

（７）また、本発明のある実施形態は、上記（１）から上記（６）のいずれか１つの構成に加え、前記画素電極の外周縁部に含まれる縁部であって、当該縁部に直交し且つ前記画素電極の内側に向かう方位角方向が、前記液晶層に電圧が印加されたときの前記液晶層の厚さ方向における中央付近の前記液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなす縁部の少なくとも一部に対して重畳するよう配されるエッジ遮光部を備える表示装置である。

（８）また、本発明のある実施形態は、上記（７）の構成に加え、前記エッジ遮光部は、前記画素電極の外周縁部に含まれる縁部であって、当該縁部に直交し且つ前記画素電極の内側に向かう方位角方向が前記チルト方向に対して鈍角をなす長手側の縁部の少なくとも一部と重畳するよう配される表示装置である。

（９）また、本発明のある実施形態は、上記（７）または上記（８）の構成に加え、前記エッジ遮光部は、前記容量配線に電気的に接続されている表示装置である。

（１０）また、本発明のある実施形態は、上記（９）の構成に加え、前記走査配線は、前記画素電極とは非重畳となるよう配されており、前記エッジ遮光部は、前記走査配線とは非重畳となり且つ前記走査配線の側縁部に隣接するよう配される表示装置である。

（１１）また、本発明のある実施形態は、上記（９）または上記（１０）の構成に加え、前記エッジ遮光部は、前記容量配線と同じ導電膜により構成されていて前記容量配線に連ねられる表示装置である。

（１２）また、本発明のある実施形態は、上記（１）から上記（１１）のいずれか１つの構成に加え、前記容量配線は、前記画像配線と同じ導電膜により構成される表示装置である。

本発明によれば、画像配線の信号鈍りを軽減することができる。

本発明の実施形態１に係る液晶パネルの断面図 液晶パネルを構成するアレイ基板における画素配列を示す平面図 アレイ基板における図２のＡ−Ａ線断面図 液晶パネルにおける図２のＢ−Ｂ線断面図 液晶パネルにおける図２のＣ−Ｃ線断面図 アレイ基板の配向膜における配向処理を説明するための図面 液晶パネルを構成するＣＦ基板の配向膜における配向処理を説明するための図面 液晶パネルの１つの画素部における液晶分子のチルト方向などを説明するための図面 本発明の実施形態２に係る液晶パネルの１つの画素部における液晶分子のチルト方向などを説明するための図面 液晶パネルを構成するアレイ基板における画素配列を示す平面図 本発明の他の実施形態（４）に係る液晶パネルを構成するアレイ基板における画素配列を示す平面図

＜実施形態１＞
本発明の実施形態１を図１から図８によって説明する。本実施形態では、液晶パネル（表示装置）１０を構成するアレイ基板１０Ａについて例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、図１，図３，図４及び図５の上側を表側とし、下側を裏側とする。

図１は、液晶パネル１０の概略的な断面図である。液晶パネル１０は、図１に示すように、アレイ基板１０Ａと、アレイ基板１０Ａと対向するよう配されるＣＦ基板（対向基板）１０Ｂと、両基板１０Ａ，１０Ｂの間に介在する液晶層１０Ｃと、液晶層１０Ｃを取り囲んでこれをシールするシール部１０Ｄと、一対の基板１０Ａ，１０Ｂのうちの液晶層１０Ｃに臨む最内面に設けられる一対の配向膜１０Ｅと、を備える。また、両基板１０Ａ，１０Ｂの外面側にはそれぞれ偏光板が貼り付けられている。

液晶パネル１０は、その表示面が画像を表示可能な表示領域と、表示領域を取り囲む非表示領域と、に区分されている。図２は、アレイ基板１０Ａの表示領域における画素配列を表す平面図である。なお、図２には、ＣＦ基板１０Ｂ側の構成も一部図示されている。アレイ基板１０Ａにおける表示領域には、図２に示すように、ＴＦＴ（スイッチング素子、薄膜トランジスタ）１１及びＴＦＴ１１に接続される画素電極１２がそれぞれＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って複数ずつマトリクス状（行列状）に並んで設けられる。ＴＦＴ１１及び画素電極１２の周りには、略格子状をなすゲート配線（走査配線）１３及びソース配線（画像配線、データ配線）１４が取り囲むようにして配設されている。ＴＦＴ１１は、ゲート配線１３に接続されるゲート電極１１Ａと、ソース配線１４に接続されるソース電極１１Ｂと、画素電極１２に接続されるドレイン電極１１Ｃと、を少なくとも有している。ＴＦＴ１１は、画素電極１２（ソース配線１４）に対してＸ軸方向について図２に示す左右に偏在している。ＴＦＴ１１は、画素電極１２（ソース配線１４）に対して左側に偏在するものと、画素電極１２（ソース配線１４）に対して右側に偏在するものと、がＹ軸方向について交互に繰り返し並ぶ配列とされており、ジグザグ状（千鳥状）に平面配置されている。なお、アレイ基板１０Ａには、ゲート配線１３に走査信号を供給するためのゲート回路部がモノリシックに設けられるのが好ましい。また、アレイ基板１０Ａには、ソース配線１４に画像信号を供給するためのドライバがＣＯＧ（Chip On Glass）実装されている。

画素電極１２は、図２に示すように、平面に視て横長の長手状、具体的には略長方形状とされており、長手方向がＸ軸方向と一致し、短手方向がＹ軸方向と一致している。画素電極１２における短手寸法に対する長手寸法の比率は例えば約３である。短手方向（Ｙ軸方向）について隣り合う画素電極１２の間にゲート配線１３が介在するのに対し、長手方向（Ｘ軸方向）について隣り合う画素電極１２の間にソース配線１４が介在している。画素電極１２は、ゲート配線１３及びソース配線１４とは平面に視て非重畳となるよう配されている。ゲート配線１３は、画素電極１２の長手方向（Ｘ軸方向）に沿って延在し、短手方向について画素電極１２の短手寸法程度の間隔を空けて複数が並んで配されている。ゲート配線１３は、ソース配線１４との交差箇所に平面に視て横長の方形の環状をなす部分（以下、環状部１３Ａという）を有している。環状部１３Ａにより、ゲート配線１３とソース配線１４との交差箇所において、ゲート配線１３とソース配線１４とが短絡する不良が生じた場合に、ゲート配線１３から短絡部分をレーザ照射等で分離することができる。ゲート配線１３の設置数は、Ｙ軸方向についての画素電極１２の並び数と一致している。ソース配線１４は、画素電極１２の短手方向に沿って延在し、長手方向について画素電極１２の長手寸法程度の間隔を空けて複数が並んで配されている。ソース配線１４は、ゲート配線１３に対してほぼ直交（交差）している。ソース配線１４の設置数は、Ｘ軸方向についての画素電極１２の並び数と一致している。このような構成によれば、仮に画素電極を縦長の長手状とした場合に比べると、ソース配線１４の配列間隔が、画素電極１２の短手寸法を長手寸法にて除した比率（例えば約１／３）程度となり、それに伴ってＸ軸方向についての単位長さ当たりのソース配線１４の設置数が上記と同様の比率（例えば約１／３）程度となる。なお、仮に画素電極を縦長の長手状とした場合に比べると、ゲート配線１３の配列間隔が、画素電極１２の長手寸法を短手寸法にて除した比率（例えば約３）程度となり、それに伴ってＸ軸方向についての単位長さ当たりのゲート配線１３の設置数が上記と同様の比率（例えば約３）程度となる。これにより、ソース配線１４の設置数を削減することができるので、ソース配線１４に供給される画像信号の数が削減される。従って、ソース配線１４に信号を供給するためのドライバの設置数を削減したり、安価なドライバを用いたりすることができるので、液晶パネル１０の高精細化が進行した場合でも液晶パネル１０の狭額縁化や低コスト化を図ることができる。

図３は、アレイ基板１０Ａにおける図２のＡ−Ａ線断面図である。図２及び図３を用いてＴＦＴ１１の構成を詳しく説明する。ＴＦＴ１１は、図２及び図３に示すように、接続対象とされる画素電極１２に対してＸ軸方向について図２に示す左側または右側に隣り合う配置とされる。ＴＦＴ１１は、ゲート配線１３に連なるゲート電極１１Ａを有する。ゲート電極１１Ａは、ゲート配線１３における環状部１３Ａから図２に示す下向きに突き出すよう分岐されていて、平面に視て縦長の方形とされる。ＴＦＴ１１は、ソース配線１４に連なるソース電極１１Ｂを有する。ソース電極１１Ｂは、ゲート電極１１Ａにおける３つの辺に沿って屈曲されて平面に視て図２に示す下側に向けて開口するチャンネル型をなしている。ＴＦＴ１１は、ソース電極１１Ｂとの間に間隔を空けた位置に配されるドレイン電極１１Ｃを有する。ドレイン電極１１Ｃは、ソース電極１１Ｂにおける３つの辺部と対向状をなすとともに、ソース電極１１Ｂの開口部分からＹ軸方向に沿って延出してその端部が画素電極１２の一部と平面に視て重畳していてその部分に接続されている。つまり、ドレイン電極１１Ｃは、画素電極１２に接続される画素接続部１１Ｃ１を有する。ＴＦＴ１１は、ゲート電極１１Ａと重畳していて、ソース電極１１Ｂ及びドレイン電極１１Ｃに接続されるチャネル部１１Ｄを有する。チャネル部１１Ｄは、ゲート電極１１Ａと同様に平面形状が方形とされており、その３つの辺部がソース電極１１Ｂに、残りの１辺部を含む部分がドレイン電極１１Ｃに、それぞれ接続されている。そして、ゲート配線１３に伝送される走査信号がゲート電極１１Ａに供給されることでＴＦＴ１１が駆動されると、ソース配線１４に伝送される画像信号（データ信号）がソース電極１１Ｂからチャネル部１１Ｄを介してドレイン電極１１Ｃへと供給される。その結果、画素電極１２が画像信号に基づいた電位に充電される。

図４は、液晶パネル１０における図２のＢ−Ｂ線断面図であり、図５は、液晶パネル１０における図２のＣ−Ｃ線断面図である。ＣＦ基板１０Ｂの表示領域には、図４及び図５に示すように、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）及び赤色（Ｒ）を呈する３色のカラーフィルタ１５が設けられている。カラーフィルタ１５は、アレイ基板１０Ａ側の各画素電極１２と平面に視て重畳するようＸ軸方向及びＹ軸方向について複数個ずつマトリクス状に並んで配列されている。カラーフィルタ１５は、互いに異なる色を呈するものがソース配線１４（Ｙ軸方向）に沿って繰り返し並んでおり、同色を呈するものがゲート配線１３（Ｘ軸方向）に沿って続けて並んでいる。この液晶パネル１０においては、Ｙ軸方向に沿って並ぶＲ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ１５と、各カラーフィルタ１５と対向する３つの画素電極１２と、が３色の画素部ＰＸをそれぞれ構成している。そして、この液晶パネル１１においては、Ｙ軸方向に沿って隣り合うＲ，Ｇ，Ｂの３色の画素部ＰＸによって所定の階調のカラー表示を可能な表示画素が構成されている。ＣＦ基板１０Ｂの表示領域には、隣り合うカラーフィルタ１５の間を仕切る略格子状のブラックマトリクス（画素間遮光部）１６が設けられている。このブラックマトリクス１６により隣り合う画素部ＰＸの間を光が行き来し難くなり、それにより混色などが防止されている。また、カラーフィルタ１５の内面側には、対向電極１７が形成されている。対向電極１７は、少なくとも表示領域においてベタ状に設けられており、全ての画素電極１２に対して液晶層１０Ｃを挟んで対向している。対向電極１７には、基準電位（共通電位）が供給されることで、ＴＦＴ１１によって充電された画素電極１２との間に電位差を生じさせる。この電位差に基づいて液晶層１０Ｃの液晶分子の配向状態が変化し、それにより画素部ＰＸ毎に所定の階調表示を行うことが可能とされる。また、カラーフィルタ１５と対向電極１７との間には、平坦化のためにオーバーコート膜が形成されるのが好ましい。

アレイ基板１０Ａは、図３から図５に示すように、ガラス基板（基板）の内面側に各種の膜が積層形成されてなる。具体的には、アレイ基板１０Ａは、第１金属膜（導電膜、ゲート金属膜）１８と、第１金属膜１８の上層側に配されるゲート絶縁膜（第１絶縁膜）１９と、ゲート絶縁膜１９の上層側に配される半導体膜２０と、半導体膜２０の上層側に配される第２金属膜（導電膜、ソース金属膜）２１と、第２金属膜２１の上層側に配される層間絶縁膜（絶縁膜、第２絶縁膜）２２と、層間絶縁膜２２の上層側に配される平坦化膜（絶縁膜、第３絶縁膜）２３と、平坦化膜２３の上層側に配される透明電極膜２４と、透明電極膜２４の上層側に配される配向膜１０Ｅと、を有する。

第１金属膜１８及び第２金属膜２１は、いずれも１種類の金属材料からなる単層膜または異なる種類の金属材料からなる積層膜や合金とされることで導電性及び遮光性を有している。第１金属膜１８は、図３から図５に示すように、ゲート配線１３やＴＦＴ１１のゲート電極１１Ａなどを構成する。第２金属膜２１は、ソース配線１４やＴＦＴ１１のソース電極１１Ｂなどを構成する。半導体膜２０は、材料として例えば酸化物半導体を用いた酸化物半導体膜とされる。半導体膜２０は、ＴＦＴ１１のチャネル部１１Ｄなどを構成する。透明電極膜２４は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明電極材料からなり、画素電極１２などを構成している。

ゲート絶縁膜１９及び層間絶縁膜２２は、いずれも無機絶縁材料（無機樹脂材料）の一種であるＳｉＯ_２（酸化シリコン、シリコン酸化物）やＳｉＮ_ｘ（窒化シリコン）などからなる。平坦化膜２３は、有機絶縁材料（有機材料）の一種であるＰＭＭＡ（アクリル樹脂）などからなる。ゲート絶縁膜１９は、第１金属膜１８と半導体膜２０との間に介在してこれらを絶縁する。特に、ゲート絶縁膜１９のうち、第１金属膜１８からなるゲート配線１３と第２金属膜２１からなるソース配線１４との交差部間に介在する部分は、両配線１３，１４間を絶縁する。層間絶縁膜２２及び平坦化膜２３は、半導体膜２０及び第２金属膜２１と透明電極膜２４との間に介在してこれらを絶縁する。このうちの平坦化膜２３は、その膜厚が無機樹脂材料からなる他の絶縁膜１９，２２よりも大きくなっており、アレイ基板１０Ａの表面を平坦化するのに機能する。層間絶縁膜２２及び平坦化膜２３のうち、ＴＦＴ１１のドレイン電極１１Ｃと画素電極１２との重畳箇所に対して重畳する位置には、コンタクトホールＣＨが開口形成されている。従って、互いに重畳するドレイン電極１１Ｃの画素接続部１１Ｃ１と、画素電極１２の一部と、は、コンタクトホールＣＨを通して接続されている。

ここで、配向膜１０Ｅに関して図６から図８を用いて詳しく説明する。図６は、アレイ基板１０Ａの配向膜１０Ｅにおける配向処理を説明するための図面であり、アレイ基板１０Ａを液晶層１０Ｃ側から見た図面である。図７は、ＣＦ基板１０Ｂの配向膜１０Ｅにおける配向処理を説明するための図面であり、ＣＦ基板１０Ｂを液晶層１０Ｃ側とは逆側、すなわち偏光板が貼り付けられる側から見た図面である。図８は、液晶パネル１０の１つの画素部ＰＸにおける液晶分子のチルト方向（配向方向）などを説明するための図面であり、アレイ基板１０Ａを下にし、ＣＦ基板１０Ｂを上にして、ＣＦ基板１０Ｂ側から見た図面である。両基板１０Ａ，１０Ｂのそれぞれの最内面に設けられた配向膜１０Ｅは、液晶層１０Ｃに電圧が印加されていない状態において、いずれも液晶層１０Ｃに含まれる液晶分子の長軸を基板の膜面に対してほぼ垂直に配向させる垂直配向膜とされる。つまり、本実施形態に係る液晶パネル１０は、表示モードがＶＡ（Vertical Alignment）モードであり、より詳しくは画素部ＰＸを区分する４つのドメインＰＸＤ毎に液晶分子の配向が異なっていて例えば４Ｄ−ＲＴＮ（4-Domain Reverse Twisted Nematic）モードとされる。具体的には、配向膜１０Ｅは、その表面に光配向処理が行われることで液晶分子に配向規制力を付与することが可能となる光配向膜とされており、光配向処理が上記した複数のドメインＰＸＤに応じたものとなっている。すなわち、アレイ基板１０Ａ側の配向膜１０Ｅには、図６に示すように、製造過程において各画素部ＰＸにおけるＸ軸方向についての中央位置を境界にしてＸ軸方向に沿って並ぶ２つの領域に対してＹ軸方向に沿って互いに逆向きとなる配向処理光（偏光紫外線）がそれぞれ照射されている。図６には、配向処理光の照射方向が白抜きの矢印により図示され、液晶分子のチルト方向（配向方向、液晶層に電圧が印加されたときに液晶分子が倒れる方向）が実線の矢印により図示されている。本実施形態では、図６に示す左側の領域に対しては同図の上向きの配向処理光が、図６に示す右側の領域に対しては同図の下向きの配向処理光が、それぞれ照射されている。なお、互いに逆向きとなる配向処理光を照射する際に、マスクを用いて、不要な部分に配向処理光が照射されないようする。一方、ＣＦ基板１０Ｂ側の配向膜１０Ｅには、図７に示すように、製造過程において各画素部ＰＸにおけるＹ軸方向についての中央位置を境界にしてＹ軸方向について並ぶ２つの領域に対してＸ軸方向に沿って互いに逆向きとなる配向処理光がそれぞれ照射されている。図７には、配向処理光の照射方向が白抜きの矢印により図示され、液晶分子のチルト方向が実線の矢印により図示されている。本実施形態では、図７に示す上側の領域に対しては同図の左向きの配向処理光が、図７に示す下側の領域に対しては同図の右向きの配向処理光が、それぞれ照射されている。

このような光配向処理が行われる一対の配向膜１０Ｅによって画素部ＰＸは、図８に示すように、液晶分子のチルト方向が互いに異なる４つのドメインＰＸＤに分割されている。図８には、液晶層１０Ｃの厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向が実線の矢印により図示されている。４つのドメインＰＸＤは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向についてマトリクス状に２つずつ並ぶ配置となっている。４つのドメインＰＸＤの境界位置では、液晶分子の配向が４つのドメインＰＸＤのいずれとも異なっており、ここが配向境界部２５とされる。配向膜１０Ｅは、平面に視て略十字型の配向境界部２５を有している。配向境界部２５は、Ｙ軸方向に沿って延在する第１配向境界部２５Ａと、Ｘ軸方向に沿って延在する第２配向境界部２５Ｂと、を含む構成とされる。なお、図２及び図８では、４つのドメインＰＸＤの配向境界部２５を一点鎖線にて図示している。この配向境界部２５は、液晶分子の配向状態を適切に制御するのが難しく、光量が局所的に少ない暗部となり易い傾向とされる。なお、図８では、暗部の発生領域を網掛け状にして図示している。本実施形態では、４つのドメインＰＸＤにおける液晶分子のチルト方向が、互いに９０度の整数倍ずつ異なるよう設定されている。すなわち、図８に示す右上のドメインＰＸＤでは、液晶分子のチルト方向が左斜め上向きとされ、図８に示す左上のドメインＰＸＤでは、液晶分子のチルト方向が左斜め下向きとされ、図８に示す左下のドメインＰＸＤでは、液晶分子のチルト方向が右斜め下向きとされ、図８に示す右下のドメインＰＸＤでは、液晶分子のチルト方向が右斜め上向きとされる。このように、各ドメインＰＸＤに配される液晶分子が一対の配向膜１０Ｅによってそれぞれ異なる向きに配向規制されるので、液晶パネル１０に表示される画像に係る視野角特性が平均化され、もって良好な表示性能が得られる。

さて、本実施形態に係る液晶パネル１０を構成するアレイ基板１０Ａには、図２及び図４に示すように、画素電極１２に対して層間絶縁膜２２及び平坦化膜２３（絶縁膜）を介して重畳する容量配線２６が設けられている。容量配線２６は、基準電位（例えば対向電極１７と同じ電位であってもよいし、対向電極１７に対して特定の電位差を保つ電位であってもよい）に保たれるとともに、重畳する画素電極１２との間に静電容量を形成するので、画素電極１２が充電されるとその電位が保持されるようになっている。容量配線２６は、Ｙ軸方向、つまり画素電極１２の短手方向に沿って延在しており、言い換えるとソース配線１４に並行するよう延在している。容量配線２６は、Ｙ軸方向に沿って並んでいて１つの列をなす複数の画素電極１２を全て横切っており、これらの画素電極１２に対して一括して重畳する配置とされる。容量配線２６は、長手方向について画素電極１２の長手寸法程度の間隔を空けて複数が並んで配されている。容量配線２６の配列間隔は、ソース配線１４の配列間隔及びＸ軸方向についての画素電極１２の配列間隔とほぼ等しい。容量配線２６の設置数は、Ｘ軸方向についての画素電極１２の並び数及びソース配線１４の設置数と一致している。

ところで、本実施形態に係る液晶パネル１０を構成するアレイ基板１０Ａには、図２に示すように、既述した通り、ゲート配線１３が画素電極１２の長手方向（Ｘ軸方向）に沿って延在するとともに、ソース配線１４が画素電極１２の短手方向（Ｙ軸方向）に沿って延在するよう設けられている。これにより、ソース配線１４の設置数の削減が図られているが、その一方でゲート配線１３の設置数については増加している。このため、ソース配線１４は、ゲート配線１３との交差箇所数が多くなる傾向にあり、ゲート配線１３との間に生じる寄生容量に起因して信号鈍りが生じることが懸念される。その点、容量配線２６は、画素電極１２の短手方向に沿って延在しているので、ソース配線１４とは交差せずにゲート配線１３に対して交差する関係とされる。これにより、ソース配線１４と容量配線２６との間に寄生容量が生じるのを避けることができるので、仮に容量配線が画素電極１２の長手方向に沿って延在していてソース配線１４と容量配線との間に寄生容量が生じる構成に比べると、ソース配線１４に生じ得る信号鈍りが軽減される。

そして、容量配線２６は、図２及び図４に示すように、配向境界部２５の少なくとも一部に対して重畳するよう配されている。詳しくは、容量配線２６は、画素電極１２におけるＸ軸方向についてのほぼ中央位置に配されており、配向境界部２５のうちのＹ軸方向に沿って延在する第１配向境界部２５Ａのほぼ全域に対して重畳するよう配されている。この配向境界部２５は、既述した通り、液晶分子の配向状態を適切に制御するのが難しく、光量が局所的に少ない暗部となり易い傾向にある。特に、配向境界部２５に起因する暗部は、アレイ基板１０Ａに形成した配向膜１０Ｅの表面に光配向処理する際に使用するマスクのアライメント精度に起因して位置や幅が変動する場合があり、表示領域において暗部の幅が異なる部分があると表示ムラとして視認され易い傾向にある。このような配向境界部２５の第１配向境界部２５Ａに対して容量配線２６を重畳配置することで、容量配線２６によって第１配向境界部２５Ａに起因する表示ムラが視認され難くなるとともに、容量配線２６が画素電極１２に対して重畳配置されることに起因する輝度低下が抑制される。その上で、容量配線２６は、ソース配線１４と同じ第２金属膜２１からなる。これにより、仮に両配線を別の金属膜により構成した場合に比べて製造コストの低廉化を図ることができる。また、ソース配線１４及び容量配線２６は、共にＹ軸方向に沿って延在していてゲート配線１３に対して交差する関係であるものの、ゲート配線１３との間にゲート絶縁膜１９が介在する第２金属膜２１により構成されているので、ゲート配線１３との短絡が避けられている。

本実施形態に係る液晶パネル１０を構成するアレイ基板１０Ａには、図２及び図５に示すように、画素電極１２の長手方向に沿って延在していて配向境界部２５のうちの第２配向境界部２５Ｂに対して重畳するよう配される遮光部２７が設けられている。遮光部２７は、画素電極１２におけるＹ軸方向についてのほぼ中央位置に配されており、配向境界部２５のうちのＸ軸方向に沿って延在する第２配向境界部２５Ｂにおける両端部を除く大部分に対して重畳するよう配されている。第２配向境界部２５Ｂは、第１配向境界部２５Ａと同様に、生じる暗部の位置や幅がＣＦ基板１０Ｂに形成した配向膜１０Ｅの表面に光配向処理する際に使用するマスクのアライメント精度に起因して変動して表示ムラが視認され易いのに加えて、第１配向境界部２５Ａよりも広範囲にわたって存在しているため、表示ムラがより視認され易い傾向にある。このような第２配向境界部２５Ｂに対して遮光部２７を重畳配置することで、遮光部２７によって第２配向境界部２５Ｂに起因する表示ムラが視認され難くなるとともに、遮光部２７が画素電極１２に対して重畳配置されることに起因する輝度低下が抑制される。その上で、遮光部２７は、容量配線２６と同じ第２金属膜２１により構成されていて容量配線２６に連ねられている。遮光部２７は、画素電極１２に対して層間絶縁膜２２及び平坦化膜２３を介して重畳するよう配されているので、画素電極１２との間に静電容量を形成する。遮光部２７は、容量配線２６に電気的に接続されているので、画素電極１２と容量配線２６との間に形成される静電容量が多くなり、それにより画素電極１２の電位をより良好に保持することができる。また、仮に遮光部を容量配線２６との間に絶縁膜が介在する別の金属膜（導電膜）により構成し、その絶縁膜に開口形成したコンタクトホールにより遮光部と容量配線２６とを接続した場合に比べると、そのようなコンタクトホールに起因する暗部が生じるのが避けられる。

また、第２配向境界部２５Ｂには、図２に示すように、ＴＦＴ１１のドレイン電極１１Ｃにおける画素接続部１１Ｃ１及びコンタクトホールＣＨが重畳するよう配されている。画素接続部１１Ｃ１及びコンタクトホールＣＨは、画素電極１２におけるＹ軸方向についてのほぼ中央位置に配されており、上記した遮光部２７と同一直線上に並ぶ配置とされる。画素接続部１１Ｃ１及びコンタクトホールＣＨは、画素電極１２におけるＸ軸方向についての一方（図２に示す左側）の端部と重畳するよう配されており、遮光部２７とは非重畳の配置とされる。ここで、ドレイン電極１１Ｃの画素接続部１１Ｃ１と画素電極１２の一部とを接続するコンタクトホールＣＨの周辺は、液晶層１０Ｃに含まれる液晶分子の配向が乱れ易いため、本来的に表示への寄与度が低い傾向にある。その点、ドレイン電極１１Ｃの画素接続部１１Ｃ１は、第２配向境界部２５Ｂに対して重畳するよう配されているので、仮に第２配向境界部２５Ｂとは非重畳となる配置とされた場合に比べると、画素電極１２において表示に有効に利用される範囲が広く確保される。これにより、表示品位が良好に保たれる。

ここで、画素電極１２の外周縁部と、液晶層１０Ｃの厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向と、の関係について図８を参照しつつ詳しく説明する。画素電極１２の外周縁部は、図８に示すように、画素部ＰＸの４つのドメインＰＸＤにおける配向境界部２５側の２辺ずつを除いた外側の２辺ずつを構成している。これに対し、液晶層１０Ｃに含まれる液晶分子のチルト方向は、既述した通り、各ドメインＰＸＤにおいて互いに９０度の整数倍ずつ異なっている。従って、図８に示す右上のドメインＰＸＤでは、画素電極１２の短手側の縁部１２Ｓに直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が液晶分子のチルト方向に対して鋭角（９０度を超えない角度）をなすのに対し、画素電極１２の長手側の縁部１２Ｌに直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が液晶分子のチルト方向に対して鈍角（９０度を超える角度）をなしている。同様に、図８に示す左上のドメインＰＸＤでは、画素電極１２の短手側の縁部１２Ｓに直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなすのに対し、画素電極１２の長手側の縁部１２Ｌに直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が液晶分子のチルト方向に対して鋭角をなしている。同様に、図８に示す左下のドメインＰＸＤでは、画素電極１２の短手側の縁部１２Ｓに直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が液晶分子のチルト方向に対して鋭角をなすのに対し、画素電極１２の長手側の縁部１２Ｌに直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなしている。図８に示す右下のドメインＰＸＤでは、画素電極１２の短手側の縁部１２Ｓに直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなすのに対し、画素電極１２の長手側の縁部１２Ｌに直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が液晶分子のチルト方向に対して鋭角をなしている。ところで、画素電極１２の外周縁部付近には、ゲート配線１３やソース配線１４と画素電極１２との間に発生する電界が存在しており、その電界は、液晶層１０Ｃに含まれる液晶分子に対して配向規制力を作用させ得る。画素電極１２の外周縁部に含まれる縁部であって、当該縁部に直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が、液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなす縁部付近に生じる電界は、上記したチルト方向に対して逆向きの配向規制力を液晶分子に作用させるため、当該縁部付近では液晶分子の配向が乱れ易く、暗部として視認されるおそれがある。特に、上記した液晶分子の配向乱れに起因する暗部は、画素電極１２の外周縁部に含まれる縁部であって、当該縁部に直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が、液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなす縁部付近に生じる電界の強度に応じて幅が多少変動し得る。上記した電界の強度は、画素電極１２の縁部とゲート配線１３やソース配線１４の側縁部との距離や層間絶縁膜２２や平坦化膜２３の膜厚などに応じて変動するものである。このため、表示領域において暗部の幅が異なる部分があると、表示ムラとして視認され易い傾向にある。

そこで、本実施形態に係る液晶パネル１０を構成するアレイ基板１０Ａには、図２及び図５に示すように、画素電極１２の外周縁部に含まれる縁部であって、当該縁部に直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が、液晶層１０Ｃに電圧が印加されたときの液晶層１０Ｃの厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなす縁部の少なくとも一部に対して重畳するよう配されるエッジ遮光部２８が設けられている。エッジ遮光部２８は、画素電極１２の外周縁部に含まれる縁部であって、当該縁部に直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向がチルト方向に対して鈍角をなす長手側の縁部１２Ｌの少なくとも一部と重畳するよう配されている。具体的には、エッジ遮光部２８は、図２に示す右上のドメインＰＸＤにおける画素電極１２の長手側の縁部１２Ｌと、図２に示す左下のドメインＰＸＤにおける画素電極１２の長手側の縁部１２Ｌと、に対してそれぞれ重畳するよう２つ配されている。エッジ遮光部２８は、Ｘ軸方向に沿って延在していて上記した画素電極１２の長手側の各縁部１２Ｌにおけるほぼ全域にわたって重畳している。このような構成によれば、画素電極１２の外周縁部に含まれる縁部であって、当該縁部に直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が、液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなす長手側の縁部１２Ｌとゲート配線１３との間に生じる電界によって液晶分子に作用する配向規制力に起因して液晶分子の配向に乱れが生じた場合であっても、上記した液晶分子のチルト方向に対して上記した方位角方向が鈍角をなす長手側の縁部１２Ｌに対して重畳配置されるエッジ遮光部２８によって配向乱れに起因する暗部が視認され難くなる。これにより、表示領域において暗部の幅が異なる部分が生じたとしても、表示ムラとして視認され難くなり、表示品位が良好に保たれる。しかも、上記した液晶分子のチルト方向に対して上記した方位角方向が鈍角をなす長手側の縁部１２Ｌは、短手側の縁部１２Ｓに比べると、形成範囲が広いため、暗部の発生範囲も広くなる傾向にあるものの、エッジ遮光部２８が長手側の縁部１２Ｌに対して重畳配置されることで、長手側の縁部１２Ｌ付近に広範囲にわたって生じ得る暗部が視認され難くなる。これにより、表示品位がより良好に保たれる。なお、図２に示す左上のドメインＰＸＤ及び右下のドメインＰＸＤにおける短手側の各縁部１２Ｓには、エッジ遮光部２８が重畳配置されていないものの、長手側の縁部１２Ｌに比べると、発生し得る暗部の範囲が比較的狭いため、表示品位を著しく劣化させることはない。また、暗部をブラックマトリクス１６で隠すことで表示品位を改善する場合においても、長手側の縁部１２Ｌに比べると、短手側の各縁部１２Ｓで発生し得る暗部の範囲が比較的狭いため、輝度低下に与える影響は小さい。

エッジ遮光部２８は、図２及び図５に示すように、容量配線２６と同じ第２金属膜２１により構成されていて容量配線２６に連ねられている。エッジ遮光部２８は、画素電極１２の長手側の縁部１２Ｌに対して層間絶縁膜２２及び平坦化膜２３を介して重畳するよう配されているので、画素電極１２との間に静電容量を形成する。エッジ遮光部２８は、容量配線２６に電気的に接続されているので、画素電極１２の外周縁部に含まれる縁部であって、当該縁部に直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が上記したチルト方向に対して鈍角をなす長手側の縁部１２Ｌ付近に生じる電界を遮蔽することができる。これにより、上記したチルト方向に対して上記した方位角方向が鈍角をなす長手側の縁部１２Ｌ付近に液晶分子の配向乱れがより生じ難くなるので、暗部がより視認され難くなって表示品位の改善に資する。しかも、エッジ遮光部２８が容量配線２６に電気的に接続されることで、画素電極１２と容量配線２６との間に形成される静電容量が多くなり、それにより画素電極１２の電位をより良好に保持することができる。また、仮にエッジ遮光部を容量配線２６との間に絶縁膜が介在する別の金属膜（導電膜）により構成し、その絶縁膜に開口形成したコンタクトホールによりエッジ遮光部と容量配線２６とを接続した場合に比べると、そのようなコンタクトホールに起因する暗部が生じるのが避けられる。

エッジ遮光部２８は、図２及び図５に示すように、ゲート配線１３とは非重畳となり且つゲート配線１３の側縁部１３Ｅに隣接するよう配されている。このようにすれば、ゲート配線１３の側縁部１３Ｅと、画素電極１２における長手側の縁部１２Ｌと、の間に発生し得る電界を、ゲート配線１３の側縁部１３Ｅに隣接するよう配されるエッジ遮光部２８によって遮蔽することができる。これにより、上記したチルト方向に対して上記した方位角方向が鈍角をなす長手側の縁部１２Ｌ付近に液晶分子の配向乱れがさらに生じ難くなるので、暗部がさらに視認され難くなって表示品位の改善に資する。また、エッジ遮光部２８は、ゲート配線１３とは非重畳となるよう配されているので、ゲート配線１３と容量配線２６との間に生じ得る寄生容量が抑制される。

以上説明したように本実施形態の液晶パネル（表示装置）１０は、長手状の画素電極１２と、画素電極１２に接続されるＴＦＴ（スイッチング素子）１１と、画素電極１２の長手方向に沿って延在しＴＦＴ１１に接続されてＴＦＴ１１を駆動する信号を伝送するゲート配線（走査配線）１３と、画素電極１２の短手方向に沿って延在しＴＦＴ１１に接続されて画素電極１２を充電する信号を伝送するソース配線（画像配線）１４と、液晶分子を含む液晶層１０Ｃと、液晶層１０Ｃに電圧が印加されたときの液晶分子の配向方向が異なる複数のドメインＰＸＤと、複数のドメインＰＸＤの境界に位置する配向境界部２５と、液晶分子を配向させる配向膜１０Ｅと、短手方向に沿って延在していて画素電極１２に対して層間絶縁膜２２及び平坦化膜２３（絶縁膜）を介して重畳し且つ配向境界部２５の少なくとも一部に対して重畳するよう配される容量配線２６と、を備える。

このようにすれば、ゲート配線１３に伝送される信号に基づいてＴＦＴ１１が駆動されると、ソース配線１４に伝送される信号がＴＦＴ１１を介して画素電極１２に供給され、それにより画素電極１２が充電される。充電された画素電極１２は、層間絶縁膜２２及び平坦化膜２３を介して重畳する容量配線２６との間に静電容量を形成し、それにより画素電極１２の電位が保持される。ここで、ゲート配線１３及びソース配線１４を複数ずつ設置する場合、画素電極１２の短手方向に沿って延在するソース配線１４の配列間隔が、画素電極１２の長手方向に沿って延在するゲート配線１３の配列間隔よりも大きくなる。従って、仮にゲート配線及びソース配線の各延在方向を逆の関係にした場合に比べると、ソース配線１４の設置数が少なくて済み、高精細化を図る上で好適となる。その一方、ゲート配線１３の設置数については多くなるため、ソース配線１４は、ゲート配線１３との交差箇所数が多くなる傾向にあり、ゲート配線１３との間に生じる寄生容量に起因して信号鈍りが生じることが懸念される。その点、容量配線２６は、画素電極１２の短手方向に沿って延在しているので、ソース配線１４とは交差せずにゲート配線１３に対して交差する関係とされる。これにより、ソース配線１４と容量配線２６との間に寄生容量が生じるのを避けることができるので、仮に容量配線が画素電極１２の長手方向に沿って延在していてソース配線１４と容量配線との間に寄生容量が生じる構成に比べると、ソース配線１４に生じ得る信号鈍りが軽減される。その上で、容量配線２６は、液晶層１０Ｃに含まれる液晶分子の配向方向が異なる複数のドメインＰＸＤの境界に位置する配向境界部２５の少なくとも一部に対して重畳するよう配されている。この配向境界部２５は、液晶分子の配向状態を適切に制御するのが難しく、光量が局所的に少ない暗部となり易い。このような配向境界部２５の少なくとも一部に対して容量配線２６を重畳配置すれば、容量配線２６によって、表示領域における暗部の幅などのばらつきに起因する表示ムラが視認され難くなるとともに、容量配線２６が画素電極１２に対して重畳配置されることに起因する輝度低下が抑制される。

また、配向膜１０Ｅには、液晶分子の配向方向を異ならせる複数の配向処理が為されており、複数の配向処理が為された部分の境界が、配向境界部２５に対応する。配向膜１０Ｅに配向処理が為されると、その配向処理が為された部分により液晶分子が特定の方向に配向される。配向膜１０Ｅには、液晶分子の配向方向が異なるよう複数の配向処理が為されていて、複数の配向処理が為された部分の境界と、複数のドメインＰＸＤの境界と、が対応する関係とされる。

また、配向境界部２５は、短手方向に沿って延在していて容量配線２６に対して重畳する第１配向境界部２５Ａと、長手方向に沿って延在する第２配向境界部２５Ｂと、を含むよう構成されており、長手方向に沿って延在し第２配向境界部２５Ｂに対して重畳するよう配される遮光部２７を備える。このようにすれば、画素電極１２の短手方向に沿って延在する第１配向境界部２５Ａと、長手方向に沿って延在する第２配向境界部２５Ｂと、により液晶分子の配向方向が異なる４つのドメインＰＸＤが区画されることになるので、視野角特性の向上を図る上で好適となる。配向境界部２５のうち、第１配向境界部２５Ａには、容量配線２６が重畳するよう配されることで、第１配向境界部２５Ａに起因する暗部が視認され難くなる。これに対し、第２配向境界部２５Ｂには、遮光部２７が重畳するよう配されることで、第１配向境界部２５Ａよりも広範囲な第２配向境界部２５Ｂに起因する暗部が視認され難くなる。これにより、配向境界部２５に起因する暗部がより視認され難くなり、表示領域における暗部の幅などのばらつきに起因する表示ムラが視認され難くなる。

また、遮光部２７は、容量配線２６に電気的に接続されている。このようにすれば、遮光部２７が容量配線２６に電気的に接続されているので、画素電極１２と容量配線２６との間に形成される静電容量が多くなり、それにより画素電極１２の電位をより良好に保持することができる。

また、遮光部２７は、容量配線２６と同じ第２金属膜（導電膜）２１により構成されていて容量配線２６に連ねられる。このようにすれば、仮に遮光部を容量配線２６との間に絶縁膜が介在する別の金属膜（導電膜）により構成し、その絶縁膜に開口形成したコンタクトホールにより遮光部と容量配線２６とを接続した場合に比べると、そのようなコンタクトホールに起因する暗部が生じるのが避けられる。

また、ＴＦＴ１１は、ゲート配線１３に接続されるゲート電極１１Ａと、ソース配線１４に接続されるソース電極１１Ｂと、画素電極１２に接続されるドレイン電極１１Ｃと、ソース電極１１Ｂとドレイン電極１１Ｃとに接続されるチャネル部１１Ｄと、を有しており、ドレイン電極１１Ｃは、第２配向境界部２５Ｂに対して重畳するとともに画素電極１２の一部に対して層間絶縁膜２２及び平坦化膜２３を介して重畳していて層間絶縁膜２２及び平坦化膜２３に開口形成されたコンタクトホールＣＨを通して画素電極１２に接続される画素接続部１１Ｃ１を有する。このようにすれば、ゲート配線１３に伝送される信号がゲート電極１１Ａに供給されると、ＴＦＴ１１が駆動される。すると、ソース配線１４に伝送される信号がソース電極１１Ｂに供給され、ソース電極１１Ｂからチャネル部１１Ｄを介してドレイン電極１１Ｃに供給される。ドレイン電極１１Ｃは、画素接続部１１Ｃ１が画素電極１２に対して間に介在する層間絶縁膜２２及び平坦化膜２３に開口形成されたコンタクトホールＣＨを通して接続されているので、画素電極１２は、ソース配線１４に伝送される信号に基づいた電位に充電される。ここで、ドレイン電極１１Ｃと画素電極１２の一部とを接続するコンタクトホールＣＨの周辺は、液晶層１０Ｃに含まれる液晶分子の配向が乱れ易いため、本来的に表示への寄与度が低い傾向にある。その点、ドレイン電極１１Ｃの画素接続部１１Ｃ１は、第２配向境界部２５Ｂに対して重畳するよう配されているので、仮に第２配向境界部２５Ｂとは非重畳となる配置とされた場合に比べると、画素電極１２において表示に有効に利用される範囲が広く確保される。これにより、表示品位が良好に保たれる。

また、画素電極１２の外周縁部に含まれる縁部であって、当該縁部に直交し且つ前記画素電極の内側に向かう方位角方向が、液晶層１０Ｃに電圧が印加されたときの液晶層１０Ｃの厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなす縁部の少なくとも一部に対して重畳するよう配されるエッジ遮光部２８を備える。画素電極１２の外周縁部付近には、他の導電体（ゲート配線１３やソース配線１４）との間に発生する電界が存在し、その電界は、液晶層１０Ｃに含まれる液晶分子に対して配向規制力を作用させ得る。画素電極１２の外周縁部には、次のような縁部が含まれる。すなわち、その縁部は、当該縁部に直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が、液晶層１０Ｃに電圧が印加されたときの液晶層１０Ｃの厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなしている。この縁部付近に生じる電界は、上記したチルト方向に対して逆向きの配向規制力を液晶分子に作用させるため、当該縁部付近では液晶分子の配向が乱れ易くなっている。その点、エッジ遮光部２８は、画素電極１２の外周縁部のうち、上記したチルト方向に対して上記した方位角方向が鈍角をなす縁部の少なくとも一部に対して重畳するよう配されているから、上記した電界による配向規制力が作用することで液晶分子の配向に乱れが生じたとしても、液晶分子の配向乱れに起因する表示不良が視認され難くなる。これにより、表示品位が良好に保たれる。

また、エッジ遮光部２８は、画素電極１２の外周縁部に含まれる縁部であって、当該縁部に直交し且つ前記画素電極の内側に向かう方位角方向がチルト方向に対して鈍角をなす長手側の縁部１２Ｌの少なくとも一部と重畳するよう配される。画素電極１２の外周縁部のうちの長手側の縁部１２Ｌは、短手側の縁部１２Ｓに比べると、形成範囲が広くなっている。エッジ遮光部２８は、上記したチルト方向に対して上記した方位角方向が鈍角をなす長手側の縁部１２Ｌの少なくとも一部と重畳するよう配されることで、長手側の縁部１２Ｌ付近に広範囲にわたって生じ得る表示不良が視認され難くなる。これにより、表示品位がより良好に保たれる。

また、エッジ遮光部２８は、容量配線２６に電気的に接続されている。このようにすれば、画素電極１２の外周縁部のうち、上記したチルト方向に対して上記した方位角方向が鈍角をなす縁部の少なくとも一部付近に生じる電界は、容量配線２６に電気的に接続されるエッジ遮光部２８によって遮蔽される。これにより、上記したチルト方向に対して上記した方位角方向が鈍角をなす縁部付近に液晶分子の配向乱れがより生じ難くなるので、表示不良がより視認され難くなって表示品位の改善に資する。しかも、画素電極１２の上記した縁部に対して重畳するエッジ遮光部２８が容量配線２６に電気的に接続されることで、画素電極１２と容量配線２６との間に形成される静電容量が多くなり、それにより画素電極１２の電位をより良好に保持することができる。

また、ゲート配線１３は、画素電極１２とは非重畳となるよう配されており、エッジ遮光部２８は、ゲート配線１３とは非重畳となり且つゲート配線１３の側縁部１３Ｅに隣接するよう配される。このようにすれば、ゲート配線１３が画素電極１２とは非重畳となるよう配されることで、ゲート配線１３と画素電極１２との間に生じ得る寄生容量が抑制される。ゲート配線１３の側縁部１３Ｅと、画素電極１２における長手側の縁部１２Ｌと、の間に発生し得る電界は、ゲート配線１３の側縁部１３Ｅに隣接するよう配されるエッジ遮光部２８によって遮蔽される。これにより、上記したチルト方向に対して上記した方位角方向が鈍角をなす縁部付近に液晶分子の配向乱れがさらに生じ難くなるので、表示不良がさらに視認され難くなって表示品位の改善に資する。また、エッジ遮光部２８は、ゲート配線１３とは非重畳となるよう配されているので、ゲート配線１３と容量配線２６との間に生じ得る寄生容量が抑制される。

また、エッジ遮光部２８は、容量配線２６と同じ第２金属膜（導電膜）２１により構成されていて容量配線２６に連ねられる。このようにすれば、仮にエッジ遮光部を容量配線２６との間に絶縁膜が介在する別の金属膜（導電膜）により構成し、その絶縁膜に開口形成したコンタクトホールによりエッジ遮光部と容量配線２６とを接続した場合に比べると、そのようなコンタクトホールに起因する暗部が生じるのが避けられる。

また、容量配線２６は、ソース配線１４と同じ第２金属膜（導電膜）２１により構成される。ソース配線１４及び容量配線２６は、画素電極１２の短手方向に沿って延在していてゲート配線１３に対して交差する関係であることから、短絡を避けるにはゲート配線１３との間にゲート絶縁膜（絶縁膜）１９が介在する第２金属膜２１により構成されるのが好ましい。ここで、仮にソース配線と容量配線とを別の導電膜により構成する場合には、ゲート配線１３とソース配線と容量配線とがそれぞれ別の金属膜（導電膜）により構成されることになるので、製造コストが高くなることが懸念される。その点、容量配線２６をソース配線１４と同じ第２金属膜２１により構成すれば、必要な金属膜の数が削減されるので、製造コストの低廉化を図る上で有用である。

＜実施形態２＞
本発明の実施形態２を図９または図１０によって説明する。この実施形態２では、エッジ遮光部１２８の配置を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態では、図９に示すように、画素部ＰＸを構成する４つのドメインＰＸＤの液晶層に電圧が印加されたときの液晶層の厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向が、実施形態１とは異なる配置となるよう設定されている。すなわち、図９に示す右上のドメインＰＸＤでは、液晶分子のチルト方向が右斜め下向きとされ、図９に示す右下のドメインＰＸＤでは、液晶分子のチルト方向が左斜め下向きとされ、図９に示す左下のドメインＰＸＤでは、液晶分子のチルト方向が左斜め上向きとされ、図９に示す左上のドメインＰＸＤでは、液晶分子のチルト方向が右斜め上向きとされる。従って、図９に示す右上のドメインＰＸＤでは、画素電極１１２の長手側の縁部１１２Ｌに直交し且つ画素電極１１２の内側に向かう方位角方向が液晶分子のチルト方向に対して鋭角をなすのに対し、画素電極１１２の短手側の縁部１１２Ｓに直交し且つ画素電極１１２の内側に向かう方位角方向が液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなしている。同様に、図９に示す右下のドメインＰＸＤでは、画素電極１１２の長手側の縁部１１２Ｌに直交し且つ画素電極１１２の内側に向かう方位角方向が液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなすのに対し、画素電極１１２の短手側の縁部１１２Ｓに直交し且つ画素電極１１２の内側に向かう方位角方向が液晶分子のチルト方向に対して鋭角をなしている。同様に、図９に示す左下のドメインＰＸＤでは、画素電極１１２の長手側の縁部１１２Ｌに直交し且つ画素電極１１２の内側に向かう方位角方向が液晶分子のチルト方向に対して鋭角をなすのに対し、画素電極１１２の短手側の縁部１１２Ｓに直交し且つ画素電極１１２の内側に向かう方位角方向が液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなしている。図９に示す左上のドメインＰＸＤでは、画素電極１１２の長手側の縁部１１２Ｌに直交し且つ画素電極１１２の内側に向かう方位角方向が液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなすのに対し、画素電極１１２の短手側の縁部１１２Ｓに直交し且つ画素電極１１２の内側に向かう方位角方向が液晶分子のチルト方向に対して鋭角をなしている。なお、図９では、暗部の発生領域を網掛け状にして図示している。

このような構成の画素部ＰＸにおいて、エッジ遮光部１２８は、図１０に示すように、画素電極１１２の外周縁部に含まれる縁部であって、当該縁部に直交し且つ画素電極１１２の内側に向かう方位角方向が液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなす長手側の縁部１１２Ｌに対して重畳するよう配されている。詳しくは、エッジ遮光部１２８は、図１０に示す左上のドメインＰＸＤにおける画素電極１１２の長手側の縁部１１２Ｌと、図１０に示す右下のドメインＰＸＤにおける画素電極１１２の長手側の縁部１１２Ｌと、に対してそれぞれ重畳するよう２つ配されている。このような構成であっても、上記した実施形態１と同様に、エッジ遮光部１２８による遮光効果及び遮蔽効果などが得られる。

＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。

（１）上記した各実施形態以外にも、画素部の各ドメインにおける液晶分子のチルト方向の設定については適宜に変更可能である。例えば、４つのドメインにおいて液晶分子のチルト方向が、画素部の中心へ向かうような設定であっても構わない。その場合、画素電極の外周縁部が全域にわたって、その縁部に直交し且つ画素電極の内側に向かう方位角方向が液晶分子のチルト方向に対して鋭角をなすため、外周縁部付近には全周にわたって暗部が生じ難くなる。従って、この構成は、エッジ遮光部を省略するのに好ましいと言える。

（２）上記した（１）以外にも、４つのドメインにおいて液晶分子のチルト方向が、画素部の中心から放射状に外側へ向かうような設定であっても構わない。その場合、画素電極の外周縁部が全域にわたって液晶分子のチルト方向に対して、その縁部に直交し且つ画素電極の内側に向かう方位角方向が鈍角をなすため、外周縁部付近には全周にわたって暗部が生じ易くなる。このような構成では、エッジ遮光部を画素電極の外周縁部に対して全周にわたって重畳するよう配するのが最も好ましいが、画素電極の長手側の縁部に対して全長にわたって重畳するようにしても十分に暗部の視認を抑制することができて好ましい。

（３）上記した各実施形態では、エッジ遮光部が画素電極の外周縁部のうちの長手側の縁部に対してのみ重畳するよう配される場合を示したが、エッジ遮光部が画素電極の外周縁部のうちの短手側の縁部に対して重畳するよう配されていても構わない。その場合、エッジ遮光部を画素電極の外周縁部のうちの短手側の縁部に対してのみ重畳するよう配することもできるが、エッジ遮光部を画素電極の外周縁部のうちの長手側の縁部及び短手側の縁部の双方に対して重畳するよう配することもできる。

（４）上記した各実施形態では、遮光部及びエッジ遮光部がいずれも容量配線と同じ第２金属膜からなる場合を示したが、遮光部及びエッジ遮光部の少なくとも一方が容量配線とは異なる金属膜や透明電極膜、半導体膜（特に、ＴＦＴのチャネル部を構成する半導体膜より低抵抗になるように処理した半導体膜）により構成されていても構わないし、これらを積層しても構わない。例えば、図１１に示されるように、ＴＦＴ１１のチャネル部１１Ｄを構成する半導体膜より低抵抗化になるように処理した半導体膜を用いて第２の遮光部２７Ｂを形成し、その第２の遮光部２７Ｂを実施形態１，２にて説明した遮光部２７（図２を参照）に連ねるようにしてもよい。このとき、第２の遮光部２７Ｂは、絶縁膜を介さずに遮光部２７の直ぐ下層に形成されることで遮光部２７との導通がとられている。なお、容量配線とは異なる金属膜からなる遮光部やエッジ遮光部を容量配線に接続するには、容量配線との間に介在する絶縁膜にコンタクトホールを開口形成すればよい。遮光部やエッジ遮光部を透明電極膜等で構成したとしても、静電容量を大きくし、ゲート配線やソース配線と画素電極との間に発生する電界を遮蔽する効果を得ることができる。

（５）上記した各実施形態では、遮光部及びエッジ遮光部がいずれも容量配線に電気的に接続される場合を示したが、遮光部及びエッジ遮光部の少なくとも一方が容量配線とは電気的に非接続とされていても構わない。その場合、容量配線とは非接続とされる遮光部やエッジ遮光部については、容量配線とは別の金属膜（導電膜）により構成することも可能であるが、容量配線と同じ第２金属膜により構成されていても構わない。

（６）上記した各実施形態以外にも、遮光部を省略することも可能である。同様に、エッジ遮光部を省略することも可能である。

（７）上記した各実施形態以外にも、ＴＦＴを構成するドレイン電極の画素接続部が第２配向境界部とは非重畳となる配置であっても構わない。

（８）上記した各実施形態では、画素部におけるドメインに数が４とされる場合を示したが、画素部におけるドメインの数は４以外（例えば２や６や８など）であっても構わない。

（９）上記した各実施形態では、配向膜が光配向処理がなされることで液晶分子に対する配向規制力を発揮する光配向膜とされる場合を示したが、配向膜が光配向膜ではない垂直配向膜であっても構わない。その場合は、例えばアレイ基板やＣＦ基板の表面にリブ（凸部）やスリット（凹部）を形成し、そのリブやスリットによって液晶分子に対する配向規制力を得るようにするのが好ましい。

（１０）上記した各実施形態では、アレイ基板及びＣＦ基板の双方に配向膜が設けられた場合を示したが、アレイ基板及びＣＦ基板のうちのいずれか一方のみに配向膜が設けられていても構わない。

（１１）上記した各実施形態では、アレイ基板においてＴＦＴがジグザグ状に平面配置された場合を示したが、ＴＦＴがマトリクス状に平面配置されていても構わない。

（１２）上記した各実施形態では、アレイ基板にゲート回路部が設けられた場合を示したが、ゲート回路部を省略し、アレイ基板にゲート回路部と同様の機能を有するゲートドライバを実装するようにしても構わない。

（１３）上記した各実施形態では、アレイ基板にドライバがＣＯＧ実装される場合を示したが、ドライバがフレキシブル基板に対してＣＯＦ（Chip On Film）実装されていても構わない。その場合は、フレキシブル基板がアレイ基板に対してＦＯＧ（Film On Glass）実装される。

（１４）上記した各実施形態では、ＴＦＴのチャネル部を構成する半導体膜が酸化物半導体からなる場合を示したが、半導体膜がアモルファスシリコンからなるようにしてもよい。また、半導体膜はポリシリコンであってもよく、その場合は、ＴＦＴをボトムゲート型とするか、チャネル部の下層（アレイ基板側の偏光板が貼り付けられる側）に遮光膜を備えるトップゲート型とするのが好ましい。

（１５）上記した各実施形態では、透過型の液晶パネルを備える液晶表示装置を例示したが、反射型の液晶パネルや半透過型の液晶パネルを備える液晶表示装置であっても構わない。

１０…液晶パネル（表示装置）、１０Ｃ…液晶層、１０Ｅ…配向膜、１１…ＴＦＴ（スイッチング素子）、１１Ａ…ゲート電極、１１Ｂ…ソース電極、１１Ｃ…ドレイン電極、１１Ｃ１…画素接続部、１１Ｄ…チャネル部、１２，１１２…画素電極、１２Ｌ，１１２Ｌ…長手側の縁部、１３…ゲート配線（走査配線）、１３Ｅ…側縁部、１４…ソース配線（画像配線）、２１…第２金属膜（導電膜）、２２…層間絶縁膜（絶縁膜）、２３…平坦化膜（絶縁膜）、２５…配向境界部、２５Ａ…第１配向境界部、２５Ｂ…第２配向境界部、２６…容量配線、２７…遮光部、２８，１２８…エッジ遮光部、ＣＨ…コンタクトホール、ＰＸＤ…ドメイン

Claims (12)

1. 長手状の画素電極と、
   前記画素電極に接続されるスイッチング素子と、
   前記画素電極の長手方向に沿って延在し前記スイッチング素子に接続されて前記スイッチング素子を駆動する信号を伝送する走査配線と、
   前記画素電極の短手方向に沿って延在し前記スイッチング素子に接続されて前記画素電極を充電する信号を伝送する画像配線と、
   液晶分子を含む液晶層と、
   前記液晶層に電圧が印加されたときの前記液晶分子の配向方向が異なる複数のドメインと、
   前記複数のドメインの境界に位置する配向境界部と、
   前記液晶分子を配向させる配向膜と、
   前記短手方向に沿って延在していて前記画素電極に対して絶縁膜を介して重畳し且つ前記配向境界部の少なくとも一部に対して重畳するよう配される容量配線と、を備える表示装置。
2. 前記配向膜には、前記液晶分子の配向方向を異ならせる複数の配向処理が為されており、前記複数の配向処理が為された部分の境界が、前記配向境界部に対応する請求項１記載の表示装置。
3. 前記配向境界部は、前記短手方向に沿って延在していて前記容量配線に対して重畳する第１配向境界部と、前記長手方向に沿って延在する第２配向境界部と、を含むよう構成されており、
   前記長手方向に沿って延在し前記第２配向境界部に対して重畳するよう配される遮光部を備える請求項１または請求項２記載の表示装置。
4. 前記遮光部は、前記容量配線に電気的に接続されている請求項３記載の表示装置。
5. 前記遮光部は、前記容量配線と同じ導電膜により構成されていて前記容量配線に連ねられる請求項４記載の表示装置。
6. 前記スイッチング素子は、前記走査配線に接続されるゲート電極と、前記画像配線に接続されるソース電極と、前記画素電極に接続されるドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極とに接続されるチャネル部と、を有しており、
   前記ドレイン電極は、前記第２配向境界部に対して重畳するとともに前記画素電極の一部に対して絶縁膜を介して重畳していて前記絶縁膜に開口形成されたコンタクトホールを通して前記画素電極に接続される画素接続部を有する請求項３から請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記画素電極の外周縁部に含まれる縁部であって、当該縁部に直交し且つ前記画素電極の内側に向かう方位角方向が、前記液晶層に電圧が印加されたときの前記液晶層の厚さ方向における中央付近の前記液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなす縁部の少なくとも一部に対して重畳するよう配されるエッジ遮光部を備える請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
8. 前記エッジ遮光部は、前記画素電極の外周縁部に含まれる縁部であって、当該縁部に直交し且つ前記画素電極の内側に向かう方位角方向が前記チルト方向に対して鈍角をなす長手側の縁部の少なくとも一部と重畳するよう配される請求項７記載の表示装置。
9. 前記エッジ遮光部は、前記容量配線に電気的に接続されている請求項７または請求項８記載の表示装置。
10. 前記走査配線は、前記画素電極とは非重畳となるよう配されており、前記エッジ遮光部は、前記走査配線とは非重畳となり且つ前記走査配線の側縁部に隣接するよう配される請求項９記載の表示装置。
11. 前記エッジ遮光部は、前記容量配線と同じ導電膜により構成されていて前記容量配線に連ねられる請求項９または請求項１０記載の表示装置。
12. 前記容量配線は、前記画像配線と同じ導電膜により構成される請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。

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