JP2020136355A - 基板乾燥方法および基板処理装置 - Google Patents
基板乾燥方法および基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020136355A JP2020136355A JP2019024815A JP2019024815A JP2020136355A JP 2020136355 A JP2020136355 A JP 2020136355A JP 2019024815 A JP2019024815 A JP 2019024815A JP 2019024815 A JP2019024815 A JP 2019024815A JP 2020136355 A JP2020136355 A JP 2020136355A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- pretreatment liquid
- drying pretreatment
- concentration
- drying
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 419
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 121
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 771
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 242
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 claims abstract description 153
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 99
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 95
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 586
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 217
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims description 78
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 32
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 26
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 26
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 17
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 14
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 9
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 8
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 claims description 6
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 6
- 238000004904 shortening Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 17
- 238000007711 solidification Methods 0.000 abstract description 7
- 230000008023 solidification Effects 0.000 abstract description 7
- 239000012895 dilution Substances 0.000 abstract 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 abstract 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 57
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 52
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 23
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 23
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 19
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 description 12
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 10
- DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N (R)-camphor Chemical compound C1C[C@@]2(C)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N 0.000 description 8
- 241000723346 Cinnamomum camphora Species 0.000 description 8
- 229960000846 camphor Drugs 0.000 description 8
- 229930008380 camphor Natural products 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 6
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- BGJSXRVXTHVRSN-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trioxane Chemical class C1OCOCO1 BGJSXRVXTHVRSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000002438 flame photometric detection Methods 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- FQERLIOIVXPZKH-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trioxane Chemical compound C1COOCO1 FQERLIOIVXPZKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N h2o hydrate Chemical compound O.O JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-N tetramethylazanium;hydrochloride Chemical compound Cl.C[N+](C)(C)C OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F26—DRYING
- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
- F26B5/00—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat
- F26B5/08—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat by centrifugal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
基板の表面にパターンが形成されている場合、基板を乾燥させるときに、基板に付着している処理液の表面張力に起因する力がパターンに加わり、パターンが倒壊することがある。その対策として、IPA(イソプロピルアルコール)などの表面張力が低い液体を基板に供給したり、パターンに対する液体の接触角を90度に近づける疎水化剤を基板に供給したりする方法が採られる。しかしながら、IPAや疎水化剤を用いたとしても、パターンを倒壊させる倒壊力が零にはならないので、パターンの強度によっては、これらの対策を行ったとしても、十分にパターンの倒壊を防止できない場合がある。
本願発明者らは、昇華乾燥において、昇華性物質を含む固化膜の厚さは、パターンの倒壊率に大きな影響を及ぼすとの知見を有している。具体的には、固化膜はパターンに対して厚すぎても薄すぎても、パターンの倒壊率が低下する。言い換えると、パターンの倒壊率を低下させる上で、固化膜の厚さには適切な範囲がある。この適切な範囲は、パターンに応じて変化する。たとえば、パターンの高さが変わると、固化膜の適切な厚さも変わる。
この構成によれば、昇華性物質の濃度が低い原液を希釈液と混ぜる。つまり、原液における昇華性物質の濃度は、原液における溶媒の濃度よりも低い。原液における昇華性物質の濃度が極めて高い場合、原液の量が少し変わると、乾燥前処理液の濃度が大幅に変わる。昇華性物質の濃度が低い原液を用いれば、乾燥前処理液の濃度を容易に精密に制御できる。これにより、固化膜の厚さを精密に制御できる。
この構成によれば、多量の希釈液を原液と混ぜる。つまり、乾燥前処理液における希釈液の濃度は、乾燥前処理液における原液の濃度よりも高い。原液の変化量が同じであれば、希釈液の濃度が高い場合は、原液の濃度が高い場合と比べて乾燥前処理液の濃度の変化量が小さい。したがって、希釈液の濃度が高い乾燥前処理液を作成することにより、乾燥前処理液の濃度を容易に精密に制御できる。
この構成によれば、原液に含まれる溶媒と同一名称の溶媒を原液と混ぜる。つまり、昇華性物質を溶媒で希釈した後に、この昇華性物質を溶媒でさらに希釈する。昇華性物質が希釈液に含まれないので、希釈液を貯留する希釈液タンク内で昇華性物質が析出することはない。さらに、昇華性物質が希釈液に含まれないので、希釈液における昇華性物質の濃度を管理する必要がない。
この構成によれば、ノズルに供給されずに分岐配管に流入した乾燥前処理液を、溶媒を含む補充液として用いる。具体的には、分岐配管に流入した乾燥前処理液を、原液タンク内に供給する。乾燥前処理液は、希釈液によって希釈された原液である。したがって、乾燥前処理液を原液タンク内に供給すると、原液タンク内の原液における昇華性物質の濃度が低下する。
以下の説明において、基板処理装置1内の気圧は、特に断りがない限り、基板処理装置1が設置されるクリーンルーム内の気圧(たとえば1気圧またはその近傍の値)に維持されているものとする。
図1Aは、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置1を上から見た模式図である。図1Bは、基板処理装置1を側方から見た模式図である。
処理ユニット2は、基板Wに処理液を供給するウェット処理ユニット2wである。処理ユニット2は、内部空間を有する箱型のチャンバー4と、チャンバー4内で1枚の基板Wを水平に保持しながら基板Wの中央部を通る鉛直な回転軸線A1まわりに回転させるスピンチャック10と、回転軸線A1まわりにスピンチャック10を取り囲む筒状の処理カップ21とを含む。
乾燥前処理液の凝固点(1気圧での凝固点。以下同様。)は、室温(たとえば、23℃またはその近傍の値)よりも低い。基板処理装置1は、室温に維持されたクリーンルーム内に配置されている。したがって、乾燥前処理液を加熱しなくても、乾燥前処理液を液体に維持できる。昇華性物質の凝固点は、乾燥前処理液の凝固点よりも高い。昇華性物質の凝固点は、室温よりも高い。室温では、昇華性物質は固体である。昇華性物質の凝固点は、溶媒の沸点より高くてもよい。溶媒の蒸気圧は、昇華性物質の蒸気圧よりも高い。
以下では、昇華性物質が樟脳であり、溶媒がIPAである例について説明する。樟脳の凝固点は、175〜177℃である。樟脳の凝固点は、IPAの沸点よりも高い。IPAの蒸気圧は、樟脳の蒸気圧よりも高い。したがって、IPAは、樟脳よりも蒸発し易い。IPAは、水よりも蒸気圧が高く、水よりも表面張力が低い。IPAは、水よりも分子量が大きい。
図3は、基板処理装置1に備えられた乾燥前処理液供給ユニット100を示す模式図である。図4は、第1電動バルブ104および第2電動バルブ108の鉛直断面を示す模式図である。
図3では、チャンバー4、流体ボックスFB、およびキャビネットCCを四角または長方形で示している。図3において四角または長方形内に配置された部材は、チャンバー4、流体ボックスFB、およびキャビネットCCのいずれかに収容されている。たとえば、乾燥前処理液バルブ41は、流体ボックスFB内に配置されている。これは、図12、図15、および図16でも同様である。
制御装置3は、コンピュータ本体3aと、コンピュータ本体3aに接続された周辺装置3dとを含む、コンピュータである。コンピュータ本体3aは、各種の命令を実行するCPU3b(central processing unit:中央処理装置)と、情報を記憶する主記憶装置3cとを含む。周辺装置3dは、プログラムP等の情報を記憶する補助記憶装置3eと、リムーバブルメディアRMから情報を読み取る読取装置3fと、ホストコンピュータHC等の他の装置と通信する通信装置3gとを含む。
処理される基板Wは、たとえば、シリコンウエハなどの半導体ウエハである。基板Wの表面は、トランジスタやキャパシタ等のデバイスが形成されるデバイス形成面に相当する。基板Wは、パターン形成面である基板Wの表面にパターンP1(図9A参照)が形成された基板Wであってもよいし、基板Wの表面にパターンP1が形成されていない基板Wであってもよい。後者の場合、後述する薬液供給工程でパターンP1が形成されてもよい。
具体的には、遮断部材51が上位置に位置しており、全てのガード24が下位置に位置しており、全てのスキャンノズルが待機位置に位置している状態で、センターロボットCR(図1A参照)が、基板WをハンドH1で支持しながら、ハンドH1をチャンバー4内に進入させる。そして、センターロボットCRは、基板Wの表面が上に向けられた状態でハンドH1上の基板Wを複数のチャックピン11の上に置く。その後、複数のチャックピン11が基板Wの外周面に押し付けられ、基板Wが把持される。センターロボットCRは、基板Wをスピンチャック10の上に置いた後、ハンドH1をチャンバー4の内部から退避させる。
具体的には、遮断部材51が上位置に位置しており、少なくとも一つのガード24が上位置に位置している状態で、ノズル移動ユニット34が薬液ノズル31を待機位置から処理位置に移動させる。その後、薬液バルブ33が開かれ、薬液ノズル31が薬液の吐出を開始する。薬液バルブ33が開かれてから所定時間が経過すると、薬液バルブ33が閉じられ、薬液の吐出が停止される。その後、ノズル移動ユニット34が、薬液ノズル31を待機位置に移動させる。
具体的には、遮断部材51が上位置に位置しており、少なくとも一つのガード24が上位置に位置している状態で、ノズル移動ユニット38がリンス液ノズル35を待機位置から処理位置に移動させる。その後、リンス液バルブ37が開かれ、リンス液ノズル35がリンス液の吐出を開始する。純水の吐出が開始される前に、ガード昇降ユニット27は、基板Wから排出された液体を受け止めるガード24を切り替えるために、少なくとも一つのガード24を鉛直に移動させてもよい。リンス液バルブ37が開かれてから所定時間が経過すると、リンス液バルブ37が閉じられ、リンス液の吐出が停止される。その後、ノズル移動ユニット38が、リンス液ノズル35を待機位置に移動させる。
具体的には、遮断部材51が上位置に位置しており、少なくとも一つのガード24が上位置に位置している状態で、ノズル移動ユニット46が置換液ノズル43を待機位置から処理位置に移動させる。その後、置換液バルブ45が開かれ、置換液ノズル43が置換液の吐出を開始する。置換液の吐出が開始される前に、ガード昇降ユニット27は、基板Wから排出された液体を受け止めるガード24を切り替えるために、少なくとも一つのガード24を鉛直に移動させてもよい。置換液バルブ45が開かれてから所定時間が経過すると、置換液バルブ45が閉じられ、置換液の吐出が停止される。その後、ノズル移動ユニット46が、置換液ノズル43を待機位置に移動させる。
具体的には、遮断部材51が上位置に位置しており、少なくとも一つのガード24が上位置に位置している状態で、ノズル移動ユニット42が乾燥前処理液ノズル39を待機位置から処理位置に移動させる。その後、乾燥前処理液バルブ41が開かれ、乾燥前処理液ノズル39が乾燥前処理液の吐出を開始する。乾燥前処理液の吐出が開始される前に、ガード昇降ユニット27は、基板Wから排出された液体を受け止めるガード24を切り替えるために、少なくとも一つのガード24を鉛直に移動させてもよい。乾燥前処理液バルブ41が開かれてから所定時間が経過すると、乾燥前処理液バルブ41が閉じられ、乾燥前処理液の吐出が停止される。その後、ノズル移動ユニット42が、乾燥前処理液ノズル39を待機位置に移動させる。
具体的には、遮断部材51が下位置に位置している状態で、スピンモータ14が基板Wの回転速度を膜厚減少速度に維持する。膜厚減少速度は、液体供給速度と等しくてもよいし、異なっていてもよい。基板W上の乾燥前処理液は、乾燥前処理液の吐出が停止された後も、遠心力によって基板Wから外方に排出される。そのため、基板W上の乾燥前処理液の液膜の厚さが減少する。基板W上の乾燥前処理液がある程度排出されると、単位時間当たりの基板Wからの乾燥前処理液の排出量が零または概ね零に減少する。これにより、基板W上の乾燥前処理液の液膜の厚さが基板Wの回転速度に応じた値で安定する。
具体的には、遮断部材51が下位置に位置している状態で、スピンモータ14が基板Wの回転速度を固化膜形成速度に維持する。固化膜形成速度は、液体供給速度と等しくてもよいし、異なっていてもよい。さらに、上気体バルブ57を開いて、中心ノズル55に窒素ガスの吐出を開始させる。上気体バルブ57を開くことに加えてまたは代えて、流量調整バルブ65の開度を変更して、遮断部材51の***開口61から吐出される窒素ガスの流量を増加させてもよい。
具体的には、遮断部材51が下位置に位置している状態で、スピンモータ14が基板Wの回転速度を昇華速度に維持する。昇華速度は、液体供給速度と等しくてもよいし、異なっていてもよい。さらに、上気体バルブ57が閉じられている場合は、上気体バルブ57を開いて、中心ノズル55に窒素ガスの吐出を開始させる。上気体バルブ57を開くことに加えてまたは代えて、流量調整バルブ65の開度を変更して、遮断部材51の***開口61から吐出される窒素ガスの流量を増加させてもよい。昇華速度での基板Wの回転が開始されてから所定時間が経過すると、スピンモータ14が止まり、基板Wの回転が停止される(図8のステップS20)。
具体的には、遮断部材昇降ユニット54が遮断部材51を上位置まで上昇させ、ガード昇降ユニット27が全てのガード24を下位置まで下降させる。さらに、上気体バルブ64および下気体バルブ84が閉じられ、遮断部材51の***開口61とスピンベース12の下中央開口81とが窒素ガスの吐出を停止する。その後、センターロボットCRが、ハンドH1をチャンバー4内に進入させる。センターロボットCRは、複数のチャックピン11が基板Wの把持を解除した後、スピンチャック10上の基板WをハンドH1で支持する。その後、センターロボットCRは、基板WをハンドH1で支持しながら、ハンドH1をチャンバー4の内部から退避させる。これにより、処理済みの基板Wがチャンバー4から搬出される。
乾燥前処理液ノズル39が乾燥前処理液を吐出しているとき、乾燥前処理液の濃度は溶液濃度計117によって監視されている。乾燥前処理液の濃度が設定濃度範囲外であるとき、制御装置3は、第1電動バルブ104および第2電動バルブ108の少なくとも一方の開度を変更し、原液および希釈液の混合比を変更する(時刻T11)。これにより、乾燥前処理液の濃度が設定濃度範囲内に入る。
図11Aは、乾燥前処理液の濃度が設定濃度範囲を超えている場合の処置の一例を示すタイムチャートである。図11Bは、置換液の液膜で覆われた基板Wの上面に乾燥前処理液が供給されている状態を示す模式図である。以下では、図3、図11Aおよび図11Bを参照する。
第1実施形態に対する第2実施形態の主な相違点は、乾燥前処理液を基板Wに供給する前に、ポッド141に向けて乾燥前処理液を吐出することである。
以下の図12〜図14において、図1〜図11Bに示された構成と同等の構成については、図1等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
図12に示すように、処理ユニット2は、待機位置に位置する乾燥前処理液ノズル39から吐出された液体を受け止める筒状のポッド141を備えている。ポッド141は、平面視で処理カップ21のまわりに配置されている。ポッド141は、ドレインバルブ143が介装されたドレイン配管142に接続されている。ドレインバルブ144が閉じられているときに、待機位置に位置する乾燥前処理液ノズル39が液体を吐出すると、液体がポッド142内に溜まる。ドレイン配管142は、補充タンク120に接続されている。
図13に示すように、制御装置3は、待機位置に位置する乾燥前処理液ノズル39に乾燥前処理液を吐出させながら、溶液濃度計117に乾燥前処理液の濃度を測定させる(時刻T21〜時刻T23)。乾燥前処理液ノズル39から吐出された乾燥前処理液は、基板Wではなく、ポッド141に供給される(プリディスペンス工程)。ポッド141内の乾燥前処理液は、ドレイン配管142に排出される。溶液濃度計117は、ドレイン配管142に排出された乾燥前処理液の濃度を測定する。ドレイン配管142内の乾燥前処理液は、補充タンク120に回収されてもよいし、回収されなくてもよい。
第1実施形態に対する第3実施形態の主な相違点は、乾燥前処理液が遮断部材51の下面51Lの中央部から吐出されることである。
以下の図15において、図1〜図14に示された構成と同等の構成については、図1等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
第3実施形態では、中心ノズル55(図2参照)に代えて、乾燥前処理液ノズル39が、遮断部材51の中央部に配置されている。乾燥前処理液ノズル39は、遮断部材51に保持されており、遮断部材51と共に昇降する。乾燥前処理液ノズル39の吐出口39pは、遮断部材51の下面51Lの中央部で開口する***開口61の上方に配置されている。図示はしないが、不活性ガスを案内する上気体配管56(図2参照)は、乾燥前処理液ノズル39に接続されている。
第1実施形態に対する第4実施形態の主な相違点は、原液および希釈液をミキシングバルブ109(図3参照)内で混合するのではなく、ミキシングタンク151内で混合することである。
以下の図16において、図1〜図15に示された構成と同等の構成については、図1等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
乾燥前処理液供給ユニット100は、第1実施形態に係るミキシングバルブ109(図3参照)に代えて、原液および希釈液を混合するミキシングタンク151を備えている。ミキシングタンク151は、キャビネットCC内に配置されている。第1個別配管102および第2個別配管106の下流端は、ミキシングタンク151に接続されている。原液および希釈液は、ミキシングタンク151の中に供給され、ミキシングタンク151の中で混合される(タンク内混合工程)。これにより、乾燥前処理液が作成される。
本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。
たとえば、原液における昇華性物質の濃度は、原液における溶媒の濃度と等しくてもよいし、原液における溶媒の濃度より高くてもよい。
希釈液は、溶媒以外の成分を含んでいてもよい。たとえば、希釈液における昇華性物質の濃度が原液における昇華性物質の濃度よりも低ければ、希釈液は、昇華性物質と溶媒とを含んでいてもよい。
固化膜SFは、ウェット処理ユニット2wとは異なる処理ユニット2で除去されてもよい。固化膜SFを除去する処理ユニット2は、基板処理装置1の一部であってもよいし、基板処理装置1とは異なる基板処理装置の一部であってもよい。つまり、ウェット処理ユニット2wが備えられた基板処理装置1と、固化膜SFを除去する処理ユニット2が備えられた基板処理装置とが、同じ基板処理システムに設けられており、固化膜SFを除去する前に、基板処理装置1から別の基板処理装置に基板Wを搬送してもよい。
第1電動バルブ104に代えて、第1個別配管102の内部を開閉する第1開閉バルブと、第1個別配管102内を流れる液体の流量を変更する第1流量調整バルブとを設けてもよい。同様に、第2電動バルブ108に代えて、第2個別配管106の内部を開閉する第2開閉バルブと、第2個別配管106内を流れる液体の流量を変更する第2流量調整バルブとを設けてもよい。
遮断部材51は、円板部52に加えて、円板部52の外周部から下方に延びる筒状部を含んでいてもよい。この場合、遮断部材51が下位置に配置されると、スピンチャック10に保持されている基板Wは、円筒部に取り囲まれる。
遮断部材51が省略されてもよい。ただし、基板Wの下面に純水などの液体を供給する場合は、遮断部材51が設けられていることが好ましい。基板Wの外周面を伝って基板Wの下面から基板Wの上面に回り込んだ液滴や、処理カップ21から内側に跳ね返った液滴を遮断部材51で遮断でき、基板W上の乾燥前処理液に混入する液体を減らすことができるからである。
前述の全ての構成の2つ以上が組み合わされてもよい。前述の全ての工程の2つ以上が組み合わされてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
3 :制御装置
10 :スピンチャック
39 :乾燥前処理液ノズル
40 :乾燥前処理液配管
55 :中心ノズル
100 :乾燥前処理液供給ユニット
101 :原液タンク
103 :第1ポンプ
105 :希釈液タンク
109 :ミキシングバルブ
116 :分岐配管
117 :溶液濃度計
120 :補充タンク
141 :ポッド
144 :サックバックバルブ
151 :ミキシングタンク
Hp :パターンの高さ
P1 :パターン
SF :固化膜
T1 :固化膜の厚さ
W :基板
Claims (12)
- パターンが形成された基板の表面を乾燥させる基板乾燥方法であって、
少なくとも前記パターンの高さに基づいて設定される昇華性物質の濃度の範囲を表す設定濃度範囲を確認する設定濃度確認工程と、
前記昇華性物質と溶媒とを含む原液を原液タンク内に貯留する原液貯留工程と、
前記溶媒を含み、前記昇華性物質の濃度が前記原液における前記昇華性物質の濃度よりも低い希釈液を、前記原液タンクの外で前記原液と混合することにより、前記昇華性物質の濃度が前記設定濃度範囲内である乾燥前処理液を作成する乾燥前処理液作成工程と、
前記基板の前記表面上の前記乾燥前処理液から前記溶媒を蒸発させることにより、前記昇華性物質を含む固化膜を前記基板の前記表面に形成する固化膜形成工程と、
前記固化膜を昇華させることにより、前記基板の前記表面から前記固化膜を除去する昇華工程とを含む、基板乾燥方法。 - 前記原液における前記昇華性物質の濃度は、前記原液における前記溶媒の濃度よりも低い、請求項1に記載の基板乾燥方法。
- 前記乾燥前処理液における前記希釈液の濃度は、前記乾燥前処理液における前記原液の濃度よりも高い、請求項1または2に記載の基板乾燥方法。
- 前記希釈液は、前記溶媒である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板乾燥方法。
- 前記乾燥前処理液作成工程は、前記原液と前記希釈液とをノズルの方に流動させながら、前記原液および希釈液を混合する流動混合工程を含み、
前記基板乾燥方法は、前記原液および希釈液の混合液である前記乾燥前処理液を前記基板の前記表面に向けて前記ノズルに吐出させる吐出工程をさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板乾燥方法。 - 前記乾燥前処理液における前記昇華性物質の濃度を測定する濃度測定工程と、
前記昇華性物質の濃度が前記設定濃度範囲外である場合、前記原液および希釈液の混合比を変更すると共に、前記ノズルに前記乾燥前処理液を吐出させる吐出時間を延長する吐出時間延長工程と、をさらに含む、請求項5に記載の基板乾燥方法。 - 前記乾燥前処理液が前記基板の前記表面に供給される前に、前記溶媒を前記基板の前記表面に供給する溶媒供給工程と、
前記乾燥前処理液における前記昇華性物質の濃度を測定する濃度測定工程と、
前記昇華性物質の濃度が前記設定濃度範囲を超えている場合、前記溶媒が前記基板の前記表面にある状態で、前記乾燥前処理液を前記基板の前記表面に向けて前記ノズルに吐出させると共に、前記ノズルに前記乾燥前処理液を吐出させる吐出時間を短縮する吐出時間短縮工程と、をさらに含む、請求項5に記載の基板乾燥方法。 - 前記基板の前記表面に垂直な方向に見たときに前記基板のまわりに配置された筒状のポッドに向けて前記ノズルに前記乾燥前処理液を吐出させるプリディスペンス工程と、
前記ポッドに向けて前記ノズルから吐出された前記乾燥前処理液における前記昇華性物質の濃度を測定する濃度測定工程と、
前記ノズルから吐出された前記乾燥前処理液における前記昇華性物質の濃度が前記設定濃度範囲内であることを確認した後に、前記基板の前記表面に向けて前記ノズルに前記乾燥前処理液を吐出させる吐出工程と、をさらに含む、請求項5に記載の基板乾燥方法。 - 前記原液タンク内の前記原液を第1ポンプで前記原液タンクの外に送る第1送液工程と、
前記第1ポンプによって送られた前記原液を含む前記乾燥前処理液を前記ノズルに向けて乾燥前処理液配管に案内させる供給工程と、
前記ノズルに向かって前記乾燥前処理液配管内を流れる前記乾燥前処理液の一部を、前記ノズルの上流で前記乾燥前処理液配管に接続された分岐配管に流入させる流入工程と、をさらに含む、請求項5〜8のいずれか一項に記載の基板乾燥方法。 - 前記分岐配管に流入した前記乾燥前処理液を前記原液タンク内に供給することにより、前記原液タンク内の前記原液における前記昇華性物質の濃度を低下させる補充工程をさらに含む、請求項9に記載の基板乾燥方法。
- 前記乾燥前処理液作成工程は、前記原液と前記希釈液とをミキシングタンク内で混合するタンク内混合工程を含み、
前記基板乾燥方法は、前記ミキシングタンク内で混合された前記原液および希釈液の混合液である前記乾燥前処理液を前記基板の前記表面に向けてノズルに吐出させる吐出工程をさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板乾燥方法。 - パターンが形成された基板の表面を乾燥させる基板処理装置であって、
少なくとも前記パターンの高さに基づいて設定される昇華性物質の濃度の範囲を表す設定濃度範囲を確認する設定濃度確認手段と、
前記昇華性物質と溶媒とを含む原液を貯留する原液タンクと、
前記溶媒を含み、前記昇華性物質の濃度が前記原液における前記昇華性物質の濃度よりも低い希釈液を、前記原液タンクの外で前記原液と混合することにより、前記昇華性物質の濃度が前記設定濃度範囲内である乾燥前処理液を作成する乾燥前処理液作成手段と、
前記基板の前記表面上の前記乾燥前処理液から前記溶媒を蒸発させることにより、前記昇華性物質を含む固化膜を前記基板の前記表面に形成する固化膜形成手段と、
前記固化膜を昇華させることにより、前記基板の前記表面から前記固化膜を除去する昇華手段とを含む、基板処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019024815A JP7265879B2 (ja) | 2019-02-14 | 2019-02-14 | 基板乾燥方法および基板処理装置 |
PCT/JP2019/041171 WO2020166136A1 (ja) | 2019-02-14 | 2019-10-18 | 基板乾燥方法および基板処理装置 |
TW108138350A TWI735060B (zh) | 2019-02-14 | 2019-10-24 | 基板乾燥方法及基板處理裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019024815A JP7265879B2 (ja) | 2019-02-14 | 2019-02-14 | 基板乾燥方法および基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020136355A true JP2020136355A (ja) | 2020-08-31 |
JP7265879B2 JP7265879B2 (ja) | 2023-04-27 |
Family
ID=72044003
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019024815A Active JP7265879B2 (ja) | 2019-02-14 | 2019-02-14 | 基板乾燥方法および基板処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7265879B2 (ja) |
TW (1) | TWI735060B (ja) |
WO (1) | WO2020166136A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023042736A1 (ja) * | 2021-09-15 | 2023-03-23 | セントラル硝子株式会社 | 基板の製造方法および昇華乾燥方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023046627A (ja) * | 2021-09-24 | 2023-04-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法と基板処理装置と処理液 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002045805A (ja) * | 2000-08-08 | 2002-02-12 | Sony Corp | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
JP2007242956A (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2008130835A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2010239013A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2011029455A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理方法 |
JP2013153062A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及びこれに用いられる液供給装置 |
JP2015046443A (ja) * | 2013-08-27 | 2015-03-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、濃度補正方法及び記憶媒体 |
JP2015119168A (ja) * | 2013-11-13 | 2015-06-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
JP2017139279A (ja) * | 2016-02-02 | 2017-08-10 | 株式会社東芝 | 基板乾燥装置、および基板処理システム |
WO2018030516A1 (ja) * | 2016-08-12 | 2018-02-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6444698B2 (ja) * | 2014-11-17 | 2018-12-26 | 東芝メモリ株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6502206B2 (ja) * | 2015-08-07 | 2019-04-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP6456793B2 (ja) * | 2015-08-11 | 2019-01-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および昇華性物質の析出防止方法 |
JP6649146B2 (ja) * | 2016-03-25 | 2020-02-19 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法 |
JP6325067B2 (ja) * | 2016-12-15 | 2018-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板乾燥方法及び基板処理装置 |
-
2019
- 2019-02-14 JP JP2019024815A patent/JP7265879B2/ja active Active
- 2019-10-18 WO PCT/JP2019/041171 patent/WO2020166136A1/ja active Application Filing
- 2019-10-24 TW TW108138350A patent/TWI735060B/zh active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002045805A (ja) * | 2000-08-08 | 2002-02-12 | Sony Corp | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
JP2007242956A (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2008130835A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2010239013A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2011029455A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理方法 |
JP2013153062A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及びこれに用いられる液供給装置 |
JP2015046443A (ja) * | 2013-08-27 | 2015-03-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、濃度補正方法及び記憶媒体 |
JP2015119168A (ja) * | 2013-11-13 | 2015-06-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
JP2017139279A (ja) * | 2016-02-02 | 2017-08-10 | 株式会社東芝 | 基板乾燥装置、および基板処理システム |
WO2018030516A1 (ja) * | 2016-08-12 | 2018-02-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023042736A1 (ja) * | 2021-09-15 | 2023-03-23 | セントラル硝子株式会社 | 基板の製造方法および昇華乾燥方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202030787A (zh) | 2020-08-16 |
TWI735060B (zh) | 2021-08-01 |
JP7265879B2 (ja) | 2023-04-27 |
WO2020166136A1 (ja) | 2020-08-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI738102B (zh) | 基板乾燥方法及基板處理裝置 | |
KR102356766B1 (ko) | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 및 건조 전처리액 | |
KR102611130B1 (ko) | 승화성 물질 함유액의 제조 방법, 기판 건조 방법, 및 기판 처리 장치 | |
CN110660641B (zh) | 衬底处理方法及衬底处理装置 | |
US11124869B2 (en) | Substrate processing method, substrate processing apparatus and pre-drying processing liquid | |
JP2020136355A (ja) | 基板乾燥方法および基板処理装置 | |
TWI753816B (zh) | 基板處理方法 | |
JP7314373B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
KR102585601B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP2024078250A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211223 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221006 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230330 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230417 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7265879 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |