JP2020131245A - Laser processing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、レーザー加工装置を用いて板状物にアブレーション加工を施すレーザー加工方法に関する。 The present invention relates to a laser processing method for ablation processing a plate-like object using a laser processing apparatus.
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、レーザー加工装置によって個々のデバイスチップに分割され携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。 A wafer in which a plurality of devices such as ICs and LSIs are partitioned by a planned division line and formed on the surface is divided into individual device chips by a laser processing device and used for electric devices such as mobile phones and personal computers.
また、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してアブレーション加工によって分割溝を形成したり、分割予定ラインに積層された雲母のように脆い低誘電率絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）をアブレーション加工によって除去したりすると、被加工部からデブリが飛散してデバイスの上面を汚染し、品質を低下させることから、ウエーハの表面に樹脂を被覆してデブリの付着を防止することが試みられている（例えば、特許文献１を参照）。 In addition, a low dielectric constant insulating film (Low-k film) that is brittle like mica laminated on the planned division line or a split groove is formed by ablation processing by irradiating a laser beam with a wavelength that absorbs the wafer. If debris is removed by ablation processing, debris will scatter from the workpiece and contaminate the upper surface of the device, degrading the quality.Therefore, an attempt was made to coat the surface of the wafer with a resin to prevent debris from adhering. (See, for example, Patent Document 1).
上記した特許文献１に記載の技術によれば、板状物であるウエーハの表面に樹脂を被覆してアブレーション加工を実施することで、ウエーハの表面に対するデブリの付着は防止することができる。しかし、アブレーション加工によって形成されるレーザー加工溝の側面にデブリが付着することは防止できず、分割されたデバイスチップの品質が低下し、さらには、抗折強度の低下を招くという問題がある。 According to the technique described in Patent Document 1 described above, debris can be prevented from adhering to the surface of the wafer by coating the surface of the wafer, which is a plate-like material, with a resin and performing ablation processing. However, it is not possible to prevent debris from adhering to the side surface of the laser-processed groove formed by the ablation process, and there is a problem that the quality of the divided device chip is deteriorated and further, the bending strength is deteriorated.
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、板状物にアブレーション加工を実施する際に、アブレーション加工が施される部位にデブリが付着しないレーザー加工方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above facts, and a main technical problem thereof is to provide a laser processing method in which debris does not adhere to a portion to be ablated when ablation processing is performed on a plate-shaped object. There is.
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、板状物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された板状物に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を集光器で集光してアブレーション加工を施すレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、から少なくとも構成されたレーザー加工装置を用いたレーザー加工方法であって、レーザー光線が照射される板状物の上面に蝋材を塗布する蝋材塗布工程と、蝋材が塗布された側を表にして板状物を該保持手段に保持する保持工程と、板状物上の加工すべき領域の上面に該集光器からレーザー光線を照射して該上面にアブレーション加工を施すレーザー加工工程と、から少なくとも構成され、該レーザー加工工程では、レーザー光線の集光点を板状物の上面に位置付け、アブレーション加工によって発生したデブリが、溶融し流動する蝋材によって取込まれ、アブレーション加工された溝を含む加工部位に該デブリが付着することを抑制するレーザー加工方法が提供される。 In order to solve the above-mentioned main technical problem, according to the present invention, a holding means for holding a plate-shaped object and a laser beam having a wavelength capable of absorbing the plate-shaped object held by the holding means are collected by a condenser. It is a laser processing method using a laser processing apparatus composed of at least a laser beam irradiating means for condensing and performing ablation processing, and a processing feeding means for relatively processing and feeding the holding means and the laser beam irradiating means. A wax material coating step of applying a wax material to the upper surface of a plate-shaped object irradiated with a laser beam, a holding step of holding the plate-shaped object in the holding means with the side to which the wax material is applied facing up, and a plate. It is composed of at least a laser processing step of irradiating the upper surface of the region to be processed on the object with a laser beam from the concentrator to perform ablation processing on the upper surface, and in the laser processing step, the condensing point of the laser beam is set. A laser processing method that is positioned on the upper surface of a plate-like object and suppresses debris generated by ablation processing from being taken in by a melting and flowing wax material and adhering to the processed part including the ablated groove. Provided.
該蝋材は、パラフィンを選択することができる。また、該蝋材塗布工程において塗布される蝋材は、板状物をアブレーション加工した後に回収され再生された蝋材を使用することができる。 Paraffin can be selected as the wax material. Further, as the wax material applied in the wax material coating step, a wax material recovered and regenerated after ablation processing of a plate-like material can be used.
本発明のウエーハの加工方法は、レーザー光線が照射される板状物の上面に蝋材を塗布する蝋材塗布工程と、蝋材が塗布された側を表にして板状物を該保持手段に保持する保持工程と、板状物上の加工すべき領域の上面に該集光器からレーザー光線を照射して該上面にアブレーション加工を施すレーザー加工工程と、から少なくとも構成され、該レーザー加工工程では、レーザー光線の集光点を板状物の上面に位置付け、アブレーション加工によって発生したデブリが、溶融し流動する蝋材によって取込まれ、アブレーション加工された溝を含む加工部位に該デブリが付着することを抑制するものであることから、板状物の表面へのデブリの付着が防止されると共に、アブレーション加工によって形成される溝を含む加工部位の側面への付着も防止され、デバイスチップの品質の低下、及び抗折強度の低下を招くという問題が解消する。 The method for processing a wafer of the present invention includes a wax material coating step of applying a wax material to the upper surface of a plate-shaped object irradiated with a laser beam, and using the plate-shaped object as a holding means with the side to which the wax material is applied facing up. The laser processing step comprises at least a holding step of holding and a laser processing step of irradiating the upper surface of the region to be processed on the plate-like object with a laser beam from the condenser to perform ablation processing on the upper surface. , The focusing point of the laser beam is positioned on the upper surface of the plate-like object, and the debris generated by the ablation process is taken in by the melting and flowing wax material, and the debris adheres to the processed site including the ablated groove. Since it suppresses the adhesion of debris to the surface of the plate-like object, it also prevents the adhesion of debris to the side surface of the processed part including the groove formed by the ablation process, and the quality of the device chip is improved. The problem of a decrease in the bending strength and a decrease in the bending strength is solved.
以下、本発明に基づき構成されたレーザー加工方法に係る実施形態について添付図面を参照して、詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments relating to the laser processing method configured based on the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図１には、本発明に基づき構成されるレーザー加工方法を実施すべく構成されたレーザー加工装置２の斜視図が示されている。レーザー加工装置２は、被加工物となる板状物として用意されるウエーハＷにレーザー加工を施す装置である。以下に、図１を参照しながら、レーザー加工装置２について説明する。 FIG. 1 shows a perspective view of a laser processing apparatus 2 configured to carry out a laser processing method configured based on the present invention. The laser processing device 2 is a device that performs laser processing on a wafer W prepared as a plate-like object to be a work piece. The laser processing apparatus 2 will be described below with reference to FIG.
レーザー加工装置２の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作手段４が設けられている。レーザー加工装置２の上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示される表示手段６が設けられている。 On the front side of the laser processing apparatus 2, an operating means 4 for an operator to input an instruction to the apparatus such as processing conditions is provided. A display means 6 for displaying a guide screen for the operator and an image captured by an imaging means described later is provided on the upper part of the laser processing device 2.
レーザー加工装置２には、ダイシングテープＴを介して環状のフレームＦと一体化されたウエーハＷを複数枚収容可能なウエーハカセット８が配設される。ウエーハカセット８は、上下動可能なカセット昇降手段９上に載置される。 The laser processing apparatus 2 is provided with a wafer cassette 8 capable of accommodating a plurality of wafers W integrated with the annular frame F via a dicing tape T. The wafer cassette 8 is placed on the cassette elevating means 9 that can move up and down.
ウエーハカセット８の後方には、ウエーハカセット８からレーザー加工前のウエーハＷを搬出するとともに、加工後のウエーハＷをウエーハカセット８に搬入する搬出入手段１０が配設されている。ウエーハカセット８と搬出入手段１０との間には、搬出入対象のウエーハＷが一時的に載置され、フレームＦに保持されたウエーハＷを一定の位置に位置合わせする位置合わせ機能を有する仮置き手段１２が配設されている。 Behind the wafer cassette 8, a loading / unloading means 10 for carrying out the wafer W before laser processing from the wafer cassette 8 and carrying the processed wafer W into the wafer cassette 8 is provided. A temporary wafer W to be loaded / unloaded is temporarily placed between the wafer cassette 8 and the loading / unloading means 10, and has a positioning function for aligning the wafer W held in the frame F at a fixed position. The placing means 12 is arranged.
仮置き手段１２の近傍には、ウエーハＷを保持するフレームＦを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段１６が配設されている。搬出入手段１０によってウエーハカセット８から仮置き手段１２上に搬出されたウエーハＷは、搬送手段１６により吸着されて上記した蝋材塗布装置３０に搬送される。 In the vicinity of the temporary placement means 12, a transport means 16 having a swivel arm for sucking and transporting the frame F holding the wafer W is arranged. The wafer W carried out from the wafer cassette 8 onto the temporary storage means 12 by the carry-in / out means 10 is adsorbed by the transport means 16 and conveyed to the wax material coating device 30 described above.
蝋材塗布装置３０は、ウエーハＷの上面に蝋材を塗布する機能を備えると共に、本実施形態では、加工後のウエーハＷの上面から蝋材を除去して回収して再生し再利用する再処理機能も備える。塗布される蝋材は、石油系ワックス、合成ワックス、鉱物系ワックス等から採用でき、アブレーション加工を施す際に照射されるレーザー光線によって溶融し流動する蝋材が選択され、例えば、パラフィンを採用することができる。なお、蝋材塗布装置３０については、追って詳述する。 The wax material coating device 30 has a function of applying a wax material to the upper surface of the wafer W, and in the present embodiment, the wax material is removed from the upper surface of the wafer W after processing, collected, recycled, and reused. It also has a processing function. The wax material to be applied can be adopted from petroleum-based wax, synthetic wax, mineral-based wax, etc., and a wax material that melts and flows by a laser beam irradiated during ablation processing is selected. For example, paraffin is adopted. Can be done. The wax material coating device 30 will be described in detail later.
レーザー加工装置２には、保持手段として機能するチャックテーブル１８が配設されている。蝋材塗布装置３０によって上面に蝋材が塗布されたウエーハＷは、搬送手段１６によって、図１にて搬送位置に位置付けられたチャックテーブル１８上に搬送される。チャックテーブル１８に搬送されたウエーハＷは、ダイシングテープＴを介してチャックテーブル１８に吸引されると共に、複数のクランプ１９によりフレームＦが固定される。チャックテーブル１８は、後述するレーザー光線照射手段２４とチャックテーブル１８とを相対的に加工送りする加工送り手段（図示は省略）を備える。該加工送り手段は、チャックテーブル１８を回転駆動し、図中矢印Ｘで示すＸ軸方向、及びＸ軸方向と直交する矢印Ｙで示すＹ軸方向に進退動可能に構成される。また、チャックテーブル１８のＸ軸方向の移動経路の上方には、ウエーハＷのレーザー加工すべき位置（例えば、ウエーハＷ上の分割予定ライン）を検出するアライメント手段２０が配設されている。 The laser processing apparatus 2 is provided with a chuck table 18 that functions as a holding means. The wafer W whose upper surface is coated with the wax material by the wax material coating device 30 is conveyed by the conveying means 16 onto the chuck table 18 positioned at the conveying position in FIG. The wafer W conveyed to the chuck table 18 is sucked into the chuck table 18 via the dicing tape T, and the frame F is fixed by a plurality of clamps 19. The chuck table 18 includes a processing feed means (not shown) that relatively processes and feeds the laser beam irradiation means 24 and the chuck table 18, which will be described later. The machining feed means is configured to rotationally drive the chuck table 18 and move forward and backward in the X-axis direction indicated by the arrow X in the drawing and in the Y-axis direction indicated by the arrow Y orthogonal to the X-axis direction. Further, above the movement path in the X-axis direction of the chuck table 18, an alignment means 20 for detecting a position of the wafer W to be laser-processed (for example, a scheduled division line on the wafer W) is arranged.
アライメント手段２０は、ウエーハＷの表面を撮像する撮像手段２２を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によってレーザー加工すべき分割予定ラインを検出することができる。撮像手段２２によって取得された画像は、図示しない制御手段に送られて、表示手段６に表示される。 The alignment means 20 includes an imaging unit 22 that images the surface of the wafer W, and can detect a scheduled division line to be laser-processed by image processing such as pattern matching based on the image acquired by the imaging. The image acquired by the imaging means 22 is sent to a control means (not shown) and displayed on the display means 6.
アライメント手段２０のＸ軸方向で隣接する位置には、レーザー光線照射手段２４が配設されている。レーザー光線照射手段２４は、ウエーハＷに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を発振する光学系（図示は省略）を収容するケーシング２６と、レーザー光線を集光して照射するための集光器２８と、を備え、集光器２８から照射されるレーザー光線によってウエーハＷの上面にアブレーション加工を施すことができる。 A laser beam irradiating means 24 is arranged at a position adjacent to the alignment means 20 in the X-axis direction. The laser beam irradiating means 24 includes a casing 26 that houses an optical system (not shown) that oscillates a laser beam having a wavelength that is absorbent to the wafer W, and a condenser 28 for condensing and irradiating the laser beam. , And the upper surface of the wafer W can be ablated by a laser beam emitted from the condenser 28.
レーザー光線照射手段２４によってアブレーション加工が施されたウエーハＷは、チャックテーブル１８と共に図中手前側の搬送位置に移動され、搬送手段３１により吸着されて、蝋材の除去を実行する蝋材塗布装置３０まで搬送される。 The wafer W that has been ablated by the laser beam irradiating means 24 is moved to the transport position on the front side in the drawing together with the chuck table 18, and is adsorbed by the transport means 31 to remove the wax material. Will be transported to.
蝋材塗布装置３０によって上面から蝋材が除去されたウエーハＷは、搬送手段１６によりウエーハＷを支持するフレームＦが吸着されて仮置き手段１２に搬送され、搬出入手段１０によりウエーハカセット８の元の収納場所に戻される。 The wafer W from which the wax material has been removed from the upper surface by the wax material coating device 30 is transported to the temporary storage means 12 by adsorbing the frame F supporting the wafer W by the transport means 16, and the wafer cassette 8 is transported by the carry-in / out means 10. Returned to the original storage location.
上記した蝋材塗布装置３０について、図２を参照しながら、より具体的に説明する。図２には、蝋材塗布装置３０の一部を破断した斜視図が示されている。 The wax material coating device 30 described above will be described more specifically with reference to FIG. FIG. 2 shows a perspective view in which a part of the wax material coating device 30 is broken.
蝋材塗布装置３０は、スピンナーテーブル機構４０と、スピンナーテーブル機構４０を包囲して配設される蝋材受け機構５０と、スピンナーテーブル機構４０に保持されたウエーハＷ上に蝋材を供給する蝋材供給ノズル先端部３２ａを備えた蝋材供給ノズル３２と、スピンナーテーブル機構４０に保持されたウエーハＷ上に温風を供給する温風供給ノズル先端部３４ａを備えた温風供給ノズル３４とを備えている。 The wax material coating device 30 supplies the wax material onto the spinner table mechanism 40, the wax material receiving mechanism 50 arranged so as to surround the spinner table mechanism 40, and the wafer W held by the spinner table mechanism 40. A wax material supply nozzle 32 having a material supply nozzle tip 32a and a hot air supply nozzle 34 having a hot air supply nozzle tip 34a for supplying warm air onto the wafer W held by the spinner table mechanism 40. I have.
スピンナーテーブル機構４０は、スピンナーテーブル４１と、スピンナーテーブル４１を回転駆動する電動モータ４２と、電動モータ４２を上下方向に移動可能に支持する支持機構４３とを備え、スピンナーテーブル４１は、電動モータ４２の出力軸４２ａに連結されている。スピンナーテーブル４１は、上面に多孔性材料から形成された吸着チャック４１ａを備え、図示しない吸引手段に連通されており、吸着チャック４１ａに負圧を作用させることにより、ウエーハＷを吸引保持する。 The spinner table mechanism 40 includes a spinner table 41, an electric motor 42 that rotationally drives the spinner table 41, and a support mechanism 43 that supports the electric motor 42 so as to be movable in the vertical direction. The spinner table 41 is an electric motor 42. It is connected to the output shaft 42a of. The spinner table 41 is provided with a suction chuck 41a formed of a porous material on the upper surface thereof, and is communicated with a suction means (not shown). By applying a negative pressure to the suction chuck 41a, the wafer W is sucked and held.
支持機構４３は、複数の支持脚４３ａと、支持脚４３ａにそれぞれ連結され電動モータ４２に取り付けられた複数のエアシリンダ４３ｂとから構成される。なお、スピンナーテーブル４１の外周に、ウエーハＷを支持する環状のフレームＦを固定するためのクランプを複数配設してもよい。 The support mechanism 43 is composed of a plurality of support legs 43a and a plurality of air cylinders 43b connected to the support legs 43a and attached to the electric motor 42. A plurality of clamps for fixing the annular frame F supporting the wafer W may be arranged on the outer circumference of the spinner table 41.
上記したように構成された支持機構４３は、エアシリンダ４３ｂを作動することにより、電動モータ４２及びスピンナーテーブル４１を上昇位置であるウエーハ搬入・搬出位置と、下降位置である蝋材の塗布を実施する作業位置に位置付けることが可能である。 By operating the air cylinder 43b, the support mechanism 43 configured as described above applies the wax material, which is the lowering position, and the wafer loading / unloading position, which is the ascending position, to the electric motor 42 and the spinner table 41. It can be positioned at the working position.
蝋材受け機構５０は、蝋材受け容器５２と、蝋材受け容器５２を支持する複数の支持脚６０と、電動モータ４２の出力軸４２ａに装着されたカバー部材６２とから構成される。 The wax material receiving mechanism 50 includes a wax material receiving container 52, a plurality of support legs 60 for supporting the wax material receiving container 52, and a cover member 62 mounted on the output shaft 42a of the electric motor 42.
蝋材受け容器５２は、円筒状の外側壁５３と、底壁５４と、外側壁５３と対向する内側に立設される内側壁５５とから構成され、内部に蝋材流路５６が形成されている。蝋材受け容器５２を形成する底壁５４の中央部には、電動モータ４２の出力軸４２ａが挿入される穴５７が設けられており、内側壁５５はこの穴５７を囲繞して上方に立ち上がるように形成されている。 The wax material receiving container 52 is composed of a cylindrical outer wall 53, a bottom wall 54, and an inner side wall 55 erected inside facing the outer wall 53, and a wax material flow path 56 is formed inside. ing. A hole 57 into which the output shaft 42a of the electric motor 42 is inserted is provided in the central portion of the bottom wall 54 forming the wax material receiving container 52, and the inner side wall 55 surrounds the hole 57 and rises upward. It is formed like this.
蝋材受け容器５２の底壁５４には溶融した蝋材を排出する排出口５８が設けられており、この排出口５８には、ドレーン５９の一端側が接続されている。ドレーン５９の他端側は、蝋材塗布装置３０の下部に形成された蝋材再生手段７０に接続される。蝋材再生手段７０内には、濾過フィルタ、蝋材貯留タンク、加熱ヒータ、及び吐出ポンプ等が収容されている(いずれも図示は省略）。蝋材塗布装置３０によってウエーハＷの上面から除去された蝋材は、排出口５８を介して蝋材再生手段７０に回収され、該濾過フィルタによって異物等が除去されることにより再生されて、該貯留タンクに貯留される。さらに、該加熱ヒータによって該貯留タンクに貯留された蝋材を溶融状態に維持し、該蝋材は、該吐出ポンプによって溶融状態で蝋材供給ノズル３２に供給されて、新たな加工前のウエーハＷの上面に蝋材を塗布する際に使用される。 The bottom wall 54 of the wax material receiving container 52 is provided with a discharge port 58 for discharging the molten wax material, and one end side of the drain 59 is connected to the discharge port 58. The other end side of the drain 59 is connected to the wax material recycling means 70 formed in the lower part of the wax material coating device 30. A filtration filter, a wax material storage tank, a heating heater, a discharge pump, and the like are housed in the wax material recycling means 70 (all of which are not shown). The wax material removed from the upper surface of the wafer W by the wax material coating device 30 is collected by the wax material recycling means 70 via the discharge port 58, and is regenerated by removing foreign substances and the like by the filtration filter. It is stored in a storage tank. Further, the wax material stored in the storage tank is maintained in a molten state by the heating heater, and the wax material is supplied to the wax material supply nozzle 32 in the molten state by the discharge pump, and a new wafer before processing is used. It is used when applying a wax material to the upper surface of W.
カバー部材６２は、その中心が電動モータ４２の出力軸４２ａに固定され、略円板状に形成されており、その外周縁から下方に突出するカバー部６２ａを備えている。カバー部材６２は、支持機構４３の作用によって電動モータ４２及びスピンナーテーブル４１を下降させて蝋材塗布、蝋材除去を行う作業位置に位置付けられると、蝋材受け容器５２の内側壁５５の外側に所定の隙間を持って重なるように位置付けられる。 The center of the cover member 62 is fixed to the output shaft 42a of the electric motor 42 and is formed in a substantially disk shape, and includes a cover portion 62a that projects downward from the outer peripheral edge thereof. When the cover member 62 is positioned at a working position where the electric motor 42 and the spinner table 41 are lowered by the action of the support mechanism 43 to apply the wax material and remove the wax material, the cover member 62 is placed on the outside of the inner side wall 55 of the wax material receiving container 52. It is positioned so that it overlaps with a predetermined gap.
蝋材塗布装置３０は、溶融した蝋材を蝋材供給ノズル先端部３２ａからウエーハＷの上面に供給し、温風供給ノズル先端部３４ａから温風Ｈ１を供給しながらウエーハＷを回転させてウエーハＷの上面に蝋材を均一に塗布する機能と、温風供給ノズル３４から温風Ｈ２を噴射しながらウエーハＷを高速回転させることによりウエーハＷの加工面から蝋材を除去する機能を有する。なお、温風供給ノズル３４には、加熱ヒータを含む温風供給手段（図示は省略）が接続されており、ウエーハＷの上面に蝋材を均一に塗布する際の温風Ｈ１、及びウエーハＷの上面から蝋材を除去する際に噴射される温風Ｈ２を、所望の異なる温度に調整することができる。例えば、温風Ｈ１は５０℃〜７０℃の範囲になるように、温風Ｈ２は該温風Ｈ１よりも高い１５０℃〜２５０℃の範囲になるように調整される。温風供給ノズル先端部３４ａは、下面に形成された複数の温風吹き出し口から温風を放射状に広い範囲で供給することが可能に構成されている。また、蝋材供給ノズル３２は、溶融した蝋材を供給する際には、その蝋材供給ノズル先端部３２ａをスピンナーテーブル４１の中央の作業位置に移動させると共に、蝋材を供給しない場合は、蝋材供給ノズル先端部３２ａを蝋材受け容器５２の外側壁５３に沿った退避位置に移動させる。同様に、温風供給ノズル３４は、温風を供給する際には、その温風供給ノズル先端部３４ａをスピンナーテーブル４１の中央の作業位置に移動させると共に、温風を供給しない場合は、温風供給ノズル先端部３４ａを蝋材受け容器５２の外側壁５３に沿った退避位置に移動させる。 The wax material coating device 30 supplies the molten wax material from the tip portion 32a of the wax material supply nozzle to the upper surface of the wafer W, and rotates the wafer W while supplying the warm air H1 from the tip portion 34a of the hot air supply nozzle to rotate the wafer. It has a function of uniformly applying the wax material to the upper surface of the W and a function of removing the wax material from the processed surface of the wafer W by rotating the wafer W at high speed while injecting the warm air H2 from the hot air supply nozzle 34. A hot air supply means (not shown) including a heater is connected to the hot air supply nozzle 34, and the hot air H1 and the wafer W when the wax material is uniformly applied to the upper surface of the wafer W. The warm air H2 jetted when removing the wax material from the upper surface of the wafer can be adjusted to a desired different temperature. For example, the warm air H1 is adjusted to be in the range of 50 ° C. to 70 ° C., and the warm air H2 is adjusted to be in the range of 150 ° C. to 250 ° C. higher than the warm air H1. The hot air supply nozzle tip 34a is configured to be able to supply warm air in a wide range radially from a plurality of hot air outlets formed on the lower surface. Further, when the wax material supply nozzle 32 supplies the molten wax material, the tip portion 32a of the wax material supply nozzle is moved to the central working position of the spinner table 41, and when the wax material is not supplied, the wax material supply nozzle 32 is used. The tip end portion 32a of the wax material supply nozzle is moved to a retracted position along the outer wall 53 of the wax material receiving container 52. Similarly, the hot air supply nozzle 34 moves the hot air supply nozzle tip 34a to the central working position of the spinner table 41 when supplying warm air, and warm when not supplying warm air. The tip 34a of the wind supply nozzle is moved to a retracted position along the outer wall 53 of the wax material receiving container 52.
本実施形態のレーザー加工装置２は、概ね上記したとおりの構成を有している。このレーザー加工装置２を用いて実施するレーザー加工方法の実施形態について、図１、及び図３〜図８を参照しながら、以下に説明する。 The laser processing apparatus 2 of the present embodiment has a configuration substantially as described above. An embodiment of a laser processing method carried out using the laser processing apparatus 2 will be described below with reference to FIGS. 1 and 3 to 8.
本実施形態のレーザー加工方法を実施するに際して、図３に示すようなウエーハＷを用意する。ウエーハＷは、例えば、シリコン（Ｓｉ）からなる基板の表面Ｗａに複数のデバイスＤが分割予定ラインＬによって区画され形成される。また、ウエーハＷは、裏面Ｗｂ側が粘着性を有するダイシングテープＴに貼着され、ダイシングテープＴを介して、ウエーハＷを収容可能な開口部を有する環状のフレームＦに支持される。 When carrying out the laser processing method of the present embodiment, a wafer W as shown in FIG. 3 is prepared. The wafer W is formed, for example, by partitioning a plurality of devices D by a planned division line L on the surface Wa of a substrate made of silicon (Si). Further, the wafer W is attached to a dicing tape T having an adhesive back surface Wb side, and is supported by an annular frame F having an opening capable of accommodating the wafer W via the dicing tape T.
本実施形態のレーザー加工方法では、まず、ウエーハＷのデバイスＤが形成された表面Ｗａを上面として蝋材を塗布する蝋材塗布工程が実施される。より具体的には、図１に示すウエーハカセット８に収容されたウエーハＷは、搬出入手段１０によって搬出され、仮置き手段１２、及び搬送手段１６によって蝋材塗布装置３０に搬送される。このとき、図４に示すように、蝋材塗布装置３０(一部のみ示す）のスピンナーテーブル４１は、上記した支持機構４３の作用により上昇させられてウエーハ搬入・搬出位置に位置付けられ、蝋材供給ノズル３２、及び温風供給ノズル３４は、それぞれ蝋材受け容器５２の外側壁５３の内側に沿った退避位置に位置付けられている。蝋材塗布装置３０に搬送されたウエーハＷは、ウエーハ搬入・搬出位置に位置付けられたスピンナーテーブル４１上に載置され吸引保持される。 In the laser processing method of the present embodiment, first, a wax material coating step of applying a wax material is carried out with the surface Wa on which the device D of the wafer W is formed as the upper surface. More specifically, the wafer W housed in the wafer cassette 8 shown in FIG. 1 is carried out by the carry-in / out means 10, and is carried to the wax material coating device 30 by the temporary storage means 12 and the transport means 16. At this time, as shown in FIG. 4, the spinner table 41 of the wax material coating device 30 (only a part thereof is shown) is raised by the action of the support mechanism 43 described above and is positioned at the wafer loading / unloading position, and the wax material is used. The supply nozzle 32 and the warm air supply nozzle 34 are respectively positioned at retracted positions along the inside of the outer wall 53 of the wax material receiving container 52. The wafer W conveyed to the wax material coating device 30 is placed on a spinner table 41 positioned at the wafer loading / unloading position and is sucked and held.
スピンナーテーブル４１にウエーハＷを吸引保持したならば、次いで、図５に示すように、スピンナーテーブル４１を下降して、蝋材の塗布が実施される作業位置に位置付ける。スピンナーテーブル４１を作業位置に位置付けたならば、蝋材供給ノズル３２を作動して、蝋材供給ノズル先端部３２ａをウエーハＷの中央の直上の作業位置に位置付ける。これに先立ち、蝋材再生手段７０に配設される貯留タンク内の加熱ヒータ（図示は省略）を作動し、蝋材として収容されているパラフィンＰを、溶融温度である５０℃〜７０℃程度に加熱し、溶融状態を維持しておく。蝋材再生手段７０に溶融状態で維持されたパラフィンＰは、蝋材受け容器５２の底壁５４の下面に配設された蝋材導入口３２ｂを介して供給され、蝋材供給ノズル先端部３２ａから所定量供給される。ウエーハＷ上にパラフィンＰを供給したならば、蝋材供給ノズル先端部３２ａを蝋材受け容器５２の外側壁５３側の退避位置に移動させる。 After the wafer W is sucked and held on the spinner table 41, the spinner table 41 is then lowered to be positioned at the working position where the wax material is applied, as shown in FIG. When the spinner table 41 is positioned at the working position, the wax material supply nozzle 32 is operated to position the wax material supply nozzle tip 32a at the working position directly above the center of the wafer W. Prior to this, the heating heater (not shown) in the storage tank arranged in the wax material recycling means 70 is operated to melt the paraffin P contained as the wax material at a melting temperature of about 50 ° C. to 70 ° C. Heat to paraffin and keep it in a molten state. The paraffin P maintained in the molten state in the wax material recycling means 70 is supplied through the wax material introduction port 32b arranged on the lower surface of the bottom wall 54 of the wax material receiving container 52, and is supplied from the wax material supply nozzle tip portion 32a. A predetermined amount is supplied from. When the paraffin P is supplied onto the wafer W, the tip end portion 32a of the wax material supply nozzle is moved to the retracted position on the outer wall 53 side of the wax material receiving container 52.
ウエーハＷ上に供給されたパラフィンＰは、外気温に応じて急激に冷やされて温度が低下するため、ウエーハＷ上全体に広がらない。そこで、図６に示すように、温風供給ノズル３４の温風供給ノズル先端部３４ａをウエーハＷの中央直上の作業位置に位置付け、温風供給手段（図示は省略）から蝋材受け容器５２の底壁５４に配設された温風導入口３４ｂを介して温風Ｈ１を導入する。これにより、温風供給ノズル先端部３４ａから、所定温度（５０℃〜７０℃）の温風Ｈ１をウエーハＷ上に供給されたパラフィンＰに向けて吹付け、パラフィンＰの溶融温度まで上昇させる。さらに、これと同期して、電動モータ４２を作動して、スピンナーテーブル４１を所定の速度で回転（例えば１００ｒｐｍ〜３００ｒｐｍ）させ、溶融したパラフィンＰをウエーハＷの上面で均一に広げ、ウエーハＷの上面全体がパラフィンＰによって塗布された状態とする。なお、ウエーハＷ上に供給されるパラフィンＰの量は、ウエーハＷの上面が例えば１０μｍ〜２０μｍ程度の厚みで覆われる量とする。また、温風Ｈ１の温度は、ウエーハＷが回転させられたときでも、パラフィンＰが過剰にウエーハＷからこぼれ落ちない程度の適度な粘性が維持される温度に設定され、さらに、スピンナーテーブル４１を回転させる回転速度、及び回転時間は、ウエーハＷの上面に供給されたパラフィンＰが、ウエーハＷの上面から過剰にこぼれ落ちず、且つ均一に広がる回転速度及び回転時間で設定する。以上により、蝋材塗布工程が完了する。 The paraffin P supplied on the wafer W is rapidly cooled according to the outside air temperature and the temperature drops, so that the paraffin P does not spread over the entire wafer W. Therefore, as shown in FIG. 6, the hot air supply nozzle tip 34a of the hot air supply nozzle 34 is positioned at the working position directly above the center of the wafer W, and the wax material receiving container 52 is connected from the hot air supply means (not shown). The warm air H1 is introduced through the hot air introduction port 34b arranged on the bottom wall 54. As a result, the hot air H1 at a predetermined temperature (50 ° C. to 70 ° C.) is blown from the tip portion 34a of the hot air supply nozzle toward the paraffin P supplied on the wafer W to raise the temperature to the melting temperature of the paraffin P. Further, in synchronization with this, the electric motor 42 is operated to rotate the spinner table 41 at a predetermined speed (for example, 100 rpm to 300 rpm), and the molten paraffin P is uniformly spread on the upper surface of the wafer W to spread the molten paraffin P uniformly on the wafer W. It is assumed that the entire upper surface is coated with paraffin P. The amount of paraffin P supplied onto the wafer W is such that the upper surface of the wafer W is covered with a thickness of, for example, about 10 μm to 20 μm. Further, the temperature of the warm air H1 is set to a temperature at which an appropriate viscosity is maintained so that the paraffin P does not excessively spill from the wafer W even when the wafer W is rotated, and the spinner table 41 is further rotated. The rotation speed and the rotation time are set by the rotation speed and the rotation time at which the paraffin P supplied to the upper surface of the wafer W does not spill excessively from the upper surface of the wafer W and spreads uniformly. With the above, the wax material coating process is completed.
上記した蝋材塗布工程が完了したならば、ウエーハＷのパラフィンＰが塗布された表面Ｗａ側を表にしてウエーハＷをチャックテーブル１８に保持する保持工程を実施する。より具体的には、図１に基づき説明したように、搬送手段１６を用いて、パラフィンＰが表面に塗布されたウエーハＷを支持するフレームＦを吸着して、図１にてチャックテーブル１８が位置付けられている搬送位置に搬送して、チャックテーブル１８上にウエーハＷを載置し、図示しない吸引手段、及びクランプ１９を作動して吸引保持させる。以上により保持工程が完了する。 When the wax material coating step described above is completed, a holding step of holding the wafer W on the chuck table 18 is carried out with the surface Wa side coated with the paraffin P of the wafer W facing up. More specifically, as described with reference to FIG. 1, the transport means 16 is used to adsorb the frame F supporting the wafer W coated on the surface with the paraffin P, and the chuck table 18 is shown in FIG. The wafer W is placed on the chuck table 18 by being transported to the positioned transport position, and the suction means (not shown) and the clamp 19 are operated to suck and hold the wafer W. The holding process is completed by the above.
該保持工程が完了したならば、ウエーハＷ上の上面（表面Ｗａ側）にレーザー光線照射手段２４の集光器２８からレーザー光線ＬＢを照射して表面Ｗａ側にアブレーション加工を施すレーザー加工工程を実施する。該レーザー加工工程を実施するに際し、まずは、チャックテーブル１８に保持されているウエーハＷを上記した撮像手段２２の直下に位置付けて、ウエーハＷの加工すべき領域（分割予定ラインＬ）と、レーザー光線照射手段２４によるレーザー光線ＬＢの照射位置との位置合わせ（アライメント）を実施する。 When the holding step is completed, a laser processing step of irradiating the upper surface (surface Wa side) on the wafer W with the laser beam LB from the condenser 28 of the laser beam irradiating means 24 to perform ablation processing on the surface Wa side is performed. .. When carrying out the laser processing step, first, the wafer W held on the chuck table 18 is positioned directly under the above-mentioned imaging means 22, and the area to be processed (scheduled division line L) of the wafer W and the laser beam irradiation are performed. Alignment with the irradiation position of the laser beam LB by the means 24 is performed.
上記したアライメントを実施したならば、チャックテーブル１８を移動して、図７（ａ）に示すように、集光器２８の直下にウエーハＷを位置付ける。ウエーハＷを集光器２８の直下に位置付けたならば、集光器２８から照射されるウエーハＷに対して吸収性を有する波長のレーザー光線ＬＢの集光点を、ウエーハＷの表面Ｗａ近傍に位置付ける。そして、図示しない加工送り手段を作動してチャックテーブル１８と共にウエーハＷを矢印Ｘで示すＸ軸方向に加工送りして、レーザー光線ＬＢを照射して分割予定ラインＬに沿ってアブレーション加工を実施し、分割起点となるレーザー加工溝１００を形成する。 After the above alignment is performed, the chuck table 18 is moved to position the wafer W directly under the condenser 28 as shown in FIG. 7A. If the wafer W is positioned directly under the condenser 28, the focusing point of the laser beam LB having a wavelength that is absorbent to the wafer W emitted from the wafer W is positioned near the surface Wa of the wafer W. .. Then, a processing feed means (not shown) is operated to process and feed the wafer W together with the chuck table 18 in the X-axis direction indicated by the arrow X, irradiate the laser beam LB, and perform ablation processing along the scheduled division line L. A laser processing groove 100 serving as a division starting point is formed.
なお、上記したレーザー加工工程を実施する際のレーザー加工条件は、例えば、以下のように設定される。
パルスレーザー光線の波長 ： ５３２ｎｍ
繰り返し周波数 ： ２０ＭＨｚ
平均出力 ： ６Ｗ
パルス幅 ： １０ｐｓ
加工送り速度 ： ２０ｍｍ／秒
The laser processing conditions for carrying out the above-mentioned laser processing step are set as follows, for example.
Wavelength of pulsed laser beam: 532 nm
Repeat frequency: 20MHz
Average output: 6W
Pulse width: 10 ps
Machining feed rate: 20 mm / sec
上記したレーザー加工溝１００が形成される際にアブレーション加工が施される部位における現象について、ウエーハＷにおいてレーザー加工溝１００が形成される部位の一部拡大断面を示す図７（ｂ）を参照しながら、より具体的に説明する。 Regarding the phenomenon in the portion where the ablation processing is performed when the laser processing groove 100 is formed, refer to FIG. 7B showing a partially enlarged cross section of the portion where the laser processing groove 100 is formed in the wafer W. However, it will be explained more concretely.
ウエーハＷの分割予定ラインＬに対しレーザー光線ＬＢを照射すると、レーザー光線ＬＢが照射された照射位置において、レーザー光線ＬＢを吸収した箇所が局所的に高温になって蒸発してデブリ１１０が発生すると共にレーザー加工溝１００が形成される。この際、該照射位置では、蝋材（パラフィンＰ）も同時に溶融することから、溶融したパラフィンＰ’が、レーザー加工溝１００の内部及び近傍において、溶融したパラフィンＰ’内の温度分布に応じて流動する。この流動によって、上記したレーザー加工によって生じたデブリ１１０が、レーザー加工溝１００内に回り込み流動するパラフィンＰ’内に取込まれ、レーザー加工溝１００内の壁面に付着することが防止される。 When the laser beam LB is irradiated to the scheduled division line L of the wayha W, the portion where the laser beam LB is absorbed becomes locally hot and evaporates at the irradiation position where the laser beam LB is irradiated, and debris 110 is generated and laser processing is performed. The groove 100 is formed. At this time, since the wax material (paraffin P) is also melted at the irradiation position, the melted paraffin P'is generated in the inside and the vicinity of the laser processing groove 100 according to the temperature distribution in the melted paraffin P'. Flow. This flow prevents the debris 110 generated by the laser processing described above from being taken into the paraffin P'that wraps around in the laser processing groove 100 and flows, and adheres to the wall surface in the laser processing groove 100.
上記したレーザー加工を、レーザー光線照射手段２４、及び図示しない加工送り手段により移動させられるチャックテーブル１８の作動により、ウエーハＷの上面に形成された全ての分割予定ラインＬに沿って実施してレーザー加工溝１００を形成する。以上によりレーザー加工工程が完了する。 The above laser processing is performed along all the scheduled division lines L formed on the upper surface of the wafer W by operating the laser beam irradiating means 24 and the chuck table 18 moved by the processing feeding means (not shown) to perform the laser processing. A groove 100 is formed. The laser processing process is completed by the above.
上記したように、レーザー加工工程が実施されたならば、チャックテーブル１８を、加工前のウエーハＷを載置した搬送位置に位置付ける（図１を参照）。チャックテーブル１８の移動に伴い該搬送位置に位置付けられたウエーハＷは、チャックテーブル１８による吸引保持が解除され、搬送手段３１によって蝋材塗布装置３０に搬送される。ここで、ウエーハＷ上に塗布されたパラフィンＰを除去する。 As described above, when the laser processing step is carried out, the chuck table 18 is positioned at the transport position on which the wafer W before processing is placed (see FIG. 1). The wafer W positioned at the transfer position is released from the suction holding by the chuck table 18 as the chuck table 18 moves, and is transferred to the wax material coating device 30 by the transfer means 31. Here, the paraffin P applied on the wafer W is removed.
ウエーハＷに塗布されたパラフィンＰを除去する態様について、図４及び図８を参照しながら、以下に説明する。 A mode for removing the paraffin P applied to the wafer W will be described below with reference to FIGS. 4 and 8.
レーザー加工が施されたウエーハＷが蝋材塗布装置３０に搬送される際には、図４に示すように、スピンナーテーブル４１が上記した支持機構４３の作用により上昇させられて、ウエーハ搬入・搬出位置に位置付けられ、蝋材供給ノズル３２、温風供給ノズル３４は、蝋材受け容器５２の外側壁５３の内側に沿った退避位置に位置付けられる。そして、蝋材塗布装置３０に搬送された加工後のウエーハＷは、スピンナーテーブル４１上に載置され吸引保持される。 When the laser-processed wafer W is conveyed to the wax material coating device 30, as shown in FIG. 4, the spinner table 41 is raised by the action of the support mechanism 43 described above, and the wafer is carried in and out. The wax material supply nozzle 32 and the warm air supply nozzle 34 are positioned at the retracted positions along the inside of the outer wall 53 of the wax material receiving container 52. Then, the processed wafer W conveyed to the wax material coating device 30 is placed on the spinner table 41 and sucked and held.
スピンナーテーブル４１にウエーハＷを吸引保持したならば、図８に示すように、温風供給ノズル３４の温風供給ノズル先端部３４ａをウエーハＷの中央直上の作業位置に位置付け、温風供給手段（図示は省略）から蝋材受け容器５２の底壁５４に配設された温風導入口３４ｂを介して温風Ｈ２を導入する。これにより、温風供給ノズル先端部３４ａから、所定温度（例えば、１５０℃〜２５０℃）の温風Ｈ２を、ウエーハＷ上に塗布されているパラフィンＰ全体に向けて吹付け、パラフィンＰの溶融温度を大きく超える高い温度まで上昇させる。さらに、これと同期して、電動モータ４２を作動して、スピンナーテーブル４１を所定の速度で高速回転（例えば３０００ｒｐｍ〜４０００ｒｐｍ）させ、溶融したパラフィンＰ’をウエーハＷ上から外方向に吹き飛ばして、ウエーハＷの上面からパラフィンＰ’を除去する。上記したように、ウエーハＷから溶融したパラフィンＰ’を除去する際に吹付ける温風Ｈ２は、ウエーハＷにパラフィンＰを均一に塗布する際の温風Ｈ１の温度（５０℃〜７０℃）よりも高い温度に設定され、スピンナーテーブル４１の回転速度もウエーハＷの上面に塗布する際の回転速度（１００ｒｐｍ〜３００ｒｐｍ）に対してより高速になるように設定される。このようにして、溶融してウエーハＷ上から除去されたパラフィンＰ’は、パラフィンＰ’を排出するために蝋材受け容器５２の底壁５４に配設された排出口５８から排出される。 When the wafer W is sucked and held on the spinner table 41, as shown in FIG. 8, the hot air supply nozzle tip 34a of the hot air supply nozzle 34 is positioned at a working position directly above the center of the wafer W, and the warm air supply means ( The warm air H2 is introduced through the hot air introduction port 34b arranged on the bottom wall 54 of the wax material receiving container 52 (not shown). As a result, warm air H2 at a predetermined temperature (for example, 150 ° C. to 250 ° C.) is blown from the tip portion 34a of the hot air supply nozzle toward the entire paraffin P coated on the wafer W to melt the paraffin P. Raise to a high temperature that greatly exceeds the temperature. Further, in synchronization with this, the electric motor 42 is operated to rotate the spinner table 41 at a high speed (for example, 3000 rpm to 4000 rpm), and the molten paraffin P'is blown outward from the wafer W. Paraffin P'is removed from the upper surface of the wafer W. As described above, the warm air H2 blown when removing the molten paraffin P'from the wafer W is higher than the temperature (50 ° C. to 70 ° C.) of the warm air H1 when the paraffin P is uniformly applied to the wafer W. Is also set to a high temperature, and the rotation speed of the spinner table 41 is also set to be higher than the rotation speed (100 rpm to 300 rpm) when the wafer W is coated on the upper surface. The paraffin P'that has been melted and removed from the wafer W in this way is discharged from the discharge port 58 arranged on the bottom wall 54 of the wax material receiving container 52 in order to discharge the paraffin P'.
本実施形態における蝋材塗布装置３０は、上記したように、ウエーハＷの上面からパラフィンＰを除去するのみならず、加工後のウエーハＷの上面から除去したパラフィンＰを再生して再利用する再処理機能も備える。該再処理機能は、蝋材塗布装置３０に配設される蝋材再生手段７０によって実現される。蝋材再生手段７０内には、濾過フィルタ、蝋材貯留タンク、加熱ヒータ、及び吐出ポンプ等が収容されており(いずれも図示は省略）、ウエーハＷ上から除去され排出口５８から排出された溶融状態のパラフィンＰ’を、ドレーン５９を介して回収し、該濾過フィルタに通してデブリ１１０等の異物を除去して、蝋材再生手段７０の該貯留タンクに戻す。そして、該加熱ヒータによって該貯留タンクにて溶融状態に維持されたパラフィンＰ’を必要に応じて蝋材供給ノズル３２に供給し、新たな加工前のウエーハＷの上面に蝋材を塗布する際に使用される。 As described above, the wax material coating device 30 in the present embodiment not only removes paraffin P from the upper surface of the wafer W, but also regenerates and reuses the paraffin P removed from the upper surface of the processed wafer W. It also has a processing function. The reprocessing function is realized by the wax material recycling means 70 arranged in the wax material coating device 30. A filtration filter, a wax material storage tank, a heating heater, a discharge pump, and the like are housed in the wax material recycling means 70 (all of which are not shown), and are removed from the wafer W and discharged from the discharge port 58. The molten paraffin P'is collected through the drain 59, passed through the filtration filter to remove foreign substances such as debris 110, and returned to the storage tank of the wax material recycling means 70. Then, when paraffin P'maintened in a molten state in the storage tank is supplied to the wax material supply nozzle 32 as needed by the heating heater, and the wax material is applied to the upper surface of the wafer W before new processing. Used for.
なお、上記した実施形態では、蝋材塗布装置３０には、蝋材再生手段７０が配設され、ウエーハＷ上から除去したパラフィンＰを回収して再生し使用したが、本発明はこれに限定されず、使用後の蝋材を再使用せずに、常に新たなパラフィンＰを使用するようにしてもよい。 In the above-described embodiment, the wax material coating device 30 is provided with the wax material regenerating means 70, and the paraffin P removed from the wafer W is recovered, regenerated and used, but the present invention is limited to this. Instead, the used wax material may not be reused, and new paraffin P may always be used.
また、上記した実施形態では、ウエーハＷに対して吸収性を有する波長のレーザー光線ＬＢを照射してアブレーション加工によって分割溝１１０を形成するレーザー加工に適用したが、本発明はこれに限定されず、ウエーハＷ上に積層された低誘電率絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）をアブレーション加工によって除去するレーザー加工にも適用することができる。 Further, in the above-described embodiment, the wafer W is applied to laser processing in which a laser beam LB having a wavelength having absorbency is irradiated to form a dividing groove 110 by ablation processing, but the present invention is not limited to this. It can also be applied to laser processing in which a low dielectric constant insulating film (Low-k film) laminated on a wafer W is removed by ablation processing.
２：レーザー加工装置
４：操作手段
６：表示手段
８：ウエーハカセット
９：カセット昇降手段
１０：搬出入手段
１２：仮置き手段
１６：搬送手段
１８：チャックテーブル（保持手段）
２０：アライメント手段
２２：撮像手段
２４：レーザー光線照射手段
２８：集光器
３０：蝋材塗布装置
３１：搬送手段
３２：蝋材供給ノズル
３４：温風供給ノズル
４０：スピンナーテーブル機構
４１：スピンナーテーブル
４３：支持機構
５０：蝋材受け機構
５２：蝋材受け容器
５３：外側壁
５４：底壁
５５：内側壁
５６：蝋材流路
５８：排出口
６０：支持脚
６２：カバー部材
６２ａ：カバー部
７０：蝋材再生手段
１００：レーザー加工溝
１１０：デブリ
Ｐ：パラフィン
Ｗ：ウエーハ
Ｄ：デバイス
Ｌ：分割予定ライン
2: Laser processing device 4: Operating means 6: Display means 8: Wafer cassette 9: Cassette raising / lowering means 10: Carrying / removing means 12: Temporary placing means 16: Transporting means 18: Chuck table (holding means)
20: Alignment means 22: Imaging means 24: Laser beam irradiation means 28: Condenser 30: Wax material coating device 31: Conveying means 32: Wax material supply nozzle 34: Warm air supply nozzle 40: Spinner table mechanism 41: Spinner table 43 : Support mechanism 50: Wax material receiving mechanism 52: Wax material receiving container 53: Outer wall 54: Bottom wall 55: Inner side wall 56: Wax material flow path 58: Discharge port 60: Support leg 62: Cover member 62a: Cover portion 70 : Wax material recycling means 100: Laser processing groove 110: Debris P: Paraffin W: Waha D: Device L: Scheduled division line
Claims (3)
レーザー光線が照射される板状物の上面に蝋材を塗布する蝋材塗布工程と、
蝋材が塗布された側を表にして板状物を該保持手段に保持する保持工程と、
板状物上の加工すべき領域の上面に該集光器からレーザー光線を照射して該上面にアブレーション加工を施すレーザー加工工程と、
から少なくとも構成され、
該レーザー加工工程では、レーザー光線の集光点を板状物の上面に位置付け、アブレーション加工によって発生したデブリが、溶融し流動する蝋材によって取込まれ、アブレーション加工された溝を含む加工部位に該デブリが付着することを抑制するレーザー加工方法。 A holding means for holding a plate-shaped object, a laser beam irradiating means for ablation processing by condensing a laser beam having a wavelength that is absorbent to the plate-shaped object held by the holding means with a condenser, and the holding. It is a laser processing method using a laser processing apparatus composed of at least a processing feed means for relatively processing and feeding the means and the laser beam irradiation means.
A wax material application process that applies wax material to the upper surface of a plate-like object that is irradiated with a laser beam,
A holding step of holding the plate-like object in the holding means with the side coated with the wax material facing up, and
A laser processing step of irradiating the upper surface of a region to be processed on a plate-like object with a laser beam from the condenser to ablate the upper surface.
Consists of at least from
In the laser processing step, the condensing point of the laser beam is positioned on the upper surface of the plate-like object, and the debris generated by the ablation processing is taken in by the melted and flowing wax material, and the debris is taken into the processed portion including the ablated groove. A laser processing method that suppresses the adhesion of debris.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019028788A JP2020131245A (en) | 2019-02-20 | 2019-02-20 | Laser processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019028788A JP2020131245A (en) | 2019-02-20 | 2019-02-20 | Laser processing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020131245A true JP2020131245A (en) | 2020-08-31 |
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ID=72261837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019028788A Pending JP2020131245A (en) | 2019-02-20 | 2019-02-20 | Laser processing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2020131245A (en) |
Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0742000A (en) * | 1993-07-30 | 1995-02-10 | Kawasaki Steel Corp | Method for etching metal surface |
| JP2006095546A (en) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Aisin Seiki Co Ltd | Laser beam processing method |
-
2019
- 2019-02-20 JP JP2019028788A patent/JP2020131245A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0742000A (en) * | 1993-07-30 | 1995-02-10 | Kawasaki Steel Corp | Method for etching metal surface |
| JP2006095546A (en) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Aisin Seiki Co Ltd | Laser beam processing method |
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