JP2020113655A - Magnetoresistive effect element and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

To provide a magnetoresistive effect element having a high RA while suppressing a reduction in MR ratio, and a manufacturing method thereof.SOLUTION: A magnetoresistive effect element according to an aspect of the present invention includes a first ferromagnetic layer, a second ferromagnetic layer, and a tunnel barrier layer laminated between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer, and the tunnel barrier layer has an upper surface and a lower surface located on the opposite side of the upper surface, and when a larger maximum height roughness from among the maximum height roughness of the upper surface and the maximum height roughness of the lower surface of the tunnel barrier layer is set to Rz, and the thickness of the tunnel barrier layer is set to t, Rz/t<1 is satisfied, and the tunnel barrier layer includes at least one amorphous region.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果素子を製造する方法に関する。 The present invention relates to a magnetoresistive effect element and a method of manufacturing a magnetoresistive effect element.

強磁性トンネル接合（ＭＴＪ）素子は、大きな磁気抵抗効果比（ＭＲ比）を示すことができるので、近年、磁気ヘッドや不揮発性ランダムアクセス磁気メモリ（ＭＲＡＭ）といった磁気デバイスに用いられている。ＭＴＪ素子は、例えば、二つの強磁性層と、当該二つの強磁性層の間に設けられたトンネルバリア層とから構成される。強磁性層は、例えば、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｏ合金、Ｆｅ合金、ＣｏＦｅ合金及びＣｏ基ホイスラー合金を含み、トンネルバリア層は、例えば、スピネル構造を有するＭｇＡｌ２Ｏ４を含む。これにより、コヒーレントトンネル効果を生み出し、その結果、大きなＭＲ比を実現している。 Since a ferromagnetic tunnel junction (MTJ) element can exhibit a large magnetoresistive effect ratio (MR ratio), it has recently been used for a magnetic device such as a magnetic head or a nonvolatile random access magnetic memory (MRAM). The MTJ element is composed of, for example, two ferromagnetic layers and a tunnel barrier layer provided between the two ferromagnetic layers. The ferromagnetic layer includes, for example, Co, Fe, a Co alloy, an Fe alloy, a CoFe alloy, and a Co-based Heusler alloy, and the tunnel barrier layer includes, for example, MgAl 2 O 4 having a spinel structure. As a result, a coherent tunnel effect is produced, and as a result, a large MR ratio is realized.

特許文献１及び特許文献２は、共に、強磁性トンネル接合体とそれを用いた磁気抵抗効果素子並びにスピントロニクスデバイスを開示する。また、特許文献１は、トンネルバリア層がスピネル構造のＭｇＡｌ２Ｏ４を含む強磁性トンネル接合体を開示し、特許文献２は、トンネルバリア層が不規則スピネル構造の（Ｍｇ１−ｘＡｌｘ）−Ｏ（０＜ｘ≦１）を含む強磁性トンネル接合体を開示する。いずれの特許文献においても、強磁性トンネル接合体は、スピネル構造の結晶質酸化物のトンネルバリア層を二つの強磁性層で直接挟んだ構造を有している。 Both Patent Document 1 and Patent Document 2 disclose a ferromagnetic tunnel junction, a magnetoresistive effect element using the same, and a spintronic device. Further, Patent Document 1 discloses a ferromagnetic tunnel junction body in which the tunnel barrier layer contains MgAl 2 O 4 having a spinel structure, and Patent Document 2 discloses (Mg 1-x Al x in which the tunnel barrier layer has an irregular spinel structure). )-O (0<x≤1) is disclosed. In each of the patent documents, the ferromagnetic tunnel junction has a structure in which a tunnel barrier layer of crystalline oxide having a spinel structure is directly sandwiched between two ferromagnetic layers.

特許第５５８６０２８号公報Japanese Patent No. 5586028 特開２０１３−１７５６１５号公報JP, 2013-175615, A

磁気ヘッドやＭＲＡＭといった磁気デバイスに用いられるＭＴＪ素子では、当該ＭＴＪ素子の単位面積当たりの抵抗値である面積抵抗 (ＲＡ）を小さくするための膜開発が行われている。一方、新しいタイプの磁界センサや磁壁移動を利用したアナログメモリといった磁気デバイスに用いられるＭＴＪ素子では、当該ＭＴＪ素子のＲＡを高くすることが望まれている。ＭＴＪ素子のＲＡを高くする手法としては、トンネルバリア層の厚さを大きくする手法が知られている。しかし、この手法によると、ＲＡが高くなるものの、トンネルバリア層のなかにピンホールが混入する等の理由によってＭＲ比が低減するといった問題が生じる。そのため、ＭＲ比の低減を抑制しつつ、ＭＴＪ素子のＲＡを高くすることが困難であった。 In an MTJ element used for a magnetic device such as a magnetic head or an MRAM, a film has been developed to reduce a sheet resistance (RA) which is a resistance value per unit area of the MTJ element. On the other hand, in an MTJ element used for a magnetic device such as a new type magnetic field sensor or an analog memory using domain wall motion, it is desired to increase RA of the MTJ element. As a method of increasing the RA of the MTJ element, a method of increasing the thickness of the tunnel barrier layer is known. However, according to this method, although the RA is increased, there is a problem that the MR ratio is reduced due to the reason that pinholes are mixed in the tunnel barrier layer. Therefore, it is difficult to increase the RA of the MTJ element while suppressing the reduction of the MR ratio.

本発明は、これらに鑑みてなされたものであり、ＭＲ比の低減を抑制しつつ、高いＲＡを有する磁気抵抗効果素子、及びそのような磁気抵抗効果素子を製造する方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a magnetoresistive effect element having a high RA while suppressing a reduction in MR ratio, and a method for manufacturing such a magnetoresistive effect element. And

本発明の一態様に係る磁気抵抗効果素子は、第一の強磁性層と、第二の強磁性層と、第一の強磁性層と第二の強磁性層との間に積層されたトンネルバリア層と、を備え、トンネルバリア層は、上面と、当該上面の反対側に位置する下面とを有し、トンネルバリア層の上面の最大高さ粗さ及び下面の最大高さ粗さのうち、より大きな最大高さ粗さをＲｚとし、トンネルバリア層の厚さをｔとしたとき、Ｒｚ／ｔ＜１であり、トンネルバリア層は、少なくとも一つのアモルファス領域を含む。 A magnetoresistive effect element according to an aspect of the present invention is a tunnel in which a first ferromagnetic layer, a second ferromagnetic layer, and a first ferromagnetic layer and a second ferromagnetic layer are stacked. A barrier layer, the tunnel barrier layer has an upper surface and a lower surface located on the opposite side of the upper surface, and the tunnel barrier layer has a maximum height roughness of the upper surface and a maximum height roughness of the lower surface. , Rz/t<1, where Rz is a larger maximum height roughness and t is a thickness of the tunnel barrier layer, and the tunnel barrier layer includes at least one amorphous region.

この磁気抵抗効果素子によれば、トンネルバリア層が、その上面及び／又は下面に大きさがＲｚの最大高さ粗さを有すると共に、少なくとも一つのアモルファス領域を含むため、高いＲＡを実現することができる。また、トンネルバリア層においてＲｚ／ｔ＜１が満たされるため、トンネルバリア層の厚さに対して当該最大高さ粗さが過剰となることに起因するＭＲ比の低減を防止できる。 According to this magnetoresistive effect element, since the tunnel barrier layer has the maximum height roughness of Rz on the upper surface and/or the lower surface and includes at least one amorphous region, high RA can be realized. You can Further, since Rz/t<1 is satisfied in the tunnel barrier layer, it is possible to prevent the reduction of the MR ratio due to the excess of the maximum height roughness with respect to the thickness of the tunnel barrier layer.

本発明の一態様に係る磁気抵抗効果素子では、トンネルバリア層は、少なくとも一つの結晶化領域を更に含み、積層方向に沿った断面において、トンネルバリア層全体の面積に占める少なくとも一つの結晶化領域の面積の割合は、５％より大きく、かつ、６５％より小さくてもよい。 In the magnetoresistive effect element according to one aspect of the present invention, the tunnel barrier layer further includes at least one crystallized region, and at least one crystallized region occupies an area of the entire tunnel barrier layer in a cross section along the stacking direction. The area percentage may be greater than 5% and less than 65%.

この磁気抵抗効果素子によれば、積層方向に沿った断面において、結晶化領域の当該割合が５％より大きいので、アモルファス領域の割合が過大となることに基づくＭＲ比の低減を抑制できる。また、結晶化領域の割合が６５％より小さいので、アモルファス領域の割合が十分に大きくなるため、トンネルバリア層の一部を結晶化させるためのプロセス処理により生じるおそれのある強磁性層の劣化によるＭＲ比の低減が防止されると共に、ＲＡが十分に高くなる。 According to this magnetoresistive element, since the ratio of the crystallized region is larger than 5% in the cross section along the stacking direction, it is possible to suppress the reduction of the MR ratio due to the excessive ratio of the amorphous region. Further, since the ratio of the crystallized region is smaller than 65%, the ratio of the amorphous region is sufficiently large, which is caused by the deterioration of the ferromagnetic layer which may be caused by the process treatment for crystallizing a part of the tunnel barrier layer. The reduction of the MR ratio is prevented and RA becomes sufficiently high.

本発明の一態様に係る磁気抵抗効果素子では、少なくとも一つの結晶化領域は、積層方向に（００１）面が配向した結晶構造を有してもよい。 In the magnetoresistive effect element according to one aspect of the present invention, at least one crystallized region may have a crystal structure in which the (001) plane is oriented in the stacking direction.

この磁気抵抗効果素子によれば、この（００１）面が配向した結晶化領域によって、高いコヒーレントトンネル効果を得ることができる。この磁気抵抗効果素子は、高いＭＲ比を有することができる。 According to this magnetoresistive effect element, a high coherent tunnel effect can be obtained by the crystallized region in which the (001) plane is oriented. This magnetoresistive effect element can have a high MR ratio.

本発明の一態様に係る磁気抵抗効果素子では、少なくとも一つの結晶化領域は、トンネルバリア層の面内方向に沿った幅を有し、この幅の最大値は、８ｎｍ未満であってもよい。 In the magnetoresistive effect element according to one aspect of the present invention, at least one crystallized region has a width along the in-plane direction of the tunnel barrier layer, and the maximum value of this width may be less than 8 nm. ..

この磁気抵抗効果素子によれば、トンネルバリア層の結晶化領域において、トンネルバリア層と、第一の強磁性層及び第二の強磁性層の少なくとも一つとの格子不整合が生じた場合も、格子不整合が生じる領域を小さくすることができる。その結果、この磁気抵抗効果素子は、より高いＭＲ比を有することができる。 According to this magnetoresistive effect element, even when a lattice mismatch between the tunnel barrier layer and at least one of the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer occurs in the crystallized region of the tunnel barrier layer, The area where lattice mismatch occurs can be reduced. As a result, this magnetoresistive effect element can have a higher MR ratio.

本発明の一態様に係る磁気抵抗効果素子では、少なくとも一つの結晶化領域の少なくとも一部は、第一の強磁性層及び第二の強磁性層の少なくとも一つと格子整合してもよい。 In the magnetoresistive effect element according to the aspect of the present invention, at least a part of the at least one crystallized region may be lattice-matched with at least one of the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer.

この磁気抵抗効果素子によれば、高いコヒーレントトンネル効果を得ることができる。この磁気抵抗効果素子は、より高いＭＲ比を有することができる。 According to this magnetoresistive effect element, a high coherent tunnel effect can be obtained. This magnetoresistive effect element can have a higher MR ratio.

本発明の一態様に係る磁気抵抗効果素子では、第一の強磁性層、第二の強磁性層、及びトンネルバリア層の少なくとも一つは、双晶を含んでもよい。 In the magnetoresistive effect element according to the aspect of the present invention, at least one of the first ferromagnetic layer, the second ferromagnetic layer, and the tunnel barrier layer may include a twin crystal.

この磁気抵抗効果素子によれば、トンネルバリア層の上面及び下面が粗さを有することに起因してこれらの層の界面近傍に生じ得る歪を、この双晶によって緩和することができる。その結果、トンネルバリア層と、第一及び／又は第二の強磁性層との界面における格子歪が緩和される。 According to this magnetoresistive effect element, the strain that can occur near the interface between these layers due to the roughness of the upper and lower surfaces of the tunnel barrier layer can be relaxed by this twinning. As a result, lattice strain at the interface between the tunnel barrier layer and the first and/or second ferromagnetic layer is relaxed.

本発明の一態様に係る磁気抵抗効果素子では、上記双晶は面心立方格子構造を有し、その双晶面は、（１１１）面である、又は上記双晶は体心立方格子構造を有し、その双晶面は、（１１２）面であってもよい。 In the magnetoresistive effect element according to one aspect of the present invention, the twin has a face-centered cubic lattice structure, the twin plane is a (111) plane, or the twin has a body-centered cubic lattice structure. And the twin plane may be the (112) plane.

この磁気抵抗効果素子によれば、上記双晶が、当該双晶の結晶構造の種類に応じて適切な双晶面を有することができるので、トンネルバリア層と、第一及び第二の強磁性層との界面における格子歪がさらに緩和される。この磁気抵抗効果素子は、より高いＭＲ比を有することができる。 According to this magnetoresistive element, the twin crystal can have an appropriate twin plane according to the type of the crystal structure of the twin crystal, so that the tunnel barrier layer and the first and second ferromagnetic layers can be formed. The lattice strain at the interface with the layer is further relaxed. This magnetoresistive effect element can have a higher MR ratio.

本発明の一態様に係る磁気抵抗効果素子では、トンネルバリア層は、式（１）で表されるスピネル構造を有する酸化物材料を含んでもよい。
Ａ１−ｘＢｘＯｙ …（１）
式（１）中、Ａは、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｃｄ、Ｌｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｈｇ、及びＶからなる群より選択される少なくとも一種の元素を表し、Ｂは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｇｅ、及びＣｏからなる群より選択される少なくとも一種の元素を表し、０＜ｘ≦１、及び、０．３５≦ｙ≦１．７である。 In the magnetoresistive effect element according to the aspect of the present invention, the tunnel barrier layer may include an oxide material having a spinel structure represented by the formula (1).
A 1-x B x O y (1)
In the formula (1), A represents at least one element selected from the group consisting of Mg, Zn, Cu, Cd, Li, Ni, Co, Fe, Mn, Cr, Hg, and V, and B is It represents at least one element selected from the group consisting of Al, Ga, In, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Rh, Ir, Ge, and Co, and 0<x≦1 and 0. 35≦y≦1.7.

この磁気抵抗効果素子によれば、トンネルバリア層の結晶化領域において、第一及び第二の強磁性層との格子不整合をより小さくすることができる。 According to this magnetoresistive effect element, the lattice mismatch with the first and second ferromagnetic layers can be further reduced in the crystallized region of the tunnel barrier layer.

本発明の一態様に係る磁気抵抗効果素子では、式（１）において、Ａは、Ｍｇを表し、Ｂは、Ａｌを表してもよい。 In the magnetoresistive effect element according to one aspect of the present invention, in the formula (1), A may represent Mg and B may represent Al.

この磁気抵抗効果素子によれば、この構成によって、トンネルバリア層が大きなＭＲ比を実現するための機能を十分に発揮できる。 According to this magnetoresistive effect element, with this configuration, the tunnel barrier layer can sufficiently exert the function for realizing a large MR ratio.

本発明の一態様に係る磁気抵抗効果素子では、式（１）において、０＜ｘ＜０．５であってもよい。 In the magnetoresistive effect element according to one aspect of the present invention, 0<x<0.5 may be satisfied in Expression (1).

この磁気抵抗効果素子によれば、式（１）において、トンネルバリア層が大きなＭＲ比を実現するための機能を更に十分に発揮できる。 According to this magnetoresistive effect element, in the formula (1), the tunnel barrier layer can more sufficiently exert the function for realizing a large MR ratio.

本発明の一態様に係る磁気抵抗効果素子では、第一の強磁性層及び第二の強磁性層の少なくとも一つは、トンネルバリア層と接するＣｏｚＦｅ１００−z（０＜ｚ＜８０）からなる領域を有してもよい。 In the magnetoresistive element according to the aspect of the present invention, at least one of the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer is Co z Fe 100-z (0<z<80) in contact with the tunnel barrier layer. You may have the area|region which consists of.

この磁気抵抗効果素子によれば、当該領域のスピン分極率が高くなると共に、当該領域とトンネルバリア層との間の格子不整合を小さくすることができる。 According to this magnetoresistive effect element, the spin polarizability of the region can be increased and the lattice mismatch between the region and the tunnel barrier layer can be reduced.

本発明の一態様に係る磁気抵抗効果素子を作製する方法は、第一の強磁性層を形成する工程と、第一の強磁性層上にＭｇＡｌ合金層を形成する工程と、ＭｇＡｌ合金層を酸化して、少なくとも一つのアモルファス領域と、Ｍｇ１−ｘＡｌｘＯｙ（０＜ｘ≦１、０．３５≦ｙ≦１．７）で表されるスピネル構造からなる少なくとも一つの結晶化領域とを含むトンネルバリア層を形成する工程と、トンネルバリア層上に第二の強磁性層を形成する工程と、を備え、トンネルバリア層は、上面と、当該上面の反対側に位置する下面とを有し、トンネルバリア層の上面の最大高さ粗さ及び下面の最大高さ粗さのうち、より大きな最大高さ粗さをＲｚとし、トンネルバリア層の厚さをｔとしたとき、Ｒｚ／ｔ＜１である。 A method of manufacturing a magnetoresistive effect element according to an aspect of the present invention includes a step of forming a first ferromagnetic layer, a step of forming a MgAl alloy layer on the first ferromagnetic layer, and a step of forming a MgAl alloy layer. Oxidation and at least one amorphous region and at least one crystallized region having a spinel structure represented by Mg 1-x Al x O y (0<x≦1, 0.35≦y≦1.7) And a step of forming a second ferromagnetic layer on the tunnel barrier layer, the tunnel barrier layer having an upper surface and a lower surface opposite to the upper surface. Where Rz is the maximum height roughness of the upper surface of the tunnel barrier layer and the maximum height roughness of the lower surface of the tunnel barrier layer, and Rz is the thickness of the tunnel barrier layer. /T<1.

この磁気抵抗効果素子を作製する方法によれば、ＭＲ比の低減を抑制しつつ、高いＲＡを有する磁気抵抗効果素子を製造できる。 According to the method of manufacturing the magnetoresistive effect element, it is possible to manufacture the magnetoresistive effect element having a high RA while suppressing the reduction of the MR ratio.

本発明の一態様に係る磁気抵抗効果素子を作製する方法では、ＭｇＡｌ合金層を酸化する工程は、ラジカル酸化、プラズマ酸化、オゾン酸化、及び自然酸化の少なくとも一つによってＭｇＡｌ層を酸化する工程を含んでもよい。 In the method of manufacturing a magnetoresistive effect element according to one embodiment of the present invention, the step of oxidizing the MgAl alloy layer includes the step of oxidizing the MgAl layer by at least one of radical oxidation, plasma oxidation, ozone oxidation, and natural oxidation. May be included.

この磁気抵抗効果素子を作製する方法によれば、上述のような所定の態様のトンネルバリア層を効率よく形成することができる。 According to the method of manufacturing the magnetoresistive effect element, the tunnel barrier layer having the predetermined mode as described above can be efficiently formed.

本発明によれば、ＭＲ比の低減を抑制しつつ、高いＲＡを有する磁気抵抗効果素子、及びそのような磁気抵抗効果素子を製造する方法を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a magnetoresistive effect element having a high RA while suppressing a decrease in MR ratio, and a method for manufacturing such a magnetoresistive effect element.

図１は、実施形態に係る磁気抵抗効果素子の積層方向に沿った断面を示す図である。FIG. 1 is a view showing a cross section along the stacking direction of the magnetoresistive effect element according to the embodiment. 図２は、図１に示される領域Ｅ１の一例を拡大して示す図である。FIG. 2 is an enlarged view showing an example of the area E1 shown in FIG. 図３は、図１に示される領域Ｅ１の他の例を拡大して示す図である。FIG. 3 is an enlarged view showing another example of the area E1 shown in FIG. 図４は、実施例１に係る磁気抵抗効果素子のＭＲ比を評価できる磁気抵抗デバイスを示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a magnetoresistive device capable of evaluating the MR ratio of the magnetoresistive effect element according to the first embodiment.

以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態を詳細に説明する。なお、各図面において、可能な場合には同一要素には同一符号を用いる。また、図面中の構成要素内及び構成要素間の寸法比は、図面の見易さのため、それぞれ任意となっている。本実施形態では、図１から図３に対して直交座標系に基づくＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を設定しているが、これらの各軸は、説明のために便宜的に設定されており、磁気抵抗効果素子の積層方向にＺ軸が設定される。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In each drawing, the same reference numerals are used for the same elements when possible. Further, the dimensional ratios within and between the constituent elements in the drawings are arbitrary for the sake of easy viewing of the drawings. In this embodiment, the X axis, the Y axis, and the Z axis based on the orthogonal coordinate system are set with respect to FIGS. 1 to 3, but each of these axes is set for convenience of description. The Z axis is set in the stacking direction of the magnetoresistive effect elements.

図１は、実施形態に係る磁気抵抗効果素子の積層方向に沿った断面を示す図である。磁気抵抗効果素子１は、例えば、基板１０、下地層２０、磁気抵抗層３０、及びキャップ層４０をこの順に備える。図１では、分かりやすく記載するために、積層方向（Ｚ軸方向）における各層の厚さを拡大して磁気抵抗効果素子１を描いている。 FIG. 1 is a view showing a cross section along the stacking direction of the magnetoresistive effect element according to the embodiment. The magnetoresistive effect element 1 includes, for example, a substrate 10, a base layer 20, a magnetoresistive layer 30, and a cap layer 40 in this order. In FIG. 1, the magnetoresistive effect element 1 is drawn by enlarging the thickness of each layer in the stacking direction (Z-axis direction) for easy understanding.

基板１０は、例えば、シリコン単結晶、金属酸化物単結晶、熱酸化珪素膜付シリコン単結晶、サファイア単結晶、セラミック、石英、及びガラスを含む。基板１０に含まれる材料は、適度な機械的強度を有し、且つ熱処理や微細加工に適した材料であれば、特に限定されない。金属酸化物単結晶としては、例えば、ＭｇＯ単結晶が挙げられ、ＭｇＯ単結晶を含む基板によれば、例えば、スパッタ法を用いて容易にエピタキシャル成長膜が形成される。 The substrate 10 includes, for example, a silicon single crystal, a metal oxide single crystal, a silicon single crystal with a thermally oxidized silicon film, a sapphire single crystal, ceramic, quartz, and glass. The material contained in the substrate 10 is not particularly limited as long as it has appropriate mechanical strength and is suitable for heat treatment and fine processing. As the metal oxide single crystal, for example, MgO single crystal can be cited, and according to the substrate containing the MgO single crystal, for example, the epitaxial growth film can be easily formed by using the sputtering method.

下地層２０は、磁気抵抗層３０の結晶性を向上させるために設けられ、また、磁気抵抗効果素子１の磁気抵抗特性を測定するための電極として利用することができる。下地層２０は、例えば、電極のための下部電極層２１と、当該下部電極層２１上に設けられたバッファ層２２とを含む。 The underlayer 20 is provided to improve the crystallinity of the magnetoresistive layer 30, and can be used as an electrode for measuring the magnetoresistive characteristic of the magnetoresistive effect element 1. The underlayer 20 includes, for example, a lower electrode layer 21 for an electrode and a buffer layer 22 provided on the lower electrode layer 21.

下部電極層２１は、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｖ、及びＷのうち少なくとも一つの金属元素を含み、これらの金属元素の合金、又はこれら金属元素の２種類以上からなる材料の積層体を含んでもよい。金属元素の合金には、例えば、立方晶系のＡｇＺｎ合金、ＡｇＭｇ合金及びＮｉＡｌ合金が挙げられる。金属元素の２種類以上からなる材料の積層体には、例えば、ＴａとＲｕとを含む材料の積層体が挙げられる。具体的には、下部電極層２１は、Ｔａ、Ｒｕ、及びＴａからなる３層積層体を含むことができる。 The lower electrode layer 21 contains, for example, at least one metal element selected from the group consisting of Al, Ag, Au, Cu, Cr, Pt, Ru, Ta, V, and W, an alloy of these metal elements, or a combination of these metal elements. You may include the laminated body of the material which consists of 2 or more types. Examples of alloys of metal elements include cubic AgZn alloys, AgMg alloys, and NiAl alloys. Examples of the layered body of a material composed of two or more kinds of metal elements include a layered body of a material containing Ta and Ru. Specifically, the lower electrode layer 21 can include a three-layer laminated body including Ta, Ru, and Ta.

下部電極層２１は上面２１ａを有し、上面２１ａに対しては、ＣＭＰ研磨（Chemical Mechanical Polishing）を施すことができる。ＣＭＰ研磨は、例えば、ＣＭＰ装置を用いて、下部電極層２１の上面２１ａが所望の粗さになるように当該上面２１ａを研磨する。ＣＰＭ研磨の研磨時間によって、上面２１ａの粗さを制御すること可能である。一例では、ＣＰＭ研磨の研磨時間が長くすることに従って、上面２１ａの粗さを低減させることができる。ＣＰＭ研磨のためのスラリーには、例えば、アルミナが用いられる。 The lower electrode layer 21 has an upper surface 21a, and the upper surface 21a can be subjected to CMP polishing (Chemical Mechanical Polishing). In the CMP polishing, for example, a CMP apparatus is used to polish the upper surface 21a of the lower electrode layer 21 so that the upper surface 21a has a desired roughness. The roughness of the upper surface 21a can be controlled by the polishing time of the CPM polishing. In one example, the roughness of the upper surface 21a can be reduced as the polishing time of the CPM polishing is lengthened. Alumina is used for the slurry for CPM polishing, for example.

下部電極層２１のＺ軸方向の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上、かつ１０００ｎｍ以下の範囲である。また、この厚さは、例えば、３０ｎｍ以上、かつ１５０ｎｍ以下の範囲である。 The thickness of the lower electrode layer 21 in the Z-axis direction is, for example, 10 nm or more and 1000 nm or less. The thickness is, for example, in the range of 30 nm or more and 150 nm or less.

研磨後の下部電極層２１は上面２１ａ上にバッファ層２２を積層することができて、バッファ層２２は、例えば、下部電極層２１と同様に、金属元素を含む。金属元素は、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｖ、及びＷの少なくとも一つであり、バッファ層２２は、これらの金属元素の合金、又はこれら金属元素の２種類以上からなる材料の積層体を含んでもよい。金属元素の合金は、例えば、立方晶系のＡｇＺｎ合金、ＡｇＭｇ合金及びＮｉＡｌ合金である。バッファ層２２は、具体的には、Ｔａ及びＲｕからなる２層積層体を含むことができる。 The lower electrode layer 21 after polishing can have a buffer layer 22 laminated on the upper surface 21a, and the buffer layer 22 contains a metal element, for example, like the lower electrode layer 21. The metal element is, for example, at least one of Al, Ag, Au, Cu, Cr, Pt, Ru, Ta, V, and W, and the buffer layer 22 is an alloy of these metal elements or a mixture of these metal elements. You may include the laminated body of the material which consists of 2 or more types. The alloy of metal elements is, for example, a cubic AgZn alloy, an AgMg alloy, and a NiAl alloy. The buffer layer 22 may specifically include a two-layer laminate body made of Ta and Ru.

バッファ層２２のＺ軸方向の厚さは、例えば、１ｎｍ以上、かつ１０ｎｍ以下の範囲である。また、この厚さは、例えば、２ｎｍ以上、かつ５ｎｍ以下の範囲である。 The thickness of the buffer layer 22 in the Z-axis direction is, for example, in the range of 1 nm or more and 10 nm or less. The thickness is, for example, in the range of 2 nm or more and 5 nm or less.

下地層２０と基板１０との間には、必要に応じて、上部の層の結晶配向を制御するための結晶配向層が設けられてもよい。結晶配向層は、例えば、ＭｇＯ、ＴｉＮ及びＮｉＴａ合金の少なくとも一種類を含む。 A crystal orientation layer for controlling the crystal orientation of the upper layer may be provided between the base layer 20 and the substrate 10, if necessary. The crystal orientation layer contains, for example, at least one kind of MgO, TiN, and NiTa alloy.

磁気抵抗層３０は、第一の強磁性層３１と、第二の強磁性層３２と、トンネルバリア層３３と、反強磁性層３４と、第三の強磁性層３５と、磁気結合層３６とを備える。トンネルバリア層３３は、絶縁材料で構成され、第一の強磁性層３１と第二の強磁性層３２との間に積層される。反強磁性層３４は、第二の強磁性層３２のトンネルバリア層３３側とは反対側に配置され、本実施形態では第三の強磁性層３５上に積層される。第一の強磁性層３１は、例えば、下地層２０上に積層され、第一の強磁性層３１、トンネルバリア層３３、第二の強磁性層３２、磁気結合層３６、及び第三の強磁性層３５は、この順に配列する。第一の強磁性層３１は、磁化自由層として機能し、また、第二の強磁性層３２、磁気結合層３６、第三の強磁性層３５及び反強磁性層３４は、共同して磁化固定層として機能することができる。 The magnetoresistive layer 30 includes a first ferromagnetic layer 31, a second ferromagnetic layer 32, a tunnel barrier layer 33, an antiferromagnetic layer 34, a third ferromagnetic layer 35, and a magnetic coupling layer 36. With. The tunnel barrier layer 33 is made of an insulating material and is laminated between the first ferromagnetic layer 31 and the second ferromagnetic layer 32. The antiferromagnetic layer 34 is arranged on the side opposite to the tunnel barrier layer 33 side of the second ferromagnetic layer 32, and is laminated on the third ferromagnetic layer 35 in this embodiment. The first ferromagnetic layer 31 is, for example, laminated on the underlayer 20, and the first ferromagnetic layer 31, the tunnel barrier layer 33, the second ferromagnetic layer 32, the magnetic coupling layer 36, and the third strong layer. The magnetic layers 35 are arranged in this order. The first ferromagnetic layer 31 functions as a magnetization free layer, and the second ferromagnetic layer 32, the magnetic coupling layer 36, the third ferromagnetic layer 35, and the antiferromagnetic layer 34 jointly magnetize. It can function as a fixed layer.

磁化自由層として機能する第一の強磁性層３１は、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ及び強磁性のホイスラー合金等の軟磁気特性を有する強磁性材料で構成される。 The first ferromagnetic layer 31 functioning as a magnetization free layer is made of, for example, a ferromagnetic material having soft magnetic characteristics such as Fe, Co—Fe, Co—Fe—B, and a ferromagnetic Heusler alloy.

第一の強磁性層３１のＺ軸方向の厚さは、例えば、０．５ｎｍ以上、かつ１００ｎｍ以下の範囲である。また、この厚さは、例えば、０．８ｎｍ以上、かつ２０ｎｍ以下の範囲である。 The thickness of the first ferromagnetic layer 31 in the Z-axis direction is, for example, 0.5 nm or more and 100 nm or less. The thickness is, for example, 0.8 nm or more and 20 nm or less.

本実施形態において、磁化固定層は、合成反強磁性（synthesized anti-ferro magnetic）構造（ＳＡＦ構造）と呼ばれる構造を有する。即ち、磁気抵抗層３０は、磁化固定層として、第二の強磁性層３２及び反強磁性層３４に加えて、第二の強磁性層３２と反強磁性層３４との間に設けられた第三の強磁性層３５と、第二の強磁性層３２と第三の強磁性層３５との間に設けられた磁気結合層３６を更に有する。第二の強磁性層３２と第三の強磁性層３５とは、磁気結合層３６を介した交換結合によって、互いに反強磁性的に結合している。第三の強磁性層３５は、第二の強磁性層３２と同様の構成を有することができる。磁気結合層３６は、例えばＲｕ、Ｒｈ、又はＩｒ等の非磁性金属で構成され、そのＺ軸方向の厚さは、例えば、０．３ｎｍ以上、かつ２ｎｍ以下の範囲である。本実施形態において、磁化固定層は、必要に応じて、ＳＡＦ構造を有しなくてもよい。この場合、磁化固定層は、磁気結合層３６及び第三の強磁性層３５を有さず、反強磁性層３４は第二の強磁性層３２の上に直接積層される。 In the present embodiment, the magnetization fixed layer has a structure called a synthesized anti-ferromagnetic structure (SAF structure). That is, the magnetoresistive layer 30 is provided as a magnetization fixed layer between the second ferromagnetic layer 32 and the antiferromagnetic layer 34 in addition to the second ferromagnetic layer 32 and the antiferromagnetic layer 34. It further has a third ferromagnetic layer 35 and a magnetic coupling layer 36 provided between the second ferromagnetic layer 32 and the third ferromagnetic layer 35. The second ferromagnetic layer 32 and the third ferromagnetic layer 35 are antiferromagnetically coupled to each other by exchange coupling via the magnetic coupling layer 36. The third ferromagnetic layer 35 can have the same structure as the second ferromagnetic layer 32. The magnetic coupling layer 36 is made of, for example, a nonmagnetic metal such as Ru, Rh, or Ir, and its thickness in the Z-axis direction is, for example, 0.3 nm or more and 2 nm or less. In the present embodiment, the magnetization fixed layer may not have the SAF structure, if necessary. In this case, the magnetization fixed layer does not have the magnetic coupling layer 36 and the third ferromagnetic layer 35, and the antiferromagnetic layer 34 is directly laminated on the second ferromagnetic layer 32.

磁化固定層の第二の強磁性層３２及び第三の強磁性層３５の磁化方向は、磁化自由層として機能する第一の強磁性層３１の磁化方向に比べて、外部磁界に対して変化し難い。第二の強磁性層３２及び第三の強磁性層３５の磁化方向は、測定対象の外部磁界等の使用中に印加され得る外部磁界に対して実質的に固定されており、当該外部磁界に対して実質的に変化しないことが好ましい。本実施形態では、このような第二の強磁性層３２及び第三の強磁性層３５の磁化方向の態様を、反強磁性層３４と第三の強磁性層３５とを交換結合させて、第三の強磁性層３５に直接的に、第二の強磁性層３２に間接的に一方向磁気異方性を付与することによって実現している。当該磁化方向の態様は、反強磁性層３４を用いずに実現することも可能であるため、磁気抵抗層３０は反強磁性層３４を有していなくてもよい。磁化固定層がＳＡＦ構造を有さない場合も、同様の理由で磁気抵抗層３０は反強磁性層３４を有していなくてもよい。一方、磁化自由層として機能する第一の強磁性層３１は、例えば、軟磁性材料で構成され、磁化方向が実質的に固定されていない。そのため、磁気抵抗層３０に外部磁界が印加されると、その方向に磁化方向が容易に変化する。磁気抵抗層３０に外部磁場が印加され、第一の強磁性層３１及び第二の強磁性層３２の相対的な磁化方向が変化することによって、磁気抵抗層３０の抵抗値が変化して、磁気抵抗効果素子１が磁気抵抗効果を発揮する。 The magnetization directions of the second ferromagnetic layer 32 and the third ferromagnetic layer 35 of the magnetization fixed layer change with respect to the external magnetic field as compared with the magnetization directions of the first ferromagnetic layer 31 functioning as a magnetization free layer. It's hard to do. The magnetization directions of the second ferromagnetic layer 32 and the third ferromagnetic layer 35 are substantially fixed with respect to the external magnetic field that can be applied during use, such as the external magnetic field to be measured, and On the other hand, it is preferably substantially unchanged. In the present embodiment, such an aspect of the magnetization directions of the second ferromagnetic layer 32 and the third ferromagnetic layer 35 is exchange-coupled between the antiferromagnetic layer 34 and the third ferromagnetic layer 35, This is realized by directly imparting unidirectional magnetic anisotropy to the third ferromagnetic layer 35 and indirectly to the second ferromagnetic layer 32. Since the aspect of the magnetization direction can be realized without using the antiferromagnetic layer 34, the magnetoresistive layer 30 may not have the antiferromagnetic layer 34. Even when the magnetization fixed layer does not have the SAF structure, the magnetoresistive layer 30 may not have the antiferromagnetic layer 34 for the same reason. On the other hand, the first ferromagnetic layer 31 functioning as a magnetization free layer is made of, for example, a soft magnetic material, and its magnetization direction is not substantially fixed. Therefore, when an external magnetic field is applied to the magnetoresistive layer 30, the magnetization direction easily changes in that direction. When an external magnetic field is applied to the magnetoresistive layer 30 and the relative magnetization directions of the first ferromagnetic layer 31 and the second ferromagnetic layer 32 change, the resistance value of the magnetoresistive layer 30 changes, The magnetoresistive effect element 1 exhibits a magnetoresistive effect.

第二の強磁性層３２及び第三の強磁性層３５は、強磁性材料で構成されることができる。磁化固定層のための強磁性材料としては、例えば、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｍｎ、Ｉｒ、及びＣｏのうち少なくとも一種の元素を有する金属または合金が挙げられる。合金の具体例としては、Ｃｏ−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｃｏ−Ｂ合金、Ｆｅ−Ｂ合金又はＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金等が挙げられる。Ｃｏ−Ｆｅ−Ａｌ合金、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｃｏ−Ｍｎ−Ｓｉ合金、Ｃｏ−Ｍｎ−Ｇｅ合金、Ｃｏ−Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金、及びＣｏ−Ｆｅ−Ｇａ−Ｇｅ合金といったホイスラー合金が挙げられる。第二の強磁性層３２は、例えば、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ合金及びＣｏ−Ｆｅ合金などの多層膜が繰り返し積層された構造を有することができる。 The second ferromagnetic layer 32 and the third ferromagnetic layer 35 can be made of a ferromagnetic material. Examples of the ferromagnetic material for the magnetization fixed layer include a metal or alloy containing at least one element selected from Ni, Fe, Ru, Mn, Ir, and Co. Specific examples of the alloy include Co-Fe alloy, Ni-Fe alloy, Co-B alloy, Fe-B alloy, and Co-Fe-B alloy. Heusler alloys such as Co-Fe-Al alloys, Co-Fe-Si alloys, Co-Mn-Si alloys, Co-Mn-Ge alloys, Co-Fe-Al-Si alloys, and Co-Fe-Ga-Ge alloys are available. Can be mentioned. The second ferromagnetic layer 32 can have, for example, a structure in which multilayer films such as a Co—Fe—B alloy and a Co—Fe alloy are repeatedly stacked.

第二の強磁性層３２のＺ軸方向の厚さは、例えば、２ｎｍ以上、かつ１０ｎｍ以下の範囲である。また、この厚さは、例えば、３ｎｍ以上、かつ７ｎｍ以下の範囲である。第三の強磁性層３５のＺ軸方向の厚さは、例えば、１ｎｍ以上、かつ８ｎｍ以下の範囲である。また、この厚さは、例えば、２ｎｍ以上、かつ６ｎｍ以下の範囲である。 The thickness of the second ferromagnetic layer 32 in the Z-axis direction is, for example, in the range of 2 nm or more and 10 nm or less. The thickness is, for example, in the range of 3 nm or more and 7 nm or less. The thickness of the third ferromagnetic layer 35 in the Z-axis direction is, for example, 1 nm or more and 8 nm or less. The thickness is, for example, in the range of 2 nm or more and 6 nm or less.

反強磁性層３４は、例えば、ＦｅＭｎ合金、ＰｔＭｎ合金、ＰｔＣｒＭｎ合金、ＮｉＭｎ合金、ＩｒＭｎ合金、ＮｉＯ、Ｆｅ２Ｏ３等の反強磁性材料で構成される。 The antiferromagnetic layer 34 is composed of an antiferromagnetic material such as FeMn alloy, PtMn alloy, PtCrMn alloy, NiMn alloy, IrMn alloy, NiO, and Fe 2 O 3 .

反強磁性層３４のＺ軸方向の厚さは、例えば、５ｎｍ以上、かつ２０ｎｍ以下の範囲である。 The thickness of the antiferromagnetic layer 34 in the Z-axis direction is, for example, 5 nm or more and 20 nm or less.

磁気抵抗層３０においては、第一の強磁性層３１及び第二の強磁性層３２の一方が磁化自由層として機能し、他方が磁化固定層の一部として機能すればよい。このため、本実施形態の変形例として、第一の強磁性層３１が磁化固定層の一部として機能し、第二の強磁性層３２が単独で磁化自由層として機能してもよい。この場合、反強磁性層３４は、第一の強磁性層３１のトンネルバリア層３３側とは反対側に直接又はＳＡＦ構造を構成するように磁気結合層３６及び第三の強磁性層３５を介して設けられ、第一の強磁性層３１に直接的又は間接的に一方向磁気異方性を付与する。 In the magnetoresistive layer 30, one of the first ferromagnetic layer 31 and the second ferromagnetic layer 32 may function as a magnetization free layer, and the other may function as a part of the magnetization fixed layer. Therefore, as a modified example of this embodiment, the first ferromagnetic layer 31 may function as a part of the magnetization fixed layer, and the second ferromagnetic layer 32 may function alone as the magnetization free layer. In this case, the antiferromagnetic layer 34 includes the magnetic coupling layer 36 and the third ferromagnetic layer 35 directly on the side opposite to the tunnel barrier layer 33 side of the first ferromagnetic layer 31 or so as to form the SAF structure. The unidirectional magnetic anisotropy is provided to the first ferromagnetic layer 31 directly or indirectly.

磁気抵抗効果素子１は、磁気抵抗層３０上にキャップ層４０を備えることができる。キャップ層４０は、磁気抵抗層３０を保護するために設けられる。キャップ層４０は、例えば、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｗ、Ｔａ、Ｐｄ、及びＩｒの一以上の金属元素、これら金属元素の合金、又は、これら金属元素の２種類以上からなる材料の積層体を含んでよい。必要に応じて、キャップ層４０上には、磁気抵抗効果素子１にＺ軸方向に沿って電流を流すための上部電極を設けてもよい。 The magnetoresistive effect element 1 may include a cap layer 40 on the magnetoresistive layer 30. The cap layer 40 is provided to protect the magnetoresistive layer 30. The cap layer 40 includes, for example, one or more metal elements of Ru, Ag, Al, Cu, Au, Cr, Mo, Pt, W, Ta, Pd, and Ir, an alloy of these metal elements, or a combination of these metal elements. It may include a laminate of two or more kinds of materials. If necessary, an upper electrode may be provided on the cap layer 40 to allow a current to flow in the magnetoresistive effect element 1 along the Z-axis direction.

図２は、図１に示される領域Ｅ１の一例を拡大して示す図であり、磁気抵抗層３０の積層方向（Ｚ軸方向）に沿った断面のうちの一つの例を示す図である。図２に示されるように、トンネルバリア層３３は、上面３３ａと、上面３３ａの反対側に位置する下面３３ｂとを有する。上面３３ａは、第二の強磁性層３２側に位置し、下面３３ｂは、第一の強磁性層３１側に位置することができる。トンネルバリア層３３の上面３３ａは、表面粗さを有する。上面３３ａは、当該表面粗さに起因して、例えば、一つ又は複数の突起３３ｃと一つ又は複数の窪み３３ｄとを有する。 FIG. 2 is an enlarged view showing an example of the region E1 shown in FIG. 1, and is a view showing one example of a cross section along the stacking direction (Z-axis direction) of the magnetoresistive layer 30. As shown in FIG. 2, the tunnel barrier layer 33 has an upper surface 33a and a lower surface 33b located on the opposite side of the upper surface 33a. The upper surface 33a can be located on the second ferromagnetic layer 32 side, and the lower surface 33b can be located on the first ferromagnetic layer 31 side. The upper surface 33a of the tunnel barrier layer 33 has a surface roughness. Due to the surface roughness, the upper surface 33a has, for example, one or a plurality of protrusions 33c and one or a plurality of depressions 33d.

トンネルバリア層３３の上面３３ａは、上記表面粗さとしての最大高さ粗さＲｚ１を有する。この最大高さ粗さＲｚ１は、ＪＩＳＢ ０６０１：２０１３規格によって規定される。この規格に従い、上面３３ａの最大高さ粗さＲｚ１は、上面３３ａの粗さ曲線のうちの基準長さＬｒ１の範囲内において、平均線Ａｖ１（基準長さＬｒ１の範囲内における上面３３ａの粗さ曲線の算術平均高さ）から最も高い突起３３ｃの高さＲｐ１と、平均線Ａｖ１から最も低い窪み３３ｄの深さＲｖ１との和の値として定義される。上面３３ａの上記粗さ曲線は、例えば、ＴＥＭ（透過電子顕微鏡）、ＳＴＥＭ（走査型透過電子顕微鏡）、ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）又はＡＦＭ（原子間力顕微鏡）によって測定される。基準長さＬｒ１は、磁気抵抗層３０の面内方向（ＸＹ面内方向）に沿った方向の所定の長さであり、例えば、４ｎｍ、８ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍ、又は３０ｎｍである。 The upper surface 33a of the tunnel barrier layer 33 has the maximum height roughness Rz1 as the surface roughness. This maximum height roughness Rz1 is defined by the JISB 0601:2013 standard. According to this standard, the maximum height roughness Rz1 of the upper surface 33a is the average line Av1 (roughness of the upper surface 33a in the range of the reference length Lr1) within the range of the reference length Lr1 of the roughness curve of the upper surface 33a. It is defined as the sum of the height Rp1 of the protrusion 33c which is the highest from the arithmetic mean height of the curve) and the depth Rv1 of the depression 33d which is the lowest from the average line Av1. The roughness curve of the upper surface 33a is measured by, for example, TEM (transmission electron microscope), STEM (scanning transmission electron microscope), SEM (scanning electron microscope) or AFM (atomic force microscope). The reference length Lr1 is a predetermined length in a direction along the in-plane direction (XY in-plane direction) of the magnetoresistive layer 30, and is, for example, 4 nm, 8 nm, 10 nm, 20 nm, or 30 nm.

トンネルバリア層３３の下面３３ｂは、上面３３ａと同様に、表面粗さを有し、当該表面粗さに起因して、例えば、一つ又は複数の突起３３ｆと一つ又は複数の窪み３３ｇとを有する。下面３３ｂの最大高さ粗さＲｚ２は、上面３３ａの最大高さ粗さＲｚ１と同様に、ＪＩＳＢ ０６０１：２０１３規格によって規定される。最大高さ粗さＲｚ２は、下面３３ｂの粗さ曲線のうちの基準長さＬｒ２の範囲内において、平均線Ａｖ２から最も高い突起３３ｆの高さＲｐ２と、平均線Ａｖ２から最も低い窪み３３ｇの深さＲｖ２との和の値として定義される。下面３３ｂの上記粗さ曲線も、ＴＥＭなどによって測定され、基準長さＬｒ２は、磁気抵抗層３０の面内方向に沿って、例えば、４ｎｍ、８ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍ、又は３０ｎｍである。図２は、基準長さＬｒ１が基準長さＬｒ２と同じ長さである例を図示しているが、基準長さＬｒ１は、基準長さＬｒ２と異なる長さであってもよい。 The lower surface 33b of the tunnel barrier layer 33 has a surface roughness like the upper surface 33a, and due to the surface roughness, for example, one or a plurality of protrusions 33f and one or a plurality of depressions 33g are formed. Have. The maximum height roughness Rz2 of the lower surface 33b is defined by the JISB 0601:2013 standard similarly to the maximum height roughness Rz1 of the upper surface 33a. The maximum height roughness Rz2 is the height Rp2 of the protrusion 33f that is the highest from the average line Av2 and the depth of the recess 33g that is the lowest from the average line Av2 within the range of the reference length Lr2 of the roughness curve of the lower surface 33b. Rv2 is defined as the value of the sum. The roughness curve of the lower surface 33b is also measured by TEM or the like, and the reference length Lr2 is, for example, 4 nm, 8 nm, 10 nm, 20 nm, or 30 nm along the in-plane direction of the magnetoresistive layer 30. Although FIG. 2 illustrates an example in which the reference length Lr1 is the same as the reference length Lr2, the reference length Lr1 may be different from the reference length Lr2.

磁気抵抗効果素子１においては、トンネルバリア層３３の上面３３ａの最大高さ粗さＲｚ１及び下面３３ｂの最大高さ粗さＲｚ２のうち、より大きな最大高さ粗さをＲｚとすることができる。トンネルバリア層３３の上面３３ａが最大高さ粗さＲｚを有してもよいし、下面３３ｂが最大高さ粗さＲｚを有してもよい。上面３３ａの最大高さ粗さＲｚ１が下面３３ｂの最大高さ粗さＲｚ２と同じであるときには、上面３３ａ及び下面３３ｂが、共に最大高さ粗さＲｚを有してもよい。トンネルバリア層３３の上面３３ａ及び／又は下面３３ｂが最大高さ粗さＲｚを有する。図２では、下面３３ｂよりも上面３３ａの方がより大きな最大高さ粗さＲｚを有する場合を示している。 In the magnetoresistive effect element 1, of the maximum height roughness Rz1 of the upper surface 33a of the tunnel barrier layer 33 and the maximum height roughness Rz2 of the lower surface 33b, a larger maximum height roughness can be Rz. The upper surface 33a of the tunnel barrier layer 33 may have the maximum height roughness Rz, and the lower surface 33b may have the maximum height roughness Rz. When the maximum height roughness Rz1 of the upper surface 33a is the same as the maximum height roughness Rz2 of the lower surface 33b, both the upper surface 33a and the lower surface 33b may have the maximum height roughness Rz. The upper surface 33a and/or the lower surface 33b of the tunnel barrier layer 33 has the maximum height roughness Rz. In FIG. 2, the upper surface 33a has a larger maximum height roughness Rz than the lower surface 33b.

トンネルバリア層３３のＺ軸方向の厚さをｔとしたとき、Ｚ軸方向に沿った磁気抵抗層３０の断面のうちの少なくとも１つの断面において、Ｒｚ／ｔ＜１である。トンネルバリア層３３のＺ軸方向の厚さｔは、上面３３ａの最大高さ粗さＲｚ１が、最大高さ粗さＲｚであるときには、例えば、基準長さＬｒ１の範囲内においてトンネルバリア層３３のＺ軸方向の厚さを算術平均することによって求められる。トンネルバリア層３３のＺ軸方向の厚さｔは、例えば、ＴＥＭ（透過電子顕微鏡）、ＳＴＥＭ（走査型透過電子顕微鏡）又はＳＥＭ（走査電子顕微鏡）によって測定される。トンネルバリア層３３のＺ軸方向の厚さｔは、下面３３ｂの最大高さ粗さＲｚ２が、最大高さ粗さＲｚであるときには、例えば、基準長さＬｒ２の範囲内においてトンネルバリア層３３のＺ軸方向の厚さを算術平均することによって求められる。 When the thickness of the tunnel barrier layer 33 in the Z-axis direction is t, Rz/t<1 in at least one cross section of the magnetoresistive layer 30 along the Z-axis direction. When the maximum height roughness Rz1 of the upper surface 33a is the maximum height roughness Rz, the thickness t of the tunnel barrier layer 33 in the Z-axis direction is, for example, within the range of the reference length Lr1. It is obtained by arithmetically averaging the thickness in the Z-axis direction. The thickness t of the tunnel barrier layer 33 in the Z-axis direction is measured by, for example, TEM (transmission electron microscope), STEM (scanning transmission electron microscope) or SEM (scanning electron microscope). When the maximum height roughness Rz2 of the lower surface 33b is the maximum height roughness Rz, the thickness t of the tunnel barrier layer 33 in the Z-axis direction is, for example, within the range of the reference length Lr2. It is obtained by arithmetically averaging the thickness in the Z-axis direction.

本実施形態では、磁気抵抗層３０のＺ軸方向に沿った断面のうち、少なくとも互いに直交する２つの断面においてＲｚ／ｔ＜１であることが好ましく、磁気抵抗層３０のＺ軸方向に沿った実質的に全ての断面においてＲｚ／ｔ＜１であることがさらに好ましい。 In the present embodiment, it is preferable that among the cross sections of the magnetoresistive layer 30 along the Z-axis direction, at least two cross sections orthogonal to each other satisfy Rz/t<1, and the cross section along the Z-axis direction of the magnetoresistive layer 30 is preferable. More preferably, Rz/t<1 in substantially all the cross sections.

トンネルバリア層３３の上面３３ａ及び下面３３ｂの表面粗さは、磁気抵抗効果素子１のトンネルバリア層３３よりも下方の要素の上面（例えば、下部電極層２１の上面２１ａ（図１参照））の表面粗さにも起因する。そのため、トンネルバリア層３３の最大高さ粗さＲｚの大きさは、当該要素の上面（例えば上面２１ａ）の表面粗さ（例えば最大高さ粗さ）を制御することによって、所定の大きさに制御することができる。トンネルバリア層３３の最大高さ粗さＲｚの大きさは、当該要素の上面の最大高さ粗さの大きさと比較して、同程度であってもよいし、大きくてもよいし、小さくてもよい。 The surface roughness of the upper surface 33a and the lower surface 33b of the tunnel barrier layer 33 is the same as the upper surface of an element below the tunnel barrier layer 33 of the magnetoresistive effect element 1 (for example, the upper surface 21a of the lower electrode layer 21 (see FIG. 1)). It also depends on the surface roughness. Therefore, the size of the maximum height roughness Rz of the tunnel barrier layer 33 is set to a predetermined value by controlling the surface roughness (for example, the maximum height roughness) of the upper surface (for example, the upper surface 21a) of the element. Can be controlled. The magnitude of the maximum height roughness Rz of the tunnel barrier layer 33 may be the same, may be larger, or may be smaller than the magnitude of the maximum height roughness of the upper surface of the element. Good.

トンネルバリア層３３の最大高さ粗さＲｚは、例えば０．２ｎｍ以上、３．２ｎｍ以下であることが好ましく、０．６ｎｍ以上、１．８ｎｍ以下であることがさらに好ましい。トンネルバリア層３３のＺ軸方向の厚さは、例えば１ｎｍ以上、３．２ｎｍ以下であることが好ましく、１．６ｎｍ以上、２．２ｎｍ以下であることがさらに好ましい。 The maximum height roughness Rz of the tunnel barrier layer 33 is preferably, for example, 0.2 nm or more and 3.2 nm or less, and more preferably 0.6 nm or more and 1.8 nm or less. The thickness of the tunnel barrier layer 33 in the Z-axis direction is, for example, preferably 1 nm or more and 3.2 nm or less, and more preferably 1.6 nm or more and 2.2 nm or less.

図２に示されるように、トンネルバリア層３３は、少なくとも一つのアモルファス領域６１と、少なくとも一つの結晶化領域６２とを含む。アモルファス領域６１と結晶化領域６２とは、互いに、例えば、境界３３ｅによって区分けされることができる。トンネルバリア層３３は、実質的に少なくとも一つのアモルファス領域６１と少なくとも一つの結晶化領域６２のみで構成されてもよい。アモルファス領域６１と結晶化領域６２は、実質的に同じ組成を有するが、実質的に異なる組成を有していてもよい。 As shown in FIG. 2, the tunnel barrier layer 33 includes at least one amorphous region 61 and at least one crystallized region 62. The amorphous region 61 and the crystallized region 62 can be separated from each other, for example, by a boundary 33e. The tunnel barrier layer 33 may be substantially composed of at least one amorphous region 61 and at least one crystallized region 62. The amorphous region 61 and the crystallized region 62 have substantially the same composition, but may have substantially different compositions.

アモルファス領域６１は、トンネルバリア層３３内に少なくとも一つ含まれる。アモルファス領域６１の数は、トンネルバリア層３３全体の中において、例えば、２であってよく、また、５であってもよい。結晶化領域６２は、トンネルバリア層３３内に少なくとも一つ含まれる。結晶化領域６２の数は、トンネルバリア層３３全体の中において、例えば、２であってよく、また、５であってもよい。トンネルバリア層３３全体の中において、アモルファス領域６１の数と、結晶化領域６２の数とは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。 At least one amorphous region 61 is included in the tunnel barrier layer 33. The number of the amorphous regions 61 may be, for example, 2 or 5 in the entire tunnel barrier layer 33. At least one crystallized region 62 is included in the tunnel barrier layer 33. The number of the crystallized regions 62 may be, for example, 2 or 5 in the entire tunnel barrier layer 33. In the entire tunnel barrier layer 33, the number of amorphous regions 61 and the number of crystallized regions 62 may be the same or different.

トンネルバリア層３３の結晶構造の特定には、ＴＥＭおよびＳＴＥＭを使った局所電子回折法を用いることができる。局所電子回折法は、ナノメートルスケールまで電子線を絞った場合はナノビーム電子回折法、サブナノメートルスケールまで電子線を絞った場合はオングストローム電子回折法と呼ばれることもある。トンネルバリア層３３の局所的な領域が結晶化している場合、対応する電子回折像はスポットパターンとなり、トンネルバリア層３３の局所的な領域がアモルファスの場合は、対応する電子回折像はハローパターンとなる。そのため、局所電子回折法によれば、トンネルバリア層３３の局所的な領域が結晶化しているか、又はアモルファス化しているかを判別することができる。 A local electron diffraction method using TEM and STEM can be used to specify the crystal structure of the tunnel barrier layer 33. The local electron diffraction method is sometimes called a nanobeam electron diffraction method when the electron beam is narrowed down to the nanometer scale, and is called an angstrom electron diffraction method when the electron beam is narrowed down to the sub-nanometer scale. When the local region of the tunnel barrier layer 33 is crystallized, the corresponding electron diffraction image becomes a spot pattern, and when the local region of the tunnel barrier layer 33 is amorphous, the corresponding electron diffraction image becomes a halo pattern. Become. Therefore, according to the local electron diffraction method, it is possible to determine whether the local region of the tunnel barrier layer 33 is crystallized or amorphous.

上述のような磁気抵抗効果素子１においては、トンネルバリア層３３の上面３３ａ及び／又は下面３３ｂが最大高さ粗さＲｚを有する。そのため、上面３３ａ及び／又は下面３３ｂが実質的に平坦である場合と比較して、上面３３ａ及び／又は下面３３ｂの面積が増加するため、磁気抵抗効果素子１のＲＡ（ＸＹ平面における単位面積当たりの抵抗値）が高くなる。さらに、トンネルバリア層３３が、少なくとも一つのアモルファス領域６１を含むため、当該領域が結晶化している場合と比較して、磁気抵抗効果素子１のＲＡが高くなる。また、トンネルバリア層３３においてＲｚ／ｔ＜１が満たされるため、トンネルバリア層３３の厚さｔに対して上面３３ａの最大高さ粗さＲｚが過剰となることに起因するＭＲ比の低減を防止できる。これにより、本実施形態の磁気抵抗効果素子１によれば、ＭＲ比の低減を抑制しつつ、高いＲＡを実現することができる。 In the magnetoresistive effect element 1 as described above, the upper surface 33a and/or the lower surface 33b of the tunnel barrier layer 33 have the maximum height roughness Rz. Therefore, as compared with the case where the upper surface 33a and/or the lower surface 33b are substantially flat, the area of the upper surface 33a and/or the lower surface 33b is increased, so that RA (per unit area in the XY plane) of the magnetoresistive effect element 1 is increased. Resistance value of) becomes high. Further, since the tunnel barrier layer 33 includes at least one amorphous region 61, the RA of the magnetoresistive effect element 1 is higher than that in the case where the region is crystallized. In addition, since Rz/t<1 is satisfied in the tunnel barrier layer 33, the MR ratio is reduced due to the maximum height roughness Rz of the upper surface 33a being excessive with respect to the thickness t of the tunnel barrier layer 33. It can be prevented. As a result, according to the magnetoresistive effect element 1 of the present embodiment, it is possible to realize a high RA while suppressing the reduction of the MR ratio.

本実施形態の磁気抵抗効果素子１のトンネルバリア層３３において、０．１＜Ｒｚ／ｔであることが好ましく、０．３２＜Ｒｚ／ｔであることがさらに好ましい。これにより、上面３３ａの面積が十分に増加するため、磁気抵抗効果素子１のＲＡを十分に高くすることができる。このＲｚ／ｔの下限値に関する条件は、上述のＲｚ／ｔの上限値に関する条件と同様に、Ｚ軸方向に沿った磁気抵抗層３０の断面のうちの少なくとも１つの断面において満たされればよく、磁気抵抗層３０のＺ軸方向に沿った断面のうち、少なくとも互いに直交する２つの断面において満たされることが好ましく、磁気抵抗層３０のＺ軸方向に沿った実質的に全ての断面において満たされることがさらに好ましい。 In the tunnel barrier layer 33 of the magnetoresistive effect element 1 of the present embodiment, 0.1<Rz/t is preferable, and 0.32<Rz/t is more preferable. As a result, the area of the upper surface 33a is sufficiently increased, so that the RA of the magnetoresistive effect element 1 can be sufficiently increased. The condition regarding the lower limit value of Rz/t may be satisfied in at least one cross section of the cross sections of the magnetoresistive layer 30 along the Z-axis direction, similarly to the above condition regarding the upper limit value of Rz/t, Of the cross sections of the magnetoresistive layer 30 along the Z-axis direction, it is preferable that at least two cross sections that are orthogonal to each other are satisfied, and substantially all the cross sections of the magnetoresistive layer 30 along the Z-axis direction are satisfied. Is more preferable.

図２では、トンネルバリア層３３内において、アモルファス領域６１と結晶化領域６２とが、トンネルバリア層３３の概ね面内方向（ＸＹ面内方向）に並んだ例が示されているが、アモルファス領域６１と結晶化領域６２とは、積層方向（Ｚ軸方向）に並んでもよい。例えば、トンネルバリア層３３内において、アモルファス領域６１の上に結晶化領域６２が並んでいてもよく、例えば、アモルファス領域６１、結晶化領域６２、及びアモルファス領域６１がこの順に積層方向に並んでいてもよい。 2 shows an example in which the amorphous region 61 and the crystallized region 62 are arranged in the tunnel barrier layer 33 substantially in the in-plane direction (XY plane direction) of the tunnel barrier layer 33. The 61 and the crystallized region 62 may be arranged in the stacking direction (Z-axis direction). For example, in the tunnel barrier layer 33, the crystallized region 62 may be arranged on the amorphous region 61. For example, the amorphous region 61, the crystallized region 62, and the amorphous region 61 are arranged in this order in the stacking direction. Good.

トンネルバリア層３３のＺ軸方向に沿った断面のうちの少なくとも１つの断面（好ましくはトンネルバリア層３３のＺ軸方向に沿った断面のうち、少なくとも互いに直交する２つの断面、さらに好ましくはトンネルバリア層３３のＺ軸方向に沿った実質的に全ての断面）において、トンネルバリア層３３全体の面積に占める少なくとも一つの結晶化領域６２の面積の割合は、５％より大きく、かつ、６５％より小さいことが好ましく、２０％より大きく、かつ、５０％より小さいことがさらに好ましい。 At least one cross-section of the tunnel barrier layer 33 along the Z-axis direction (preferably at least two cross-sections of the cross-section along the Z-axis direction of the tunnel barrier layer 33, more preferably a tunnel barrier). In substantially all the cross section of the layer 33 along the Z-axis direction), the ratio of the area of the at least one crystallization region 62 to the entire area of the tunnel barrier layer 33 is larger than 5% and larger than 65%. It is preferably small, more preferably larger than 20% and smaller than 50%.

当該面積割合が５％（好ましくは２０％）より大きい場合、アモルファス領域６１の割合が過大となることに基づくＭＲ比の低減を抑制できる。また、当該面積の割合が６５％（好ましくは５０％）より小さい場合、アモルファス領域６１の割合が十分に大きくなるため、トンネルバリア層３３の一部を結晶化させるためのプロセス処理により生じるおそれのある第一の強磁性層３１及び第二の強磁性層３２の少なくとも一つの劣化によるＭＲ比の低減が防止されると共に、ＲＡが十分に高くなる。少なくとも１つの結晶化領域６２の当該面積の割合は、例えば、トンネルバリア層３３を形成する際に行うアニール工程のアニール温度によって制御されることができ、少なくとも１つのアモルファス領域６１の当該面積の割合に比べて、大きくてもよく、ほぼ等しくてもよく、また、小さくてもよい。 When the area ratio is larger than 5% (preferably 20%), it is possible to suppress the reduction of the MR ratio due to the excessive ratio of the amorphous region 61. Further, when the area ratio is smaller than 65% (preferably 50%), the ratio of the amorphous region 61 becomes sufficiently large, which may be caused by the process treatment for crystallizing a part of the tunnel barrier layer 33. The reduction of the MR ratio due to the deterioration of at least one of the first ferromagnetic layer 31 and the second ferromagnetic layer 32 is prevented, and RA becomes sufficiently high. The proportion of the area of the at least one crystallized region 62 can be controlled by, for example, the annealing temperature of the annealing process performed when forming the tunnel barrier layer 33, and the proportion of the area of the at least one amorphous region 61. It may be large, substantially equal to or smaller than.

面内方向に沿った少なくとも１つの断面においても、トンネルバリア層３３全体の面積に占める少なくとも一つのアモルファス領域６１の面積の割合は、トンネルバリア層３３全体の面積に占める少なくとも一つの結晶化領域６２の面積の割合に比べて、大きくてもよく、ほぼ等しくてもよく、また、小さくてもよい。本実施形態では、少なくとも一つの結晶化領域６２の当該面積の割合は、５％より大きく、かつ、６５％より小さいことが好ましく、２０％より大きく、かつ、５０％より小さいことがさらに好ましい。 Even in at least one cross section along the in-plane direction, the area ratio of the at least one amorphous region 61 to the entire area of the tunnel barrier layer 33 is at least one crystallized region 62 to the entire area of the tunnel barrier layer 33. The area ratio may be larger, substantially equal to or smaller than the area ratio. In the present embodiment, the ratio of the area of the at least one crystallization region 62 is preferably larger than 5% and smaller than 65%, more preferably larger than 20% and smaller than 50%.

少なくとも一つのアモルファス領域６１は、トンネルバリア層３３の面内方向に沿った幅Ｗ６１を有し、少なくとも一つの結晶化領域６２は、トンネルバリア層３３の面内方向に沿った幅Ｗ６２を有する。アモルファス領域６１の幅Ｗ６１は、例えば、１ｎｍ以上、３０ｎｍ以下であり、結晶化領域６２の幅Ｗ６２は、例えば、０．１５ｎｍ以上、８ｎｍ未満である。本実施形態において、幅Ｗ６１及び幅Ｗ６２は、共に、面内方向（ＸＹ面内方向）に沿って規定される幅の最大値を示す。図２は、幅Ｗ６１及び幅Ｗ６２が、共にＸ軸方向に沿った幅の最大値である例を示している。 The at least one amorphous region 61 has a width W61 along the in-plane direction of the tunnel barrier layer 33, and the at least one crystallization region 62 has a width W62 along the in-plane direction of the tunnel barrier layer 33. The width W61 of the amorphous region 61 is, for example, 1 nm or more and 30 nm or less, and the width W62 of the crystallization region 62 is, for example, 0.15 nm or more and less than 8 nm. In the present embodiment, both the width W61 and the width W62 indicate the maximum value of the width defined along the in-plane direction (the XY in-plane direction). FIG. 2 shows an example in which the width W61 and the width W62 are both maximum values along the X-axis direction.

磁気抵抗効果素子１では、結晶化領域６２の幅Ｗ６２が８ｎｍ未満であってもよいので、トンネルバリア層３３の結晶化領域６２において、トンネルバリア層３３と、第一の強磁性層３１及び第二の強磁性層３２の少なくとも一つとの格子不整合が生じた場合も、格子不整合が生じる領域を小さくすることができる。その結果、磁気抵抗効果素子１は、より高いＭＲ比を有することができる。当該効果は、結晶化領域６２の幅Ｗ６２が５ｎｍ未満であるとき、より顕著に発揮される。 In the magnetoresistive effect element 1, since the width W62 of the crystallization region 62 may be less than 8 nm, in the crystallization region 62 of the tunnel barrier layer 33, the tunnel barrier layer 33, the first ferromagnetic layer 31, and the first ferromagnetic layer 31 Even when a lattice mismatch with at least one of the second ferromagnetic layers 32 occurs, the region where the lattice mismatch occurs can be made small. As a result, the magnetoresistive effect element 1 can have a higher MR ratio. The effect is more remarkably exhibited when the width W62 of the crystallized region 62 is less than 5 nm.

少なくとも一つのアモルファス領域６１は、Ｚ軸方向に沿った高さＨ６１を有し、少なくとも一つの結晶化領域６２は、Ｚ軸方向に沿った高さＨ６２を有する。アモルファス領域６１の高さＨ６１は、例えば、０．２ｎｍ以上、３ｎｍ以下であり、結晶化領域６２の高さＨ６２は、例えば、０．２ｎｍ以上、３ｎｍ以下である。 At least one amorphous region 61 has a height H61 along the Z-axis direction and at least one crystallized region 62 has a height H62 along the Z-axis direction. The height H61 of the amorphous region 61 is, for example, 0.2 nm or more and 3 nm or less, and the height H62 of the crystallization region 62 is, for example, 0.2 nm or more and 3 nm or less.

本実施形態では、少なくとも一つの結晶化領域６２は、Ｚ軸方向に（００１）面が配向した結晶構造を有してもよい。磁気抵抗効果素子１は、この（００１）面が配向した結晶化領域６２によって、高いコヒーレントトンネル効果を得ることができて、その結果、高いＭＲ比を有することができる。この効果は、結晶化領域６２が、ＭｇＯ、ＭｇＡｌ２Ｏ４、γ−アルミナで構成されるときに、特に顕著に発揮される。 In this embodiment, at least one crystallization region 62 may have a crystal structure in which the (001) plane is oriented in the Z-axis direction. The magnetoresistive effect element 1 can obtain a high coherent tunnel effect by the crystallized region 62 having the (001) plane oriented, and as a result, can have a high MR ratio. This effect is particularly remarkable when the crystallized region 62 is composed of MgO, MgAl 2 O 4 , and γ-alumina.

少なくとも一つの結晶化領域６２の少なくとも一部は、第一の強磁性層３１及び第二の強磁性層３２の少なくとも一つと格子整合してもよい。これにより、高いコヒーレントトンネル効果を得ることができる。磁気抵抗効果素子１は、より高いＭＲ比を有することができる。磁気抵抗効果素子１において、結晶化領域６２が第一の強磁性層３１及び第二の強磁性層３２と格子整合していることは、例えば、構造観察によって得られた格子像を逆フーリエ変換した像によって確認できる。 At least a portion of the at least one crystallized region 62 may be lattice matched to at least one of the first ferromagnetic layer 31 and the second ferromagnetic layer 32. Thereby, a high coherent tunnel effect can be obtained. The magnetoresistive effect element 1 can have a higher MR ratio. In the magnetoresistive element 1, the fact that the crystallized region 62 is lattice-matched with the first ferromagnetic layer 31 and the second ferromagnetic layer 32 means that, for example, the lattice image obtained by the structure observation is subjected to the inverse Fourier transform. It can be confirmed by the image.

トンネルバリア層３３は、次の式（１）で表されるスピネル構造を有する酸化物材料を含むことができる。
Ａ１−ｘＢｘＯｙ …（１）
式（１）中、Ａは、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｃｄ、Ｌｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｈｇ、及びＶからなる群より選択される少なくとも一種の元素を表し、Ｂは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｇｅ、及びＣｏからなる群より選択される少なくとも一種の元素を表す。また、０＜ｘ≦１、及び、０．３５≦ｙ≦１．７であり、Ｏは酸素を表す。尚、上記スピネル構造には、式（１）のＡとＢとの原子配列が不規則化した不規則化スピネル構造も含まれる。 The tunnel barrier layer 33 can include an oxide material having a spinel structure represented by the following formula (1).
A 1-x B x O y (1)
In the formula (1), A represents at least one element selected from the group consisting of Mg, Zn, Cu, Cd, Li, Ni, Co, Fe, Mn, Cr, Hg, and V, and B is It represents at least one element selected from the group consisting of Al, Ga, In, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Rh, Ir, Ge, and Co. Further, 0<x≦1 and 0.35≦y≦1.7, and O represents oxygen. The spinel structure also includes a disordered spinel structure in which the atomic arrangement of A and B in formula (1) is disordered.

この場合、トンネルバリア層３３の結晶化領域６２において、第一の強磁性層３１及び第二の強磁性層３２との格子不整合をより小さくすることができる。何故なら、トンネルバリア層３３の結晶化領域６２の格子定数と、第一の強磁性層３１及び第二の強磁性層３２の格子定数とのミスマッチを小さくすることができるからである。 In this case, in the crystallized region 62 of the tunnel barrier layer 33, the lattice mismatch between the first ferromagnetic layer 31 and the second ferromagnetic layer 32 can be further reduced. This is because the mismatch between the lattice constant of the crystallized region 62 of the tunnel barrier layer 33 and the lattice constant of the first ferromagnetic layer 31 and the second ferromagnetic layer 32 can be reduced.

式（１）において、Ａは、Ｍｇを表し、Ｂは、Ａｌを表してもよい。この構成によって、トンネルバリア層３３が大きなＭＲ比を実現するための機能を十分に発揮できる。 In Formula (1), A may represent Mg and B may represent Al. With this configuration, the tunnel barrier layer 33 can sufficiently exert the function for realizing a large MR ratio.

また、式（１）において、０＜ｘ＜０．５であってもよい。これにより、トンネルバリア層３３が大きなＭＲ比を実現するための機能を更に十分に発揮できる。 Further, in the formula (1), 0<x<0.5 may be satisfied. As a result, the tunnel barrier layer 33 can more sufficiently exert the function for realizing a large MR ratio.

また、式（１）において、０＜ｘ＜０．５、及び、１≦ｙ≦１．３３であってもよい。この場合、トンネルバリア層３３が大きなＭＲ比を実現するための機能を更に十分に発揮できる。 Further, in the formula (1), 0<x<0.5 and 1≦y≦1.33 may be satisfied. In this case, the tunnel barrier layer 33 can more sufficiently exert the function for realizing a large MR ratio.

トンネルバリア層３３は、上述の式（１）で表されるスピネル構造を有する酸化物材料の他に、ＭｇＯまたはγ−アルミナで構成されることができる。 The tunnel barrier layer 33 can be made of MgO or γ-alumina in addition to the oxide material having the spinel structure represented by the above formula (1).

磁気抵抗層３０では、第一の強磁性層３１、第二の強磁性層３２、及びトンネルバリア層３３の少なくとも一つは、双晶を含んでもよい。これにより、トンネルバリア層３３の上面３３ａ及び下面３３ｂが粗さを有することに起因してこれらの層の界面近傍に生じ得る歪を、この双晶によって緩和することができる。その結果、トンネルバリア層３３と、第一の強磁性層３１及び／又は第二の強磁性層３２との界面における格子歪が緩和される。 In the magnetoresistive layer 30, at least one of the first ferromagnetic layer 31, the second ferromagnetic layer 32, and the tunnel barrier layer 33 may include twins. This allows the twinning to relax the strain that may occur near the interface between these layers due to the roughness of the upper surface 33a and the lower surface 33b of the tunnel barrier layer 33. As a result, the lattice strain at the interface between the tunnel barrier layer 33 and the first ferromagnetic layer 31 and/or the second ferromagnetic layer 32 is relaxed.

上記双晶は、面心立方格子構造を有し、その双晶面は、（１１１）面である、又は上記双晶は体心立方格子構造を有し、その双晶面は、（１１２）面であってもよい。双晶が、当該双晶の結晶構造の種類に応じて適切な双晶面を有することができるので、トンネルバリア層３３と、第一の強磁性層３１及び／又は第二の強磁性層３２との界面における格子歪がさらに緩和される。磁気抵抗効果素子１は、より高いＭＲ比を有することができる。 The twin has a face-centered cubic lattice structure, the twin plane is a (111) plane, or the twin has a body-centered cubic lattice structure, and the twin plane is a (112) plane. It may be a surface. Since the twin crystal can have an appropriate twin plane depending on the type of the crystal structure of the twin crystal, the tunnel barrier layer 33 and the first ferromagnetic layer 31 and/or the second ferromagnetic layer 32. The lattice strain at the interface with and is further relaxed. The magnetoresistive effect element 1 can have a higher MR ratio.

第一の強磁性層３１及び第二の強磁性層３２の少なくとも一つは、トンネルバリア層３３と接するＣｏｚＦｅ１００−z（０＜ｚ＜８０）からなる領域を有してもよい。これにより、当該領域のスピン分極率が高くなると共に、当該領域とトンネルバリア層３３との間の格子不整合を小さくすることができる。 At least one of the first ferromagnetic layer 31 and the second ferromagnetic layer 32 may have a region made of Co z Fe 100-z (0<z<80) in contact with the tunnel barrier layer 33. As a result, the spin polarizability of the region is increased and the lattice mismatch between the region and the tunnel barrier layer 33 can be reduced.

図３は、図１に示される領域Ｅ１の他の例を拡大して示す図であり、磁気抵抗層３０の積層方向（Ｚ軸方向）に沿った断面のうちの一つの他の例を示す図である。 FIG. 3 is an enlarged view showing another example of the region E1 shown in FIG. 1, and shows another example of one of the cross sections along the stacking direction (Z-axis direction) of the magnetoresistive layer 30. It is a figure.

図３に示すトンネルバリア層３３は、アモルファス領域６１と結晶化領域６２との間に介在領域６３をさらに有する点において、図２に示すトンネルバリア層３３と異なる。介在領域６３は、トンネルバリア層３３を構成する材料のうち、結晶化もアモルファス化もしていない材料で構成される。アモルファス領域６１と介在領域６３とは、互いに、例えば、境界６１ａによって区分けされ、結晶化領域６２と介在領域６３とは、互いに、例えば、境界６２ａによって区分けされることができる。 The tunnel barrier layer 33 shown in FIG. 3 differs from the tunnel barrier layer 33 shown in FIG. 2 in that it further includes an intervening region 63 between the amorphous region 61 and the crystallized region 62. The intervening region 63 is made of a material of the tunnel barrier layer 33 which is neither crystallized nor amorphous. The amorphous region 61 and the intervening region 63 can be separated from each other, for example, by a boundary 61a, and the crystallized region 62 and the intervening region 63 can be separated from each other, for example, by a boundary 62a.

図３のトンネルバリア層３３は、アモルファス領域６１と結晶化領域６２との間に介在領域６３を有することを除いて、図２のトンネルバリア層３３と同様の構造を有することができる。図３のトンネルバリア層３３は、上面３３ａと、上面３３ａの反対側に位置する下面３３ｂとを有する。トンネルバリア層３３の上面３３ａは、表面粗さとしての最大高さ粗さＲｚ１を有する。上面３３ａは、当該表面粗さに起因して、例えば、一つ又は複数の突起３３ｃと一つ又は複数の窪み３３ｄとを有する。トンネルバリア層３３の下面３３ｂは、上面３３ａと同様に、表面粗さを有し、当該表面粗さに起因して、例えば、一つ又は複数の突起３３ｆと一つ又は複数の窪み３３ｇとを有する。 The tunnel barrier layer 33 of FIG. 3 can have the same structure as the tunnel barrier layer 33 of FIG. 2, except that the tunnel barrier layer 33 has an interposition region 63 between the amorphous region 61 and the crystallized region 62. The tunnel barrier layer 33 of FIG. 3 has an upper surface 33a and a lower surface 33b located on the opposite side of the upper surface 33a. The upper surface 33a of the tunnel barrier layer 33 has the maximum height roughness Rz1 as the surface roughness. Due to the surface roughness, the upper surface 33a has, for example, one or a plurality of protrusions 33c and one or a plurality of depressions 33d. The lower surface 33b of the tunnel barrier layer 33 has a surface roughness like the upper surface 33a, and due to the surface roughness, for example, one or a plurality of protrusions 33f and one or a plurality of depressions 33g are formed. Have.

本実施形態において、磁気抵抗効果素子１は、例えば、スパッタ法及び電子ビーム蒸着法といった製造方法によって基板１０上に下地層２０からキャップ層４０までの各層を形成することにより作製される。各層の形成時には、必要に応じて熱処理を行っても良いし、また、さらに必要に応じて、一方向磁気異方性を付与するための磁場印加処理を行っても良い。磁場印加処理の際には適宜熱処理を同時に行っても良い。また、磁気抵抗効果素子１は、電子線等を用いたリソグラフィーおよびＡｒイオン等を用いたドライエッチングにより、磁気抵抗特性を評価可能な形状に微細加工されてもよい。磁気抵抗効果素子１は、積層方向（各層の膜面に垂直な方向、Ｚ軸方向）に沿って検出用電流が流されるＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）構造の磁気抵抗効果素子である。 In the present embodiment, the magnetoresistive effect element 1 is manufactured by forming each layer from the underlayer 20 to the cap layer 40 on the substrate 10 by a manufacturing method such as a sputtering method and an electron beam evaporation method. At the time of forming each layer, heat treatment may be performed if necessary, and further, a magnetic field application process for imparting unidirectional magnetic anisotropy may be performed if necessary. In the magnetic field applying process, the heat treatment may be appropriately performed at the same time. Further, the magnetoresistive effect element 1 may be finely processed into a shape capable of evaluating the magnetoresistive characteristic by lithography using an electron beam or the like and dry etching using Ar ions or the like. The magnetoresistive effect element 1 is a magnetoresistive effect element having a CPP (Current Perpendicular to Plane) structure in which a detection current flows along the stacking direction (direction perpendicular to the film surface of each layer, Z-axis direction).

本実施形態に係る磁気抵抗効果素子を製造する方法は、下地層２０上に第一の強磁性層３１を形成する工程と、第一の強磁性層３１上にトンネルバリア層３３を形成する工程と、トンネルバリア層３３上に第二の強磁性層３２を形成する工程とを有する。 The method of manufacturing the magnetoresistive effect element according to the present embodiment includes a step of forming a first ferromagnetic layer 31 on the underlayer 20 and a step of forming a tunnel barrier layer 33 on the first ferromagnetic layer 31. And a step of forming the second ferromagnetic layer 32 on the tunnel barrier layer 33.

第一の強磁性層３１を形成する工程は、スパッタ法によって実行することができて、この工程では、下地層２０上に、例えば、ＣｏＦｅＢ層及びＣｏＦｅ層からなる２層積層体が形成される。 The step of forming the first ferromagnetic layer 31 can be performed by a sputtering method, and in this step, for example, a two-layer laminated body including a CoFeB layer and a CoFe layer is formed on the underlayer 20. ..

トンネルバリア層３３を形成する工程は、例えばスパッタ法によって、第一の強磁性層３１上にＭｇＡｌ合金層を形成する工程と、このＭｇＡｌ合金層を酸化して、少なくとも一つのアモルファス領域６１と、例えばＭｇ１−ｘＡｌｘＯｙ（０＜ｘ≦１、０．３５≦ｙ≦１．７）で表されるスピネル構造からなる少なくとも一つの結晶化領域６２とを含むトンネルバリア層３３を形成する工程とを含む。この工程によって形成されたトンネルバリア層３３において、その上面３３ａの最大高さ粗さＲｚ１及び下面３３ｂの最大高さ粗さＲｚ２のうち、より大きな最大高さ粗さをＲｚとし、トンネルバリア層３３の厚さをｔとしたとき、積層方向に沿った断面において、Ｒｚ／ｔ＜１である。 The step of forming the tunnel barrier layer 33 includes a step of forming a MgAl alloy layer on the first ferromagnetic layer 31 by, for example, a sputtering method, and a step of oxidizing the MgAl alloy layer to form at least one amorphous region 61. For example, the tunnel barrier layer 33 including at least one crystallization region 62 having a spinel structure represented by Mg 1-x Al x O y (0<x≦1, 0.35≦y≦1.7) is formed. And the step of performing. In the tunnel barrier layer 33 formed by this step, of the maximum height roughness Rz1 of the upper surface 33a and the maximum height roughness Rz2 of the lower surface 33b, the larger maximum height roughness is Rz, and the tunnel barrier layer 33 is formed. Rz/t<1 in the cross section along the stacking direction, where t is the thickness.

また、上記ＭｇＡｌ合金層を酸化する工程は、ラジカル酸化、プラズマ酸化、オゾン酸化、及び自然酸化の少なくとも一つによって上記ＭｇＡｌ層を酸化する工程を含むことができる。この場合、上述のような所定の態様のトンネルバリア層３３を効率よく形成することができる。 Further, the step of oxidizing the MgAl alloy layer may include the step of oxidizing the MgAl layer by at least one of radical oxidation, plasma oxidation, ozone oxidation, and natural oxidation. In this case, it is possible to efficiently form the tunnel barrier layer 33 in the predetermined mode as described above.

第二の強磁性層を形成する工程は、例えば、スパッタ法によって行われ、この工程では、トンネルバリア層３３上に、例えば、ＣｏＦｅ層、ＣｏＦｅＢ層及びＣｏＦｅ層からなる３層積層体が形成される。 The step of forming the second ferromagnetic layer is performed by, for example, a sputtering method, and in this step, a three-layer laminated body including, for example, a CoFe layer, a CoFeB layer, and a CoFe layer is formed on the tunnel barrier layer 33. It

この磁気抵抗効果素子を作製する方法によれば、ＭＲ比の低減を抑制しつつ、高いＲＡを有する磁気抵抗効果素子１を製造できる。 According to the method of manufacturing the magnetoresistive effect element, the magnetoresistive effect element 1 having a high RA can be manufactured while suppressing the reduction of the MR ratio.

以下、本発明の実施例および比較例により、さらに磁気抵抗効果素子について説明するが、本発明は下記例に制限されない。 Hereinafter, the magnetoresistive effect element will be further described with reference to Examples and Comparative Examples of the present invention, but the present invention is not limited to the following examples.

（実施例１）
実施例１として、図１に示す実施形態の磁気抵抗効果素子１と同様の構成を有する磁気抵抗効果素子を作製した。実施例１に係る説明では、磁気抵抗効果素子１に係る説明のために用いられた符号を援用する。なお、実施例２以降の実施例、及び比較例においても、同様に、磁気抵抗効果素子１に係る説明のために用いられた符号を援用する。 (Example 1)
As Example 1, a magnetoresistive effect element having the same configuration as the magnetoresistive effect element 1 of the embodiment shown in FIG. 1 was produced. In the description of the first embodiment, the reference numerals used for the description of the magnetoresistive effect element 1 are used. In addition, the reference numerals used for the description of the magnetoresistive effect element 1 are similarly applied to Examples 2 and subsequent Examples and Comparative Examples.

実施例１では、以下のような手順によって磁気抵抗効果素子１を作製した。初めに、Ｓｉからなる基板１０を準備した。基板１０上には、熱酸化珪素膜を設けた。熱酸化珪素膜が設けられた基板１０を、マグネトロンスパッタ装置内に設置し、下地層２０の下部電極層２１を形成した。下部電極層２１は、Ｔａ層（厚さ５ｎｍ）、Ｒｕ層（厚さ１００ｎｍ）、及びＴａ層（厚さ３０ｎｍ）をこの順に積層した３層積層体からなる。下部電極層２１の形成時の温度は、室温とした。 In Example 1, the magnetoresistive effect element 1 was manufactured by the following procedure. First, the substrate 10 made of Si was prepared. A thermal silicon oxide film was provided on the substrate 10. The substrate 10 provided with the thermally oxidized silicon film was placed in a magnetron sputtering apparatus to form the lower electrode layer 21 of the underlayer 20. The lower electrode layer 21 is composed of a three-layer laminated body in which a Ta layer (thickness 5 nm), a Ru layer (thickness 100 nm), and a Ta layer (thickness 30 nm) are laminated in this order. The temperature at the time of forming the lower electrode layer 21 was room temperature.

下部電極層２１を形成した基板１０をマグネトロンスパッタ装置から取り出して、ＣＭＰ装置に設置した。ＣＭＰ装置を用いて、下部電極層２１の上面が所望の粗さになるように、当該上面を研磨した。研磨のためのスラリーには、アルミナを用いた。研磨時間は、６０秒とした。 The substrate 10 having the lower electrode layer 21 formed thereon was taken out from the magnetron sputtering apparatus and placed in the CMP apparatus. The upper surface of the lower electrode layer 21 was polished using a CMP apparatus so that the upper surface had a desired roughness. Alumina was used as the slurry for polishing. The polishing time was 60 seconds.

ＣＭＰ研磨の後、基板１０をマグネトロンスパッタ装置内に再び設置し、スパッタ法によって、研磨後の下部電極層２１上にバッファ層２２を形成した。バッファ層２２は、Ｔａ層（厚さ２ｎｍ）及びＲｕ層（厚さ２ｎｍ）からなる２層積層体とした。バッファ層２２の形成時の温度は、室温とした。 After the CMP polishing, the substrate 10 was set again in the magnetron sputtering apparatus, and the buffer layer 22 was formed on the polished lower electrode layer 21 by the sputtering method. The buffer layer 22 was a two-layer laminated body including a Ta layer (thickness 2 nm) and a Ru layer (thickness 2 nm). The temperature at the time of forming the buffer layer 22 was room temperature.

次に、下地層２０のバッファ層２２上に、スパッタ法によって磁気抵抗層３０を形成した。磁気抵抗層３０の形成では、初めに、磁化自由層としての第一の強磁性層３１を形成した。第一の強磁性層３１は、ＣｏＦｅＢ層（厚さ３ｎｍ）及びＣｏＦｅ層（厚さ１ｎｍ）からなる２層積層体とした。第一の強磁性層３１の形成時の温度は、室温とした。第一の強磁性層３１を形成した後の熱処理は行わなかった。 Next, the magnetoresistive layer 30 was formed on the buffer layer 22 of the underlayer 20 by the sputtering method. In forming the magnetoresistive layer 30, first, the first ferromagnetic layer 31 as a magnetization free layer was formed. The first ferromagnetic layer 31 was a two-layer laminated body including a CoFeB layer (thickness 3 nm) and a CoFe layer (thickness 1 nm). The temperature at the time of forming the first ferromagnetic layer 31 was room temperature. No heat treatment was performed after forming the first ferromagnetic layer 31.

続いて、第一の強磁性層３１上に、トンネルバリア層３３を形成した。トンネルバリア層３３の形成では、初めに、第一の強磁性層３１上にＭｇＡｌ合金層を形成し、続いて、ＭｇＡｌ合金層を酸化した。ＭｇＡｌ合金層の形成は、スパッタ法によって行い、ＭｇＡｌ合金層の酸化は、自然酸化によった。アニール処理（温度３００℃）を１５分間行った後、ＭｇＡｌ２Ｏ４からなるトンネルバリア層３３が作製された。トンネルバリア層３３の厚さｔは、１．８０ｎｍとした。 Subsequently, the tunnel barrier layer 33 was formed on the first ferromagnetic layer 31. In forming the tunnel barrier layer 33, first, the MgAl alloy layer was formed on the first ferromagnetic layer 31, and subsequently, the MgAl alloy layer was oxidized. The MgAl alloy layer was formed by a sputtering method, and the MgAl alloy layer was oxidized by natural oxidation. After performing the annealing treatment (temperature 300° C.) for 15 minutes, the tunnel barrier layer 33 made of MgAl 2 O 4 was prepared. The thickness t of the tunnel barrier layer 33 was 1.80 nm.

次に、トンネルバリア層３３上に、ＳＡＦ構造の磁化固定層を形成した。磁化固定層は、第二の強磁性層３２としてのＣｏＦｅ層（厚さ１ｎｍ）、ＣｏＦｅＢ層（厚さ３ｎｍ）及びＣｏＦｅ層（厚さ１ｎｍ）からなる３層積層体、磁気結合層３６としてのＲｕ層（厚さ０．８ｎｍ）、第三の強磁性層３５としてのＣｏＦｅ層（厚さ３ｎｍ）、及び反強磁性層３４としてのＩｒＭｎ層（厚さ８ｎｍ）からなる多層積層体とした。磁化固定層の形成時の温度は、室温とした。磁化固定層を形成した後の熱処理は行わなかった。磁化固定層の形成によって、磁気抵抗層３０が作製された。 Next, the magnetization fixed layer having the SAF structure was formed on the tunnel barrier layer 33. The magnetization fixed layer is a three-layer laminated body including a CoFe layer (thickness 1 nm), a CoFeB layer (thickness 3 nm) and a CoFe layer (thickness 1 nm) as the second ferromagnetic layer 32, and a magnetic coupling layer 36 as the magnetic coupling layer 36. A multi-layered structure including a Ru layer (thickness 0.8 nm), a CoFe layer (thickness 3 nm) as the third ferromagnetic layer 35, and an IrMn layer (thickness 8 nm) as the antiferromagnetic layer 34 was obtained. The temperature at the time of forming the magnetization fixed layer was room temperature. No heat treatment was performed after forming the magnetization fixed layer. The magnetoresistive layer 30 was produced by forming the magnetization fixed layer.

磁気抵抗層３０の作製後、磁気抵抗層３０の磁化固定層上に、キャップ層４０を形成した。キャップ層４０は、Ｒｕ層（厚さ３ｎｍ）及びＴａ層（厚さ５ｎｍ）を含む２層積層体とした。キャップ層４０の形成時の温度は、室温とした。キャップ層４０を形成した後の熱処理は行わなかった。 After the production of the magnetoresistive layer 30, the cap layer 40 was formed on the magnetization fixed layer of the magnetoresistive layer 30. The cap layer 40 was a two-layer laminated body including a Ru layer (thickness 3 nm) and a Ta layer (thickness 5 nm). The temperature at the time of forming the cap layer 40 was room temperature. The heat treatment after forming the cap layer 40 was not performed.

キャップ層４０の形成後に、磁場中熱処理を行い、反強磁性層３４としてのＩｒＭｎ層と第三の強磁性層３５とを交換結合させることにより、第三の強磁性層３５としてのＣｏＦｅ層及び第二の強磁性層３２としてのＣｏＦｅ層、ＣｏＦｅＢ層及びＣｏＦｅ層からなる３層積層体に対して一方向磁気異方性を付与した。この磁場中熱処理においては、熱処理温度を３００℃とし、熱処理時間を３時間とし、印加磁場の強度を１０ｋＯｅ（７９８ｋＡ／ｍ）とした。この磁場中熱処理によって、実施例１に係る磁気抵抗効果素子１の作製が完了した。 After forming the cap layer 40, heat treatment is performed in a magnetic field to exchange-couple the IrMn layer as the antiferromagnetic layer 34 and the third ferromagnetic layer 35, and thereby the CoFe layer as the third ferromagnetic layer 35 and the Unidirectional magnetic anisotropy was imparted to the three-layered laminate including the CoFe layer, the CoFeB layer, and the CoFe layer as the second ferromagnetic layer 32. In the heat treatment in the magnetic field, the heat treatment temperature was 300° C., the heat treatment time was 3 hours, and the strength of the applied magnetic field was 10 kOe (798 kA/m). By this heat treatment in the magnetic field, the manufacture of the magnetoresistive effect element 1 according to Example 1 was completed.

（ＭＲ比の測定）
図４は、実施例１に係る磁気抵抗効果素子のＭＲ比を測定できる磁気抵抗デバイスを示す図である。磁気抵抗デバイス５０は、第１電極層５１と、当該第１電極層５１と共に磁気抵抗効果素子１を挟む第２電極層５２とを備える。磁気抵抗効果素子１は、磁気抵抗特性の測定に適する形状に微細加工した。第１電極層５１が磁気抵抗効果素子１の基板１０上の下地層２０に接続され、第２電極層５２が磁気抵抗効果素子１のキャップ層４０に接続されている。磁気抵抗デバイス５０は、電源５３と電圧計５４とを更に備え、電源５３及び電圧計５４が、共に、第１電極層５１及び第２電極層５２に接続されている。電源５３によって磁気抵抗効果素子１に積層方向に電流を印加し、この際の磁気抵抗効果素子１への印加電圧を電圧計５４によってモニターすることができる。本実施例では、磁気抵抗効果素子１に積層方向に一定電流を流した状態で、外部から磁気抵抗効果素子１に磁場を掃引しながら磁気抵抗効果素子１への印加電圧を電圧計５４によってモニターすることにより、磁気抵抗効果素子１の抵抗変化を測定した。 (Measurement of MR ratio)
FIG. 4 is a diagram showing a magnetoresistive device capable of measuring the MR ratio of the magnetoresistive effect element according to the first embodiment. The magnetoresistive device 50 includes a first electrode layer 51 and a second electrode layer 52 that sandwiches the magnetoresistive effect element 1 together with the first electrode layer 51. The magnetoresistive effect element 1 was finely processed into a shape suitable for measuring the magnetoresistive characteristics. The first electrode layer 51 is connected to the underlayer 20 on the substrate 10 of the magnetoresistive effect element 1, and the second electrode layer 52 is connected to the cap layer 40 of the magnetoresistive effect element 1. The magnetoresistive device 50 further includes a power source 53 and a voltmeter 54, and the power source 53 and the voltmeter 54 are both connected to the first electrode layer 51 and the second electrode layer 52. A current can be applied to the magnetoresistive effect element 1 by the power supply 53 in the stacking direction, and the voltage applied to the magnetoresistive effect element 1 at this time can be monitored by the voltmeter 54. In the present embodiment, the voltage applied to the magnetoresistive effect element 1 is monitored by the voltmeter 54 while sweeping the magnetic field from the outside to the magnetoresistive effect element 1 while a constant current is applied to the magnetoresistive effect element 1. By doing so, the resistance change of the magnetoresistive effect element 1 was measured.

本実施例では、抵抗変化の測定結果から、磁気抵抗効果素子１のＭＲ比を算出した。ＭＲ比は、百分率で示され、下記の式（ｉ）によって算出できる。
ＭＲ比（％）＝（（ＲＡＰ−ＲＰ）／ＲＰ）×１００（％） …（ｉ）
この式（ｉ）において、ＲＡＰは、第一の強磁性層３１の磁化の向きと第二の強磁性層３２の磁化の向きとが反平行であるときの磁気抵抗効果素子１の抵抗の大きさである。また、ＲＰは、第一の強磁性層３１の磁化の向きと第二の強磁性層３２の磁化の向きとが平行であるときの磁気抵抗効果素子１の抵抗の大きさである。後述の他の実施例及び比較例においても、同様にＭＲ比の測定を行った。 In this example, the MR ratio of the magnetoresistive effect element 1 was calculated from the measurement result of the resistance change. The MR ratio is expressed as a percentage and can be calculated by the following formula (i).
MR ratio (%) = ((R AP -R P) / R P) × 100 (%) ... (i)
In this equation (i), RAP is the resistance of the magnetoresistive effect element 1 when the magnetization direction of the first ferromagnetic layer 31 and the magnetization direction of the second ferromagnetic layer 32 are antiparallel. The size. Further, R P is the magnitude of resistance of the magnetoresistive effect element 1 when the magnetization direction of the first ferromagnetic layer 31 and the magnetization direction of the second ferromagnetic layer 32 are parallel. The MR ratio was similarly measured in other Examples and Comparative Examples described later.

（ＲＡの測定）
実施例１では、磁気抵抗デバイス５０を用いて、磁気抵抗効果素子１の抵抗変化を測定し、その測定結果から、磁気抵抗効果素子１のＲＡ（面積抵抗）を測定した。本実施例では、磁気抵抗効果素子１の平面視形状の面積をＡとしたとき、式（ｉ）のＲｐに対して、Ａを乗じたＲｐＡをＲＡ（面積抵抗）と規定した。ＲＡは、印加されるバイアス電圧を磁気抵抗効果素子１の積層方向に流れた電流で割ることによって得られる抵抗値を、各層が接合される面の面積の逆数で割り、単位面積における抵抗値に規格化した数値である。ＲＡ（面積抵抗）の値は、３％以内の測定誤差を含む。後述の他の実施例及び比較例においても、同様にＲＡの測定を行った。 (RA measurement)
In Example 1, the resistance change of the magnetoresistive effect element 1 was measured using the magnetoresistive device 50, and the RA (area resistance) of the magnetoresistive effect element 1 was measured from the measurement result. In this embodiment, when the area of the planar shape of the magnetoresistive element 1 is A, with respect to R p of formula (i), the R p A multiplied by A was defined as RA (area resistance). RA is a resistance value obtained by dividing the applied bias voltage by the current flowing in the stacking direction of the magnetoresistive effect element 1 by the reciprocal of the area of the surface where each layer is joined, It is a standardized numerical value. The value of RA (area resistance) includes a measurement error within 3%. The RA was similarly measured in the other Examples and Comparative Examples described below.

（最大高さ粗さＲｚの測定）
本実施例では、積層方向に沿った断面のＴＥＭ観察によって、トンネルバリア層３３の上面３３ａの最大高さ粗さＲｚ１及び下面３３ｂの最大高さ粗さＲｚ２を測定した。これらの最大高さ粗さＲｚ１及び最大高さ粗さＲｚ２の測定は、ＪＩＳＢ ０６０１：２０１３規格に従って行い、基準長さＬｒ１及び基準長さＬｒ２は、共に、２０ｎｍとした。本実施例では、トンネルバリア層３３の上面３３ａの最大高さ粗さＲｚ１及び下面３３ｂの最大高さ粗さＲｚ２のうち、上面３３ａの最大高さ粗さＲｚ１がより大きな最大高さ粗さを示したので、上面３３ａの最大高さ粗さＲｚ１を最大高さ粗さＲｚとした。後述の他の実施例及び比較例においても、同様に最大高さ粗さＲｚの測定を行った。これら他の実施例及び比較例においても、上面３３ａの最大高さ粗さＲｚ１がより大きな最大高さ粗さを示したので、上面３３ａの最大高さ粗さＲｚ１を最大高さ粗さＲｚとした。 (Measurement of maximum height roughness Rz)
In this example, the maximum height roughness Rz1 of the upper surface 33a and the maximum height roughness Rz2 of the lower surface 33b of the tunnel barrier layer 33 were measured by TEM observation of a cross section along the stacking direction. The maximum height roughness Rz1 and the maximum height roughness Rz2 were measured according to JISB 0601:2013 standard, and both the reference length Lr1 and the reference length Lr2 were set to 20 nm. In the present embodiment, of the maximum height roughness Rz1 of the upper surface 33a of the tunnel barrier layer 33 and the maximum height roughness Rz2 of the lower surface 33b, the maximum height roughness Rz1 of the upper surface 33a is larger. Therefore, the maximum height roughness Rz1 of the upper surface 33a was set as the maximum height roughness Rz. The maximum height roughness Rz was similarly measured in other examples and comparative examples described later. Also in these other examples and comparative examples, since the maximum height roughness Rz1 of the upper surface 33a showed a larger maximum height roughness, the maximum height roughness Rz1 of the upper surface 33a is referred to as the maximum height roughness Rz. did.

（結晶化領域の割合の見積り）
本実施例では、積層方向に沿った断面のＴＥＭ観察によって、トンネルバリア層３３における結晶化領域６２の割合を見積もった。後述の他の実施例及び比較例においても、同様に結晶化領域６２の割合の測定を行った。 (Estimation of ratio of crystallized region)
In this example, the ratio of the crystallized region 62 in the tunnel barrier layer 33 was estimated by TEM observation of the cross section along the stacking direction. The ratio of the crystallized region 62 was similarly measured in other examples and comparative examples described later.

（実施例２）
実施例２では、下部電極層２１の上面をＣＭＰ研磨した研磨時間を３０秒としたこと、及びトンネルバリア層３３の厚さｔを１．８１ｎｍとしたことを除いて、実施例１と同様の方法で同様の構成に形成した磁気抵抗効果素子１を作製した。 (Example 2)
Example 2 is the same as Example 1 except that the polishing time for CMP polishing the upper surface of the lower electrode layer 21 was 30 seconds, and the thickness t of the tunnel barrier layer 33 was 1.81 nm. A magnetoresistive effect element 1 having the same structure was manufactured by the method.

（実施例３）
実施例３では、下部電極層２１の上面をＣＭＰ研磨した研磨時間を１５秒としたこと、及びトンネルバリア層３３の厚さｔを１．７９ｎｍとしたことを除いて、実施例１と同様の方法で同様の構成に形成した磁気抵抗効果素子１を作製した。 (Example 3)
Example 3 is the same as Example 1 except that the polishing time for CMP polishing the upper surface of the lower electrode layer 21 was 15 seconds, and the thickness t of the tunnel barrier layer 33 was 1.79 nm. A magnetoresistive effect element 1 having a similar structure was manufactured by the method.

（実施例４）
実施例４では、トンネルバリア層３３の厚さｔを２．００ｎｍとしたことを除いて、実施例１と同様の方法で同様の構成に形成した磁気抵抗効果素子１を作製した。 (Example 4)
In Example 4, a magnetoresistive effect element 1 formed in the same configuration as in Example 1 was produced except that the thickness t of the tunnel barrier layer 33 was set to 2.00 nm.

（実施例５）
実施例５では、下部電極層２１の上面をＣＭＰ研磨した研磨時間を３０秒としたこと、及びトンネルバリア層３３の厚さｔを２．０１ｎｍとしたことを除いて、実施例１と同様の方法で同様の構成に形成した磁気抵抗効果素子１を作製した。 (Example 5)
Example 5 is the same as Example 1 except that the polishing time for CMP polishing the upper surface of the lower electrode layer 21 was 30 seconds and the thickness t of the tunnel barrier layer 33 was 2.01 nm. A magnetoresistive effect element 1 having the same structure was manufactured by the method.

（実施例６）
実施例６では、下部電極層２１の上面をＣＭＰ研磨した研磨時間を１５秒としたこと、及びトンネルバリア層３３の厚さｔを１．９６ｎｍとしたことを除いて、実施例１と同様の方法で同様の構成に形成した磁気抵抗効果素子１を作製した。 (Example 6)
Example 6 is the same as Example 1 except that the polishing time for CMP polishing the upper surface of the lower electrode layer 21 was 15 seconds and the thickness t of the tunnel barrier layer 33 was 1.96 nm. A magnetoresistive effect element 1 having the same structure was manufactured by the method.

（実施例７）
実施例７では、トンネルバリア層３３の材料と厚さとが異なることを除いて、実施例１と同様の方法で同様の構成に形成した磁気抵抗効果素子１を作製した。 (Example 7)
In Example 7, a magnetoresistive effect element 1 having the same configuration as that of Example 1 was produced except that the material and thickness of the tunnel barrier layer 33 were different.

トンネルバリア層３３の形成は、初めに、第一の強磁性層３１上にＭｇ層を形成し、続いて、当該Ｍｇ層を酸化した。Ｍｇ層の形成は、スパッタ法によって行い、Ｍｇ層の酸化は、自然酸化によって行った。アニール処理（温度２５０℃）を１５分間行った後、ＭｇＯからなるトンネルバリア層３３を作製した。トンネルバリア層３３の厚さｔは、１．７９ｎｍとした。 The tunnel barrier layer 33 was formed by first forming a Mg layer on the first ferromagnetic layer 31 and then oxidizing the Mg layer. The Mg layer was formed by a sputtering method, and the Mg layer was oxidized by natural oxidation. After performing the annealing treatment (temperature 250° C.) for 15 minutes, the tunnel barrier layer 33 made of MgO was prepared. The thickness t of the tunnel barrier layer 33 was 1.79 nm.

（実施例８）
実施例８では、下部電極層２１の上面をＣＭＰ研磨した研磨時間を３０秒としたこと、及びトンネルバリア層３３の厚さｔを１．８２ｎｍとしたことを除いて、実施例７と同様の方法で同様の構成に形成した磁気抵抗効果素子１を作製した。 (Example 8)
Example 8 was the same as Example 7 except that the polishing time for CMP polishing the lower electrode layer 21 was 30 seconds and the thickness t of the tunnel barrier layer 33 was 1.82 nm. A magnetoresistive effect element 1 having a similar structure was manufactured by the method.

（実施例９）
実施例９では、下部電極層２１の上面をＣＭＰ研磨した研磨時間を１５秒としたこと、及びトンネルバリア層３３の厚さｔを１．８１ｎｍとしたことを除いて、実施例７と同様の方法で同様の構成に形成した磁気抵抗効果素子１を作製した。 (Example 9)
Example 9 is the same as Example 7 except that the polishing time for polishing the upper surface of the lower electrode layer 21 by CMP was 15 seconds and the thickness t of the tunnel barrier layer 33 was 1.81 nm. A magnetoresistive effect element 1 having the same structure was manufactured by the method.

（実施例１０）
実施例１０では、トンネルバリア層３３の厚さｔを１．８３ｎｍとしたこと、及びトンネルバリア層３３のアニール条件（温度と処理時間）を除いて、実施例３と同様の方法で同様の構成に形成した磁気抵抗効果素子１を作製した。アニール温度は、３８０℃とし、アニール時間は、１５分間とした。本実施例では、実施例３と比べてアニール温度を変えることによって、結晶化領域６２の割合を変更した。 (Example 10)
In Example 10, except that the thickness t of the tunnel barrier layer 33 was 1.83 nm and the annealing conditions (temperature and processing time) of the tunnel barrier layer 33, the same method as in Example 3 was used. The magnetoresistive effect element 1 formed in 1. was manufactured. The annealing temperature was 380° C., and the annealing time was 15 minutes. In this example, the ratio of the crystallized region 62 was changed by changing the annealing temperature as compared with the example 3.

（実施例１１）
実施例１１では、トンネルバリア層３３の厚さｔを１．８２ｎｍとしたこと、及びトンネルバリア層３３のアニール条件（温度と処理時間）を除いて、実施例３と同様の方法で同様の構成に形成した磁気抵抗効果素子１を作製した。アニール温度は、３５０℃とし、アニール時間は、１５分間とした。本実施例では、実施例３と比べてアニール温度を変えることによって、結晶化領域６２の割合を変更した。 (Example 11)
The eleventh embodiment has the same configuration as the third embodiment except that the thickness t of the tunnel barrier layer 33 is 1.82 nm and the annealing conditions (temperature and processing time) of the tunnel barrier layer 33 are excluded. The magnetoresistive effect element 1 formed in 1. was manufactured. The annealing temperature was 350° C., and the annealing time was 15 minutes. In this embodiment, the ratio of the crystallized region 62 is changed by changing the annealing temperature as compared with the third embodiment.

（実施例１２）
実施例１２では、トンネルバリア層３３の厚さｔを１．８１ｎｍとしたこと、及びトンネルバリア層３３のアニール条件（温度と処理時間）を除いて、実施例３と同様の方法で同様の構成に形成した磁気抵抗効果素子を作製した。アニール温度は、３３０℃とし、アニール時間は、１５分間とした。本実施例では、実施例３と比べてアニール温度を変えることによって、結晶化領域６２の割合を変更した。 (Example 12)
In Example 12, the thickness t of the tunnel barrier layer 33 was set to 1.81 nm, and the annealing conditions (temperature and processing time) of the tunnel barrier layer 33 were the same as those of Example 3 except for the annealing conditions. The magnetoresistive effect element formed in the above was manufactured. The annealing temperature was 330° C., and the annealing time was 15 minutes. In this embodiment, the ratio of the crystallized region 62 is changed by changing the annealing temperature as compared with the third embodiment.

（実施例１３）
実施例１３では、トンネルバリア層３３の厚さｔを１．８３ｎｍとしたこと、及びトンネルバリア層３３のアニール条件（温度と処理時間）を除いて、実施例３と同様の方法で同様の構成に形成した磁気抵抗効果素子１を作製した。アニール温度は、２６０℃とし、アニール時間は、１５分間とした。本実施例では、実施例３と比べてアニール温度を変えることによって、結晶化領域６２の割合を変更した。 (Example 13)
In Example 13, except that the thickness t of the tunnel barrier layer 33 was 1.83 nm and the annealing conditions (temperature and processing time) of the tunnel barrier layer 33, the same method as in Example 3 was used. The magnetoresistive effect element 1 formed in 1. was manufactured. The annealing temperature was 260° C., and the annealing time was 15 minutes. In this embodiment, the ratio of the crystallized region 62 is changed by changing the annealing temperature as compared with the third embodiment.

（実施例１４）
実施例１４では、トンネルバリア層３３の厚さｔを１．８４ｎｍとしたこと、及びトンネルバリア層３３のアニール条件（温度と処理時間）を除いて、実施例３と同様の方法で同様の構成に形成した磁気抵抗効果素子１を作製した。アニール温度は、２２０℃とし、アニール時間は、１５分間とした。本実施例では、実施例３と比べてアニール温度を変えることによって、結晶化領域６２の割合を変更した。 (Example 14)
In Example 14, except that the thickness t of the tunnel barrier layer 33 was set to 1.84 nm and the annealing conditions (temperature and processing time) of the tunnel barrier layer 33, the same method as in Example 3 was used. The magnetoresistive effect element 1 formed in 1. was manufactured. The annealing temperature was 220° C., and the annealing time was 15 minutes. In this embodiment, the ratio of the crystallized region 62 is changed by changing the annealing temperature as compared with the third embodiment.

（比較例１）
比較例１では、下部電極層２１の上面をＣＭＰ研磨しなかったこと、及びトンネルバリア層３３の厚さｔを１．８２ｎｍとしたことを除いて、実施例１と同様の方法で同様の構成に形成した磁気抵抗効果素子を作製した。 (Comparative Example 1)
In Comparative Example 1, the same structure as in Example 1 was used except that the upper surface of the lower electrode layer 21 was not CMP-polished and the thickness t of the tunnel barrier layer 33 was 1.82 nm. The magnetoresistive effect element formed in the above was manufactured.

（比較例２）
比較例２では、下部電極層２１の上面をＣＭＰ研磨しなかったこと、及びトンネルバリア層３３の厚さｔを１．９８ｎｍとしたことを除いて、実施例１と同様の方法で同様の構成に形成した磁気抵抗効果素子を作製した。 (Comparative example 2)
In Comparative Example 2, the same structure as in Example 1 was used, except that the upper surface of the lower electrode layer 21 was not CMP-polished and the thickness t of the tunnel barrier layer 33 was 1.98 nm. The magnetoresistive effect element formed in the above was manufactured.

（比較例３）
比較例３では、下部電極層２１の上面をＣＭＰ研磨しなかったこと、及びトンネルバリア層３３の厚さｔを１．８４ｎｍとしたことを除いて、実施例７と同様の方法で同様の構成に形成した磁気抵抗効果素子を作製した。 (Comparative example 3)
In Comparative Example 3, the same structure as in Example 7 was used, except that the upper surface of the lower electrode layer 21 was not CMP-polished and the thickness t of the tunnel barrier layer 33 was 1.84 nm. The magnetoresistive effect element formed in the above was manufactured.

（比較例４）
比較例４では、エピタキシャル法によって、磁気抵抗効果素子を作製した。初めに、ＭｇＯ単結晶からなる基板１０を、エピタキシャル装置内に設置し、下地層２０を形成した。本比較例では、下地層２０は、Ｃｒ層（厚さ４０ｎｍ）の一層からなる。下地層２０の形成後に、熱処理（温度８００℃）を６０分間行った。 (Comparative Example 4)
In Comparative Example 4, a magnetoresistive effect element was manufactured by the epitaxial method. First, the substrate 10 made of MgO single crystal was placed in the epitaxial device to form the underlayer 20. In this comparative example, the underlayer 20 is composed of a single Cr layer (thickness: 40 nm). After forming the underlayer 20, heat treatment (temperature 800° C.) was performed for 60 minutes.

次に、下地層２０上に、磁気抵抗層３０を形成した。磁気抵抗層３０は、磁化自由層としての第一の強磁性層３１、トンネルバリア層３３、及び磁化固定層をこの順に有する。本比較例では、磁化固定層はＳＡＦ構造を有しない。 Next, the magnetoresistive layer 30 was formed on the underlayer 20. The magnetoresistive layer 30 has a first ferromagnetic layer 31 as a magnetization free layer, a tunnel barrier layer 33, and a magnetization fixed layer in this order. In this comparative example, the magnetization fixed layer does not have the SAF structure.

初めに、磁化自由層としての第一の強磁性層３１を形成した。第一の強磁性層３１は、Ｆｅ層（厚さ３０ｎｍ）からなる。第一の強磁性層３１の形成後に、アニール処理（温度３００℃）を６０分間行った。第一の強磁性層３１上には、ＭｇＡｌ２Ｏ４からなるトンネルバリア層３３を作製した。トンネルバリア層３３の厚さｔは、１．８０ｎｍとした。このＭｇＡｌ２Ｏ４層の形成後に、アニール処理（温度４５０℃）を１５分間行った。 First, the first ferromagnetic layer 31 as the magnetization free layer was formed. The first ferromagnetic layer 31 is composed of an Fe layer (thickness 30 nm). After forming the first ferromagnetic layer 31, an annealing treatment (temperature 300° C.) was performed for 60 minutes. A tunnel barrier layer 33 made of MgAl 2 O 4 was formed on the first ferromagnetic layer 31. The thickness t of the tunnel barrier layer 33 was 1.80 nm. After forming this MgAl 2 O 4 layer, annealing treatment (temperature 450° C.) was performed for 15 minutes.

続いて、トンネルバリア層３３上に、磁化固定層を形成した。磁化固定層は、第二の強磁性層３２としてのＦｅ層（厚さ６ｎｍ）及び反強磁性層３４としてのＩｒＭｎ層（厚さ１２ｎｍ）からなる多層積層体とした。尚、Ｆｅ層の形成後に、アニール処理（温度３００℃）を１５分間行った。磁化固定層を形成した後の熱処理は行わなかった。磁化固定層の形成によって、磁気抵抗層３０が作製された。 Then, a magnetization fixed layer was formed on the tunnel barrier layer 33. The magnetization fixed layer was a multilayer stack including an Fe layer (thickness 6 nm) as the second ferromagnetic layer 32 and an IrMn layer (thickness 12 nm) as the antiferromagnetic layer 34. After the formation of the Fe layer, annealing treatment (temperature 300° C.) was performed for 15 minutes. No heat treatment was performed after forming the magnetization fixed layer. The magnetoresistive layer 30 was produced by forming the magnetization fixed layer.

磁気抵抗層３０の作製後、磁気抵抗層３０の磁化固定層上に、Ｒｕ層（厚さ１０ｎｍ）からなるキャップ層４０を形成した。また、キャップ層４０の形成後に、磁場中熱処理を行い、反強磁性層３４としてのＩｒＭｎ層と第二の強磁性層３２としてのＦｅ層とを交換結合させることにより、当該Ｆｅ層に対して一方向磁気異方性を付与した。この磁場中熱処理における熱処理温度を３００℃とし、熱処理時間を３時間とした。印加磁場の強度は、１０ｋＯｅ（７９８ｋＡ／ｍ）とした。磁場中熱処理によって、本比較例に係る磁気抵抗効果素子１の形成が完了した。 After the production of the magnetoresistive layer 30, a cap layer 40 made of a Ru layer (thickness 10 nm) was formed on the magnetization fixed layer of the magnetoresistive layer 30. After forming the cap layer 40, heat treatment is performed in a magnetic field to exchange-couple the IrMn layer as the antiferromagnetic layer 34 and the Fe layer as the second ferromagnetic layer 32 to the Fe layer. Unidirectional magnetic anisotropy was imparted. The heat treatment temperature in this heat treatment in a magnetic field was 300° C., and the heat treatment time was 3 hours. The strength of the applied magnetic field was 10 kOe (798 kA/m). The heat treatment in a magnetic field completed the formation of the magnetoresistive effect element 1 according to this comparative example.

表１は、実施例１〜実施例３に係る磁気抵抗効果素子に含まれる各層の構成、作製条件、及び、ＲＡなどの測定結果を示す表である。表２は、実施例４〜実施例６に係る磁気抵抗効果素子に含まれる各層の構成、作製条件、及び、ＲＡなどの測定結果を示す表である。表３は、実施例７〜実施例９に係る磁気抵抗効果素子に含まれる各層の構成、作製条件、及び、ＲＡなどの測定結果を示す表である。表４は、実施例１０〜実施例１２に係る磁気抵抗効果素子に含まれる各層の構成、作製条件、及び、ＲＡなどの測定結果を示す表である。表５は、実施例１３及び実施例１４に係る磁気抵抗効果素子に含まれる各層の構成、作製条件、及び、ＲＡとＭＲ比との評価結果を示す表である。表６は、比較例１〜比較例３に係る磁気抵抗効果素子に含まれる各層の構成、作製条件、及び、ＲＡなどの測定結果を示す表である。表７は、比較例４に係る磁気抵抗効果素子に含まれる各層の構成、作製条件、及び、ＲＡなどの測定結果を示す表である。 Table 1 is a table showing configurations of layers included in the magnetoresistive effect elements according to Examples 1 to 3, production conditions, and measurement results of RA and the like. Table 2 is a table showing configurations of layers included in the magnetoresistive effect elements according to Examples 4 to 6, manufacturing conditions, and measurement results of RA and the like. Table 3 is a table showing configurations of layers included in the magnetoresistive effect elements according to Examples 7 to 9, manufacturing conditions, and measurement results of RA and the like. Table 4 is a table showing configurations of layers included in the magnetoresistive effect elements according to Examples 10 to 12, manufacturing conditions, and measurement results of RA and the like. Table 5 is a table showing the configuration of each layer included in the magnetoresistive effect elements according to Example 13 and Example 14, fabrication conditions, and evaluation results of RA and MR ratio. Table 6 is a table showing the configuration of each layer included in the magnetoresistive effect elements according to Comparative Examples 1 to 3, the manufacturing conditions, and the measurement results such as RA. Table 7 is a table showing the configuration of each layer included in the magnetoresistive effect element according to Comparative Example 4, fabrication conditions, and measurement results of RA and the like.

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表１〜表７に示されるように、実施例１〜実施例１４のＲｚ／ｔは、Ｒｚ／ｔ＜１となっており、比較例１〜比較例４のＲｚ／ｔは、Ｒｚ／ｔ＞１となっている。実施例１〜実施例１４は、比較例１〜比較例４と比較して、ＭＲ比の低減を抑制しつつ、高いＲＡを有することが示された。また、実施例１〜９及び１１〜１３（結晶化領域の割合が５％超かつ６５％未満）は、実施例１０、１４（結晶化領域の割合が５％以下又は６５％以上）と比較して、ＭＲ比の低減を抑制しつつ、特に高いＲＡを有することが示された。 As shown in Tables 1 to 7, Rz/t of Examples 1 to 14 is Rz/t<1, and Rz/t of Comparative Examples 1 to 4 is Rz/t. >1. It was shown that Examples 1 to 14 have high RA while suppressing the reduction of the MR ratio, as compared with Comparative Examples 1 to 4. Further, Examples 1 to 9 and 11 to 13 (the ratio of the crystallized region is more than 5% and less than 65%) are compared with Examples 10 and 14 (the ratio of the crystallized region is 5% or less or 65% or more). Then, it was shown that it has a particularly high RA while suppressing the reduction of the MR ratio.

本実施形態によれば、ＭＲ比の低減を抑制しつつ、高いＲＡを有する磁気抵抗効果素子、及びそのような磁気抵抗効果素子を製造する方法が提供される。 According to the present embodiment, a magnetoresistive effect element having a high RA while suppressing a reduction in MR ratio, and a method for manufacturing such a magnetoresistive effect element are provided.

１…磁気抵抗効果素子、３１…第一の強磁性層、３２…第二の強磁性層、３３…トンネルバリア層、３３ａ…上面、３３ｂ…下面、６１…アモルファス領域、６２…結晶化領域。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Magnetoresistance effect element, 31... 1st ferromagnetic layer, 32... 2nd ferromagnetic layer, 33... Tunnel barrier layer, 33a... Upper surface, 33b... Lower surface, 61... Amorphous region, 62... Crystallized region.

Claims (13)

第一の強磁性層と、
第二の強磁性層と、
前記第一の強磁性層と前記第二の強磁性層との間に積層されたトンネルバリア層と、
を備え、
前記トンネルバリア層は、上面と、当該上面の反対側に位置する下面とを有し、
前記トンネルバリア層の前記上面の最大高さ粗さ及び前記下面の最大高さ粗さのうち、より大きな最大高さ粗さをＲｚとし、前記トンネルバリア層の厚さをｔとしたとき、Ｒｚ／ｔ＜１であり、
前記トンネルバリア層は、少なくとも一つのアモルファス領域を含む、磁気抵抗効果素子。 A first ferromagnetic layer,
A second ferromagnetic layer,
A tunnel barrier layer laminated between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer;
Equipped with
The tunnel barrier layer has an upper surface and a lower surface opposite to the upper surface,
Of the maximum height roughness of the upper surface and the maximum height roughness of the lower surface of the tunnel barrier layer, the greater maximum height roughness is Rz, and the thickness of the tunnel barrier layer is t, Rz /T<1, and
The magnetoresistive effect element, wherein the tunnel barrier layer includes at least one amorphous region. 前記トンネルバリア層は、少なくとも一つの結晶化領域を更に含み、
積層方向に沿った断面において、前記トンネルバリア層全体の面積に占める前記少なくとも一つの結晶化領域の面積の割合は、５％より大きく、かつ、６５％より小さい、請求項１に記載の磁気抵抗効果素子。 The tunnel barrier layer further includes at least one crystallized region,
The magnetoresistive device according to claim 1, wherein a ratio of an area of the at least one crystallization region to an area of the entire tunnel barrier layer is larger than 5% and smaller than 65% in a cross section along the stacking direction. Effect element. 前記少なくとも一つの結晶化領域は、前記積層方向に（００１）面が配向した結晶構造を有する、請求項２に記載の磁気抵抗効果素子。 The magnetoresistive effect element according to claim 2, wherein the at least one crystallization region has a crystal structure in which a (001) plane is oriented in the stacking direction. 前記少なくとも一つの結晶化領域は、前記トンネルバリア層の面内方向に沿った幅を有し、
前記幅の最大値は、８ｎｍ未満である、請求項２又は３に記載の磁気抵抗効果素子。 The at least one crystallized region has a width along the in-plane direction of the tunnel barrier layer,
The magnetoresistive effect element according to claim 2 or 3, wherein the maximum value of the width is less than 8 nm. 前記少なくとも一つの結晶化領域の少なくとも一部は、前記第一の強磁性層及び前記第二の強磁性層の少なくとも一つと格子整合している、請求項２〜４のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果素子。 The at least one part of said at least 1 crystallized region is lattice-matched with at least 1 of the said 1st ferromagnetic layer and the said 2nd ferromagnetic layer, The any one of Claims 2-4. Magnetoresistive element. 前記第一の強磁性層、前記第二の強磁性層、及び前記トンネルバリア層の少なくとも一つは、双晶を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果素子。 The magnetoresistive effect element according to any one of claims 1 to 5, wherein at least one of the first ferromagnetic layer, the second ferromagnetic layer, and the tunnel barrier layer contains twins. 前記双晶は面心立方格子構造を有し、その双晶面は、（１１１）面である、又は前記双晶は体心立方格子構造を有し、その双晶面は、（１１２）面である、請求項６に記載の磁気抵抗効果素子。 The twin has a face-centered cubic lattice structure, the twin plane is a (111) plane, or the twin has a body-centered cubic lattice structure, and the twin plane is a (112) plane. The magnetoresistive effect element according to claim 6, wherein 前記トンネルバリア層は、式（１）で表されるスピネル構造を有する酸化物材料を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果素子。
Ａ１−ｘＢｘＯｙ …（１）
[式中、Ａは、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｃｄ、Ｌｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｈｇ、及びＶからなる群より選択される少なくとも一種の元素を表し、Ｂは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｇｅ、及びＣｏからなる群より選択される少なくとも一種の元素を表し、０＜ｘ≦１、及び、０．３５≦ｙ≦１．７である。] The magnetoresistive effect element according to any one of claims 1 to 7, wherein the tunnel barrier layer includes an oxide material having a spinel structure represented by formula (1).
A 1-x B x O y (1)
[In the formula, A represents at least one element selected from the group consisting of Mg, Zn, Cu, Cd, Li, Ni, Co, Fe, Mn, Cr, Hg, and V, and B is Al, Represents at least one element selected from the group consisting of Ga, In, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Rh, Ir, Ge, and Co, and 0<x≦1 and 0.35≦ y≦1.7. ] 前記式（１）において、Ａは、Ｍｇを表し、Ｂは、Ａｌを表す、請求項８に記載の磁気抵抗効果素子。 The magnetoresistive effect element according to claim 8, wherein in the formula (1), A represents Mg and B represents Al. 前記式（１）において、０＜ｘ＜０．５である、請求項８又は９に記載の磁気抵抗効果素子。 The magnetoresistive effect element according to claim 8 or 9, wherein 0<x<0.5 in the formula (1). 前記第一の強磁性層及び前記第二の強磁性層の少なくとも一つは、前記トンネルバリア層と接するＣｏｚＦｅ１００−z（０＜ｚ＜８０）からなる領域を有する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果素子。 Said at least one first ferromagnetic layer and said second ferromagnetic layer has a region consisting of contact with the tunnel barrier layer Co z Fe 100-z (0 <z <80), according to claim 1 10. The magnetoresistive effect element according to any one of 10. 第一の強磁性層を形成する工程と、
前記第一の強磁性層上にＭｇＡｌ合金層を形成する工程と、
前記ＭｇＡｌ合金層を酸化して、少なくとも一つのアモルファス領域と、Ｍｇ１−ｘＡｌｘＯｙ（０＜ｘ≦１、０．３５≦ｙ≦１．７）で表されるスピネル構造からなる少なくとも一つの結晶化領域とを含むトンネルバリア層を形成する工程と、
前記トンネルバリア層上に第二の強磁性層を形成する工程と、
を備え、
前記トンネルバリア層は、上面と、当該上面の反対側に位置する下面とを有し、
前記トンネルバリア層の前記上面の最大高さ粗さ及び前記下面の最大高さ粗さのうち、より大きな最大高さ粗さをＲｚとし、前記トンネルバリア層の厚さをｔとしたとき、Ｒｚ／ｔ＜１である、磁気抵抗効果素子を製造する方法。 Forming a first ferromagnetic layer,
Forming a MgAl alloy layer on the first ferromagnetic layer;
The MgAl alloy layer is oxidized to have at least one amorphous region and a spinel structure represented by Mg 1-x Al x O y (0<x≦1, 0.35≦y≦1.7). Forming a tunnel barrier layer including one crystallized region;
Forming a second ferromagnetic layer on the tunnel barrier layer,
Equipped with
The tunnel barrier layer has an upper surface and a lower surface opposite to the upper surface,
Of the maximum height roughness of the upper surface and the maximum height roughness of the lower surface of the tunnel barrier layer, the greater maximum height roughness is Rz, and the thickness of the tunnel barrier layer is t, Rz A method of manufacturing a magnetoresistive effect element, wherein /t<1. 前記ＭｇＡｌ合金層を酸化する前記工程は、ラジカル酸化、プラズマ酸化、オゾン酸化、及び自然酸化の少なくとも一つによって前記ＭｇＡｌ合金層を酸化する工程を含む、請求項１２に記載の磁気抵抗効果素子を製造する方法。 The magnetoresistive effect element according to claim 12, wherein the step of oxidizing the MgAl alloy layer includes the step of oxidizing the MgAl alloy layer by at least one of radical oxidation, plasma oxidation, ozone oxidation, and natural oxidation. Method of manufacturing.
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