JP2020113603A5 - - Google Patents
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Claims (23)
- ウエハを載置するウエハ載置面と、
第1係合部を有する第1リングと、前記第1係合部の下面に至る貫通孔を有し前記第1係合部に係合する第2係合部を有する第2リングと、を載置し、前記貫通孔に対応する位置に孔を有し、前記ウエハ載置面の外周側に設けられるリング載置面と、
前記貫通孔に嵌合する第1保持部と、当該第1保持部の軸方向に連接され前記第1保持部の外周から突出する突出部を有する第2保持部と、を有し、前記第1保持部を前記リング載置面側にしてリング載置面の孔内に収容されるリフタピンと、
前記リフタピンを昇降可能に駆動する駆動機構と、
を備えるプラズマ処理装置の載置台。 - 前記第1保持部および前記第2保持部は、同軸かつ断面同心円形状の棒状部材であり、前記第1保持部の径は、前記第2保持部の径よりも小さい、請求項1に記載の載置台。
- 前記第1リングは前記第2リングよりも前記ウエハ載置面の中心側に配置され、前記第2係合部は前記第1係合部よりもリング載置面側に配置される、請求項1または2に記載の載置台。
- 前記第1リングは導電材料で形成され、
前記第2リングは絶縁材料で形成される、
請求項3に記載の載置台。 - 前記第2リングは前記第1リングよりも前記ウエハ載置面の中心側に配置され、前記第2係合部は前記第1係合部よりもリング載置面側に配置される、請求項1または2に記載の載置台。
- 前記第1リングおよび前記第2リングの少なくとも一方を前記リング載置面に吸着するリング用静電チャックと、
前記第1リングおよび前記第2リングの前記少なくとも一方の下面と前記リング載置面との間に伝熱ガスを供給するガス供給機構と、
をさらに備える請求項1から5のいずれか1項に記載の載置台。 - 前記駆動機構は、
前記第1リングの搬送時、前記第1保持部の頂部が所定の高さに到達するまで前記リフタピンを上昇させ、
前記第2リングの搬送時、前記第2保持部の頂部が前記所定の高さに到達するまで前記リフタピンを上昇させる、請求項1から6のいずれか1項に記載の載置台。 - 前記第1保持部の軸方向長さは、前記第2リングの軸方向の厚みよりも長い、請求項1から7のいずれか1項に記載の載置台。
- ウエハを載置するウエハ載置面と、
第1係合部を有する第1リングと、
前記第1係合部の下面に至る貫通孔を有し前記第1係合部に係合する第2係合部を有する第2リングと、
前記ウエハ載置面の外周側に設けられ、前記貫通孔に対応する位置に孔を有し、前記第1リングおよび前記第2リングを載置するリング載置面と、
前記貫通孔に嵌合する第1保持部と、当該第1保持部の軸方向に連接され前記第1保持部の外周から突出する突出部を有する第2保持部と、を有し、前記第1保持部を前記リング載置面側にしてリング載置面の孔内に収容されるリフタピンと、
前記リフタピンを昇降可能に駆動する駆動機構と、
を備えるプラズマ処理装置。 - プラズマ処理容器と、
前記プラズマ処理容器内に設けられ、孔を有するサセプタと、
前記サセプタ上に設けられた静電チャックであって、基板載置面と、前記基板載置面の周囲に設けられるリング載置面と、を有する静電チャックと、
前記リング載置面に載置される内周部を有する第1リングと、
前記第1リングの外周部を支持する上面を有する第2リングであって、前記第2リングは、前記第1リング下面に至る貫通孔を有する内周部を有し、前記貫通孔は、前記サセプタの前記孔に対応する位置に形成される、第2リングと、
前記貫通孔に嵌合する第1保持部と、当該第1保持部の軸方向に設けられた前記第1保持部の外周から突出する突出部を有する第2保持部と、を有し、前記第1保持部を前記リング載置面側にして前記孔内に収容されるリフタピンと、
前記リフタピンを昇降する駆動機構と、
を備える、プラズマ処理装置。 - プラズマ処理容器と、
前記プラズマ処理容器内に配置され、基板を載置する基板載置面と、前記基板載置面の外周側に設けられ、リングを載置するリング載置面と、前記リング載置面に通じる3個以上の孔と、を有する静電チャックと、
内周部と外周部とを有する第1リングであり、前記第1リングの前記内周部が前記リング載置面に載置される、該第1リングと、
内周部と外周部とを有する第2リングであり、前記第2リングの内周部上面は前記第1リングの外周部下面に覆われ、前記第2リングの内周部は、前記3個以上の孔に対応する位置に3個以上の貫通孔を有する、該第2リングと、
3本以上のリフタピンであり、各リフタピンは、前記孔内に収容され、前記第2リングの前記貫通孔を通りぬけて前記第1リングを下面から支持するよう構成される第1保持部と、当該第1保持部の外周から突出する突出部を有し、前記第2リングを下面から支持するよう構成される第2保持部と、を有する、該3本以上のリフタピンと、
前記3本以上のリフタピンを昇降する駆動機構と、
を備える、プラズマ処理装置。 - 前記リング載置面は内周部と外周部とを有し、前記第1リングの前記内周部は前記リング載置面の前記内周部に載置される、請求項11に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2リングの外周部を支持するように前記静電チャックを取り囲む絶縁部材をさらに備える、請求項11に記載のプラズマ処理装置。
- 前記静電チャックの上面は、第1の高さを有する前記基板載置面と、第2の高さを有する前記リング載置面と、第3の高さを有する前記絶縁部材を載置する絶縁部材載置面を有する、請求項13に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1リングを前記リング載置面に吸着するリング用静電チャックをさらに備える、請求項11に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1リングはシリコンまたはシリコンカーバイドで形成され、
前記第2リングは石英で形成される、
請求項11に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1リングの前記外周部下面に凹部を有し、前記第2リングの前記内周部上面に凸部を有し、前記凸部は前記凹部と係合する、請求項11に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1リングは、内周部品および外周部品の二つの部品で構成される、請求項11に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2リングの前記貫通孔の下側開口部は下方にむけて開口が広がる形状を有する、請求項11に記載のプラズマ処理装置。
- 前記リフタピンの前記第1保持部は、前記第2リングの内周部に形成された前記貫通孔との間に所定のクリアランスを空けて前記貫通孔内に挿入される、請求項11に記載のプラズマ処理装置。
- 前記リフタピンの前記第2保持部は、前記第2リングの内周部に形成された前記貫通孔に入らない形状を有し、留め具として機能する、請求項11に記載のプラズマ処理装置。
- 前記リフタピンは、前記第1保持部と前記第2保持部との間に傾斜部を有し、前記傾斜部は、前記第1保持部から前記第2保持部に向けて徐々に断面積が大きくなる形状である、請求項11に記載のプラズマ処理装置。
- 前記リフタピンは、前記第1保持部と前記第2保持部との間に設けられ、前記第2保持部の直径より大きな直径を持つフランジを有する、請求項11に記載のプラズマ処理装置。
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TWM589358U (zh) * | 2019-05-10 | 2020-01-11 | 美商蘭姆研究公司 | 半導體製程模組的頂環 |
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KR20210042749A (ko) * | 2019-10-10 | 2021-04-20 | 삼성전자주식회사 | 정전 척 및 상기 정전 척을 포함하는 기판 처리 장치 |
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Family Cites Families (48)
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---|---|---|---|---|
US5762714A (en) * | 1994-10-18 | 1998-06-09 | Applied Materials, Inc. | Plasma guard for chamber equipped with electrostatic chuck |
JP2713276B2 (ja) * | 1995-12-07 | 1998-02-16 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
WO1999034414A1 (de) * | 1997-12-23 | 1999-07-08 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Haltevorrichtung |
JP3234576B2 (ja) * | 1998-10-30 | 2001-12-04 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体製造装置におけるウェハ支持装置 |
US6320320B1 (en) * | 1999-11-15 | 2001-11-20 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for producing uniform process rates |
US6958098B2 (en) * | 2000-02-28 | 2005-10-25 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor wafer support lift-pin assembly |
KR20020094509A (ko) * | 2001-06-12 | 2002-12-18 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 제조 공정에서 사용되는 정전척 어셈블리 |
US20030075387A1 (en) * | 2001-10-22 | 2003-04-24 | Chung-Chiang Wang | Wafer loading device |
JP2003257935A (ja) | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2005114805A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Taiheiyo Cement Corp | 光学系ミラー |
US7820495B2 (en) * | 2005-06-30 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP5255936B2 (ja) * | 2008-07-18 | 2013-08-07 | 東京エレクトロン株式会社 | フォーカスリング及び基板載置台、並びにそれらを備えたプラズマ処理装置 |
JP5482282B2 (ja) * | 2009-03-03 | 2014-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造及び成膜装置 |
WO2010101191A1 (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造、成膜装置、及び、原料回収方法 |
JP5071437B2 (ja) | 2009-05-18 | 2012-11-14 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置におけるトレイの載置方法 |
JP2011064659A (ja) * | 2009-09-21 | 2011-03-31 | Tokyo Electron Ltd | プローブカードのクランプ機構及び検査装置 |
JP5719599B2 (ja) | 2011-01-07 | 2015-05-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP5948026B2 (ja) | 2011-08-17 | 2016-07-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置及び処理方法 |
TWI571929B (zh) * | 2012-01-17 | 2017-02-21 | 東京威力科創股份有限公司 | 基板載置台及電漿處理裝置 |
JP5905735B2 (ja) * | 2012-02-21 | 2016-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び基板温度の設定可能帯域の変更方法 |
US10211046B2 (en) * | 2013-07-19 | 2019-02-19 | Applied Materials, Inc. | Substrate support ring for more uniform layer thickness |
JP2015050156A (ja) | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台及びプラズマ処理装置 |
US10804081B2 (en) * | 2013-12-20 | 2020-10-13 | Lam Research Corporation | Edge ring dimensioned to extend lifetime of elastomer seal in a plasma processing chamber |
JP5798677B2 (ja) | 2014-10-29 | 2015-10-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN105789010B (zh) * | 2014-12-24 | 2017-11-10 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理装置及等离子体分布的调节方法 |
US10658222B2 (en) | 2015-01-16 | 2020-05-19 | Lam Research Corporation | Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing |
US20170263478A1 (en) * | 2015-01-16 | 2017-09-14 | Lam Research Corporation | Detection System for Tunable/Replaceable Edge Coupling Ring |
CN106298638B (zh) * | 2015-06-11 | 2019-04-09 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 刻蚀形成硅通孔的方法 |
US10854492B2 (en) * | 2015-08-18 | 2020-12-01 | Lam Research Corporation | Edge ring assembly for improving feature profile tilting at extreme edge of wafer |
KR102634280B1 (ko) * | 2015-10-21 | 2024-02-07 | 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 | 정전 척 장치 |
CN108369922B (zh) | 2016-01-26 | 2023-03-21 | 应用材料公司 | 晶片边缘环升降解决方案 |
CN116110846A (zh) | 2016-01-26 | 2023-05-12 | 应用材料公司 | 晶片边缘环升降解决方案 |
JP7130359B2 (ja) * | 2016-12-05 | 2022-09-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP6812224B2 (ja) * | 2016-12-08 | 2021-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び載置台 |
EP3580777B1 (en) * | 2017-07-24 | 2021-04-14 | LAM Research Corporation | Moveable edge ring designs |
US11043400B2 (en) | 2017-12-21 | 2021-06-22 | Applied Materials, Inc. | Movable and removable process kit |
CN111052344B (zh) * | 2018-08-13 | 2024-04-02 | 朗姆研究公司 | 边缘环组件 |
JP7105666B2 (ja) * | 2018-09-26 | 2022-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR102134391B1 (ko) * | 2018-10-18 | 2020-07-15 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
JP7134104B2 (ja) * | 2019-01-09 | 2022-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台 |
KR20200112447A (ko) | 2019-03-22 | 2020-10-05 | 삼성전자주식회사 | 에지 링을 갖는 기판 처리 장치 |
CN112563186A (zh) * | 2019-09-26 | 2021-03-26 | 东京毅力科创株式会社 | 基片支承器和等离子体处理装置 |
JP7412124B2 (ja) * | 2019-10-18 | 2024-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及びエッジリングを交換する方法 |
TW202137325A (zh) * | 2020-03-03 | 2021-10-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 電漿處理系統及邊緣環的更換方法 |
TW202137326A (zh) * | 2020-03-03 | 2021-10-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板支持台、電漿處理系統及環狀構件之安裝方法 |
JP7454976B2 (ja) * | 2020-03-24 | 2024-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板支持台、プラズマ処理システム及びエッジリングの交換方法 |
JP7455012B2 (ja) * | 2020-07-07 | 2024-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台 |
JP2022148699A (ja) * | 2021-03-24 | 2022-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理システム及び環状部材の取り付け方法 |
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