JP2020098227A - フォトリソグラフィ用ペリクル膜及びこれを備えたペリクル - Google Patents
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Abstract
【課題】支持枠を設けなくても十分な強度を有するペリクル膜及びこれを備えたペリクルを提供する。【解決手段】ペリクルフレーム2の一端面に張設されるペリクル膜3であって、主層と、主層の片面又は両面にグラフェンを有することを特徴とするフォトリソグラフィ用ペリクル膜3、及び、ペリクル膜3とペリクルフレーム2とから構成され、ペリクル膜3が接着剤5又は粘着剤を介してペリクルフレームの上端面に設けられるフォトリソグラフィ用ペリクル1であって、ペリクル膜3は、主層と、主層の片面又は両面にグラフェンを有する。【選択図】図3
Description
本発明は、半導体デバイス、ICパッケージ、プリント基板、液晶ディスプレイまたは有機ELディスプレイ等を製造する際のゴミよけとして使用されるペリクルに関する。
近年、LSIのデザインルールはサブクオーターミクロンへと微細化が進んでおり、それに伴って、露光光源の短波長化が進んでいる。すなわち、露光光源は水銀ランプによるg線(436nm)、i線(365nm)から、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)などに移行しており、さらには主波長13.5nmのEUV(Extreme Ultra Violet)光を使用するEUV露光が検討されている。
LSI、超LSIなどの半導体製造又は液晶表示板の製造においては、半導体ウエハまたは液晶用原板に光を照射してパターンを作製するが、この場合に用いるリソグラフィ用マスク(単に「マスク」ともいう)及びレチクル(以下、総称して「露光原版」と記述する)にゴミが付着していると、このゴミが光を吸収したり、光を曲げてしまうために、転写したパターンが変形したり、エッジが粗雑なものとなるほか、下地が黒く汚れたりして、寸法、品質、外観などが損なわれるという問題があった。
これらの作業は、通常クリーンルームで行われているが、それでも露光原版を常に清浄に保つことは難しい。そこで、露光原版表面にゴミよけとしてペリクルを貼り付けた後に露光をする方法が一般に採用されている。この場合、異物は露光原版の表面には直接付着せず、ペリクル上に付着するため、リソグラフィ時に焦点を露光原版のパターン上に合わせておけば、ペリクル上の異物は転写に無関係となる。
このペリクルの基本的な構成は、ペリクルフレームの上端面に露光に使われる光に対し透過率が高いペリクル膜が張設されるとともに、下端面に気密用ガスケットが形成されている。気密用ガスケットは一般的に粘着剤層が用いられる。ペリクル膜は、露光に用いる光(水銀ランプによるg線(436nm)、i線(365nm)、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)等)を良く透過させるニトロセルロース、酢酸セルロース、フッ素系ポリマーなどからなるが、EUV露光用では、ペリクル膜として極薄シリコンや炭素膜が検討されている。
しかしながら、極薄シリコン膜は非常に脆く、製造中および使用中に破損してしまう可能性が高いという欠点がある。特許文献1では単結晶シリコン膜に多孔質の支持枠を備えることで十分な強度を持ったペリクルを提供しているが、この技術では、上記支持枠がリソグラフィ時に影となり、悪影響を及ぼすことが分かった。
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、支持枠を設ける必要がなく十分な強度を有するペリクル膜及びこれを備えたペリクルを提供することを目的とする。
本発明者は、ペリクルフレームの一端面に張設されるペリクル膜について、SOI基板のSOI層に使用される単結晶シリコン等を主層とし、この片面又は両面にグラフェンを有するように上記ペリクル膜を構成し、このペリクル膜をペリクルに具備したところ、EUV透過率を高く維持することができ、上記ペリクルの作製中にペリクル膜の破損がなく十分な機械的強度を有するものであることを知見し、本発明を構成するに至ったものである。
従って、本発明は、下記のペリクルを提供する。
1.ペリクルフレームの一端面に張設されるペリクル膜であって、主層と、該主層の片面又は両面にグラフェンを有することを特徴とするフォトリソグラフィ用ペリクル膜。
2.上記主層が単結晶シリコンである上記1記載のフォトリソグラフィ用ペリクル膜。
3.ペリクル膜とペリクルフレームとから構成され、該ペリクル膜が接着剤又は粘着剤を介して上記ペリクルフレームの上端面に設けられるフォトリソグラフィ用ペリクルであって、上記ペリクル膜は、主層と、該主層の片面又は両面にグラフェンを有することを特徴とするフォトリソグラフィ用ペリクル。
1.ペリクルフレームの一端面に張設されるペリクル膜であって、主層と、該主層の片面又は両面にグラフェンを有することを特徴とするフォトリソグラフィ用ペリクル膜。
2.上記主層が単結晶シリコンである上記1記載のフォトリソグラフィ用ペリクル膜。
3.ペリクル膜とペリクルフレームとから構成され、該ペリクル膜が接着剤又は粘着剤を介して上記ペリクルフレームの上端面に設けられるフォトリソグラフィ用ペリクルであって、上記ペリクル膜は、主層と、該主層の片面又は両面にグラフェンを有することを特徴とするフォトリソグラフィ用ペリクル。
本発明のペリクル膜によれば、EUV透過率を高くすることができ、支持枠を設ける必要がなくても十分な機械的強度を有する。
以下、本発明につき、更に詳しく説明する。
本発明のペリクル膜は、主層と、該主層の片面又は両面に上記グラフェンを有するものである。
本発明のペリクル膜は、主層と、該主層の片面又は両面に上記グラフェンを有するものである。
上記グラフェンは一般にハニカム結晶格子の炭素原子1層からなる。このハニカム構造がグラフェンに機械的強度を与える。さらに、グラフェンは原子1層という薄さから、高いEUV透過性を有するものである。
ペリクル膜の主層の材質としては、特に制限はないが、EUV波長帯の光に対する透過性の高いものが好ましい。中でも最も吸収係数が小さい単結晶シリコンは高い透過率が期待できる点から好適に採用される。
ペリクル膜の主層を単結晶シリコン層とする場合には、SOI層として備えるSOI基板を用いることができる。即ち、SOI基板は、Si基板と表面Si層(SOI層)との間に絶縁体のSiO2層を挿入した構造を有する。このSOI基板は、例えば、CZ法で結晶育成された単結晶シリコンウェハ同士を、SiO2の酸化膜を介して貼り合わせて作製したSOI基板を用いることができる。例えば、図1(B)は、Si基板45、SOI層41、及び絶縁体層(BOX層)42を有するSOI基板40の概略断面図である。
このSOI基板40のSOI層41の表面にグラフェン10を転写させる。グラフェンは、CVD(Chemical Vapor Deposition)法によってNi箔やCu箔等の基材上に形成することができ、例えば、図1(A)は、Ni箔やCu箔等の基材20の上に形成されたグラフェン10の積層構造を示す。一般的に、Ni箔には多層グラフェンができ、Cu箔上には単層グラフェンができる。また、このグラフェン10に熱剥離シート30を貼り付けておくこともできる。この場合、基材20をエッチングにより除去し、SOI基板40のSOI層41の表面に、熱剥離シート30の付いたグラフェン10を貼り付けた後、該熱剥離シート30を取り除くことにより、グラフェン10をSOI層41の上に転写することができる。
また、特に図示してはいないが、Ni箔やCu箔の表面に形成されたグラフェンにアクリル樹脂(以下、「PMMA樹脂」とも言う。)をコーティングした後、Ni箔やCu箔の基材をエッチングにより取り除き、グラフェン含有アクリル樹脂層をSOI基板に貼り付け、その後、アクリル樹脂層を溶解させることでグラフェンをSOI基板のSOI層上に転写することもできる。
本発明で用いられるグラフェンの層構造としては、1層であってもよく、または、リソグラフィに影響を及ぼさない範囲で多層に積み重ねてもよい。多層の場合は、予めグラフェンを多層に形成しておき、基板に転写してもよい。グラフェンは、EUV透過率を悪化させないために、1層であることが好適である。
このようにして得たグラフェンが転写されたSOI層を有するSOI基板は、図1(C)に示す断面構造を有する。次に、所望のペリクル膜を得るために所定領域のシリコン基板(Si基板)を除去する。例えば、シリコンDRIE(Silicon Deep Reactive Ion Etching)法によるドライエッチング法やNaOHによるウェットエッチング法を採用することにより、所定領域のSi基板を除去することができ、図1(D)に示した状態を得る。これらの方法の中では、グラフェンに薬液による損傷を与えないためにも、ドライエッチング法が好ましい。具体的には、図2の(C)(D)及び(E)の手順に示されるように、エッチングマスク60をSi基板45上にパターニングした後、マスクしていない所定領域のSi基板を除去することで、残存したペリクル膜を囲うSi枠(図2(E)の符号45)はペリクル膜製造のための支持枠としてのみ使用してもよいし、或いはペリクルフレームとして用いてもよい。
続いて、ペリクル膜のSiO2層を希フッ酸溶液による処理(以下、「HF処理」ともいう。)により除去することで、グラフェン付ペリクル膜を得ることができる。グラフェン付ペリクル膜の、グラフェンを備えていない側に、熱剥離シートを用いてグラフェンを設けて、ペリクル膜の両面にグラフェンを備えてもよい。両面にグラフェンを備えることにより、ペリクル膜の機械的強度がより一層向上し、ペリクル使用中にペリクル膜が破損する可能性を低減させることができる。
通常のペリクルは、ペリクルフレーム,ペリクル膜,ペリクル膜接着層,マスク基板または露光原版の粘着層(以下、マスク粘着層という)、通気孔,フィルタ等から構成されている。また、通常、マスク粘着層の表面を保護するために、セパレータが取り付けられる。
ペリクル膜にペリクルフレームを取り付ける場合は、接着剤を用いることができる。具体的には、例えば、アクリル樹脂接着剤、エポキシ樹脂接着剤、シリコーン樹脂接着剤、含フッ素シリコーン接着剤等のフッ素ポリマー等が挙げられる。中でも耐熱性の観点から、シリコーン接着剤が好適である。接着剤は、必要に応じて溶媒で希釈され、ペリクルフレームの上端面に塗布される。この場合の塗布方法としては、刷毛塗り、スプレー、自動ディスペンサー等による方法が採用される。
ペリクルをマスク基板に装着するためのマスク粘着層は、両面粘着テープ、シリコーン系粘着剤、アクリル系粘着剤等の公知の粘着剤で形成することができる。通常、ペリクルフレームの下端面にマスク粘着層が形成され、さらにセパレータが剥離可能に貼り付けられる。
ペリクルフレームの材質には、特に制限はなく、公知のものを使用することができる。EUV用のペリクルフレームでは、高温にさらされる可能性があるため、熱膨張係数の小さな材料が好ましい。例えば、Si、SiO2、SiN、石英、インバー、チタン、チタン合金等が挙げられ、なかでも加工容易性や軽量なことから、チタンやチタン合金が好ましい。
ペリクルフレームにはペリクル内外の気圧変化に対応するために、通気口や切り欠き部を設けてもよい。その際は、通気部を通して異物を通過させるのを防ぐために、フィルタを備えてもよい。
上記ペリクルフレームのマスク側粘着剤の下端面には、粘着剤を保護するための離型層を貼り付けることができる。この離型層(セパレータ)の材質は、特に制限されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA)、ポリエチレン(PE)、ポリカーボネート(PC)、ポリ塩化ビニル(PVC)、ポリプロピレン(PP)等を使用することができる。また、マスク粘着層の粘着力に応じて、シリコーン系離型剤やフッ素系離型剤等の離型剤をセパレータの表面に塗布してもよい。このセパレータは、ペリクル収納容器またはペリクル支持方法等の工夫により省略することも可能である。
図3は、本発明のペリクル1の一例を示す。ペリクルフレーム2の上端面にはペリクル膜接着層5によりペリクル膜3が接着,張設されている。なお、このペリクル膜は、詳細には、グラフェン10が形成されており、上記の図1(E)に示したような断面構造を有する。また、ペリクルフレーム2の下端面には、フォトマスク(特に図示せず)に装着するためのマスク粘着剤4が設けられている。また、符号6は、上記フレームの下端側に形成された通気孔である。
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
[実施例1]
直径200mm,厚み725μmのシリコン基板の上に、膜厚200nmのシリコン熱酸化膜を介して、厚み50nmのシリコン単結晶からなるSOI層が貼り付けられているSOI基板を用いた。
CVD法により単層グラフェンが形成されたCu箔を準備し、単層グラフェン側に100℃で粘着力が消失する熱剥離シートを貼り合わせた。エッチングによりCu箔を除去後、純水で洗浄することで熱剥離シート上に単層グラフェンを設けた。
SOI基板のSOI層上の全面に、単層グラフェン付き熱剥離シートを貼り合わせ、100℃に加熱することで熱剥離シートを除去し、SOI層上に単層グラフェンを転写した。
次に、機械加工により、外寸149mm×115mmの長方形に切削した。シリコン基板側には中心部の145mm×111mmの長方形を除いた外周部に、エッチングマスクをパターニングした後、シリコンDRIE法によるドライエッチング法により、マスクしていない中心部のシリコン基板をエッチングした。
次いで、HF処理を施して、中心部のシリコン熱酸化膜層を除去した後、純水で十分洗浄して、シリコン単結晶(主層)と該主層の片面に有する単層グラフェンとからなるペリクル膜を作製した。また、残存したシリコン基板をペリクルフレームとして使用した。ペリクルフレームの膜が付いていない端面にマスク粘着剤を塗布することで、ペリクルを完成させた。
このペリクルではペリクル膜の破損は確認されなかった。
直径200mm,厚み725μmのシリコン基板の上に、膜厚200nmのシリコン熱酸化膜を介して、厚み50nmのシリコン単結晶からなるSOI層が貼り付けられているSOI基板を用いた。
CVD法により単層グラフェンが形成されたCu箔を準備し、単層グラフェン側に100℃で粘着力が消失する熱剥離シートを貼り合わせた。エッチングによりCu箔を除去後、純水で洗浄することで熱剥離シート上に単層グラフェンを設けた。
SOI基板のSOI層上の全面に、単層グラフェン付き熱剥離シートを貼り合わせ、100℃に加熱することで熱剥離シートを除去し、SOI層上に単層グラフェンを転写した。
次に、機械加工により、外寸149mm×115mmの長方形に切削した。シリコン基板側には中心部の145mm×111mmの長方形を除いた外周部に、エッチングマスクをパターニングした後、シリコンDRIE法によるドライエッチング法により、マスクしていない中心部のシリコン基板をエッチングした。
次いで、HF処理を施して、中心部のシリコン熱酸化膜層を除去した後、純水で十分洗浄して、シリコン単結晶(主層)と該主層の片面に有する単層グラフェンとからなるペリクル膜を作製した。また、残存したシリコン基板をペリクルフレームとして使用した。ペリクルフレームの膜が付いていない端面にマスク粘着剤を塗布することで、ペリクルを完成させた。
このペリクルではペリクル膜の破損は確認されなかった。
[実施例2]
上記実施例1と同様に、SOI基板のSOI層上の全面に、熱剥離シートを用いて単層グラフェンを転写した。
シリコン基板側には外縁から10mm内側の範囲で、エッチングマスクをパターニングし、シリコンDRIE法によるドライエッチング法により、マスクしていない部分のシリコン基板をエッチングした。
次に、HF処理をして中心部のシリコン熱酸化膜層を除去した後、純水で十分洗浄して、シリコン単結晶(主層)と該主層の片面に有するグラフェンとからなるペリクル膜を作製した。
ペリクル膜のグラフェンを備えた側に、下端面にマスク粘着剤を備えた外寸149mm×115mm×2.5mm、内寸145mm×111mm×2.5mmのチタン製ペリクルフレームを、シリコーン接着剤(信越化学工業(株)製、KE−101A/B)を用いて接着させた。
機械加工により余分なペリクル膜をカットし、ペリクルを完成させた。
このペリクルではペリクル膜の破損は確認されなかった。
上記実施例1と同様に、SOI基板のSOI層上の全面に、熱剥離シートを用いて単層グラフェンを転写した。
シリコン基板側には外縁から10mm内側の範囲で、エッチングマスクをパターニングし、シリコンDRIE法によるドライエッチング法により、マスクしていない部分のシリコン基板をエッチングした。
次に、HF処理をして中心部のシリコン熱酸化膜層を除去した後、純水で十分洗浄して、シリコン単結晶(主層)と該主層の片面に有するグラフェンとからなるペリクル膜を作製した。
ペリクル膜のグラフェンを備えた側に、下端面にマスク粘着剤を備えた外寸149mm×115mm×2.5mm、内寸145mm×111mm×2.5mmのチタン製ペリクルフレームを、シリコーン接着剤(信越化学工業(株)製、KE−101A/B)を用いて接着させた。
機械加工により余分なペリクル膜をカットし、ペリクルを完成させた。
このペリクルではペリクル膜の破損は確認されなかった。
[実施例3]
上記実施例1と同様に、SOI基板のSOI層上の全面に、熱剥離シートを用いて単層グラフェンを転写した。
シリコン基板側には外縁から10mm内側の範囲で、エッチングマスクをパターニングし、シリコンDRIE法によるドライエッチング法により、マスクしていない部分のシリコン基板をエッチングした。
次に、HF処理をして中心部のシリコン熱酸化膜層を除去した後、純水で十分洗浄して、単層グラフェン付きシリコン単結晶膜を作製した。
更に、上記グラフェン付きシリコン単結晶膜の、シリコン単結晶側に単層グラフェン付き熱剥離シートを貼り合わせ、100℃に加熱することで熱剥離シートを除去することにより、単層グラフェンを転写した。その結果、シリコン単結晶膜(主層)と、該主層の上端面および下端面の両面にグラフェンを形成したペリクル膜を作製した。
下端面にマスク粘着剤を備えた外寸149mm×115mm×2.5mm、内寸145mm×111mm×2.5mmのチタン製ペリクルフレームを、シリコーン接着剤(信越化学工業(株)製、KE−101A/B)を用いて、上記ペリクル膜に上記チタン製ペリクルフレームを接着させた。
機械加工により余分なペリクル膜をカットし、ペリクルを完成させた。
このペリクルではペリクル膜の破損は確認されなかった。
上記実施例1と同様に、SOI基板のSOI層上の全面に、熱剥離シートを用いて単層グラフェンを転写した。
シリコン基板側には外縁から10mm内側の範囲で、エッチングマスクをパターニングし、シリコンDRIE法によるドライエッチング法により、マスクしていない部分のシリコン基板をエッチングした。
次に、HF処理をして中心部のシリコン熱酸化膜層を除去した後、純水で十分洗浄して、単層グラフェン付きシリコン単結晶膜を作製した。
更に、上記グラフェン付きシリコン単結晶膜の、シリコン単結晶側に単層グラフェン付き熱剥離シートを貼り合わせ、100℃に加熱することで熱剥離シートを除去することにより、単層グラフェンを転写した。その結果、シリコン単結晶膜(主層)と、該主層の上端面および下端面の両面にグラフェンを形成したペリクル膜を作製した。
下端面にマスク粘着剤を備えた外寸149mm×115mm×2.5mm、内寸145mm×111mm×2.5mmのチタン製ペリクルフレームを、シリコーン接着剤(信越化学工業(株)製、KE−101A/B)を用いて、上記ペリクル膜に上記チタン製ペリクルフレームを接着させた。
機械加工により余分なペリクル膜をカットし、ペリクルを完成させた。
このペリクルではペリクル膜の破損は確認されなかった。
[実施例4]
直径200mm,厚み725μmのシリコン基板の上に、膜厚100nmのシリコン熱酸化膜を介して、厚み50nmのシリコン単結晶からなるSOI層が貼り付けられているSOI基板を用いた。
CVD法によりCu箔上に形成した単層グラフェンの上にPMMA樹脂をコーティングした。その後、Cu箔をエッチングにて溶解し、純水で洗浄する事で、PMMA樹脂上に単層グラフェンを得た。この単層グラフェン付きPMMA樹脂をSOI基板に貼り合わせ、SOI基板上に単層グラフェンを設けた。
シリコン基板側には外縁から10mm内側の範囲で、エッチングマスクをパターニングし、シリコンDRIE法によるドライエッチング法により、マスクしていない部分のシリコン基板をエッチングした。
次に、HF処理をして中心部のシリコン熱酸化膜層を除去した後、アセトンでPMMA層を溶解し、純水洗浄する事で、シリコン単結晶(主層)と該主層の片面に形成された単層グラフェンとからなるペリクル膜を得た。
上記ペリクル膜のグラフェンを備えた側に、下端面にマスク粘着剤を備えた外寸149mm×115mm×2.5mm、内寸145mm×111mm×2.5mmのチタン製ペリクルフレームを、シリコーン接着剤(信越化学工業(株)製、KE−101A/B)を用いて接着させた。
機械加工により余分なペリクル膜をカットし、ペリクルを完成させた。
このペリクルではペリクル膜の破損は確認されなかった。
直径200mm,厚み725μmのシリコン基板の上に、膜厚100nmのシリコン熱酸化膜を介して、厚み50nmのシリコン単結晶からなるSOI層が貼り付けられているSOI基板を用いた。
CVD法によりCu箔上に形成した単層グラフェンの上にPMMA樹脂をコーティングした。その後、Cu箔をエッチングにて溶解し、純水で洗浄する事で、PMMA樹脂上に単層グラフェンを得た。この単層グラフェン付きPMMA樹脂をSOI基板に貼り合わせ、SOI基板上に単層グラフェンを設けた。
シリコン基板側には外縁から10mm内側の範囲で、エッチングマスクをパターニングし、シリコンDRIE法によるドライエッチング法により、マスクしていない部分のシリコン基板をエッチングした。
次に、HF処理をして中心部のシリコン熱酸化膜層を除去した後、アセトンでPMMA層を溶解し、純水洗浄する事で、シリコン単結晶(主層)と該主層の片面に形成された単層グラフェンとからなるペリクル膜を得た。
上記ペリクル膜のグラフェンを備えた側に、下端面にマスク粘着剤を備えた外寸149mm×115mm×2.5mm、内寸145mm×111mm×2.5mmのチタン製ペリクルフレームを、シリコーン接着剤(信越化学工業(株)製、KE−101A/B)を用いて接着させた。
機械加工により余分なペリクル膜をカットし、ペリクルを完成させた。
このペリクルではペリクル膜の破損は確認されなかった。
[実施例5]
上記実施例4と同様に、PMMA樹脂上単層グラフェンを貼り合わせたSOI基板を準備した。
シリコン基板側には外縁から10mm内側の範囲で、エッチングマスクをパターニングし、DRIEによってマスクしていない部分のシリコン基板をエッチングした。
次に、HF処理をして中心部のシリコン熱酸化膜層を除去した。純水洗浄後、単結晶シリコン側に、単層グラフェン付きPMMA樹脂を、グラフェンが単結晶シリコン膜側に付くように貼り合わせた。最後にアセトンでPMMA層を溶解、純水洗浄して、シリコン単結晶膜(主層)と、該主層の上端面および下端面の両面に単層グラフェンを形成したペリクルを作製した。
上記ペリクル膜に、下端面にマスク粘着剤を備えた外寸149mm×115mm×2.5mm、内寸145mm×111mm×2.5mmのチタン製ペリクルフレームを、シリコーン接着剤(信越化学工業(株)製、KE−101A/B)を用いて接着させた。
機械加工により余分なペリクル膜をカットし、ペリクルを完成させた。
このペリクルではペリクル膜の破損は確認されなかった。
上記実施例4と同様に、PMMA樹脂上単層グラフェンを貼り合わせたSOI基板を準備した。
シリコン基板側には外縁から10mm内側の範囲で、エッチングマスクをパターニングし、DRIEによってマスクしていない部分のシリコン基板をエッチングした。
次に、HF処理をして中心部のシリコン熱酸化膜層を除去した。純水洗浄後、単結晶シリコン側に、単層グラフェン付きPMMA樹脂を、グラフェンが単結晶シリコン膜側に付くように貼り合わせた。最後にアセトンでPMMA層を溶解、純水洗浄して、シリコン単結晶膜(主層)と、該主層の上端面および下端面の両面に単層グラフェンを形成したペリクルを作製した。
上記ペリクル膜に、下端面にマスク粘着剤を備えた外寸149mm×115mm×2.5mm、内寸145mm×111mm×2.5mmのチタン製ペリクルフレームを、シリコーン接着剤(信越化学工業(株)製、KE−101A/B)を用いて接着させた。
機械加工により余分なペリクル膜をカットし、ペリクルを完成させた。
このペリクルではペリクル膜の破損は確認されなかった。
[比較例1]
SOI基板にグラフェンを備えないこと以外は実施例1と同じようにペリクル膜の作製を試みた。その結果、HF処理によりシリコン熱酸化膜層の除去を試みたが、エッチング途中で膜が破損してしまった。
SOI基板にグラフェンを備えないこと以外は実施例1と同じようにペリクル膜の作製を試みた。その結果、HF処理によりシリコン熱酸化膜層の除去を試みたが、エッチング途中で膜が破損してしまった。
10 グラフェン
40 SOI基板
41 SOI層
42 絶縁体層(BOX層)
45 Si基板
20 基板(Cu箔等)
30 熱剥離シート30
60 パターンニングマスク
1 ペリクル
2 ペリクルフレーム
3 ペリクル膜
4 フォトマスク粘着剤
5 ペリクル膜接着剤
6 通気孔
40 SOI基板
41 SOI層
42 絶縁体層(BOX層)
45 Si基板
20 基板(Cu箔等)
30 熱剥離シート30
60 パターンニングマスク
1 ペリクル
2 ペリクルフレーム
3 ペリクル膜
4 フォトマスク粘着剤
5 ペリクル膜接着剤
6 通気孔
Claims (3)
- ペリクルフレームの一端面に張設されるペリクル膜であって、主層と、該主層の片面又は両面にグラフェンを有することを特徴とするフォトリソグラフィ用ペリクル膜。
- 上記主層が単結晶シリコンである請求項1記載のフォトリソグラフィ用ペリクル膜。
- ペリクル膜とペリクルフレームとから構成され、該ペリクル膜が接着剤又は粘着剤を介して上記ペリクルフレームの上端面に設けられるフォトリソグラフィ用ペリクルであって、上記ペリクル膜は、主層と、該主層の片面又は両面にグラフェンを有することを特徴とするフォトリソグラフィ用ペリクル。
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Cited By (6)
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US11392049B2 (en) | 2020-11-09 | 2022-07-19 | Korea Electronics Technology Institute | Pellicle for extreme ultraviolet lithography |
KR102282184B1 (ko) * | 2020-11-11 | 2021-07-28 | 한국전자기술연구원 | 다층 그래핀의 직성장 방법 및 그를 이용한 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법 |
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