JP2020095042A - SiC基板の評価方法 - Google Patents
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Abstract
Description
20 支持台
20a 傾斜支持台
40 SiC基板
41 標準試料(走査型電子顕微鏡用標準試料)
50 傾斜支持台付き標準試料
Claims (10)
- 走査型電子顕微鏡の性能を評価するための走査型電子顕微鏡用標準試料と、
前記走査型電子顕微鏡用標準試料を支持する傾斜支持台と、
を備える傾斜支持台付き標準試料において、
前記走査型電子顕微鏡用標準試料は、六方晶系SiC単結晶からなり、オフ角度を有しており、表面にハーフユニット高さのステップと原子レベルで平坦なテラスからなるステップ/テラス構造が形成されており、
それぞれのテラスの表面は、第1積層配向又は第2積層配向の何れかであり、
前記傾斜支持台の支持面は、前記走査型電子顕微鏡用標準試料のオフ角度と同じ傾斜角度であり、
テラスの表面の垂直線に対して、前記走査型電子顕微鏡から照射される電子線がなす角度を入射電子角度としたときに、
表面直下が第1積層配向のテラスの映像と、表面直下が第2積層配向のテラスの映像との明暗の差であるコントラストが前記走査型電子顕微鏡用標準試料のオフ角度によらず、前記入射電子角度に応じて変化することを特徴とする傾斜支持台付き標準試料。 - 請求項1に記載の傾斜支持台付き標準試料であって、
前記入射電子角度が30°から40°の間において、前記コントラストが最も大きくなることを特徴とする傾斜支持台付き標準試料。 - 請求項1又は2に記載の傾斜支持台付き標準試料であって、
テラスの表面の垂直線を回転軸として当該走査型電子顕微鏡用標準試料を回転させる角度を試料回転角度としたとしたときに、前記コントラストが前記試料回転角度に応じて変化することを特徴とする傾斜支持台付き標準試料。 - 請求項1から3までの何れか一項に記載の傾斜支持台付き標準試料であって、
同心円状又は相似六角形状のステップ/テラス構造を有しており、中央から外側に向かって、ハーフユニットずつ高さが高くなることを特徴とする傾斜支持台付き標準試料。 - 請求項1から4までの何れか一項に記載の傾斜支持台付き標準試料であって、
テラス幅が0.1μm以上20μm以下であることを特徴とする傾斜支持台付き標準試料。 - 請求項1から5までの何れか一項に記載の傾斜支持台付き標準試料であって、
ステップ/テラス構造は、オフ角を有する4H−SiC又は6H−SiCの基板表面の(0001)Si面又は(000−1)C面に凹部を形成し、当該基板をSi蒸気圧下で加熱することで形成されることを特徴とする傾斜支持台付き標準試料。 - 請求項1から6までの何れか一項に記載の傾斜支持台付き標準試料に対して入射電子角度を変化させつつ電子線を照射することで得られた前記コントラストの変化と、予め求められたコントラストの変化と、を比較することで、走査型電子顕微鏡が照射する電子線の方向に関する性能を評価することを特徴とする走査型電子顕微鏡の評価方法。
- 請求項7に記載の走査型電子顕微鏡の評価方法であって、
4H−SiCからなる前記走査型電子顕微鏡用標準試料に対して走査型電子顕微鏡から電子線を照射することで得られた映像と、6H−SiCからなる前記走査型電子顕微鏡用標準試料に対して走査型電子顕微鏡から電子線を照射することで得られた映像と、を比較することで、走査型電子顕微鏡が照射する電子線の深さに関する性能を評価することを特徴とする走査型電子顕微鏡の評価方法。 - 請求項1から6までの何れか一項に記載の傾斜支持台付き標準試料に対して走査型電子顕微鏡から電子線を照射することで得られたコントラストと、評価対象のSiC基板に電子線を照射することで得られたコントラストと、を比較することでSiC基板の品質を評価することを特徴とするSiC基板の評価方法。
- 請求項9に記載のSiC基板の評価方法であって、
前記走査型電子顕微鏡用標準試料に対して所定の前記入射電子角度で走査型電子顕微鏡から電子線を照射することで得られた表面直下が第1積層配向及び第2積層配向のテラスから得られる輝度の面内分布と、評価対象のSiC基板に対して同じ前記入射電子角度で電子線を照射することで得られた輝度の面内分布と、を比較することで、SiC基板の品質を評価することを特徴とするSiC基板の評価方法。
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