JP2020084222A - 被覆粒子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
近年、電子機器類の一層の小型化に伴い、電子回路の回路幅やピッチはますます小さくなっている。それに伴い、上述の導電性接着剤、異方性導電膜、異方性導電接着剤等に用いられる金属被覆粒子として、その粒径が小さいものが求められている。このような小さい粒径の金属被覆粒子を使用した場合、その接続性を高めるためには金属被覆粒子の配合量を増加させなければならない。しかしながら、金属被覆粒子の配合量を増加させると、意図しない方向への導通、すなわち対向電極間とは異なる方向への導通により短絡が生じてしまい、該方向における絶縁性が得難いことが問題となっている。この問題を解決するために、金属被覆粒子の表面を絶縁性の物質で被覆して、金属被覆粒子の金属層同士の接触を防止した絶縁被覆金属被覆粒子が使用されている。
の金属層をプラズマ処理することで、絶縁性微粒子との親和性を向上させることができること、これにより従来技術と比べて絶縁性微粒子の金属被覆粒子からの剥落が効果的に抑制できることを見出し、本発明を完成した。
金属被覆粒子にプラズマを照射させたプラズマ処理金属被覆粒子を得る工程と、
プラズマ処理金属被覆粒子と絶縁性微粒子とを混合して、金属被覆粒子の表面に絶縁性微粒子を付着させる工程と、を有する被覆粒子の製造方法を提供するものである。
本実施形態の被覆粒子の製造方法は、芯材表面に金属が形成された金属被覆粒子が、ポリマーからなる絶縁性微粒子に被覆された被覆粒子の製造方法であって、金属被覆粒子にプラズマを照射させたプラズマ処理金属被覆粒子を得る工程、及び、プラズマ処理金属被覆粒子と絶縁性微粒子とを混合して、金属被覆粒子の表面に絶縁性微粒子を付着させる工程を有する。
上記金属被覆粒子は、導電性接着剤、異方性導電膜、異方性導電接着剤に従来用いている公知のものを用いることができる。
記載の方法で測定できる。
タ)アクリレート、テトラメチロールメタンジ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメ
タントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、テトラメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリレート、グリセロールトリジ(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)アクリレート、ジビニルベンゼン、ジビニルトルエン等の多官能ビニル系単量体、ビニルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、γ-(メタ)ア
クリロキシプロピルトリメトキシシラン等のシラン含有系単量体、トリアリルイソシアヌレート、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル等の単量体が挙げられる。特にCOG(Chip on Glass)分野ではこのような硬質な有機材料による芯
材粒子が多く使用される。
理後のいずれにおいても、金属皮膜の厚さは0.001μm以上2μm以下が好ましく、0.01μm以上1.8μm以下が更に好ましい。
金属被覆粒子を被覆する絶縁層はポリマーから構成される。絶縁層としては、複数の絶縁性微粒子からなるか、或いは、前記絶縁層が皮膜であるものが挙げられる。
絶縁層がポリマーからなる絶縁性微粒子である場合、被覆粒子を電極間で熱圧着することで絶縁性微粒子が溶融、変形、剥離又は金属被覆粒子表面を移動することにより熱圧着された部分における金属被覆粒子の金属表面が露出し、これにより電極間での導通を可能にして接続性が得られる。一方、被覆粒子における熱圧着方向以外の方向を向く表面部分は、絶縁性微粒子による金属表面の被覆状態が概ね維持されているため、熱圧着方向以外の方向における導通が防止される。
状にできる点で好ましい。またプラズマ処理を受けた金属被覆粒子との親和性の点から、絶縁性微粒子を構成するポリマーは、スチレン類を主成分とすることが特に好ましい。絶縁性微粒子を構成するポリマー中の全構成単位のうち、スチレン類に由来する構成単位の割合は50モル%以上であることが好ましく、60モル%以上であることがより好ましく、70モル%以上であることが特に好ましい。スチレン類に由来する構成単位とプラズマ処理を受けた金属被覆粒子との親和性が高い理由は明確ではないが、プラズマ処理を受けることで、金属被覆粒子において金属表面が電荷を持った状態となることが、ポリスチレンとの親和性を高めるものと発明者は推測している。
.02モル%以上2.0モル%以下であることがより好ましい。ここで、ポリマー中の構成単位の数は、1つのエチレン性不飽和結合に由来する構造を1の構成単位としてカウントする。
C.V.(%)=(標準偏差/平均粒子径)×100・・・(1)
このC.V.が大きいということは粒度分布に幅があることを示し、一方、C.V.が小さいということは粒度分布がシャープであることを示す。本実施形態の被覆粒子は、C.V.が好ましくは0.1%以上20%以下、より好ましくは0.5%以上15%以下、最も好ましくは1%以上10%以下の絶縁性微粒子を用いることが望ましい。C.V.がこの範囲にあることにより、絶縁性微粒子による被覆層の厚みを均一にできる利点がある。
縁性の向上の点から好ましく、3,000nm以下であることが、対向電極間での導通しやすさの点で好ましい。この点から、皮膜の厚さは、10nm以上3,000nm以下であることが好ましく、15nm以上2,000nm以下であることがより好ましい。
本発明の被覆粒子の製造方法は、金属被覆粒子にプラズマを照射させたプラズマ処理金属被覆粒子を得る工程と、プラズマ処理金属被覆粒子と絶縁性微粒子とを混合して、金属被覆粒子の表面に絶縁性微粒子を付着させる工程、とを有する。
プラズマ照射は、被処理物をはさむように対向配置された電極間に反応性ガスを導入した状態で直流電圧を加えて放電させ、反応性ガスをプラズマ化し、このプラズマ化したガスを被処理物に照射する。この方式はダイレクト式とも呼ばれる。
絶縁性微粒子との密着性と金属被覆粒子の導電性との両立が得やすい。
属被覆粒子と絶縁性微粒子とを含む分散液中に、金属被覆粒子は質量基準で100ppm以上100,000ppm以下含有されていることが好ましく、500ppm以上80,000ppm以下含有されていることがより好ましい。
測定対象の走査型電子顕微鏡(SEM)写真(金属被覆粒子は倍率10,000倍、絶縁性微粒子は倍率100,000倍)から、任意に200個の粒子を抽出して、それらの粒子径を測定し、その平均値を平均粒子径とした。平均粒子径の定義は上述した通りである。なお走査型電子顕微鏡画像において金属被覆粒子が球状である場合は、SEMを用いて測定する粒子径とは、円形の金属被覆粒子像の径である。金属被覆粒子が球状でない場合、SEMを用いて測定する粒子径は、金属被覆粒子の像を横断する線分のうち最も大きい線分の長さ(最大長さ)をいう。このことは絶縁性微粒子の平均粒子径についても同様である。
前記平均粒子径の測定から、下記式により求めた。
C.V.(%)=(標準偏差/平均粒子径)×100
示差走査熱量測定装置(METTLER TOLEDO社製、STAR SYSTEM)にて昇降温速度5℃/min、窒素雰囲気下、測定温度25℃から200℃までの熱量変化を上記の手順で測定した。
(絶縁性微粒子)
長さ60mmの撹拌羽根を取り付けた200mLの4つ口フラスコに、純水を100mL投入した。その後、スチレンモノマー(関東化学(株)社製)30mmol及び重合開始剤として2、2′−アゾビス(2−メチルプロピオンアミジン)ジヒドロクロライド(和光純薬工業社製、V−50)0.50mmolを投入した。窒素を15分間通気し、溶存酸素を追い出した後、60℃に昇温し、6時間保持して重合反応を進行させポリスチレン微粒子を含む分散液を得た。この分散液中の凝集物を篩により除去し、遠心分離にて微粒子を沈降させて微粒子を上澄み液と分離後、純水により洗浄してポリスチレンからなる平均粒子径が400nmである絶縁性微粒子(ガラス転移温度:105℃)を得た。
架橋性のアクリル樹脂からなるガラス転移温度が120℃の球状の樹脂粒子表面が、厚さ125nmのニッケル皮膜でめっきされた平均粒子径が3μmのニッケルめっき粒子(日本化学工業(株)社製)を使用した。このニッケルめっき粒子をプラズマ処理した。ニッケルめっき粒子10gを真空プラズマ処理装置のチャンバー内に入れ、下記の条件で高周波放電によるプラズマ処理を行い、ニッケル皮膜をプラズマ処理したニッケルめっき粒子を得た。
<プラズマ処理の条件>
印加電力:60W
チャンバー内圧力:5.0×10−4Pa
反応性ガス種:酸素
ガス流量:3000ml/分
プラズマ処理の温度:25℃
プラズマ照射時間:3分
上記で得られたプラズマ処理したニッケルめっき粒子5.0gに純水100mLを投入、撹拌してニッケルめっき粒子の分散液を得た。この分散液に、上記で得られた絶縁性微粒子と、Na2SO4を投入し、40℃で30分間撹拌した。絶縁性微粒子及びNa2SO4の投入後、分散液中、絶縁性微粒子の固形分濃度は質量基準で10,000ppmであり、Na2SO4の濃度は5mmol/Lであった。上澄み液を除去後、純水により洗浄した後、50℃で真空乾燥して絶縁性微粒子被覆導電性粒子を得た。
(絶縁性微粒子)
実施例1と同じ反応装置を用いて、スチレンモノマー(関東化学(株)社製)30mmol、n−ブチルアクリレート(関東化学(株)社製)5.3mmol及び重合開始剤として2、2′−アゾビス(2−メチルプロピオンアミジン)ジヒドロクロライド(和光純薬工業社製、V−50)0.50mmolを投入し、実施例1と同じ条件で重合及び後処理を行い、ポリ(スチレン/n−ブチルアクリレート)からなる平均粒子径が400nmである絶縁性微粒子(ガラス転移温度:62℃)を得た。
(ニッケルめっき粒子のプラズマ処理)
実施例1と同じ方法でプラズマ処理したニッケルめっき粒子を得た。
(絶縁性微粒子の被覆)
上記で得られたプラズマ処理したニッケルめっき粒子5.0gに純水100mLを投入、撹拌してニッケルめっき粒子の分散液を得た。この分散液に、上記で得られた絶縁性微粒子と、Na2SO4を投入し、40℃で30分間撹拌した。絶縁性微粒子及びNa2SO4の投入後、分散液中、絶縁性微粒子の固形分濃度は質量基準で10,000ppmであり、Na2SO4の濃度は5mmol/Lであった。上澄み液を除去後、純水により洗浄した後、50℃で真空乾燥して絶縁性微粒子被覆導電性粒子を得た。
(絶縁性微粒子)
実施例1と同じ反応装置を用いて、スチレンモノマー(関東化学(株)社製)30mmol、n−ブチルアクリレート(関東化学(株)社製)5.3mmol、4−(ビニルベンジル)トリエチルホスホニウムクロライド(日本化学工業(株)社製)0.03mmol及び重合開始剤として2、2′−アゾビス(2−メチルプロピオンアミジン)ジヒドロクロライド(和光純薬工業社製、V−50)0.50mmolを投入し、実施例1と同じ条件で重合及び後処理を行い、ポリ(スチレン/n−ブチルアクリレート/4−(ビニルベンジル)トリエチルホスホニウムクロライド)からなる平均粒子径が139nmである絶縁性微粒子(ガラス転移温度:62℃)を得た。
(ニッケルめっき粒子のプラズマ処理)
実施例1と同じ方法でプラズマ処理したニッケルめっき粒子を得た。
(絶縁性微粒子の被覆)
上記で得られたプラズマ処理したニッケルめっき粒子5.0gに純水100mLを投入、撹拌してニッケルめっき粒子の分散液を得た。この分散液に、上記で得られた絶縁性微粒子と、Na2SO4を投入し、40℃で30分間撹拌した。絶縁性微粒子及びNa2SO4の投入後、分散液中、絶縁性微粒子の固形分濃度は質量基準で10,000ppmであり、Na2SO4の濃度は5mmol/Lであった。上澄み液を除去後、純水により洗
浄した後、50℃で真空乾燥して絶縁性微粒子被覆導電性粒子を得た。
実施例3で得られた被覆粒子1.0gを、純水20mL中に投入し、95℃で6時間撹拌した。撹拌終了後、目開きが2μmのメンブレンフィルターにより固形物を分離後、乾燥して、ニッケルめっき粒子の表面全体が厚さ125nmの皮膜に被覆された被覆粒子を得た。
(絶縁性微粒子)
実施例1と同じ方法でポリスチレンからなる絶縁性微粒子を得た。
(金めっき粒子のプラズマ処理)
架橋性のアクリル樹脂からなるガラス転移温度が120℃の球状の樹脂粒子表面が、厚さ125nmの金皮膜でめっきされた平均粒子径が3μmの金めっき粒子(日本化学工業(株)社製)を使用した。この金めっき粒子10gを真空プラズマ処理装置のチャンバー内に入れ、下記の条件で高周波放電によるプラズマ処理を行い、金皮膜をプラズマ処理した金めっき粒子を得た。
<プラズマ処理の条件>
印加電力:60W
チャンバー内圧力:5.0×10−4Pa
反応性ガス種:酸素
ガス流量:3000ml/分
プラズマ処理の温度:25℃
プラズマ照射時間:3分
(絶縁性微粒子の被覆)
上記で得られたプラズマ処理した金めっき粒子5.0gに純水100mLを投入、撹拌して金めっき粒子の分散液を得た。この分散液に、上記で得られた絶縁性微粒子と、Na2SO4を投入し、40℃で30分間撹拌した。絶縁性微粒子及びNa2SO4の投入後、分散液中、絶縁性微粒子の固形分濃度は質量基準で10,000ppmであり、Na2SO4の濃度は5mmol/Lであった。上澄み液を除去後、純水により洗浄した後、50℃で真空乾燥して絶縁性微粒子被覆導電性粒子を得た。
(絶縁性微粒子)
実施例2と同じ方法でポリ(スチレン/n−ブチルアクリレート)からなる絶縁性微粒子を得た。
(金めっき粒子のプラズマ処理)
実施例5と同じ方法でプラズマ処理した金めっき粒子を得た。
(絶縁性微粒子の被覆)
上記で得られたプラズマ処理した金めっき粒子5.0gに純水100mLを投入、撹拌して金めっき粒子の分散液を得た。この分散液に、上記で得られた絶縁性微粒子と、Na2SO4を投入し、40℃で30分間撹拌した。絶縁性微粒子及びNa2SO4の投入後、分散液中、絶縁性微粒子の固形分濃度は質量基準で10,000ppmであり、Na2SO4の濃度は5mmol/Lであった。上澄み液を除去後、純水により洗浄した後、50℃で真空乾燥して絶縁性微粒子被覆導電性粒子を得た。
(絶縁性微粒子)
実施例3と同じ方法でポリ(スチレン/n−ブチルアクリレート/4−(ビニルベンジル)トリエチルホスホニウムクロライド)からなる平均粒子径が139nmである絶縁性
微粒子を得た。
(金めっき粒子のプラズマ処理)
実施例5と同じ方法でプラズマ処理した金めっき粒子を得た。
(絶縁性微粒子の被覆)
上記で得られたプラズマ処理した金めっき粒子5.0gに純水100mLを投入、撹拌して金めっき粒子の分散液を得た。この分散液に、上記で得られた絶縁性微粒子と、Na2SO4を投入し、40℃で30分間撹拌した。絶縁性微粒子及びNa2SO4の投入後、分散液中、絶縁性微粒子の固形分濃度は質量基準で10,000ppmであり、Na2SO4の濃度は5mmol/Lであった。上澄み液を除去後、純水により洗浄した後、50℃で真空乾燥して絶縁性微粒子被覆導電性粒子を得た。
実施例7で得られた被覆粒子1.0gを、純水20mL中に投入して分散液を得た。この分散液にテトラヒドロフラン10mLを加え、室温で6時間撹拌した。撹拌終了後、目開きが2μmのメンブレンフィルターにより固形物を分離して水洗後、乾燥して、金めっき粒子の表面全体が厚さ100nmの連続皮膜に被覆された被覆粒子を得た。
ニッケルめっき粒子にプラズマ処理を行わなかった以外は、実施例1と同様にして、絶縁性微粒子によってニッケルめっき粒子の表面が被覆された被覆粒子を得た。
ニッケルめっき粒子にプラズマ処理を行わなかった以外は、実施例2と同様にして、絶縁性微粒子によってニッケルめっき粒子の表面が被覆された被覆粒子を得た。
ニッケルめっき粒子にプラズマ処理を行わなかった以外は、実施例3と同様にして、絶縁性微粒子によってニッケルめっき粒子の表面が被覆された被覆粒子を得た。
ニッケルめっき粒子にプラズマ処理を行わなかった以外は、実施例4と同様にして、ニッケルめっき粒子の表面全体が厚さ125nmの皮膜に被覆された被覆粒子を得た。
金めっき粒子にプラズマ処理を行わなかった以外は、実施例5と同様にして、絶縁性微粒子によって金めっき粒子の表面が被覆された被覆粒子を得た。
金めっき粒子にプラズマ処理を行わなかった以外は、実施例6と同様にして、絶縁性微粒子によって金めっき粒子の表面が被覆された被覆粒子を得た。
金めっき粒子にプラズマ処理を行わなかった以外は、実施例7と同様にして、絶縁性微粒子によって金めっき粒子の表面が被覆された被覆粒子を得た。
金めっき粒子にプラズマ処理を行わなかった以外は、実施例8と同様にして、金めっき粒子の表面全体が厚さ100nmの連続皮膜に被覆された被覆粒子を得た。
例1〜8で得られた被覆粒子の導電性を以下の方法で評価した。結果を表1に示す。
金属被覆粒子の表面に、絶縁性微粒子が最密充填で配列したときの絶縁性微粒子の個数Nを以下の計算式で算出した。
N=4π(R+r)2/2√3r2
(R:金属被覆粒子の半径(nm)、r:絶縁性微粒子の半径(nm))
SEMにて金属被覆粒子に付着した絶縁性微粒子の個数nを数え、以下の式から被覆率を算出した。
被覆率(%)=(n/N)×100
評価に用いた被覆率は、金属被覆粒子20個の平均値とした。
Claims (5)
- 芯材表面に金属が形成された金属被覆粒子が、ポリマーからなる絶縁性微粒子に被覆された被覆粒子の製造方法であって、
金属被覆粒子にプラズマを照射させたプラズマ処理金属被覆粒子を得る工程と、
プラズマ処理金属被覆粒子と絶縁性微粒子とを混合して、金属被覆粒子の表面に絶縁性微粒子を付着させる工程と、を有する被覆粒子の製造方法。 - 金属被覆粒子の金属が、ニッケル、金、ニッケル合金及び金合金から選ばれる少なくとも1種である、請求項1に記載の被覆粒子の製造方法。
- 絶縁性微粒子を構成するポリマーが、スチレン類、エステル類及びニトリル類から選ばれる少なくとも1種の重合体である、請求項1又は2に記載の被覆粒子の製造方法。
- 金属被覆粒子にプラズマを照射させる工程を真空下又は10000Pa以下の低圧条件下で行う、請求項1〜3の何れか一項に記載の被覆粒子の製造方法。
- 金属被覆粒子表面に絶縁性微粒子を付着させた被覆粒子を、更に加熱又は有機溶剤で溶解して絶縁性微粒子を膜状にする工程を有する請求項1〜4の何れか一項に記載の被覆粒子の製造方法。
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JPH05131170A (ja) * | 1991-02-20 | 1993-05-28 | Ii C Kagaku Kk | 塗装前処理方法 |
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JPS58136701A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-08-13 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 微粒子のコーティング方法 |
JPH05131170A (ja) * | 1991-02-20 | 1993-05-28 | Ii C Kagaku Kk | 塗装前処理方法 |
WO2018207628A1 (ja) * | 2017-05-08 | 2018-11-15 | 日本化学工業株式会社 | 被覆粒子及びその製造方法 |
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