JP2020051447A - バルブ - Google Patents

Abstract

【課題】プロセスガス等のガスを流通させた状態で駆動部のみが交換可能で、かつ、リフト量調節作業を省くことが可能なダイヤフラムバルブを提供する。【解決手段】流路を画定するバルブボディ２と、バルブボディ２と協働して流路の一部を画定するように周縁部がバルブボディ２に気密に接触し、流路を開閉可能に設けられたダイヤフラム４と、ダイヤフラム４が流路を閉鎖させる閉位置と開放させる開位置との間で移動可能に設けられたダイヤフラムを操作する操作部材６と、を含むバルブユニット１Ａと、バルブユニット１Ａに対して取り外し可能に装着されかつ操作部材６を開位置に移動させる駆動ユニット１Ｂと、を有し、バルブユニット１Ｂは、操作部材６の開位置を調整するリフト量調節機構１０をさらに有する。【選択図】図１

Description

本発明は、バルブ、このバルブを用いた、流量制御方法、流体制御装置、半導体製造方法、半導体製造装置に関する。

例えば、半導体製造工程においては、処理チャンバに対して、各種のプロセスガスの供給を制御するため、バルブが用いられている。
原子層堆積法（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ 法）等においては、基板に膜を堆積させる処理プロセスに使用するプロセスガスの流量を精密に調整する必要があるとともに、基板の大口径化等により、プロセスガスの流量をある程度確保する必要もある。
ＡＬＤ法等による半導体製造プロセスでは、処理チャンバの周辺が高温となるため、バルブが温度の影響を受けやすく、かつ、高頻度でバルブを開閉するので、バルブのうち、特に、アクチュエータ部のシール部材の経時、経年劣化が発生しやすい。このため、バルブのアクチュエータ部のみを新しいアクチュエータ部に交換することが行われている。

特開２０１７−４４３２２号公報 特開２０１２−１８９１６５号公報

特許文献１，２等は、流体通路の気密性を維持したままアクチュエータ部を交換可能なダイヤフラムバルブを開示している。
しかしながら、特許文献１，２に開示されたダイヤフラムバルブにおいては、アクチュエータ部を交換したのち、バルブシートに対するダイヤフラムのリフト量を調整する作業が必要であった。流量を精密に制御するには、リフト量調節を高精度に行う必要があり、この調整作業に多大な工数が必要であった。

本発明の一の目的は、プロセスガス等のガスを流通させた状態で駆動部のみが交換可能で、かつ、リフト量調節作業を省くことが可能なバルブを提供することにある。
本発明の他の目的は、上記のバルブを用いた、流量制御方法、流体制御装置、半導体製造方法、半導体製造装置を提供することにある。

本発明のバルブは、流路を画定するバルブボディと、
前記バルブボディと協働して前記流路の一部を画定するように周縁部が前記バルブボディに気密に接触し、かつ、前記流路を開閉可能に設けられた弁体と、
前記弁体が前記流路を閉鎖させる閉位置と開放させる開位置との間で移動可能に設けられた前記弁体を操作する操作部材と、を含むバルブユニットと、
前記バルブユニットに対して取り外し可能に装着されかつ前記操作部材を前記開位置又は閉位置に移動させる駆動ユニットと、を有し、
前記バルブユニットは、前記操作部材の前記開位置を調整するリフト量調節機構をさらに有する。

好適には、前記リフト量調節機構は、前記操作部材に対して位置を変更可能に設けられたリフト量調節部材と、
前記バルブボディに固定され、前記リフト量調節部材と当接して前記流路を開放させる方向への前記操作部材の移動を規制する規制部をもつ部材と、を有する構成を採用できる。
さらに好適には、前記規制部をもつ部材は、前記弁体の周縁部を前記バルブボディに向けて押圧して前記弁体を気密に前記バルブボディに固定するための固定部をさらに有する、構成とすることができる。
さらに好適には、前記規制部をもつ部材は、前記駆動ユニットを取外し可能に装着する装着部をさらに有する、構成とすることも可能である。

前記規制部をもつ部材は、前記流路を開閉する方向に前記操作部材を移動自在にガイドするガイド部をさらに有する、構成を採用でき、好適には、前記ガイド部材は、前記操作部材に設けられた前記リフト量調節部材が嵌合するガイド孔を含む、構成としてもよい。

好適には、前記リフト量調節部材は、前記操作部材に螺合しており、
前記リフト量調節機構は、前記操作部材に螺合し、前記リフト量調節部材の位置をロックするためのロック部材をさらに有する、構成を採用できる。

好適には、前記リフト量調節機構は、前記駆動ユニットが前記バルブユニットに未装着状態において操作可能に形成されている、構成を採用できる。

好適には、前記駆動ユニットは、駆動流体の供給を受けて作動する構造、手動操作により作動する構造、または、駆動流体の供給を受けて作動する構造および手動操作により作動する構造の双方を有する、構成を採用できる。

本発明の流体制御装置は、複数の流体機器が配列された流体制御装置であって、
前記複数の流体機器は、上記のバルブを含む。

本発明の半導体製造方法は、密閉されたチャンバ内においてプロセスガスによる処理工程を要する半導体装置の製造プロセスにおいて、前記プロセスガスの流量制御に上記のバルブを用いる。

本発明の半導体製造装置は、処理チャンバにプロセスガスを供給する流体制御装置を有し、
前記流体制御装置は、複数の流体機器を含み、
前記流体機器は、上記のバルブを含む。

本発明によれば、バルブの流路の気密性を維持したままで駆動ユニットのみを交換可能となり、かつ、リフト量調節作業を省くことが可能となる。

本発明の一実施形態に係るバルブの縦断面図。 図１のバルブの開状態を示す要部の拡大断面図。 図１のバルブの閉状態を示す要部の拡大断面図。 リフト量調節部材およびロック部材が設けられた操作部材の図。 図３Ａのリフト量調節部材およびロック部材と操作部材との関係を示す断面図。 流体が流通する状態のバルブユニット単体の断面図。 本発明の一実施形態に係るバルブの半導体製造プロセスへの適用例を示す概略図。 本実施形態のバルブが適用される流体制御装置の一例を示す斜視図。

以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。説明において同様の要素には同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
先ず、図５を参照して、本発明のバルブが適用される半導体製造装置の一例を説明する。
図５に示す半導体製造装置１０００は、ＡＬＤ法による半導体製造プロセスを実行するための装置であり、６００はプロセスガス供給源、７００は流体制御装置としてのガスボックス、７１０はタンク、７２０は開閉バルブ、７３０は制御部、８００は処理チャンバ、９００は排気ポンプを示している。
ＡＬＤ法は、化学気相成長法の１つであり、温度や時間等の成膜条件の下で、２種類以上のプロセスガスを１種類ずつ基板表面上に交互に流し、基板表面上原子と反応させて単層ずつ膜を堆積させる方法であり、単原子層ずつ制御が可能である為、均一な膜厚を形成させることができ、膜質としても非常に緻密に膜を成長させることができる。
ガスボックス７００は、正確に計量したプロセスガスを処理チャンバ８００に供給するために、開閉バルブ、レギュレータ、マスフローコントローラ等の各種の流体制御機器を集積化してボックスに収容した集積化ガスシステム（流体制御装置）である。
タンク７１０は、ガスボックス７００から供給されるプロセスガスを一時的に貯留するバッファとして機能する。
開閉バルブ７２０は、高頻度で流路を開閉することにより、タンク７１０からのプロセスガスを真空雰囲気の処理チャンバ８００へ供給する。なお、この開閉バルブ７２０として、後述する本実施形態に係るダイヤフラムバルブ１が好適である。
制御部７３０は、開閉バルブ７２０への駆動ガスの供給制御による流量制御を実行する。
処理チャンバ８００は、ＡＬＤ法による基板への膜形成のための密閉処理空間を提供する。
排気ポンプ９００は、処理チャンバ８００内を真空引きする。

ＡＬＤ法により基板に膜を堆積させる処理プロセスにおいては、プロセスガスを安定的に供給するためにガスボックス７００から供給されるプロセスガスをバッファとしてのタンク７１０に一時的に貯留し、処理チャンバ８００の直近に設けられた開閉バルブ７２０を高頻度で開閉させてタンク７１０からのプロセスガスを真空雰囲気の処理チャンバへ供給する。
ＡＬＤ法は、化学気相成長法の１つであり、温度や時間等の成膜条件の下で、２種類以上のプロセスガスを１種類ずつ基板表面上に交互に流し、基板表面上原子と反応させて単層ずつ膜を堆積させる方法であり、単原子層ずつ制御が可能である為、均一な膜厚を形成させることができ、膜質としても非常に緻密に膜を成長させることができる。
ＡＬＤ法による半導体製造プロセスでは、処理チャンバ８００周辺が高温(例えば、２００℃以上)となるため、開閉バルブ７２０が温度の影響を受けやすい。さらに、高頻度でバルブを開閉するので、開閉バルブ７２０の経時、経年変化が発生しやすい。このため、開閉バルブ７２０のメインテナンス作業が必要となる。

次に、本実施形態に係るバルブについて、図１〜図３Ｂを参照して説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る閉状態におけるバルブ１の構成を示す断面図である。なお、図中の矢印Ａ１，Ａ２は上下方向であってＡ1が上方向、Ａ２が下方向を示すものとする。
図１に示すように、バルブ１は、バルブユニット１Ａと駆動ユニット１Ｂから構成される。
バルブユニット１Ａは、バルブボディ２、バルブシート３、ダイヤフラム４、押えアダプタ５、操作部材としてのダイヤフラム押え６およびリフト量調節機構１０を含む。

バルブボディ２は、ステンレス鋼によりブロック状に形成されており、上部側に円筒部２ａを有し、第１の流路２ｂ及び第２の流路２ｃを形成している。バルブボディ２の円筒部２ａの内周にボンネット１３と螺合するねじ部２ｓが形成されている。第１の流路２ｂは、バルブボディ２の底面および円筒部２ａ内の底面で開口する流路であり、第２の流路２ｃは、バルブボディ２の底面および円筒部２ａの底面で開口する流路である。
バルブシート３は、バルブボディ２の円筒部２ａ内の底面の第1の流路２ｂの開口周囲に配置されている。バルブシート３は、ＰＦＡ、ＰＡ、ＰＩ、ＰＣＴＦＥ、ＰＴＦＥ等の合成樹脂製で形成することができる。バルブシート３は、カシメ加工によりバルブボディ２に固定されているが、カシメ加工によらずに配置することも可能である。

弁体であるダイヤフラム４は、バルブシート３に対向するように円筒部２ａ内の底面に設置されている。具体的には、ダイヤフラム４の下面側の周縁部が、バルブボディ２の円筒部２ａ内の底面に形成された円環状の突起からなる支持部２ｔに支持され、ダイヤフラム４の上面側の周縁部が環状の押えアダプタ５により下方向Ａ２に向けて押圧されることにより、バルブボディ２に気密に固定されている。すなわち、ダイヤフラム４は、バルブボディ２と協働して第１の流路２ｂと第２の流路２ｃとを連通する流路の一部を画定するように周縁部がバルブボディ２に気密に接触している。
本実施形態では、ダイヤフラム４は、特殊ステンレス鋼等の金属製薄板及びニッケル・コバルト合金薄板の中央部を上方へ膨出させることにより、上に凸の円弧状が自然状態の球殻状とされている。ダイヤフラム４は、例えば、ステンレス、ＮｉＣｏ系合金などの金属やフッ素系樹脂で球殻状に弾性変形可能に形成されている。ダイヤフラム４は、バルブシート３に対して接触する閉位置及び非接触の開位置の間で移動することにより第１の流路２ｂと第２の流路２ｃとの連通及び遮断を行う。

ダイヤフラム押え６は、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、円盤部６ａと軸部６ｓからなり、円盤部６ａの下端面はダイヤフラム４の上面の中心部に当接する凸状の湾曲面で形成されている。円盤部６ａのダイヤフラム４との当接部分は、ポリイミド等の合成樹脂製の部材で形成される。ダイヤフラム押え６は、本発明の操作部材として機能する。

リフト量調節機構１０は、リフト量調節部材１１、ロックナット１２およびボンネット１３を含む。

ボンネット１３は、本発明の規制部、固定部、装着部およびガイド部として機能する。
ボンネット１３は、図２Ａ，図２Ｂに示すように、円筒状部材で形成され、内部に水平に配置された平板部１３ａを有し、外周面にねじ部１３ｅを有する。平板部１３ａの中心部には、ダイヤフラム押え６を上下方向Ａ１，Ａ２に移動自在に案内する円孔からなるガイド孔１３ｈが形成され、このガイド孔１３ｈの周囲には複数の通気孔１３ｄが形成されている。平板部１３ａの下面は、図２Ｂに示すように、ダイヤフラム押え６の開位置を規定する規制面１３ｃを画定している。ボンネット１３の内周には、駆動部１Ｂのケーシング２０が螺合により装着されるねじ部１３ｓが形成されている。

ボンネット１３は、外周部に形成されたねじ部１３ｅがバルブボディ２の円筒部２ａの内周のねじ部２ｓに螺合することにより、バルブボディ２に接続されているとともに、ボンネット１３の下端部は押えアダプタ５を下方向Ａ２に押圧している。これによりダイヤフラム４がバルブボディ２に気密に固定される。なお、押えアダプタ５を省略して、ボンネット１３によりダイヤフラム４の周縁部を押圧する構成とすることも可能である。

リフト量調節部材１１は、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、円筒状部材であり、内周側にねじ孔１１ａが形成され、ダイヤフラム押え６の軸部６ｓに形成されたねじ部に螺合する。リフト量調節部材１１の下端部に形成された環状の鍔部１１ｂは、ボンネット１３の規制面１３ｃに当接可能になっている。ダイヤフラム押え６に対するリフト量調節部材１１の位置を調整することで、図２Ａに示す、バルブシート３からダイヤフラム４のリフト量Ｌｆを調整できる。リフト量Ｌｆの大きさにより流路を流通する流体の流量が決まる。
リフト量調節部材１１の外周面１１ｃは、ボンネット１３のガイド孔１３ｈに嵌合する。
ロックナット１２は、ダイヤフラム押え６に対するリフト量調節部材１１の位置をロックするために設けられている。

駆動ユニット１Ｂは、ケーシング２０、ステム２１、ばね２２、ロックナット２３、ピストンロッド２４、ベース部材３０、ケーシング３１、ピストン部材４１およびバルクヘッド４２を含む。

ケーシング２０は、図１に示したように、天井部２０ａを有する円筒状部材であり、内部にステム２１およびばね２２を収容している。ケーシング２０は、外周に形成されたねじ部２０ｓがボンネット１３のねじ部１３ｓに螺合することにより取り外し可能にボンネット１３に接続される。天井部２０ａの中心部には、ねじ孔２０ｂが形成されている。
ステム２１は、下端部に形成されたばね２２を支持する鍔部２１ａと、下端部の凹部の端面にダイヤフラム押え６の軸部６ｓの先端部６ｔと当接する当接面２１ｃとを有する。ステム２１は、上端部において、ピストンロッド２４が螺合により接続されている。
ばね２２は、コイルばね等からなり、ケーシング２０の天井部２０ａとステム２１の鍔部２１ａとの間に配置され、弾性復元力によりダイヤフラム押え６を下方向Ａ２に向けて付勢する。
ベース部材３０は、ケーシング３１と協働してシリンダ室を形成するとともに、円筒状の接続部３０ａがケーシング２０のねじ孔２０ｂに螺合することにより、ケーシング２０に接続されている。接続部３０ａのケーシング２０に対する位置は、ロックナット２３により固定される。接続部３０ａに形成された貫通孔３０ｈにピストンロッド２４が挿通されている。

ケーシング３１の内部には、バルクヘッド４２が設けられ、ケーシング３１の天井部３１ａとバルクヘッド４２の間およびベース部材３０とバルクヘッド４２の間の各シリンダ４３にそれぞれピストン４１が配置されている。各ピストン４１は、上方向Ａ１に移動する際に、ピストンロッド２４と係合し、ピストンロッド２４を上方向Ａ１に引き上げる。
ベース部材３０、バルクヘッド４２、各ピストン４１には樹脂製のシール部材ＳＲが設けられており、各シリンダ４３をシールしている。

ケーシング３１の天井部３１ａには、圧縮エア等の駆動流体ＤＧが供給される供給口３２が形成され、供給口３２はピストンロッド２４に形成された流路２５と連通している。駆動流体ＤＧは大気圧よりも十分に高い圧力に加圧された流体であり、大気圧に抗してピストンを駆動させることができる。
供給口３２から供給される駆動流体ＤＧは、ピストンロッド２４に形成された流路２５を通じて各シリンダ４３に供給される。

ダイヤフラムバルブ１の駆動部１Ｂに駆動流体ＤＧが供給されていない状態では、ばね２２の弾性復元力により、ダイヤフラム押え６は、図２Ｂに示すように、ダイヤフラム４をバルブシート３に向けて押圧し、ダイヤフラム４がバルブシート３に押し付けられ、流路が閉鎖されている。この状態では、図２Ｂから分かるように、ボンネット１３の規制面１３ｃとリフト量調節部材１１の鍔部１１ｂとの間には、隙間ｄが形成されている。この隙間ｄの大きさが、ダイヤフラム押え６の開位置を規定する。ダイヤフラム押え６の開位置は、流路が開放された状態でのダイヤフラム押え６の位置である。

ダイヤフラムバルブ１の駆動部１Ｂに駆動流体ＤＧを供給すると、各ピストン４１が上方向Ａ１に移動し、ダイヤフラム押え６を上方向Ａ１に引き上げ、ボンネット１３の規制面１３ｃにリフト量調節部材１１の鍔部１１ｂが当接することにより、ダイヤフラム押え６の上方向への移動が規制される。ダイヤフラム４のリフト量Ｌｆは、隙間ｄの大きさによって決まる。すなわち、ダイヤフラム押え６に対してリフト量調節部材１１の位置を調節することにより、リフト量Ｌｆを調節できる。

図４に、駆動ユニット１Ｂが取り外された状態のバルブユニット１Ａを示す。
図４に示すように、駆動ユニット１Ｂのバルブユニット１Ａからの取り外しは、ダイヤフラム４の気密状態に全く影響を与えず、加えて、ダイヤフラム４のリフト量Ｌｆにも影響を与えない。
このため、バルブユニット１ＡにガスＧが流通した状態、又は、バルブユニット１ＡにガスＧを流通させることが可能な状態において、駆動ユニット１Ｂの着脱ができ、例えば、駆動ユニット１Ｂを新品に交換することも可能となる。すなわち、上記したＡＬＤ法等の半導体製造プロセスの実施中に駆動ユニット１Ｂを交換するダイヤフラムバルブ１のメインテナンスが可能となる。

ダイヤフラムバルブ１の製造段階においては、バルブユニット１Ａと駆動ユニット１Ｂとを別々に組み立てる。
図４に示す状態においては、ダイヤフラム押え６には、ばね２２の弾性復元力が作用しないので、ダイヤフラム４自体の自己復元力により、ダイヤフラム４がバルブシート３から離隔し、ダイヤフラム押え６は上記した開位置に移動し、バルブが開放された状態となる。
バルブユニット１Ａの流路にガスＧを流通させると、ガスＧの圧力がダイヤフラム４に作用し、リフト量調節部材１１の鍔部１１ｂがボンネット１３の規制面１３ｃに確実に当接する。
バルブユニット１ＡにガスＧを流通させた状態で、図示しない流量測定装置で流量を測定しながら、リフト量調節機構１０を操作することで、リフト量Ｌｆを高精度に調節できる。
リフト量Ｌｆが調節されたバルブユニット１Ａに駆動ユニット１Ｂを装着することで、ダイヤフラムバルブ１の組立が完了する。
なお、リフト量Ｌｆの調節は、ダイヤフラムバルブ１の製造段階だけでなく、図５で説明したようなプロセス中でも実施可能である。

本実施形態では、図５の開閉バルブ７２０として、バルブ１を用いることを例示したが、これに限定されるわけではない。ここで、図６に本実施形態に係るバルブ１を適用可能な流体制御装置の一例を示す。
図６に示す流体制御装置には、幅方向Ｗ１，Ｗ２に沿って配列され長手方向Ｇ１，Ｇ２に延びる金属製のベースプレートＢＳが設けられている。なお、Ｗ１は背面側、Ｗ２は正面側、Ｇ１は上流側、Ｇ２は下流側の方向を示している。ベースプレートＢＳには、複数の流路ブロック９９２を介して各種流体機器９９１Ａ〜９９１Ｅが設置され、複数の流路ブロック９９２によって、上流側Ｇ１から下流側Ｇ２に向かって流体が流通する図示しない流路がそれぞれ形成されている。

ここで、「流体機器」とは、流体の流れを制御する流体制御装置に使用される機器であって、流体流路を画定するボディを備え、このボディの表面で開口する少なくとも２つの流路口を有する機器である。具体的には、開閉弁（２方弁）９９１Ａ、レギュレータ９９１Ｂ、プレッシャーゲージ９９１Ｃ、開閉弁（３方弁）９９１Ｄ、マスフローコントローラ９９１Ｅ等が含まれるが、これらに限定されるわけではない。なお、導入管９９３は、上記した図示しない流路の上流側の流路口に接続されている。

本実施形態に係るバルブ１は、開閉弁９９１Ａ、９９１Ｄ、レギュレータ９９１Ｂ等の種々のバルブに適用可能である。

上記実施形態では、駆動ユニットのアクチュエータとして、ガス圧で作動するシリンダに内蔵されたピストンを用いたが、本発明はこれに限定されるわけではなく、制御対象に応じて最適なアクチュエータを種々選択可能である。
上記実施形態では、バルブ１を駆動流体ＤＧの供給により作動するいわゆる自動弁としたが、駆動部を手動操作により作動させるいわゆる手動弁とすることも可能である。また、自動弁と手動弁の双方の機能を有した、いわゆるハイブリッド型の駆動部でも可能である。

本発明は、上述した実施形態に限定されない。当業者であれば、本発明の範囲内で、種々の追加や変更等を行うことができる。例えば、上記適用例では、バルブ１をＡＬＤ法による半導体製造プロセスに用いる場合について例示したが、これに限定されるわけではなく、本発明は、例えば原子層エッチング法（ＡＬＥ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｅｔｃｈｉｎｇ 法）等、精密な流量調整が必要なあらゆる対象に適用可能である。

上記実施形態では、規制部、固定部、装着部、ガイド部の機能をすべてボンネットに集約したが、これに限定されるわけではなく、複数部品でこれらの機能を実現することも可能である。
上記実施形態では、ボンネットに装着部を形成したが、駆動ユニット１Ｂのケーシング２０をバルブボディ２に直接装着することも可能である。
上記実施形態では、本発明のバルブとしてダイヤフラムバルブを例示したが、ダイヤフラム以外の弁体を備えるバルブにも本発明を適用可能である。

１ ：ダイヤフラムバルブ
１Ａ ：バルブユニット
１Ｂ ：駆動ユニット
２ ：バルブボディ
２ａ ：円筒部
２ｂ ：第１の流路
２ｃ ：第２の流路
２ｓ ：ねじ部
２ｔ ：支持部
３ ：バルブシート
４ ：ダイヤフラム
５ ：押えアダプタ
６ ：ダイヤフラム押え
６ａ ：円盤部
６ｓ ：軸部
６ｔ ：先端部
１０ ：リフト量調節機構
１１ ：リフト量調節部材
１１ａ ：ねじ孔
１１ｂ ：鍔部
１１ｃ ：外周面
１２ ：ロックナット
１３ ：ボンネット
１３ａ ：平板部
１３ｃ ：規制面
１３ｄ ：通気孔
１３ｅ ：ねじ部
１３ｈ ：ガイド孔
１３ｓ ：ねじ部
２０ ：ケーシング
２０ａ ：天井部
２０ｂ ：ねじ孔
２０ｓ ：ねじ部
２１ ：ステム
２１ａ ：鍔部
２１ｃ ：当接面
２２ ：ばね
２３ ：ロックナット
２４ ：ピストンロッド
２５ ：流路
３０ ：ベース部材
３０ａ ：接続部
３０ｈ ：貫通孔
３１ ：ケーシング
３１ａ ：天井部
３２ ：供給口
４１ ：ピストン部材
４２ ：バルクヘッド
４３ ：シリンダ
７００ ：ガスボックス
７１０ ：タンク
７２０ ：開閉バルブ
７３０ ：制御部
８００ ：処理チャンバ
９００ ：排気ポンプ
９９１Ａ ：開閉弁
９９１Ｂ ：レギュレータ
９９１Ｃ ：プレッシャーゲージ
９９１Ｄ ：開閉弁
９９１Ｅ ：マスフローコントローラ
９９２ ：流路ブロック
９９３ ：導入管
１０００ ：半導体製造装置
Ａ１ ：上方向
Ａ２ ：下方向
ＢＳ ：ベースプレート
ＤＧ ：駆動流体
Ｇ ：ガス
Ｇ１ ：長手方向(上流側)
Ｇ２ ：長手方向(下流側)
Ｌｆ ：リフト量
ＳＲ ：シール部材
Ｗ１ ：幅方向
Ｗ２ ：幅方向
ｄ ：隙間

Claims (12)

1. 流路を画定するバルブボディと、
   前記バルブボディと協働して前記流路の一部を画定するように周縁部が前記バルブボディに気密に接触し、かつ、前記流路を開閉可能に設けられた弁体と、
   前記弁体が前記流路を閉鎖させる閉位置と開放させる開位置との間で移動可能に設けられた前記弁体を操作する操作部材と、を含むバルブユニットと、
   前記バルブユニットに対して取り外し可能に装着され、かつ前記操作部材を前記開位置又は閉位置に移動させる駆動ユニットと、を有し、
   前記バルブユニットは、前記操作部材の前記開位置を調整するリフト量調節機構を有する、バルブ。
2. 前記リフト量調節機構は、前記操作部材に対して位置を変更可能に設けられたリフト量調節部材と、
   前記バルブボディに固定され、前記リフト量調節部材と当接して前記流路を開放させる方向への前記操作部材の移動を規制する規制部を備える部材と、を有する請求項１に記載のバルブ。
3. 前記規制部を備える部材は、前記弁体の周縁部を前記バルブボディに向けて押圧して当該弁体を気密に当該バルブボディに固定するための固定部をさらに有する、請求項２に記載のバルブ。
4. 前記規制部を備える部材は、前記駆動ユニットを取外し可能に装着する装着部をさらに有する、請求項２又は３に記載のバルブ。
5. 前記規制部を備える部材は、前記流路を開閉する方向に前記操作部材を移動自在にガイドするガイド部をさらに有する、請求項２ないし４のいずれかに記載のバルブ。
6. 前記ガイド部は、前記操作部材に設けられた前記リフト量調節部材が嵌合するガイド孔を含む、請求項５に記載のバルブ。
7. 前記リフト量調節部材は、前記操作部材に螺合しており、
   前記リフト量調節機構は、前記操作部材に螺合し、前記リフト量調節部材の位置をロックするためのロック部材をさらに有する、請求項２ないし６のいずれかに記載のバルブ。
8. 前記リフト量調節機構は、前記駆動ユニットが前記バルブユニットに未装着状態において操作可能に形成されている、請求項１ないし７のいずれかに記載のバルブ。
9. 前記駆動ユニットは、駆動流体の供給を受けて作動する構造、手動操作により作動する構造、または、駆動流体の供給を受けて作動する構造および手動操作により作動する構造の双方を有する、請求項１ないし８のいずれかに記載のバルブ。
10. 複数の流体機器が配列された流体制御装置であって、
    前記複数の流体機器は、請求項１ないし９のいずれかに記載のバルブを含む、流体制御装置。
11. 密閉されたチャンバ内においてプロセスガスによる処理工程を要する半導体装置の製造プロセスにおいて、前記プロセスガスの流量制御に請求項１ないし９のいずれかに記載のバルブを用いる、半導体製造方法。
12. 処理チャンバにプロセスガスを供給する流体制御装置を有し、
    前記流体制御装置は、複数の流体機器を含み、
    前記流体機器は、請求項１ないし９のいずれかに記載のバルブを含む、半導体製造装置。

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