JP2020047591A5 - - Google Patents
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Claims (9)
- 中空陰極プラズマ源であって、
細長い孔(4)と、前記プラズマを形成するガス用のガス入口(6)と、基材に向けられた出口ノズル(13)につながるガス出口(7)とを各々有し、正負が交互に入れ替わる電圧を印加する電源と電気的に接続された、第1の電極(1)および第2の電極(2)を備え、
前記第1及び第2の電極(1、2)は互いに実質的に平行であり、
以下のパラメータの値として、
i.前記孔の断面が、矩形、角に丸みのある矩形または円形であるか、これらの形状の
中間的な形状であること
ii.前記孔の断面積が、500mm2〜4000mm2であること
iii.前記孔の距離(11)が、85mm〜160mmであること
iv.前記出口ノズルの幅(12)が、1mm〜25mmであること
のすべてが選択される、中空陰極プラズマ源。 - 前記孔の断面形状は円形である、請求項1に記載の中空陰極プラズマ源。
- 前記孔の断面積は、500mm2〜1000mm2である、請求項1に記載の中空陰極プラズマ源。
- 前記孔の断面積は、1000mm2〜4000mm2である、請求項1に記載の中空陰極プラズマ源。
- 前記孔の断面積は、750mm2〜1500mm2である、請求項1に記載の中空陰極プラズマ源。
- 前記孔の距離(11)は、100mm〜145mmである、請求項1に記載の中空陰極プラズマ源。
- 前記出口ノズルの幅(12)は、3.5mm〜25mmである、請求項1に記載の中空陰極プラズマ源。
- 請求項1に記載の中空陰極プラズマ源を有する真空チャンバを用意し、
前記電極(1、2)のプラズマを形成するガス入口(6)を介してプラズマを形成するガスを注入し、
前記中空陰極プラズマ源に電圧を印加し、
前記真空チャンバ内で前記中空陰極プラズマ源によって発生した前記プラズマ(16)に基材(15)を導入することを含む、基材の表面を処理するための方法。 - 請求項1に記載の中空陰極プラズマ源を有する真空チャンバを用意し、
前記電極(1、2)のプラズマを形成するガス入口(6)を介してプラズマを形成するガスを注入し、
前記中空陰極プラズマ源に電圧を印加し、
前記プラズマ源によって発生した前記プラズマに向けてコーティング原料ガスを注入し、
前記真空チャンバ内で前記中空陰極プラズマ源によって発生した前記プラズマ(16)に基材(15)を導入し、
前記プラズマによって活性化した前記原料ガスからコーティングを施すことを含む、基材をコーティングするための方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2019212122A JP2020047591A (ja) | 2019-11-25 | 2019-11-25 | 中空陰極プラズマ源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2019212122A JP2020047591A (ja) | 2019-11-25 | 2019-11-25 | 中空陰極プラズマ源 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2017529720A Division JP6710686B2 (ja) | 2014-12-05 | 2014-12-05 | 中空陰極プラズマ源、基材処理方法 |
Publications (2)
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JP2020047591A JP2020047591A (ja) | 2020-03-26 |
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JP2019212122A Pending JP2020047591A (ja) | 2019-11-25 | 2019-11-25 | 中空陰極プラズマ源 |
Country Status (1)
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Family Cites Families (2)
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BR112017011612A2 (pt) * | 2014-12-05 | 2018-01-16 | Agc Glass Europe, S.A | fonte de plasma de cátodo oco |
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2019
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